專(zhuān)利名稱(chēng)：具有凸柱/基座的散熱座及訊號(hào)凸柱的半導(dǎo)體芯片組體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片組體，特別是涉及一種由半導(dǎo)體器件、導(dǎo)線、黏著層及 散熱座組成的半導(dǎo)體芯片組體及其制造方法。相關(guān)申請(qǐng)案的相互參照本申請(qǐng)案為2009年11月11日提出申請(qǐng)的第12/616，773號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的部 分延續(xù)案，該案的內(nèi)容以引用的方式并入本文。本申請(qǐng)案也為2009年11月11日提出申請(qǐng) 的第12/616，775號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的部分延續(xù)案，該案的內(nèi)容同樣以引用的方式并入本 文。本申請(qǐng)案另主張2009年11月3日提出申請(qǐng)的第61/257，830號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)案 的優(yōu)先權(quán)，該案的內(nèi)容也以引用的方式并入本文。前述2009年11月11日提出申請(qǐng)的第12/616，773號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案及前述2009 年11月11日提出申請(qǐng)的第12/616，775號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案均為2009年9月11日提出申 請(qǐng)的第12/557，540號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的部分延續(xù)案，且也均為2009年9月11日提出申請(qǐng) 的第12/557，541號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的部分延續(xù)案。前述2009年9月11日提出申請(qǐng)的第12/557，540號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案及前述2009 年9月11日提出申請(qǐng)的第12/557，541號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案均為2009年3月18日提出申請(qǐng) 的第12/406，510號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的部分延續(xù)案。該第12/406，510號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案主 張2008年5月7日提出申請(qǐng)的第61/071，589號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)案、2008年5月7日提出 申請(qǐng)的第61/071，588號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)案、2008年4月11日提出申請(qǐng)的第61/071，072 號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)案及2008年3月25日提出申請(qǐng)的第61/064，748號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申 請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，上述各案的內(nèi)容均以引用的方式并入本文。前述2009年9月11日提出申 請(qǐng)的第12/557，540號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案及前述2009年9月11日提出申請(qǐng)的第12/557，541 號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案也主張2009年2月9日提出申請(qǐng)的第61/150，980號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng) 案的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容以引用的方式并入本文。
背景技術(shù)：
諸如經(jīng)封裝與未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體器件可提供高電壓、高頻率及高效 能的應(yīng)用；這些應(yīng)用為執(zhí)行特定功能，所需消耗的功率甚高，然而功率愈高則半導(dǎo)體器件生 熱愈多。此外，在封裝密度提高及尺寸縮減后，可供散熱的表面積縮小，更導(dǎo)致生熱加劇。半導(dǎo)體器件在高溫操作下易產(chǎn)生效能衰退及使用壽命縮短等問(wèn)題，甚至可能立即 故障。高熱不只影響芯片效能，也可能因熱膨脹不匹配而對(duì)芯片及其周遭器件產(chǎn)生熱應(yīng)力 作用。因此，必須使芯片迅速有效散熱方能確保其操作的效率與可靠度。一條高導(dǎo)熱性路 徑通常是將熱能傳導(dǎo)并發(fā)散至一表面積較芯片或芯片所在的晶粒座更大的區(qū)域。發(fā)光二極管(LED)近來(lái)已普遍成為白熾光源、熒光光源與鹵素光源的替代光源。 LED可為醫(yī)療、軍事、招牌、訊號(hào)、航空、航海、車(chē)輛、可攜式設(shè)備、商用與住家照明等應(yīng)用領(lǐng)域 提供高能源效率及低成本的長(zhǎng)時(shí)間照明。例如，LED可為燈具、手電筒、車(chē)頭燈、探照燈、交 通號(hào)志燈及顯示器等設(shè)備提供光源。LED中的高功率芯片在提供高亮度輸出的同時(shí)也產(chǎn)生大量熱能。然而，在高溫操作下，LED會(huì)發(fā)生色偏、亮度降低、使用壽命縮短及立即故障等問(wèn)題。此外，LED在散熱方面有 其限制，進(jìn)而影響其光輸出與可靠度。因此，LED格外突顯市場(chǎng)對(duì)于具有良好散熱效果的高 功率芯片的需求。LED封裝體通常包含一 LED芯片、一基座、電接點(diǎn)及一熱接點(diǎn)。所述基座是熱連接 至LED芯片并用以支撐該LED芯片。電接點(diǎn)則電性連接至LED芯片的陽(yáng)極與陰極。熱接點(diǎn) 經(jīng)由該基座熱連接至LED芯片，其下方載具可充分散熱以預(yù)防LED芯片過(guò)熱。業(yè)界積極以各種設(shè)計(jì)及制造技術(shù)投入高功率芯片封裝體與導(dǎo)熱板的研發(fā)，以期在 此極度成本競(jìng)爭(zhēng)的環(huán)境中滿(mǎn)足效能需求。塑料球柵陣列(PBGA)封裝是將一芯片與一層壓基板包裹于一塑料外殼中，然后 再以錫球黏附于一印刷電路板(PCB)的上。所述層壓基板包含一通常由玻璃纖維構(gòu)成的介 電層。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由塑料及介電層傳至錫球，進(jìn)而傳至印刷電路板。然而，由于塑 料與介電層的導(dǎo)熱性低，PBGA的散熱效果不佳。方形扁平無(wú)引腳(QFN)封裝是將芯片設(shè)置在一焊接于印刷電路板的銅質(zhì)晶粒座 上。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由晶粒座傳至印刷電路板。然而，由于其導(dǎo)線架中介層的路由能 力有限，使得QFN封裝無(wú)法適用于高輸入/輸出(I/O)芯片或被動(dòng)器件。導(dǎo)熱板為半導(dǎo)體器件提供電性路由、熱管理與機(jī)械性支撐等功能。導(dǎo)熱板通常包 含一用于訊號(hào)路由的基板、一提供熱去除功能的散熱座或散熱裝置、一可供電性連接至半 導(dǎo)體器件的焊墊，以及一可供電性連接至下一層組體的端子。該基板可為一具有單層或多 層路由電路系統(tǒng)及一或多層介電層的層壓結(jié)構(gòu)。該散熱座可為一金屬基座、金屬塊或埋設(shè)導(dǎo)熱板接合下一層組體。例如，下一層組體可為一具有印刷電路板及散熱裝置的 燈座。在此范例中，一 LED封裝體是安設(shè)于導(dǎo)熱板上，該導(dǎo)熱板則安設(shè)于散熱裝置上，導(dǎo)熱 板/散熱裝置次組體與印刷電路板又安設(shè)于燈座中。此外，導(dǎo)熱板經(jīng)由導(dǎo)線電性連接至該 印刷電路板。該基板將電訊號(hào)自該印刷電路板導(dǎo)向LED封裝體，而該散熱座則將LED封裝 體的熱能發(fā)散并傳遞至該散熱裝置。因此，該導(dǎo)熱板可為L(zhǎng)ED芯片提供一重要的熱路徑。授予Juskey等人的第6，507，102號(hào)美國(guó)專(zhuān)利揭示一種組體，其中一由玻璃纖維與 固化的熱固性樹(shù)脂所構(gòu)成的復(fù)合基板包含一中央開(kāi)口。一具有類(lèi)似前述中央開(kāi)口正方或長(zhǎng) 方形狀的散熱塊是黏附于該中央開(kāi)口側(cè)壁因而與該基板結(jié)合。上、下導(dǎo)電層分別黏附于該 基板的頂部及底部，并通過(guò)貫穿該基板的電鍍導(dǎo)孔互為電性連接。一芯片是設(shè)置于散熱塊 上并打線接合至上導(dǎo)電層，一封裝材料是模設(shè)成形于芯片上，而下導(dǎo)電層則設(shè)有錫球。制造時(shí)，該基板原為一置于下導(dǎo)電層上的乙階(B-stage)樹(shù)脂膠片。散熱塊是插 設(shè)于中央開(kāi)口，因而位于下導(dǎo)電層上，并與該基板以一間隙相隔。上導(dǎo)電層則設(shè)于該基板 上。上、下導(dǎo)電層經(jīng)加熱及彼此壓合后，使樹(shù)脂熔化并流入前述間隙中固化。上、下導(dǎo)電層 形成圖案，因而在該基板上形成電路布線，并使樹(shù)脂溢料顯露于散熱塊上。然后去除樹(shù)脂溢 料，使散熱塊露出。最后再將芯片安置于散熱塊上并進(jìn)行打線接合與封裝。因此，芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由散熱塊傳至印刷電路板。然而在量產(chǎn)時(shí)，以手工方 式將散熱塊放置于中央開(kāi)口內(nèi)的作業(yè)極為費(fèi)工，且成本高昂。再者，由于側(cè)向的安裝容差 小，散熱塊不易精確定位于中央開(kāi)口中，導(dǎo)致基板與散熱塊間易出現(xiàn)間隙以及打線不均的 情形。如此一來(lái)，該基板只部分黏附于散熱塊，無(wú)法自散熱塊獲得足夠支撐力，且容易脫層。此外，用于去除部分導(dǎo)電層以顯露樹(shù)脂溢料的化學(xué)蝕刻液也將去除部分未被樹(shù)脂溢料覆蓋 的散熱塊，使散熱塊不平且不易結(jié)合，最終導(dǎo)致組體的良率降低、可靠度不足且成本過(guò)高。授予Ding等人的第6，528，882號(hào)美國(guó)專(zhuān)利揭露一種高散熱球柵陣列封裝體，其基 板包含一金屬芯層，而芯片則安置于金屬芯層頂面的晶粒座區(qū)域。一絕緣層是形成于金屬 芯層的底面。盲孔貫穿絕緣層直通金屬芯層，且孔內(nèi)填有散熱錫球，另在該基板上設(shè)有與散 熱錫球相對(duì)應(yīng)的錫球。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由金屬芯層流向散熱錫球，再流向印刷電路板。 然而，夾設(shè)于金屬芯層與印刷電路板之間的絕緣層卻對(duì)流向印刷電路板的熱流造成限制。授予Lee等人的第6，670，219號(hào)美國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)一種凹槽向下球柵陣列(⑶BGA)封 裝體，其中一具有中央開(kāi)口的接地板是設(shè)置于一散熱座上以構(gòu)成一散熱基板。一具有中央 開(kāi)口的基板通過(guò)一具有中央開(kāi)口的黏著層設(shè)置于該接地板上。一芯片是安裝于該散熱座上 由接地板中央開(kāi)口所形成的一凹槽內(nèi)，且該基板上設(shè)有錫球。然而，由于錫球是位于基板 上，散熱座并無(wú)法接觸印刷電路板，導(dǎo)致該散熱座的散熱作用只限熱對(duì)流而非熱傳導(dǎo)，因而 大幅限縮其散熱效果。授予Woodall等人的第7，038，311號(hào)美國(guó)專(zhuān)利提供一種高散熱BGA封裝體，其散 熱裝置為倒T形且包含一柱部與一寬基底。一設(shè)有窗型開(kāi)口的基板是安置于寬基底上，一 黏著層則將柱部與寬基底黏附于該基板。一芯片是安置于柱部上并打線接合至該基板，一 封裝材料是模制成形于芯片上，該基板上則設(shè)有錫球。柱部延伸穿過(guò)該窗型開(kāi)口，并由寬基 底支撐該基板，至于錫球則位于寬基底與基板周緣間。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由柱部傳至寬 基底，再傳至印刷電路板。然而，由于寬基底上必須留有容納錫球的空間，寬基底只在對(duì)應(yīng) 于中央窗口與最內(nèi)部錫球間的位置突伸于該基板下方。如此一來(lái)，該基板在制造過(guò)程中便 不平衡，且容易晃動(dòng)及彎曲，進(jìn)而導(dǎo)致芯片的安裝、打線接合以及封裝材料的模制成形均十 分困難。此外，該寬基底可能因封裝材料的模制成形而彎折，且一旦錫球崩塌，便可能使該 封裝體無(wú)法焊接至下一層組體。因此，此封裝體的良率偏低、可靠度不足且成本過(guò)高。Erchak等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案第2007/(^67642號(hào)提出一種發(fā)光裝置組體， 其中一倒T形的基座包含一基板、一突出部及一具有通孔的絕緣層，絕緣層上并設(shè)有電接 點(diǎn)。一具有通孔與透明上蓋的封裝體是設(shè)置于電接點(diǎn)上。一 LED芯片是設(shè)置于突出部并 以打線連接該基板。該突出部是鄰接該基板并延伸穿過(guò)絕緣層與封裝體上的通孔，進(jìn)入封 裝體內(nèi)。絕緣層是設(shè)置于該基板上，且絕緣層上設(shè)有電接點(diǎn)。封裝體是設(shè)置于所述電接點(diǎn) 上并與絕緣層保持間距。該芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由突出部傳至該基板，進(jìn)而到達(dá)一散熱裝 置。然而，所述電接點(diǎn)不易設(shè)置于絕緣層上，難以與下一層組體電性連接，且無(wú)法提供多層 路由?，F(xiàn)有封裝體與導(dǎo)熱板具有重大缺點(diǎn)。舉例而言，諸如環(huán)氧樹(shù)脂等低導(dǎo)熱性的電絕 緣材料對(duì)散熱效果造成限制，然而，以陶瓷或碳化硅填充的環(huán)氧樹(shù)脂等具有較高導(dǎo)熱性的 電絕緣材料則具有黏著性低且量產(chǎn)成本過(guò)高的缺點(diǎn)。該電絕緣材料可能在制作過(guò)程中或在 操作初期即因受熱而脫層。該基板若為單層電路系統(tǒng)則路由能力有限，但若該基板為多層 電路系統(tǒng)，則其過(guò)厚的介電層將降低散熱效果。此外，前案技術(shù)尚有散熱座效能不足、體積 過(guò)大或不易熱連接至下一層組體等問(wèn)題。前案技術(shù)的制造工序也不適于低成本的量產(chǎn)作 業(yè)。有鑒于現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體器件封裝體及導(dǎo)熱板的種種發(fā)展情形及相關(guān)限制，業(yè)界實(shí)需一種具成本效益、效能可靠、適于量產(chǎn)、多功能、可靈活調(diào)整訊號(hào)路由且具有優(yōu)異散熱 性的半導(dǎo)體芯片組體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體芯片組體。本發(fā)明的另一目的在于提供一種制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法。本發(fā)明半導(dǎo)體芯片組體，其至少包含一半導(dǎo)體器件、一散熱座、一導(dǎo)線與一黏著 層。該半導(dǎo)體器件是電性連接至該導(dǎo)線并熱連接至該散熱座。該散熱座至少包含一導(dǎo)熱凸 柱與一基座。該導(dǎo)熱凸柱自該基座向上延伸并進(jìn)入該黏著層的一第一開(kāi)口，該基座則自該 導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸。該導(dǎo)線至少包含一焊墊、一端子與一訊號(hào)凸柱。該訊號(hào)凸柱自該端子 向上延伸并進(jìn)入該黏著層的一第二開(kāi)口。根據(jù)本發(fā)明的一樣式，一半導(dǎo)體芯片組體至少包含一半導(dǎo)體器件、一黏著層、一散 熱座與一導(dǎo)線。該黏著層至少具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口。該散熱座至少包含一導(dǎo)熱凸柱及 一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座并沿一向上方向延伸于該基座上方，該基座則沿一 與該向上方向相反的向下方向延伸于該導(dǎo)熱凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè) 面方向從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸而出。該導(dǎo)線至少包含一焊墊、一端子與一訊號(hào)凸柱，其中該 訊號(hào)凸柱是延伸于該焊墊下方及該端子上方，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊 號(hào)凸柱。該半導(dǎo)體器件是位于該導(dǎo)熱凸柱上方并重疊于該導(dǎo)熱凸柱。該半導(dǎo)體器件是電性 連接至該焊墊，從而電性連接至該端子；并且熱連接至該導(dǎo)熱凸柱，從而熱連接至該基座。 該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，并從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸至該端子或越 過(guò)該端子。該焊墊是延伸于該黏著層上方，而該端子則延伸于該黏著層下方。該導(dǎo)熱凸柱 延伸進(jìn)入該第一開(kāi)口，該訊號(hào)凸柱則延伸進(jìn)入該第二開(kāi)口。此外，所述凸柱具有相同厚度且 彼此共平面，該基座與該端子也具有相同厚度且彼此共平面。該導(dǎo)線可包含該焊墊、該端子、該訊號(hào)凸柱及一路由線。該路由線可鄰接該焊墊。 該訊號(hào)凸柱可鄰接該路由線與該端子，延伸于該焊墊與該路由線下方，且延伸于該端子上 方。該焊墊與該路由線可重疊于該黏著層。該端子可被該黏著層重疊。該訊號(hào)凸柱可延伸 貫穿該黏著層。該焊墊、該端子、該訊號(hào)凸柱與該路由線可接觸該黏著層。一位于該焊墊與 該端子間的導(dǎo)電路徑可包含該訊號(hào)凸柱與該路由線。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一半導(dǎo)體芯片組體至少包含一半導(dǎo)體器件、一黏著層、一 散熱座、一基板與一導(dǎo)線。該黏著層至少具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口。該散熱座至少包含一 導(dǎo)熱凸柱及一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座并沿一向上方向延伸于該基座上方，該 基座則沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該導(dǎo)熱凸柱下方，并沿垂直于該向上及向 下方向的側(cè)面方向從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸而出。該基板至少包含一焊墊與一介電層，且第 一及第二通孔延伸穿過(guò)該基板。該導(dǎo)線至少包含該焊墊、一端子與一訊號(hào)凸柱，其中該訊號(hào) 凸柱是延伸于該焊墊下方及該端子上方，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊號(hào)凸 柱。該半導(dǎo)體器件是位于該導(dǎo)熱凸柱上方并重疊于該導(dǎo)熱凸柱。該半導(dǎo)體器件是電性 連接至該焊墊，從而電性連接至該端子；并且熱連接至該導(dǎo)熱凸柱，從而熱連接至該基座。該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，且延伸進(jìn)入該第一通孔中一介于該導(dǎo)熱 凸柱與該基板之間的第一缺口，同時(shí)延伸進(jìn)入該第二通孔中一介于該訊號(hào)凸柱與該基板之 間的第二缺口，并于所述缺口中延伸跨越該介電層。該黏著層從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸至該 端子或越過(guò)該端子，且是介于該導(dǎo)熱凸柱與該介電層之間、該訊號(hào)凸柱與該介電層之間以 及該基座與該介電層之間。該基板是設(shè)置于該黏著層上，并延伸于該基座上方。該焊墊是延伸于該介電層上方，而該端子則延伸于該黏著層下方。該導(dǎo)熱凸柱延伸進(jìn)入該第一開(kāi)口及該第一通孔，該訊號(hào)凸柱則延伸進(jìn)入該第二開(kāi) 口及該第二通孔。此外，所述凸柱具有相同厚度且彼此共平面，該基座與該端子也具有相同 厚度且彼此共平面。該散熱座可包含一蓋體，該蓋體是位于該導(dǎo)熱凸柱的頂部上方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱 的頂部，同時(shí)從上方覆蓋該導(dǎo)熱凸柱的頂部，并沿所述側(cè)面方向從該導(dǎo)熱凸柱的頂部側(cè)向 延伸而出。例如，該蓋體可為矩形或正方形，而該導(dǎo)熱凸柱的頂部可為圓形。在此例中，該 蓋體的尺寸及形狀可經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，以配合該半導(dǎo)體器件的熱接觸表面，至于該導(dǎo)熱凸柱頂部 的尺寸及形狀則未依該半導(dǎo)體器件的熱接觸表面而設(shè)計(jì)。該蓋體也可接觸并覆蓋該黏著層 一鄰接該導(dǎo)熱凸柱并與該導(dǎo)熱凸柱共平面的部分。該蓋體也可在該介電層上方與該焊墊共 平面。此外，該導(dǎo)熱凸柱可熱連接該基座與該蓋體。該散熱座可由該導(dǎo)熱凸柱與該基座組 成，或由該導(dǎo)熱凸柱、該基座與該蓋體組成。該散熱座也可由銅、鋁或銅/鎳/鋁合金組成。 無(wú)論采用哪一組成方式，該散熱座皆可提供散熱作用，將該半導(dǎo)體器件的熱能擴(kuò)散至下一 層組體。該半導(dǎo)體器件可設(shè)置于該散熱座上。例如，該半導(dǎo)體器件可設(shè)置于該散熱座及該 基板上，重疊于該導(dǎo)熱凸柱與該焊墊，通過(guò)一第一焊錫電性連接至該焊墊，并通過(guò)一第二焊 錫熱連接至該散熱座?；蛘?，該半導(dǎo)體器件可設(shè)置于該散熱座而非該基板上，重疊于該導(dǎo)熱 凸柱而非該基板，通過(guò)一打線電性連接至該焊墊，并通過(guò)一固晶材料熱連接至該散熱座。該半導(dǎo)體器件可為一經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體芯片。例如，該半導(dǎo)體器件可為 一包含LED芯片的LED封裝體，其是設(shè)置于該散熱座與該基板上，重疊于該導(dǎo)熱凸柱與該焊 墊，經(jīng)由一第一焊錫電性連接至該焊墊，且經(jīng)由一第二焊錫熱連接至該散熱座。或者，該半 導(dǎo)體器件可為一半導(dǎo)體芯片，其是設(shè)置于該散熱座而非該基板上，重疊于該導(dǎo)熱凸柱而非 該基板，經(jīng)由一打線電性連接至該焊墊，且經(jīng)由一固晶材料熱連接至該散熱座。該黏著層可在該第一缺口中接觸該導(dǎo)熱凸柱及該介電層，并在該第二缺口中接觸 該訊號(hào)凸柱及該介電層，且于所述缺口之外接觸該基座、該端子及該介電層。該黏著層也可 于所述側(cè)面方向覆蓋及環(huán)繞所述凸柱，且同形被覆于所述凸柱的側(cè)壁。該黏著層可與所述 凸柱的頂部及底部共平面。該黏著層可自該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸至該端子或越過(guò)該端子。例如，該黏著層與該 端子可延伸至該組體的外圍邊緣；在此例中，該黏著層是從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸至該端子。 或者，該黏著層可延伸至該組體的外圍邊緣，而該端子則與該組體的外圍邊緣保持距離；在 此情況下，該黏著層是從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸且越過(guò)該端子。該導(dǎo)熱凸柱可與該基座一體成形。例如，該導(dǎo)熱凸柱與該基座可為單一金屬體或 于其接口包含單一金屬體，其中該單一金屬體可為銅。該導(dǎo)熱凸柱也可延伸貫穿該第一通 口。該導(dǎo)熱凸柱也可在該介電層上方與該黏著層共平面。該導(dǎo)熱凸柱也可為平頂錐柱形，其直徑是從該基座處朝其鄰接蓋體的平坦頂部向上遞減。該訊號(hào)凸柱可與該端子一體成形。例如，該訊號(hào)凸柱與該端子可為單一金屬體或 于其接口包含單一金屬體，其中該單一金屬體可為銅。該訊號(hào)凸柱也可延伸貫穿該第二通 口。該訊號(hào)凸柱也可在該介電層上方與該黏著層共平面。該訊號(hào)凸柱也可為平頂錐柱形， 其直徑是從該端子處朝其鄰接路由線的平坦頂部向上遞減。該基座可從下方覆蓋該導(dǎo)熱凸柱，同時(shí)支撐該基板，并與該組體的外圍邊緣保持 距離。該基板可與該導(dǎo)熱凸柱及該基座保持距離。該基板也可為一層壓結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)線可與該散熱座保持距離。該焊墊可接觸該介電層，該端子可接觸該黏著層， 而該訊號(hào)凸柱則可接觸該黏著層與該介電層。此外，該端子可鄰接該訊號(hào)凸柱，延伸于該訊 號(hào)凸柱下方，并從該訊號(hào)凸柱側(cè)向延伸。該焊墊可作為該半導(dǎo)體器件的一電接點(diǎn)，該端子可作為下一層組體的一電接點(diǎn)， 且該焊墊與該端子可在該半導(dǎo)體器件與該下一層組體間提供垂直訊號(hào)路由。該組體可為一第一級(jí)或第二級(jí)單晶或多晶裝置。例如，該組體可為一包含單一芯 片或多枚芯片的第一級(jí)封裝體?；蛘?，該組體可為一包含單一 LED封裝體或多個(gè)LED封裝 體的第二級(jí)模塊，其中各該LED封裝體可包含單一 LED芯片或多枚LED芯片。本發(fā)明制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法，其包含提供一導(dǎo)熱凸柱、一訊號(hào)凸柱及一 基座；設(shè)置一黏著層于該基座上，此步驟包含將該導(dǎo)熱凸柱插入該黏著層的一第一開(kāi)口，并 將該訊號(hào)凸柱插入該黏著層的一第二開(kāi)口 ；設(shè)置一導(dǎo)電層于該黏著層上，此步驟包含將該 導(dǎo)熱凸柱對(duì)準(zhǔn)該導(dǎo)電層的一第一通孔，并將該訊號(hào)凸柱對(duì)準(zhǔn)該導(dǎo)電層的一第二通孔；使該 黏著層向上流入該第一通孔內(nèi)一介于該導(dǎo)熱凸柱與該導(dǎo)電層之間的第一缺口以及該第二 通孔內(nèi)一介于該訊號(hào)凸柱與該導(dǎo)電層之間的第二缺口 ；固化該黏著層；提供一導(dǎo)線，該導(dǎo) 線至少包含一焊墊、一端子、該訊號(hào)凸柱與該導(dǎo)電層的一選定部分；設(shè)置一半導(dǎo)體器件于一 散熱座上，其中該散熱座至少包含該導(dǎo)熱凸柱及該基座；電性連接該半導(dǎo)體器件至該導(dǎo)線； 以及熱連接該半導(dǎo)體器件至該散熱座。根據(jù)本發(fā)明的一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法包含(1)提供一導(dǎo)熱 凸柱、一訊號(hào)凸柱、一基座、一黏著層及一導(dǎo)電層，其中(a)該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座，沿一 向上方向延伸于該基座上方，延伸進(jìn)入該黏著層的一第一開(kāi)口，并對(duì)準(zhǔn)該導(dǎo)電層的一第一 通孔，(b)該訊號(hào)凸柱是鄰接該基座，沿該向上方向延伸于該基座上方，延伸進(jìn)入該黏著層 的一第二開(kāi)口，并對(duì)準(zhǔn)該導(dǎo)電層的一第二通孔，(c)該基座是沿一與該向上方向相反的向下 方向延伸于所述凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向自所述凸柱側(cè)向延伸 而出，(d)該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，并位于該基座與該導(dǎo)電層之間， 且未固化，此外，(e)該導(dǎo)電層是設(shè)置于該黏著層上，并延伸于該黏著層上方；(2)使該黏著 層向上流入該第一通孔內(nèi)一介于該導(dǎo)熱凸柱與該導(dǎo)電層之間的第一缺口以及該第二通孔 內(nèi)一介于該訊號(hào)凸柱與該導(dǎo)電層之間的第二缺口 ；(3)固化該黏著層；(4)提供一導(dǎo)線，該 導(dǎo)線至少包含一焊墊、一端子、該訊號(hào)凸柱與該導(dǎo)電層的一選定部分；( 設(shè)置一半導(dǎo)體器 件于一至少包含該導(dǎo)熱凸柱與該基座的散熱座上，其中該半導(dǎo)體器件重疊于該導(dǎo)熱凸柱； (6)電性連接該半導(dǎo)體器件至該焊墊，借此電性連接該半導(dǎo)體器件至該端子，其中該焊墊與 該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊號(hào)凸柱；以及(7)熱連接該半導(dǎo)體器件至該導(dǎo)熱凸柱，借此熱連接該半導(dǎo)體器件至該基座。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法包含(1)提供一導(dǎo) 熱凸柱、一訊號(hào)凸柱與一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接且一體成形于該基座，并沿一向上方 向延伸于該基座上方，該訊號(hào)凸柱是鄰接且一體成形于該基座，并沿該向上方向延伸于該 基座上方，且該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于所述凸柱下方，并自所述 凸柱沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸而出；( 提供一黏著層，其中第一 開(kāi)口及第二開(kāi)口延伸貫穿該黏著層；(3)提供一導(dǎo)電層，其中第一及第二通孔延伸貫穿該 導(dǎo)電層；(4)設(shè)置該黏著層于該基座上，此步驟包含將該導(dǎo)熱凸柱插入該第一開(kāi)口，并將該 訊號(hào)凸柱插入該第二開(kāi)口，其中該黏著層是延伸于該基座上方，該導(dǎo)熱凸柱延伸進(jìn)入該第 一開(kāi)口，而該訊號(hào)凸柱則延伸進(jìn)入該第二開(kāi)口 ；(5)設(shè)置該導(dǎo)電層于該黏著層上，此步驟包 含將該導(dǎo)熱凸柱對(duì)準(zhǔn)該第一通孔，并將該訊號(hào)凸柱對(duì)準(zhǔn)該第二通孔，其中該導(dǎo)電層是延伸 于該黏著層上方，該黏著層是介于該基座與該導(dǎo)電層之間且未固化；(6)加熱熔化該黏著 層；(7)使該基座與該導(dǎo)電層彼此靠合，借此使該導(dǎo)熱凸柱在該第一通孔內(nèi)向上移動(dòng)，并使 該訊號(hào)凸柱在該第二通孔內(nèi)向上移動(dòng)，同時(shí)對(duì)該基座與該導(dǎo)電層之間的熔化黏著層施加壓 力，該壓力迫使該熔化黏著層向上流入該第一通孔內(nèi)一介于該導(dǎo)熱凸柱與該導(dǎo)電層之間 的第一缺口以及該第二通孔內(nèi)一介于該訊號(hào)凸柱與該導(dǎo)電層之間的第二缺口 ； (8)加熱固 化該熔化黏著層，借此將所述凸柱及該基座機(jī)械性黏附至該導(dǎo)電層；(9)提供一導(dǎo)線，該導(dǎo) 線至少包含一焊墊、一端子、一路由線與該訊號(hào)凸柱，其中該導(dǎo)線包含該導(dǎo)電層的一選定 部分，且一位于該焊墊與該端子間的導(dǎo)電路徑包含該路由線與該訊號(hào)凸柱；(10)設(shè)置一半 導(dǎo)體器件于一散熱座上，該散熱座至少包含該導(dǎo)熱凸柱與該基座，其中該半導(dǎo)體器件重疊 于該導(dǎo)熱凸柱；(11)電性連接該半導(dǎo)體器件至該焊墊，借此電性連接該半導(dǎo)體器件至該端 子；以及(1 熱連接該半導(dǎo)體器件至該導(dǎo)熱凸柱，借此熱連接該半導(dǎo)體器件至該基座。設(shè)置該導(dǎo)電層可包含將該導(dǎo)電層單獨(dú)設(shè)置于該黏著層上，或者，先將該導(dǎo)電層黏 附于一載體，再將該導(dǎo)電層與該載體一同設(shè)置于該黏著層上，以使該載體重疊于該導(dǎo)電層， 而該導(dǎo)電層則接觸該黏著層且介于該黏著層與該載體間，接著在該黏著層固化后，先去除 該載體，再提供該導(dǎo)線。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法包含(1)提供一導(dǎo) 熱凸柱、一訊號(hào)凸柱、一基座、一黏著層及一基板，其中(a)該基板至少包含一導(dǎo)電層與一 介電層，(b)該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座，沿一向上方向延伸于該基座上方，延伸穿過(guò)該黏著 層的一第一開(kāi)口，并延伸進(jìn)入該基板的一第一通孔，(c)該訊號(hào)凸柱是鄰接該基座，沿該向 上方向延伸于該基座上方，延伸穿過(guò)該黏著層的一第二開(kāi)口，并延伸進(jìn)入該基板的一第二 通孔，(d)該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于所述凸柱下方，并沿垂直于該 向上及向下方向的側(cè)面方向自所述凸柱側(cè)向延伸而出，(e)該黏著層是設(shè)置于該基座上，延 伸于該基座上方，并位于該基座與該基板之間，且未固化，(f)該基板是設(shè)置于該黏著層上， 延伸于該黏著層上方，且該導(dǎo)電層是延伸于該介電層上方，(g) 一第一缺口是位于該第一通 孔內(nèi)，且介于該導(dǎo)熱凸柱與該基板之間，此外，(h) 一第二缺口是位于該第二通孔內(nèi)，且介于 該訊號(hào)凸柱與該基板之間；( 使該黏著層向上流入所述缺口 ； C3)固化該黏著層；(4)設(shè) 置一半導(dǎo)體器件于一至少包含該導(dǎo)熱凸柱與該基座的散熱座上，其中該半導(dǎo)體器件重疊于 該導(dǎo)熱凸柱，一導(dǎo)線至少包含一焊墊、一端子、該訊號(hào)凸柱及該導(dǎo)電層的一選定部分，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊號(hào)凸柱；( 電性連接該半導(dǎo)體器件至該焊墊，借 此電性連接該半導(dǎo)體器件至該端子；以及(6)熱連接該半導(dǎo)體器件至該導(dǎo)熱凸柱，借此熱 連接該半導(dǎo)體器件至該基座。根據(jù)本發(fā)明的又一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法包含(1)提供一導(dǎo) 熱凸柱、一訊號(hào)凸柱與一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接且一體成形于該基座，并沿一向上方 向延伸于該基座上方，該訊號(hào)凸柱是鄰接且一體成形于該基座，并沿該向上方向延伸于該 基座上方，該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于所述凸柱下方，并自所述凸 柱沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸而出；(2)提供一黏著層，其中第一開(kāi) 口及第二開(kāi)口延伸貫穿該黏著層；(3)提供一至少包含一導(dǎo)電層與一介電層的基板，其中 第一及第二通孔延伸貫穿該基板；(4)設(shè)置該黏著層于該基座上，此步驟包含將該導(dǎo)熱凸 柱穿過(guò)該第一開(kāi)口，并將該訊號(hào)凸柱穿過(guò)該第二開(kāi)口，其中該黏著層是延伸于該基座上方， 該導(dǎo)熱凸柱延伸貫穿該第一開(kāi)口，該訊號(hào)凸柱則延伸貫穿該第二開(kāi)口 ；(5)設(shè)置該基板于 該黏著層上，此步驟包含將該導(dǎo)熱凸柱插入該第一通孔，并將該訊號(hào)凸柱插入該第二通孔， 其中該基板延伸于該黏著層上方，該導(dǎo)電層延伸于該介電層上方，該導(dǎo)熱凸柱延伸貫穿該 第一開(kāi)口并進(jìn)入該第一通孔，該訊號(hào)凸柱延伸貫穿該第二開(kāi)口并進(jìn)入該第二通孔，該黏著 層是介于該基座與該基板之間且未固化，一第一缺口是位于該第一通孔內(nèi)且介于該導(dǎo)熱凸 柱與該基板之間，此外，一第二缺口是位于該第二通孔內(nèi)且介于該訊號(hào)凸柱與該基板之間； (6)加熱熔化該黏著層；(7)使該基座與該基板彼此靠合，借此使該導(dǎo)熱凸柱在該第一通孔 內(nèi)向上移動(dòng)，并使該訊號(hào)凸柱在該第二通孔內(nèi)向上移動(dòng)，同時(shí)對(duì)該基座與該基板之間的熔 化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使該熔化黏著層向上流入所述缺口，且所述凸柱與該熔 化黏著層是延伸于該介電層上方；(8)加熱固化該熔化黏著層，借此將所述凸柱及該基座 機(jī)械性黏附至該基板；(9)設(shè)置一半導(dǎo)體器件于一散熱座上，該散熱座至少包含該導(dǎo)熱凸 柱與該基座，其中該半導(dǎo)體器件重疊于該凸柱，一導(dǎo)線至少包含一焊墊、一端子、該訊號(hào)凸 柱及該導(dǎo)電層的一選定部分，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊號(hào)凸柱；(10)電 性連接該半導(dǎo)體器件至該焊墊，借此電性連接該半導(dǎo)體器件至該端子；以及(11)熱連接該 半導(dǎo)體器件至該導(dǎo)熱凸柱，借此熱連接該半導(dǎo)體器件至該基座。提供該導(dǎo)熱凸柱、該訊號(hào)凸柱與該基座可包含提供一金屬板；于該金屬板上形 成一圖案化的蝕刻阻層，其選擇性曝露該金屬板；蝕刻該金屬板，使其形成該圖案化的蝕刻 阻層所定義的圖案，借此于該金屬板上形成一凹槽，其延伸進(jìn)入但未貫穿該金屬板；而后去 除該圖案化的蝕刻阻層，其中該導(dǎo)熱凸柱包含該金屬板的一第一未受蝕刻部分，該第一未 受蝕刻部分是突出于該基座上方，且被該凹槽側(cè)向環(huán)繞，該訊號(hào)凸柱則包含該金屬板的一 第二未受蝕刻部分，該第二未受蝕刻部分是突出于該基座上方，且被該凹槽側(cè)向環(huán)繞，該基 座也為該金屬板的一未受蝕刻部分，此未受蝕刻部分是位于所述凸柱與該凹槽下方。提供該黏著層可包含提供一未固化環(huán)氧樹(shù)脂的膠片。使該黏著層流動(dòng)可包含 熔化該未固化環(huán)氧樹(shù)脂；并擠壓該基座與該基板之間的該未固化環(huán)氧樹(shù)脂。固化該黏著層 可包含固化該熔化的未固化環(huán)氧樹(shù)脂。提供該散熱座可包含在固化該黏著層之后與設(shè)置該半導(dǎo)體器件之前，在該導(dǎo)熱 凸柱上提供一蓋體，該蓋體位于該導(dǎo)熱凸柱的一頂部上方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱的頂部，同時(shí)從 上方覆蓋該導(dǎo)熱凸柱的頂部，且自該導(dǎo)熱凸柱的頂部沿所述側(cè)面方向側(cè)向延伸而出。
提供該焊墊可包含在固化該黏著層之后，去除該導(dǎo)電層的選定部分。提供該焊墊也可包含在固化該黏著層之后，研磨所述凸柱、該黏著層及該導(dǎo)電 層，以使所述凸柱、該黏著層及該導(dǎo)電層在一面向該向上方向的上側(cè)表面是彼此側(cè)向齊平； 而后去除該導(dǎo)電層的選定部分，以使該焊墊包含該導(dǎo)電層的選定部分。所述研磨可包含研 磨該黏著層而不研磨所述凸柱；而后研磨所述凸柱、該黏著層及該導(dǎo)電層。所述去除可包 含利用一可定義該焊墊的圖案化蝕刻阻層對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行濕式化學(xué)蝕刻。提供該焊墊也可包含在研磨完成后，于所述凸柱、該黏著層與該導(dǎo)電層上沉積導(dǎo) 電金屬以形成一第二導(dǎo)電層；然后去除這些導(dǎo)電層的選定部分，以使該焊墊包含這些導(dǎo)電 層的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該第二導(dǎo)電層可包含將一第一被覆層以無(wú)電鍍被覆 的方式設(shè)于所述凸柱、該黏著層與該導(dǎo)電層上；而后將一第二被覆層以電鍍方式設(shè)于該第 一被覆層上。所述去除可包含利用可定義該焊墊的圖案化蝕刻阻層對(duì)這些導(dǎo)電層進(jìn)行濕 式化學(xué)蝕刻。提供該端子可包含在固化該黏著層之后，去除該基座的選定部分。所述去除可包 含利用可定義該端子的圖案化蝕刻阻層對(duì)該基座進(jìn)行濕式化學(xué)蝕刻，以使該端子包含該 基座的一未受蝕刻部分，此未受蝕刻部分鄰接該訊號(hào)凸柱，且與該基座分離，彼此隔開(kāi)，所 以已非該基座的一部分。如此一來(lái)，該焊墊與該端子便可于同一濕式化學(xué)蝕刻步驟中利用 不同的圖案化蝕刻阻層同時(shí)形成。提供該蓋體可包含去除該第二導(dǎo)電層的選定部分。提供該蓋體也可包含先完 成前述研磨，然后利用可定義該蓋體的圖案化蝕刻阻層去除該第二導(dǎo)電層的選定部分，以 使該蓋體包含該第二導(dǎo)電層的選定部分。如此一來(lái)，該焊墊與該蓋體便可通過(guò)同一研磨工 序，并于同一濕式化學(xué)蝕刻步驟中利用同一圖案化蝕刻阻層同時(shí)形成。使該黏著層流動(dòng)可包含以該黏著層填滿(mǎn)所述缺口。使該黏著層流動(dòng)也可包含 擠壓該黏著層，使其通過(guò)所述缺口，到達(dá)所述凸柱與該基板上方，并及于所述凸柱頂面與該 基板頂面鄰接所述缺口的部分。固化該黏著層可包含將所述凸柱與該基座機(jī)械性結(jié)合于該基板。設(shè)置該半導(dǎo)體器件可包含將該半導(dǎo)體器件設(shè)置于該蓋體上。設(shè)置該半導(dǎo)體器件 也可包含將該半導(dǎo)體器件設(shè)置于該導(dǎo)熱凸柱、該蓋體、該第一開(kāi)口與該第一通孔上方，并 使該半導(dǎo)體器件重疊于該導(dǎo)熱凸柱、該蓋體、該第一開(kāi)口與該第一通孔，但不重疊于該訊號(hào) 凸柱、該第二開(kāi)口與該第二通孔。設(shè)置該半導(dǎo)體器件可包含提供一第一焊錫與一第二焊錫，其中該第一焊錫位于 一包含LED芯片的LED封裝體與該焊墊之間，該第二焊錫則位于該LED封裝體與該蓋體之 間。電性連接該半導(dǎo)體器件可包含在該LED封裝體與該焊墊之間提供該第一焊錫。熱連 接該半導(dǎo)體器件可包含在該LED封裝體與該蓋體之間提供該第二焊錫。設(shè)置該半導(dǎo)體器件可包含在一半導(dǎo)體芯片與該蓋體之間提供一固晶材料。電性 連接該半導(dǎo)體器件可包含在該芯片與該焊墊之間提供一打線。熱連接該半導(dǎo)體器件可包 含在該芯片與該蓋體之間提供該固晶材料。該黏著層可接觸所述凸柱、該基座、該蓋體與該介電層，從下方覆蓋該基板，于所 述側(cè)面方向覆蓋并環(huán)繞所述凸柱，并延伸至該組體制造完成后與同批生產(chǎn)的其他組體分離 所形成的外圍邊緣。
當(dāng)該組體制造完成且與同批生產(chǎn)的其他組體分離后，該基座可從下方覆蓋該半導(dǎo) 體器件、該導(dǎo)熱凸柱與該蓋體，同時(shí)支撐該基板，并與該組體的外圍邊緣保持距離。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。該散熱座可提供優(yōu)異的散熱效果， 并使熱能不流經(jīng)該黏著層。因此，該黏著層可為低導(dǎo)熱性的低成本電介質(zhì)且不易脫層。該 導(dǎo)熱凸柱與該基座可一體成形以提高可靠度。該蓋體可為該半導(dǎo)體器件量身訂做以提升熱 連接的效果。該黏著層可介于所述凸柱與該基板之間以及該基座與該基板之間，借以在該 散熱座與該基板之間提供堅(jiān)固的機(jī)械性連接。該導(dǎo)線可形成簡(jiǎn)單的電路圖案以提供訊號(hào)路 由，或形成復(fù)雜的電路圖案以實(shí)現(xiàn)具彈性的多層訊號(hào)路由。該導(dǎo)線也可在該介電層上方的 該焊墊與該黏著層下方的該端子間提供垂直訊號(hào)路由。該基座可為該基板提供機(jī)械性支 撐，防止其彎曲變形。該組體可利用低溫工序制造，不只降低應(yīng)力，也提高可靠度。該組體 也可利用電路板、導(dǎo)線架與卷帶式基板制造廠可輕易實(shí)施的高控制工序加以制造。本發(fā)明的上述及其他特征與優(yōu)點(diǎn)將于下文中通過(guò)各種實(shí)施例進(jìn)一步加以說(shuō)明。


圖1至圖4為剖面圖，說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例中用以制作一凸柱及一基座的方法；圖5及圖6分別為圖4的俯視圖及仰視圖；圖7及圖8為剖面圖，說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例中用以制作一黏著層的方法；圖9及圖10分別為圖8的俯視圖及仰視圖；圖11及圖12為剖面圖，說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例中用以制作一基板的方法；圖13及圖14分別為圖12的俯視圖及仰視圖；圖15至圖沈?yàn)槠拭鎴D，說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例中用以制作一導(dǎo)熱板的方法，該導(dǎo)熱
板在其黏著層上設(shè)有一基板；圖27及圖觀分別為圖沈的俯視圖及仰視圖；圖29、30及圖31分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一導(dǎo)熱板的剖面圖、俯視圖及仰視圖，
該導(dǎo)熱板在其黏著層上設(shè)有一導(dǎo)線；圖32、33及圖34分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一半導(dǎo)體芯片組體的剖面圖、俯視圖及 仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組體包含一導(dǎo)熱板及一具有背面接點(diǎn)的LED封裝體；圖35、36及圖37分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一半導(dǎo)體芯片組體的剖面圖、俯視圖及 仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組體包含一導(dǎo)熱板及一具有側(cè)引腳的LED封裝體；圖38、39及圖40分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一半導(dǎo)體芯片組體的剖面圖、俯視圖及 仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組體包含一導(dǎo)熱板及一半導(dǎo)體芯片。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖1至圖4為剖面圖，繪示本發(fā)明的一實(shí)施例中一種制作一導(dǎo)熱凸柱22、一訊號(hào)凸 柱M與一基座沈的方法，圖5及圖6分別為圖4的俯視圖及仰視圖。圖1為金屬板10的剖面圖，金屬板10包含相背的主要表面12及14。圖示的金屬 板10是一厚度為330微米的銅板。銅具有導(dǎo)熱性高、結(jié)合性良好與低成本等優(yōu)點(diǎn)。金屬板 10可由多種金屬制成，如銅、鋁、鐵鎳合金、鐵、鎳、銀、金、其混合物及其合金。
圖2為一剖面圖，顯示金屬板10上形成有一圖案化的蝕刻阻層16與一全面覆蓋 的蝕刻阻層18。圖中所示的圖案化的蝕刻阻層16與全面覆蓋的蝕刻阻層18是沉積于金屬 板10上的光阻層，其制作方式是利用壓模技術(shù)以熱滾輪同時(shí)將光阻層分別壓合于表面12 及14。濕性旋涂法及淋幕涂布法也為適用的光阻形成技術(shù)。將一光罩(圖未示)靠合于光 阻層，然后依照現(xiàn)有技術(shù)，令光線選擇性通過(guò)光罩，使受光的光阻部分變?yōu)椴豢扇芙?；之?再以顯影液去除未受光且仍可溶解的光阻部分，使光阻層形成圖案。因此，圖案化的蝕刻阻 層16具有一可選擇性曝露表面12的圖案，而全面覆蓋的蝕刻阻層18則無(wú)圖案且覆蓋表面 14。圖3為一剖面圖，顯示金屬板10形成有掘入但未穿透金屬板10的凹槽20。凹槽 20是以蝕刻金屬板10的方式形成，以使金屬板10形成由圖案化的蝕刻阻層16所定義的圖 案。圖中所示的蝕刻方式為正面濕式化學(xué)蝕刻。例如，可將結(jié)構(gòu)體反轉(zhuǎn)，使圖案化的蝕刻阻 層16朝下，而全面覆蓋的蝕刻阻層18朝上，然后利用一面向圖案化蝕刻阻層16的底部噴 嘴(圖未示)將化學(xué)蝕刻液朝上噴灑于金屬板10及圖案化的蝕刻阻層16，與此同時(shí)，一面 向全面覆蓋的蝕刻阻層18的頂部噴嘴(圖未示)則不予啟動(dòng)，如此一來(lái)便可借助重力去除 蝕刻的副產(chǎn)物?；蛘撸萌娓采w的蝕刻阻層18提供背面保護(hù)，也可將結(jié)構(gòu)體浸入化學(xué) 蝕刻液中以形成凹槽20。所述化學(xué)蝕刻液對(duì)銅具有高度針對(duì)性，且可刻入金屬板10達(dá)300 微米。因此，凹槽20自表面12延伸進(jìn)入但未穿透金屬板10，與表面14距離30微米，深度 則為300微米?；瘜W(xué)蝕刻液也對(duì)圖案化的蝕刻阻層16下方的金屬板10造成側(cè)向蝕入。適 用的化學(xué)蝕刻液可為含堿氨的溶液或硝酸與鹽酸的稀釋混合物。換句話(huà)說(shuō)，所述化學(xué)蝕刻 液可為酸性或堿性。足以形成凹槽20而不致使金屬板10過(guò)度曝露于化學(xué)蝕刻液的理想蝕 刻時(shí)間可由試誤法決定。圖4、5及圖6分別為去除圖案化的蝕刻阻層16及全面覆蓋的蝕刻阻層18后的金 屬板10的剖面圖、俯視圖及仰視圖，其中圖案化的蝕刻阻層16與全面覆蓋的蝕刻阻層18 已經(jīng)溶劑處理去除。例如，所用溶劑可為PH為14的強(qiáng)堿性氫氧化鉀溶液。蝕刻后的金屬板10因此包含導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M及基座26。導(dǎo)熱凸柱22為金屬板10受圖案化的蝕刻阻層16保護(hù)的一第一未受蝕刻部分。 導(dǎo)熱凸柱22是鄰接基座沈，與基座沈形成一體，且突伸于基座沈上方，并由凹槽20從側(cè) 向包圍。導(dǎo)熱凸柱22高300微米(等于凹槽20的深度)，其頂面(表面12的圓形部分) 的直徑為1000微米，而底部(鄰接基座沈的圓形部分)的直徑則為1100微米。因此，導(dǎo) 熱凸柱22呈平頂錐柱形(類(lèi)似一平截頭體)，其側(cè)壁漸縮，直徑則自基座沈處朝其平坦圓 形頂面向上遞減。該漸縮側(cè)壁是因化學(xué)蝕刻液側(cè)向蝕入圖案化的蝕刻阻層16下方而形成。 該頂面與該底部的圓周同心(如圖5所示)。訊號(hào)凸柱M為金屬板10受圖案化的蝕刻阻層16保護(hù)的一第二未受蝕刻部分。訊 號(hào)凸柱M是鄰接基座沈，與基座沈形成一體，且突伸于基座沈上方，并由凹槽20從側(cè)向 包圍。訊號(hào)凸柱M高300微米(等于凹槽20的深度)，其頂面(表面12的圓形部分)的 直徑為300微米，而底部(鄰接基座沈的圓形部分)的直徑則為400微米。因此，訊號(hào)凸 柱M呈平頂錐柱形(類(lèi)似一平截頭體)，其側(cè)壁漸縮，直徑則自基座沈處朝其平坦圓形頂 面向上遞減。該漸縮側(cè)壁是因化學(xué)蝕刻液側(cè)向蝕入圖案化的蝕刻阻層16下方而形成。該 頂面與該底部的圓周同心(如圖5所示)。
基座沈?yàn)榻饘侔?0在導(dǎo)熱凸柱22與訊號(hào)凸柱M下方的一未受蝕刻部分，并自 導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M沿一側(cè)向平面(如左、右等側(cè)面方向)側(cè)向延伸，厚度為30微米 (即 330-300)。導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱對(duì)與基座沈可經(jīng)處理以加強(qiáng)與環(huán)氧樹(shù)脂及焊料的結(jié)合度。 例如，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與基座沈可經(jīng)化學(xué)氧化或微蝕刻以產(chǎn)生較粗糙的表面。導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱對(duì)與基座沈在附圖中為通過(guò)削減法形成的單一金屬(銅) 體。此外，也可利用一接觸件沖壓金屬板10，其中該接觸件具有可定義導(dǎo)熱凸柱22的第一 凹槽或孔洞以及可定義訊號(hào)凸柱M的第二凹槽或孔洞，以使導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱對(duì)與基 座26成為沖壓成型的單一金屬體。或者，可利用增添法形成導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M，其 作法是通過(guò)電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)等技術(shù)，將導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸 柱M沉積于基座26上。例如，可在銅質(zhì)基座沈上電鍍焊料導(dǎo)熱凸柱22及焊料訊號(hào)凸柱 24 ；在此情況下，導(dǎo)熱凸柱22與基座沈是以冶金界面相接，彼此鄰接但并非一體成形，訊號(hào) 凸柱M與基座沈是以冶金界面相接，彼此鄰接但并非一體成形?；蛘撸衫冒朐鎏矸ㄐ?成導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M，例如可在導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M其蝕刻形成的下部上方分 別沉積導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M的上部。此外，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與基座沈也可 同時(shí)以半增添法形成，例如可在導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與基座沈其蝕刻形成的下部上方 分別沉積導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與基座沈的同形上部。導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M也可 燒結(jié)于基座26。圖7及圖8為剖面圖，說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例中一種制作黏著層28的方法。圖9 及圖10分別為根據(jù)圖8所繪制的俯視圖及仰視圖。圖7為黏著層觀的剖面圖，其中黏著層觀為乙階(B-stage)未固化環(huán)氧樹(shù)脂的 膠片，其為一未經(jīng)固化且無(wú)圖案的片體，厚180微米。黏著層觀可為多種有機(jī)或無(wú)機(jī)電性絕緣體制成的各種介電膜或膠片。例如，黏著 層觀起初可為一膠片，其中樹(shù)脂型態(tài)的熱固性環(huán)氧樹(shù)脂浸入一加強(qiáng)材料后部分固化至中 期。所述環(huán)氧樹(shù)脂可為FR-4，但也可使用諸如多官能與雙馬來(lái)酰亞胺-三氮雜苯(BT)樹(shù)脂 等其他環(huán)氧樹(shù)脂。在特定應(yīng)用中，氰酸酯、聚酰亞胺及聚四氟乙烯(PTFE)也為可用的環(huán)氧 樹(shù)脂。所述加強(qiáng)材料可為電子級(jí)玻璃，也可為其他加強(qiáng)材料，如高強(qiáng)度玻璃、低誘電率玻璃、 石英、克維拉纖維(kevlar aramid)及紙等。所述加強(qiáng)材料也可為織物、不織布或無(wú)方向性 微纖維?？蓪⒅T如硅(研粉熔融石英)等填充物加入膠片中以提升導(dǎo)熱性、熱沖擊阻抗力 與熱膨脹匹配性?？衫檬惺垲A(yù)浸漬體，如美國(guó)威斯康星州奧克萊W. L. Gore & Associates 的SPEEDB0ARD C膠片即為一例。圖8、9及圖10分別為具有開(kāi)口 30、32的黏著層觀的剖面圖、俯視圖及仰視圖。開(kāi) 口 30為第一窗口，其貫穿黏著層觀且直徑為1150微米。開(kāi)口 32為第二窗口，其貫穿黏著 層觀且直徑為450微米。開(kāi)口 30、32是以機(jī)械方式鉆透該膠片而形成，但也可以其他技術(shù) 制作，如沖制及沖壓等。圖11及圖12為剖面圖，說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例中一種制作基板34的方法，而圖 13及圖14則分別為根據(jù)圖12繪制的俯視圖及仰視圖。圖11是基板34的剖面圖?；?4包含導(dǎo)電層36與介電層38。導(dǎo)電層36為電 性導(dǎo)體，其接觸介電層38且延伸于介電層38上方。介電層38則為電性絕緣體。例如，導(dǎo)電層36是一無(wú)圖案且厚度為30微米的銅板，而介電層38則為厚度為150微米的環(huán)氧樹(shù)脂。圖12、13及圖14分別為具有通孔40、42的基板34的剖面圖、俯視圖及仰視圖。 通孔40為第一窗口，其貫穿基板34且直徑為1150微米。通孔42為第二窗口，其貫穿基板 34且直徑為450微米。通孔40、42是以機(jī)械方式鉆透導(dǎo)電層36與介電層38而形成，但也 可以其他技術(shù)制作，如沖制及沖壓等。較佳者，開(kāi)口 30與通孔40具有相同直徑，且是以相 同的鉆頭在同一鉆臺(tái)上通過(guò)相同方式形成；而開(kāi)口 32與通孔42也具有相同直徑，且是以相 同的鉆頭在同一鉆臺(tái)上通過(guò)相同方式形成?；?4在此繪示為一層壓結(jié)構(gòu)，但基板34也可為其他電性相連體，如陶瓷板或印 刷電路板。同樣地，基板34可另包含多數(shù)個(gè)內(nèi)嵌電路的層體。圖15至圖沈?yàn)槠拭鎴D，說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例中一種制作導(dǎo)熱板74的方法，該 導(dǎo)熱板74包含導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱對(duì)、基座沈、黏著層觀及基板34。圖27及圖觀分 別為圖26的俯視圖及仰視圖。圖15為黏著層觀設(shè)置于基座沈上的剖面圖。黏著層觀下降至基座沈上，使導(dǎo) 熱凸柱22向上插入并貫穿開(kāi)口 30，而訊號(hào)凸柱M則向上插入并貫穿開(kāi)口 32，最終則使黏 著層觀接觸并定位于基座26。較佳者，導(dǎo)熱凸柱22在插入及貫穿開(kāi)口 30后是對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 30且位于開(kāi)口 30內(nèi)的中央位置但不接觸黏著層觀；而訊號(hào)凸柱M在插入及貫穿開(kāi)口 32 后也對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 32且位于開(kāi)口 32內(nèi)的中央位置但不接觸黏著層觀。在圖16所示結(jié)構(gòu)中，基板34是設(shè)置于黏著層觀上?；?4下降至黏著層觀上， 使導(dǎo)熱凸柱22向上插入通孔40，而訊號(hào)凸柱M則向上插入通孔42，最終則使基板34接觸 并定位于黏著層觀。導(dǎo)熱凸柱22在插入(但并未貫穿)通孔40后是對(duì)準(zhǔn)通孔40且位于通孔40內(nèi)的 中央位置而不接觸基板34。因此，缺口 44是位于通孔40內(nèi)且介于導(dǎo)熱凸柱22與基板34 間。缺口 44側(cè)向環(huán)繞導(dǎo)熱凸柱22，同時(shí)被基板34側(cè)向包圍。此外，開(kāi)口 30與通孔40是相 互對(duì)齊且具有相同直徑。訊號(hào)凸柱M在插入(但并未貫穿)通孔42后是對(duì)準(zhǔn)通孔42且位于通孔42內(nèi)的 中央位置而不接觸基板34。因此，缺口 46是位于通孔42內(nèi)且介于訊號(hào)凸柱M與基板34 之間。缺口 46側(cè)向環(huán)繞訊號(hào)凸柱M，同時(shí)被基板34側(cè)向包圍。此外，開(kāi)口 32與通孔42是 相互對(duì)齊且具有相同直徑。此時(shí)，基板34是安置于黏著層觀上并與之接觸，且延伸于黏著層觀上方。導(dǎo)熱 凸柱22延伸通過(guò)開(kāi)口 30后，進(jìn)入通孔40且到達(dá)介電層38。導(dǎo)熱凸柱22較導(dǎo)電層36的頂 面低60微米，并經(jīng)由通孔40朝一向上方向外露。訊號(hào)凸柱M延伸通過(guò)開(kāi)口 32后，進(jìn)入通 孔42且到達(dá)介電層38。訊號(hào)凸柱M較導(dǎo)電層36的頂面低60微米，并經(jīng)由通孔42朝該 向上方向外露。黏著層觀接觸基座26與基板34且介于該兩者間。黏著層觀接觸介電層 38但與導(dǎo)電層36保持距離。在此階段，黏著層觀仍為乙階(B-stage)未固化環(huán)氧樹(shù)脂的 膠片，而缺口 44、46中則為空氣。圖17繪示黏著層28經(jīng)加熱加壓后流入缺口 44、46。在此圖中，迫使黏著層28流 入缺口 44、46的方法是對(duì)導(dǎo)電層36施以向下壓力及/或?qū)蚴┮韵蛏蠅毫?，也就?說(shuō)將基座沈與基板34相對(duì)壓合，借以對(duì)黏著層觀施壓；與此同時(shí)也對(duì)黏著層觀加熱。受 熱的黏著層28可在壓力下任意成形。因此，位于基座沈與基板34間的黏著層28受到擠壓后，改變其原始形狀并向上流入缺口 44、46?；蚺c基板34持續(xù)朝彼此壓合，直到黏 著層觀填滿(mǎn)缺口 44、46為止。此外，在基座沈與基板34之間的間隙縮小后，黏著層觀仍 舊填滿(mǎn)這一縮小了的間隙內(nèi)。例如，可將基座沈及導(dǎo)電層36設(shè)置于一壓合機(jī)的上、下壓臺(tái)(圖未示)間。此外， 可將一上擋板及上緩沖紙(圖未示)夾置于導(dǎo)電層36與上壓臺(tái)間，并將一下?lián)醢寮跋戮彌_ 紙(圖未示)夾置于基座26與下壓臺(tái)間。以此構(gòu)成的疊合體由上到下依次為上壓臺(tái)、上擋 板、上緩沖紙、基板34、黏著層觀、基座沈、下緩沖紙、下?lián)醢寮跋聣号_(tái)。此外，可利用從下壓 臺(tái)向上延伸并穿過(guò)基座26對(duì)位孔(圖未示)的工具接腳(圖未示)將此疊合體定位于下 壓臺(tái)上。而后將上、下壓臺(tái)加熱并相互推進(jìn)，借此對(duì)黏著層觀加熱并施壓。擋板可將壓臺(tái) 的熱分散，使熱均勻施加于基座26與基板34乃至于黏著層觀。緩沖紙則將壓臺(tái)的壓力分 散，使壓力均勻施加于基座26與基板34乃至于黏著層觀。起初，介電層38接觸并壓合于 黏著層觀。隨著壓臺(tái)持續(xù)動(dòng)作與持續(xù)加熱，基座26與基板34間的黏著層觀受到擠壓并開(kāi) 始熔化，因而向上流入缺口 44、46，并于通過(guò)介電層38后抵達(dá)導(dǎo)電層36。例如，未固化環(huán)氧 樹(shù)脂遇熱熔化后，被壓力擠入缺口 44、46中，但加強(qiáng)材料及填充物仍留在基座沈與基板34 間。黏著層觀在通孔40內(nèi)上升的速度大于導(dǎo)熱凸柱22，終至填滿(mǎn)缺口 44。黏著層觀在 通孔42內(nèi)上升的速度也大于訊號(hào)凸柱M，終至填滿(mǎn)缺口 46。黏著層觀也上升至稍高于缺 口 44、46的位置，并在壓臺(tái)停止動(dòng)作前，溢流至導(dǎo)熱凸柱22頂面及導(dǎo)電層36頂面鄰接缺口 44處，以及訊號(hào)凸柱M頂面及導(dǎo)電層36頂面鄰接缺口 46處。若膠片厚度略大于實(shí)際所需 便可能發(fā)生這一情形。如此一來(lái)，黏著層觀便在導(dǎo)熱凸柱22頂面及訊號(hào)凸柱M頂面形成 一覆蓋薄層。壓臺(tái)在觸及導(dǎo)熱凸柱22及訊號(hào)凸柱M后停止動(dòng)作，但仍持續(xù)對(duì)黏著層觀加 熱。黏著層觀在缺口 44、46中向上流動(dòng)的方向如圖中向上粗箭號(hào)所示，導(dǎo)熱凸柱22、 訊號(hào)凸柱M與基座26相對(duì)于基板34的向上移動(dòng)如向上細(xì)箭號(hào)所示，而基板34相對(duì)于導(dǎo) 熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與基座沈的向下移動(dòng)則如向下細(xì)箭號(hào)所示。圖18中的黏著層28已經(jīng)固化。例如，壓臺(tái)停止移動(dòng)后仍持續(xù)夾合導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與基座沈并供熱，借 此將已熔化的乙階(B-stage)環(huán)氧樹(shù)脂轉(zhuǎn)換為丙階(C-stage)固化或硬化的環(huán)氧樹(shù)脂。因 此，環(huán)氧樹(shù)脂是以類(lèi)似現(xiàn)有多層壓合的方式固化。環(huán)氧樹(shù)脂固化后，壓臺(tái)分離，以便將結(jié)構(gòu) 體從壓合機(jī)中取出。固化的黏著層觀在導(dǎo)熱凸柱22與基板34間、訊號(hào)凸柱M與基板34間以及基座 26與基板34間提供牢固的機(jī)械性連接。黏著層觀可承受一般操作壓力而不致變形損毀， 遇過(guò)大壓力時(shí)則只暫時(shí)扭曲。再者，黏著層觀可吸收導(dǎo)熱凸柱22與基板34間、訊號(hào)凸柱 24與基板34間以及基座沈與基板34間的熱膨脹不匹配。在此階段，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與導(dǎo)電層36大致共平面，而黏著層觀與導(dǎo) 電層36則延伸至一面朝該向上方向的頂面。例如，基座沈與介電層38間的黏著層28厚 120微米，較其初始厚度180微米減少60微米；也就是說(shuō)導(dǎo)熱凸柱22在通孔40中升高60 微米，訊號(hào)凸柱M在通孔42中升高60微米，而基板34則相對(duì)于導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱24 下降60微米。導(dǎo)熱凸柱22及訊號(hào)凸柱M的高度300微米基本上等同于導(dǎo)電層36 (30微
20米)、介電層38 (150微米)與下方黏著層觀(120微米)的結(jié)合高度。此外，導(dǎo)熱凸柱22仍 位于開(kāi)30與通孔40內(nèi)的中央位置并與基板34保持距離，訊號(hào)凸柱M仍位于開(kāi)口 32與通 孔42內(nèi)的中央位置并與基板34保持距離，而黏著層觀則填滿(mǎn)基座沈與基板34間的空間 并填滿(mǎn)缺口 44、46。例如，缺口 44(以及導(dǎo)熱凸柱22與基板34間的黏著層28)在導(dǎo)熱凸 柱22頂面處寬75微米[(1150-1000) /2]，缺口 46 (以及訊號(hào)凸柱M與基板34間的黏著層 28)在訊號(hào)凸柱M頂面處寬75微米[(450-300)/2]。黏著層觀在缺口 44、46內(nèi)延伸跨越 介電層38。換句話(huà)說(shuō)，缺口 44中的黏著層觀是沿該向上方向及一向下方向延伸并跨越缺 口 44外側(cè)壁的介電層38厚度，而缺口 46中的黏著層28則沿該向上方向及該向下方向延 伸并跨越缺口 46外側(cè)壁的介電層38厚度。黏著層觀也包含缺口 44、46上方的薄頂部分， 其接觸導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M的頂面與導(dǎo)電層36的頂面并在導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M 上方延伸10微米。19所示結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)熱凸梓22、訊號(hào)凸梓24、黏著層28及導(dǎo)電層36的頂部皆 已去除。導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M、黏著層觀及導(dǎo)電層36的頂部是以研磨方式去除，例如 以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的頂部。起初，鉆石砂輪只磨去黏著層28。持續(xù)研磨， 則黏著層觀因受磨表面下移而變薄。鉆石砂輪終將接觸導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與導(dǎo)電 層36 (未必同時(shí))，因而開(kāi)始研磨導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與導(dǎo)電層36。持續(xù)研磨后，導(dǎo)熱 凸柱22、訊號(hào)凸柱24、黏著層觀及導(dǎo)電層36均因受磨表面下移而變薄。研磨持續(xù)至去除 所需厚度為止。之后，以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。上述研磨步驟將黏著層觀的頂部磨去25微米，將導(dǎo)熱凸柱22的頂部磨去15微 米，將訊號(hào)凸柱M的頂部磨去15微米，并將導(dǎo)電層36的頂部磨去15微米。厚度減少對(duì)導(dǎo) 熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M或黏著層觀均無(wú)明顯影響，但導(dǎo)電層36的厚度卻從30微米大幅縮 減至15微米。至此，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M、黏著層觀及導(dǎo)電層36是共同位于介電層38上 方一面朝該向上方向的平滑拼接側(cè)頂面上。同樣地，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與黏著層觀 在基座沈處是彼此共平面。圖20所示的結(jié)構(gòu)體具有導(dǎo)電層50，其是沉積于導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M、黏著層 沘及導(dǎo)電層36上。導(dǎo)電層50接觸導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M、黏著層觀及導(dǎo)電層36，并從上方覆蓋此 四者。例如，可將結(jié)構(gòu)體浸入一活化劑溶液中，因而使黏著層觀可與無(wú)電鍍銅產(chǎn)生觸媒反 應(yīng)，接著將一第一銅層以無(wú)電鍍被覆的方式設(shè)于導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M、黏著層觀及導(dǎo) 電層36上，然后將一第二銅層以電鍍方式設(shè)于該第一銅層上。第一銅層厚約2微米，第二 銅層厚約13微米，所以導(dǎo)電層50的總厚度約為15微米。如此一來(lái)，導(dǎo)電層36的厚度便增 為約30微米(15+15)。導(dǎo)電層50是作為導(dǎo)熱凸柱22與訊號(hào)凸柱M的一覆蓋層及導(dǎo)電層 36的一加厚層。為便于說(shuō)明，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與導(dǎo)電層50以及導(dǎo)電層36與50 均以單層顯示。由于銅為同質(zhì)被覆，導(dǎo)熱凸柱22與導(dǎo)電層50間的界線、訊號(hào)凸柱M與導(dǎo) 電層50間的界線以及導(dǎo)電層36與50間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺(jué)甚至無(wú)法 察覺(jué)。然而，黏著層觀與導(dǎo)電層50間的界線則清楚可見(jiàn)。圖21所示結(jié)構(gòu)體的上、下表面分別設(shè)有圖案化的蝕刻阻層52與圖案化的蝕刻阻層M。圖中所示的圖案化的蝕刻阻層5254均為類(lèi)似于圖案化的蝕刻阻層16的光阻層。 圖案化的蝕刻阻層52設(shè)有可選擇性曝露導(dǎo)電層50的圖案，而圖案化的蝕刻阻層M則設(shè)有 可選擇性曝露基座沈的圖案。在圖22所示的結(jié)構(gòu)體中，導(dǎo)電層36、50已經(jīng)由蝕刻去除其選定部分以形成圖案化 的蝕刻阻層52所定義的圖案，而基座沈也已經(jīng)由蝕刻去除其選定部分以形成圖案化的蝕 刻阻層討所定義的圖案。所述蝕刻是雙面濕式化學(xué)蝕刻，其與施用于金屬板10者相仿。例 如，利用一頂部噴嘴(圖未示)及一底部噴嘴(圖未示)將化學(xué)蝕刻液分別噴灑于結(jié)構(gòu)體 的頂面及底面，或者將結(jié)構(gòu)體浸入化學(xué)蝕刻液中?；瘜W(xué)蝕刻液可蝕透導(dǎo)電層36、50以露出 黏著層觀及介電層38，因而將原本無(wú)圖案的導(dǎo)電層36、50轉(zhuǎn)變?yōu)閳D案層。化學(xué)蝕刻液也蝕 透基座沈以露出黏著層28。在圖23中，結(jié)構(gòu)體上的圖案化蝕刻阻層5254均已去除。去除圖案化的蝕刻阻層 52,54的方式可與去除圖案化的蝕刻阻層16、全面覆蓋的蝕刻阻層18的方式相同。蝕刻后的導(dǎo)電層36、50包含焊墊56與路由線58，而蝕刻后的導(dǎo)電層50則包含蓋 體60。焊墊56與路由線58是導(dǎo)電層36、50受圖案化的蝕刻阻層52保護(hù)而未被蝕刻的部 分，蓋體60則為導(dǎo)電層50受圖案化的蝕刻阻層52保護(hù)而未被蝕刻的部分。如此一來(lái)，導(dǎo)電 層36、50便成為圖案層，其包含焊墊56與路由線58但不包含蓋體60。此外，路由線58為 一銅導(dǎo)線，其接觸介電層38并延伸于其上方，同時(shí)鄰接且電性連接訊號(hào)凸柱M與焊墊56。蝕刻后的基座沈包含基座26 (只剩其中央部分)及端子62?；蚴窃?26受圖案化的蝕刻阻層M保護(hù)而未被蝕刻的部分，其沿側(cè)向延伸且于側(cè)面方向超出導(dǎo)熱 凸柱22之外1000微米。端子62是原基座沈受圖案化的蝕刻阻層M保護(hù)而未被蝕刻的 部分，其鄰接訊號(hào)凸柱對(duì)，延伸于訊號(hào)凸柱對(duì)下方，且自訊號(hào)凸柱對(duì)側(cè)向延伸而出，同時(shí)接 觸黏著層觀并延伸于黏著層觀下方?；?6仍為一無(wú)圖案層，但在基座沈周緣之外則 形成一包含端子62且與基座沈保持側(cè)向間距的圖案層。因此，端子62與基座沈是彼此 分離，且端子62已非基座沈的一部分。此外，訊號(hào)凸柱M鄰接路由線58與端子62并在 路由線58與端子62間形成電性連接。訊號(hào)凸柱對(duì)、焊墊56、路由線58及端子62共同形成導(dǎo)線64。訊號(hào)凸柱M及路由 線58是焊墊56與端子62間的一導(dǎo)電路徑。導(dǎo)線64提供從焊墊56至端子62的垂直(由 上至下)路由。導(dǎo)線64并不限于這一構(gòu)型。舉例而言，上述導(dǎo)電路徑可包含貫穿介電層38 的導(dǎo)電孔、額外的路由線(其位于介電層38的上方及/或下方)及被動(dòng)器件(如設(shè)置于其 他焊墊上的電阻與電容)。散熱座66包含導(dǎo)熱凸柱22、基座沈及蓋體60。導(dǎo)熱凸柱22與基座沈是一體成 形。蓋體60位于導(dǎo)熱凸柱22的頂部上方，鄰接導(dǎo)熱凸柱22的頂部，同時(shí)從上方覆蓋導(dǎo)熱 凸柱22的頂部，并由導(dǎo)熱凸柱22的頂部往側(cè)向延伸。設(shè)置蓋體60后，導(dǎo)熱凸柱22是坐落 于蓋體60圓周內(nèi)的中央?yún)^(qū)域。蓋體60也接觸并從上方覆蓋其下方黏著層觀的一部分，黏 著層觀的該部分是與導(dǎo)熱凸柱22共平面，鄰接導(dǎo)熱凸柱22，且側(cè)向包圍導(dǎo)熱凸柱22。散熱座66實(shí)質(zhì)上為一倒T形的散熱塊，其包含柱部(導(dǎo)熱凸柱22)、翼部(基座 26自柱部側(cè)向延伸的部分)以及一導(dǎo)熱墊(蓋體60)。圖M的結(jié)構(gòu)體在黏著層觀、介電層38、導(dǎo)電層50及蓋體60上設(shè)有防焊綠漆68， 并且在基座沈、黏著層28及端子62上設(shè)有防焊綠漆70。
防焊綠漆68為一電性絕緣層，其可依我們的選擇形成圖案以曝露焊墊56與蓋體 60，并從上方覆蓋路由線58、黏著層觀的外露部分及介電層38的外露部分。防焊綠漆68 在焊墊56與蓋體60上方的厚度為25微米，且防焊綠漆68在介電層38上方延伸55微米 (30+25)。防焊綠漆70為一電性絕緣層，其可依我們的選擇形成圖案以曝露基座沈與端子 62，并從下方覆蓋黏著層觀的外露部分。防焊綠漆70在基座沈與端子62下方的厚度為 25微米，且防焊綠漆70在黏著層28下方延伸55微米(30+25)。防焊綠漆68、70起初為涂布于結(jié)構(gòu)體上的一光顯像型液態(tài)樹(shù)脂。之后再于防焊綠 漆68、70上形成圖案，其作法是令光線選擇性通過(guò)光罩(圖未示)，使受光的部分防焊綠漆 變?yōu)椴豢扇芙?，然后利用一顯影溶液去除未受光且仍可溶解的部分防焊綠漆，最后再進(jìn)行 硬烤，以上步驟乃現(xiàn)有技藝。圖25所示結(jié)構(gòu)體的基座沈、焊墊56、蓋體60與端子62上設(shè)有被覆接點(diǎn)72。被覆接點(diǎn)72為一多層金屬鍍層，其接觸基座沈與端子62并從下方覆蓋其外露的 部分，同時(shí)接觸焊墊56與蓋體60并從上方覆蓋其外露的部分。例如，一鎳層是以無(wú)電鍍被 覆的方式設(shè)于基座26、焊墊56、蓋體60與端子62上，而后再將一金層以無(wú)電鍍被覆的方式 設(shè)于該鎳層上，其中內(nèi)部鎳層厚約3微米，表面金層厚約0. 5微米，所以被覆接點(diǎn)72的厚度 約為3. 5微米。以被覆接點(diǎn)72作為基座沈、焊墊56、蓋體60與端子62的表面處理具有幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。 內(nèi)部鎳層提供主要的機(jī)械性與電性連接及/或熱連接，而表面金層則提供一可濕性表面以 利焊料回焊。被覆接點(diǎn)72也保護(hù)基座沈、焊墊56、蓋體60與端子62不受腐蝕。被覆接點(diǎn) 72可包含各種金屬以符合外部連接媒介的需要。例如，一被覆在鎳層上的銀層可搭配焊錫 或打線。為便于說(shuō)明，設(shè)有被覆接點(diǎn)72的基座沈、焊墊56、蓋體60與端子62均以單一層 體方式顯示。被覆接點(diǎn)72與基座沈、焊墊56、蓋體60及端子62間的界線(圖未示)為銅
/鎳界面。至此完成導(dǎo)熱板74的制作。圖26、27及圖觀分別為導(dǎo)熱板74的剖面圖、俯視圖及仰視圖，圖中導(dǎo)熱板74的 邊緣已沿切割線而與支撐架及/或同批生產(chǎn)的相鄰導(dǎo)熱板分離。導(dǎo)熱板74包含黏著層觀、基板34、導(dǎo)線64、散熱座66及防焊綠漆68、70?；?4 包含介電層38。導(dǎo)線64包含訊號(hào)凸柱M、焊墊56、路由線58及端子62。散熱座66包含 導(dǎo)熱凸柱22、基座沈及蓋體60。導(dǎo)熱凸柱22延伸貫穿開(kāi)口 30并進(jìn)入通孔40后，仍位于開(kāi)口 30與通孔40內(nèi)的中 央位置。導(dǎo)熱凸柱22的頂部是與黏著層觀位于介電層38上方的一相鄰部分共平面，而導(dǎo) 熱凸柱22的底部則與黏著層觀其接觸基座沈的一相鄰部分共平面。導(dǎo)熱凸柱22保持平 頂錐柱形，其漸縮側(cè)壁使其直徑自基座26朝導(dǎo)熱凸柱22鄰接蓋體60的平坦圓頂向上遞 減。訊號(hào)凸柱M延伸貫穿開(kāi)口 32并進(jìn)入通孔42后，仍位于開(kāi)口 32與通孔42內(nèi)的中 央位置。訊號(hào)凸柱M的頂部是與黏著層觀位于介電層38上方的一相鄰部分共平面，而訊 號(hào)凸柱M的底部則與黏著層28其接觸端子62的一相鄰部分共平面。訊號(hào)凸柱M保持平頂錐柱形，其漸縮側(cè)壁使其直徑自端子62朝訊號(hào)凸柱M鄰接路由線58的平坦圓頂向上遞 減?；驈南路礁采w導(dǎo)熱凸柱22與蓋體60，且與導(dǎo)熱板74的外圍邊緣保持距離。蓋體60位于導(dǎo)熱凸柱22上方，與之鄰接并為熱連接。蓋體60同時(shí)從上方覆蓋導(dǎo) 熱凸柱22的頂部，并自導(dǎo)熱凸柱22頂部沿側(cè)向延伸。蓋體60也從上方接觸并覆蓋黏著層 28的一部分，黏著層觀的該部分是鄰接導(dǎo)熱凸柱22，與導(dǎo)熱凸柱22共平面，且側(cè)向環(huán)繞導(dǎo) 熱凸柱22。蓋體60也與焊墊56共平面。黏著層觀是設(shè)置于基座沈上并于其上方延伸。黏著層觀在缺口 44內(nèi)接觸且介 于導(dǎo)熱凸柱22與介電層38間，并填滿(mǎn)導(dǎo)熱凸柱22與介電層38間的空間。黏著層觀在缺 口 46內(nèi)接觸且介于訊號(hào)凸柱M與介電層38間，并填滿(mǎn)訊號(hào)凸柱對(duì)與介電層38間的空間。 黏著層28在缺口 44、46外則接觸且介于基座沈與介電層38間，并填滿(mǎn)基座沈與介電層 38間的空間。黏著層觀是從導(dǎo)熱凸柱22側(cè)向延伸并越過(guò)端子62，重疊于端子62，并從上 方覆蓋基座沈位于導(dǎo)熱凸柱22周緣外的一部分，同時(shí)沿側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞導(dǎo)熱凸柱22 與訊號(hào)凸柱M。黏著層觀也填滿(mǎn)基板34與散熱座66間的絕大部分空間。此時(shí)黏著層觀 已固化。基板34是設(shè)置于黏著層觀上并與之接觸。此外，基板34伸于其下方黏著層洲 的上方，且延伸于基座沈上方。導(dǎo)電層36 (以及焊墊56與路由線58)接觸介電層38并延 伸于其上方，而介電層38則接觸且介于黏著層觀與導(dǎo)電層36間。導(dǎo)熱凸柱22與訊號(hào)凸柱M具有相同厚度且彼此共平面?；蚺c端子62具有 相同厚度且彼此共平面。此外，導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M的頂部及底部均與黏著層28共平導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱對(duì)、基座沈、蓋體60及端子62均與基板；34保持距離。因 此，基板34與散熱座66是機(jī)械性連接且彼此電性隔離。同批制作的導(dǎo)熱板74經(jīng)裁切后，其黏著層觀、介電層38及防焊綠漆68、70均延伸 至裁切而成的垂直邊緣。焊墊56是一專(zhuān)為L(zhǎng)ED封裝體或半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體器件量身訂做的電性界面，該 半導(dǎo)體器件將于后續(xù)制程中設(shè)置于蓋體60上。端子62是一專(zhuān)為下一層組體(例如來(lái)自一 印刷電路板的可焊接線)量身訂做的電性界面。蓋體60是一專(zhuān)為該半導(dǎo)體器件量身訂做 的熱界面?；?6是一專(zhuān)為下一層組體(例如前述印刷電路板或一電子設(shè)備的散熱裝置) 量身訂做的熱接口。此外，蓋體60是經(jīng)由導(dǎo)熱凸柱22而熱連接至基座26。焊墊56與端子62在垂直方向上彼此錯(cuò)位，且分別外露于導(dǎo)熱板74的頂面及底 面，借此提供該半導(dǎo)體器件與下一層組體間的垂直路由。焊墊56與蓋體60兩者的頂面于介電層38上方為共平面，而基座沈與端子62兩 者的底面則于黏著層觀下方為共平面。為便于說(shuō)明，導(dǎo)線64于剖面圖中是繪示為一連續(xù)電路跡線。然而，導(dǎo)線64通常同 時(shí)提供X與Y方向的水平訊號(hào)路由，也就是說(shuō)焊墊56與端子62彼此在X與Y方向形成側(cè) 向錯(cuò)位，而路由線58則構(gòu)成X與Y方向的路徑。散熱座66可將隨后設(shè)置于蓋體60上的半導(dǎo)體器件所產(chǎn)生的熱能擴(kuò)散至導(dǎo)熱板74 所連接的下一層組體。該半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的熱能流入蓋體60，自蓋體60進(jìn)入導(dǎo)熱凸柱22，并經(jīng)由導(dǎo)熱凸柱22進(jìn)入基座沈。熱能從基座沈沿該向下方向散出，例如擴(kuò)散至一下方散 熱裝置。導(dǎo)熱板74的導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與路由線58均未外露，其中導(dǎo)熱凸柱22被 蓋體60覆蓋，訊號(hào)凸柱M及路由線58是由防焊綠漆68覆蓋，而黏著層觀則同時(shí)由防焊 綠漆68、70覆蓋。為便于說(shuō)明，圖27以虛線繪示導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M、黏著層觀與路 由線58。導(dǎo)熱板74也包含其他導(dǎo)線64，這些導(dǎo)線64基本上是由訊號(hào)凸柱對(duì)、焊墊56、路由 線58與端子62所構(gòu)成。為便于說(shuō)明，在此只說(shuō)明并繪示單一導(dǎo)線64。在導(dǎo)線64中，訊號(hào) 凸柱M、焊墊56及端子62通常具有相同的形狀及尺寸，而路由線58則通常采用不同的路 由構(gòu)型。例如，部分導(dǎo)線64設(shè)有間距，彼此分離，且為電性隔離，而部分導(dǎo)線64則彼此交錯(cuò) 或?qū)蛲缓笁|56、路由線58或端子62且彼此電性連接。同樣地，部分焊墊56可用以接 收獨(dú)立訊號(hào)，而部分焊墊56則共享一訊號(hào)、電源或接地端。導(dǎo)熱板74可適用于具有藍(lán)、綠及紅色LED芯片的LED封裝體，其中各LED芯片包 含一陽(yáng)極與一陰極，且各LED封裝體包含對(duì)應(yīng)的陽(yáng)極端子與陰極端子。在此例中，導(dǎo)熱板74 可包含六個(gè)焊墊56與四個(gè)端子62，以便將每一陽(yáng)極從一獨(dú)立焊墊56導(dǎo)向一獨(dú)立端子62， 并將每一陰極從一獨(dú)立焊墊56導(dǎo)向一共同的接地端子62。在各制造階段均可利用一簡(jiǎn)易清潔步驟去除外露金屬上的氧化物與殘留物，例如 可對(duì)本案結(jié)構(gòu)體施行一短暫的氧電漿清潔步驟?；蛘?，可利用一過(guò)錳酸鉀溶液對(duì)本案結(jié)構(gòu) 體進(jìn)行一短暫的濕式化學(xué)清潔步驟。同樣地，也可利用蒸餾水淋洗本案結(jié)構(gòu)體以去除污物。 此清潔步驟可清潔所需表面而不對(duì)結(jié)構(gòu)體造成明顯的影響或破壞。本案的優(yōu)點(diǎn)在于導(dǎo)線64形成后不需從中分離或分割出匯流點(diǎn)或相關(guān)電路系統(tǒng)。 匯流點(diǎn)可于形成焊墊56、路由線58、蓋體60與端子62的濕式化學(xué)蝕刻步驟中分離。導(dǎo)熱板74可包含鉆透或切通黏著層觀、基板34與防焊綠漆68、70而形成的對(duì)位 孔(圖未示)。如此一來(lái)，當(dāng)導(dǎo)熱板74需于后續(xù)制程中設(shè)置于一下方載體時(shí)，便可將工具接 腳插入對(duì)位孔中，借以將導(dǎo)熱板74定位。導(dǎo)熱板74可略去蓋體60。欲達(dá)這一目的，可調(diào)整圖案化的蝕刻阻層52，使整個(gè)通 孔40上方的導(dǎo)電層50均曝露于用以形成焊墊56及路由線58的化學(xué)蝕刻液中。略去蓋體 60的另一作法是不設(shè)導(dǎo)電層50。導(dǎo)熱板74可容納多個(gè)半導(dǎo)體器件而非只容納單一半導(dǎo)體器件。欲達(dá)這一目的，可 調(diào)整圖案化的蝕刻阻層16以定義更多導(dǎo)熱凸柱22與訊號(hào)凸柱M，調(diào)整黏著層觀以包含更 多開(kāi)30、32，調(diào)整基板34以包含更多通孔40、42，調(diào)整圖案化的蝕刻阻層52以定義更多焊 墊56、路由線58與蓋體60，并調(diào)整防焊綠漆68以包含更多開(kāi)口。端子62以外的器件可改 變側(cè)向位置以便為四個(gè)半導(dǎo)體器件提供一 陣列。此外，部分但非所有器件的剖面形狀 及高低(即側(cè)面形狀)也可有所調(diào)整。例如，焊墊56、蓋體60與端子62可保持相同的側(cè)面 形狀，而路由線58則具有不同的路由構(gòu)型。圖四、30及圖31分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一導(dǎo)熱板76的剖面圖、俯視圖及仰視 圖，該導(dǎo)熱板76在其黏著層觀上設(shè)有一導(dǎo)線64。本實(shí)施例省略介電層38，且導(dǎo)線64是與黏著層觀接觸。為求簡(jiǎn)明，凡導(dǎo)熱板74 的相關(guān)說(shuō)明適用于此實(shí)施例者均并入此處，相同的說(shuō)明不予重復(fù)。同樣地，本實(shí)施例導(dǎo)熱板
2576的器件與導(dǎo)熱板74的器件相仿者，均采用對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)號(hào)。導(dǎo)熱板76包含黏著層觀、導(dǎo)線64、散熱座66與防焊綠漆68、70。導(dǎo)線64包含訊 號(hào)凸柱對(duì)、焊墊56、路由線58與端子62。散熱座66包含導(dǎo)熱凸柱22、基座沈與蓋體60。本實(shí)施例的導(dǎo)電層36較前一實(shí)施例要厚。例如，導(dǎo)電層36的厚度由前一實(shí)施例 中的30微米增為130微米，如此一來(lái)，導(dǎo)電層36便不至于在搬動(dòng)時(shí)彎曲晃動(dòng)。焊墊56與 路由線58的厚度也因此增加，且焊墊56與路由線58均接觸并重疊于黏著層觀。導(dǎo)熱板 76并無(wú)對(duì)應(yīng)于介電層38的介電層。導(dǎo)熱板76的制作方式與導(dǎo)熱板74類(lèi)似，但必須針對(duì)導(dǎo)熱凸柱22、訊號(hào)凸柱M與 導(dǎo)電層36而進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。例如將金屬板10的厚度由330微米改為280微米，以使導(dǎo)熱 凸柱22、訊號(hào)凸柱M的高度由300微米降為250微米?？s短蝕刻時(shí)間即可達(dá)成這一目的。 然后依前文所述的方式，將黏著層觀設(shè)置于基座沈上，再將導(dǎo)電層36單獨(dú)設(shè)置于黏著層 觀上；對(duì)黏著層觀加熱及加壓，使黏著層觀流動(dòng)并固化；接著以研磨方式使結(jié)構(gòu)體的頂面 成為平面，再將導(dǎo)電層50沉積于該頂面。然后蝕刻導(dǎo)電層36、50以形成焊墊56與路由線 58，蝕刻導(dǎo)電層50以形成蓋體60，蝕刻基座沈以形成端子62，再將防焊綠漆68設(shè)置于該 頂面以選擇性曝露焊墊56與蓋體60，并將防焊綠漆70設(shè)置于結(jié)構(gòu)體的底面以選擇性曝露 基座沈與端子62，最后再以被覆接點(diǎn)72針對(duì)基座沈、焊墊56、蓋體60與端子62而進(jìn)行表 面處理。圖32、33及圖34分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一半導(dǎo)體芯片組體100的剖面圖、俯視 圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組體100包含一導(dǎo)熱板74及一具有背面接點(diǎn)的LED封裝體102。半導(dǎo)體芯片組體100包含導(dǎo)熱板74、LED封裝體102及焊錫104、106。LED封裝 體102包含LED芯片108、基座110、打線112、電接點(diǎn)114、熱接點(diǎn)116與透明封裝材料118。 LED芯片108的一電極(圖未示)是經(jīng)由打線112電性連接至基座110中的一導(dǎo)電孔(圖 未示)，借以將LED芯片108電性連接至電接點(diǎn)114。LED芯片108是通過(guò)一固晶材料(圖 未示)設(shè)置于基座110上，使LED芯片108熱連接且機(jī)械性黏附于基座110，借此將LED芯 片108熱連接至熱接點(diǎn)116。基座110為一具有低導(dǎo)電性及高導(dǎo)熱性的陶瓷塊，電接點(diǎn)114、 熱接點(diǎn)116是被覆于基座110背部并自基座110背部向下突伸。LED封裝體102是設(shè)置于基板34與散熱座66上，電性連接至基板34，并熱連接至 散熱座66。詳而言之，LED封裝體102是設(shè)置于焊墊56與蓋體60上，重疊于導(dǎo)熱凸柱22， 且經(jīng)由焊錫104電性連接至基板34，并經(jīng)由焊錫106熱連接至散熱座66。例如，焊錫104 接觸且位于焊墊56與電接點(diǎn)114之間，同時(shí)電性連接且機(jī)械性黏合焊墊56與電接點(diǎn)114， 借此將LED芯片108電性連接至端子62。同樣地，焊錫106接觸且位于蓋體60與熱接點(diǎn) 116之間，同時(shí)熱連接且機(jī)械性黏合蓋體60與熱接點(diǎn)116，借此將LED芯片108熱連接至基 座沈。焊墊56上設(shè)有鎳/金的被覆金屬接墊以利與焊錫104穩(wěn)固結(jié)合，且焊墊56的形狀 及尺寸均配合電接點(diǎn)114，借此改善自基板34至LED封裝體102的訊號(hào)傳導(dǎo)。同樣地，蓋 體60上設(shè)有鎳/金的被覆金屬接墊以利與焊錫106穩(wěn)固結(jié)合，且蓋體60的形狀及尺寸均 配合熱接點(diǎn)116，借此改善自LED封裝體102至散熱座66的熱傳遞。至于導(dǎo)熱凸柱22的形 狀及尺寸則并未且也不需配合熱接點(diǎn)116而設(shè)計(jì)。透明封裝材料118為一固態(tài)電性絕緣保護(hù)性塑料包覆體，其可為L(zhǎng)ED芯片108及 打線112提供諸如抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護(hù)。LED芯片108與打線112是埋設(shè)于透明封裝材料118中。若欲制造半導(dǎo)體芯片組體100，可將一焊料沉積于焊墊56及蓋體60上，然后將接 點(diǎn)114與116分別放置于焊墊56及蓋體60上方的焊料上，繼而使該焊料回焊以形成接著 的焊錫104、106。例如，先以網(wǎng)版印刷的方式將錫膏選擇性印刷于焊墊56及蓋體60上，而后利用一 抓取頭與一自動(dòng)化圖案辨識(shí)系統(tǒng)以步進(jìn)重復(fù)的方式將LED封裝體102放置于導(dǎo)熱板74上。 回焊機(jī)的抓取頭將電接點(diǎn)114、熱接點(diǎn)116分別放置于焊墊56及蓋體60上方的錫膏上。接 著加熱錫膏，使其以相對(duì)較低的溫度(如190°C)回焊，然后移除熱源，靜待錫膏冷卻并固化 以形成硬化焊錫104、106?；蛘撸捎诤笁|56與蓋體60上放置錫球，然后將電接點(diǎn)114、熱 接點(diǎn)116分別放置于焊墊56與蓋體60上方的錫球上，接著加熱錫球使其回焊以形成接著 的焊錫104、106。焊料起初可經(jīng)由被覆或印刷或布置技術(shù)沉積于導(dǎo)熱板74或LED封裝體102上，使 其位于導(dǎo)熱板74與LED封裝體102間，并使其回焊。焊料也可置于端子62上以供下一層 組體使用。此外，可利用一導(dǎo)電黏著劑(例如填充銀的環(huán)氧樹(shù)脂)或其他連接媒介取代焊 料，且焊墊56、蓋體60與端子62上的連接媒介不必相同。該半導(dǎo)體芯片組體100為一第二級(jí)單晶模塊。圖35、36與圖37分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一半導(dǎo)體芯片組體200的剖面圖、俯視 圖及仰視圖，其中該半導(dǎo)體芯片組體200包含一導(dǎo)熱板74及一具有側(cè)引腳的LED封裝體 202。在此實(shí)施例中，該LED封裝體202具有側(cè)引腳而不具有背面接點(diǎn)。為求簡(jiǎn)明，凡半 導(dǎo)體芯片組體100的相關(guān)說(shuō)明適用于此實(shí)施例者均并入此處，相同的說(shuō)明不予重復(fù)。同樣 地，本實(shí)施例組體的器件與組體100的器件相仿者，均采用對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)號(hào)，但其編碼的基 數(shù)由100改為200。例如，LED芯片208對(duì)應(yīng)于LED芯片108，而基座210則對(duì)應(yīng)于基座110， 以此類(lèi)推。半導(dǎo)體芯片組體200包含導(dǎo)熱板74、LED封裝體202與焊錫204、206。LED封裝體 202包含LED芯片208、基座210、打線212、引腳214與透明封裝材料218。LED芯片208是 經(jīng)由打線212電性連接至引腳214。基座210背面包含熱接觸表面216，此外，基座210是 窄于基座110且與熱接點(diǎn)116具有相同的側(cè)向尺寸及形狀。LED芯片208是經(jīng)由一固晶材 料(圖未示)設(shè)置于基座210上，使LED芯片208熱連接且機(jī)械性黏附于基座210，借此將 LED芯片208熱連接至熱接觸表面216。引腳214自基座210往側(cè)向延伸，而熱接觸表面 216則面朝下。LED封裝體202是設(shè)置于基板34與散熱座66上，電性連接至基板34，且熱連接至 散熱座66。詳而言之，LED封裝體202是設(shè)置于焊墊56與蓋體60上，重疊于導(dǎo)熱凸柱22， 且經(jīng)由焊錫204電性連接至基板34，并經(jīng)由焊錫206熱連接至散熱座66。例如，焊錫204 接觸且位于焊墊56與引腳214之間，同時(shí)電性連接且機(jī)械性黏合焊墊56與引腳214，借此 將LED芯片208電性連接至端子62。同樣地，焊錫206接觸且位于蓋體60與熱接觸表面 216之間，同時(shí)熱連接且機(jī)械性黏合蓋體60與熱接觸表面216，借此將LED芯片208熱連接 至基座26。若欲制造半導(dǎo)體芯片組體200，可將一焊料置于焊墊56與蓋體60上，然后分別在焊墊56與蓋體60上方的焊料上放置引腳214與熱接觸表面216，繼而使該焊料回焊以形成 接著的焊錫204、206。該半導(dǎo)體芯片組體200為一第二級(jí)單晶模塊。圖38、39及圖40分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一半導(dǎo)體芯片組體300的剖面圖、俯視 圖及仰視圖，其中該半導(dǎo)體芯片組體300包含一導(dǎo)熱板74及一半導(dǎo)體芯片302。在此實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件為一芯片而非一封裝體，且該芯片302是設(shè)置于前 述散熱座66而非前述基板34上。此外，該芯片302是重疊于前述導(dǎo)熱凸柱22而非前述基 板34，且該芯片302是經(jīng)由一打線304電性連接至前述焊墊56，并利用一固晶材料306熱 連接至前述蓋體60。半導(dǎo)體芯片組體300包含導(dǎo)熱板74、芯片302、打線304、固晶材料306及封裝材料 308。芯片302包含頂面310、底面312與打線接墊314。頂面310為活性表面且包含打線 接墊314，而底面312則為熱接觸表面。芯片302是設(shè)置于散熱座66上，電性連接至基板34，且熱連接至散熱座66。詳而 言之，芯片302是設(shè)置于蓋體60上，位于蓋體60的周緣內(nèi)，重疊于導(dǎo)熱凸柱22但未重疊于 基板34。此外，芯片302是經(jīng)由打線304電性連接至基板34，同時(shí)經(jīng)由固晶材料306熱連接 且機(jī)械性黏附于散熱座66。例如，打線304是連接于并電性連接焊墊56及打線接墊314， 借此將芯片302電性連接至端子62。同樣地，固晶材料306接觸且位于蓋體60與熱接觸表 面312之間，同時(shí)熱連接且機(jī)械性黏合蓋體60與熱接觸表面312，借此將芯片302熱連接至 基座26。焊墊56上設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利與打線304穩(wěn)固接合，借此改善自基板 34至芯片302的訊號(hào)傳送。此外，蓋體60的形狀及尺寸是與熱接觸表面312配適，借此改 善自芯片302至散熱座66的熱傳送。至于導(dǎo)熱凸柱22的形狀及尺寸則并未且也不需配合 熱接觸表面312而設(shè)計(jì)。封裝材料308為一固態(tài)電性絕緣保護(hù)性塑料包覆體，其可為芯片302及打線304 提供抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護(hù)。芯片302與打線304是埋設(shè)于封裝材料308中。此外， 若芯片302是一諸如LED的光學(xué)芯片，則封裝材料308可為透明狀。封裝材料308在圖39 中呈透明狀是為方便圖示說(shuō)明。若欲制造半導(dǎo)體芯片組體300，可利用固晶材料306將芯片302設(shè)置于蓋體60上， 接著將焊墊56及打線接墊314以打線接合，而后形成封裝材料308。例如，固晶材料306原為一具有高導(dǎo)熱性的含銀環(huán)氧樹(shù)脂膏，并以網(wǎng)版印刷的方 式選擇性印刷于蓋體60上。然后利用一抓取頭及一自動(dòng)化圖案辨識(shí)系統(tǒng)以步進(jìn)重復(fù)的方 式將芯片302放置于該環(huán)氧樹(shù)脂銀膏上。繼而加熱該環(huán)氧樹(shù)脂銀膏，使其在相對(duì)低溫(如 1900C )下硬化以完成固晶。打線304為金線，其隨即以熱超音波連接焊墊56及打線接墊 314。最后再將封裝材料308轉(zhuǎn)移模制于結(jié)構(gòu)體上。芯片302可通過(guò)多種連接媒介電性連接至焊墊56，利用多種熱黏著劑熱連接并機(jī) 械性黏附于散熱座66，并以多種封裝材料封裝。該半導(dǎo)體芯片組體300為一第一級(jí)單晶封裝體。上述的半導(dǎo)體芯片組體與導(dǎo)熱板只為說(shuō)明范例，本發(fā)明可通過(guò)其他多種實(shí)施例實(shí) 現(xiàn)。此外，上述實(shí)施例可依設(shè)計(jì)及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其他實(shí)施例混合搭 配使用。例如，該基板可包含多陣列單層導(dǎo)線與多陣列多層導(dǎo)線。該導(dǎo)熱板可包含多個(gè)凸柱，且這些凸柱是排成一陣列以供多個(gè)半導(dǎo)體器件使用，此外，該導(dǎo)熱板為配合額外的半導(dǎo) 體器件，可包含更多導(dǎo)線。同樣地，該半導(dǎo)體器件可為一具有多枚LED芯片的LED封裝體， 而該導(dǎo)熱板則可包含更多導(dǎo)線以配合額外的LED芯片。該半導(dǎo)體器件與該蓋體可重疊于該 基板，并從上方覆蓋該導(dǎo)熱凸柱。該半導(dǎo)體器件可獨(dú)自使用該散熱座或與其他半導(dǎo)體器件共享該散熱座。例如，可 將單一半導(dǎo)體器件設(shè)置于該散熱座上，或?qū)⒍鄠€(gè)半導(dǎo)體器件設(shè)置于該散熱座上。舉例而言， 可將四枚排列成陣列的小型芯片黏附于該導(dǎo)熱凸柱，而該基板則可包含額外的導(dǎo)線以 配合這些芯片的電性連接。這一作法遠(yuǎn)較為每一芯片設(shè)置一微小導(dǎo)熱凸柱更具經(jīng)濟(jì)效益。該半導(dǎo)體芯片可為光學(xué)性或非光學(xué)性。例如，該芯片可為一 LED、一太陽(yáng)能電池、一 微處理器、一控制器或一射頻(RF)功率放大器。同樣地，該半導(dǎo)體封裝體可為一 LED封裝 體或一射頻模塊。因此，該半導(dǎo)體器件可為一經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的光學(xué)或非光學(xué)芯片。此 外，我們可利用多種連接媒介將該半導(dǎo)體器件機(jī)械性連接、電性連接及熱連接至該導(dǎo)熱板， 包括利用焊接及使用導(dǎo)電及/或?qū)狃ぶ鴦┑确绞竭_(dá)成。該散熱座可將該半導(dǎo)體器件所產(chǎn)生的熱能迅速、有效且均勻散發(fā)至下一層組體而 不需使熱流通過(guò)該黏著層、該基板或該導(dǎo)熱板的他處。如此一來(lái)便可使用導(dǎo)熱性較低的黏 著層，進(jìn)而大幅降低成本。該散熱座可包含一體成形的導(dǎo)熱凸柱與基座，以及與該導(dǎo)熱凸柱 為冶金連接及熱連接的一蓋體，借此提高可靠度并降低成本。該蓋體可與該焊墊共平面， 以便與該半導(dǎo)體器件形成電性、熱能及機(jī)械性連接。此外，該蓋體可依該半導(dǎo)體器件量身 訂做，而該基座則可依下一層組體量身訂做，借此加強(qiáng)自該半導(dǎo)體器件至下一層組體的熱 連接。例如，該導(dǎo)熱凸柱在一側(cè)向平面上可呈圓形，該蓋體在一側(cè)向平面上可呈正方形或矩 形，且該蓋體的側(cè)面形狀與該半導(dǎo)體器件熱接點(diǎn)的側(cè)面形狀相同或相似。該散熱座可與該半導(dǎo)體器件及該基板為電性連接或電性隔離。例如，位于研磨后 的表面上的該第二導(dǎo)電層可包含一路由線，該路由線是在該基板與該蓋體之間延伸通過(guò)該 黏著層，借以將該半導(dǎo)體器件電性連接至該散熱座。之后，該散熱座可電性接地，借以將該 半導(dǎo)體器件電性接地。該散熱座可為銅質(zhì)、鋁質(zhì)、銅/鎳/鋁合金或其他導(dǎo)熱金屬結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)熱凸柱可沉積于該基座上或與該基座一體成形。該導(dǎo)熱凸柱可與該基座一體 成形，因而成為單一金屬體(如銅或鋁)。該導(dǎo)熱凸柱也可與該基座一體成形，使該兩者的 接口包含單一金屬體(例如銅)，至于他處則包含其他金屬(例如凸柱的上部為焊料，凸柱 的下部及基座則為銅質(zhì))。該導(dǎo)熱凸柱也可與該基座一體成形，使該兩者的接口包含多層單 一金屬體(例如在一鋁核心外設(shè)有一鎳緩沖層，而該鎳緩沖層上則設(shè)有一銅層)。該訊號(hào)凸柱可沉積于該端子上或與該端子一體成形。該訊號(hào)凸柱可與該端子一體 成形，因而成為單一金屬體(如銅或鋁)。該訊號(hào)凸柱也可與該端子一體成形，使該兩者的 接口包含單一金屬體(例如銅)，至于他處則包含其他金屬(例如凸柱的上部為焊料，凸柱 的下部及端子則為銅質(zhì))。該訊號(hào)凸柱也可與該端子一體成形，使該兩者的接口包含多層單 一金屬體(例如在一鋁核心外設(shè)有一鎳緩沖層，而該鎳緩沖層上則設(shè)有一銅層)。該導(dǎo)熱凸柱可包含一平坦的頂面，且該頂面是與該黏著層共平面。例如，該導(dǎo)熱凸 柱可與該黏著層共平面，或者該導(dǎo)熱凸柱可在該黏著層固化后接受蝕刻，因而在該導(dǎo)熱凸 柱上方的黏著層形成一凹穴。我們也可選擇性蝕刻該導(dǎo)熱凸柱，借以在該導(dǎo)熱凸柱中形成一延伸至其頂面下方的凹穴。在上述任一情況下，該半導(dǎo)體器件均可設(shè)置于該導(dǎo)熱凸柱上 并位于該凹穴中，而該打線則可從該凹穴內(nèi)的該半導(dǎo)體器件延伸至該凹穴外的該焊墊。在 此情況下，該半導(dǎo)體器件可為一 LED芯片，并由該凹穴將LED光線朝該向上方向聚焦。該基座可為該基板提供機(jī)械性支撐。例如，該基座可防止該基板在金屬研磨、芯片 設(shè)置、打線接合及模制封裝材料的過(guò)程中彎曲變形。此外，該基座的背部可包含沿該向下方 向突伸的鰭片。例如，可利用一鉆板機(jī)切削該基座的底面以形成側(cè)向溝槽，而這些側(cè)向溝槽 即為鰭片。在此例中，該基座的厚度可為500微米，所述溝槽的深度可為300微米，也就是 說(shuō)所述鰭片的高度可為300微米。所述鰭片可增加該基座的表面積，若所述鰭片是曝露于 空氣中而非設(shè)置于一散熱裝置上，則可提升該基座經(jīng)由熱對(duì)流的導(dǎo)熱性。該蓋體可在該黏著層固化后，該焊墊及/或該端子形成之前、中或后，以多種沉積 技術(shù)制成，包括以電鍍、無(wú)電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié)構(gòu)。該蓋體可采 用與該導(dǎo)熱凸柱相同的金屬材質(zhì)，或采用與鄰接該蓋體的導(dǎo)熱凸柱頂部相同的金屬材質(zhì)。 此外，該蓋體可跨越該通孔并延伸至該基板，或坐落于該通孔的周緣內(nèi)。因此，該蓋體可接 觸該基板或與該基板保持距離。在上述任一情況下，該蓋體均是從該導(dǎo)熱凸柱的頂部沿側(cè) 面方向側(cè)向延伸而出。該黏著層可在該散熱座與該基板之間提供堅(jiān)固的機(jī)械性連接。例如，該黏著層可 自該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸并越過(guò)該導(dǎo)線到達(dá)該組體的外圍邊緣，該黏著層可填滿(mǎn)該散熱座與 該基板之間的空間，且該黏著層可為一具有均勻分布的結(jié)合線的無(wú)孔洞結(jié)構(gòu)。該黏著層也 可吸收該散熱座與該基板之間因熱膨脹所產(chǎn)生的不匹配現(xiàn)象。此外，該黏著層可為一低成 本電介質(zhì)，且不需具備高導(dǎo)熱性。再者，該黏著層不易脫層。我們可調(diào)整該黏著層的厚度，使該黏著層實(shí)質(zhì)填滿(mǎn)所述缺口，并使幾乎所有黏著 劑在固化及/或研磨后均位于結(jié)構(gòu)體內(nèi)。例如，理想的膠片厚度可由試誤法決定。同樣地， 我們也可調(diào)整該介電層的厚度以達(dá)這一效果。該基板可為一低成本的層壓結(jié)構(gòu)，且不需具備高導(dǎo)熱性。此外，該基板可包含單一 導(dǎo)電層或多數(shù)層導(dǎo)電層。再者，該基板可包含該導(dǎo)電層或由該導(dǎo)電層組成。該導(dǎo)電層可單獨(dú)設(shè)置于該黏著層上。例如，可先在該導(dǎo)電層上形成所述通孔，然 后將該導(dǎo)電層設(shè)置于該黏著層上，使該導(dǎo)電層接觸該黏著層，并朝該向上方向外露，與此同 時(shí)，所述凸柱則延伸進(jìn)入所述通孔，并通過(guò)所述通孔朝該向上方向外露。在此例中，該導(dǎo)電 層的厚度可為100至200微米，例如125微米，此厚度一方面夠厚，所以搬運(yùn)時(shí)不致彎曲晃 動(dòng)，一方面則夠薄，所以不需過(guò)度蝕刻即可形成圖案。也可將該導(dǎo)電層與該介電層一同設(shè)置于該黏著層上。例如，可先將該導(dǎo)電層設(shè)置 于該介電層上，然后在該導(dǎo)電層及該介電層上形成所述通孔，接著將該導(dǎo)電層及該介電層 設(shè)置于該黏著層上，使該導(dǎo)電層朝該向上方向外露，并使該介電層接觸且介于該導(dǎo)電層與 該黏著層之間，因而將該導(dǎo)電層與該黏著層隔開(kāi)，與此同時(shí)，所述凸柱則延伸進(jìn)入所述通 孔，并通過(guò)所述通孔朝該向上方向外露。在此例中，該導(dǎo)電層的厚度可為10至50微米，例 如30微米，此厚度一方面夠厚，足以提供可靠的訊號(hào)傳導(dǎo)，一方面則夠薄，可降低重量及成 本。此外，該介電層恒為該導(dǎo)熱板的一部分。也可將該導(dǎo)電層與一載體同時(shí)設(shè)置于該黏著層上。例如，可先利用一薄膜將該導(dǎo) 電層黏附于一諸如雙定向聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膠膜(Mylar)的載體，然后只在該導(dǎo)電層而非該載體上形成所述通孔，接著將該導(dǎo)電層及該載體設(shè)置于該黏著層上，使該載體覆蓋該 導(dǎo)電層，且朝該向上方向外露，并使該薄膜接觸且介于該載體與該導(dǎo)電層之間，至于該導(dǎo)電 層則接觸且介于該薄膜與該黏著層之間，與此同時(shí)，所述凸柱則對(duì)準(zhǔn)所述通孔，并由該載體 從上方覆蓋。該黏著層固化后，可利用紫外光分解該薄膜，以便將該載體從該導(dǎo)電層上剝 除，從而使該導(dǎo)電層朝該向上方向外露，之后便可研磨及圖案化該導(dǎo)電層以形成該導(dǎo)線。在 此例中，該導(dǎo)電層的厚度可為10至50微米，例如30微米，此厚度一方面夠厚，足以提供可 靠的訊號(hào)傳導(dǎo)，一方面則夠薄，可降低重量及成本；至于該載體的厚度可為300至500微米， 此厚度一方面夠厚，所以搬運(yùn)時(shí)不致彎曲晃動(dòng)，一方面又夠薄，有助于減少重量及成本。該 載體只為一暫時(shí)固定物，并非永久屬于該導(dǎo)熱板的一部分。該焊墊與該端子可視該半導(dǎo)體器件與下一層組體的需要而采用多種封裝形式。該焊墊的頂面與該蓋體的頂面可為共平面，如此一來(lái)便可通過(guò)控制錫球的崩塌程 度，強(qiáng)化該半導(dǎo)體器件與該導(dǎo)熱板之間的焊接。位于該介電層上的該焊墊與該路由線可在該基板尚未或已然設(shè)置于該黏著層上 時(shí)，以多種沉積技術(shù)制成，包括以電鍍、無(wú)電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié) 構(gòu)。例如，可在該基板尚未設(shè)置于該黏著層上時(shí)、或在該基板已通過(guò)該黏著層而黏附于所述 凸柱與該基座后，于該基板上形成該導(dǎo)電層的圖案。以所述被覆接點(diǎn)進(jìn)行表面處理的工序可在該焊墊及該端子形成之前或之后進(jìn)行。 例如，該被覆層可沉積于該基座及該第二導(dǎo)電層上，然后利用圖案化的蝕刻阻層定義該焊 墊與該端子并進(jìn)行蝕刻，以使該被覆層具有圖案。該導(dǎo)線可包含額外的焊墊、端子、導(dǎo)電孔、訊號(hào)凸柱、路由線以及被動(dòng)器件，且可為 不同構(gòu)型。該導(dǎo)線可作為一訊號(hào)層、一功率層或一接地層，端視其相應(yīng)半導(dǎo)體器件焊墊的目 的而定。該導(dǎo)線也可包含各種導(dǎo)電金屬，例如銅、金、鎳、銀、鈀、錫、其混合物及其合金。理想 的組成既取決于外部連接媒介的性質(zhì)，也取決于設(shè)計(jì)及可靠度方面的考慮。此外，本領(lǐng)域中 技術(shù)人員應(yīng)可了解，在該半導(dǎo)體芯片組體中所用的銅可為純銅，但通常是以銅為主的合金， 如銅-鋯(99. 9%銅)、銅-銀-磷-鎂(99. 7%銅)及銅-錫-鐵-磷(99. 7%銅)，借以 提高如抗張強(qiáng)度與延展性等機(jī)械性能。在一般情況下，最好在前述研磨后的表面上設(shè)有該蓋體、介電層、防焊綠漆、被覆 接點(diǎn)及第二導(dǎo)電層，但在某些實(shí)施例中則可省略之。例如，若該開(kāi)口及通孔是以沖孔而非鉆 孔的方式產(chǎn)生，因而使該導(dǎo)熱凸柱頂部的形狀及尺寸均與該半導(dǎo)體器件的熱接觸表面相配 適，則可省略該蓋體與該第二導(dǎo)電層以降低成本。同樣地，可省略該介電層以降低成本。該導(dǎo)熱板可包含一導(dǎo)熱孔，該導(dǎo)熱孔是與所述凸柱保持距離，并于所述開(kāi)口及所 述通孔外延伸穿過(guò)該介電層與該黏著層，同時(shí)鄰接且熱連接該基座與該蓋體，借此提升自 該蓋體至該基座的散熱效果，并促進(jìn)熱能在該基座內(nèi)擴(kuò)散。本案的組體可提供水平或垂直的單層或多層訊號(hào)路由。林文強(qiáng)等人于2009年11月11日提出申請(qǐng)的第12/616，773號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案 「具有凸柱/基座的散熱座及基板的半導(dǎo)體芯片組體」即揭露一種具有水平單層訊號(hào)路由 的結(jié)構(gòu)，其中焊墊、端子與路由線均位于介電層上方，這一美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的內(nèi)容在此以引 用的方式并入本文。林文強(qiáng)等人于2009年11月11日提出申請(qǐng)的第12/616，775號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案「具有凸柱/基座的散熱座及導(dǎo)線的半導(dǎo)體芯片組體」則揭露另一種具有水平單層訊號(hào)路 由的結(jié)構(gòu)，其中焊墊、端子與路由線是位于黏著層上方，且該結(jié)構(gòu)未設(shè)置介電層，這一美國(guó) 專(zhuān)利申請(qǐng)案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。王家忠等人于2009年9月11日提出申請(qǐng)的第12/557，540號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案 「具有凸柱/基座的散熱座及水平訊號(hào)路由的半導(dǎo)體芯片組體」揭露一種具有水平多層訊 號(hào)路由的結(jié)構(gòu)，其中介電層上方的焊墊與端子是利用穿過(guò)該介電層的第一及第二導(dǎo)電孔以 及該介電層下方的路由線達(dá)成電性連接，這一美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的內(nèi)容在此以引用的方式并 入本文。王家忠等人于2009年9月11日提出申請(qǐng)的第12/557，541號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案 「具有凸柱/基座的散熱座及垂直訊號(hào)路由的半導(dǎo)體芯片組體」則揭露一種具有垂直多層 訊號(hào)路由的結(jié)構(gòu)，其中介電層上方的焊墊與黏著層下方的端子是利用穿過(guò)該介電層的第一 導(dǎo)電孔、該介電層下方的路由線以及穿過(guò)該黏著層的第二導(dǎo)電孔達(dá)成電性連接，這一美國(guó) 專(zhuān)利申請(qǐng)案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。該導(dǎo)熱板的作業(yè)格式可為單一或多個(gè)導(dǎo)熱板，視制造設(shè)計(jì)而定。例如，可單獨(dú)制作 單一導(dǎo)熱板?；蛘撸衫脝我唤饘侔?、單一黏著層、單一基板、單一頂部防焊綠漆及單一底 部防焊綠漆同時(shí)批次制造多個(gè)導(dǎo)熱板，而后再行分離。同樣地，針對(duì)同一批次中的各導(dǎo)熱 板，我們也可利用單一金屬板、單一黏著層、單一基板、單一頂部防焊綠漆與單一底部防焊 綠漆同時(shí)批次制造多組分別供單一半導(dǎo)體器件使用的散熱座與導(dǎo)線。例如，可在一金屬板上蝕刻出多條凹槽以形成該基座、多個(gè)導(dǎo)熱凸柱與多個(gè)訊號(hào) 凸柱；而后將一具有對(duì)應(yīng)所述凸柱的開(kāi)口的未固化黏著層設(shè)置于該基座上，以使每一凸柱 均延伸貫穿一對(duì)應(yīng)開(kāi)口 ；然后將一基板(其具有單一導(dǎo)電層、單一介電層以及對(duì)應(yīng)所述凸 柱的通孔)設(shè)置于該黏著層上，以使每一凸柱均延伸貫穿一對(duì)應(yīng)開(kāi)口并進(jìn)入一對(duì)應(yīng)通孔； 而后利用壓臺(tái)將該基座與該基板彼此靠合，迫使該黏著層進(jìn)入所述通孔內(nèi)介于所述凸柱與 該基板之間的缺口 ；然后固化該黏著層，繼而研磨所述凸柱、該黏著層及該第一導(dǎo)電層以形 成一頂面；然后將第二導(dǎo)電層被覆設(shè)置于所述凸柱、該黏著層及該第一導(dǎo)電層上；接著蝕 刻該第一與第二導(dǎo)電層以形成多組分別對(duì)應(yīng)所述訊號(hào)凸柱的焊墊及路由線，蝕刻該第二導(dǎo) 電層以形成多個(gè)分別對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)熱凸柱的蓋體，并蝕刻該基座以形成多個(gè)對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)熱凸 柱的基座以及多個(gè)對(duì)應(yīng)所述訊號(hào)凸柱的端子；而后將頂部防焊綠漆設(shè)于結(jié)構(gòu)體上，并使該 頂部防焊綠漆產(chǎn)生圖案，借以曝露所述焊墊及所述蓋體，另將底部防焊綠漆設(shè)于該結(jié)構(gòu)體 上，使該底部防焊綠漆產(chǎn)生圖案，借以曝露所述基座及所述端子；而后以被覆接點(diǎn)對(duì)所述基 座、所述焊墊、所述端子及所述蓋體進(jìn)行表面處理；最后于所述導(dǎo)熱板外圍邊緣的適當(dāng)位置 切割或劈裂該基板、該黏著層及所述防焊綠漆，以使個(gè)別的導(dǎo)熱板彼此分離。該半導(dǎo)體芯片組體的作業(yè)格式可為單一組體或多個(gè)組體，取決于制造設(shè)計(jì)。例如， 可單獨(dú)制造單一組體?；蛘?，可同時(shí)批次制造多個(gè)組體，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離。同樣 地，也可將多個(gè)半導(dǎo)體器件電性連接、熱連接及機(jī)械性連接至批次量產(chǎn)中的每一導(dǎo)熱板。例如，可將多個(gè)錫膏部分分別沉積于多個(gè)焊墊及蓋體上，而后將多個(gè)LED封裝體 分別置于所述錫膏部分上，接著同時(shí)加熱所述錫膏部分以使其回焊、硬化并形成多個(gè)焊接 點(diǎn)，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離。在另一范例中是將多個(gè)固晶材料分別沉積于多個(gè)蓋體上，而后將多枚芯片分別放置于所述固晶材料上，之后再同時(shí)加熱所述固晶材料以使其硬化并形成多個(gè)固晶，而后將 所述芯片打線接合至對(duì)應(yīng)的焊墊，接著在所述芯片與打線形成對(duì)應(yīng)的封裝材料，最后再將 各導(dǎo)熱板一一分離。我們可通過(guò)單一步驟或多道步驟使各導(dǎo)熱板彼此分離。例如，可將多個(gè)導(dǎo)熱板批 次制成一平板，接著將多個(gè)半導(dǎo)體器件設(shè)置于該平板上，然后再將該平板所構(gòu)成的多個(gè)半 導(dǎo)體芯片組體一一分離?；蛘?，可將多個(gè)導(dǎo)熱板批次制成一平板，而后將該平板所構(gòu)成的多 個(gè)導(dǎo)熱板分切為多個(gè)導(dǎo)熱板條，接著將多個(gè)半導(dǎo)體器件分別設(shè)置于所述導(dǎo)熱板條上，最后 再將各導(dǎo)熱板條所構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片組體分離為個(gè)體。此外，在分割導(dǎo)熱板時(shí)可利用 機(jī)械切割、雷射切割、分劈或其他適用技術(shù)。在本文中，「鄰接」一語(yǔ)意指器件是一體成形(形成單一個(gè)體)或相互接觸(彼此 無(wú)間隔或未隔開(kāi))。例如，該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座，這與形成該導(dǎo)熱凸柱時(shí)采用增添法或 削減法無(wú)關(guān)。「重疊」一語(yǔ)意指位于上方并延伸于一下方器件的周緣內(nèi)。「重疊」包含延伸于該 周緣的內(nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，該半導(dǎo)體器件是重疊于該導(dǎo)熱凸柱，乃因一假想垂 直線可同時(shí)貫穿該半導(dǎo)體器件與該導(dǎo)熱凸柱，不論該半導(dǎo)體器件與該導(dǎo)熱凸柱間是否存在 有另一同為該假想垂直線貫穿的器件(如該蓋體)，且也不論是否有另一假想垂直線只貫 穿該半導(dǎo)體器件而未貫穿該導(dǎo)熱凸柱(也就是說(shuō)位于該導(dǎo)熱凸柱的周緣外)。同樣地，該黏 著層是重疊于該基座并被該焊墊重疊，而該基座則被該導(dǎo)熱凸柱重疊。同樣地，該導(dǎo)熱凸柱 是重疊于該基座且位于其周緣內(nèi)。此外，「重疊」與「位于上方」同義，「被重疊」則與「位于 下方」同義?！附佑|」一語(yǔ)意指直接接觸。例如，該介電層接觸該焊墊但并未接觸該導(dǎo)熱凸柱或 該基座。「覆蓋」一語(yǔ)意指從上方、從下方及/或從側(cè)面完全覆蓋。例如，該基座從下方覆蓋 該導(dǎo)熱凸柱，但該導(dǎo)熱凸柱并未從上方覆蓋該基座?！笇印棺职O(shè)有圖案或未設(shè)圖案的層體。例如，當(dāng)該基板設(shè)置于該黏著層上時(shí)，該 導(dǎo)電層可為該介電層上一空白無(wú)圖案的平板；而當(dāng)該半導(dǎo)體器件設(shè)置于該散熱座上之后， 該導(dǎo)電層可為該介電層上一具有間隔導(dǎo)線的電路圖案。此外，「層」可包含多數(shù)疊合層?！负笁|」一語(yǔ)與該導(dǎo)線搭配使用時(shí)是指一用于連接及/或接合外部連接媒介(如焊 料或打線)的連接區(qū)域，而該外部連接媒介則可將該導(dǎo)線電性連接至該半導(dǎo)體器件。「端子」一語(yǔ)與該導(dǎo)線搭配使用時(shí)是指一連接區(qū)域，其可接觸及/或接合外部連接 媒介(如焊料或打線)，而該外部連接媒介則可將該導(dǎo)線電性連接至與下一層組體相關(guān)的 一外部設(shè)備(例如一印刷電路板或與其連接的一導(dǎo)線)?！干w體」一語(yǔ)與該散熱座搭配使用時(shí)是指一用于連接及/或接合外部連接媒介(如 焊料或?qū)狃ぶ鴦?的接觸區(qū)域，而該外部連接媒介則可將該散熱座熱連接至該半導(dǎo)體器 件?！搁_(kāi)口」與「通孔」等語(yǔ)同指貫穿孔洞。例如，當(dāng)該導(dǎo)熱凸柱插入該黏著層的該開(kāi)口 時(shí)，該導(dǎo)熱凸柱是沿向上方向曝露于該黏著層。同樣地，當(dāng)該導(dǎo)熱凸柱插入該基板的該通孔 時(shí)，該導(dǎo)熱凸柱是沿向上方向曝露于該基板?！覆迦搿挂徽Z(yǔ)意指器件間的相對(duì)移動(dòng)。例如，「將該導(dǎo)熱凸柱插入該通孔中」包含
33該導(dǎo)熱凸柱固定不動(dòng)而由該基板向該基座移動(dòng)；該基板固定不動(dòng)而由該導(dǎo)熱凸柱向該基板 移動(dòng)；以及該導(dǎo)熱凸柱與該基板兩者彼此靠合。又例如，「將該導(dǎo)熱凸柱插入(或延伸至) 該通孔內(nèi)」包含該導(dǎo)熱凸柱貫穿(穿入并穿出)該通孔；以及該導(dǎo)熱凸柱插入但未貫穿 (穿入但未穿出)該通孔。「彼此靠合」一語(yǔ)也指器件間的相對(duì)移動(dòng)。例如，「該基座與該基板彼此靠合」包含 該基座固定不動(dòng)而由該基板移往該基座；該基板固定不動(dòng)而由該基座向該基板移動(dòng)；以及 該基座與該基板相互靠近?！笇?duì)準(zhǔn)」一語(yǔ)意指器件間的相對(duì)位置。例如，當(dāng)該黏著層已設(shè)置于該基座上、該基板 已設(shè)置于該黏著層上、該導(dǎo)熱凸柱已插入并對(duì)準(zhǔn)該開(kāi)口，且該通孔已對(duì)準(zhǔn)該開(kāi)口時(shí)，無(wú)論該 導(dǎo)熱凸柱是插入該通孔或位于該通孔下方且與其保持距離，該導(dǎo)熱凸柱均已對(duì)準(zhǔn)該通孔?！冈O(shè)置于」一語(yǔ)包含與單一或多個(gè)支撐器件間的接觸與非接觸。例如，該半導(dǎo)體器 件是設(shè)置于該散熱座上，不論該半導(dǎo)體器件是實(shí)際接觸該散熱座或是與該散熱座以一固晶 材料相隔。同樣地，該半導(dǎo)體器件是設(shè)置于該散熱座上，不論該半導(dǎo)體器件是只設(shè)置于該散 熱座上或是同時(shí)設(shè)置于該散熱座與該基板上?！葛ぶ鴮印谠撊笨谥小挂徽Z(yǔ)意指位于該缺口中的該黏著層。例如，「黏著層在 該缺口中延伸跨越該介電層」意指該缺口內(nèi)的該黏著層延伸跨越該介電層。同樣地，「黏著 層于該缺口之中接觸且介于該導(dǎo)熱凸柱與該介電層之間」意指該缺口中的該黏著層接觸且 介于該缺口內(nèi)側(cè)壁的該導(dǎo)熱凸柱與該缺口外側(cè)壁的該介電層之間。「上方」一語(yǔ)意指向上延伸，且包含鄰接與非鄰接器件以及重疊與非重疊器件。例 如，該導(dǎo)熱凸柱是延伸于該基座上方，同時(shí)鄰接、重疊于該基座并自該基座突伸而出。同樣 地，該導(dǎo)熱凸柱是延伸至該介電層上方，即便該導(dǎo)熱凸柱并未鄰接或重疊于該介電層?！赶路健挂徽Z(yǔ)意指向下延伸，且包含鄰接與非鄰接器件以及重疊與非重疊器件。例 如，該基座是延伸于該導(dǎo)熱凸柱下方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱，被該導(dǎo)熱凸柱重疊，并自該導(dǎo)熱凸 柱突伸而出。同樣地，該導(dǎo)熱凸柱是延伸于該介電層下方，即便該導(dǎo)熱凸柱并未鄰接該介電 層或被該介電層重疊。所謂「向上」及「向下」的垂直方向并非取決于該半導(dǎo)體芯片組體(或該導(dǎo)熱板) 的定向，凡熟悉此項(xiàng)技藝的人士可輕易了解其實(shí)際所指的方向。例如，該導(dǎo)熱凸柱是沿向上 方向垂直延伸于該基座上方，而該黏著層則沿向下方向垂直延伸于該焊墊下方，這與該組 體是否倒置及/或是否是設(shè)置于一散熱裝置上無(wú)關(guān)。同樣地，該基座是沿一側(cè)向平面自該 導(dǎo)熱凸柱「?jìng)?cè)向」延伸而出，這與該組體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無(wú)關(guān)。因此，該向上及向下方 向是彼此相對(duì)且垂直于側(cè)面方向，此外，側(cè)向?qū)R的器件是在一垂直于該向上與向下方向 的側(cè)向平面上彼此共平面。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片組體具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。該組體的可靠度高、價(jià)格平實(shí)且極適合 量產(chǎn)。該組體尤其適用于易產(chǎn)生高熱且需優(yōu)異散熱效果方可有效及可靠運(yùn)作的高功率半導(dǎo) 體器件，例如LED封裝體、大型半導(dǎo)體芯片以及多個(gè)同時(shí)使用的小型半導(dǎo)體器件(例如以陣 列方式排列的多枚小型半導(dǎo)體芯片)。本案的制造工序具有高度適用性，且是以獨(dú)特、進(jìn)步的方式結(jié)合運(yùn)用各種成熟的 電性連接、熱連接及機(jī)械性連接技術(shù)。此外，本案的制造工序不需昂貴工具即可實(shí)施。因此， 此制造工序可大幅提升現(xiàn)有封裝技術(shù)的產(chǎn)量、良率、效能與成本效益。再者，本案的組體極適合于銅芯片及無(wú)鉛的環(huán)保要求。在此所述的實(shí)施例是為例示之用，其中所涉及的本技藝現(xiàn)有器件或步驟或經(jīng)簡(jiǎn)化 或有所省略以免模糊本發(fā)明的特點(diǎn)。同樣地，為使附圖清晰，附圖中重復(fù)或非必要的器件及 參考標(biāo)號(hào)或有所省略。精于此項(xiàng)技藝的人士針對(duì)本文所述的實(shí)施例當(dāng)可輕易思及各種變化及修改。例 如，前述的材料、尺寸、形狀、大小、步驟的內(nèi)容與步驟的順序皆只為范例。上述人士可在不 脫離本發(fā)明的精神與范圍的條件下從事這些改變、調(diào)整與均等技藝，其中本發(fā)明的范圍是 由權(quán)利要求書(shū)加以界定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體芯片組體至少包含一半導(dǎo)體器件；一黏著層，其至少具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口 ；一散熱座，其至少包含一導(dǎo)熱凸柱及一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座并沿一向 上方向延伸于該基座上方，該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該導(dǎo)熱凸柱 下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸；及一導(dǎo)線，其至少包含一焊墊、一端子及一訊號(hào)凸柱，其中該訊號(hào)凸柱是延伸于該焊墊下 方及該端子上方，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊號(hào)凸柱；其中該半導(dǎo)體器件是位于該導(dǎo)熱凸柱上方并重疊于該導(dǎo)熱凸柱，該半導(dǎo)體器件是電性 連接至該焊墊，從而電性連接至該端子，且該半導(dǎo)體器件是熱連接至該導(dǎo)熱凸柱，從而熱連 接至該基座；其中該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，并自該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸至該 端子或越過(guò)該端子；其中該焊墊是延伸于該黏著層上方，而該端子則延伸于該黏著層下方；以及其中該導(dǎo)熱凸柱延伸進(jìn)入該第一開(kāi)口，該訊號(hào)凸柱延伸進(jìn)入該第二開(kāi)口，所述凸柱具 有相同厚度且彼此共平面，該基座與該端子具有相同厚度且彼此共平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體器件為一包含LED 芯片的LED封裝體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該LED封裝體是利用一第一 焊錫電性連接至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連接至該散熱座。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體器件為一半導(dǎo)體芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該芯片是利用一打線電性連 接至該焊墊，并利用一固晶材料熱連接至該散熱座。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該黏著層接觸所述凸柱、該基 座、該焊墊與該端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 蓋且環(huán)繞所述凸柱。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 柱的側(cè)壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 及底部共平面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 延伸且越過(guò)該端子。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 片組體的外圍邊緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 成形，該訊號(hào)凸柱則與該端子一體成形。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該導(dǎo)熱凸柱為平頂錐柱形，2該黏著層在所述側(cè)面方向覆 該黏著層同形被覆于所述凸 該黏著層與所述凸柱的頂部 該黏著層自該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向 該黏著層延伸至該半導(dǎo)體芯 該導(dǎo)熱凸柱是與該基座一體其直徑自該基座至該導(dǎo)熱凸柱的一平坦頂部是呈向上遞減，且該訊號(hào)凸柱為平頂錐柱形， 其直徑自該端子至該訊號(hào)凸柱的一平坦頂部是呈向上遞減。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該基座從下方覆蓋該導(dǎo)熱凸 柱，支撐該黏著層，且與該半導(dǎo)體芯片組體的外圍邊緣保持距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該導(dǎo)線是與該散熱座保持距 離，且該焊墊、該端子與該訊號(hào)凸柱則接觸該黏著層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該端子是鄰接該訊號(hào)凸柱， 延伸于該訊號(hào)凸柱下方，并沿所述側(cè)面方向自該訊號(hào)凸柱側(cè)向延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該散熱座至少包含一蓋體， 該蓋體位于該導(dǎo)熱凸柱的一頂部上方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱的該頂部，并從上方覆蓋該導(dǎo)熱凸 柱的該頂部，同時(shí)沿所述側(cè)面方向自該導(dǎo)熱凸柱的該頂部側(cè)向延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體與該焊墊于該黏著 層上方為共平面。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體為矩形或正方形，該 導(dǎo)熱凸柱的該頂部則為圓形。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體的尺寸及形狀是配 合該半導(dǎo)體器件的一熱接觸表面而設(shè)計(jì)，該導(dǎo)熱凸柱的該頂部的尺寸及形狀則并非配合該 半導(dǎo)體器件的該熱接觸表面而設(shè)計(jì)。
21.一種半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體芯片組體至少包含一半導(dǎo)體器件；一黏著層，其至少具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口 ；一散熱座，其至少包含一導(dǎo)熱凸柱及一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座并與該基 座一體成形，且該導(dǎo)熱凸柱是沿一向上方向延伸于該基座上方，該基座是沿一與該向上方 向相反的向下方向延伸于該導(dǎo)熱凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向自該 導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸；及一導(dǎo)線，其至少包含一焊墊、一端子、一路由線及一訊號(hào)凸柱，其中該路由線鄰接該焊 墊，該訊號(hào)凸柱則鄰接該路由線與該端子，并延伸于該焊墊與該路由線下方，同時(shí)延伸于該 端子上方，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該路由線與該訊號(hào)凸柱；其中該半導(dǎo)體器件是設(shè)置于該散熱座上，重疊于該導(dǎo)熱凸柱但并未重疊于該訊號(hào)凸 柱，該半導(dǎo)體器件是電性連接至該焊墊，從而電性連接至該端子，且該半導(dǎo)體器件是熱連接 至該導(dǎo)熱凸柱，從而熱連接至該基座；其中該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，并于所述側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞 所述凸柱，同時(shí)延伸至該半導(dǎo)體芯片組體的外圍邊緣；其中該焊墊延伸于該黏著層上方；以及其中該導(dǎo)熱凸柱延伸進(jìn)入該第一開(kāi)口，該訊號(hào)凸柱延伸進(jìn)入該第二開(kāi)口，所述凸柱具 有相同厚度，彼此共平面，且延伸穿過(guò)該黏著層，該基座與該端子具有相同厚度，彼此共平 面，且延伸于該黏著層下方，所述凸柱的頂部及底部是與該黏著層共平面。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體器件為一半導(dǎo)體 芯片，且是利用一固晶材料設(shè)置于該散熱座上，并利用一打線電性連接至該焊墊，同時(shí)利用該固晶材料熱連接至該散熱座。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該黏著層接觸所述凸柱、該 基座、該焊墊、該端子與該路由線。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該導(dǎo)熱凸柱為平頂錐柱形， 其直徑自該基座至該導(dǎo)熱凸柱的一平坦頂部是呈向上遞減，該導(dǎo)熱凸柱的該頂部為圓形， 一蓋體是設(shè)置于該導(dǎo)熱凸柱的該頂部上，位于該導(dǎo)熱凸柱的該頂部上方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱 的該頂部，并從上方覆蓋該導(dǎo)熱凸柱的該頂部，同時(shí)沿所述側(cè)面方向自該導(dǎo)熱凸柱的該頂 部側(cè)向延伸，該蓋體為矩形或正方形。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體與該焊墊于該黏著 層上方為共平面。
26.一種半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體芯片組體至少包含 一半導(dǎo)體器件；一黏著層，其至少具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口 ；一散熱座，其至少包含一導(dǎo)熱凸柱及一基座，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座，并沿一向 上方向延伸于該基座上方，該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該導(dǎo)熱凸柱 下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸；一基板，其至少包含一焊墊及一介電層，其中第一及第二通孔延伸貫穿該基板；及 一導(dǎo)線，其至少包含該焊墊、一端子及一訊號(hào)凸柱，其中該訊號(hào)凸柱是延伸于該焊墊下 方及該端子上方，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該訊號(hào)凸柱；其中該半導(dǎo)體器件是位于該導(dǎo)熱凸柱上方并重疊于該導(dǎo)熱凸柱，該半導(dǎo)體器件是電性 連接至該焊墊，從而電性連接至該端子，且該半導(dǎo)體器件是熱連接至該導(dǎo)熱凸柱，從而熱連 接至該基座；其中該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，延伸進(jìn)入該第一通孔內(nèi)一介于 該導(dǎo)熱凸柱與該基板之間的第一缺口，延伸進(jìn)入該第二通孔內(nèi)一介于該訊號(hào)凸柱與該基板 之間的第二缺口，并于所述缺口內(nèi)延伸跨越該介電層，該黏著層自該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸至 該端子或越過(guò)該端子，且該黏著層是介于該導(dǎo)熱凸柱與該介電層之間、該訊號(hào)凸柱與該介 電層之間以及該基座與該介電層之間；其中該基板是設(shè)置于該黏著層上，且延伸于該基座上方； 其中該焊墊是延伸于該介電層上方，而該端子則延伸于該黏著層下方；以及 其中該導(dǎo)熱凸柱延伸進(jìn)入該第一開(kāi)口與該第一通孔，該訊號(hào)凸柱延伸進(jìn)入該第二開(kāi)口 與該第二通孔，所述凸柱具有相同厚度且彼此共平面，該基座與該端子具有相同厚度且彼 此共平面。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體器件為一包含LED 芯片的LED封裝體。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該LED封裝體是利用一第 一焊錫電性連接至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連接至該散熱座。
29.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體器件為一半導(dǎo)體芯片。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該芯片是利用一打線電性連接至該焊墊，并利用一固晶材料熱連接至該散熱座。
31.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該黏著層于該第一缺口內(nèi) 接觸該導(dǎo)熱凸柱與該介電層，并于該第二缺口內(nèi)接觸該訊號(hào)凸柱與該介電層，同時(shí)于所述 缺口外接觸該基座、該端子與該介電層。
32.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 覆蓋且環(huán)繞所述凸柱。
33.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 凸柱的側(cè)壁。
34.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 部及底部共平面。
35.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 向延伸且越過(guò)該端子。
36.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 芯片組體的外圍邊緣。
37.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于 體成形，該訊號(hào)凸柱則與該端子一體成形。
38.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該導(dǎo)熱凸柱為平頂錐柱形， 其直徑自該基座至該導(dǎo)熱凸柱的一平坦頂部是呈向上遞減，且該訊號(hào)凸柱為平頂錐柱形， 其直徑自該端子至該訊號(hào)凸柱的一平坦頂部是呈向上遞減。
39.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該基座從下方覆蓋該導(dǎo)熱 凸柱，支撐該基板，且與該半導(dǎo)體芯片組體的外圍邊緣保持距離。
40.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該導(dǎo)線是與該散熱座保持 距離，該焊墊接觸該介電層，該端子接觸該黏著層，該訊號(hào)凸柱則接觸該黏著層與該介電 層。
41.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該端子是鄰接該訊號(hào)凸柱， 延伸于該訊號(hào)凸柱下方，并沿所述側(cè)面方向自該訊號(hào)凸柱側(cè)向延伸。
42.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該散熱座至少包含一蓋體， 該蓋體位于該導(dǎo)熱凸柱的一頂部上方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱的該頂部，并從上方覆蓋該導(dǎo)熱凸 柱的該頂部，同時(shí)沿所述側(cè)面方向自該導(dǎo)熱凸柱的該頂部側(cè)向延伸。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體與該焊墊于該介電 層上方為共平面。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體為矩形或正方形，該 導(dǎo)熱凸柱的該頂部則為圓形。
45.根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體的尺寸及形狀是配 合該半導(dǎo)體器件的一熱接觸表面而設(shè)計(jì)，該導(dǎo)熱凸柱的該頂部的尺寸及形狀則并非配合該 半導(dǎo)體器件的該熱接觸表面而設(shè)計(jì)。
46.一種半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體芯片組體至少包含一半導(dǎo)體器件；一黏著層，其至少具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口 ；該黏著層于所述側(cè)面方向 該黏著層同形被覆于所述 該黏著層與所述凸柱的頂 該黏著層自該導(dǎo)熱凸柱側(cè) 該黏著層延伸至該半導(dǎo)體 該導(dǎo)熱凸柱是與該基座一一散熱座，其至少包含一導(dǎo)熱凸柱、一基座及一蓋體，其中該導(dǎo)熱凸柱是鄰接該基座并 與該基座一體成形，該導(dǎo)熱凸柱是沿一向上方向延伸于該基座上方，并為該基座與該蓋體 提供熱連接，該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該導(dǎo)熱凸柱下方，并沿垂 直于該向上及向下方向的側(cè)面方向自該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸，該蓋體位于該導(dǎo)熱凸柱的一頂 部上方，鄰接該導(dǎo)熱凸柱的該頂部，并從上方覆蓋該導(dǎo)熱凸柱的該頂部，同時(shí)沿所述側(cè)面方 向自該導(dǎo)熱凸柱的該頂部側(cè)向延伸；一基板，其至少包含一焊墊、一路由線及一介電層，其中第一及第二通孔延伸貫穿該基 板；及一導(dǎo)線，其至少包含該焊墊、該路由線、一端子與一訊號(hào)凸柱，其中該路由線鄰接該焊 墊，該訊號(hào)凸柱則鄰接該路由線與該端子，并延伸于該焊墊與該路由線下方，同時(shí)延伸于該 端子上方，且該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該路由線與該訊號(hào)凸柱；其中該半導(dǎo)體器件是設(shè)置于該蓋體上，重疊于該導(dǎo)熱凸柱但并未重疊于該訊號(hào)凸柱， 該半導(dǎo)體器件是電性連接至該焊墊，從而電性連接至該端子，且該半導(dǎo)體器件是熱連接至 該蓋體，從而熱連接至該基座；其中該黏著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，延伸進(jìn)入該第一通孔內(nèi)一介于 該導(dǎo)熱凸柱與該基板之間的第一缺口，延伸進(jìn)入該第二通孔內(nèi)一介于該訊號(hào)凸柱與該基板 之間的第二缺口，并于所述缺口內(nèi)延伸跨越該介電層，該黏著層是介于該導(dǎo)熱凸柱與該介 電層之間、該訊號(hào)凸柱與該介電層之間以及該基座與該介電層之間，該黏著層于所述側(cè)面 方向覆蓋且環(huán)繞所述凸柱，且延伸至該半導(dǎo)體芯片組體的外圍邊緣；其中該焊墊延伸于該介電層上方；以及其中該導(dǎo)熱凸柱延伸進(jìn)入該第一開(kāi)口與該第一通孔，該訊號(hào)凸柱延伸進(jìn)入該第二開(kāi)口 與該第二通孔，所述凸柱具有相同厚度，彼此共平面，且延伸穿過(guò)該黏著層與該介電層，該 基座與該端子具有相同厚度，彼此共平面，且延伸于該黏著層與該介電層下方，所述凸柱的 頂部及底部是與該黏著層共平面。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該半導(dǎo)體器件為一半導(dǎo)體 芯片，且是利用一固晶材料設(shè)置于該蓋體上，并利用一打線電性連接至該焊墊，同時(shí)利用該 固晶材料熱連接至該蓋體。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該黏著層于所述缺口內(nèi)接 觸所述凸柱與該介電層，并于所述缺口外接觸該基座、該端子與該介電層，該介電層則接觸 該焊墊與該路由線，并與所述凸柱、該基座與該端子保持距離。
49.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該導(dǎo)熱凸柱為平頂錐柱形， 其直徑自該基座至該蓋體是呈向上遞減，該訊號(hào)凸柱為平頂錐柱形，其直徑自該端子至該 路由線是呈向上遞減，該導(dǎo)熱凸柱的該頂部為圓形，該蓋體則為矩形或正方形。
50.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于該蓋體與該焊墊于該介電 層上方為共平面。
全文摘要
一半導(dǎo)體芯片組體至少包含一半導(dǎo)體器件、一散熱座、一導(dǎo)線及一黏著層。該半導(dǎo)體器件是電性連接于該導(dǎo)線且熱連接于該散熱座。該散熱座至少包含一導(dǎo)熱凸柱及一基座。該導(dǎo)熱凸柱從該基座向上延伸進(jìn)入該黏著層的一第一開(kāi)口，而該基座則從該導(dǎo)熱凸柱側(cè)向延伸。該導(dǎo)線至少包含一焊墊、一端子及一訊號(hào)凸柱。該訊號(hào)凸柱從該端子向上延伸進(jìn)入該黏著層的一第二開(kāi)口。
文檔編號(hào)H01L25/075GK102130084SQ20101059347
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月19日
發(fā)明者林文強(qiáng), 王家忠 申請(qǐng)人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司