在聚合物基體復合襯底上形成電感器的半導體器件和方法

文檔序號：6956637閱讀：251來源：國知局

專利名稱：在聚合物基體復合襯底上形成電感器的半導體器件和方法
技術領域：
本發(fā)明大體上涉及半導體器件，并且更具體地涉及在聚合物基體復合襯底上形成電感器的半導體器件和方法。
背景技術：
半導體器件普遍存在于現(xiàn)代電子產品中。半導體器件在電部件的數(shù)量和密度方面變化。分立半導體器件一般包含一種類型的電部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器以及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(M0SFET)。集成半導體器件典型地包含幾百到幾百萬個電部件。集成半導體器件的示例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CXD )、太陽能電池以及數(shù)字微鏡器件(DMD )。半導體器件執(zhí)行各種各樣的功能，諸如高速計算、發(fā)射和接收電磁信號、控制電子器件、把太陽光轉換成電力以及為電視顯示器創(chuàng)建視覺投影。半導體器件存在于娛樂、通信、功率變換、網絡、計算機和消費品中。半導體器件也存在于軍事應用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設備中。半導體器件利用半導體材料的電學屬性。半導體材料的原子結構允許通過施加電場或基極電流或者通過摻雜工藝來操縱其電導率。摻雜將雜質引入到半導體材料中以操縱和控制半導體器件的電導率。半導體器件包含有源和無源電結構。包括雙極型和場效應晶體管的有源結構控制電流的流動。通過改變摻雜水平和電場或基極電流的施加，晶體管促進或限制電流的流動。包括電阻器、電容器和電感器的無源結構產生為執(zhí)行各種電功能所需的電壓和電流之間的關系。無源和有源結構被電連接以形成電路，所述電路使得半導體器件能夠執(zhí)行高速計算和其他有用功能。半導體器件一般使用兩個復雜的制造工藝(即前端制造和后端制造)進行制造，每個制造工藝可能涉及幾百個步驟。前端制造涉及在半導體晶片的表面上形成多個管芯。每個管芯典型地完全相同并且包含通過電連接有源和無源部件而形成的電路。后端制造涉及從完成的晶片中單顆化個別管芯以及封裝該管芯以提供結構支撐和環(huán)境隔離。半導體制造的一個目標是產生更小的半導體器件。更小的半導體器件典型地消耗更少的功率，具有更高的性能，并且可以被更高效地生產。另外，更小的半導體器件具有更小的占位面積(footprint)，這對于更小的終端產品而言是所期望的。更小的管芯大小可以通過前端工藝的改進(導致管芯具有更小的、更高密度的有源和無源部件)來獲得。后端工藝可以通過電互連和封裝材料的改進而導致具有更小占位面積的半導體器件封裝。
半導體制造的另一個目標是產生更高性能的半導體器件。在諸如射頻(RF)無線通信之類的高頻應用中，集成無源器件(IPD)往往被包含在半導體器件內。IPD的示例包括電阻器、電容器和電感器。典型的RF系統(tǒng)要求一個或多個半導體封裝中的IPD執(zhí)行必要的電功能。電感器通常形成在用于結構支撐的犧牲襯底上。通過在形成電感器后研磨或蝕刻工藝來去除該犧牲襯底。該犧牲襯底的使用增加諸如研磨和蝕刻之類的處理步驟以及制造工藝的成本。

發(fā)明內容
存在對簡化制造工藝和減小形成電感器的成本的需要。因而，在一個實施例中，本發(fā)明是一種制作半導體器件的方法，該方法包括以下步驟形成聚合物基體復合襯底；在所述聚合物基體復合襯底的第一表面上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一導電層；在所述第一絕緣層和第一導電層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層和第一導電層上形成第二導電層；在所述第二絕緣層和第二導電層上形成第三絕緣層；去除所述第三絕緣層的一部分以暴露所述第二導電層；以及在所述第二導電層上形成凸點。在另一個實施例中，本發(fā)明是一種制作半導體器件的方法，該方法包括以下步驟形成模制襯底；在所述模制襯底上形成第一導電層；在所述模制襯底和第一導電層上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層和第一導電層上形成第二導電層；在所述第一絕緣層和第二導電層上形成第二絕緣層；以及在所述第二導電層上形成互連結構。在另一個實施例中，本發(fā)明是一種制作半導體器件的方法，該方法包括以下步驟形成聚合物基體復合襯底；在所述聚合物基體復合襯底上形成電感器；以及在所述電感器上形成互連結構。在另一個實施例中，本發(fā)明是一種半導體器件，其包括聚合物基體復合襯底和形成在所述聚合物基體復合襯底上的第一導電層。第一絕緣層形成在所述聚合物基體復合襯底和第一導電層上。第二導電層形成在所述第一絕緣層和第一導電層上。第二絕緣層形成在所述第一絕緣層和第二導電層上?；ミB結構形成在所述第二導電層上。

圖1示出具有安裝到其表面的不同類型的封裝的PCB ；
圖2a-2c示出安裝到PCB的代表性半導體封裝的進一步細節(jié)；圖3a-3i示出在聚合物基體復合襯底上形成IPD的工藝；圖4a4e示出在聚合物基體復合襯底的平面表面上形成IPD的另一種工藝；圖5示出具有形成在平面表面上的IPD的另一個聚合物基體復合襯底；圖6示出被卷繞以形成電感器的導體；以及圖7a-7n示出在聚合物基體復合襯底上形成電感器的工藝。
具體實施例方式本發(fā)明是參考附圖在以下描述的一個或多個實施例中描述的，其中同樣的數(shù)字代表相同或類似的元件。雖然本發(fā)明是按照用于獲得本發(fā)明目標的最佳模式描述的，但是本領域的技術人員會明白其旨在覆蓋如可以被包括在如以下公開和附圖所支持的所附權利要求書及其等價物所定義的發(fā)明的精神和范圍內的更改、修改和等價物。一般使用兩個復雜的制造工藝來制造半導體器件前端制造和后端制造。前端制造涉及在半導體晶片的表面上形成多個管芯。晶片上的每個管芯包含有源和無源電部件，所述有源和無源電部件被電連接以形成功能電路。有源電部件，諸如晶體管和二極管，具有控制電流流動的能力。無源電部件，諸如電容器、電感器、電阻器和變壓器，產生為執(zhí)行電路功能所需的電壓和電流之間的關系。無源和有源部件通過包括摻雜、沉積、光刻、蝕刻和平坦化的一系列工藝步驟而形成在半導體晶片的表面上。摻雜通過諸如離子注入或熱擴散之類的技術而把雜質引入到半導體材料中。摻雜工藝修改有源器件中半導體材料的電導率，從而把半導體材料轉換成絕緣體、導體或者響應于電場或基極電流而動態(tài)改變半導體材料電導率。晶體管包含為使得晶體管能夠在電場或基極電流的施加下促進或限制電流流動而需要布置的變化摻雜類型和程度的區(qū)域。有源和無源部件由具有不同電屬性的材料層形成。這些層可以通過部分由被沉積的材料類型所確定的各種沉積技術形成。例如，薄膜沉積可以涉及化學汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、電解電鍍以及化學電鍍工藝。每層一般被圖案化以形成各部分的有源部件、無源部件或部件之間的電連接。這些層可以使用光刻來圖案化，所述光刻涉及在要圖案化的層上沉積光敏材料 (例如，光致抗蝕劑)。使用光把圖案從光掩模轉移到光致抗蝕劑。經受光的光致抗蝕劑圖案的部分使用溶劑來去除，暴露要圖案化的底層的部分。光致抗蝕劑的其余部分被去除，留下圖案化后的層?？蛇x地，一些類型的材料通過把該材料直接沉積到由先前沉積/蝕刻工藝使用諸如化學和電解電鍍之類的技術而形成的區(qū)域或空隙中進行圖案化。在現(xiàn)有圖案上沉積薄膜材料可能擴大底下圖案并且產生不均勻的平坦表面。為產生較小且更密集的有源和無源部件而要求均勻的平坦表面。平坦化可以用來從晶片的表面去除材料并且產生均勻的平坦表面。平坦化涉及用拋光墊片對晶片的表面進行拋光。在拋光期間研磨材料和腐蝕性化學制劑被添加到晶片的表面。組合的、磨料的機械作用和化學制劑的腐蝕作用去除任何不規(guī)則形貌，導致均勻的平坦表面。后端制造指的是把完成的晶片切割或單顆化成個別管芯并且然后對管芯進行封裝以用于結構支撐和環(huán)境隔離。為了單顆化管芯，晶片沿被稱作劃片街區(qū)(saw street)或劃線的晶片的非功能區(qū)域被刻痕并切斷。使用激光切割工具或鋸刀來單顆化晶片。在單顆化后，個別管芯被安裝到包括用于與其他系統(tǒng)部件互連的管腳或接觸墊的封裝襯底上。在半導體管芯上形成的接觸墊然后連接到封裝內的接觸墊。電連接可以用焊料凸點、柱形凸點、導電膠或引線接合制成。密封劑或其他模制材料沉積在封裝上以提供物理支撐和電隔離。完成的封裝然后被插入到電系統(tǒng)中并且使半導體器件的功能性可用于其他系統(tǒng)部件。圖1示出具有在其表面上安裝有多個半導體封裝的芯片載體襯底或印刷電路板 (PCB) 52的電子器件50。電子器件50可以根據(jù)應用而具有一種類型的半導體封裝或者多種類型的半導體封裝。為了說明目的而在圖1中示出不同類型的半導體封裝。集成電路(ASIC)、邏輯電路、模擬電路、RF電路、分立器件、或者其他半導體管芯或電部件。在圖1中，PCB 52提供用于安裝在PCB上的半導體封裝的結構支撐和電互連的一般襯底。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學電鍍、絲網印刷或者其他合適的金屬沉積工藝來把導電信號跡線M形成在表面上或在各層PCB 52內。信號跡線M提供每個半導體封裝、所安裝部件以及其他外部系統(tǒng)部件之間的電通信。跡線M也提供到每個半導體封裝的電源和地連接。在一些實施例中，半導體器件具有兩個封裝等級。一級封裝是一種用于把半導體管芯機械且電地附著到中間載體的技術。二級封裝涉及把中間載體機械且電地附著到PCB。在其他實施例中，半導體器件可以只有一級封裝，其中管芯被機械且電地直接安裝到PCB。為了說明的目的，在PCB 52上示出包括引線接合封裝56和倒裝芯片58的若干類型的一級封裝。另外，示出安裝在PCB 52上的包括球柵陣列(BGA)60、凸點芯片載體(BCC) 62、雙列直插式封裝(DIP) 64、連接盤網格陣列(LGA) 66、多芯片模塊(MCM) 68、四方扁平無引腳封裝(QFN)70和四方扁平封裝72的若干類型的二級封裝。根據(jù)系統(tǒng)要求，配有一級和二級封裝方式的任何組合的半導體封裝以及其他電子部件的任何組合可以連接到PCB 52。在一些實施例中，電子器件50包括單個附著的半導體封裝，而其他實施例要求多個互連的封裝。通過在單個襯底上組合一個或多個半導體封裝，制造商可以把預制部件合并到電子器件和系統(tǒng)中。因為半導體封裝包括復雜的功能性，所以可以使用較廉價的部件和流水線的制造工藝來制造電子器件。所得到的器件不太可能出故障并且制造較便宜，導致消費者的更低成本。圖加-2(示出示例性半導體封裝。圖加示出安裝在PCB 52上的DIP 64的進一步細節(jié)。半導體管芯74包括有源區(qū)域，其包含模擬或數(shù)字電路，所述模擬或數(shù)字電路被實施為形成在管芯內的并且根據(jù)管芯的電設計進行電互連的有源器件、無源器件、導電層和介電層。例如，電路可以包括一個或多個晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器以及其他形成在半導體管芯74的有源區(qū)域內的電路元件。接觸墊76是一層或多層導電材料，諸如鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(Ni)、金(Au)或銀(Ag)，并且電連接到形成在半導體管芯74內的電路元件。在DIP 64的組裝期間，半導體管芯74使用金硅共晶層或粘合材料(諸如熱環(huán) 氧化物或環(huán)氧樹脂)而安裝到中間載體78。封裝體包括諸如聚合物或陶瓷的絕緣封裝材料。導體引線80和引線接合82提供半導體管芯74和PCB 52之間的電互連。密封劑84沉積在封裝上以通過防止?jié)駳夂皖w粒進入封裝并且污染管芯74或引線接合82來實現(xiàn)環(huán)境保護。圖2b示出安裝在PCB 52上的BCC 62的進一步細節(jié)。使用底部填充或環(huán)氧樹脂粘合材料92把半導體管芯88安裝在載體90上。引線接合94提供接觸墊96和98之間的一級封裝互連。模制化合物或密封劑100沉積在半導體管芯88和引線接合94上以為器件提供物理支撐和電隔離。使用諸如電解電鍍或化學電鍍之類的合適的金屬沉積工藝來防止氧化，在PCB 52的表面上形成接觸墊102。接觸墊102電連接到PCB 52中的一條或多條導電信號跡線M。凸點104形成在BCC 62的接觸墊98和PCB 52的接觸墊102之間。在圖2c中，半導體管芯58以倒裝芯片式一級封裝而面朝下地安裝到中間載體 106。半導體管芯58的有源區(qū)域108包含模擬或數(shù)字電路，其被實施為根據(jù)管芯的電設計而形成的有源器件、無源器件、導電層和介電層。例如，電路可以包括一個或多個晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器和有源區(qū)域108內的其他電路元件。半導體管芯58通過凸點110電且機械地連接到載體106。BGA 60使用凸點112以BGA式二級封裝而電且機械地連接到PCB 52。半導體管芯58通過凸點110、信號線114和凸點112而電連接到PCB 52中的導電信號跡線M。模制化合物或封裝劑116沉積在半導體管芯58和載體106上以為器件提供物理支撐和電隔離。倒裝芯片半導體器件提供從半導體管芯58上的有源器件到PCB 52上的傳導通道的短電傳導通路以便減小信號傳播距離、降低電容并且改善整體電路性能。在另一個實施例中，半導體管芯58可以在不用中間載體106的情況下使用倒裝芯片式一級封裝而機械且電地直接連接到PCB 52。圖3a_3i示出針對圖1和的在聚合物基體復合物(例如環(huán)氧模制化合物 (EMC)襯底)上形成IPD結構的工藝。在圖3a中，模套模具(chase mold) 120具有上平板 120a和下平板120b?？舍尫拍z帶122被施加到模套模具120的上平板120a。任選的金屬載體IM安裝到下平板120b。載體124也可以是用于結構支撐的硅、聚合物、聚合物復合物、陶瓷、玻璃、玻璃環(huán)氧化物、氧化鈹、膠帶或者其他合適的低成本、剛性材料。載體1 可以可重復用于制造工藝?？蛇x地，載體1 可以是僅可使用一次，諸如支撐膠帶和塑料襯墊?？舍尫拍z帶1 被施加到載體124。膠帶122和1 可通過機械或熱壓力釋放。層壓膜1 形成在可釋放膠帶1 上。該膜1 可以是諸如Cu和Al之類的金屬或者其他具有任選底料的導電材料以與密封劑132更好地粘合。在上平板120a和下平板120b之間提供開放區(qū)130以配送密封劑材料。在圖北中，使用壓縮模制、轉移模制、液封模制、或者其他合適的敷料器把密封劑材料或模制化合物132配送到上平板120a和下平板120b之間的區(qū)域130中。密封劑132 可以是液體、粒狀、粉末形式或片板形式的聚合物復合材料，諸如具有填充劑的環(huán)氧樹脂、具有填充劑的環(huán)氧丙烯酸酯或者具有從40%上至95%含量的適當填充劑的聚合物。當被固化并從模具模套120被去除時，密封劑132形成具有層壓膜128的聚合物基體復合襯底晶片或面板134，如圖3c所示。可選地，層壓膜1 可以覆蓋襯底134的全部表面。聚合物基體復合襯底134具有高電阻率、低損耗角正切、較低介電常數(shù)、與上覆IPD結構匹配的熱膨脹(CTE)系數(shù)以及良好的熱導率。在圖3d中，膜層1 被圖案化并被蝕刻以提供第一導電層128a-U8c以及形成凹槽或淺腔136，其中表面138在聚合物基體復合襯底134中。腔136是任選的，其中膜層1 全部覆蓋面板134的表面。導電層128a-U8c的個別部分可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性而是電公共或電隔離的。在圖!Be中，任選的平坦化絕緣層142可以形成在聚合物基體復合襯底134和導電層1 上作為一層或多層二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、五氧化二鉭 (Ta205 )、氧化鋁(Al203 )、聚酰亞胺、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、WPR或者其他合適的介電材料，尤其是聚合物光敏介電材料。絕緣層142用來在部分去除層壓膜1 之后平坦化聚合物基體復合襯底134的表面以便改善后續(xù)沉積和光刻處理步驟的臺階覆蓋?？蛇x 地，絕緣層142可以被用作IPD電容器部件的電介質，如下面描述的。在圖3f-3i中描述的其余IPD結構被示出不帶任選的平坦化層142。在圖3f中，使用PVD、CVD或其它合適的沉積工藝將任選的電阻層146形成在導電層128a和襯底134的表面138上。在一個實施例中，電阻層146可以是硅化鉭(TaxSiy)或其他金屬硅化物、TaN、鎳鉻(NiCr)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鈦鎢(TiW)或具有5和100歐姆/□的電阻率的摻雜多晶硅。使用以PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化的圖案化來在電阻層146上形成絕緣或介電層148。絕緣層148可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB, ΡΒ0、或者其他合適的介電材料。導電層U8a、電阻層146和絕緣層148之間的重疊可以具有其他實施例。例如，電阻層146可以全部在導電層128a內。在圖3g中，使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化在導電層128、電阻層146和絕緣層148上形成絕緣或鈍化層150。絕緣層150可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、 Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB, PBO、WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層150的一部分以暴露導電層128、電阻層146和絕緣層 148。在圖池中，使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在導電層128、絕緣層148和150以及電阻層146上形成導電層152以形成個別部分或區(qū)段15h-152j。導電層152可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、 TiW或其他合適的導電材料。導電層的個別部分152a-152j可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化在絕緣層150和導電層152上形成絕緣或鈍化層154。絕緣層巧4可以是一層或多層Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、A1203、聚酰亞胺、 BCB, PBO或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層154的一部分以暴露導電層152。在圖3i中，使用PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝在導電層152c上形成任選的導電層156。導電層156可以是一層或多層Ti、Tiff, NiV、Cr、CrCu、Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、或其他合適的導電材料。在一個實施例中，導電層156 是凸點下金屬化層(UBM)，包含具有粘合層、阻擋層和種子或潤濕層的多層金屬疊層。粘合層形成在導電層152c上并且可以是Ti、TiN、TiW、Al或鉻(Cr)。阻擋層形成在粘合層上并且可以是Ni、鎳釩(NiV)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、TiW或者鉻銅(CrCu)。阻擋層抑制Cu擴散到管芯的有源區(qū)中。種子層可以是Cu、Ni、NiV、Au或Al。種子層形成在阻擋層上并且充當導電層152c和隨后的焊料凸點或其他互連結構之間的中間導電層。UBM 156提供到導電層152c 的低電阻互連以及對焊料擴散的阻擋層和用于焊料潤濕性的種子層。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學電鍍、球落(ball drop)或絲網印刷工藝，將導電凸點材料沉積在UBM 156上。凸點材料可以是具有任選焊劑(flux)溶液的Al、Sn、Ni、Au、Ag、inK Bi、Cu、焊料以及其組合。例如，凸點材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或者無鉛焊料。凸點材料使用合適的附著或接合工藝而接合到UBM 156。在一個實施例中，凸點材料通過將材料加熱到其熔點之上被回流以形成球形球或凸點158。在一些應用中，凸點158被二次回流以改善到UBM 156的電接觸。凸點也可以壓縮接合到UBM 156。凸點158代表可以形成在UBM 156上的一種類型的互連結構。該互連結構也可以使用接合線、導電膠、柱形凸點、微凸點以及其他電互連。例如，接合線160形成在導電層152j上。在圖3c_3i中描述的結構構成多個無源電路元件或IPD 162。在一個實施例中，導電層U8a、電阻層146、絕緣層148和導電層15 是金屬絕緣體金屬(MIM)電容器。導電層152c和152d之間的電阻層146是無源電路中的電阻器元件。導電層152d_152i的個別區(qū)段可以在平面圖中被卷繞或盤繞以產生或展現(xiàn)電感器的期望屬性。IPD 162可以具有電容器、電阻器和/或電感器的任何組合。IPD結構162提供為高頻應用所需的電特性，諸如諧振器、高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、對稱高Q諧振變壓器、匹配網絡和調諧電容器。IPD可以被用作前端無線RF 部件，其可以位于天線和收發(fā)器之間。電感器可以是高達100千兆赫操作的高Q平衡-不平衡變換器(balim )、變壓器或線圈。在一些應用中，多個平衡-不平衡變換器形成在相同的襯底上以允許多頻帶操作。例如，兩個或更多平衡-不平衡變換器被用于移動電話或其他全球移動通信(GSM)系統(tǒng)的四頻帶，每個平衡-不平衡變換器專用于四頻帶器件的操作的頻帶。典型的RF系統(tǒng)要求一個或多個半導體封裝中的多個IPD和其他高頻電路以執(zhí)行必要的電功能。導電層152j可以是IPD結構的地平面。形成在聚合物基體復合襯底134上的IPD結構162簡化了制造工藝并且減小成本。任選的暫時且可重復使用的金屬載體用來構建人工模制化合物晶片或面板。聚合物基體復合襯底134提供高電阻率、低損耗角正切、低介電常數(shù)、使CTE與IPD結構匹配、以及良好的熱導率。圖4a4e示出針對圖1和2a_2c的在聚合物基體復合物或EMC襯底上形成IPD結構的另一種工藝。在圖如中，模套模具170具有上平板170a和下平板170b?？舍尫拍z帶 172被施加到模套模具170的上平板170a。具有任選粘合屬性的可釋放膠帶174被施加到下平板170b。膠帶172和174可通過機械或熱壓力釋放。使用壓縮模制、轉移模制、液封模制、或者其他合適的敷料器把密封劑材料或模制化合物176配送到上平板170a和下平板 170b之間的開放區(qū)域中。密封劑176可以是液體、粒狀或粉末形式的聚合物復合材料，諸如具有填充劑的環(huán)氧樹脂、具有填充劑的環(huán)氧丙烯酸酯或者具有從40%上至95%含量的適當填充劑的聚合物。當被固化并從模具模套170被去除時，密封劑176形成聚合物基體復合襯底晶片或面板178，如圖4b所示。聚合物基體復合襯底178具有高電阻率、低損耗角正切、較低介電常數(shù)、與上覆IPD結構匹配的CTE以及良好的熱導率。任選的絕緣層180可以形成在聚合物基體復合襯底178上作為具有良好絕緣屬性的平坦化層。在圖如中，使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在襯底178上的絕緣層180和界面上形成導電層182以形成個別部分或區(qū)段182a-182c0導電層182可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、TiW、TiN或其他合適的導電材料，其中Ti、TiN或TiW為粘合或阻擋層。導電層182的個別部分可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。使用PVD、CVD或其它合適的沉積工藝將任選的電阻層184形成在導電層18 和襯底178的界面層180上。在一個實施例中，電阻層184可以是TaxSiy或其他金屬硅化物、 TaN, NiCr, Ti, TiN, Tiff或具有5和100歐姆/ □的電阻率的摻雜多晶硅。使用以PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化的圖案化來在電阻層184上形成絕緣或介電層186。絕緣層186可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB, PBO或者其他合適的介電材料。使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化來在導電層182、電阻層184和絕緣層186 上形成絕緣或鈍化層188。絕緣層188可以是一層或多層Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB、PB0、WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層188的一部分以暴露導電層182、電阻層184和絕緣層186。在圖4d中，使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在導電層182、絕緣層186和188以及電阻層184上形成導電層190以形成個別部分或區(qū)段190a-190j。導電層190可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、 TiW、TiN或其他合適的導電材料，其中Ti、TiN或TiW為粘合或阻擋層。導電層的個別部分 190a-190j可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化在絕緣層188和導電層190上形成絕緣或鈍化層192。絕緣層192可以是一層或多層Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、A1203、聚酰亞胺、 BCB、ΡΒ0, WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層192的一部分以暴露導電層190。在圖如中，使用PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝在導電層190c上形成導電層194。導電層194可以是一層或多層Ti、TiW、NiV、Cr、 CrCu、Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、或其他合適的導電材料。在一個實施例中，導電層194是UBM，包含具有粘合層、阻擋層和種子或潤濕層的多層金屬疊層。粘合層形成在導電層190c上并且可以是Ti、TiN, Tiff, Al或Cr。阻擋層形成在粘合層上并且可以是Ni、NiV, Pt、Pd、Tiff 或者CrCu。阻擋層抑制Cu擴散到管芯的有源區(qū)中。種子層可以是Cu、Ni、NiV、Au或Al。種子層形成在阻擋層上并且充當導電層190c和隨后的焊料凸點或其他互連結構之間的中間導電層。UBM 194提供到導電層190c的低電阻互連以及對焊料擴散的阻擋層和用于焊料潤濕性的種子層。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學電鍍、球落或絲網印刷工藝，將導電凸點材料沉積在UBM 194上。凸點材料可以是具有任選焊劑溶液的Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料以及其組合。例如，凸點材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或者無鉛焊料。凸點材料使用合適的附著或接合工藝而接合到UBM 194。在一個實施例中，凸點材料通過將材料加熱到其熔點之上被回流以形成球形球或凸點196。在一些應用中，凸點196被二次回流以改善到UBM 194的電接觸。凸點也可以壓縮接合到UBM 194。凸點196代表可以形成在UBM 194上的一種類型的互連結構。該互連結構也可以使用接合線、導電膠、柱形凸點、微凸點以及其他電互連。例如，接合線198形成在導電層190 j上。在圖4b4e中描述的結構構成多個無源電路元件或IPD 200。在一個實施例中，導電層182a、電阻層184、絕緣層186和導電層190a是MIM電容器。導電層190c和190d之間的電阻層184是無源電路中的電阻器元件。導電層190d-190i的個別區(qū)段可以在平面圖中被卷繞或盤繞以產生或展現(xiàn)電感器的期望屬性。IPD 200可以具有電容器、電阻器和/或電感器的任何組合。IPD結構200提供為高頻應用所需的電特性，諸如諧振器、高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、對稱高Q諧振變換器、匹配網絡和調諧電容器。IPD可以被用作前端無線RF 部件，其可以位于天線和收發(fā)器之間。電感器可以是高達100千兆赫操作的高Q平衡-不平衡變換器、變壓器或線圈。在一些應用中，多個平衡-不平衡變換器形成在相同的襯底上以允許多頻帶操作。例如，兩個或更多平衡-不平衡變換器被用于移動電話或其他GSM通信的四頻帶，每個平衡-不平衡變換器專用于四頻帶器件的操作的頻帶。典型的RF系統(tǒng)要求一個或多個半導體封裝中的多個IPD和其他高頻電路以執(zhí)行必要的電功能。導電層190j 可以是IPD結構的地平面。形成在聚合物基體復合襯底178上的IPD結構200簡化了制造工藝并且減小成本。聚合物基體復合襯底178提供高電阻率、低損耗角正切、低介電常數(shù)、使CTE與IPD結構匹配、以及良好的熱導率。圖5示出形成在聚合物基體復合襯底上的另一種IPD結構。使用模套模具，聚合物基體復合襯底晶片或面板210以與圖如類似的方式形成。聚合物基體復合襯底210具有高電阻率、低損耗角正切、較低介電常數(shù)、與上覆IPD結構匹配的CTE、以及良好的熱導率。使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在襯底210上形成導電層212以形成個別部分或區(qū)段21h-212c。導電層212可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、TiN、Tiff或其他合適的導電材料，其中Ti、TiN或 TiW為粘合或阻擋層。導電層212的個別部分可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化來在導電層212上形成絕緣或鈍化層 218。絕緣層218可以是一層或多層5土02、513附、51(^、了3205、六1203、聚酰亞胺、808、卩80、 wra或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層 218的一部分以暴露導電層212。使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在絕緣層218上形成導電層220。導電層220可以是粘合層或阻擋層，諸如Ti、TiW、 TiN、TaxSiy和TaN。導電層220操作為IPD結構的電阻層。使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在導電層220上形成導電層222以形成個別部分或區(qū)段22加-222 j。導電層222可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導電材料。導電層的個別部分22h_222j 可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化在絕緣層218和導電層220和222上形成絕緣或鈍化層224。絕緣層2 可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB、PB0、WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層224的一部分以暴露導電層222。使用PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝在導電層222c上形成導電層226。導電層2 可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導電材料。在一個實施例中，導電層226是UBM，包含具有粘合層、阻擋層和種子或潤濕層的多層金屬疊層。粘合層形成在導電層222c上并且可以是Ti、TiN、Tiff, Al或Cr。阻擋層形成在粘合層上并且可以是Ni、NiV, Pt、Pd、Tiff或者CrCu。阻擋層抑制Cu擴散到管芯的有源區(qū)中。種子層可以是Cu、Ni、NiV、Au或Al。種子層形成在阻擋層上并且充當導電層222c和隨后的焊料凸點或其他互連結構之間的中間導電層。UBM 2 提供到導電層 222c的低電阻互連以及對焊料擴散的阻擋層和用于焊料潤濕性的種子層。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學電鍍、球落或絲網印刷工藝，將導電凸點材料沉積在UBM 2 上。凸點材料可以是具有任選焊劑溶液的Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料以及其組合。例如，凸點材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或者無鉛焊料。凸點材料使用合適的附著或接合工藝而接合到UBM 226。在一個實施例中，凸點材料通過將材料加熱到其熔點之上被回流以形成球形球或凸點228。在一些應用中，凸點2 被二次回流以改善到UBM 2 的電接觸。凸點也可以壓縮接合到UBM 226。凸點2 代表可以形成在UBM 2 上的一種類型的互連結構。該互連結構也可以使用接合線、導電膠、柱形凸點、微凸點以及其他電互連。例如，接合線230形成在導電層222 j上。在圖5中描述的結構構成多個無源電路元件或IPD 232。在一個實施例中，導電層212a、絕緣層218、導電層220和導電層222是MIM電容器。導電層222d_222i的個別區(qū) 段可以在平面圖中被卷繞或盤繞以產生或展現(xiàn)電感器的期望屬性。IPD 232可以具有電容器、電阻器和/或電感器的任何組合。IPD結構232提供為高頻應用所需的電特性，諸如諧振器、高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、對稱高Q諧振變壓器、匹配網絡和調諧電容器。IPD可以被用作前端無線RF 部件，其可以位于天線和收發(fā)器之間。電感器可以是高達100千兆赫操作的高Q平衡-不平衡變換器、變壓器或線圈。在一些應用中，多個平衡-不平衡變換器形成在相同的襯底上以允許多頻帶操作。例如，兩個或更多平衡-不平衡變換器被用于移動電話或其他GSM通信的四頻帶，每個平衡-不平衡變換器專用于四頻帶器件的操作的頻帶。典型的RF系統(tǒng)要求一個或多個半導體封裝中的多個IPD和其他高頻電路以執(zhí)行必要的電功能。導電層190j 可以是IPD結構的地平面。形成在聚合物基體復合襯底210上的IPD結構232簡化了制造工藝并且減小成本。聚合物基體復合襯底210提供高電阻率、低損耗角正切、低介電常數(shù)、使CTE與IPD結構匹配、以及良好的熱導率。圖6示出用導電層222形成的示例性電感器M2。圖7a-7n示出針對圖1和的在聚合物基體復合襯底上形成電感器的工藝。在圖7a中，模套模具250具有上平板250a和下平板250b。任選的可釋放膠帶252被施加到模套模具250的上平板250a。任選的金屬載體2M安裝到下平板250b。載體254也可以是用于結構支撐的硅、聚合物、聚合物復合物、陶瓷、玻璃、玻璃環(huán)氧化物、氧化鈹、膠帶或者其他合適的低成本、剛性材料。載體邪4可以可重復用于制造工藝?？舍尫耪澈夏z帶256 被施加到載體254。膠帶252和256可通過機械或熱壓力釋放。在圖7b中，使用壓縮模制、轉移模制、液封模制、或者其他合適的敷料器把密封劑材料或模制化合物260配送到上平板250a和下平板250b之間的開放區(qū)域中。密封劑260 可以是液體、粒狀或粉末形式的聚合物復合材料，諸如具有填充劑的環(huán)氧樹脂、具有填充劑的環(huán)氧丙烯酸酯或者具有從40%上至95%含量的適當填充劑的聚合物。當被固化并從模具模套250被去除時，密封劑260形成聚合物基體復合襯底晶片或面板264 (諸如EMC襯底)，如圖7C所示。圖7d示出形成聚合物基體復合襯底的另一種方法。模套模具266具有上平板 266a和下平板^6b。具有粘合層的任選的可釋放膠帶268被施加到模套模具沈6的上平板沈6&具有粘合層的任選的可釋放膠帶270被施加到下平板沈613。膠帶268和270可通過機械或熱壓力釋放。使用壓縮模制、轉移模制、液封模制、或者其他合適的敷料器把密封劑或模制化合物272配送到上平板和下平板之間的開放區(qū)域中。密封劑272 可以是液體、粒狀或粉末形式的聚合物復合材料，諸如具有填充劑的環(huán)氧樹脂、具有填充劑的環(huán)氧丙烯酸酯或者具有從40%上至95%含量的適當填充劑的聚合物。當被固化并從模具模套266被去除時，密封劑272形成聚合物基體復合襯底晶片或面板274 (諸如EMC襯底)，如圖7e所示。聚合物基體復合襯底264和274每個具有高電阻率、低損耗角正切、較低介電常數(shù)、與上覆IPD結構匹配的CTE以及良好的熱導率。在圖7f中，使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化來在聚合物基體復合襯底274 (或聚合物基體復合襯底264)上形成毯狀絕緣或鈍化層276。絕緣層276可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB, PBO, WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料?？蛇x地，在模制過程期間以密封劑和釋放膠帶之間的相互作用而在模套模具250或沈6中形成絕緣層276。圖7g示出形成在聚合物基體復合襯底274的頂表面上形成的毯狀絕緣層276的可選實施例。另外，使用旋涂、層壓、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化，將毯狀絕緣或鈍化層278 形成在聚合物基體復合襯底274的與頂表面相對的底表面上。絕緣層278可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB, PBO, WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料?？蛇x地，在模制過程期間以密封劑和釋放膠帶之間的相互作用而在模套模具250或沈6中形成絕緣層276和278。絕緣層276和278可以是具有相同或不同厚度的相同材料。圖示出其中使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化而在聚合物基體復合襯底 274的頂表面上形成毯狀絕緣層276以及在絕緣層276上形成毯狀絕緣或鈍化層觀0的實施例。絕緣層280可以是一層或多層3丨02、5丨3附、5丨(^、13205、41203、聚酰亞胺、808、卩80 或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料?？梢栽谀Ｖ七^程期間在模套模具250或沈6中形成絕緣層276。圖7i示出在聚合物基體復合襯底274的頂表面或底表面上沒有絕緣層的實施例。繼續(xù)圖7f的實施例，使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在絕緣層276上形成導電層觀2以形成個別部分或區(qū)段 2^a-282c，如圖 7j 所示。導電層 282 可以是一層或多層 Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、TiN、TiW 或其他合適的導電材料，其中Ti、TiN或TiW為粘合或阻擋層。導電層的個別部分
可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。盡管根據(jù)圖7f，導電層282被示為在絕緣層276上，但是在圖7g-7i的實施例中導電層可以類似地形成在絕緣層和/或聚合物基體復合襯底274上
在圖作中，使用旋涂、PVD, CVD、印刷、燒結或熱氧化在絕緣層276和導電層282上形成絕緣或鈍化層觀4。絕緣層284可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB、PB0、WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。絕緣層284部分用來部分平坦化聚合物基體復合襯底274的表面以改善后續(xù)沉積和光刻處理步驟的臺階覆蓋。在圖71中，使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在導電層和絕緣層284上形成導電層觀6。導電層286可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、TiW、或其他合適的導電材料。導電層286是粘合層或阻擋層。粘合層可以是Ti、TiN、TiW、Al或Cr。阻擋層可以是Ni、NiV、Pt、Pd、TiW或者CrCu。阻擋層抑制Cu擴散到管芯的有源區(qū)中。使用以PVD、CVD、濺射、電解電鍍、化學電鍍工藝或者其他合適的金屬沉積工藝的圖案化在導電層286上形成導電層288以形成個別部分或區(qū)段288a488 j。導電層288可以是一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導電材料。導電層的個別部分^8a_288j 可以根據(jù)個別半導體管芯的連接性是電公共或電隔離的。在圖7m中，使用旋涂、PVD、CVD、印刷、燒結或熱氧化在絕緣層284和導電層288上形成絕緣或鈍化層四2。絕緣層292可以是一層或多層Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB、PB0、WPR或者其他具有合適絕緣和結構屬性的材料，尤其是聚合物光敏介電材料。去除絕緣層四2的一部分以暴露導電層和^8j。在圖7η中，導電層294形成在導電層^Sc和^Sj上作為包含具有粘合層、阻擋層和種子或潤濕層的多層金屬疊層的UBM。粘合層可以是Ti、TiN, Tiff, Al或Cr。阻擋層可以是附、慰￥汴1 (1、111或者001。阻擋層抑制Cu擴散到管芯的有源區(qū)中。種子層可以是Cu、Ni、NiV、Au或Al。種子層形成在阻擋層上并且充當導電層和和隨后的焊料凸點或其他互連結構之間的中間導電層。UBM 294提供到導電層^Sc和^Sj的低電阻互連以及對焊料擴散的阻擋層和用于焊料潤濕性的種子層?？蛇x地，導電層294可以重疊絕緣層四2中通孔的邊緣。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學電鍍、球落或絲網印刷工藝，將導電凸點材料沉積在UBM 294上。凸點材料可以是具有任選焊劑溶液的Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料以及其組合。例如，凸點材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或者無鉛焊料。凸點材料使用合適的附著或接合工藝而接合到UBM四4。在一個實施例中，凸點材料通過將材料加熱到其熔點之上被回流以形成球形球或凸點四6。在一些應用中，凸點296被二次回流以改善到UBM 294的電接觸。凸點也可以壓縮接合到UBM 294.凸點296代表可以形成在UBM 294上的一種類型的互連結構。該互連結構也可以使用接合線、導電膠、柱形凸點、微凸點以及其他電互連。在圖7a-7n中描述的結構，更具體地是導電層^8e_288i，構成形成在聚合物基體復合襯底274上的電感器。導電層^8e-288i的個別區(qū)段可以在平面圖中被卷繞或盤繞以產生或展現(xiàn)電感器的期望屬性。電感器結構^8e-288i提供為高頻應用所需的電特性，諸如諧振器、高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、對稱高Q諧振變壓器、匹配網絡和調諧電容器。電感器可以被用作前端無線RF部件，其可以位于天線和收發(fā)器之間。電感器可以是高達100千兆赫操作的高Q平衡-不平衡變換器、變壓器或線圈。在一些應用中，多個平衡-不平衡變換器形成在相同的襯底上以允許多頻帶操作。例如，兩個或更多平衡-不平衡變換器被用于移動電話或其他GSM通信的四頻帶，每個平衡-不平衡變換器專用于四頻帶器件的操作的頻帶。典型的RF系統(tǒng)要求一個或多個半導體封裝中的多個電感器和其他高頻電路以執(zhí)行必要的電功能。形成在聚合物基體復合襯底274上的電感器結構^8e_288i簡化了制造工藝并且減小成本。任選的暫時且可重復使用的金屬載體用來構建人工模制化合物晶片或面板。聚合物基體復合襯底274提供高電阻率、低損耗角正切、低介電常數(shù)、使CTE與IPD結構匹配、以及良好的熱導率。雖然詳細示出了本發(fā)明的一個或多個實施例，但是本領域技術人員會明白，可以在不偏離如所附權利要求書所述的本發(fā)明的范圍的情況下做出對那些實施例的修改和變型。
1權利要求
1.一種制作半導體器件的方法，包括形成聚合物基體復合襯底；在所述聚合物基體復合襯底的第一表面上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一導電層；在所述第一絕緣層和第一導電層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層和第一導電層上形成第二導電層；在所述第二絕緣層和第二導電層上形成第三絕緣層；去除所述第三絕緣層的一部分以暴露所述第二導電層；以及在所述第二導電層上形成凸點。
2.權利要求1的方法，其中形成聚合物基體復合襯底包括提供具有第一平板和第二平板的模套模具；在所述第一平板上施加第一可釋放層；在所述第二平板上形成金屬載體；在所述金屬載體上施加第二可釋放層；以及在所述模套模具的第一平板和第二平板之間沉積密封劑材料。
3.權利要求1的方法，還包括在第一導電層和第二導電層之間形成第三導電層。
4.權利要求1的方法，還包括在與所述聚合物基體復合襯底的第一表面相對的所述聚合物基體復合襯底的第二表面上形成第四絕緣層。
5.權利要求1的方法，還包括在形成所述第一導電層之前在所述第一絕緣層上形成第四絕緣層。
6.權利要求1的方法，其中所述第二導電層被卷繞成展現(xiàn)電感屬性。
7.一種制作半導體器件的方法，包括形成模制襯底；在所述模制襯底上形成第一導電層；在所述模制襯底和第一導電層上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層和第一導電層上形成第二導電層；在所述第一絕緣層和第二導電層上形成第二絕緣層；以及在所述第二導電層上形成互連結構。
8.權利要求7的方法，其中形成所述模制襯底包括提供具有第一平板和第二平板的模套模具；在所述第一平板上施加第一可釋放層；在所述第二平板上施加第二可釋放層；以及在所述模套模具的第一平板和第二平板之間沉積密封劑材料。
9.權利要求7的方法，還包括在第一導電層和第二導電層之間形成第三導電層。
10.權利要求7的方法，還包括在形成所述第一導電層之前在所述模制襯底的第一表面上形成第三絕緣層；以及在與所述模制襯底的第一表面相對的所述模制襯底的第二表面上形成第四絕緣層。
11.權利要求7的方法，還包括在形成所述第一導電層之前在所述模制襯底的第一表面上形成第三絕緣層；以及在所述第三絕緣層上形成第四絕緣層。
12.權利要求7的方法，其中所述第二導電層被卷繞成展現(xiàn)電感屬性。
13.權利要求7的方法，其中所述互連結構包括凸點或接合線。
14.一種制作半導體器件的方法，包括形成聚合物基體復合襯底；在所述聚合物基體復合襯底上形成電感器；以及在所述電感器上形成互連結構。
15.權利要求14的方法，其中形成聚合物基體復合襯底包括提供具有第一平板和第二平板的模套模具；在所述第一平板上施加第一可釋放層；在所述第二平板上施加第二可釋放層；以及在所述模套模具的第一平板和第二平板之間沉積密封劑材料。
16.權利要求14的方法，還包括在所述聚合物基體復合襯底上形成第一導電層；在所述聚合物基體復合襯底和第一導電層上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層和第一導電層上形成第二導電層；在所述第一絕緣層和第二導電層上形成第二絕緣層；以及在所述第二導電層上形成所述互連結構。
17.權利要求16的方法，還包括在第一導電層和第二導電層之間形成第三導電層。
18.權利要求16的方法，還包括在形成所述第一導電層之前在所述聚合物基體復合襯底的第一表面上形成第三絕緣層；以及在與所述聚合物基體復合襯底的第一表面相對的所述聚合物基體復合襯底的第二表面上形成第四絕緣層。
19.權利要求16的方法，還包括在形成所述第一導電層之前在所述聚合物基體復合襯底的第一表面上形成第三絕緣層；以及在所述第三絕緣層上形成第四絕緣層。
20.一種半導體器件，包括聚合物基體復合襯底；第一導電層，形成在所述聚合物基體復合襯底上；第一絕緣層，形成在所述聚合物基體復合襯底和第一導電層上；第二導電層，形成在所述第一絕緣層和第一導電層上；第二絕緣層，形成在所述第一絕緣層和第二導電層上；以及互連結構，形成在所述第二導電層上。
21.權利要求20的半導體器件，還包括形成在第一導電層和第二導電層之間的第三導電層。
22.權利要求20的半導體器件，還包括第三絕緣層，形成在所述聚合物基體復合襯底的第一表面上；以及第四絕緣層，形成在與所述聚合物基體復合襯底的第一表面相對的所述聚合物基體復合襯底的第二表面上。
23.權利要求20的半導體器件，還包括第三絕緣層，形成在所述聚合物基體復合襯底的第一表面上；以及第四絕緣層，形成在所述第三絕緣層上。
24.權利要求20的半導體器件，其中所述第二導電層被卷繞成展現(xiàn)電感屬性。
25.權利要求20的半導體器件，其中所述互連結構包括凸點或接合線。
全文摘要
本發(fā)明涉及在聚合物基體復合襯底上形成電感器的半導體器件和方法。半導體器件具有形成在聚合物基體復合襯底的第一表面上的第一絕緣層。第一導電層形成在第一絕緣層上。第二導電層形成在第一絕緣層和第一導電層上。第二導電層形成在第二絕緣層和第一導電層上。第二導電層被卷繞成展現(xiàn)電感屬性。在第一導電層和第二導電層之間形成第三導電層。第三絕緣層形成在第二絕緣層和第二導電層上。凸點形成在第二導電層上。第四絕緣層可以形成在聚合物基體復合襯底的第二表面上?？蛇x地，第四絕緣層可以在形成第一導電層之前形成在第一絕緣層上。
文檔編號H01L23/64GK102097301SQ20101055094
公開日2011年6月15日申請日期2010年11月19日優(yōu)先權日2009年11月19日
發(fā)明者林耀劍申請人:新科金朋有限公司

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