專利名稱：半導體裝置、半導體安裝體及半導體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在電路基板上搭載有半導體元件的半導體裝置、進而在外部電路基板上搭載有該半導體裝置的半導體安裝體、還有半導體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的高性能化迅速發(fā)展，在電子設(shè)備中使用的半導體元件的耗電量增大。因此，在將半導體元件封裝在電路基板上的半導體裝置中，封裝的散熱性的提高成為課題。作為這樣的使在電路基板上搭載有半導體元件的半導體裝置的散熱性提高的對策，而進行了使搭載半導體元件的基板的半導體元件搭載區(qū)域部分的厚度變薄、將半導體元件配置在設(shè)于基板上的貫通孔內(nèi)而使半導體元件的背面露出、使半導體元件的背面與散熱用螺釘?shù)鹊纳岵考苯咏佑|等(參照專利文獻1)。此外，還進行了將用金屬線連接在半導體元件上的端子與半導體元件用密封樹脂一體化而不使用電路基板、使半導體元件的散熱特性提高(參照專利文獻2)。圖20表示專利文獻2中公開的以往的半導體裝置的制造過程。該以往的半導體裝置50的制造過程中，首先，如圖20(a)所示，將半導體元件M用未圖示的粘接劑剝離自如地固接在形成有多個端子52的撓性的帶51的形成于上表面中央部分上的半導體搭載區(qū)域53。并且，在帶51上將半導體元件M的未圖示的連接電極與端子52用線55連接。接著，如圖20 (b)所示，將帶51的上表面的半導體元件M和端子52、以及線55用絕緣性的密封樹脂56覆蓋。然后，如圖20(c)所示，將帶51剝離，最后如圖20(d)所示，在露出的端子 52的背面上形成用來連接到外部電路基板上的焊料球等的突起電極57。通過這樣，作為半導體裝置50，能夠得到半導體元件M的背面露出的狀態(tài)的結(jié)構(gòu)，能夠提高作為半導體裝置50的散熱性。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開昭60-227452號公報專利文獻2 日本特開2003-303919號公報發(fā)明概要發(fā)明要解決的技術(shù)問題但是，在上述以往的半導體裝置中，不論是記載在專利文獻1及專利文獻2的哪個中的結(jié)構(gòu)，都不過是僅使搭載的半導體元件的背面、即具備與基板上的電極焊盤(pad)及帶上的端子連接的連接電極的第1主面的相反側(cè)的面、即第2主面露出，不能充分地得到半導體元件的熱的向外部的散熱效果。此外，露出的半導體元件的背面由于在其周圍配置有電路基板及被密封樹脂覆蓋的端子等、在半導體裝置整體中位于中央部分，所以在將半導體裝置搭載到母板等其他外部電路基板上的情況下，難以接觸到空氣(日本語外気)，在安裝散熱板等散熱機構(gòu)的情況下其安裝也變得困難。進而，如果在外部電路基板與半導體裝置的背面?zhèn)戎g形成所謂的底部填充物(underfill)，則好不容易露出的半導體元件的背面的周圍成為被底部填充物包圍的狀態(tài)，不能提高散熱特性。此外，由于半導體元件的第1主面上的連接電極構(gòu)成為，與包圍其周圍而配置的電路基板的電極焊盤及帶上的端子連接，所以半導體元件自身的圖案設(shè)計及電路基板的配線設(shè)計上的制約變大。進而，由于在基板及帶的中央上形成有搭載半導體元件的區(qū)域，所以需要將半導體元件一個一個搭載到基板及帶上，不能避免半導體裝置的制造工序中的生產(chǎn)性下降。這樣，在以往的半導體裝置中，存在如下技術(shù)問題不能充分提高半導體元件的散熱性、半導體元件自身和與半導體元件連接的基板等上的電路設(shè)計的裕度較低、此外難以提高搭載半導體元件的半導體元件制造工序的生產(chǎn)性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是解決這樣的以往技術(shù)的問題的，目的是提供一種能夠提高搭載的半導體元件的散熱性、此外能夠提高半導體元件及電路基板的電路設(shè)計裕度和半導體元件的搭載工序中的生產(chǎn)性的半導體裝置、半導體安裝體、及半導體裝置的制造方法。用于解決技術(shù)問題的手段為了達到上述目的，本發(fā)明的半導體裝置的特征在于，半導體元件具備形成有連接電極的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面；電路基板具備形成有電極焊盤的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，上述半導體元件與上述電路基板在使各自的上述第1主面朝向相同的方向、使上述側(cè)面配置為大致對置的狀態(tài)下，將上述連接電極與上述電極焊盤連接；上述半導體元件的上述第1主面和上述電路基板的上述第1主面被密封樹脂覆蓋。此外，本發(fā)明的半導體安裝體的特征在于，在外部電路基板上搭載有本發(fā)明的半導體裝置；形成在構(gòu)成上述半導體裝置的上述電路基板的上述第2主面上的外部電極與形成在上述外部電路基板的搭載有上述半導體裝置的搭載面上的搭載電極端子連接。此外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法的特征在于，具備載置工序，將半導體元件與電路基板在使各自的第1主面朝向上方的狀態(tài)下并列地載置到保持板上，上述半導體元件具備形成有連接電極的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面， 上述電路基板具備形成有電極焊盤的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面；連接工序，將上述連接電極與上述電極焊盤連接；密封工序，將上述半導體元件和上述電路基板通過密封樹脂覆蓋；保持板除去工序，將上述保持板除去。發(fā)明效果本發(fā)明的半導體裝置能夠使半導體元件的兩個主面和多個側(cè)面中的除被密封樹脂覆蓋的第1主面以外的面露出，能夠提高搭載的半導體元件的散熱性。此外，由于半導體元件與電路基板并列地配置，所以能夠提高半導體元件及電路基板的配線設(shè)計裕度、和半導體元件的搭載工序中的生產(chǎn)性。此外，本發(fā)明的半導體安裝體并列地配置有半導體元件和電路基板，所以能夠提高半導體元件的散熱性。此外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法能夠容易地制造如下半導體裝置，該半導CN 102549740 A
體裝置能夠提高搭載的半導體元件的散熱性、能夠提高半導體元件及電路基板的電路設(shè)計裕度和半導體元件的搭載工序中的生產(chǎn)性。


圖1是表示作為本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖1 (a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖1(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖2是表示作為本發(fā)明的第1實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的圖， 圖2(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖2(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖3是表示本發(fā)明的第1實施方式的第1應(yīng)用例的、另一形態(tài)的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4是表示作為本發(fā)明的第1實施方式的第2應(yīng)用例的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的圖， 圖4(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖4(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖5是有關(guān)本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置，是表示半導體元件和電路基板的平面形狀都是三角形的情況下的例子的俯視圖。圖6是表示作為本發(fā)明的第2實施方式的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖6(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖6(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖7是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第1半導體安裝體的結(jié)構(gòu)的圖，圖7(a) 表示其平面結(jié)構(gòu)，圖7(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖8是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第2半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第3半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖10是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第4半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖11是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第5半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖12是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第6半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖13是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第7半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖14是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第8半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖，圖 14(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖14(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖15是表示作為本發(fā)明的第3實施方式的第9半導體安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖，圖 15(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖15(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖16是表示作為本發(fā)明的第4實施方式的半導體裝置的制造方法的制造步驟的截面結(jié)構(gòu)圖。圖17是表示作為本發(fā)明的第4實施方式的半導體裝置的制造方法的圖，是表示連接工序后的狀態(tài)的平面結(jié)構(gòu)圖。圖18是作為有關(guān)本發(fā)明的實施方式的半導體裝置而表示具有與連接線不同的連接部件的結(jié)構(gòu)的圖，圖18(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，圖18(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖19是表示作為另一實施方式的半導體裝置的安裝體的截面結(jié)構(gòu)的圖，圖19(a) 表示其平面結(jié)構(gòu)，圖19(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。圖20是表示以往的半導體裝置的制造方法的制造步驟的圖。
具體實施方式
在本發(fā)明的半導體裝置中，半導體元件具備形成有連接電極的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，電路基板具備形成有電極焊盤的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，上述半導體元件與電路基板在使各自的上述第1主面朝向相同的方向、配置為使上述側(cè)面大致對置的狀態(tài)下，將上述連接電極與上述電極焊盤連接；上述半導體元件的上述第1主面和上述電路基板的上述第1主面被密封樹脂覆蓋。通過做成這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使半導體元件的第1主面以外的面露出，能夠大幅地提高半導體元件的散熱特性。此外，由于能夠?qū)雽w元件的第1主面上的連接電極和電路基板的第1主面上的電極焊盤配置在大致對置的側(cè)面的附近，所以與將電路基板上的電極焊盤配置為使其包圍半導體元件的周圍的情況相比，能夠提高半導體元件的電路圖案及電路基板的配線圖案的設(shè)計裕度。進而，由于能夠得到無浪費的空間的半導體元件和電路基板裝置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)半導體裝置的小型化。此外，也可以同時進行多個半導體元件與電路基板的接合，能夠提高半導體裝置的生產(chǎn)性。此外，在上述本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，上述半導體元件的上述側(cè)面的至少1個以上沒有被上述密封樹脂覆蓋而露出。通過這樣，半導體元件的沒有被密封樹脂覆蓋的面變多，能夠得到更高的散熱特性。進而，也可以大致對置于上述半導體元件的兩個以上的上述側(cè)面而配置多個上述電路基板。通過這樣，能夠容易地得到對應(yīng)于半導體元件的多端子化的半導體裝置。進而，也可以大致對置于上述電路基板的兩個以上的上述側(cè)面而配置多個上述半導體元件。通過這樣，能夠得到與具備多個半導體元件的多芯片化對應(yīng)的半導體裝置。此外，可以采用以下的結(jié)構(gòu)上述半導體元件在上述第2主面上形成有集成電路， 上述集成電路與形成在上述第1主面上的上述連接電極通過貫通上述半導體元件的連接配線連接。通過這樣，能夠更有效地進行半導體元件的散熱。本發(fā)明的半導體安裝體的特征在于，在外部電路基板上搭載有上述任一種半導體裝置；形成在構(gòu)成上述半導體裝置的上述電路基板的上述第2主面上的外部電極，與形成在上述外部電路基板的搭載有上述半導體裝置的搭載面上的搭載電極端子連接。通過做成這樣的結(jié)構(gòu)，能夠得到發(fā)揮上述本發(fā)明的半導體裝置的特長的半導體安裝體。在這樣的本發(fā)明的半導體安裝體中，也可以是，構(gòu)成上述半導體裝置的上述半導體元件向上述外部電路基板的側(cè)方突出而配置。通過這樣，能夠使半導體元件從外部電路基板露出，能夠提高其散熱特性。此外，也可以是，構(gòu)成上述半導體裝置的上述半導體元件的上述側(cè)面或上述第2 主面中的至少某一個面與散熱機構(gòu)接觸。這樣，通過使半導體元件與散熱機構(gòu)直接接觸，能夠得到大幅地提高了半導體元件的散熱特性的半導體安裝體。進而，也可以是，在構(gòu)成上述半導體裝置的上述半導體元件與上述外部電路基板之間形成有間隙。通過這樣，能夠確保半導體元件的散熱路徑。此外，也可以是，在上述半導體元件與上述外部電路基板之間的間隙中填充有底部填充物。通過這樣，能夠在充分確保電路基板與外部電路基板的連接特性的狀態(tài)下確保半導體元件的散熱性。
本發(fā)明的半導體裝置的制造方法的特征在于，具備載置工序，將半導體元件與電路基板在使各自的第1主面朝向上方的狀態(tài)下并列地載置到保持板上，上述半導體元件具備形成有連接電極的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，上述電路基板具備形成有電極焊盤的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面；連接工序，將上述連接電極與上述電極焊盤連接；密封工序，將上述半導體元件和上述電路基板通過密封樹脂覆蓋；保持板除去工序，將上述保持板除去。通過做成這樣的結(jié)構(gòu)，能夠容易地制造能夠提高搭載的半導體元件的散熱性、且能夠提高半導體元件及電路基板的電路設(shè)計裕度和半導體元件的搭載工序中的生產(chǎn)性的半導體裝置。在上述本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，也可以是，在上述載置工序中，將以列狀連續(xù)形成的多個上述半導體元件搭載到上述保持板上，在上述密封工序后將連接的上述半導體元件和上述電路基板分別切斷，然后進行上述保持板除去工序。此外，也可以是，在上述載置工序中，將以列狀連續(xù)形成的多個上述半導體元件搭載到上述保持板上，在上述保持板除去工序后，將連接的上述半導體元件和上述電路基板分別切斷。通過這樣，能夠一次進行多個半導體元件的向保持板的載置，所以能夠大幅地提高半導體裝置的生產(chǎn)性。此外，也可以是，在上述搭載工序中，將上述半導體元件和上述電路基板配置為， 按照相鄰的列相互成為點對稱。通過這樣，能夠?qū)⑾嗤Y(jié)構(gòu)的半導體裝置一次高效率地制造。以下，使用附圖對有關(guān)本發(fā)明的半導體裝置、半導體安裝體、及半導體裝置的制造方法例示說明。(第1實施方式)首先，作為本發(fā)明的第1實施方式，說明本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)。圖1是表示作為第1實施方式的半導體裝置100的結(jié)構(gòu)的圖。圖1(a)是表示從其第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖1 (b)是表示圖1 (a)中用A-A’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。如圖1所示，本實施方式的半導體裝置100具有半導體元件1和電路基板3，其中，半導體元件1具備形成有連接電極2的第1主面la、相當于其背面的第2主面lb、和與第1主面Ia和第2主面Ib大致正交的側(cè)面Ic ；電路基板3具備形成有電極焊盤4的第1 主面3a、相當于其背面的第2主面北、和與第1主面3a和第2主面北大致正交的側(cè)面3c。 在圖1所示的本實施方式的半導體裝置100中，半導體元件1和電路基板3由于其主面(la、 lb、3a、3b)呈大致長方形，所以分別具有4個側(cè)面lc、3c。但是，如后述那樣，半導體元件1 和電路基板3并不限于具有圖1所示的主面形狀的結(jié)構(gòu)，也可能是使其主面為三角形等的其他形狀的情況，所以側(cè)面lc、3c并不限于4個。此外，在圖1中，表示了設(shè)計為使側(cè)面lc、3c與第1主面la、3a及第2主面lb、!3b 大致正交的例子，但它并沒有限制側(cè)面與兩個主面所成的角度。進而，設(shè)半導體元件1和電路基板3的各自的側(cè)面(lc、3c)是完全平坦的平面而進行圖示，但側(cè)面(lc、3c)并不限定于平坦面，截面也可以為向外側(cè)凸或凹的平滑的曲面或三角形等，將連接半導體元件1與電路基板3各自的第1主面和第2主面的面作為側(cè)面(lc、3c)捕捉。
半導體元件1和電路基板3以將半導體元件1的第1主面Ia和電路基板3的第1 主面3a朝向相同的方向、即圖1(b)的圖中上方向，半導體元件1的一個側(cè)面Icl與電路基板3的一個側(cè)面3cl配置為大致對置的狀態(tài)并列配置。另外，在本發(fā)明中，所謂半導體元件與電路基板的側(cè)面大致對置，表示半導體元件的側(cè)面的至少一部分與電路基板的側(cè)面的至少一部分相互面對那樣的狀態(tài)，并不僅限定于兩個側(cè)面的全部的部分完全對置的情況。此外，本發(fā)明中的側(cè)面彼此大致對置包括，各個側(cè)面的位置相互在某個主面方向上錯開，但包括側(cè)面的面彼此相面對的狀態(tài)。如圖1 (a)所示，形成在半導體元件1的第1主面Ia上的連接電極2沿著與電路基板3對置的側(cè)面Icl形成的邊、即圖中右側(cè)的邊形成為列狀。此外，形成在電路基板3的第1主面3a上的電極焊盤4沿著與半導體元件1對置的側(cè)面3cl形成的邊、圖中左側(cè)的邊形成為列狀。即，在半導體元件1和電路基板3的各自的第1主面la、3a上相互的距離最小的部分上形成有連接電極2和電極焊盤4，分別對應(yīng)的連接電極2和電極焊盤4用作為連接部件的金屬制的連接線6通過引線接合連接。形成有由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的密封樹脂7，以使其將半導體元件1的第1主面la、電路基板3的第1主面3a、以及使連接電極2與電極焊盤4導通的連接線6覆蓋。在本實施方式的半導體裝置100中，密封樹脂7也填充在半導體元件1與電路基板3之間的間隙14 中，將半導體元件1與電路基板3固接一體化。在電路基板3的第2主面北上，對應(yīng)于形成在電路基板3上的未圖示的電路圖案，形成有多個外部電極5。在本實施方式的半導體裝置100中，外部電極5為在縱橫分別規(guī)則地排列多個的矩陣狀，但它只不過是例示，對于外部電極5的配置沒有限制。本實施方式的半導體裝置100如上所述，半導體元件1和電路基板3配置為，將各自的第1主面Ia及3a朝向相同的方向、此外各自的1個側(cè)面lcl、3cl大致對置，接近于大致對置的側(cè)面lcl、3cl形成的邊而配置的多個連接電極2和電極焊盤4用連接線6連接。 并且，半導體元件1的第1主面la、電路基板3的第1主面3a、和連接線6被密封樹脂7覆蓋。通過這樣，能夠確保連接電極2與電極焊盤4的連接、此外能夠在作為半導體裝置100 一體地形成的同時、使與半導體元件1的電路基板3大致對置的側(cè)面Icl以外的側(cè)面和作為背面的第2主面Ib露出。因此，能夠提高半導體元件1的散熱特性。另外，在圖1所示的本實施方式的半導體裝置100中，表示了在半導體元件1與電路基板3之間的間隙14部分中也填充有密封樹脂7的結(jié)構(gòu)，但只要能夠?qū)雽w元件1與電路基板3以充分的強度一體化，在該間隙14部分中填充密封樹脂7并不是本發(fā)明的必須的要件。在半導體元件1與電路基板3的間隙14中不填充密封樹脂的情況下，半導體元件 1的第1主面Ia以外的面、即第2主面Ib和4個側(cè)面Ic這5個面全部從密封樹脂7露出， 所以能夠得到半導體元件1的散熱特性很高的半導體裝置100。如圖1(a)所示，在本實施方式的半導體裝置100中，在從第1主面la、3a側(cè)俯視的情況下，能夠?qū)雽w元件1配置到半導體裝置100整體中的側(cè)端部上。因此，在形成了將半導體裝置100安裝到外部電路基板上的半導體安裝體的情況下，與作為以往技術(shù)表示那樣的用電路基板及端子包圍半導體元件的周圍的情況相比，能夠容易地使金屬制的部件及散熱翅片等散熱機構(gòu)接觸在半導體元件1的第2主面Ib及側(cè)面Ic上。另外，關(guān)于將本實施方式的半導體裝置搭載到外部電路基板上的半導體安裝體的具體的實施方式，作為實施方式3在后面敘述。此外，在本實施方式的半導體裝置100中，能夠?qū)雽w元件1的連接電極2和電路基板3的電極焊盤4僅配置在由各個主面la、3a的大致對置的側(cè)面lcl、3cl形成的一個邊的附近。因此，與如以往的半導體裝置那樣、將連接電極2及電極焊盤4配置為大致“ 口，， 字狀的情況相比，在半導體元件1的電路圖案及電路基板3的配線圖案的配置設(shè)計中，能夠分別享受不受到由連接電極2及電極焊盤4的配置位置帶來的制約的好處。接著，使用圖2對本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置的第1應(yīng)用例進行說明。圖2是表示作為本實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置200的結(jié)構(gòu)的圖。圖2(a)是表示從其第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖2 (b)是表示圖2(a)中用 B-B'向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。另外，在圖2中，對于與圖1的本實施方式的半導體裝置100相同的結(jié)構(gòu)的部分使用相同的標號，省略詳細的說明。圖2所示的本實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置200構(gòu)成為，大致對置于一個電路基板3的兩個側(cè)面而配置兩個半導體元件1、8。即，構(gòu)成為，在圖1所示的本實施方式的半導體裝置100中，第二個半導體元件8的側(cè)面Scl與電路基板3的4個側(cè)面3c中的另一個側(cè)面3c2大致對置而配置，該另一個側(cè)面3c2位于與半導體元件1大致對置配置的側(cè)面3cl相反側(cè)。因此，在電路基板3的第1主面3a上，在與第1半導體元件1鄰接的、側(cè)面 3cl形成的邊的附近形成電極焊盤4，并且在與其相反側(cè)的側(cè)面3c2形成的邊的附近也以列狀形成電極焊盤4。此外，電路基板3與第二個半導體元件8的連接和電路基板3與半導體元件1的連接同樣，通過將以列狀配置在電路基板3的側(cè)面3c2形成的邊的附近的電極焊盤4與形成在第二個半導體元件8的第1主面8a上的連接電極9用連接線10連接來進行。并且， 形成有密封樹脂7，以使其將電路基板3的第1主面3a、半導體元件1的第1主面la、第二個半導體元件8的第1主面8a、和連接線6、10覆蓋。 另外，在電路基板3的第2主面北上以矩陣狀配置有多個外部連接端子5這一點、 此外在半導體元件1、8與電路基板3的間隙14中填充有密封樹脂7這一點，與圖1所示的半導體裝置100的基本的結(jié)構(gòu)是相同的。這樣，本實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置通過大致對置于一個電路基板的兩個側(cè)面而配置兩個半導體元件，從而作為本發(fā)明的半導體裝置，起到能夠提高半導體元件的散熱特性、擴大半導體元件及電路基板中的配線圖案的配置設(shè)計上的裕度的效果，同時作為半導體裝置能夠得到具備更復雜的處理功能的結(jié)構(gòu)。另外，作為兩個半導體元件1及 8，當然既可以是使用兩個起到相同的功能的半導體元件的情況、也可以是使用起到不同的功能的兩個半導體元件的情況。此外，在圖2中，表示了半導體元件1、8的側(cè)面lcl、8cl大致對置于電路基板3的分別位于相反側(cè)的側(cè)面3cl和3c2的結(jié)構(gòu)，但作為大致對置而配置半導體元件側(cè)面的電路基板3的側(cè)面，關(guān)于選擇4個側(cè)面中的兩個的方法，并不限定于圖2所示的相反側(cè)的側(cè)面， 也可以選擇相鄰的兩個側(cè)面。此外，也可以使用一個電路基板和3個以上的半導體元件、大致對置于電路基板的3個以上的側(cè)面而配置3個以上的半導體元件的側(cè)面。進而，也可以配置為電路基板的一個側(cè)面大致對置于多個半導體元件的側(cè)面。圖3是表示本發(fā)明的第1實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置的再另一形態(tài)的俯視圖。圖3是表示本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置的第1應(yīng)用例的相當于圖2的圖 2(a)的圖。另外，在圖3中，對于與圖2的有關(guān)本實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置200 相同結(jié)構(gòu)的部分賦予相同的標號而省略詳細的說明。圖3所示的第1應(yīng)用例的再另一形態(tài)的半導體裝置200A為大致對置于一個電路基板3的4個側(cè)面而配置4個半導體元件1、8、11、15的結(jié)構(gòu)。即，構(gòu)成為，在圖2(a)中表示俯視圖的作為本實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置200中，還大致對置于電路基板3 的剩下的兩個側(cè)面3c3、3c4而配置有半導體元件11、15。因此，在電路基板3的第1主面3a上，在與第1半導體元件1鄰接的側(cè)面3cl形成的邊的附近以列狀形成有電極焊盤4、在相反側(cè)的側(cè)面3c2形成的邊的附近也以列狀形成有電極焊盤4，除此之外還在與第3半導體元件11鄰接的側(cè)面3c3形成的邊的附近、和與第4半導體元件15鄰接的側(cè)面3c4形成的邊的附近也以列狀形成有電極焊盤4。此外，電路基板3與第三個半導體元件11的連接和電路基板3與半導體元件1及半導體元件8的連接同樣，將以列狀配置在電路基板3的一個側(cè)面3c3形成的邊的附近的電極焊盤4與形成在第三個半導體元件11的第1主面Ila上的連接電極12用連接線13 連接、將以列狀配置在電路基板3的另一個側(cè)面3c4形成的邊的附近的電極焊盤4與形成在第四個半導體元件15的第1主面1 上的連接電極16用連接線17連接來進行。并且， 形成有密封樹脂7，以使其將電路基板3的第1主面3a、半導體元件1的第1主面la、半導體元件8的第1主面8a、半導體元件11的第1主面lla、半導體元件15的第1主面15a、和連接線6、10、13、17覆蓋。另外，在電路基板3的第2主面北上以矩陣狀配置有多個外部連接端子5這一點、此外在半導體元件1、8、11、15與電路基板3的間隙14中填充有密封樹脂7這一點，與圖2(a)所示的第1應(yīng)用例的半導體裝置200的結(jié)構(gòu)是相同的。接著，使用圖4對本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置的第2應(yīng)用例進行說明。圖4是表示作為本實施方式的第2應(yīng)用例的半導體裝置300的結(jié)構(gòu)的圖，圖4(a) 是表示從其第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖4(b)是表示圖4(a)中用C-C’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。另外，在圖4中也與圖2同樣，對于與圖1的表示本實施方式的基本結(jié)構(gòu)的半導體裝置100相同結(jié)構(gòu)的部分使用相同的標號而省略詳細的說明。圖4所示的本實施方式的第2應(yīng)用例的半導體裝置300為大致對置于一個半導體元件1的兩個側(cè)面而配置兩個電路基板3、18的結(jié)構(gòu)。即，構(gòu)成為，在圖1所示的本實施方式的半導體裝置100中，第二個電路基板18的側(cè)面IScl大致對置于半導體元件1的4個側(cè)面Ic中的另一個側(cè)面lc2而配置，該另一個側(cè)面lc2位于與電路基板3大致對置而配置的側(cè)面Icl相反側(cè)。因此，在半導體元件1的第1主面Ia上，在與第1電路基板3鄰接的側(cè)面Icl形成的邊的附近形成連接電極2，并且在與其相反側(cè)的側(cè)面lc2形成的邊的附近也以列狀形成連接電極2。此外，半導體元件1與第二個電路基板18的連接和半導體元件1與電路基板3的連接同樣，將以列狀配置在半導體元件1的一個側(cè)面lc2形成的邊的附近的連接電極2與形成在第二個電路基板18的第1主面18a上的電極焊盤19用連接線20連接來進行。并且，形成有密封樹脂7，以使其將半導體元件1的第1主面la、電路基板3的第1主面3a、第二個電路基板18的第1主面18a、和連接線6、20覆蓋。
另外，在第二個電路基板18的第2主面18b上，與第一個電路基板3的第2主面 3a同樣，以矩陣狀配置有多個外部連接端子5。此外，在半導體元件1與電路基板3、18的間隙14中填充有密封樹脂7這一點，與圖1所示的半導體裝置100的基本結(jié)構(gòu)是相同的。這樣，本實施方式的第2應(yīng)用例的半導體裝置通過大致對置于一個半導體元件的兩個側(cè)面而配置兩個電路基板，從而作為本發(fā)明的半導體裝置起到能夠提高半導體元件的散熱特性、擴大半導體元件及電路基板中的配線圖案的配置設(shè)計上的裕度的效果，并且能夠?qū)崿F(xiàn)搭載有進一步多端子化的半導體元件的半導體裝置。另外，在兩個電路基板3、18 中，當然既可以是使其配線圖案相同的情況、也可以是設(shè)為不同的圖案的情況。此外，關(guān)于使電路基板的側(cè)面大致對置于半導體元件的哪個側(cè)面這樣的半導體元件與兩個電路基板的位置關(guān)系、與一個半導體元件連接的電路基板的總數(shù)、使其側(cè)面大致對置于半導體元件的一個側(cè)面而配置的電路基板的個數(shù)，圖4不為制約，這與使用上述圖2 說明的本實施方式的第1應(yīng)用例的情況是相同的。以上，作為本發(fā)明的第1實施方式，對本發(fā)明的半導體裝置和搭載它的半導體安裝體的具體內(nèi)容進行了說明。但是，上述只不過是例示，本發(fā)明的半導體裝置并不限于以上所述。例如，作為第1實施方式，在圖1、圖2、圖3、圖4所示的本發(fā)明的半導體裝置中，表示了半導體元件的第1主面和電路基板的第1主面全部對齊于相同的高度的結(jié)構(gòu)，但并不一定需要全部對齊于相同的高度。特別是，在半導體元件與電路基板的厚度不同的情況下， 可能發(fā)生因使各個第2主面的位置對齊而第1主面的高度不同的情況。在這樣的情況下， 也只要能夠?qū)雽w元件的連接電極與電路基板的電極焊盤用連接線連接、并且能夠?qū)⑺鼈兊纳媳砻嬗妹芊鈽渲惑w地密封，就沒有特別的問題而能夠采用本發(fā)明。此外，如已經(jīng)說明那樣，半導體元件的側(cè)面的高度位置和電路基板的側(cè)面的高度位置并不需要是相同的高度以使兩者直接對置。另外，作為實際的半導體裝置，半導體元件的連接電極與電路基板的電極焊盤的上表面位置處于相同的高度位置，從將兩者用連接線連接的觀點看是優(yōu)選的。但是，有連接電極的厚度與電極焊盤的厚度不同的情況，此外，在能夠以一列配置在一個邊的附近的連接電極及電極焊盤的個數(shù)受限制，必須將它們配置為多列的情況下等，有特意改變其高度而防止連接線的接觸的情況。在這樣的情況下，有特意使半導體元件的第1主面與電路基板的第1主面的高度位置不同的情況。此外，在圖1、圖2、圖3、圖4所示的本發(fā)明的半導體裝置中，例示了將密封樹脂也填充到半導體元件與電路基板之間的間隙中的情況。但是，這一點也不是作為本發(fā)明的半導體裝置的限定原因，通過設(shè)為不在半導體元件與電路基板之間填充密封樹脂，能夠在半導體元件的6個表面中、使被密封樹脂覆蓋的面僅限為第1主面，能夠進一步提高半導體元件的散熱特性。另一方面，作為半導體裝置，在相對于要求半導體元件的散熱特性的提高、而更強地要求半導體元件與電路基板的一體性的情況下，可以將密封樹脂形成為，使其蔓延(日本語回>9込tr )到半導體元件的不位于電路基板側(cè)的其他側(cè)面。通過這樣，能夠得到將半導體元件與電路基板牢固地固接的半導體裝置。在此情況下，使密封樹脂蔓延到半導體元件的其余的3個側(cè)面中的哪個側(cè)面都可以，當然也可以將多個側(cè)面用密封樹脂覆蓋。在將全部的側(cè)面用密封樹脂覆蓋的情況下，僅半導體元件的第2主面露出。另外，通過半導體元件的側(cè)面的至少1個以上不被密封樹脂覆蓋而露出，從而與僅半導體元件的第2主面露出的情況相比散熱特性變高，此外，通過使該露出的側(cè)面接觸在散熱翅片等的散熱部件上，能夠使半導體元件的熱量主動地放出。此外，也可以在上述的半導體元件與電路基板的間隙中代替密封樹脂而夾著別的樹脂材料等的填充材料。進而，在圖1、圖2、圖3、圖4所示的本發(fā)明的半導體裝置中，例示了半導體元件及電路基板都為其主面的形狀是長方形的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明的半導體裝置并不限定于此。作為半導體元件及電路基板的形狀，除此以外也可以采用正方形、梯形、菱形、三角形或五邊形以上的多邊形等各種形狀。此外，半導體元件與電路基板的形狀相同也不是必須的，即使是相同的長方形，其長度也可以不同。進而，例如也可以在大致L字狀或大致凹字狀的電路基板的凹陷部分中收存半導體元件、使作為半導體裝置的整體的平面形狀為長方形或正方形。作為這樣的半導體元件和電路基板的形狀不是四邊形的情況的一具體例，在圖5 中表示半導體元件和電路基板都是三角形的情況。對圖5所示的半導體裝置400而言，對置于其平面形狀為三角形的半導體元件21 的相當于斜邊的側(cè)面21cl而配置平面形狀為三角形的電路基板23的同樣相當于斜邊的側(cè)面23c 1，半導體元件21的第1主面21a和電路基板23的第1主面23a朝向相同的方向、即圖5的近前一側(cè)而并列地配置。如圖5所示，配置在半導體裝置21的第1主面21a的相當于斜邊的側(cè)面21cl附近的多個連接電極22、和配置在電路基板23的第1主面23a的相當于斜邊的側(cè)面23cl附近的多個電極焊盤M用連接線26連接。并且，在半導體元件21的第1主面21a和電路基板23的第1主面23a上形成有密封樹脂27，以使其將連接線沈覆蓋。這樣，通過使用平面形狀為三角形的半導體元件21和平面形狀為三角形的電路基板23，起到能夠使半導體元件21的側(cè)面和作為背面的第2主面露出而得到散熱效果較高的半導體裝置的本發(fā)明的效果，并且能夠在半導體元件21和電路基板23的都較長的斜邊彼此上配置連接電極22和電極焊盤24、能夠得到對應(yīng)于半導體元件的多針腳化且整體的平面形狀緊湊的半導體裝置400。(第2實施方式)接著，作為本發(fā)明的第2實施方式，說明本發(fā)明的半導體裝置的另一的結(jié)構(gòu)例。圖6是表示作為本發(fā)明的第2實施方式的半導體裝置500的結(jié)構(gòu)的圖，圖6 (a)是表示從第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖6(b)是表示圖6(a)中用D-D’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖6所示的本實施方式的半導體裝置500的電路基板3的結(jié)構(gòu)與使用圖1說明的有關(guān)本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置100相同，但在半導體裝置500中使用的半導體元件31在第1主面31a側(cè)具備連接電極2、在相當于背面的第2主面31b側(cè)具備半導體的集成電路32、將這些連接電極2與集成電路32連接的連接配線33貫通半導體元件31的基板而形成這一點，與有關(guān)第1實施方式的半導體裝置100的半導體元件1不同。即，本實施方式的半導體裝置500具有半導體元件31和電路基板3，其中，半導體元件31具備形成有連接電極2的第1主面la、相當于其背面的形成有集成電路32的第 2主面31b、和與第1主面31a和第2主面31b大致正交的側(cè)面31c ；電路基板3具備形成有電極焊盤4的第1主面3a、相當于其背面的形成有外部電極5的第2主面北、和與第1主面3a和第2主面北大致正交的側(cè)面3c。另外，在本實施方式中，也與第1實施方式的半導體裝置100同樣，對于半導體元件31和電路基板3的主面的形狀沒有限制，此外，對于側(cè)面與兩個主面所成的角度沒有限制，此外，沒有側(cè)面必須是平面的制約。在本實施方式的半導體裝置500中也有對半導體元件31和電路基板3而言，在使半導體元件31的第1主面31a和電路基板3的第1主面3a朝向相同的方向、即圖6 (b)的圖中上方向，使半導體元件31的一個側(cè)面31cl與電路基板3的一個側(cè)面3cl配置為大致對置的狀態(tài)下并列地配置。此外，形成有由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的密封樹脂7以使其將半導體元件31的第1主面31a上的連接電極2的排列、還有半導體元件31的第1主面31a、電路基板3的第1主面3a、以及使連接電極2與電極焊盤4導通的連接線6覆蓋這一點，也與第 1實施方式的半導體裝置100相同。并且，在本實施方式的半導體裝置500中，密封樹脂7 也填充在半導體元件31與電路基板3之間的間隙14中，將半導體元件31與電路基板3固接一體化。通過這樣，能夠使作為半導體元件31的發(fā)熱源的集成電路32部分從密封樹脂7 露出，所以作為半導體裝置500，與作為第1實施方式說明的結(jié)構(gòu)相比能夠具備更高的散熱特性。另外，圖示的說明省略，但在本實施方式中，也可以如上述第1實施方式中使用圖 2說明的第1應(yīng)用例那樣、將多個半導體元件連接到一個電路基板上、或如說明圖4的第2 應(yīng)用例那樣、在多個電路基板上連接一個半導體元件。并且，不論是哪種應(yīng)用例的情況，都能夠使半導體元件中的作為發(fā)熱源的集成電路從密封樹脂露出，所以作為半導體裝置能夠得到具備較高的散熱特性的結(jié)構(gòu)。此外，在圖6所示的本實施方式的半導體裝置500中，表示了密封樹脂7形成在半導體元件31的第1主面31a和電路基板3的第1主面3a上、相當于半導體元件31與電路基板3之間的間隙14部分的相互大致對置的側(cè)面31cl及3cl以外的側(cè)面全部沒有被密封樹脂7覆蓋而露出的結(jié)構(gòu)，但也可以是半導體元件31的側(cè)面被密封樹脂7覆蓋的結(jié)構(gòu)。半導體元件31的側(cè)面31c的至少1個以上沒有被密封樹脂7覆蓋而露出，從而與僅半導體元件31的第2主面31b露出的情況相比散熱特性變高，此外，通過使該露出的側(cè)面31c接觸在散熱翅片等的散熱部件上，能夠主動地將半導體元件的熱量釋放。(第3實施方式)接著，作為本發(fā)明的第3實施方式，對搭載有作為上述第1實施方式及第2實施方式說明的本發(fā)明的半導體裝置的半導體安裝體使用附圖具體地說明。圖7是表示有關(guān)本發(fā)明的第3實施方式的第1半導體安裝體1000的結(jié)構(gòu)的圖。圖 7(a)是表示從半導體元件1的第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖7(b)是表示圖7(a)中用E-E’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。本實施方式的第1半導體安裝體1000如圖7所示，本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置100是搭載在母板等的外部電路基板110上的結(jié)構(gòu)。具體而言，通過焊料或?qū)щ姼嗟鹊碾姌O接合體130，將形成在外部電路基板110的搭載有半導體裝置100的搭載面IlOa即與電路基板3的第2主面北對置的搭載面IlOa上的搭載電極端子120、與形成在電路基板3的第2主面北上的外部電極5接合。在外部電路基板110上，搭載有驅(qū)動半導體裝置100的驅(qū)動電源及各種控制元件、控制向半導體裝置100的輸入輸出信號的信號控制電路等。如圖7(a)及、圖7(b)所示，在本實施方式的第1半導體安裝體1000中，在半導體裝置100中，能夠?qū)雽w元件1配置在半導體裝置100整體中的側(cè)端部(圖7的左側(cè))， 所以能夠?qū)雽w元件1向外部電路基板110的側(cè)方突出而配置。即，可以在外部電路基板Iio上配置半導體裝置100的電路基板3、將通過密封樹脂7與電路基板3 —體化的狀態(tài)下的半導體元件1配置到不是外部電路基板110上的位置、圖7的左側(cè)方的位置上。通過這樣，能夠使半導體元件1更容易接觸到空氣。另外，在圖7中表示了半導體元件1向外部電路基板110的側(cè)方完全突出的例子， 但本發(fā)明的半導體安裝體并不限定于此，通過使半導體元件1的一部分比外部電路基板 110突出，能夠得到半導體元件1的高散熱特性。圖8是表示有關(guān)本發(fā)明的第3實施方式的第2半導體安裝體1100的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖8所示的本實施方式的第2半導體安裝體1100與圖7所示的第1半導體安裝體1000同樣，是將本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置100搭載在外部電路基板110上的結(jié)構(gòu)。并且，該第2半導體安裝體1100在向外部電路基板110的側(cè)方突出而配置的半導體元件1的背面、即第2主面Ib上，通過粘接劑150粘接著用于半導體元件1的散熱的散熱板 140。這里，作為散熱板140，可以使用Al、Cu等的金屬。此外，作為粘接劑150，優(yōu)選的是兼具備粘接性和熱傳導性的物質(zhì)，可以使用氧化鋁或硅石、氮化硅等的無機化合物、或分散有Al、Cu、銀等的金屬填充物的環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂、硅樹脂等。另外，在想要使用散熱板140進一步提高散熱效果的情況下，能夠通過焊料等的金屬材料使散熱板140接合到半導體元件1的背面的第2主面Ib上，但在此情況下，優(yōu)選的是在半導體元件1或散熱板140上預(yù)先形成能夠接合的Ni、Cu、Ni/Au、Pd、Ag等的金屬膜層。這樣，在本實施方式的第2半導體安裝體1100中，能夠使散熱板140直接接觸在搭載于外部電路基板110上的半導體裝置100的半導體元件1的露出的第2主面Ib上，此外，關(guān)于散熱板140的大小及形狀，能夠不易受到搭載有半導體裝置100的外部電路基板 110的干涉，所以能夠得到具備半導體元件1的較高的散熱特性的半導體安裝體1100。接著，圖9是表示有關(guān)本發(fā)明的第3實施方式的第3半導體安裝體1200的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖9所示的本實施方式的第3半導體安裝體1200與圖8所示的第2半導體安裝體1100同樣，在散熱板通過粘接劑而粘接在從外部電路基板110突出的半導體元件1上這一點上是共通的，但在本實施方式的第3半導體安裝體1200中，如圖9所示，將散熱板145 的外形匹配于半導體元件1的形狀而切削，由此，經(jīng)由粘接劑155不僅能夠粘接在半導體元件1的第2主面Ib上、也能夠粘接在與電路基板3相反側(cè)的側(cè)面lc3上，能夠進一步提高半導體元件1的散熱特性。
另外，在圖8及圖9中都表示了半導體元件1向外部電路基板110的側(cè)方完全突出的例子，但本發(fā)明的半導體安裝體并不限定于此，通過使半導體元件1的一部分比外部電路基板110突出，使散熱板140、145的向半導體元件1的粘接變得容易，此外，關(guān)于散熱板140與145的粘接能夠得到不受到外部電路基板110的干涉的效果。接著，作為有關(guān)本發(fā)明的第3實施方式的半導體安裝體的具體例，說明搭載的半導體裝置不向外部電路基板的側(cè)方突出的情況下的例子。圖10是表示本實施方式的第4半導體安裝體1300的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖10所示，本實施方式的第4半導體安裝體1300與圖7所示的第1半導體安裝體1000同樣，配置在本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置100的電路基板3的第2主面 3b上的外部電極5，通過電極接合體130，與形成在外部電路基板110的半導體裝置的搭載面IlOa上的搭載電極端子120接合。并且，半導體裝置100的半導體元件1通過粘接劑170而粘接在形成于外部電路基板110的搭載面IlOa上的金屬部分160上。作為該外部電路基板110的金屬部分160，可以使用為了半導體元件1的散熱通過蒸鍍等形成在外部電路基板110的搭載面IlOa上的金、鋁、焊料等的金屬膜。此外，并不限于這樣的為了半導體元件1的散熱而形成的部件，可以使用其他具有集成電路的半導體元件、IC、電容器或電阻等的周邊部件等、安裝在外部電路基板110上的電路部件的金屬部分。此外，作為粘接劑170，可以使用在本實施方式的上述第2半導體安裝體1100及第3半導體安裝體1200中用于散熱板140、145的粘接的、氧化鋁、硅石、氮化硅等無機化合物、或分散有Al、Cu、銀等金屬填充物的環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂等的熱傳導性高的粘接劑。圖11是表示本實施方式的第5半導體安裝體1400的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖11所示的本實施方式的第5半導體安裝體1400與圖10所示的第4半導體安裝體1300同樣，在搭載于外部電路基板110的半導體裝置100的半導體元件1與外部電路基板110接合這一點上是共通的，但在如下這一點上是不同的，S卩半導體元件1與外部電路基板110的接合通過電極接合體175而將形成在半導體元件1的第2主面Ib上的電極 180與形成在外部電路基板110的搭載面IlOa上的金屬部分165連接。在第5半導體安裝體1400中，將形成在半導體元件1的第2主面Ib上的電極180 與形成在電路基板3的第2主面北上的外部電極5以相同的規(guī)格形成，并且使形成在外部電路基板110的半導體裝置的搭載面IlOa上的金屬部分165的表層的規(guī)格為與電路基板 110的搭載電極端子120相同的規(guī)格。通過這樣，在將半導體裝置100的外部電極5與電路基板110的搭載電極端子120用焊料等電極接合體130連接時，能夠?qū)雽w元件1的電極180與在外部電路基板110的半導體裝置的搭載面IlOa上形成的金屬部分165同時接
I=I O另外，作為在外部電路基板110的半導體裝置的搭載面IlOa上形成的金屬部分 165、和電路基板110的搭載電極端子120的表層的規(guī)格的具體例，可以用Au/Ni形成，可以將其用焊料接合。圖12是表示本實施方式的第6半導體安裝體1500的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖12所示的本實施方式的第6半導體安裝體1500與圖11所示的第5半導體安裝體1400的情況相比，不同點在于將形成在半導體元件1的第2主面Ib上的電極185圖案化、并通過電極接合體177連接與該圖案對應(yīng)而形成在外部電路基板110的半導體裝置的搭載面IlOa上的圖案化的金屬部分167。通過這樣，在半導體元件1的第2主面Ib中，半導體元件1的電極185與半導體裝置100的外部電極5的接合結(jié)構(gòu)等同，使應(yīng)力分布均勻化，能夠使半導體安裝體1500的
接合可靠性更高。另外，將形成在半導體元件1的第2主面Ib上的電極180與形成在半導體裝置 1400的電路基板3的第2主面北上的外部電極5如上述那樣用相同的規(guī)格形成，在本發(fā)明中并不是必須的。形成在半導體元件1的第2主面Ib上的電極180的表層的規(guī)格只要是能夠使半導體元件1的電極180與在外部電路基板110的半導體裝置的搭載面IlOa上形成的金屬部分167接合的規(guī)格就可以，只要能夠?qū)崿F(xiàn)該目的，可以是多種多樣的規(guī)格。圖13是表示本實施方式的第7半導體安裝體1600的結(jié)構(gòu)的剖視圖。對圖13所示的本實施方式的第7半導體安裝體1600而言，在搭載在外部電路基板110上的半導體裝置100的、半導體元件1與外部電路基板110的搭載面IlOa之間填充有底部填充物190。此外，圖14是表示本實施方式的第8半導體安裝體2000的結(jié)構(gòu)的圖。圖14(a) 是表示從半導體元件1的第1主面Ia側(cè)觀察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖14(b)是表示圖14(a)中用F-F’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖14(a)及圖14(b)所示的本實施方式的第8半導體安裝體2000在外部電路基板210上搭載有作為上述本發(fā)明的第1實施方式的第1應(yīng)用例表示的半導體裝置200。半導體裝置200是在配置于中央的一個電路基板3的圖14中的左右兩側(cè)連接著兩個半導體元件1、8的結(jié)構(gòu)。并且，在本實施方式的第8半導體安裝體2000中，形成在配置于中央的電路基板3的第2主面北上的外部電極5與形成在外部電路基板210上的搭載電極端子220，通過電極接合體230接合，在其周圍填充有底部填充物M0。底部填充物本來具有提高半導體安裝體的接合可靠性的功能及保護半導體元件的功能。進而，在作為本實施方式的第7半導體安裝體1600而說明的、使半導體元件的至少一部分露出到半導體裝置與外部電路基板的電氣接合部分的外側(cè)的結(jié)構(gòu)中，通過在底部填充物的材料中使用氧化鋁、硅石、氮化硅等無機化合物、或分散有Al、Cu、銀等金屬填充物的環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂等而填充到半導體元件1與外部電路基板110之間，從而在起到上述底部填充物本來的功能的同時，能夠提高半導體元件1的散熱性。此外，在有關(guān)本實施方式的半導體裝置200中，能夠?qū)雽w元件1配置到半導體裝置200整體中的側(cè)端部上，從而形成半導體安裝體2000，此時能夠擴大半導體元件1與外部電路基板210的間隔。即，在形成在半導體裝置200的電路基板3的第2主面北上的外部電極5與形成在外部電路基板210的半導體裝置200的搭載面210a上的搭載電極端子 220相互連接的狀態(tài)下，在半導體元件1的第2主面Ib與外部電路基板210的搭載面210a 之間能夠形成具有規(guī)定的大小的間隔。因此，即使是實施底部填充物240的情況，也能夠使半導體元件1從底部填充物240離開而配置，該底部填充物240用來良好地確保半導體裝置200的電路基板3的外部電極5與外部電路基板210的搭載電極端子220之間的連接。 結(jié)果，半導體元件1不會被底部填充物240覆蓋，即使在例如底部填充物240是散熱性差的材料的情況下，也能夠確保對于半導體元件1的高散熱性。
另外，在本實施方式的半導體安裝體中，通過具有半導體元件與外部電路基板的間隔，能夠提高半導體元件的散熱特性。因而，在該半導體元件1與外部電路基板210的間隔部分中填充底部填充物或具有較高的熱傳導性的樹脂部件等并不是本發(fā)明的半導體安裝體的必須的要件。圖15是表示本實施方式的第9半導體安裝體3000的結(jié)構(gòu)的圖。圖15 (a)是表示從半導體元件1的第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖15(b)是表示圖15(a)中用G-G’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖15(a)及圖15(b)所示的本實施方式的第9半導體安裝體3000在外部電路基板310和外部電路基板320上搭載有作為上述本發(fā)明的第1實施方式的第2應(yīng)用例表示的半導體裝置300。半導體裝置300是在配置于中央的一個半導體元件1的圖15中的左右兩側(cè)連接有兩個電路基板3、18的結(jié)構(gòu)。并且，在本實施方式的第9半導體安裝體3000中，在圖中右側(cè)配置的、形成在第1電路基板3的第2主面北上的外部電極5與形成在第1外部電路基板310上的搭載電極端子330通過電極接合體340接合，并且在圖中左側(cè)配置的、形成在第 2電路基板18的第2主面18b上的外部電極5與形成在第2外部電路基板320上的搭載電極端子330通過電極接合體340接合。這樣，在本實施方式的第9半導體安裝體3000中，通過將半導體裝置300橫跨兩個外部電路基板310、320而搭載，能夠使半導體元件1的第2主面Ib露出，所以能夠得到確保了半導體元件1的高散熱特性的半導體安裝體3000。以上，作為本發(fā)明的第3實施方式，將第1至第9半導體安裝體的結(jié)構(gòu)例使用附圖具體地進行了說明。在上述本實施方式的說明中，為了方便，作為第1至第7半導體安裝體 1000 1700的例子而使用將第1實施方式的半導體裝置100搭載在外部電路基板110上的例子，作為第8半導體安裝體2000的例子而使用將有關(guān)第1實施方式的第1應(yīng)用例的半導體裝置200搭載在外部電路基板210上的例子，作為第9半導體安裝體3000的例子而使用將有關(guān)第1實施方式的第2應(yīng)用例的半導體裝置300搭載在外部電路基板310、320上的例子，但本發(fā)明的半導體安裝體并不限定于該例，關(guān)于各個的結(jié)構(gòu)的要點，應(yīng)用到哪個半導體裝置中都可以。例如，作為在半導體元件1的第2主面Ib上接合散熱體的圖8所示的本實施方式的第2半導體安裝體1100或圖9所示的第3半導體安裝體1200，可以使用在一個電路基板3上接合著兩個半導體元件1、8的半導體裝置200，此外，也可以使用在1個半導體元件 1上連接著兩個電路基板3、18的半導體裝置300。此外，作為圖14所示的本實施方式的第8半導體安裝體2000，使用半導體裝置 100或半導體裝置300，同樣可以對電路基板3 (18)與外部電路基板110、310、320的接合部實施底部填充物對0。進而，可以在半導體裝置100、半導體裝置200上接合兩個外部電路基板、如圖15所示的第9半導體裝置3000那樣在電路基板之間的開放的空間中配置半導體元件1的第2主面lb。并且，在這些的哪種情況下，都能夠得到對于搭載的半導體元件具有高散熱特性的半導體安裝體。(第4實施方式)接著，作為本發(fā)明的第4實施方式，對本發(fā)明的半導體裝置的制造方法使用附圖進行說明。圖16是作為本發(fā)明的第4實施方式而表示在上述第1實施方式中在圖1中表示的半導體裝置100的制造步驟的截面結(jié)構(gòu)圖。另外，在圖16中，例示了將4個半導體元件和4個電路基板在圖中橫向上配置、進而如使用圖17在后面敘述那樣、將各個半導體元件和電路基板以列狀配置各4個、將這樣以矩陣狀配置有多個的半導體元件與電路基板連接而形成合計16個半導體裝置后、將各個半導體裝置分別分割的工序。但是，在縱向、橫向上配置的半導體元件和電路基板的個數(shù)當然并不限定于4個，此外，在如用圖2、圖4說明那樣的第1實施方式中的應(yīng)用例那樣、形成一個半導體裝置的半導體元件與電路基板的個數(shù)不同的情況下，在對其使用本實施方式中表示的半導體裝置的制造方法進行制造的情況下，配置的半導體元件和電路基板的各自的個數(shù)不同也是當然的。另外，在圖16中，半導體元件和電路基板的結(jié)構(gòu)由于原樣使用作為上述第1實施方式使用圖1說明的結(jié)構(gòu)，所以關(guān)于作為第1實施方式說明的各構(gòu)成要素賦予相同的標號而省略其詳細的說明。如圖16所示，在本實施方式的半導體裝置的制造方法中，作為載置工序的第一階段，首先如圖16(a)所示，將在第1主面3a、3a’上形成有電極焊盤4、4’、在第2主面!3b、3b’ 上形成有外部電極5、5’的電路基板3、3’在使第1主面3a、3a’朝向上方的狀態(tài)下配置到由玻璃環(huán)氧樹脂、塑料薄膜、金屬板等構(gòu)成的保持板41上。這里，在圖16所示的例子中，為了發(fā)揮在使半導體元件1與電路基板3的主面朝向相同方向的狀態(tài)下使側(cè)面對置而并列配置的本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)上的特長，做成了使電路基板3和半導體元件1的配置方向交替地不同那樣的配置。因而，如圖16(a)所示，配置在圖中最右側(cè)的電路基板3、和配置在從右起第2個的電路基板3’配置為，在俯視時其方向為旋轉(zhuǎn)對稱。在保持板41的表層上形成有能夠變更粘附性的未圖示的粘接層，在形成為半導體裝置后能夠?qū)⒈３职?1從半導體裝置拆下。例如，在作為粘接層而使用UV硬化性的粘附件的情況下，在形成為半導體裝置后能夠照射UV光等而進行保持板41的拆下。在保持板41上的電路基板3、3’的兩外側(cè)設(shè)有基板框42，通過該基板框42限制電路基板3、3’的配置位置。此外，可以使用該基板框42將多個的電路基板3、3’ 一并粘貼到保持板41上。接著，如圖16(b)所示，作為載置工序的第二階段，在保持板41上的規(guī)定位置上配置在第1主面la、la’上形成有連接電極2、2’的半導體元件1、1’，以使第1主面la、la’朝向上方。如上所述，在圖16所示的本實施方式中，使半導體元件1、1’和電路基板3、3’的配置方向配置為交替地不同，所以與電路基板3、3’同樣，半導體元件1、1’也配置為，使圖 16(b)的最右側(cè)的列與從右起第2個列俯視為旋轉(zhuǎn)對稱。這里，如使用圖17在后面敘述那樣，通過精心設(shè)計制造半導體元件1時的半導體基板上的配置圖案，能夠?qū)⒁粤袪钚纬傻亩鄠€半導體元件1、1’同時配置到保持板41上。以上的圖16(a)及圖16(b)所示的、將半導體元件1和電路基板3配置到保持板上的工序為載置工序。另外，載置工序中的半導體元件1和電路基板3的向保持板41上的搭載順序并不限定于上述例子，也可以將半導體元件1在第一階段搭載、將電路基板3在第二階段搭載，既可以將半導體元件1的搭載和電路基板3的搭載部分地交替進行，此外也可以將分別準備的半導體元件1和電路基板3的搭載全部一并進行。接著，如圖16(c)所示，進行將形成在半導體元件1、1’的第1主面la、la’上的連接電極2、2’與形成在鄰接的電路基板3、3’的第1主面3a、3a’上的電極焊盤4、4’用連接線6、6’連接的連接工序。該連接工序可以通過與通常的引線接合工序相同的次序進行。然后，如圖16(d)所示，進行通過密封樹脂7覆蓋半導體元件1、1’的第1主面la、 1^、電路基板3、3’的第1主面33、3^、和連接線6、6’密封的覆蓋工序。此時，優(yōu)選的是， 密封樹脂7在其兩端部伸出到基板框42上而形成，以使密封樹脂7將電路基板3、3’的第 1主面3a、3a，完全覆蓋。并且，在密封樹脂7硬化后，如圖16(e)所示，進行將保持板41除去的保持板除去工序。該保持板除去工序例如如上所述，優(yōu)選的是使形成在保持板41上的未圖示的粘接層的粘接性變化來進行。然后，如圖16(f)所示，根據(jù)與未圖示的母板等外部電路基板的連接的需要，在形成于電路基板3、3’的第2主面!3b、3b’上的外部電極5、5’上進行焊料球43球貼裝(kill mount)。如果不需要與外部電路基板的連接，則當然可以將該工序省略。最后，如圖16(g)所示，將用密封樹脂7使半導體元件1、1’與電路基板3、3’ 一體化的半導體裝置100通過切割加工等而分離單片化。另外，在不使用上述圖16(f)的貼裝焊料球的工序的情況下，也可以在保持板除去工序前，在配置在保持板21上的狀態(tài)下將半導體裝置分離單片化、對分別單片化的半導體裝置100實施將半導體裝置100從保持板41分離的保持板除去工序。接著，圖17是關(guān)于作為本實施方式的半導體裝置的制造方法、表示保持板41上的半導體元件1、1’和電路基板3、3’的配置狀態(tài)的圖。另外，圖17表示圖16(c)的連接工序完成后的狀態(tài)，還沒有形成密封樹脂7。此外，保持板41由于與基板框42重疊，所以在圖 17中沒有出現(xiàn)。進而，為了圖的簡單化，形成在電路基板3、3’的第2主面3a、3a’上的外部電極5、5’省略了圖示。如圖17所示，在本實施方式中，在和與對應(yīng)于半導體元件的電路基板的鄰接方向垂直的方向、即圖17的縱向上，也連續(xù)配置有各4個半導體元件1、1’和電路基板3、3’。這樣，在與相互連接的半導體元件與電路基板的鄰接方向垂直的方向上，連續(xù)配置多個半導體元件1、1’，從而能夠?qū)⒃谶B續(xù)配置在硅基板上的狀態(tài)下制造的半導體元件1、1’連同形成在其排列方向的兩端部上的虛擬(dummy)元件44 一并作為連續(xù)的部件載置到保持板41 上。通過這樣，能夠一并進行多個半導體元件1、1’的向保持板41的搭載，所以與將從半導體基板切割得到的單片狀的半導體元件1載置到保持板41上的情況相比，能夠使載置工序大幅地簡單化。進而，如上所述，能夠使用基板框42將多個電路基板3也一并載置到保持板41上。通過使用這些方法使半導體元件和電路基板的向保持板41的載置一并簡單化、 將它們接合后一并通過切割等進行分離單片化，能夠使本實施方式的半導體裝置的制造工序整體簡單化。這里，通過如上述那樣使電路基板3和半導體元件1的配置方向交替地不同、并且將配置在各列中的電路基板3和半導體元件1配置為相互點對稱，從而能夠?qū)⒃诰弦徊⑿纬砂雽w元件1后的結(jié)構(gòu)在同時切出兩列的量而與電路基板接合后，細分化為各個半導體裝置。CN 102549740 A另外，這樣使電路基板3和半導體元件1的配置方向交替不同，在本發(fā)明中當然并不是必須的。此外，根據(jù)本實施方式的半導體裝置的制造方法，如上所述，在將半導體元件與電路基板的組合在基板框42上排列多個的狀態(tài)下，涂覆密封樹脂，并在之后切割出半導體裝置，所以在半導體裝置的單片化的同時，能夠使作為半導體元件的側(cè)面的截面在沒有被密封樹脂覆蓋的狀態(tài)下露出到半導體裝置的外部。這樣的半導體元件的側(cè)面的露出可以根據(jù)半導體裝置的單片化時的切斷片的數(shù)量而增加，如圖17所示，在將半導體裝置在縱向和橫向上以矩陣狀配置并將其單片化的情況下，能夠使各個半導體元件的3個側(cè)面在沒有被密封樹脂覆蓋的狀態(tài)下露出。此外，根據(jù)本實施方式的半導體裝置的制造方法，能夠使載置在保持板41上的多個半導體裝置100的連接線6的方向與密封模具的澆口(日本語—卜π )方向至通氣口(日本語《 > 卜口)方向、或者通氣口方向至澆口方向一致。此外，由于能夠使連接線 6的長度為一定，所以容易控制線流，能夠有效且可靠地避免鄰接的連接線6彼此意外接觸的狀況。此外，由于連接線6的配置方向為一定的方向，所以能夠?qū)⒍鄠€連接線6排列為一列而一齊進行引線接合，所以從這個觀點上看也能夠提高半導體裝置的生產(chǎn)性。如以上說明，根據(jù)使用圖16、圖17說明的本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，能夠容易且高效率地制造在第1實施方式中說明的本發(fā)明的半導體裝置。另外，如圖16(d)所示，在本實施方式的密封工序中，形成為，在半導體元件1、1’ 與電路基板3、3’的間隙14中填充密封樹脂7。如在上述第1實施方式中說明那樣，是否將密封樹脂7填充到半導體元件1、1’與電路基板3、3’的間隙14中可以根據(jù)作為半導體裝置100要求的各特性而適當選擇。并且，在將密封樹脂7填充到半導體元件1、1’與電路基板3、3’的間隙中的情況下，優(yōu)選的是根據(jù)作為密封樹脂7使用的樹脂件的填充物的大小來調(diào)整間隙的大小、進行載置工序。如果舉具體例，則在密封樹脂7的填充物是包括最大到50 μ m左右的大小的結(jié)構(gòu)那樣的分布的情況下，在載置工序中，如果將半導體元件1、1’與電路基板3、3’的間隔設(shè)為 50 μ m以下而配置到保持板21上，則密封樹脂7的填充物填堵而將間隙覆蓋，在間隙中沒有填充密封樹脂7。在這樣的情況下，通過使間隙的間隔為50 μ m以上，能夠?qū)⒚芊鈽渲畛涞介g隙中。因而，根據(jù)是否對半導體元件與電路基板的間隙填充密封樹脂、和使用的密封樹脂的填充物的大小的分布程度，適當設(shè)定載置工序中的半導體元件與電路基板的間隔。在上述本發(fā)明的第1實施方式到第4實施方式的說明中，例示了作為將半導體元件的連接電極與電路基板的電極焊盤連接的連接部件而使用作為金屬線的連接線的情況。 但是，在本發(fā)明中，將半導體裝置的連接電極與電路基板的電極焊盤連接的連接部件并不限定于金屬線，作為概念也包括梁式引線(beam lead)及其他方法中的連接線。此外，在連接線以外，也可以使用導電膏或薄膜基板、與電路基板同樣在硬質(zhì)基材上形成有配線圖案的配線基板、通過其他印刷法等形成的連接圖案等、各種連接部件。圖18表示代替金屬線6、即圖1所示的有關(guān)本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置 100的連接部件，而使用在表面上形成有多條筋狀的導電膏71的薄膜基板72作為連接部件的半導體裝置100A的結(jié)構(gòu)，18(a)表示其平面結(jié)構(gòu)，18(b)表示其截面結(jié)構(gòu)。另外，圖18所示的半導體裝置100A與圖1所示的半導體裝置100的不同之處僅在于，將半導體裝置的連接電極與電路基板的電極焊盤連接的連接部件，對于其他部件賦予相同的標號而省略其詳細的說明。如圖18所示，在連接部件不同的半導體裝置100A中，將在表面上以與連接電極2 及電極焊盤4的配置間隔同等的間距印刷形成有導電膏71的薄膜基板72配置為，使導電膏71的印刷面朝向半導體元件1和電路基板3的第1主面la、3a側(cè)，以使對應(yīng)的半導體元件1的連接電極2與電路基板3的電極焊盤4連接，上述導電膏71是與連接電極2和電極墊板4的寬度大致相同或稍窄的寬度的筋狀的導電膏。通過這樣，能夠?qū)⒎謩e對應(yīng)的多個連接電極2和電極焊盤4 一并連接，能夠使半導體元件1與電路基板3的連接工序簡單化。另外，在圖18中，形成密封樹脂7以使其將涂覆有導電膏71的薄膜基板72覆蓋， 但由于導電膏71被薄膜基板72覆蓋，所以與使用金屬線的引線接合的情況及僅用導電膏 71連接的情況不同，不需要避免連接部件與半導體裝置外部的短路。因此，不一定需要在薄膜基板72上形成密封樹脂7，只要能夠充分保持作為半導體裝置100A的強度，密封樹脂7 也可以分開形成到半導體元件1的第1主面Ia上和電路基板3的第1主面3a上。特別是， 在作為連接部件而使用具有規(guī)定的厚度和物理強度的樹脂制基板的情況下，將其上部用密封樹脂覆蓋的需要進一步降低。(另一半導體裝置)這里，使用圖19對應(yīng)用了本發(fā)明的半導體裝置的思想的另一半導體裝置600進行說明。圖19是表示另一半導體裝置600的結(jié)構(gòu)的圖，圖19 (a)是表示從其第1主面?zhèn)扔^察的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖19(b)是表示圖19(a)中用H-H’向視線表示的部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖19所示的半導體裝置600與在上述本發(fā)明的各實施方式中說明的本發(fā)明的半導體裝置100、200、300、400、500不同，第1半導體元件1和第2半導體元件61使各自的第 1主面la、61a朝向相同的方向、使各自的側(cè)面Icl和61cl相互對置而并列配置。并且，形成在第1半導體元件1的第1主面Ia上的連接電極2和配置在第2半導體元件61的第1 主面61a上的連接電極62用金屬制的連接線65連接。在第2半導體元件61的第2主面61b上，在縱橫方向上以矩陣狀形成有用來將第 2半導體元件61與未圖示的外部的基板連接的外部電極63，該第2半導體元件61的外部電極63通過形成在第2半導體元件61上的貫通配線64而與形成在第1主面61a上的連接電極62及未圖示的半導體集成電路連接。并且，形成有由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的密封樹脂66，以使其將第1半導體元件1的第1 主面la、第2半導體元件61的第1主面61a、以及使連接電極2與連接電極62導通的連接線65覆蓋。在半導體裝置中，有將多個半導體元件在層疊的狀態(tài)下進行凸塊(bump)連接、而進行將其安裝到電路基板上的多層凸塊連接的情況。在此情況下，由于半導體元件被層疊， 因此難以確保不位于最外面的半導體元件的散熱特性。在這樣的情況下，如果采用能夠提高半導體元件與電路基板的連接中的半導體元件的散熱特性的本發(fā)明的技術(shù)思想，則能夠在確保對許多半導體元件進行連接的多層連接的半導體裝置的功能的狀態(tài)下，提高半導體元件的散熱特性。另外，在圖19所示的半導體裝置600中沒有涉及到電路基板，但既可以將電路基板并列形成在半導體裝置600的側(cè)方，此外也可以配置電路基板以使其對置于第2半導體元件61的第2主面61b。此外，在使用兩個以上的半導體元件的情況下，當然也可以作為半導體元件而將想要確保散熱特性的元件依次在側(cè)方并列多個。此外，為了提高半導體元件的散熱特性，當然可以將連接散熱翅片等、作為上述本發(fā)明的各實施方式而說明的、用來提高散熱特性的各種機構(gòu)應(yīng)用到圖19所示的另一半導體裝置600中。進而，與上述本發(fā)明的各實施方式的半導體裝置的情況同樣，作為將兩個半導體元件1、61電連接的連接部件能夠使用金屬制的連接線65以外的導電膏等的其他連接部件。工業(yè)實用性有關(guān)本發(fā)明的半導體裝置、以及安裝著該半導體裝置的半導體安裝體、以及半導體裝置的制造方法能夠得到半導體元件的高散熱特性和半導體裝置的高生產(chǎn)性，所以作為在各種電子設(shè)備中使用的半導體裝置及半導體安裝體在工業(yè)上具有實用性。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，其特征在干，半導體元件具備形成有連接電極的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，電路基板具備形成有電極焊盤的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，上述半導體元件與上述電路基板在使各自的上述第1主面朝向相同的方向、使上述側(cè)面配置為大致對置的狀態(tài)下，將上述連接電極與上述電極焊盤連接；上述半導體元件的上述第1主面和上述電路基板的上述第1主面被密封樹脂覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在干，上述半導體元件的上述側(cè)面的至少1個以上沒有被上述密封樹脂覆蓋而露出。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在干，大致對置于上述半導體元件的兩個以上的上述側(cè)面而配置有多個上述電路基板。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的半導體裝置，其特征在干，大致對置于上述電路基板的兩個以上的上述側(cè)面而配置有多個上述半導體元件。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的半導體裝置，其特征在干，上述半導體元件在上述第2主面上形成有集成電路，上述集成電路與形成在上述第1 主面上的上述連接電極通過貫通上述半導體元件的連接配線連接。
6.一種半導體安裝體，其特征在干，在外部電路基板上搭載有權(quán)利要求1 5中任一項所述的半導體裝置；形成在構(gòu)成上述半導體裝置的上述電路基板的上述第2主面上的外部電極與形成在上述外部電路基板的搭載有上述半導體裝置的搭載面上的搭載電極端子連接。
7.如權(quán)利要求6所述的半導體安裝體，其特征在干，構(gòu)成上述半導體裝置的上述半導體元件向上述外部電路基板的側(cè)方突出而配置。
8.如權(quán)利要求6所述的半導體安裝體，其特征在干，構(gòu)成上述半導體裝置的上述半導體元件的上述側(cè)面或上述第2主面中的至少某ー個面與散熱機構(gòu)接觸。
9.如權(quán)利要求6所述的半導體安裝體，其特征在干，在構(gòu)成上述半導體裝置的上述半導體元件與上述外部電路基板之間形成有間隙。
10.如權(quán)利要求9所述的半導體安裝體，其特征在干，在上述半導體元件與上述外部電路基板之間的間隙中填充有底部填充物。
11.一種半導體裝置的制造方法，其特征在干，具備載置エ序，將半導體元件與電路基板在使各自的第1主面朝向上方的狀態(tài)下并列地載置到保持板上，上述半導體元件具備形成有連接電極的第1主面、相當于上述第1主面的背面的第2主面和多個側(cè)面，上述電路基板具備形成有電極焊盤的第1主面、相當于上述第1 主面的背面的第2主面和多個側(cè)面；連接エ序，將上述連接電極與上述電極焊盤連接；密封エ序，將上述半導體元件和上述電路基板通過密封樹脂覆蓋；保持板除去エ序，將上述保持板除去。
12.如權(quán)利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在干，在上述載置エ序中，將以列狀連續(xù)形成的多個上述半導體元件搭載到上述保持板上， 在上述密封エ序后將連接的上述半導體元件和上述電路基板分別切斷，然后進行上述保持板除去エ序。
13.如權(quán)利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在干，在上述載置エ序中，將以列狀連續(xù)形成的多個上述半導體元件搭載到上述保持板上， 在上述保持板除去エ序后，將連接的上述半導體元件和上述電路基板分別切斷。
14.如權(quán)利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在干，在上述搭載ェ序中，將上述半導體元件和上述電路基板配置為，按照相鄰的列相互成為點對稱。
全文摘要
提供一種能夠提高搭載的半導體元件的散熱性、此外能夠提高半導體元件及電路基板的電路設(shè)計裕度、和半導體元件的搭載工序中的生產(chǎn)性的半導體裝置、半導體安裝體、及半導體裝置的制造方法。半導體元件(1)具備形成有連接電極(2)的第1主面(1a)、相當于第1主面(1a)的背面的第2主面(1b)和多個側(cè)面(1c)，電路基板(3)具備形成有電極焊盤(4)的第1主面(3a)、相當于第1主面的背面的第2主面(3b)和多個側(cè)面(3c)，半導體元件(1)和電路基板(3)在使各自的第1主面(1a、3a)朝向相同的方向、使側(cè)面(1c、3c)配置為大致對置的狀態(tài)下，將連接電極(2)與電極焊盤(4)連接，將半導體元件(1)的第1主面(1a)和電路基板(3)的第1主面(3a)用密封樹脂(7)覆蓋。
文檔編號H01L23/12GK102549740SQ201080042469
公開日2012年7月4日 申請日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月24日
發(fā)明者越智岳雄 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社