專利名稱：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體的，本發(fā)明涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著以電子通訊技術(shù)為代表的現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，世界集成電路產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值每年以30%的速度發(fā)展。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器是集成電路中一種重要部件，其尺寸小，密度高。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(SRAM)與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM) 器件相比具有更低的功耗和更快的工作速度的優(yōu)點(diǎn)。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器又可以很容易地通過(guò)位圖測(cè)試設(shè)備進(jìn)行物理單元定位，研究產(chǎn)品的實(shí)效模式。此外，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的良率可以作為衡量一種半導(dǎo)體整個(gè)制程良率的重要指標(biāo)，因此研究靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的制造方法受到越來(lái)越多的關(guān)注。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的單元可以分為電阻負(fù)載靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元。電阻負(fù)載靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元采用高電阻值的電阻作為負(fù)載器件，而互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元采用P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管作為負(fù)載器件。在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器包含多個(gè)NMOS晶體管和PMOS晶體管， 由于制造工藝的不同，導(dǎo)致所制造晶體管的閾值電壓、飽和電流、夾斷電流不同，從而導(dǎo)致靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)部器件不兼容或所制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器與電路中的其它器件不兼容。 晶體管的閾值電壓、飽和電流、夾斷電流等電學(xué)性能主要與制造過(guò)程中晶體管薄膜疊層的結(jié)構(gòu)和形成方法、晶體管各部分臨界尺度、離子注入的種類和條件等因素有關(guān)。現(xiàn)有技術(shù)中，主要通過(guò)改變晶體管柵極二次氧化的條件、氮化硅側(cè)壁的厚度，離子注入的能量以及制造半導(dǎo)體器件過(guò)程中的刻蝕工藝等方法改善所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的不兼容問(wèn)題。在公開號(hào)為CN 101640187A的中國(guó)專利申請(qǐng)中還可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于改善靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器兼容性的現(xiàn)有技術(shù)。然而，隨著半導(dǎo)體器件工藝節(jié)點(diǎn)的不斷降低，對(duì)半導(dǎo)體器件制造工藝的要求越來(lái)越嚴(yán)格，現(xiàn)有工藝所制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件中NMOS器件和PMOS器件電性不兼容，導(dǎo)致所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，改善靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)部器件的兼容性，提高所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)，所述NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)上分別形成有NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)，所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成有側(cè)壁間隙壁；
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以PMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在PMOS器件區(qū)進(jìn)行P型輕摻雜離子注入；濕法清洗所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁；以NMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在NMOS器件區(qū)進(jìn)行N型輕摻雜離子注入。其中，所述P型輕摻雜區(qū)離子注入之前還包括在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠使PMOS器件區(qū)暴露；所述P型輕摻雜區(qū)離子注入之后還包括去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠；所述N型輕摻雜離子注入之前還包括在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠使NMOS器件區(qū)暴；所述N型輕摻雜離子注入之后還包括去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠?？蛇x地，所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為由氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成的疊加層，其中氮化硅層距柵極結(jié)構(gòu)較遠(yuǎn)?？蛇x地，所述氮化硅層通過(guò)爐管熱沉積或電漿化學(xué)氣相沉積方法形成，所述氮化硅層的厚度范圍為200 500埃。可選地，所述濕法清洗采用的溶劑為氟化氫和乙二醇的混合溶液，所述氟化氫和乙二醇的混合溶液中氟化氫和乙二醇的體積比為4 10 90 96，濕法清洗的溫度為 45 55攝氏度，清洗時(shí)間為20 40秒，所述濕法清洗中所述氮化硅層被減薄的厚度為 20 40埃?？蛇x地，所述光刻膠的去除采用硫酸和雙氧水的混合溶液，以及SCl溶液去除?？蛇x地，所述硫酸和雙氧水的混合溶液中硫酸和雙氧水的體積比2 6 1，溶液的溫度范圍為120 140攝氏度，所需要的時(shí)間范圍5 10分鐘?？蛇x地，所述SCl溶液中NH40H、H2O2和H2O的體積比為1 1 4 100 200， 溶液的溫度小于30攝氏度，所需要的時(shí)間2 5分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明利用濕法清洗使靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)部NMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁變薄，進(jìn)而減小NMOS器件源/漏輕摻雜區(qū)之間的距離，使得所制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中NMOS器件與PMOS器件電性相匹配，提高所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率。


圖1是本發(fā)明靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器制造方法流程示意圖。圖2至圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的各階段靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器工藝主要通過(guò)改變柵極二次氧化的條件、氮化硅側(cè)壁的厚度、離子注入的能量以及制造半導(dǎo)體器件過(guò)程中的刻蝕工藝等方法來(lái)改善所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)各器件之間的不兼容問(wèn)題，但是這些方法的改善效果不明顯，所制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率低。針對(duì)上述問(wèn)題，發(fā)明人提供了一種制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的方法，利用濕法清洗的使靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)部NMOS器件柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁變薄，進(jìn)而減小NMOS器件源/ 漏輕摻雜區(qū)之間的距離，使得所制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中NMOS器件與PMOS器件電性相匹配，提高所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率。參考圖1，示出了本發(fā)明靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，包括執(zhí)行步驟Si，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)， 所述NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)上分別形成有NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)，所述NMOS 柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成有側(cè)壁間隙壁；執(zhí)行步驟S2，在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠使PMOS器件區(qū)暴露；執(zhí)行步驟S3，以PMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在PMOS器件區(qū)進(jìn)行 P型輕摻雜離子注入；執(zhí)行步驟S4,去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠；執(zhí)行步驟S5，濕法清洗所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁；執(zhí)行步驟S6，在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠使NMOS器件區(qū)暴露；執(zhí)行步驟S7，以NMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在NMOS器件區(qū)進(jìn)行 N型輕摻雜離子注入；執(zhí)行步驟S8,去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠。接下來(lái)，結(jié)合具體的實(shí)施例，以靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)的一個(gè)CMOS器件對(duì)本發(fā)明靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖2至圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的各階段靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含通過(guò)隔離結(jié)構(gòu)103隔離的NMOS 器件區(qū)和PMOS器件區(qū)，其中半導(dǎo)體襯底內(nèi)的101和102分別為NMOS器件和PMOS器件的摻雜阱。所述隔離結(jié)構(gòu)103為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)或局部氧化結(jié)構(gòu)，用于器件之間的相互隔離。所述NMOS器件的摻雜阱101中摻雜離子的導(dǎo)電類型為P型，PMOS器件的摻雜阱 102中摻雜離子的導(dǎo)電類型為N型。所述NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)上形成有NMOS器件和 PMOS器件的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于半導(dǎo)體襯底上的柵介質(zhì)層104和位于柵介質(zhì)層104上方的多晶硅柵極105。所述柵介質(zhì)層104的材質(zhì)為氧化硅、氮氧化硅等。所述柵介質(zhì)層104和多晶硅柵極105的制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)， 在此不作贅述。其中，所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)分別位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)P型摻雜阱101 和N型摻雜阱102的上方。所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)還覆蓋有側(cè)壁間隙壁 (offset spacer)，用以保護(hù)所述柵極結(jié)構(gòu)，避免所述柵極結(jié)構(gòu)受到刻蝕工藝的損傷。所述 NMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁包括氧化硅層106和氮化硅層107a，所述氧化硅層106可以通過(guò)對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化工藝制作，所述氮化硅層107a覆蓋在氧化硅層106上。所述氮化硅層107a可以通過(guò)爐管熱沉積或電漿化學(xué)氣相沉積方法形成，其厚度范圍為200 500埃。所述PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁包括氧化硅層106和氮化硅層109a，其制造工藝和所制造側(cè)壁間隙壁的結(jié)構(gòu)和厚度范圍與NMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁相同。如圖3所示，在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠，使半導(dǎo)體襯底上的光刻膠120覆蓋NMOS器件區(qū)，暴露出PMOS器件區(qū)。如圖4所示，以PMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在PMOS器件區(qū)進(jìn)行 P型輕摻雜離子注入，形成PMOS器件的輕摻雜區(qū)110。其中P型摻雜離子可以為硼離子、二氟化硼離子，其摻雜離子注入的能量范圍和劑量范圍由所要制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的性能決定。接著，如圖5所示，去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠120。在具體的實(shí)施例中，先采用硫酸和過(guò)氧化氫的混合溶液去除NMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)半導(dǎo)體襯底上的光刻膠120，再采用SCl (standard clean 1，氨水和過(guò)氧化氫的混合溶液)溶液清洗最后殘留的顆粒。所述硫酸和過(guò)氧化氫混合溶液中硫酸和過(guò)氧化氫的體積比2 6 1，溶液的溫度范圍為120 140攝氏度，所需要的時(shí)間范圍5 10分鐘。所述SCl溶液中NH40H、H2O2和H2O的體積比為1 1 4 100 200，溶液的溫度小于30攝氏度，所需要的時(shí)間2 5分鐘。 如圖6所示，濕法清洗所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁。在具體的實(shí)施例中，所述濕法清洗采用的溶液為氟化氫(HF)和乙二醇(ethyl glycol)的混合溶液，混合溶液中氟化氫和乙二醇的體積比為4 10 90 96，濕法清洗的范圍為45 55攝氏度，所需要的濕法清洗時(shí)間范圍為20 40秒。經(jīng)過(guò)所述濕法清洗，圖5中側(cè)壁間隙壁疊加層中氮化硅層107a和109a被減薄的厚度為20 40埃，濕法清洗之后的NMOS器件和PMOS器件柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁間隙壁上的氮化硅層如圖6中107b、109b。如圖7所示，在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠，使半導(dǎo)體襯底上的光刻膠121覆蓋PMOS器件區(qū)，暴露出NMOS器件區(qū)。如圖8所示，以NMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在NMOS器件區(qū)進(jìn)行 N型輕摻雜離子注入，形成NMOS器件的輕摻雜區(qū)111。所述N型摻雜離子可以為磷離子、砷離子或銻離子，其摻雜離子注入的能量范圍和劑量范圍由所要制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的性能決定。由于NMOS器件的源/漏輕摻雜區(qū)111在濕法清洗之后形成，減薄的匪OS器件側(cè)壁間隙壁導(dǎo)致所形成的NMOS源/漏輕摻雜區(qū)111之間距離也變小，進(jìn)而影響NMOS器件的電性。而PMOS器件的源/漏輕摻雜區(qū)110在濕法清洗之前已形成，故濕法清洗并不會(huì)影響 PMOS器件源/漏輕摻雜區(qū)110之間的距離以及PMOS器件的電性。經(jīng)過(guò)以上步驟改善的NMOS器件能夠與PMOS器件電性匹配，有效改善靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中NMOS器件與PMOS器件的兼容性，提高所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率。如圖9所示，去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠121，其去除方法與光刻膠120的去除方法完全相同。形成NMOS器件和PMOS器件后續(xù)工藝的制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做詳細(xì)的說(shuō)明。綜上，本發(fā)明在制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器過(guò)程中利用濕法清洗使NMOS器件的側(cè)壁間隙壁減薄，進(jìn)而減小NMOS器件源/漏輕摻雜區(qū)之間的距離，使得所制造的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中NMOS器件與PMOS器件電性相匹配，提高了所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率。
本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)，所述NMOS器件區(qū)和PMOS器件區(qū)上分別形成有NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)，所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成有側(cè)壁間隙壁；以PMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在PMOS器件區(qū)進(jìn)行P型輕摻雜離子注入；濕法清洗所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁；以NMOS柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁為掩模，在NMOS器件區(qū)進(jìn)行N型輕摻雜離子注入。
2.如權(quán)利要求1所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)和 PMOS柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁間隙壁包括由氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成的疊加層。
3.如權(quán)利要求2所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成的疊加層中氮化硅層距柵極結(jié)構(gòu)較遠(yuǎn)。
4.如權(quán)利要求3所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述氮化硅層通過(guò)爐管熱沉積或電漿化學(xué)氣相沉積方法形成，所述氮化硅層的厚度范圍為200 500埃。
5.如權(quán)利要求2所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述濕法清洗采用的溶劑為氟化氫和乙二醇的混合溶液。
6.如權(quán)利要求5所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述氟化氫和乙二醇的混合溶液中氟化氫和乙二醇的體積比為4 10 90 96，濕法清洗的溫度為45 55 攝氏度，清洗時(shí)間為20 40秒。
7.如權(quán)利要求6所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述濕法清洗中所述氮化硅層被減薄的厚度為20 40埃。
8.如權(quán)利要求1所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述P型輕摻雜區(qū)離子注入之前還包括在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠使PMOS器件區(qū)暴露；所述 P型輕摻雜區(qū)離子注入之后還包括去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠。
9.如權(quán)利要求1所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述N型輕摻雜離子注入之前還包括在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，圖形化所述光刻膠使NMOS器件區(qū)暴露；所述 N型輕摻雜離子注入之后還包括去除半導(dǎo)體襯底上的光刻膠。
10.如權(quán)利要求8或9所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述光刻膠的去除采用硫酸和雙氧水的混合溶液，以及SCl溶液去除。
11.如權(quán)利要求10所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述硫酸和雙氧水的混合溶液中硫酸和雙氧水的體積比2 6 1，溶液的溫度范圍為120 140攝氏度，所需要的時(shí)間范圍5 10分鐘。
12.如權(quán)利要求10所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述SCl溶液中 NH4OH^H2O2和H2O的體積比為1 1 4 100 200，溶液的溫度小于30攝氏度，所需要的時(shí)間2 5分鐘。
全文摘要
一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造方法，所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器同時(shí)包含NMOS器件和PMOS器件，本發(fā)明通過(guò)在PMOS器件源/漏輕摻雜離子注入之后濕法清洗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中NMOS器件和PMOS器件的側(cè)壁間隙壁，使得濕法清洗之后形成的NMOS器件源/漏輕摻雜區(qū)之間的距離減小，改善NMOS器件的電性，使之與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中PMOS器件電性相匹配，提高了所制造靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的良品率。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102569202SQ20101059319
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者劉煥新, 宋偉基 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司