專利名稱：光電轉(zhuǎn)換元件、光電轉(zhuǎn)換模塊及光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及吸收光而產(chǎn)生電力的光電轉(zhuǎn)換元件、及具有多個(gè)該光電轉(zhuǎn)換元件的光電轉(zhuǎn)換模塊。
背景技術(shù)：
作為太陽能電池等的光電轉(zhuǎn)換模塊，已知有將在受光面具有透明電極層的光電轉(zhuǎn)換元件作為構(gòu)成單位，并將該光電轉(zhuǎn)換元件在玻璃等基板上多個(gè)串聯(lián)連接而成的結(jié)構(gòu)。另外，在專利文獻(xiàn)1的太陽能電池中，為了提高光的透過率而提高太陽能電池元件的發(fā)電效率，通過使透明電極層減薄并在透明電極層上實(shí)施金屬配線，可抑制伴隨透明電極層的薄膜化而造成的電力損失的降低。然而，在專利文獻(xiàn)1的太陽能電池的結(jié)構(gòu)中，有可能在元件的外周部產(chǎn)生欠缺，無法在外周部中效率良好地進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，從而使發(fā)電效率降低。為此，尋求一種能夠抑制發(fā)電效率降低的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊。專利文獻(xiàn)1 日本特開2000-299486號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件具有互相隔有間隔設(shè)置的第一電極層及第二電極層；位于所述第一電極層上、且具有第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；位于所述第一半導(dǎo)體層上、具有第二導(dǎo)電型并與所述第一半導(dǎo)體層pn接合的第二半導(dǎo)體層；將所述第二半導(dǎo)體層和所述第二電極層電連接的連接部；位于所述第二半導(dǎo)體層上、且從所述連接部到達(dá)所述第二半導(dǎo)體層的第一端部的線路狀的線狀電極。本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換模塊具有多個(gè)上述光電轉(zhuǎn)換元件，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件具有第一光電轉(zhuǎn)換元件和第二光電轉(zhuǎn)換元件，所述第一光電轉(zhuǎn)換元件及第二光電轉(zhuǎn)換元件的各自的所述第一電極層及第二電極層朝向相同的方向，且所述第一光電轉(zhuǎn)換元件的所述第二電極層和所述第二光電轉(zhuǎn)換元件的所述第一電極層電連接。在本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法中包括形成第一電極層的工序；在所述第一電極層上依次重疊第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及線狀電極的工序； 將所述第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及線狀電極一并切斷的工序。


圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊的立體圖。圖2是圖1所示的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊的剖視圖。圖3是表示圖1所示的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的各工序的剖視圖。圖4是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊的立體圖。圖5是圖4所示的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊的剖視圖。圖6是表示圖4所示的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的各工序的剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參考附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，對本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件20及使用其的光電轉(zhuǎn)換模塊21的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是光電轉(zhuǎn)換元件20及光電轉(zhuǎn)換模塊21的剖視圖。光電轉(zhuǎn)換元件20包括基板1、第一電極層2、第二電極層8、第一半導(dǎo)體層3、第二半導(dǎo)體層4、導(dǎo)電層 5、線狀電極6、連接部7。另外，由第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層4構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換層PV。光電轉(zhuǎn)換模塊21排列多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件20而成。并且，在鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件 20之中，一光電轉(zhuǎn)換元件20的第二電極層8和另一光電轉(zhuǎn)換元件20的第一電極層2電連接。通過該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑧徑拥墓怆娹D(zhuǎn)換元件20彼此容易地串聯(lián)連接。而且，在一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件20內(nèi)，連接部7設(shè)置成將光電轉(zhuǎn)換層PV分割開。S卩，在圖1中，連接部7從光電轉(zhuǎn)換元件20的眼前側(cè)的側(cè)面到與其對置的背部側(cè)的側(cè)面呈線路狀形成，并在由位于該連接部7的左側(cè)的第一電極層2和導(dǎo)電層5夾持的光電轉(zhuǎn)換層PV中進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換?；?是用于支承光電轉(zhuǎn)換元件20的構(gòu)件。作為用于基板1的材料，例如可舉出玻璃、陶瓷、樹脂及金屬等。在構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換模塊21的情況下，既可以在多個(gè)基板1上分別設(shè)置光電轉(zhuǎn)換元件20，并將其排列而互相串聯(lián)連接，或者也可以在1個(gè)基板1上設(shè)置多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件20。這樣，當(dāng)在1個(gè)基板1上設(shè)置多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件20時(shí)，光電轉(zhuǎn)換模塊21 的制作變得容易。第一電極層2及第二電極層8采用Mo、Al、Ti或Au等導(dǎo)電體，在基板1上通過濺射法或蒸鍍法等而形成。而且，在圖1的鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件20中，一光電轉(zhuǎn)換元件20的第二電極層8和另一光電轉(zhuǎn)換元件20的第一電極層2呈一體結(jié)構(gòu)。光電轉(zhuǎn)換層PV包括第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層4，其能夠吸收光而轉(zhuǎn)換為電力，采用硅系及化合物半導(dǎo)體系等半導(dǎo)體材料。作為硅系，可舉出單晶硅、多晶硅及非晶硅等。作為化合物半導(dǎo)體系可舉出單晶系及多晶系，例如有III-V族化合物半導(dǎo)體、II-VI族化合物半導(dǎo)體及黃銅礦系(稱之為“CIS系”)化合物半導(dǎo)體等。從減少材料這一觀點(diǎn)來看，光電轉(zhuǎn)換層PV優(yōu)選為IOym以下厚度的薄膜。即便在形成這種薄膜的情況下，通過如本實(shí)施方式那樣的、線狀電極6到達(dá)光電轉(zhuǎn)換層PV的第一端部A的結(jié)構(gòu)，也能夠有效地抑制在光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部產(chǎn)生欠缺的情況。在這種薄膜光電轉(zhuǎn)換層PV之中，采用黃銅礦系化合物半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層PV的轉(zhuǎn)換效率高，故即便是薄膜也能夠?qū)崿F(xiàn)與現(xiàn)有的單晶硅相同程度的光電轉(zhuǎn)換效率，因而尤其優(yōu)選。另外，從不包含有害的鎘這方面來看也是優(yōu)選的。作為這種黃銅礦系化合物半導(dǎo)體，可舉出 Cu (In，Ga) ^i2 (稱之為 CIGS)、Cu (In，Ga) (Se, S)2(稱之為 CIGSS) R CuInS2 ( ^ 之為CIQ。光電轉(zhuǎn)換層PV例如在由薄膜進(jìn)行制作時(shí)，通過濺射法、蒸鍍法或涂敷法等形成。而且，所謂“Cu (In, Ga) Se2"為主要由Cu、In, Ga, Se構(gòu)成的化合物。另外，所謂“Cu (In, Ga) (Se，S) 2”為主要由Cu、In、feu Se、S構(gòu)成的化合物。第一半導(dǎo)體層3及第二半導(dǎo)體層4具有一者為η型而另一者為ρ型的不同的導(dǎo)電型，且第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層4進(jìn)行ρη接合?？梢允堑谝话雽?dǎo)體層3為ρ型而第二半導(dǎo)體層4為η型，也可以是相反的關(guān)系。而且，由第一半導(dǎo)體層3及第二半導(dǎo)體層4進(jìn)行的Pn接合并不局限于第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層4直接接合。例如，也可以在第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層4之間還具有與第一半導(dǎo)體層3相同導(dǎo)電型的其他半導(dǎo)體層或與第二半導(dǎo)體層4相同導(dǎo)電型的其他半導(dǎo)體層。另外，在第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層 4之間也可以是具有i型的半導(dǎo)體層的pin接合。第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層4可以是同質(zhì)接合，也可以是異質(zhì)接合。作為異質(zhì)接合的例子，例如在第一半導(dǎo)體層3為CIGS等黃銅礦系化合物半導(dǎo)體(通常稱之為“光吸收層”)時(shí)，作為第二半導(dǎo)體層 4 可舉出 CdS、ZnS、ZnO, In2Se3> In (OH, S)、(Zn，In) (Se，OH) 及(Zn，Mg)0等(通常稱之為“緩沖層”)，且例如通過化學(xué)池沉積(CBD)法等來形成。所謂 “Ιη(0Η，S)”為主要由In、OH、S構(gòu)成的化合物。所謂“(Zn，In) (Se，0H) ”為主要由Si、In、 Se、OH構(gòu)成的化合物。所謂“(Zn，Mg) 0”為主要由Zn、Mg、0構(gòu)成的化合物。在第二半導(dǎo)體層4上如圖1所示也可以設(shè)置導(dǎo)電層5。由此，能夠更加良好地將在光電轉(zhuǎn)換層PV中發(fā)生的電荷導(dǎo)出，發(fā)電效率得以進(jìn)一步提高。導(dǎo)電層5采用ITO或aiO:Al 等導(dǎo)電體，并通過濺射法、蒸鍍法或化學(xué)氣相成長(CVD)法等來形成。在將導(dǎo)電層5—側(cè)作為受光面使用時(shí)，為了提高光電轉(zhuǎn)換層PV的吸收效率，優(yōu)選導(dǎo)電層5相對于光電轉(zhuǎn)換層PV 的吸收光具有透光性。從在提高透光性的同時(shí)將通過光電轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生的電流良好地向線狀電極6傳送這一觀點(diǎn)來看，優(yōu)選導(dǎo)電層5的厚度為0. 05 0. 5 μ m。線狀電極6形成在第二半導(dǎo)體層4上，用于減小電阻而將在第二半導(dǎo)體層4中發(fā)生的電荷良好地導(dǎo)出，其作為集電電極發(fā)揮作用。線狀電極6為抑制向光電轉(zhuǎn)換層PV照射的光的遮蔽而設(shè)置成線路狀。該線路狀的線狀電極6在俯視情況下，設(shè)置成到達(dá)第二半導(dǎo)體層4的第一端部A、即光電轉(zhuǎn)換層PV的端部A。通過這樣的結(jié)構(gòu)，線狀電極6保護(hù)光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部，抑制光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部上的欠缺，從而即便在光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部也能夠良好地進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。另外，能夠?qū)⒃谠摴怆娹D(zhuǎn)換層PV的外周部發(fā)生的電流由到達(dá)第一端部A的線狀電極6效率良好地導(dǎo)出。其結(jié)果是，能夠提高發(fā)電效率。這樣，由于能夠通過到達(dá)第一端部A的線狀電極6保護(hù)光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部， 因此，能夠減小設(shè)置在第一電極層2和線狀電極6之間的構(gòu)件的合計(jì)厚度。因而，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)件的削減，并且能夠縮短這些構(gòu)件的制作工序。優(yōu)選的是，將在第一電極層2和線狀電極6之間設(shè)置的構(gòu)件的合計(jì)厚度(在圖1及圖2的例子中，為第一半導(dǎo)體層3、第二半導(dǎo)體層4及導(dǎo)電層5的合計(jì)厚度)減薄為1. 56 2.7 μ m。具體而言，在圖1及圖2的例子中，將第一半導(dǎo)體層3的厚度設(shè)為1. 5 2. 0 μ m，將第二半導(dǎo)體層4的厚度設(shè)為0. 01 0. 2 μ m，將導(dǎo)電層5的厚度設(shè)為0. 05 0. 5μπι即可。另外，優(yōu)選的是，在線狀電極6所到達(dá)的第一端部A側(cè)，線狀電極6的端面、導(dǎo)電層 5的端面及光電轉(zhuǎn)換層PV的端面構(gòu)成同一面。由此，能夠?qū)⒃诠怆娹D(zhuǎn)換層PV的第一端部A 中光電轉(zhuǎn)換了的電流良好地導(dǎo)出。在本發(fā)明中，所謂“線狀電極6到達(dá)第二半導(dǎo)體層4的第一端部Α”，優(yōu)選的是線狀電極6完全到達(dá)第二半導(dǎo)體層4的最外側(cè)的第一端部A，但并不局限于此。S卩，從通過有效抑制以第二半導(dǎo)體層4的第一端部A為基點(diǎn)發(fā)展的裂紋而抑制欠缺這一觀點(diǎn)來看，也包含第二半導(dǎo)體層4的最外側(cè)的第一端部A和線狀電極6的端部的距離在1000 μ m以下的情況。 從提高在第一端部A中的線狀電極6的集電效應(yīng)這一觀點(diǎn)來看，優(yōu)選第一端部A和線狀電極6的端部的距離在500 μ m以下。從抑制向光電轉(zhuǎn)換層PV照射的光的遮蔽且抑制光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部的欠缺這一觀點(diǎn)來看，優(yōu)選線狀電極6具有50 400 μ m的寬度。另外，線狀電極6也可以具有分支的多個(gè)分支部。線狀電極6優(yōu)選例如通過將Ag等金屬膏(金屬粒子和樹脂的混合物)印刷成圖案狀并將其硬化而形成。即，優(yōu)選線狀電極6包括金屬粒子和樹脂。由此，硬化后的線狀電極6的相對于彎曲應(yīng)力的耐性得以提高。其結(jié)果是，能夠良好地保護(hù)光電轉(zhuǎn)換層PV的外周部。優(yōu)選的是，線狀電極6包含焊錫。由此，不僅能夠提高相對于彎曲應(yīng)力的耐性，還能夠進(jìn)一步降低電阻。更優(yōu)選的是，包含兩種以上熔點(diǎn)不同的金屬，可以以至少1種金屬熔融、其他至少1種金屬不熔融的溫度進(jìn)行加熱而硬化。由此，低熔點(diǎn)的金屬熔融而使線狀電極6致密化，能夠降低電阻，并能夠在加熱硬化時(shí)利用高熔點(diǎn)的金屬來抑制熔融金屬欲要擴(kuò)展的情況。光電轉(zhuǎn)換元件20排列多個(gè)并將其電連接，能夠形成光電轉(zhuǎn)換模塊21。為了將鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件20彼此容易地串聯(lián)連接，如圖1、圖2所示，光電轉(zhuǎn)換元件20通過設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層PV的連接部7，將第二半導(dǎo)體層4和第二電極層8電連接。而且，通過在圖1 中設(shè)置導(dǎo)電層5，進(jìn)一步提高了第二半導(dǎo)體層4和第二電極層8的電連接的導(dǎo)通性，但不限于此，也可以不形成導(dǎo)電層5。優(yōu)選連接部7在形成導(dǎo)電層5之際同時(shí)形成而一體化。換而言之，導(dǎo)電層5具有從第二半導(dǎo)體層4朝向第二電極層8延伸的第一延長部，并通過第一延長部與第二電極層8 連接而使導(dǎo)電層5構(gòu)成連接部7。由此，能夠在使工序簡略化的同時(shí)提高電連接的可靠性。當(dāng)將光電轉(zhuǎn)換層PV的端部中的與線狀電極6所到達(dá)的第一端部A對置的另一端部作為第二端部B時(shí)，在線狀電極6從第一端部A朝向第二端部B延伸的情況下，優(yōu)選連接部7在俯視的情況下位于與光電轉(zhuǎn)換層PV的第一端部A相比靠第二端部B側(cè)的位置，即設(shè)置在第二端部B的附近。更優(yōu)選的是，連接部7在俯視的情況下，與光電轉(zhuǎn)換層PV的第二端部B大致平行且呈直線狀延伸。通過這樣的結(jié)構(gòu)，使連接部7接近第二端部B，能夠減小作為對發(fā)電無貢獻(xiàn)的無效區(qū)域的、連接部7和第二端部B之間的區(qū)域，從而能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。上述光電轉(zhuǎn)換元件20能夠按以下所述進(jìn)行制造。圖3 (a) (e)是表示光電轉(zhuǎn)換元件20的制造工序的各工序的剖視圖。首先，如圖3(a)所示，在基板1上形成期望圖案的第一電極層2及第二電極層8。 圖案狀的第一電極層2及第二電極層8能夠通過濺射法等薄膜形成方法、劃線加工或蝕刻等圖案形成方法而形成。接著，如圖3(b)所示，采用濺射法或CBD法等薄膜形成方法而在基板1、第一電極層2及第二電極層8上層疊第一半導(dǎo)體層3及第二半導(dǎo)體層4。然后，通過劃線加工或蝕刻等在第一半導(dǎo)體層3及第二半導(dǎo)體層4上形成用于形成連接部7的貫通槽P2。接著，如圖3(c)所示，在第二半導(dǎo)體層4上形成導(dǎo)電層5，同時(shí)在貫通槽P2內(nèi)形成作為連接部7的第一延長部。導(dǎo)電層5及連接部7能夠通過濺射法等薄膜形成方法而形成。接著，如圖3(d)所示，在導(dǎo)電層5上通過絲網(wǎng)印刷等方法將金屬膏印刷成圖案狀并將其加熱而硬化，由此形成線狀電極6。最后，如圖3 (e)所示，保留電極層，并將第一半導(dǎo)體層3、第二半導(dǎo)體層4、導(dǎo)電層5 及線狀電極6通過劃線加工等一并切斷。通過這樣的方法，能夠容易地制作線狀電極6在俯視情況下到達(dá)光電轉(zhuǎn)換層PV的第一端部A的結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換元件20。即，在形成光電轉(zhuǎn)換層PV及導(dǎo)電層5之后形成貫通槽P2，并在貫通槽P2間的各部位欲要形成線狀電極6 時(shí)，光電轉(zhuǎn)換層PV的第一端部A和線狀電極6的端部難以精度良好地對位。其結(jié)果是，線狀電極6偏離形成，容易產(chǎn)生不良情況。與其相對，通過利用上述制造方法來進(jìn)行制作，能夠容易地制作線狀電極6在俯視情況下到達(dá)光電轉(zhuǎn)換層PV的第一端部A的結(jié)構(gòu)，從而不僅能夠簡略工序，還能夠抑制不良的發(fā)生。另外，通過上述方法來形成，鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件20為一光電轉(zhuǎn)換元件20的第一電極2和另一光電轉(zhuǎn)換元件20的第二電極8 一體形成的結(jié)構(gòu)。由此，鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件 20彼此被串聯(lián)連接，從而能夠容易地制作將多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件20以串聯(lián)連接排列而成的光電轉(zhuǎn)換模塊21。接著，對本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件及光電轉(zhuǎn)換模塊進(jìn)行說明。圖4是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件120及光電轉(zhuǎn)換模塊 121的結(jié)構(gòu)的圖。另外，圖5是光電轉(zhuǎn)換元件120及光電轉(zhuǎn)換模塊121的剖視圖，圖6是表示其制造方法的各工序的剖視圖。在圖4 圖6中，對與圖1 3所示的第一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件20及光電轉(zhuǎn)換模塊21相同結(jié)構(gòu)的部位標(biāo)以相同的標(biāo)號，能夠應(yīng)用與上述各結(jié)構(gòu)同樣的結(jié)構(gòu)。第二實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件120及光電轉(zhuǎn)換模塊121與第一實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件20及光電轉(zhuǎn)換模塊21的不同之處在于，在第二實(shí)施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件120及光電轉(zhuǎn)換模塊121中，線狀電極6具有從第二半導(dǎo)體層4朝向第二電極層8延伸的第二延長部，且通過第二延長部與第二電極層8連接而使線狀電極6構(gòu)成連接部17。這樣，在通過線狀電極6與第二電極層8連接而構(gòu)成連接部17的情況下，連接更加可靠，從而能夠提高連接可靠性。這樣的光電轉(zhuǎn)換元件120及光電轉(zhuǎn)換模塊121能夠按以下所述進(jìn)行制作。首先，如圖6(a)所示，在基板1上形成期望圖案的第一電極層2及第二電極層8。接著，如圖6(b) 所示，在基板1、第一電極層2及第二電極層8上層疊第一半導(dǎo)體層3及第二半導(dǎo)體層4。接著，如圖6(c)所示，在第二半導(dǎo)體層4上形成導(dǎo)電層5。接著，如圖6(d)所示，通過劃線加工或蝕刻等來形成用于形成連接部17的貫通槽P2及用于分離光電轉(zhuǎn)換元件120之間的貫通槽P3。最后，如圖6(e)所示，在導(dǎo)電層5上及貫通槽P2的一部分上通過絲網(wǎng)印刷等方法將金屬膏印刷成圖案狀。然后，將其加熱而硬化，從而形成線狀電極6，由此完成具有連接部 17的光電轉(zhuǎn)換裝置120及光電轉(zhuǎn)換模塊121。這樣，繼續(xù)形成第一半導(dǎo)體層3、第二半導(dǎo)體層4及導(dǎo)電層5，之后同時(shí)形成用于形成連接部17的貫通槽P2及用于分離光電轉(zhuǎn)換元件120之間的貫通槽P3，從而能夠簡略槽
加工工序，提高生產(chǎn)性。需要說明的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，也可以在不超出本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。附圖標(biāo)號說明2:第一電極層3 第一半導(dǎo)體層4 第二半導(dǎo)體層5:導(dǎo)電層6 線狀電極7，17:連接部8:第二電極層20、120 光電轉(zhuǎn)換元件21、121 光電轉(zhuǎn)換模塊
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換元件，其具有互相隔有間隔設(shè)置的第一電極層及第二電極層； 位于所述第一電極層上、且具有第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層； 位于所述第一半導(dǎo)體層上、具有第二導(dǎo)電型并與所述第一半導(dǎo)體層pn接合的第二半導(dǎo)體層；將所述第二半導(dǎo)體層和所述第二電極層電連接的連接部；位于所述第二半導(dǎo)體層上、且從所述連接部到達(dá)所述第二半導(dǎo)體層的第一端部的線狀電極。
2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第二半導(dǎo)體層具有與所述第一端部對置的第二端部， 在俯視情況下，所述連接部與所述第一端部相比位于所述第二端部側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，在俯視情況下，所述連接部與所述第二端部大致平行且呈直線狀延伸。
4.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，在所述第一端部側(cè)，所述線狀電極的端面、所述第二半導(dǎo)體層的端面及所述第一半導(dǎo)體層的端面構(gòu)成同一面。
5.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，還具有位于所述第二半導(dǎo)體層和所述線狀電極之間的導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述導(dǎo)電層具有從所述第二半導(dǎo)體層朝向所述第二電極層延伸的第一延長部，并通過所述第一延長部與所述第二電極層連接而使所述導(dǎo)電層構(gòu)成所述連接部。
7.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述線狀電極具有從所述第二半導(dǎo)體層朝向所述第二電極層延伸的第二延長部，且通過所述第二延長部與所述第二電極層連接而使所述線狀電極構(gòu)成所述連接部。
8.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中， 所述線狀電極包括金屬粒子和樹脂。
9.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中， 所述光電轉(zhuǎn)換層包括黃銅礦系的材料。
10.一種光電轉(zhuǎn)換模塊，其中，具有多個(gè)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件具有第一光電轉(zhuǎn)換元件和第二光電轉(zhuǎn)換元件， 所述第一光電轉(zhuǎn)換元件及第二光電轉(zhuǎn)換元件的各自的所述第一電極層及第二電極層朝向相同的方向，且所述第一光電轉(zhuǎn)換元件的所述第二電極層和所述第二光電轉(zhuǎn)換元件的所述第一電極層電連接。
11.一種光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法，具有 形成第一電極層的工序；在所述第一電極層上依次重疊第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及線狀電極的工序； 將所述第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及線狀電極一并切斷的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換元件(20)，其具有互相隔有間隔設(shè)置的第一電極層(2)及第二電極層(8)；位于第一電極層(2)上、且具有第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層(3)；位于第一半導(dǎo)體層(3)上、具有第二導(dǎo)電型并與第一半導(dǎo)體層(3)pn接合的第二半導(dǎo)體層(4)；將第二半導(dǎo)體層(4)和第二電極層(8)電連接的連接部(7)；位于第二半導(dǎo)體層(4)上、且從連接部(7)到達(dá)第二半導(dǎo)體層(4)的第一端部(A)的線狀電極(6)。
文檔編號H01L31/04GK102272938SQ201080004142
公開日2011年12月7日 申請日期2010年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月29日
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