專利名稱：一種磁控濺射靶磁場源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利內(nèi)容涉及一種磁控濺射靶磁場源。該磁場源能夠產(chǎn)生輻射狀環(huán)形磁場，可用于磁控濺射鍍膜領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
磁控濺射鍍膜技術(shù)是一種成熟、應(yīng)用范圍廣的薄膜制備技術(shù)，在薄膜材料的科學(xué)研究、薄膜產(chǎn)品的工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用很普遍。磁控濺射技術(shù)是指在二極濺射技術(shù)基礎(chǔ)上，施加與電場方向垂直的磁場，使濺射速率增大，并且可以減小沉積薄膜基片的溫度升高，因此磁控濺射是一種低溫、高效的鍍膜技術(shù)。如果濺射靶材是圓形的，就需要在兩個(gè)電極間增加輻射狀的磁場，因此就需要一個(gè)產(chǎn)生環(huán)形輻射狀的磁場源。在目前的磁控濺射技術(shù)中，所用的輻射狀磁場源，均為采用規(guī)格相同的小磁性柱，磁場方向一致地排列為一周，在磁柱圍成的環(huán)形中心放一個(gè)磁場方向與外圍的磁場方向相反的磁柱，從而形成環(huán)形磁場。該磁場源的缺點(diǎn)是外圍的小磁柱使用壽命短，另外由于小磁柱間存在相互排斥的磁場力作用，磁柱排放和固定是一個(gè)比較困難的問題，因此需要專門的器具。磁控濺射設(shè)備中的磁場源是在高溫、有冷卻水的環(huán)境中使用，磁場源很容易損耗，需要定期更換，因此，目前的磁場源的使用成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種磁控濺射靶磁場源，該磁場源能夠產(chǎn)生輻射狀環(huán)形磁場，具有生產(chǎn)和使用成本低、安裝方便、使用壽命長等特點(diǎn)。1、本發(fā)明涉及到一種磁控濺射靶磁場源，該磁場源的構(gòu)成為在一個(gè)磁環(huán)中間放一個(gè)磁柱，磁柱的磁場方向與磁環(huán)的磁場方向相反，從而形成輻射狀的磁場。2、所用的磁環(huán)、磁柱的尺寸和磁控濺射的靶材尺寸有關(guān)。


圖1為適用于濺射靶材直徑為60mm圓形靶的磁場源的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)圖；圖2為適用于濺射靶材直徑為50mm圓形靶的磁場源的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)圖。實(shí)施方案實(shí)施例1對于濺射靶材為60mm的圓形靶材，其磁場源的結(jié)構(gòu)為(1)環(huán)形磁鐵外徑為58mm，內(nèi)徑為38mm，厚度為10mm，材質(zhì)為釹鐵硼強(qiáng)磁；中間的磁柱直徑為18mm，厚度為IOmm ；材質(zhì)為釹鐵硼強(qiáng)磁。(2)將磁環(huán)和磁柱放在一個(gè)鍍鉻的鐵質(zhì)圓盤上，鐵盤的尺寸為直徑60mm，厚度為 2mm。磁場源的具體設(shè)計(jì)見附圖1。實(shí)施例2對于濺射靶材為50mm的圓形靶材，其磁場源的結(jié)構(gòu)為
(1)環(huán)形磁鐵外徑為48mm，內(nèi)徑為^mm,厚度為10mm，材質(zhì)為釹鐵硼強(qiáng)磁；中間的磁柱直徑為8mm，厚度為IOmm ；材質(zhì)為釹鐵硼強(qiáng)磁。(2)將磁環(huán)和磁柱放在一個(gè)鍍鉻的鐵質(zhì)圓盤上，鐵盤的尺寸為直徑50mm，厚度為 2mm。磁場源的具體設(shè)計(jì)見附圖2。
權(quán)利要求
1.一種磁控濺射靶磁場源，該磁場源的構(gòu)成為在一個(gè)磁環(huán)中間放一個(gè)磁柱，磁柱的磁場方向與磁環(huán)的磁場方向相反，從而形成輻射狀的磁場。
2.所用的磁環(huán)外徑要小于濺射靶材外徑2-5mm，磁環(huán)和磁柱間的距離為5_20mm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁控濺射靶磁場源，該磁場源能夠產(chǎn)生輻射狀環(huán)形磁場。該磁場源的構(gòu)成為在一個(gè)磁環(huán)中間放一個(gè)磁柱，磁柱的磁場方向與磁壞的磁場方向相反，從而形成輻射狀的磁場。其特征在于能夠產(chǎn)生輻射狀環(huán)形磁場，具有生產(chǎn)和使用成本低、安裝方便、使用壽命長等特點(diǎn)。在磁控濺射鍍膜領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用價(jià)值。
文檔編號H01F7/02GK102543354SQ201010587389
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者宋桂林, 尤天友, 常方高, 張基東, 楊海剛, 王天興 申請人:河南師范大學(xué)