專利名稱：受光元件的制作方法、受光元件制作裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及受光元件的制作方法，涉及不需進(jìn)行材料的選定即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件的受光元件的制作方法、受光元件制作裝置。
背景技術(shù)：
受光元件在對PN結(jié)施加反向偏置電壓而使之形成耗盡層的狀態(tài)下進(jìn)行受光。入射到受光元件的受光表面的光在被稱為光吸收層的能帶較小的區(qū)域中被吸收，使該光吸收層產(chǎn)生載波。由于光吸收而產(chǎn)生的載波通過基于被施加了反向偏置電壓的內(nèi)部電場梯度而被加速，并被檢測為電氣信號?？墒?，為了使該受光元件對某個特定的波長具有敏感度，需要選定具有能帶小于基于該波長的光子能的材料。但是，在當(dāng)今社會中，光技術(shù)在安全性等方面的應(yīng)用這種多樣化且高度的社會需求日趨高漲，針對可受光波長的要求涉及許多方面。因此，在重新對受光元件設(shè)定具有敏感度的波長、或者針對以前制作的受光元件將具有敏感度波長切換為其它波長的情況下，每次必須進(jìn)行材料的選定，存在制作勞力的負(fù)擔(dān)增大的問題。因此，一直在尋求無需進(jìn)行材料的選定即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件的制作技術(shù)。此外，在截止到目前所提出的受光元件中，由于材料技術(shù)的限制，使得能夠具有受光敏感度的波長區(qū)域受到限制。在這種現(xiàn)有的受光元件中，即使在入射了無法進(jìn)行光電變換的波長的光的情況下，只要能夠?qū)ζ溥M(jìn)行光電變換，就能夠應(yīng)對與可受光波長相關(guān)的各種用途。近年來，提出了如非專利文獻(xiàn)1所述的如下技術(shù)，利用基于近場光的非絕熱過程， 僅檢測對傳播光不具有敏感度的近場光。但是，在上述非專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，其關(guān)注點不在于如何不進(jìn)行材料的選定即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn) 1 :T. Kawazoe> K. Kobyashi、S. Takubo> and Μ. Ohtsu、J. Chem. Phys.， Vol. 122，No. 2，January 2005，pp.024715 1-
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明正是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，提供一種受光元件的制作方法、 受光元件制作裝置，不需進(jìn)行材料的選定，即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件。用于解決問題的手段為了解決上述問題，本申請權(quán)利要求1所述的受光元件的制作方法，該受光元件具有將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合而成的PN結(jié)、和分別與所述P型半導(dǎo)體及N型半導(dǎo)體連接的各個電極，所述受光元件的制作方法的特征在于，該制作方法包括沉積工序，在對構(gòu)成所述P型半導(dǎo)體、所述N型半導(dǎo)體、所述各個電極中任意一方的材料施加反向偏置電壓的同時，照射波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光而進(jìn)行沉積，所述沉積工序包括非絕熱流程，在所述沉積的材料表面中形成有能夠借助所述期望波長的照射光而產(chǎn)生近場光的局部形狀的部位連續(xù)進(jìn)行以下處理通過基于在該局部形狀處產(chǎn)生的近場光的非絕熱過程對所述期望波長的照射光進(jìn)行光吸收而生成電子，同時利用該生成的電子來消除在該局部形狀處產(chǎn)生的基于所述反向偏置電壓的局部電場；粒子吸附流程，在沒有形成所述局部形狀的部位，使在產(chǎn)生了基于所述反向偏置電壓的局部電場的部位依次吸附構(gòu)成所述材料的粒子，在經(jīng)過該吸附處理而形成了所述局部形狀的情況下向所述非絕熱流程轉(zhuǎn)移。本申請權(quán)利要求2所述的受光元件的制作方法的特征在于，在權(quán)利要求1所述的發(fā)明中，通過持續(xù)執(zhí)行所述非絕熱流程和所述粒子吸附流程，在所述待沉積的材料表面上依次形成所述局部形狀。本申請權(quán)利要求3所述的受光元件的特征在于，該受光元件是利用權(quán)利要求1或 2所述的制作方法制作的。本申請權(quán)利要求4所述的受光元件制作裝置用于制作受光元件，該受光元件具有將ρ型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合而成的PN結(jié)、和分別與所述P型半導(dǎo)體及N型半導(dǎo)體連接的各個電極，所述受光元件制作裝置的特征在于，所述受光元件制作裝置具有電壓施加單元，其對構(gòu)成所述P型半導(dǎo)體、所述N型半導(dǎo)體、所述各個電極中任意一方的材料施加反向偏置電壓；以及沉積單元，其照射波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光而進(jìn)行沉積，所述沉積單元執(zhí)行以下步驟非絕熱流程，在所述沉積的材料表面中形成有能夠借助所述期望波長的照射光而產(chǎn)生近場光的局部形狀的部位連續(xù)進(jìn)行以下處理通過基于在該局部形狀處產(chǎn)生的近場光的非絕熱過程對所述期望波長的照射光進(jìn)行光吸收而生成電子，同時利用該生成的電子來消除在該局部形狀處產(chǎn)生的基于所述反向偏置電壓的局部電場；粒子吸附流程，在沒有形成所述局部形狀的部位，使在產(chǎn)生了基于所述反向偏置電壓的局部電場的部位依次吸附構(gòu)成所述材料的粒子，在經(jīng)過該吸附處理而形成了所述局部形狀的情況下向所述非絕熱流程轉(zhuǎn)移。發(fā)明效果根據(jù)包括上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，無需進(jìn)行材料的選定，即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件。


圖1是表示用于實現(xiàn)應(yīng)用了本發(fā)明的受光元件的制作方法的濺射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示實際設(shè)置在臺上的受光元件的具體結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示在對構(gòu)成N型半導(dǎo)體的材料進(jìn)行濺射沉積時的材料表面的微觀狀態(tài)的圖。圖4是表示N型半導(dǎo)體的材料的勢能的概念圖的圖。圖5是表示用于說明非絕熱過程的、利用彈簧置換各個原子的結(jié)合的模型的圖。圖6是表示繼續(xù)執(zhí)行非絕熱流程(flow)和粒子吸附流程的圖。
圖7是用于說明利用了非絕熱過程的受光處理的圖。圖8是表示經(jīng)過應(yīng)用了本發(fā)明的受光元件的制作方法而制作的受光元件對光電流的波長依賴性的圖。
具體實施例方式下面，詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。圖1表示用于實現(xiàn)應(yīng)用了本發(fā)明的受光元件的制作方法的濺射裝置3的結(jié)構(gòu)。該濺射裝置3構(gòu)成為在容器(chamber) 31內(nèi)設(shè)置受光元件1、用于設(shè)置受光元件1 的臺32、在與受光元件1對置的一側(cè)設(shè)置的靶標(biāo)34、和安裝有該靶標(biāo)34的電極35，并且構(gòu)成為在該容器31的外部具有與電極35連接設(shè)置的電源36、和設(shè)置在容器31的側(cè)邊等的光振蕩器37。在濺射裝置3中，將容器31內(nèi)部排氣到約KT2Torr后，導(dǎo)入氬氣等惰性氣體，利用電源36對電極施加電壓而使其放電。由此，能夠在靶標(biāo)34表面附近形成等離子狀態(tài)。該生成的等離子的電位通常高于靶標(biāo)34表面，因而在等離子與靶標(biāo)34之間產(chǎn)生直流電場。惰性氣體中的Ar+等正離子借助該產(chǎn)生的電場而加速，并撞擊靶標(biāo)34表面，其結(jié)果是產(chǎn)生濺射，從而靶標(biāo)34上的微粒被依次釋放出來。另外，該釋放的微粒不與惰性氣體的分子撞擊， 而是沉積在受光元件1上。圖2表示實際設(shè)置在臺32上的受光元件1的具體結(jié)構(gòu)。該受光元件具有被層疊在基板11上的第1電極12、與第1電極12連接的N型半導(dǎo)體13、與N型半導(dǎo)體13之間構(gòu)成PN結(jié)的P型半導(dǎo)體14、以及與P型半導(dǎo)體14連接的第2電極15。該第1電極12、第2 電極15與電源17連接，并被施加反向偏置電壓，使N型側(cè)為正電壓、P型側(cè)為負(fù)電壓?；?1用所謂藍(lán)寶石、硅酮等的基板等構(gòu)成。并且，第1電極12用透明電極等構(gòu)成，例如可以使用ITOandium Tin Oxide 氧化銦錫)。第2電極15例如可以使用Ag等。但是，這些第1電極12、第2電極15不限于這些材料，可以采用任何材料。N型半導(dǎo)體13例如可以使用以SiOjn2OySnO2等為代表的半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體14 可以使用聚噻吩(P3HT)等。但是，這些構(gòu)成PN結(jié)的N型半導(dǎo)體13、P型半導(dǎo)體14不限于這些材料，可以采用任何材料。電源17用穩(wěn)定直流電源、電池等構(gòu)成。在應(yīng)用了本發(fā)明的受光元件的制作方法中，通過濺射使構(gòu)成P型半導(dǎo)體14、N型半導(dǎo)體13、各個電極12、15中任意一方的材料沉積。在該沉積工序中，針對由所述P型半導(dǎo)體 14、N型半導(dǎo)體13構(gòu)成的PN結(jié)，施加反向偏置電壓，并由光振蕩器37出射波長比待沉積的材料的吸收波長長的光。由該光振蕩器37出射的光通過窗口 31a被引導(dǎo)到受光元件1上。 下面，將由該光振蕩器37出射的光的波長稱為期望波長。下面，以對構(gòu)成該受光元件1中P型半導(dǎo)體14、N型半導(dǎo)體13、各個電極12、15中的N型半導(dǎo)體I3的材料進(jìn)行濺射沉積的情況為例進(jìn)行說明。圖3表示在對構(gòu)成該N型半導(dǎo)體13的材料進(jìn)行濺射沉積時的材料表面的微觀狀態(tài)。在N型半導(dǎo)體13的表面產(chǎn)生基于反向偏置電壓的局部電場。在產(chǎn)生該局部電場的部位依次吸附有構(gòu)成N型半導(dǎo)體13的材料的粒子51。通過該吸附處理，材料依次沉積在N型半導(dǎo)體13的表面。下面，將粒子51依次被該局部電場吸附的流程稱為粒子吸附流程。另外，在執(zhí)行這種濺射沉積的過程中，存在偶然形成例如圖3所示的局部形狀M 的情況。該局部形狀M是在照射了上述期望波長的光時能夠更有效地產(chǎn)生近場光的形狀。能夠產(chǎn)生這種近場光的局部形狀M根據(jù)照射過來的光的波長而不同。因此，在變更期望波長的情況下，能夠產(chǎn)生近場光的局部形狀M當(dāng)然也因此而不同。即，該局部形狀 54是每個期望波長特有的形狀。能夠針對此次照射的期望波長有效地產(chǎn)生近場光的局部形狀M如果是圖3所示的形狀，當(dāng)在其它部位臨時形成局部形狀M的情況下，在該部位也同樣產(chǎn)生基于期望波長的近場光。如果產(chǎn)生這種近場光，將產(chǎn)生諸如下面說明的非絕熱過程。圖4表示N型半導(dǎo)體 13的材料的勢能的概念圖。構(gòu)成N型半導(dǎo)體13的材料的原子在原子核間距離保持固定的狀態(tài)下是穩(wěn)定的。但是，分子軌跡中的電子被光子能激勵。關(guān)于該非絕熱過程，可以考慮按照圖5所示利用彈簧置換各個原子的結(jié)合的模型。通常，傳播光的波長遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于分子的尺寸，因而按照分子級別在空間上被視為一樣的電場。其結(jié)果是如圖5(a)所示，經(jīng)由彈簧而相鄰的電子以相同振幅、相同相位進(jìn)行振動。感光性樹脂膜12的原子核較重，因而不能追隨該電子的振動，在傳播光中難以產(chǎn)生分子振動。 這樣在傳播光中分子振動能夠忽視有關(guān)電子的激勵過程，因而將該過程稱為絕熱過程(參照非專利文獻(xiàn)1)。另一方面，近場光的空間性電場梯度非常急劇地下降。因此，通過對在近場光中相鄰的電子施加不同的振動，如圖5(b)所示，通過這種不同電子的振動，使較重的原子核也進(jìn)行振動。近場光使產(chǎn)生分子振動，相當(dāng)于能量采取分子振動的形式，因而在近場光中如圖 4所示，能夠?qū)崿F(xiàn)經(jīng)由振動能級的激勵過程(非絕熱過程)。由于原子核響應(yīng)作為通常的光學(xué)響應(yīng)的絕熱過程而移動，因而將這種經(jīng)由原子核的振動能級的激勵過程稱為非絕熱過程 (參照非專利文獻(xiàn)1)。在非絕熱過程中，按照圖4所示經(jīng)由振動能級將電子激勵，因而即使是波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光，也能夠?qū)⑵浼畹郊顮顟B(tài)，使能夠生成電子。這樣，通過使在局部形狀M處產(chǎn)生近場光，在該局部形狀M中根據(jù)非絕熱過程向激勵狀態(tài)激勵。在該非絕熱過程中，即使是能量較低的光、即波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光，也能夠通過上述的經(jīng)由激勵能級的激勵過程而進(jìn)行激勵，能夠僅在局部形狀M處有選擇地生成電子。這樣使在局部形狀M處局部地生成電子后，能夠利用該生成的電子消除在該局部形狀M處產(chǎn)生基于反向偏置電壓的局部電場。下面，將通過基于這種近場光的非絕熱過程而在局部形狀M處生成電子，根據(jù)該生成的電子來消除在局部形狀M處產(chǎn)生局部電場的流程，稱為非絕熱流程。在沉積工序的期間，通過持續(xù)照射期望波長的光，在局部形狀M 處連續(xù)產(chǎn)生非絕熱流程，從而在該局部形狀M處連續(xù)產(chǎn)生電子。結(jié)果，能夠始終利用該電子來消除在局部形狀M處產(chǎn)生局部電場。并且，由于在局部形狀M處產(chǎn)生非絕熱流程來消除局部電場，因而能夠防止構(gòu)成 N型半導(dǎo)體13的材料的粒子51被吸附于該局部形狀M處。結(jié)果，局部形狀M能夠在沒有吸附粒子51的狀態(tài)下保持其形狀，直到沉積工序結(jié)束。
這樣，應(yīng)用了本發(fā)明的受光元件的制作方法通過繼續(xù)執(zhí)行上述的非絕熱流程和粒子吸附流程，在待沉積的材料表面依次形成局部形狀M。如圖6 (a)所示，當(dāng)在部位A偶然形成有局部形狀M的情況下，在該部位A進(jìn)行非絕熱流程，局部電場被消除。并且，除部位A之外的部位沒有形成局部形狀54，因而按照粒子吸附流程而依次沉積粒子51。然后，如圖6(b)所示，在部位B連續(xù)地產(chǎn)生基于粒子吸附流程的粒子51的沉積， 結(jié)果，在偶然形成有局部形狀討的情況下，轉(zhuǎn)移至非絕熱流程，局部電場被消除。在部位A、 B反復(fù)進(jìn)行非絕熱流程，結(jié)果是持續(xù)進(jìn)行局部電場的消除，能夠防止粒子51的吸附。其結(jié)果是，部位A、B持續(xù)保持局部形狀M。在此期間，除部位A、B之外的部位持續(xù)進(jìn)行粒子吸附流程。然后，如圖6(c)所示，在部位C連續(xù)產(chǎn)生基于粒子吸附流程的粒子51的沉積，結(jié)果是在偶然形成有局部形狀M的情況下，轉(zhuǎn)移至非絕熱流程，局部電場被消除。部位C與部位A、B 一樣也反復(fù)產(chǎn)生非絕熱流程，結(jié)果是持續(xù)進(jìn)行局部電場的消除，從而能夠防止粒子51的吸附。其結(jié)果是，部位C與部位A、B—樣也持續(xù)保持局部形狀M。在此期間，除部位A、B、C之外的部位持續(xù)進(jìn)行粒子吸附流程。然后，如圖6(d)所示，在部位D連續(xù)產(chǎn)生基于粒子吸附流程的粒子51的沉積，結(jié)果是在偶然形成有局部形狀M的情況下，轉(zhuǎn)移至非絕熱流程，局部電場被消除。同樣部位 D也反復(fù)產(chǎn)生非絕熱流程，結(jié)果是持續(xù)進(jìn)行局部電場的消除，能夠防止粒子51的吸附。這樣，在待沉積的材料表面依次形成局部形狀M。并且，形成在沉積工序最終結(jié)束后的N型半導(dǎo)體13的表面跨越多處形成有該局部形狀M的狀態(tài)。在利用根據(jù)采用了本發(fā)明的受光元件的制作方法而制作的受光元件1實際進(jìn)行光電變換處理的情況下，對第1電極12、第2電極15施加反向偏置電壓，使N型側(cè)為正電壓、P型側(cè)為負(fù)電壓，并照射用于使在該PN結(jié)處形成的耗盡層受光的光。此時，在入射了期望波長的光的情況下，在局部形狀M處產(chǎn)生近場光。因為該局部形狀M是如上所述的、在照射了期望波長的光時能夠更有效地產(chǎn)生近場光的形狀。并且，在產(chǎn)生該近場光時，產(chǎn)生非絕熱過程。如圖7所示，在受光元件1的能隙為 E2的情況下，在基于期望波長的能量El中，在通常的絕熱過程中無法向激勵能級激勵，不能實現(xiàn)光電變換。與此相對，如果產(chǎn)生基于近場光的非絕熱過程，即使期望波長的能量El 小于能隙E2，也能夠通過多階段推移而向激勵能級激勵，因而能夠通過受光元件1接受光。 這意味著即使期望波長是比受光元件1能夠接受的光的波段長的波長，也能夠通過受光元件1接受光。并且，在采用了本發(fā)明的受光元件的制作方法中，在期望制作使對某個特定的波長具有敏感度的受光元件的情況下，通過照射將該特定的波長作為期望波長的光，能夠制作能夠接受該期望波長的光的受光元件。因此，根據(jù)本發(fā)明，不需進(jìn)行材料的選定即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件。圖8表示經(jīng)過采用了本發(fā)明的受光元件的制作方法而制作的受光元件1對光電流的波長依賴性。各個點表示將入射光的光強度分別設(shè)為0. lmW、0.5mW、1.0mW的示例。橫軸表示波長，縱軸表示光電流。在照射了期望波長660nm的光時，如圖8所示，所接受的光電流的峰值為620nm。因此，在局部形狀M處產(chǎn)生近場光，并產(chǎn)生非絕熱過程，包括波長660nm的期望波長的光作為以波長620nm為中心的短波長側(cè)的光而被接受。另外，在上述的實施方式中，以對構(gòu)成N型半導(dǎo)體13的材料進(jìn)行濺射沉積的情況為例進(jìn)行了說明，但不限于該示例，在對其它的P型半導(dǎo)體14、各個電極12、15進(jìn)行沉積時， 也能夠采用相同的技術(shù)思想。并且，除了濺射之外，當(dāng)然也可以采用MBE(MoleCular Beam Epitaxy 分子束外延)或CVD (Chemical Vapor Deposition 化學(xué)汽相沉積)等其它沉積方法。標(biāo)號說明1受光元件；3濺射裝置；11基板；12第1電極；13N型半導(dǎo)體；14P型半導(dǎo)體；15 第2電極；17電源；31容器；32臺；34靶標(biāo)；35電極；36電源；37光振蕩器；51粒子；54局部形狀。
權(quán)利要求
1.一種受光元件的制作方法，該受光元件具有將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合而成的 PN結(jié)、和分別與所述P型半導(dǎo)體及N型半導(dǎo)體連接的各個電極，所述受光元件的制作方法的特征在于，該制作方法包括沉積工序，在對構(gòu)成所述P型半導(dǎo)體、所述N型半導(dǎo)體、所述各個電極中任意一方的材料施加反向偏置電壓的同時，照射波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光而進(jìn)行沉積，所述沉積工序包括非絕熱流程，在所述沉積的材料表面中形成有能夠借助所述期望波長的照射光而產(chǎn)生近場光的局部形狀的部位，連續(xù)進(jìn)行以下處理通過基于在該局部形狀處產(chǎn)生的近場光的非絕熱過程對所述期望波長的照射光進(jìn)行光吸收而生成電子，同時利用該生成的電子來消除在該局部形狀處產(chǎn)生的基于所述反向偏置電壓的局部電場；粒子吸附流程，在沒有形成所述局部形狀的部位，使產(chǎn)生了基于所述反向偏置電壓的局部電場的部位依次吸附構(gòu)成所述材料的粒子，在經(jīng)過該吸附處理形成了所述局部形狀的情況下向所述非絕熱流程轉(zhuǎn)移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受光元件的制作方法，其特征在于，通過持續(xù)執(zhí)行所述非絕熱流程和所述粒子吸附流程，在所述沉積的材料表面上依次形成所述局部形狀。
3.一種受光元件，其特征在于，該受光元件是利用權(quán)利要求1或2所述的受光元件的制作方法制作的。
4.一種用于制作受光元件的受光元件制作裝置，該受光元件具有將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合而成的PN結(jié)、和分別與所述P型半導(dǎo)體及N型半導(dǎo)體連接的各個電極，所述受光元件制作裝置的特征在于，所述受光元件制作裝置具有電壓施加單元，其對構(gòu)成所述P型半導(dǎo)體、所述N型半導(dǎo)體、所述各個電極中任意一方的材料施加反向偏置電壓；以及沉積單元，其照射波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光而進(jìn)行沉積，所述沉積單元執(zhí)行以下步驟非絕熱流程，在所述沉積的材料表面中形成有能夠借助所述期望波長的照射光而產(chǎn)生近場光的局部形狀的部位，連續(xù)進(jìn)行以下處理通過基于在該局部形狀處產(chǎn)生的近場光的非絕熱過程對所述期望波長的照射光進(jìn)行光吸收而生成電子，同時利用該生成的電子來消除在該局部形狀處產(chǎn)生的基于所述反向偏置電壓的局部電場；粒子吸附流程，在沒有形成所述局部形狀的部位，使在產(chǎn)生了基于所述反向偏置電壓的局部電場的部位依次吸附構(gòu)成所述材料的粒子，在經(jīng)過該吸附處理形成了所述局部形狀的情況下向所述非絕熱流程轉(zhuǎn)移。
全文摘要
本發(fā)明提供一種受光元件的制作方法，不需進(jìn)行材料的選定，即可容易制作使對特定的波長具有敏感度的元件。該制作方法包括沉積工序，在對構(gòu)成P型半導(dǎo)體(14)、N型半導(dǎo)體(13)、各個電極(12、15)中任意一方的材料施加反向偏置電壓的同時，照射波長比待沉積的材料的吸收波長長的期望波長的光而進(jìn)行沉積，該沉積工序包括非絕熱流程，在沉積的材料表面中形成有能夠借助照射光而產(chǎn)生近場光的局部形狀(54)的部位，通過基于近場光的非絕熱過程對期望波長的照射光進(jìn)行光吸收而生成電子，同時利用該電子消除該局部形狀(54)中基于反向偏置電壓的局部電場；粒子吸附流程，在沒有形成局部形狀(54)的部位，使在產(chǎn)生了基于反向偏置電壓的局部電場的部位依次吸附粒子(51)，結(jié)果在形成有局部形狀(54)的情況下向非絕熱流程轉(zhuǎn)移。
文檔編號H01L31/10GK102473791SQ20108003532
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日
發(fā)明者八井崇, 大津元一, 川添忠, 行武壯太郎 申請人:獨立行政法人科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)