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      一種摻雜改性的溫度特性為x7r的瓷介電容器材料的制作方法

      文檔序號(hào):6821529閱讀:368來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種摻雜改性的溫度特性為x7r的瓷介電容器材料的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種電容器材料,尤其是一種摻雜改性的溫度特性為X7R的瓷介電容器材料。
      背景技術(shù)
      目前廣泛生產(chǎn)使用的超穩(wěn)定型高壓陶瓷電容器材料中,不能滿足在振蕩回路里補(bǔ)償正溫度系數(shù)的要求。且同時(shí)一般配方的超穩(wěn)定型陶瓷電容器材料的介電常數(shù)較小,不能滿足電子線路小型化的需求,且損耗值過大。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供了一種摻雜改性的溫度特性為X7R的瓷介電容器材料。技術(shù)方案如下一種摻雜改性的溫度特性為X7R的瓷介電容器材料。主要原料SrTi03、MgTi03\CaZr03>MnCO3> Bi2O3 等;主要摻雜原料Lei203、SnO2,Al2O3 等;主要特征溫度特性為X7R(即-55°C -+125°C )容量變化率為士 15%、介電常數(shù)為1800、介質(zhì)損耗為tan δ ^ 0. 03、耐壓強(qiáng)度為劭彡8Kv/mm。
      具體實(shí)施例方式一種摻雜改性的溫度特性為X7R的瓷介電容器材料。主要原料SrTi03、MgTi03\CaZr03、MnC03、Bi2O3等;主要摻雜原料Lei203、SnO2^Al2O3等;主要特征溫度特性為X7R(即-55°C -+125°C )容量變化率為士 15%、介電常數(shù)為1800、介質(zhì)損耗為tan δ ^ 0. 03、耐壓強(qiáng)度為劭彡8Kv/mm。
      權(quán)利要求
      1. 一種摻雜改性的溫度特性為X7R的瓷介電容器材料,其特征在于溫度特性為X7R(即-55 V -+125 V )容量變化率為士 15 介電常數(shù)為1800、介質(zhì)損耗為 tan δ彡0. 03、耐壓強(qiáng)度為Eb彡8Kv/mm。
      全文摘要
      一種摻雜改性的溫度特性為X7R的瓷介電容器材料。主要原料SrTiO3、MgTiO3\CaZrO3、MnCO3、Bi2O3等;主要摻雜原料La2O3、SnO2、Al2O3等;主要特征溫度特性為X7R(即-55℃-+125℃)容量變化率為±15%、介電常數(shù)為1800、介質(zhì)損耗為tanδ≤0.03、耐壓強(qiáng)度為Eb≥8kv/mm。
      文檔編號(hào)H01G4/12GK102531590SQ201010588828
      公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
      發(fā)明者顏歡 申請(qǐng)人:顏歡
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