專利名稱：硅化鈦阻擋層的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件的制作方法，尤其是一種硅化鈦阻擋層的制作方法。
背景技術：
現(xiàn)有的硅化鈦阻擋層的制作方法如圖1-圖8所示，采用現(xiàn)有的硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括非硅化鈦合金化區(qū)域2 (non-silicide區(qū)域)和硅化鈦合金化區(qū)域1 (silicide區(qū)域)，所述非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2和硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域1之間由隔離區(qū)4隔開，器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層5，如圖1所示，犧牲氧化層5為厚度250 A的 SiO2，現(xiàn)有的硅化鈦阻擋層的制作方法包括如下步驟
步驟一，在犧牲氧化層5上淀積一層硅化鈦合金化阻擋氧化層6 (silicide block氧化層)，所述硅化鈦合金化阻擋氧化層6厚度500 A的SiO2，如圖2所示；
步驟二，采用光刻工藝，使得光刻膠7覆蓋在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2上，而露出硅化鈦合金化區(qū)域1，如圖3所示；
步驟三，采用干法刻蝕工藝刻蝕掉硅化鈦合金化區(qū)域1的硅化鈦合金化阻擋氧化層6 和犧牲氧化層5，如圖4所示；
步驟四，對硅化鈦合金化區(qū)域1露出的硅3進行非晶化處理，As注入，如圖5所示； 步驟五，去除剩余在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2的光刻膠7，如圖6所示； 步驟六，濺射厚度為330A的金屬鈦9，進行第一次合金化處理，如圖7所示； 步驟七，濕法刻蝕去除未形成合金的金屬鈦，進行第二次合金化處理，如圖8所示。按照現(xiàn)有工藝制造的硅化鈦阻擋層，存在下列問題
1.需要一層專用的硅化鈦合金化阻擋氧化層，增加了工藝成本；
2.干法刻蝕硅化鈦合金化阻擋氧化層，存在面內(nèi)刻蝕均一性差，速率波動大等問題，硅片周邊容易發(fā)生低良率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種硅化鈦阻擋層的制作方法，能夠減少工藝成本和步驟，提高工藝的穩(wěn)定性。本發(fā)明硅化鈦阻擋層的制作方法的技術方案是，采用所述硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域和硅化鈦合金化區(qū)域，所述非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域和硅化鈦合金化區(qū)域之間由隔離區(qū)隔開，器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層，所述硅化鈦阻擋層的制作方法包括如下步驟
步驟一，采用光刻工藝，使得光刻膠覆蓋在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域上，而露出硅化鈦合金化區(qū)域；
步驟二，采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉硅化鈦合金化區(qū)域的犧牲氧化層； 步驟三，對硅化鈦合金化區(qū)域露出的硅進行非晶化處理，As注入； 步驟四，去除剩余在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域的光刻膠；步驟五，濺射金屬鈦，進行第一次合金化處理； 步驟六，濕法刻蝕去除未形成合金的金屬鈦，進行第二次合金化處理。本發(fā)明硅化鈦阻擋層的制作方法刪除了現(xiàn)有技術中一層專用的硅化鈦合金化阻擋氧化層，減少了工藝成本；同時減少了刻蝕對隔離氧化膜的損失，提高了工藝穩(wěn)定性。
圖1-圖8為現(xiàn)有的硅化鈦阻擋層的制作方法各步驟的示意圖。圖9-圖15為本發(fā)明硅化鈦阻擋層的制作方法各步驟的示意圖。圖中附圖標記為，1.硅化鈦合金化區(qū)域；2.非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域；3.硅； 4.隔離區(qū)；5.犧牲氧化層；6.硅化鈦合金化阻擋氧化層；7.光刻膠；8.非晶化處理的硅； 9.金屬鈦；10.硅化鈦。
具體實施例方式本發(fā)明公開了一種硅化鈦阻擋層的制作方法，采用所述硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2和硅化鈦合金化區(qū)域1，所述非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2和硅化鈦合金化區(qū)域1之間由隔離區(qū)4隔開，器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層5， 如圖9所示，所述硅化鈦阻擋層的制作方法包括如下步驟
步驟一，采用光刻工藝，使得光刻膠覆蓋在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2上，而露出硅化鈦合金化區(qū)域1，如圖10所示；
步驟二，采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉硅化鈦合金化區(qū)域1的犧牲氧化層5，如圖11所示；
步驟三，對硅化鈦合金化區(qū)域1露出的硅3進行非晶化處理，As注入，如圖12所示；
步驟四，去除剩余在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域2的光刻膠7，如圖13所示；
步驟五，濺射金屬鈦9，進行第一次合金化處理，如圖14所示；
步驟六，濕法刻蝕去除未形成合金的金屬鈦，進行第二次合金化處理，如圖15所示。所述犧牲氧化層為厚度250 A的SiO2O所述步驟四中的刻蝕工藝中保持10%的過刻量。所述步驟五中濺射金屬鈦的厚度為330A。本發(fā)明刪除了一層專用的硅化鈦合金化阻擋氧化層，減少了工藝成本?，F(xiàn)有的硅化鈦阻擋層的制作方法中，干法刻蝕硅化鈦合金化阻擋氧化層和犧牲氧化層的總厚度為750A，按照10%的過刻要求，需要過刻75A氧化膜，本發(fā)明硅化鈦阻擋層的制作方法只刻蝕250A犧牲氧化層，按照同樣的過刻比例(例如10%)，只要過刻25A氧化膜， 減少了隔離氧化膜損失，提高了工藝穩(wěn)定性。
權利要求
1.一種硅化鈦阻擋層的制作方法，采用所述硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域和硅化鈦合金化區(qū)域，所述非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域和硅化鈦合金化區(qū)域之間由隔離區(qū)隔開，器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層，其特征在于，所述硅化鈦阻擋層的制作方法包括如下步驟步驟一，采用光刻工藝，使得光刻膠覆蓋在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域上，而露出硅化鈦合金化區(qū)域；步驟二，采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉硅化鈦合金化區(qū)域的犧牲氧化層；步驟三，對硅化鈦合金化區(qū)域露出的硅進行非晶化處理，As注入；步驟四，去除剩余在非硅化鈦合金化區(qū)域區(qū)域的光刻膠；步驟五，濺射金屬鈦，進行第一次合金化處理；步驟六，濕法刻蝕去除未形成合金的金屬鈦，進行第二次合金化處理。
2.根據(jù)權利要求1所述的硅化鈦阻擋層的制作方法，其特征在于，所述犧牲氧化層為厚度250 A的SiO2。
3.根據(jù)權利要求1所述的硅化鈦阻擋層的制作方法，其特征在于，所述步驟四中的刻蝕工藝中保持10%的過刻量。
4.根據(jù)權利要求1所述的硅化鈦阻擋層的制作方法，其特征在于，所述步驟五中濺射金屬鈦的厚度為330A。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硅化鈦阻擋層的制作方法，采用所述硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括由隔離區(qū)隔開的non-silicide區(qū)域和silicide區(qū)域，器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層，本發(fā)明包括采用光刻工藝，使得光刻膠覆蓋在non-silicide區(qū)域上，而露出silicide區(qū)域；采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉silicide區(qū)域的犧牲氧化層；對silicide區(qū)域露出的硅進行非晶化處理，As注入；去除剩余在non-silicide區(qū)域的光刻膠；濺射金屬鈦，進行第一次合金化處理；濕法刻蝕去除未形成合金的金屬鈦，進行第二次合金化處理。本發(fā)明刪除了現(xiàn)有技術中silicideblock氧化層，減少了工藝成本；同時減少了刻蝕對隔離氧化膜的損失，提高了工藝穩(wěn)定性。
文檔編號H01L21/311GK102479673SQ20101055622
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權日2010年11月24日
發(fā)明者張博, 徐俊杰, 熊淑平 申請人:上海華虹Nec電子有限公司