專(zhuān)利名稱(chēng)：有源矩陣基板和有源矩陣型顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及單片地形成有驅(qū)動(dòng)電路及其配線的有源矩陣基板以及使用該基板的有源矩陣型顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，代替布勞恩管(CRT)而快速普及的、以液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示裝置為代表的使用了 TFT等有源元件的有源矩陣型顯示裝置發(fā)揮節(jié)能、薄、輕等特征，在電視機(jī)、 監(jiān)視器、便攜電話等中廣泛地利用。其中，在便攜電話、筆記本電腦等中小型電子設(shè)備所具備的液晶顯示裝置中，為了實(shí)現(xiàn)低成本化，開(kāi)始采用使用了非晶硅的柵極驅(qū)動(dòng)器單片(GDM)技術(shù)，其采用范圍逐步從中小型向電視機(jī)等大型產(chǎn)品擴(kuò)大。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，記載了使用非晶硅薄膜來(lái)形成顯示區(qū)域的像素晶體管和柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的各種晶體管的液晶顯示裝置用基板。在上述液晶顯示裝置用基板的顯示區(qū)域內(nèi)，具有如下構(gòu)成上述像素晶體管的漏極電極與像素電極通過(guò)形成在鈍化膜中的接觸孔電連接，成為在鈍化膜上設(shè)有像素電極的、所謂的Pixel On I^assivation (鈍化膜上像素)的構(gòu)成。此外，上述像素晶體管形成為底柵型。另外，在上述液晶顯示裝置用基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域中也是，如圖13所圖示， 詳細(xì)內(nèi)容后述的主配線150與分支配線160電連接，因此，成為與上述像素電極相同的層的電極140形成在鈍化膜180上的構(gòu)成。還記載有設(shè)于上述柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電路和其配線原樣使用上述顯示區(qū)域的形成所用的5張0張)掩模工序，與上述顯示區(qū)域同時(shí)形成，因此，可以不追加另外的工序地使上述柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域在上述基板上集成，因此，可以降低制造成本。下面，根據(jù)圖12 圖13，說(shuō)明上述液晶顯示裝置用基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的構(gòu)成。圖12是示出上述液晶顯示裝置用基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的平面圖。如圖所示，在柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域中的、與未圖示的顯示區(qū)域相鄰的部分(圖中右端)，形成移位寄存器的驅(qū)動(dòng)晶體管，在離上述顯示區(qū)域最遠(yuǎn)的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域附近，設(shè)有配線區(qū)域，在所述配線區(qū)域形成有對(duì)各自的移位寄存器施加信號(hào)的多個(gè)主配線150。另外，在上述配線區(qū)域和形成有上述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域之間，形成有控制晶體管。此外，記載有用于使上述主配線150與各移位寄存器的驅(qū)動(dòng)晶體管和控制晶體管連結(jié)的分支配線160，與主配線150形成在不同的層中，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1的構(gòu)成中，主配線150形成在與柵極配線的圖案(柵極圖案)相同的層中，分支配線160形成在與數(shù)據(jù)配線的圖案(數(shù)據(jù)圖案)相同的層中。圖13是圖12的C-C'截面圖，示出主配線150與分支配線160的連接部的情況。如圖所示，在主配線150和分支配線160之間，設(shè)有絕緣膜170，而且，以覆蓋分支配線160和絕緣膜170的方式形成有鈍化膜180。形成在絕緣膜170和鈍化膜180中的孔是第1接觸孔190，其使主配線150露出一部分，另一方面，形成在鈍化膜180中的孔是第2接觸孔200，其使分支配線160露出一部分。如圖12所示，主配線150和分支配線160在上述配線區(qū)域內(nèi)具有交叉部，但是在如圖13所示的上述連接部不存在交叉部。主配線150和分支配線160成為如下構(gòu)成通過(guò)形成在上述第1接觸孔190和第 2接觸孔200中的與像素電極相同的層的電極140電連接。另外，記載有優(yōu)選為了減少主配線150的電容，縮小與主配線150交叉的分支配線160的線寬度?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本公表專(zhuān)利公報(bào)“特表2005-527856號(hào)公報(bào)(2005年9月15日公表)”

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題但是，如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1的構(gòu)成，在主配線150形成在與柵極圖案相同的層中，分支配線160形成在與數(shù)據(jù)圖案相同的層中的情況下，存在如下問(wèn)題因?yàn)橄旅娴脑颍子诎l(fā)生由斷線不良、線寬度異常導(dǎo)致的顯示不良。如圖12所示，一般來(lái)說(shuō)，分支配線160與主配線150相比，線寬度被較細(xì)地設(shè)置， 在未圖示的顯示區(qū)域的像素晶體管是底柵型的情況下，主配線150的形成層成為比分支配線160的形成層靠下層。在這種情況下，在分支配線160與主配線150交叉的部位，即，在分支配線160跨越主配線150的部位，易于發(fā)生下述現(xiàn)象。作為下層膜的主配線150的錐形部是不平坦的，因此，當(dāng)進(jìn)行分支配線160的蝕刻時(shí)，因?yàn)槲g刻劑的蔓延，易于發(fā)生分支配線160的斷線。另外，在分支配線160的光刻工序中，在存在于下層的主配線150由鋁等形成的情況下，因?yàn)橹髋渚€150造成的反射光、臺(tái)階部的抗蝕劑膜厚的不均勻性，在分支配線160跨越主配線150的部位的抗蝕劑的圖案化精度降低。S卩，易于發(fā)生分支配線160的線寬度偏差，該線寬度偏差的影響在線寬度被較細(xì)地設(shè)置的分支配線160中較大，還對(duì)顯示質(zhì)量帶來(lái)影響。為了解決該問(wèn)題，可以考慮將線寬度較寬的主配線150形成在與數(shù)據(jù)圖案相同的層中，將線寬度較細(xì)的分支配線160形成在與柵極圖案相同的層中。但是，當(dāng)使用圖13所示上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1的連接部的構(gòu)成，即，使用由與形成在2個(gè)接觸孔190、200中的像素電極相同的層的電極140來(lái)連接主配線150和分支配線160的構(gòu)成時(shí)，因?yàn)橄旅娴脑?，無(wú)法縮小主配線150之間的間隔，其結(jié)果是柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域變寬，在液晶顯示裝置用基板中增加邊框區(qū)域。圖14示出將主配線150形成在與數(shù)據(jù)圖案相同的層中，將分支配線160形成在與柵極圖案相同的層中的情況下，使用了上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1的連接部的構(gòu)成的柵極驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)關(guān)注于主配線150與分支配線160的連接部時(shí)，分支配線160的形成層成為比主配線150的形成層靠下層。如圖所示，在上述連接部形成第1接觸孔190，其形成為使主支配線150的一部分露出；和第2接觸孔200，其形成為使分支配線160的一部分露出，用形成在該接觸孔 190,200中的與像素電極相同的層的電極140連接主配線150和分支配線160。根據(jù)該構(gòu)成，需要從形成有上述接觸孔190、200的鈍化膜180上設(shè)置與像素電極相同的層的電極140，因此，第2接觸孔200配置在主配線150之間的間隔W內(nèi)。即，例如，在第2接觸孔200設(shè)置在主配線150的下部的情況下，在第2接觸孔200 中形成與像素電極相同的層的電極140是困難的，使用上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1的連接部的構(gòu)成來(lái)連接主配線150和分支配線160是困難的。因此，在上述構(gòu)成中，第2接觸孔200配置在主配線150之間的間隔W內(nèi)，由于該第2接觸孔200的存在，縮小主配線150之間的間隔W變得困難。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供難以產(chǎn)生斷線不良、線寬度異常的、可以抑制驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的擴(kuò)大的有源矩陣基板。另外，其目的在于提供顯示質(zhì)量良好的、可靠性高的有源矩陣型顯示裝置。用于解決問(wèn)題的方案為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于，具備絕緣基板；TFT元件，其形成在上述絕緣基板上；顯示區(qū)域，其矩陣狀地設(shè)置有與上述TFT元件電連接的像素電極；以及周邊區(qū)域，其設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)上述TFT元件的驅(qū)動(dòng)電路，上述顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域是上述周邊區(qū)域，在上述周邊區(qū)域具備與上述驅(qū)動(dòng)電路電連接的多根支配線，還具備與上述支配線中的一根電連接的干配線，在上述TFT元件中具備多個(gè)電極層，上述支配線和上述干配線在與上述電極層相同的層的電極層中形成，上述支配線由上述TFT元件所具備的多個(gè)電極層中的比形成上述干配線的上述電極層靠下層的電極層形成，在上述干配線和上述支配線之間設(shè)有絕緣層，上述干配線與上述支配線中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配線的線寬度設(shè)置得比上述支配線的線寬度寬，并且在上述干配線與上述支配線中的一根電連接的區(qū)域內(nèi)，上述干配線與上述支配線在俯視時(shí)重疊，在上述絕緣層中形成有接觸孔，使得上述支配線中的一根露出，上述支配線中的一根與上述干配線通過(guò)設(shè)置在上述接觸孔中的連接導(dǎo)體電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，線寬度較寬的上述干配線設(shè)置在比線寬度較窄的上述支配線靠上的層。S卩，上述支配線由上述TFT元件所具備的多個(gè)電極層中的比形成上述干配線的上述電極層靠下層的電極層形成。因此，是如下構(gòu)成線寬度較寬的干配線跨越線寬度較窄的支配線所形成的臺(tái)階， 因此，難以發(fā)生斷線不良，可以提高成品率。另外，在上述干配線的光刻工序中，存在于下層的支配線的線寬度較窄，因此，可以抑制反射光、臺(tái)階部的抗蝕劑膜厚的不均勻性，可以提高圖案化精度。而且，根據(jù)上述構(gòu)成，因?yàn)榇嬖谟谙聦拥闹渚€的影響，通過(guò)與上述支配線的光刻工序相比圖案化精度較低的上述干配線的光刻工序，形成有線寬度較寬的干配線，因此，即使在線寬度中產(chǎn)生偏差，該偏差造成的影響也不大。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，在上述干配線和上述支配線電連接的區(qū)域內(nèi)，上述干配線與上述支配線隔著絕緣膜在俯視時(shí)重疊，在上述絕緣層中形成有接觸孔，使得上述支配線露出，上述支配線與上述干配線通過(guò)設(shè)置在上述接觸孔中的連接導(dǎo)體電連接。因?yàn)槭窃摌?gòu)成，所以與上述現(xiàn)有的構(gòu)成(參照?qǐng)D14)相比，可以實(shí)現(xiàn)能夠縮小干配線之間的間隔、能夠抑制設(shè)有驅(qū)動(dòng)電路的上述周邊區(qū)域的增加的有源矩陣基板。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置的特征在于，具備上述有源矩陣基板。根據(jù)上述構(gòu)成，通過(guò)具備上述有源矩陣基板，可以實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量良好的、可靠性高的有源矩陣型顯示裝置。發(fā)明效果如上，本發(fā)明的有源矩陣基板是如下構(gòu)成上述顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域是上述周邊區(qū)域，在上述周邊區(qū)域具備與上述驅(qū)動(dòng)電路電連接的多根支配線，還具備與上述支配線中的一根電連接的干配線，在上述TFT元件中具備多個(gè)電極層，上述支配線和上述干配線在與上述電極層相同的層的電極層中形成，上述支配線由上述TFT元件所具備的多個(gè)電極層中的比形成上述干配線的上述電極層靠下層的電極層形成，在上述干配線和上述支配線之間設(shè)有絕緣層，上述干配線與上述支配線中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配線的線寬度設(shè)置得比上述支配線的線寬度寬，并且在上述干配線與上述支配線中的一根電連接的區(qū)域內(nèi)，上述干配線與上述支配線在俯視時(shí)重疊，在上述絕緣層中形成有接觸孔，使得上述支配線中的一根露出，上述支配線中的一根與上述干配線通過(guò)設(shè)置在上述接觸孔中的連接導(dǎo)體電連接。因此，起到可以實(shí)現(xiàn)難以發(fā)生斷線不良、線寬度異常的、能夠抑制驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的擴(kuò)大的有源矩陣基板的效果。另外，起到可以實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量良好的、可靠性較高的有源矩陣型顯示裝置的效果。


圖1是示出在本發(fā)明的一種實(shí)施方式的TFT陣列基板中形成有柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線的區(qū)域的部分放大圖。圖2的(a)是在圖1所示形成有柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線的區(qū)域內(nèi)干配線與支配線連接的區(qū)域的A-A'截面圖，(b)是示出其它方式的一個(gè)例子的截面圖。圖3是示出上述TFT陣列基板所具備的干配線的圖案化形狀的圖。圖4是示出上述TFT陣列基板的概要構(gòu)成的圖。圖5是示出干配線的圖案化形狀的變形例的圖。圖6是示出干配線和支配線的另外其它的變形例的圖。圖7是示出由多層結(jié)構(gòu)形成的干配線的另外其它的變形例的圖。圖8是示出在本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的TFT陣列基板中，形成有柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線區(qū)域的部分放大圖。圖9是示出本發(fā)明的另外其它的實(shí)施方式的形成有TFT陣列基板所具備的柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線的區(qū)域的部分放大圖。
圖10是示出在形成有圖9所示柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線的區(qū)域內(nèi)干配線與支配線連接的區(qū)域的B-B'截面圖。圖11是示出本發(fā)明的另外其它的實(shí)施方式的形成有TFT陣列基板所具備的另外其它的柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線區(qū)域的部分放大圖。圖12是示出現(xiàn)有的液晶顯示裝置用基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的平面圖。圖13是圖12的C-C'截面圖，示出主配線與支配線的連接部的情況。圖14是示出與數(shù)據(jù)圖案形成在相同的層的主配線和與柵極圖案形成在相同的層的分支配線使用上述圖13所示連接部的構(gòu)成連接時(shí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的平面圖。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，該實(shí)施方式所記載的構(gòu)成部件的尺寸、材質(zhì)、形狀、其相對(duì)配置等只不過(guò)是一種實(shí)施方式，不應(yīng)根據(jù)其來(lái)限定解釋該發(fā)明的范圍。[實(shí)施方式1]下面，根據(jù)圖1 圖7說(shuō)明作為液晶顯示裝置所具備的有源矩陣基板的TFT陣列基板1的構(gòu)成，所述液晶顯示裝置是本發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置的一個(gè)例子。 圖4是示出TFT陣列基板1的概要構(gòu)成的圖。如圖所示，在TFT陣列基板1中，具備顯示區(qū)域Rl和位于顯示區(qū)域Rl周邊的周邊區(qū)域R2。在顯示區(qū)域Rl中，矩陣狀地設(shè)有像素TFT元件2 ；和像素電極3，其與像素TFT元件2連接。如圖4所示，像素TFT元件2成為如下構(gòu)成在絕緣基板4上，按順序?qū)盈B柵極總線GL和柵極電極層5 ；柵極絕緣膜6 ；非晶硅膜7，其作為半導(dǎo)體膜；源極、漏極電極層8，其形成源極電極8a和漏極電極8b以及數(shù)據(jù)總線DL ；絕緣層10，其形成有接觸孔9 ；以及像素電極3，其形成為通過(guò)接觸孔9與漏極電極8b連接。即，在本實(shí)施方式中，像素TFT元件2形成為底柵型，但是不限于此，當(dāng)然也可以是頂柵型等。另一方面，在周邊區(qū)域R2內(nèi)，設(shè)有柵極驅(qū)動(dòng)電路11 ；和后述的第2端子部12，其與外帶的源極驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)連接。柵極驅(qū)動(dòng)電路11與柵極總線GL連接，上述源極驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)第2端子部12與數(shù)據(jù)總線DL連接，根據(jù)來(lái)自外部的信號(hào)來(lái)控制像素TFT元件2。另外，在周邊區(qū)域R2的、形成有柵極驅(qū)動(dòng)電路11的區(qū)域的圖中左側(cè)，設(shè)有柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13包括時(shí)鐘信號(hào)線、電源電壓線等干配線；和連接上述干配線和柵極驅(qū)動(dòng)電路11的支配線。如上，在TFT陣列基板1的周邊區(qū)域R2內(nèi)，單片地形成有柵極驅(qū)動(dòng)電路11、第2端子部12以及柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13。圖1是示出在TFT陣列基板1中形成有柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13的區(qū)域的部分放大圖。如圖1所示，柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13包括干配線13a ；和支配線13b，其連接干配線13a和柵極驅(qū)動(dòng)電路11。另外，雖未圖示，柵極驅(qū)動(dòng)電路11包括多段，其中一段與多根支配線1 連接，所述多根支配線1 分別與多根不同的干配線13a連接。在圖1中，作為其一個(gè)例子，示出如下構(gòu)成與4根不同的干配線13a分別連接的 4根支配線1 與構(gòu)成柵極驅(qū)動(dòng)電路11的各段分別連接。在本實(shí)施方式中，圖4示出的像素TFT元件2是柵極電極層5形成在比源極、漏極電極層8靠下層的底柵型，因此，干配線13a形成在源極、漏極電極層8中，支配線1 形成在柵極電極層5中。另一方面，例如，在像素TFT元件2形成為頂柵型的情況下，在柵極電極層5中形成干配線13a，在源極、漏極電極層8中形成支配線13b。S卩，如上所示，上述支配線13b由像素TFT元件2所具備的多個(gè)電極層的、比形成上述干配線13a的電極層靠下層的電極層形成即可。下面，在所有的實(shí)施方式中，以干配線13a形成在源極、漏極電極層8中，支配線 13b形成在柵極電極層5中為前提進(jìn)行說(shuō)明。此外，從低負(fù)荷化的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選支配線1 實(shí)現(xiàn)細(xì)線化，另外，為了實(shí)現(xiàn)高清晰顯示畫(huà)面，存在其根數(shù)也會(huì)增加的傾向，因此，以比干配線13a的線寬度窄的線寬度來(lái)形成。特別是在使用了將與彩色顯示的各原色對(duì)應(yīng)的像素電極的長(zhǎng)邊配置在柵極總線延伸的方向上，削減源極驅(qū)動(dòng)電路數(shù)量的技術(shù)的情況等下，支配線13b的數(shù)量進(jìn)一步增加， 因此，支配線1 用與干配線13a的線寬度相比更窄的線寬度來(lái)形成。圖2的(a)示出圖1所示干配線13a與支配線13b連接的區(qū)域的A-A'截面，圖2 的(b)是示出其它的連接方式一個(gè)例子的圖。如圖1和圖2的(a)所示，干配線13a和支配線13b在干配線13a與支配線13b 連接的區(qū)域內(nèi)，在俯視時(shí)重疊，在干配線13a和支配線1 之間，作為絕緣層而設(shè)有柵極絕緣膜6。圖3是示出干配線13a的圖案形狀的圖。如圖2的(a)和圖3所示，在柵極絕緣膜6和干配線13a中，形成有接觸孔(形成在柵極絕緣膜6中的孔)和貫通孔13h(形成在干配線13a中的孔)，使作為下層的支配線 13b在干配線13a與支配線13b連接的區(qū)域露出。此外，在本實(shí)施方式中，接觸孔和貫通孔13h以不同的形狀形成，但是也可以以相同形狀形成。另外，如圖2的(a)所示，以覆蓋干配線13a的方式形成絕緣層10，在絕緣層10 中，形成有第2接觸孔13h'，其以與接觸孔和貫通孔1 至少重疊一部分的方式形成。在接觸孔和貫通孔13h以及第2接觸孔13h'的形成區(qū)域內(nèi)，使用與像素電極3相同的層作為連接導(dǎo)體14，將干配線13a與支配線1 連接。在本實(shí)施方式中，可以不追加另外形成連接導(dǎo)體14的工序來(lái)制作TFT陣列基板1， 作為連接導(dǎo)體14，使用了像素電極3的形成所用的ITOandium Tin Oxide 銦錫氧化物)、 IZOdndium Zinc Oxide 銦鋅氧化物)等透明導(dǎo)電膜，但是如果是可以電連接干配線13a 和支配線13b的導(dǎo)電膜，則不限于此。
另外，圖2的(b)示出干配線13a與支配線1 連接的區(qū)域的、另外的連接方式的一個(gè)例子。在上述連接方式中，雖未圖示，半導(dǎo)體膜7可以形成為從干配線13a的下層露出 (柵極絕緣膜6從干配線13a露出的部分)。當(dāng)蝕刻?hào)艠O絕緣膜6時(shí)，從干配線13a的下層露出的半導(dǎo)體膜7作為阻擋層而工作，為了保護(hù)作為其下層的柵極絕緣6，如圖2的(b)所示，可以階梯狀地形成柵極絕緣膜 6。因此，根據(jù)上述構(gòu)成，可以通過(guò)上述階梯形狀來(lái)減少連接導(dǎo)體14(像素電極3)在臺(tái)階處斷開(kāi)的情況。此外，成為上述阻擋層的半導(dǎo)體膜7用形成像素TFT元件2所具備的半導(dǎo)體膜的工序來(lái)形成，因此，不伴隨工序、工時(shí)的增加。另外，半導(dǎo)體膜7如圖2的(b)所示，在蝕刻?hào)艠O絕緣膜6后，殘存在被干配線13a 覆蓋的區(qū)域內(nèi)，但是在未被干配線13a覆蓋的區(qū)域內(nèi)，有時(shí)消失或以薄膜的方式殘存(圖2 的(b)示出消失的情況)。除了上述方法以外，在柵極絕緣膜6中，形成使支配線1 露出的接觸孔13h，并且在接觸孔13h中設(shè)置與支配線1 連接的連接導(dǎo)體14，而且，通過(guò)設(shè)置與連接導(dǎo)體14連接的干配線13a，也可以連接干配線13a和支配線13b。而且，如后面在實(shí)施方式3中詳述的那樣，干配線13a與支配線13b還可以通過(guò)干配線13a直接連接。上述圖1示出作為連接導(dǎo)體14使用了與像素電極3相同的層的情況。在上述情況下，可以通過(guò)使用柵極總線GL和柵極電極層5形成用掩模、非晶硅膜 7形成用掩模、數(shù)據(jù)總線DL和源極、漏極電極層8形成用掩模、絕緣層10形成用掩模、像素電極3形成用掩模這5張掩模的5張掩模制造工序，將具備上述像素電極3的像素TFT元件2和柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13在TFT陣列基板1上同時(shí)形成。下面，更詳細(xì)地說(shuō)明柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13的形成方法。將上述非晶硅膜7形成用光掩模作為可以控制曝光量的中間色調(diào)掩模，在上述非晶硅膜7形成用光掩模和數(shù)據(jù)總線DL以及源極、漏極電極層8形成用光掩模中，設(shè)置圖案， 所述圖案與分別在柵極絕緣膜6和干配線13a中形成的接觸孔13h對(duì)應(yīng)。使用上述中間色調(diào)掩模，在柵極絕緣膜6的接觸孔1 形成部上，不形成抗蝕劑膜，在需要?dú)埩魱艠O絕緣膜6和非晶硅膜7的區(qū)域上，較厚地形成上述抗蝕劑膜，在需要僅除去非晶硅膜7而殘留柵極絕緣膜6的區(qū)域上，較薄地形成上述抗蝕劑膜，將上述抗蝕劑膜作為掩模進(jìn)行蝕刻，由此通過(guò)5張掩模制造工序，可以形成柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13。而且，通過(guò)使用上述中間色調(diào)掩模，還可以通過(guò)上述非晶硅膜7形成用掩模、上述數(shù)據(jù)總線DL和源極、漏極電極層8形成用掩模被一張化的4張掩模制造工序，形成柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13。在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體膜，使用非晶硅膜7，但是不限于此，也可以使用非晶
鍺、非晶硅/鍺、非晶硅/碳化鈣等。而且，作為上述半導(dǎo)體膜還可以使用多晶硅、多晶鍺、多晶硅/鍺、多晶硅/碳化鈣寸。此外，在本實(shí)施方式中，干配線13a，S卩，源極、漏極電極層8可以用鋁合金或鉬或
10CN 層疊了它們的膜來(lái)形成，但是不限于此，也可以用從鉭、鎢、鈦、鉬、鋁、銅、鉻、釹等中選擇的元素或以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料，根據(jù)需要形成為層疊結(jié)構(gòu)。另外，支配線1北，即，柵極電極5例如可以由鋁合金等形成，但是沒(méi)有特別限定， 也可以用從鉭、鎢、鈦、鉬、鋁、銅、鉻、釹等中選擇的元素或以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成。另外，可以是在以多晶硅等為代表的半導(dǎo)體膜中摻雜了磷、硼等雜質(zhì)的材料。另外，特別是在支配線1 是單層的鋁合金膜的情況下，當(dāng)形成圖案時(shí)，蝕刻部分易于成為陡峭形狀，跨越具有該形狀的配線的配線易于斷線。另外，作為柵極絕緣膜6例如可以使用SiNx、SiOx等無(wú)機(jī)膜，但是不限于此。此外，絕緣層10可以用例如具有0. 2 μ m 0. 8 μ m程度的厚度的SiNx等無(wú)機(jī)膜形成，沒(méi)有特別限定，也可以用Si0x、Si0N等無(wú)機(jī)膜形成。另外，不僅可以使用無(wú)機(jī)膜，還可以使用具有Iym 4μπι程度的厚度的感光性透明丙烯酸樹(shù)脂等有機(jī)膜。而且，可以是無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜的層疊結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述構(gòu)成，如圖1和圖2所示，是如下構(gòu)成線寬度較寬的干配線13a設(shè)置在比線寬度較窄的支配線Hb靠上的層，線寬度較寬的干配線13a跨越線寬度較窄的支配線 1 所形成的臺(tái)階，因此，難以發(fā)生斷線不良，可以提高成品率。另外，在干配線13a的光刻工序中，存在于下層的支配線1 的線寬度較窄，因此， 可以抑制反射光、形成在臺(tái)階部的抗蝕劑膜厚的不均勻性，可以提高圖案化精度。而且，因?yàn)榇嬖谟谙聦拥闹渚€13b的影響，通過(guò)與支配線13b的光刻工序相比圖案化精度差的干配線13a的光刻工序，形成線寬度較寬的干配線13a，因此，即使在線寬度中產(chǎn)生偏差，該偏差帶來(lái)的影響也較小。下面，舉出一個(gè)例子更詳細(xì)地說(shuō)明，在通過(guò)與支配線13b的光刻工序相比圖案化精度差的干配線13a的光刻工序而形成的干配線13a的線寬度偏差例如是士 Iym的情況下，干配線13a的線寬度(50 μ m)形成為與支配線1 的線寬度(5 μ m)相比粗10倍，因此， 較小地受到上述偏差的影響。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，在干配線13a與支配線1 連接的區(qū)域內(nèi)，干配線13a和支配線13b隔著柵極絕緣膜6在俯視時(shí)重疊，干配線13a和柵極絕緣膜6以支配線1 露出的方式形成，干配線13a和支配線13b由連接導(dǎo)體14連接。因此，與圖14所示的無(wú)法使干配線150和支配線160在連接區(qū)域內(nèi)重疊的上面已述的現(xiàn)有構(gòu)成的干配線150之間的間隔W相比，在上述圖1的構(gòu)成中，可以縮小干配線13a 之間的間隔Wl。S卩，可以縮小干配線13a之間的間隔W1，可以抑制形成柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線 13的周邊區(qū)域R2的增加。(變形例1)圖5是示出干配線13a的圖案化形狀的變形例的圖。雖未圖示，但是優(yōu)選干配線13a等寬度、等間距地形成為平行的直線狀。另外，成為如下構(gòu)成干配線13a與支配線1 連接的區(qū)域配置在干配線13a的下層。根據(jù)上述構(gòu)成，可以進(jìn)一步縮小干配線13a之間的間隔W2，可以進(jìn)一步抑制形成柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13的周邊區(qū)域R2的增加。另外，在通過(guò)從TFT陣列基板1的里面照射UV而固化的類(lèi)型的密封材料設(shè)置在柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13的形成區(qū)域上的情況下，上述等寬度、等間距地形成為平行的直線狀的多根干配線13a如狹縫那樣起作用，因此，對(duì)上述密封材料照射的UV照射量成為大致均勻的。因此，通過(guò)使用上述構(gòu)成，可以使上述密封材料無(wú)不均地均勻地固化，因此，可以抑制由于上述密封材料的未固化成分而發(fā)生可靠性問(wèn)題。(變形例2)圖6是示出干配線13a和支配線13b的另外其它的變形例的圖。如圖6所示，優(yōu)選干配線13a設(shè)有多根，與干配線13a中的配置在離柵極驅(qū)動(dòng)電路 11最遠(yuǎn)的位置的干配線13a相比，在離柵極驅(qū)動(dòng)電路11更遠(yuǎn)的位置，設(shè)有第2干配線15， 第2干配線15和連接第2干配線15與柵極驅(qū)動(dòng)電路11的第2支配線1 在與支配線13b 相同的層中形成，所述支配線13b與柵極總線GL和柵極電極層5是相同的層。第2干配線15和第2支配線15a從其配置上來(lái)看而不與支配線13b交叉，所述支配線1 在與柵極電極層5相同的層中形成，因此，可以在與支配線1 相同的層中形成， 所述支配線13b與柵極電極層5是相同的層。根據(jù)上述構(gòu)成，第2干配線15和連接第2干配線15與柵極驅(qū)動(dòng)電路11的第2支配線1 兩者均在與支配線1 相同的層中形成，因此，不需要用于連接第2干配線15和第2支配線15a的另外的接觸孔，可以提高成品率。另外，第2干配線15和第2支配線15a通過(guò)相同的層的圖案化來(lái)形成，因此，可以實(shí)現(xiàn)低電阻化。另外，如圖6所示，優(yōu)選與干配線13a中的配置在離柵極驅(qū)動(dòng)電路11最近的位置的干配線13a相比，在離柵極驅(qū)動(dòng)電路11更近的位置，設(shè)有第3干配線16，第3干配線16 和連接第3干配線16與柵極驅(qū)動(dòng)電路11的第3支配線16a在與干配線13a相同的層中形成，所述干配線13a與源極、漏極電極層8是相同的層。根據(jù)上述構(gòu)成，第3干配線16和第3支配線16a從其配置上來(lái)看，不與干配線13a 交叉，所述干配線13a在與源極、漏極電極層8相同的層中形成，因此，可以在與干配線13a 相同的層中形成，所述干配線13a與源極、漏極電極層8是相同的層。另外，第3干配線16和第3支配線16a兩者均在與干配線13a相同的層中形成， 因此，不需要用于連接第3干配線16和第3支配線16a的另外的接觸孔，可以進(jìn)一步提高成品率。另外，第3支配線16a在與源極、漏極電極層8相同的層中形成，因此，當(dāng)將第3支配線16a與柵極驅(qū)動(dòng)電路11所具備的晶體管的源極電極或漏極電極連接時(shí)，無(wú)需設(shè)置另外的轉(zhuǎn)換部件。(變形例3)圖7是示出干配線13a的另外其它的變形例的圖。如圖7所示，設(shè)有多根的干配線13a以由與支配線1 相同的層以及與像素電極 3相同的層形成的配線部分地層疊的，即，多層結(jié)構(gòu)來(lái)形成，干配線13a與上述配線電連接。如圖7所示，形成在干配線13a的下部的支配線1 的形狀與圖1相比，被較大地形成。另外，作為連接導(dǎo)體14，如圖2所示，使用了與像素電極3相同的層，干配線13a與支配線1 連接。在圖7中，在形成在干配線13a的下部的支配線1 上，形成2個(gè)連接點(diǎn)，在1根干配線13a中設(shè)置合計(jì)4個(gè)連接點(diǎn)，如果可以得到低電阻化效果，則上述連接點(diǎn)的數(shù)量沒(méi)有特別限定。S卩，優(yōu)選設(shè)有多根的干配線13a以由與支配線1 相同的層和/或與像素電極3 相同的層形成的配線部分地層疊的，即，多層結(jié)構(gòu)來(lái)形成，干配線13a與上述配線電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，干配線13a部分地具有多層結(jié)構(gòu)，因此，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化。而且，優(yōu)選第2干配線15以由與干配線13a相同的層和/或與像素電極3相同的層形成的配線層疊的，即，多層結(jié)構(gòu)來(lái)形成，所述干配線13a與源極、漏極電極層8是相同的層，第2干配線15與上述配線電連接。如圖7所示，在第2干配線15上形成有層17，所述層17由與干配線13a相同的層構(gòu)成，并且具備接觸孔1 并具有與第2干配線15大致相同的形狀。另外，如圖2所示，作為連接導(dǎo)體14，使用與像素電極3相同的層，第2干配線15 與上述層17連接。此外，在圖7中，在1根第2干配線15上設(shè)置3個(gè)該連接點(diǎn)，但是如果可以得到低電阻化的效果，則可以在信號(hào)輸入端部和終端部分別設(shè)置2點(diǎn)，上述連接點(diǎn)的數(shù)量沒(méi)有特別限定。根據(jù)上述構(gòu)成，第2干配線15具有多層結(jié)構(gòu)，因此，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化。[實(shí)施方式2]下面，根據(jù)圖8說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。本實(shí)施方式在設(shè)有分別與干配線13a 和第2干配線15以及第3干配線16連接的端子部18方面與實(shí)施方式1不同，其它的構(gòu)成如在實(shí)施方式1中所說(shuō)明的。為了便于說(shuō)明，對(duì)于具有與上述實(shí)施方式1的附圖所示部件相同的功能的部件，附上相同的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。優(yōu)選分別與干配線13a和第2干配線15以及第3干配線16連接、用于輸入來(lái)自外部的信號(hào)的端子部18均用相同材料形成。圖8示出所有的端子部18在與支配線1 相同的層中形成的例子，所述支配線 13b與柵極電極層5是相同的層。如圖8所示，第2干配線15在與支配線1 相同的層中形成，所述支配線13b與柵極電極層5是相同的層，與第2干配線15連接的端子部18也在與支配線1 相同的層中形成。另一方面，多根干配線13a和第3干配線16在與源極、漏極電極層8相同的層中形成，因此，需要如下構(gòu)成與端子部18電連接，所述端子部18在與柵極電極層5相同的層中形成。在本實(shí)施方式中，如圖2所示，作為連接導(dǎo)體14使用與像素電極3相同的層，使多根干配線13a和第3干配線16與從端子部18延伸的配線連接。在端子部18與對(duì)上述端子部18輸入信號(hào)的外部電路的連接中，例如，使用3 μ m 5 μ m程度的導(dǎo)電性顆粒等，但是當(dāng)在每一個(gè)端子部18中的膜構(gòu)成不同時(shí)，產(chǎn)生如下問(wèn)題產(chǎn)生膜厚差，易于發(fā)生接觸不良。另外，作為接觸檢查，例如在進(jìn)行導(dǎo)電性顆粒的壓痕檢查的情況下，當(dāng)在每一個(gè)端子部18中的膜厚不同時(shí)，存在其判定標(biāo)準(zhǔn)變得復(fù)雜的問(wèn)題。根據(jù)上述構(gòu)成，端子部18均在與相同材料的柵極電極層5相同的層中形成，因此， 不會(huì)發(fā)生該問(wèn)題。在圖8中，將所有的端子部18在與柵極電極層5相同的層中形成，當(dāng)然也可以在與源極、漏極電極層8相同的層中形成。而且，優(yōu)選端子部18具備上部電極18a和下部電極18b，下部電極18b在與柵極電極層5相同的層中形成，上部電極18a在與源極、漏極電極層8相同的層或與像素電極3相同的層中形成，上部電極18a與下部電極18b電連接。在圖8中，下部電極18b在與柵極電極層5相同的層中形成，上部電極18a在與像素電極3相同的層中形成，上部電極18a與下部電極18b通過(guò)接觸孔18h電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，端子部18的上部電極18a在與像素電極3相同的層中形成，下部電極18b在與柵極電極層5相同的層中形成，因此，無(wú)需追加用于形成端子部18的另外的工序。而且，優(yōu)選端子部18和第2端子部12用相同材料形成，所述第2端子部12例如圖4所示，用于從外部輸入另外其它的信號(hào)。在本實(shí)施方式中，端子部18和第2端子部12的上部電極18a在與像素電極3相同的層中形成，下部電極18b在與柵極電極層5相同的層中形成。根據(jù)上述構(gòu)成，TFT陣列基板1所具備的端子部12、18全部用相同材料形成，因此，在進(jìn)行上述接觸不良問(wèn)題、導(dǎo)電性顆粒的壓痕檢查的情況下，不會(huì)發(fā)生其判定標(biāo)準(zhǔn)變得復(fù)雜的問(wèn)題。[第3實(shí)施方式]下面，根據(jù)圖9和圖10說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。本實(shí)施方式在露出的支配線 13b與干配線13a直接連接方面與實(shí)施方式1不同，其它的構(gòu)成如在實(shí)施方式1中所說(shuō)明的。為了便于說(shuō)明，對(duì)于具有與上述實(shí)施方式1的附圖所示部件相同的功能的部件，附上相同的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。圖9是示出TFT陣列基板1所具備的其它的柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13。另外，圖10是圖9的B-B'截面圖，示出干配線13a與支配線13b的連接部的情況。如圖9和圖10所示，干配線13a在與源極、漏極電極層8相同的層中形成，與柵極驅(qū)動(dòng)電路11連接的支配線1 在與柵極電極層5相同的層中形成。另外，在干配線13a和支配線13b之間，設(shè)有柵極絕緣膜6，干配線13a和支配線 13b俯視時(shí)重疊，在連接的區(qū)域內(nèi)，在柵極絕緣膜6中形成有接觸孔6h，使支配線1 露出。如圖9和圖10所示，通過(guò)形成在接觸孔6h的干配線13a將露出的支配線13b與干配線13a直接連接。根據(jù)上述構(gòu)成，干配線13a與支配線1 在所連接的區(qū)域內(nèi)通過(guò)干配線13a連接。S卩，作為連接導(dǎo)體14，原樣使用干配線13a，由此無(wú)需追加另外形成連接導(dǎo)體14的工序。因此，將上面已述的非晶硅膜7形成用光掩模作為可以控制曝光量的中間色調(diào)掩模，在非晶硅膜7上設(shè)置具有不同的膜厚的抗蝕劑膜，由此可以通過(guò)5張掩模制造工序，形成柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13。而且，根據(jù)上述構(gòu)成，在TFT陣列基板1的周邊區(qū)域的形成柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13的區(qū)域內(nèi)，未配置與像素電極3相同的層。因此，當(dāng)貼合TFT陣列基板1與相對(duì)基板(未圖示)時(shí)所用的密封材料即使配置在柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13所形成的區(qū)域內(nèi)，也可以抑制密封材料內(nèi)的密封間隔物(例如，直徑為幾微米的棒狀玻璃纖維等)造成的2次接觸不良。另外，即使在將用于從TFT陣列基板1向上述相對(duì)基板側(cè)提供信號(hào)的導(dǎo)電材料 (例如，涂有金、銀的珠)混入上述密封材料的情況下，也可以抑制漏電不良。另外，在支配線1 是作為柵極電極層5而示例的單層鋁合金膜的情況下，當(dāng)形成圖案時(shí)，蝕刻部分易于成為陡峭的形狀，跨越具有該形狀的配線的配線易于斷線。因此，如圖9所示，用較粗地形成的干配線13a來(lái)跨越具有上述形狀的支配線13b 的構(gòu)成在提高成品率方面是有效的。[實(shí)施方式4]下面，根據(jù)圖11說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。為了便于說(shuō)明，對(duì)于具有與上述實(shí)施方式1 3的附圖所示部件相同的功能的部件，附上相同的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。圖11示出TFT陣列基板1所具備的另外其它的柵極驅(qū)動(dòng)電路用信號(hào)配線13。在上述實(shí)施方式1 3中，以干配線13a是等寬度的為前提進(jìn)行了說(shuō)明，但是在本實(shí)施方式中，如圖11所示，較粗地形成一部分配線13a'。如圖所示，越是離柵極驅(qū)動(dòng)電路11近的干配線13a、13a'，與支配線13b的交叉部的數(shù)量越多，負(fù)荷越大，因此，優(yōu)選越是形成在柵極驅(qū)動(dòng)電路11的附近的干配線13a、 13a'，其線寬度設(shè)置得越窄。配置在離柵極驅(qū)動(dòng)電路11最遠(yuǎn)的位置的干配線13a'從其配置上來(lái)看，不與支配線13b交叉。即，即使較粗地形成干配線13a'，在干配線13a'與支配線13b的交叉部所產(chǎn)生的電容也不會(huì)增加。因此，優(yōu)選將希望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化的配線配置在離柵極驅(qū)動(dòng)電路11最遠(yuǎn)的位置。例如，柵極截止電位與在各像素中保持液晶施加電壓的期間的、TFT的漏電電流有關(guān)聯(lián)，關(guān)系到對(duì)比度降低、顯示不均等顯示質(zhì)量，因此，優(yōu)選使提供該電位的配線進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化，使信號(hào)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化。即，優(yōu)選將提供柵極截止電位的干配線配置在離柵極驅(qū)動(dòng)電路11最遠(yuǎn)的位置。此外，優(yōu)選在本實(shí)施方式中，在還設(shè)置圖8所示的、第2干配線15、第2支配線15a、 第3干配線16以及第3干配線16a的情況下，在支配線1 和/或第2支配線15a(在圖 11中未圖示)與干配線13a和/或第3干配線16 (在圖11中未圖示)的交叉部，上述各配線13a、13b、15a、16以其線寬度變窄的方式設(shè)置，使得俯視時(shí)重疊的面積變小。在本實(shí)施方式中，如圖11所示，在干配線13a與支配線13b的交叉部，干配線13a 的線寬度被較窄地形成。根據(jù)上述構(gòu)成，干配線13a中間變細(xì)，使得干配線13a與支配線1 在交叉部在俯視時(shí)重疊的面積變小，因此，可以抑制在交叉部可能產(chǎn)生的電容。
另外，如圖11所示，可以在柵極驅(qū)動(dòng)電路11和5根干配線13a'、13a、13a、13a、 13a之間形成其它的配線19。即，可以不在柵極驅(qū)動(dòng)電路11的緊鄰處配置干配線13a'、13a、13a、13a、13a。其它的配線19可以是顯示區(qū)域配線的斷線修復(fù)用配線、檢查信號(hào)線、相對(duì)(共用) 電極用配線、輔助電容配線等。另外，在上述實(shí)施方式1中，如圖3所示，為了露出支配線13b，在干配線13a中形成有長(zhǎng)方形的接觸孔13h，但是在本實(shí)施方式中，如圖11所示，在干配線13a中形成有異形的接觸孔20。如上，為了露出支配線13b，就設(shè)置在干配線13a、柵極絕緣膜6中的接觸孔而言， 其形狀沒(méi)有特別限定。作為本發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置的一個(gè)例子的液晶顯示裝置是具備上述TFT 陣列基板1的構(gòu)成。因此，可以實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量良好的、可靠性高的液晶顯示裝置。雖然省略圖示，但是上述液晶顯示裝置例如具備TFT陣列基板1和與其相對(duì)的彩色濾光片基板，具有在該基板之間用密封材料封入了液晶層的構(gòu)成。在上面的說(shuō)明中，作為有源矩陣型顯示裝置的一個(gè)例子，使用液晶顯示裝置進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限于此，當(dāng)然也可以在有機(jī)EL顯示裝置等其它的有源矩陣型顯示裝置中使用TFT陣列基板1。另外，除了顯示裝置以外，上述TFT陣列基板1還可以在X線傳感器等讀取裝置中使用。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述像素電極形成在比上述干配線和上述支配線靠上的層，在上述干配線中形成有貫通孔，所述貫通孔的至少一部分與上述接觸孔重疊， 上述支配線與上述干配線通過(guò)設(shè)置在上述接觸孔和上述貫通孔中的連接導(dǎo)體電連接，上述連接導(dǎo)體由與上述像素電極相同的層的材料形成。根據(jù)上述構(gòu)成，在上述干配線與上述支配線連接的區(qū)域內(nèi)，上述支配線和上述干配線通過(guò)與上述像素電極相同的層連接。因此，可以不追加另外的工序地連接上述支配線與上述干配線。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述連接導(dǎo)體是干配線。根據(jù)上述構(gòu)成，在上述干配線與上述支配線電連接的區(qū)域內(nèi)，上述支配線和上述干配線通過(guò)上述干配線連接。在上述支配線與上述干配線的連接中，原樣使用上述干配線，由此可以不追加另外的工序地連接上述支配線與上述干配線。因此，不會(huì)發(fā)生由在光刻工序中的像素電極材料的形成不良、在接觸孔的錐形部的像素電極材料的斷線所造成的上述干配線與上述支配線的連接不良。而且，根據(jù)上述構(gòu)成，在上述有源矩陣基板中，在作為上述支配線與上述干配線連接的區(qū)域的周邊區(qū)域內(nèi)，未配置像素電極材料。因此，在上述周邊區(qū)域內(nèi)，即使配置當(dāng)貼合上述有源矩陣基板與相對(duì)基板時(shí)所用的密封材料，也可以抑制密封材料內(nèi)的密封間隔物造成的2次接觸不良。另外，即使在將用于從上述有源矩陣基板向相對(duì)基板側(cè)提供信號(hào)的導(dǎo)電材料混入上述密封材料的情況下，也可以抑制漏電不良。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述干配線設(shè)有多根，離上述驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的位置的干配線的線寬度比其它的干配線的線寬度寬。配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的位置的干配線從其配置上來(lái)看，不與上述支配線交叉。因此，即使較粗地形成上述干配線，在上述干配線與上述支配線的交叉部所產(chǎn)生的電容也不會(huì)增加。根據(jù)上述構(gòu)成，可以將配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的位置的干配線的線寬度較粗地形成，可以實(shí)現(xiàn)低電阻化。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述干配線的線寬度越在上述驅(qū)動(dòng)電路的附近形成，越窄地設(shè)置。越是離上述驅(qū)動(dòng)電路近的干配線，與上述支配線的交叉部的數(shù)量越多，負(fù)荷越大， 因此，較窄地設(shè)置其線寬度，可以抑制在交叉部所產(chǎn)生的電容。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述干配線設(shè)有多根，被等寬度、等間距地設(shè)置為平行的直線狀。根據(jù)上述構(gòu)成，例如，在通過(guò)從上述有源矩陣基板的里面照射UV而固化的類(lèi)型的密封材料配置在干配線部上的情況下，上述等寬度、等間距地形成為平行的直線狀的多根干配線如狹縫那樣起作用，因此，對(duì)上述密封材料照射的UV照射量成為均勻的。因此，通過(guò)使用上述構(gòu)成，可以使上述密封材料無(wú)不均地均勻地固化。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，由與上述支配線相同的層和/或與上述像素電極相同的層形成的配線部分地層疊于上述干配線，上述干配線與該配線電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，上述干配線部分地具有層疊結(jié)構(gòu)，因此，可以使上述干配線進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化。因此，可以縮小配線區(qū)域，可以使顯示裝置實(shí)現(xiàn)小型化。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，在與配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的位置的干配線相比，離上述驅(qū)動(dòng)電路更遠(yuǎn)的位置，設(shè)有第2干配線，上述第2干配線和第2支配線在與上述支配線相同的層中形成，所述第2支配線電連接上述第2干配線和上述驅(qū)動(dòng)電路。上述第2干配線從其配置上來(lái)看，不與上述支配線交叉，因此，可以在與上述支配線相同的層中形成。根據(jù)上述構(gòu)成，上述第2干配線和連接上述第2干配線與上述驅(qū)動(dòng)電路的第2支配線兩者均在與上述支配線相同的層中形成，因此，無(wú)需用于連接上述第2干配線與上述第2支配線的接觸孔，可以進(jìn)一步提高成品率。另外，上述第2干配線和連接上述第2干配線與上述驅(qū)動(dòng)電路的第2支配線通過(guò)與上述支配線相同的層的圖案化來(lái)形成，因此，可以實(shí)現(xiàn)低電阻化。 優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，由與上述干配線相同的層和/或與上述像素電極相同的層形成的配線層疊于上述第2干配線，上述第2干配線與該配線電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，上述第2干配線具有層疊結(jié)構(gòu)，因此，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化。因此，可以縮小配線區(qū)域，可以使顯示裝置實(shí)現(xiàn)小型化。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，在上述支配線和/或上述第2支配線與上述干配線的交叉部，為了使俯視時(shí)重疊的面積變小，上述各配線以其線寬度變窄的方式設(shè)置。
根據(jù)上述構(gòu)成，可以抑制在上述交叉部可能產(chǎn)生的電容。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，在與配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最近的位置的干配線相比離上述驅(qū)動(dòng)電路更近的位置，設(shè)有第3干配線，電連接上述第3干配線與上述驅(qū)動(dòng)電路的第3支配線在與上述干配線相同的層中形成。根據(jù)上述構(gòu)成，從配置上來(lái)看，上述第3干配線不與上述干配線交叉，因此，可以在與上述干配線相同的層中形成上述第3支配線。另外，上述第3干配線與上述第3支配線兩者均在與上述干配線相同的層中形成， 因此，無(wú)需用于連接該配線彼此的另外的接觸孔，可以進(jìn)一步提高成品率。另外，例如，在上述驅(qū)動(dòng)電路所具備的晶體管是底柵型的情況下，上述第3支配線可以不設(shè)置另外的轉(zhuǎn)換部件地與上述晶體管的源極電極或漏極電極連接。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，與上述干配線電連接的用于輸入來(lái)自外部的信號(hào)的端子部均用相同材料形成。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，與上述干配線、上述第2干配線電連接的用于輸入來(lái)自外部的信號(hào)的端子部均用相同材料形成。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述端子部與第3干配線電連接，所述第3干配線設(shè)置在與配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最近的位置的干配線相比離上述驅(qū)動(dòng)電路更近的位置， 上述端子部均用相同材料形成。在上述端子部與對(duì)上述端子部輸入信號(hào)的外部電路的連接中，例如使用導(dǎo)電性顆粒等，但是當(dāng)在上述每一個(gè)端子部中的膜構(gòu)成不同時(shí)，存在如下問(wèn)題易于產(chǎn)生膜厚差、發(fā)生接觸不良。另外，作為接觸檢查，例如，在進(jìn)行導(dǎo)電性顆粒的壓痕檢查的情況下，存在如下問(wèn)題當(dāng)在每一個(gè)端子中的膜厚不同時(shí)，其判定標(biāo)準(zhǔn)變得復(fù)雜。根據(jù)上述構(gòu)成，上述端子部均用相同材料形成，因此，不會(huì)發(fā)生該問(wèn)題。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述端子部具備上部電極和下部電極，上述下部電極在與上述支配線相同的層中形成，上述上部電極在與上述干配線相同的層或與上述像素電極相同的層中形成，上述下部電極與上述上部電極電連接。根據(jù)上述構(gòu)成，上述端子部的上部電極在與上述干配線相同的層或與上述像素電極相同的層中形成，上述端子部的下部電極在與上述支配線相同的層中形成，因此，無(wú)需追加用于形成上述端子部的另外的工序。優(yōu)選在本發(fā)明的有源矩陣基板中，上述端子部和用于從外部還輸入其它的信號(hào)的第2端子部用相同材料形成。根據(jù)上述構(gòu)成，上述有源矩陣基板所具備的端子部全部用相同材料形成，因此，在進(jìn)行上述接觸不良的問(wèn)題、導(dǎo)電性顆粒的壓痕檢查的情況下，不會(huì)產(chǎn)生其判定標(biāo)準(zhǔn)變得復(fù)雜的問(wèn)題。本發(fā)明不限于上述各實(shí)施方式，在權(quán)利要求示出的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更，將在不同的實(shí)施方式中分別公開(kāi)的技術(shù)方案適當(dāng)組合所得到的實(shí)施方式也包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明可以在以液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示裝置為代表的有源矩陣型顯示裝置中使用。另外，除了顯示裝置以外，還可以在X線傳感器等讀取裝置中使用。附圖標(biāo)記說(shuō)明ITFT陣列基板(有源矩陣基板)2像素TFT元件(TFT元件)3像素電極4絕緣基板5柵極電極層(多個(gè)電極層)6柵極絕緣膜(絕緣層)8源極、漏極電極層(多個(gè)電極層)11柵極驅(qū)動(dòng)電路(驅(qū)動(dòng)電路)12第2端子部13a、13a'干配線13b支配線1 接觸孔、貫通孔13h'第2接觸孔14連接導(dǎo)體15第2干配線1 第2支配線16第3干配線16a第3支配線17 配線18端子部Rl顯示區(qū)域R2周邊區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，其特征在于， 具備絕緣基板；TFT元件，其形成在上述絕緣基板上；顯示區(qū)域，其矩陣狀地設(shè)置有與上述TFT元件電連接的像素電極；以及周邊區(qū)域，其設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)上述TFT元件的驅(qū)動(dòng)電路， 上述顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域是上述周邊區(qū)域， 在上述周邊區(qū)域具備與上述驅(qū)動(dòng)電路電連接的多根支配線， 還具備與上述支配線中的一根電連接的干配線， 在上述TFT元件中具備多個(gè)電極層，上述支配線和上述干配線在與上述電極層相同的層的電極層中形成， 上述支配線由上述TFT元件所具備的多個(gè)電極層中的比形成上述干配線的上述電極層靠下層的電極層形成，在上述干配線和上述支配線之間設(shè)有絕緣層， 上述干配線與上述支配線中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配線的線寬度設(shè)置得比上述支配線的線寬度寬，并且在上述干配線與上述支配線中的一根電連接的區(qū)域內(nèi)，上述干配線與上述支配線在俯視時(shí)重疊，在上述絕緣層中形成有接觸孔，使得上述支配線中的一根露出，上述支配線中的一根與上述干配線通過(guò)設(shè)置在上述接觸孔中的連接導(dǎo)體電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述像素電極形成在比上述干配線和上述支配線靠上的層， 在上述干配線中形成有貫通孔，所述貫通孔的至少一部分與上述接觸孔重疊， 上述支配線與上述干配線通過(guò)設(shè)置在上述接觸孔和上述貫通孔中的連接導(dǎo)體電連接， 上述連接導(dǎo)體由與上述像素電極相同的層的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于， 上述連接導(dǎo)體是干配線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述干配線設(shè)有多根，離上述驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的位置的干配線的線寬度比其它的干配線的線寬度寬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于， 上述干配線的線寬度，越是在上述驅(qū)動(dòng)電路的附近形成的，設(shè)置得越窄。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于， 上述干配線設(shè)有多根，被等寬度、等間距地設(shè)置為平行的直線狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，由與上述支配線相同的層和/或與上述像素電極相同的層形成的配線部分地層疊于上述干配線，上述干配線與該配線電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，在與配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的位置的干配線相比，離上述驅(qū)動(dòng)電路更遠(yuǎn)的位置，設(shè)有第2干配線，上述第2干配線和第2支配線在與上述支配線相同的層中形成，所述第2支配線電連接上述第2干配線和上述驅(qū)動(dòng)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有源矩陣基板，其特征在于，由與上述干配線相同的層和/或與上述像素電極相同的層形成的配線層疊于上述第2 干配線，上述第2干配線與該配線電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的有源矩陣基板，其特征在于， 在上述支配線和/或上述第2支配線與上述干配線的交叉部，為了使俯視時(shí)重疊的面積變小，上述各配線以其線寬度變窄的方式設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，在與配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最近的位置的干配線相比離上述驅(qū)動(dòng)電路更近的位置，設(shè)有第3干配線，電連接上述第3干配線與上述驅(qū)動(dòng)電路的第3支配線在與上述干配線相同的層中形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于， 與上述干配線電連接的用于輸入來(lái)自外部的信號(hào)的端子部均用相同材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，與上述干配線、上述第2干配線電連接的用于輸入來(lái)自外部的信號(hào)的端子部均用相同材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述端子部與第3干配線電連接，所述第3干配線在與配置在離上述驅(qū)動(dòng)電路最近的位置的干配線相比，設(shè)置在離上述驅(qū)動(dòng)電路更近的位置， 上述端子部均用相同材料形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于， 上述端子部具備上部電極和下部電極，上述下部電極在與上述支配線相同的層中形成，上述上部電極在與上述干配線相同的層或與上述像素電極相同的層中形成， 上述下部電極與上述上部電極電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于， 上述端子部和用于從外部還輸入其它的信號(hào)的第2端子部用相同材料形成。
17.一種有源矩陣型顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1至16中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板。
全文摘要
線寬度較寬的干配線(13a)設(shè)置在比線寬度較窄的支配線(13b)靠上的層，在干配線(13a)與支配線(13b)電連接的區(qū)域內(nèi)，干配線(13a)和支配線(13b)隔著柵極絕緣膜在俯視時(shí)重疊，在上述柵極絕緣膜中形成有接觸孔，使得支配線(13b)露出，干配線(13a)與支配線(13b)通過(guò)設(shè)置在接觸孔中的連接導(dǎo)體電連接。因此，可以實(shí)現(xiàn)難以發(fā)生斷線不良、線寬度異常的、能夠抑制驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的擴(kuò)大的TFT陣列基板。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102473368SQ201080031668
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者吉田昌弘, 小笠原功, 田中信也 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社