專利名稱：一種靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)和sram版圖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種能夠提高接觸孔刻蝕工藝容許度的靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
SRAM(Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機存儲記憶體)是任何一個半導(dǎo)體邏輯制程中不可缺少的部分，由于SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而 DRAM (Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能。輕微的漏電也影響到SRAM的功耗和發(fā)熱。在深次微米技術(shù)中，漏電流已成為一個非常關(guān)鍵而且使不可忽視的問題。SRAM其中的一個重要參數(shù)就是漏電，嚴重的漏電直接影響到SRAM的工作，降低靜態(tài)隨機存儲記憶體中的漏電流就能夠有效降低微處理器的漏電流，因此，如何減少漏電一直是SRAM開發(fā)過程中的一個重要的指標(biāo)。SRAM漏電一般主要有兩部分組成，第一部分是SRAM器件自身的漏電流，而另外一部分就是半導(dǎo)體制造工藝所產(chǎn)生的漏電。到目前為止，解決由于工藝所導(dǎo)致的漏電問題一般都集中在工藝的改善上。65納米和45納米單端口 SRAM(6T single port SRAM)的版圖一般如圖1所示。 為了提高集成度，會有一個共享接觸孔(Glared CT)，共享接觸孔的部分在有源區(qū)1上，部分在多晶柵極2上。而目前為了防止共享接觸孔斷路的問題，SRAM在共享接觸孔下方的有源區(qū)和多晶柵極2會有一個重疊的區(qū)域。這個區(qū)域是一個寄生的電容，另外在這附近因為有淺摻雜區(qū)域，容易在接觸孔刻蝕后產(chǎn)生很大的漏電流。如圖2所示，目前SRAM在共享接觸孔10的下方，由于有源區(qū)1和多晶柵有部分重合，導(dǎo)致了右側(cè)多晶柵2的左下方有源區(qū)有一塊淺摻雜的區(qū)域3，這一塊淺摻雜區(qū)域3對于器件來說沒有作用。但是由于淺摻雜區(qū)域 3的結(jié)深比較淺，一般在65納米中只有40納米左右，另外一方面接觸孔10在刻蝕的時候， 為了保證不形成斷路，必須保持20納米左右的有源區(qū)去除量?？梢钥吹皆跍\摻雜區(qū)接觸孔 10已經(jīng)非常接近Ρ-Π結(jié)的位置，一旦Ρ-Π結(jié)被刻蝕穿，就會導(dǎo)致指數(shù)級差的漏電流，所以在這個版圖下需要精確控制接觸孔刻蝕量?？梢姡壳暗腟RAM結(jié)構(gòu)本身對工藝要求非常嚴格，工藝開發(fā)的允許度有限，也為 SRAM漏電的改善帶來了許多障礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要是針對有共享接觸孔結(jié)構(gòu)的SRAM有源區(qū)結(jié)構(gòu)，對共享接觸孔下方的有源區(qū)和多晶柵極的相對位置進行改善，提出一種改善的版圖，用版圖的特殊性來增加工藝開發(fā)的允許度。本發(fā)明第一個目的是提供一種靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，所述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括共享接觸孔、有源區(qū)和所述共享接觸孔下方的多晶硅柵極，所述多晶硅柵極的兩側(cè)均設(shè)有側(cè)墻；
還包括淺摻雜區(qū)，所述淺摻雜區(qū)位于所述共享接觸孔下方的多晶硅柵極與相鄰的多晶硅柵極之間；
還包括有淺溝槽，制備所述淺溝槽過程中，在淺摻雜區(qū)位置不變的情況下，使所述淺溝槽向所述共享接觸孔一側(cè)擴大，從而使所述共享接觸孔下方的多晶硅柵極全部位于所述淺溝槽的上方。也就是說，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述淺溝槽距所述共享接觸孔下方的淺摻雜區(qū)距離更近，優(yōu)選的，本發(fā)明淺溝槽距共享接觸孔下方的淺摻雜區(qū)的距離比現(xiàn)有技術(shù)小 450 500nmo本發(fā)明上述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，所述側(cè)墻后的為45(T500nm。本發(fā)明上述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，所述摻雜區(qū)下方為漏/源區(qū)；所述漏/源區(qū)截面為弧形。本發(fā)明第二個目的是提供一種包括上述任一靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)的SRAM版圖。本發(fā)明上述的SRAM版圖，包括至少兩個所述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明使共享接觸孔下方的有源區(qū)離開多晶柵一段大概等于側(cè)墻的寬度的距離， 這樣共享接觸孔下方就不會有淺摻雜的區(qū)域，p-η結(jié)深大大增加，從而能大大提高接觸孔刻蝕工藝的容許度。


圖1為常規(guī)SRAM版圖； 圖2為常規(guī)SRAM截面視圖3為本發(fā)明靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明SRAM版圖的一種實施例。
具體實施例方式本發(fā)明提供了一種靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及包含所述有源區(qū)結(jié)構(gòu)的SRAM版圖。下面通過具體實施例，對本發(fā)明所述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及包含所述有源區(qū)結(jié)構(gòu)的SRAM版圖進行詳細的描述和介紹，以使更好的理解本發(fā)明，但是下述實施例并不限制本發(fā)明范圍。參照圖3，本發(fā)明靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，包括共享接觸孔10、有源區(qū)1和多晶硅柵極2，共享接觸孔10部分位于有源區(qū)1之上，部分位于多晶硅柵極2之上。多晶硅柵極2的兩側(cè)均設(shè)有側(cè)墻6，側(cè)墻最大厚度為45(T500nm。還包括淺摻雜區(qū)3，淺摻雜區(qū)3位于多晶硅柵極2與在SRAM相鄰的另一多晶硅柵極21之間位置。還包括淺溝槽5，與圖2中現(xiàn)有的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，可以看出，本發(fā)明SRAM有源區(qū)結(jié)構(gòu)中，淺溝槽5更靠近多晶硅柵極21，而淺摻雜區(qū)3的位置和大小不變，這樣，p-n結(jié)深度大大增加，在進行接觸孔刻蝕的過程中，大大減小了對刻蝕厚度的控制的嚴格程度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中，淺溝槽5靠近共享接觸孔的一側(cè)，向淺摻雜區(qū)移動大
4概一個側(cè)墻后的距離，即45(T500nm，最好能夠使整個多晶硅柵極2全部處于淺溝槽5的上方。由于制備過程為現(xiàn)行制備有源區(qū)1、淺溝槽5，然后在制備多晶硅2、淺摻雜區(qū)3，因此上述距離可以在制備過程中進行控制。參照圖3，本發(fā)明提供的SRAM版圖包括上述的靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，而且本實施例中至少包括兩個所述的有源區(qū)結(jié)構(gòu)。以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括共享接觸孔、有源區(qū)和所述共享接觸孔下方的多晶硅柵極，所述多晶硅柵極的兩側(cè)均設(shè)有側(cè)墻；還包括淺摻雜區(qū)，所述淺摻雜區(qū)位于所述共享接觸孔下方的多晶硅柵極與相鄰的多晶硅柵極之間；還包括有淺溝槽，制備所述淺溝槽過程中，在淺摻雜區(qū)位置不變的情況下，使所述淺溝槽向所述共享接觸孔一側(cè)擴大，并使所述共享接觸孔下方的多晶硅柵極全部位于所述淺溝槽的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)墻后的為 450 500nmo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜區(qū)下方為漏/ 源區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述漏/源區(qū)截面為弧形。
5.一種包括上述任一權(quán)利要求所述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)的SRAM版圖。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SRAM版圖，其特征在于，所述SRAM版圖包括至少兩個所述靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種靜態(tài)存儲器有源區(qū)結(jié)構(gòu)和SRAM版圖。本發(fā)明主要是針對有共享接觸孔結(jié)構(gòu)的SRAM有源區(qū)結(jié)構(gòu)，對共享接觸孔下方的有源區(qū)和多晶柵極的相對位置進行改善，使共享接觸孔下方的有源區(qū)離開多晶柵一段大概等于側(cè)墻的寬度的距離，這樣共享接觸孔下方就不會有淺摻雜的區(qū)域，p-n結(jié)深大大增加，從而能大大提高接觸孔刻蝕工藝的容許度。
文檔編號H01L29/06GK102437160SQ201110265268
公開日2012年5月2日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者孫昌, 王艷生 申請人:上海華力微電子有限公司