專利名稱:基板盒及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及基板盒、基板處理設(shè)備、基板處理系統(tǒng)、控制設(shè)備和用于制造顯示元件的方法。要求下述專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)在2009年9月25日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng) No. 61/272,462、在2009年9月25日提交的日本專利申請(qǐng)No. 2009-219953以及在2010年 9月7日提交的美國專利申請(qǐng)No. 12/876,842,上述申請(qǐng)的內(nèi)容通過引用合并于此。
背景技術(shù):
有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件在本領(lǐng)域中已知例如作為諸如顯示器的顯示裝置的顯示元件。有機(jī)EL元件包括基板(substrate)上的正電極和負(fù)電極以及介于正電極和負(fù)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)EL元件被配置為獲得通過下述方式發(fā)出的顯示光從正電極向有機(jī)發(fā)光層內(nèi)注入空穴,并使空穴和電子在有機(jī)發(fā)光層中結(jié)合。有機(jī)EL元件例如具有與基板上的正電極和負(fù)電極相連接的電路。作為用于制造有機(jī)EL元件的方法,例如,在本領(lǐng)域中已知被稱為卷到卷 (roll-to-roll)方法(以下簡(jiǎn)稱為“卷動(dòng)方法(roll method)”)的技術(shù)(例如,參見PCT 公布No. 2006/100868的小冊(cè)子)。在卷動(dòng)方法中,通過供應(yīng)纏繞基板供應(yīng)側(cè)的輥的單個(gè)片狀基板并將所供應(yīng)的基板纏繞在基板回收側(cè)的輥上來傳送基板,并且在被提供后纏繞基板的同時(shí),在基板上依序形成有機(jī)EL元件的發(fā)光層、正電極或負(fù)電極、電路等。在專利文件1中公開的配置中,例如,用于供應(yīng)基板的輥和用于纏繞基板的輥可以從生產(chǎn)線上拆卸下來。拆卸下來的輥可以被傳送到例如另一條生產(chǎn)線,并且在那里重新安裝以使用。然而,在上述配置中,由于纏繞在輥上的基板布置在生產(chǎn)線的外部環(huán)境中并被暴露,因此諸如灰塵等異物可能附著到基板。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面提供了能夠防止異物附著到基板的基板盒、基板處理設(shè)備和基板處理系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的基板盒,包括盒主框架,其具有用于載入/載出基板的開口,并且容納通過所述開口的基板;安裝部件,其設(shè)置在盒主框架中,并且可拆卸地連接到外部連接部件;以及阻塞單元,其根據(jù)安裝部件與外部連接部件之間的連接狀態(tài)來阻塞所述開口。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的基板盒,包括盒主框架,其具有用于載入/載出基板的開口,并且容納通過所述開口的基板;安裝部件,其設(shè)置在盒主框架中,并且可拆卸地連接到外部連接部件,其中,所述開口被設(shè)置為根據(jù)安裝部件與外部連接部件之間的連接狀態(tài), 由所述基板阻塞。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的基板處理設(shè)備,包括基板處理單元,其執(zhí)行對(duì)基板的
8處理;所述基板盒;以及基板處理側(cè)連接部件,其設(shè)置在基板處理單元中,并且連接到基板
品.ο根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的基板處理系統(tǒng),包括第一處理設(shè)備,其執(zhí)行對(duì)基板的第一處理;第二處理設(shè)備,其在所述第一處理后執(zhí)行對(duì)基板的第二處理;以及基板中繼設(shè)備, 其從所述第一處理設(shè)備回收基板,并且向所述第二處理設(shè)備供應(yīng)所回收的基板,其中,使用所述基板盒作為所述基板中繼設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的控制設(shè)備,包括基板處理設(shè)備,其執(zhí)行對(duì)基板的處理; 以及主控制單元,其執(zhí)行連接到基板處理設(shè)備的所述基板盒的控制。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的制造顯示元件的方法,包括在基板處理單元中執(zhí)行對(duì)基板的處理的過程;以及使用所述基板盒向基板處理單元供應(yīng)基板的過程。根據(jù)本發(fā)明的方面,可以防止異物附著到基板。
圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL元件的示意圖。圖2圖示基板處理設(shè)備的配置。圖3圖示基板處理單元的配置。圖4圖示液滴施加裝置的配置。圖5是圖示基板盒的配置的透視圖。圖6是圖示基板盒的配置的橫截面視圖;圖7是基板盒的橫截面的擴(kuò)大示圖。圖8是圖示基板盒的一部分的配置的側(cè)視圖。圖9是圖示基板盒的一部分的配置的側(cè)視圖。圖10圖示基板盒的容納操作。圖11圖示基板盒的容納操作。圖12圖示基板盒的連接操作。圖13圖示基板盒的連接操作。圖14圖示在基板處理單元中形成障壁的處理。圖15圖示在片型基板中形成的障壁的形狀和布置。圖16是在片型基板中形成的障壁的橫截面視圖。圖17圖示液滴施加操作。圖18圖示在障壁之間形成的薄膜的配置。圖19圖示在片型基板中形成柵絕緣層的處理。圖20圖示用于切割片型基板的布線的處理。圖21圖示用于在源極-漏極形成區(qū)域中形成薄膜的處理。圖22圖示形成有機(jī)半導(dǎo)體層的處理。圖23圖示對(duì)齊的示例。圖M圖示基板盒的去除操作。圖25圖示基板處理系統(tǒng)的配置。圖沈圖示基板處理系統(tǒng)的配置。CN 102549713 A
圖27圖示片型基板FB的回收操作。圖觀圖示片型基板FB的回收操作。圖四圖示片型基板FB的回收操作。圖30圖示基板處理系統(tǒng)的另一種配置。圖31圖示基板處理系統(tǒng)的配置。圖32圖示基板處理設(shè)備的配置。圖33圖示基板處理設(shè)備的輥的配置。圖;34圖示基板處理設(shè)備的輥的配置。圖35圖示另一種基板處理設(shè)備的阻塞單元的配置。圖36圖示另一種有機(jī)EL元件的配置。圖37是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的基板盒的配置的透視圖。圖38是圖示基板盒的配置的橫截面視圖。圖39是圖示基板盒的一部分的配置的側(cè)視圖。圖40是圖示基板盒的一部分的配置的側(cè)視圖。圖41圖示基板盒的容納操作。圖42圖示基板盒的容納操作。圖43圖示基板盒的連接操作。圖44圖示基板盒的連接操作。圖45圖示基板盒的去除操作。圖46圖示另一種基板處理設(shè)備的阻塞單元的配置。附圖標(biāo)記的描述FB...片型基板(sheet substrate)PB...保護(hù)基板SYS, SYS2. ·.基板處理系統(tǒng)1,2001···基板盒2...盒主框架3...安裝部件4...阻塞單元20...容納單元21...傳送單元21a···張力輥21b...測(cè)量輥21c...檢測(cè)單元22...基板引導(dǎo)單元22a, 22b. · ·基板弓|導(dǎo)構(gòu)件(夾持機(jī)構(gòu))23···突出部24...基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)25···蓋26···輥單元
26c...附著部件27···引導(dǎo)單元28···窗口29...顯示單元34...開口35···第二開口36...基板傳送單元37···基板引導(dǎo)單元41...蓋構(gòu)件42...切換機(jī)構(gòu)50...有機(jī) EL 元件51····接合部件100,202,300,310,320. · ·基板處理設(shè)備102A, 302A, 311A...供應(yīng)側(cè)連接部件102Β,302Β,311Β· · ·回收側(cè)連接部件103,223,312...基板回收單元201...基板制造設(shè)備203,303...中繼設(shè)備211···基板制造單元211Α,222Α· · ·連接部件222,302,311,321...基板處理單元2004...氣體供應(yīng)端口2041...供應(yīng)入口2042,2043...流動(dòng)路徑2044a, 2044b. ·.氣體排放端口2045...擠壓機(jī)構(gòu)
具體實(shí)施例方式以下,將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。(有機(jī)EL元件)圖1(a)是圖示有機(jī)EL元件的配置的平面視圖。圖1 (b)是沿著圖1(a)的線b_b 所取的橫截面視圖。圖1(c)是沿著圖1(a)的線c-c所取的橫截面視圖。如圖1(a)至1(c)中所示,有機(jī)EL元件50是底部接觸型,其中,在片型基板FB上形成柵電極G和柵絕緣層I。此外,在其上形成源電極S、漏電極D和像素電極P,然后,在其上形成有機(jī)半導(dǎo)體層OS。如圖1(b)中所示,在柵電極G上形成柵絕緣層I。在柵絕緣層I上,形成源極總線 SBL的源電極S,同時(shí),形成連接到像素電極P的漏電極D。在源電極S和漏電極D之間形成有機(jī)半導(dǎo)體層OS。結(jié)果,完整地制造出場(chǎng)效應(yīng)晶體管。另外,如圖1(b)和1(c)中所示,在像素電極P上形成發(fā)光層IR,并且在發(fā)光層頂上形成透明電極ΙΤ0。
如圖1(b)和1(c)中所示,例如,在片型基板FB上形成障壁BA(提層(bank layer) )0另外,如圖1(c)中所示,在障壁BA之間形成源極總線SBL。因?yàn)橐赃@種方式提供障壁BA,所以高精度地形成源極總線SBL,同時(shí),也精確地形成像素電極P和發(fā)光層頂。另夕卜,雖然在圖1(b)和1(c)中未示出,但是與源極總線SBL類似,在障壁BA之間也形成柵極總線GBL。有機(jī)EL元件50優(yōu)選地用于例如顯示裝置、電器的顯示單元等。在這種情況下,例如,使用形成為板形的有機(jī)EL元件50。為了制造這樣的有機(jī)EL元件50,需要形成以下基板,在所述基板中形成薄膜晶體管(TFT)和像素電極。為了在基板的像素電極上高精度地形成包括發(fā)光層的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層(發(fā)光元件層),優(yōu)選的是,在像素電極的邊界區(qū)域中高精度地、容易地形成障壁BA(提層)。(基板處理設(shè)備)圖2是圖示用于使用具有撓性的片型基板FB來執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備100的配置的示意圖?;逄幚碓O(shè)備100是用于使用帶狀片型基板FB來形成圖1中所示的有機(jī)EL元件 50的設(shè)備。如圖2中所示,基板處理設(shè)備100包括基板供應(yīng)單元101、基板處理單元102、基板回收單元103和控制單元104。片型基板FB從基板供應(yīng)單元101經(jīng)由基板處理單元102 傳送到基板回收單元103。控制單元104總體地執(zhí)行對(duì)基板處理設(shè)備100的操作的控制。以下,建立XYZ直角坐標(biāo)系,并且將參考XYZ直角坐標(biāo)系來描述每個(gè)構(gòu)件的位置關(guān)系。X軸方向表示片型基板FB在水平面內(nèi)的傳送方向,Y軸方向表示在水平面內(nèi)與X軸方向垂直的方向,并且Z軸方向表示與X軸方向和Y軸方向中的每一個(gè)都垂直(即,正交)的方向。另外,圍繞X軸、Y軸和Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別由θχ、ΘΥ和ΘΖ表示。例如,可以將耐熱樹脂膜、不銹鋼等用作片型基板FB。具體地說,片型基板FB的材料可以包括聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯共聚樹脂(ethylenevinyl copolymer resin)、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚酰氨樹脂、聚酰亞氨樹脂、聚碳酸酯樹月旨、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂等。例如,片型基板FB的Y方向尺寸形成為大約Im至 2m,并且,Y方向尺寸形成為IOm或更大。毋庸多言,這樣的尺寸僅是示例性的,而不限于此。 例如,片型基板FB的Y方向尺寸可以小于50cm,或者等于或大于an。另外,片型基板FB的 X方向尺寸可以小于10m。此外,本實(shí)施例的撓性表示下述撓性屬性當(dāng)諸如至少大約自重的預(yù)定力被施加到基板時(shí),基板可以彎曲,而不會(huì)導(dǎo)致任何破裂或折斷。另外,撓性根據(jù)基板的材料、大小或厚度或者環(huán)境(比如溫度)來改變。優(yōu)選的是,片型基板FB具有較低的熱膨脹系數(shù),使得即使被加熱時(shí),例如在大約 200°C的溫度下,尺寸也不改變。例如,可以通過將無機(jī)填充劑與樹脂膜混合來降低熱膨脹系數(shù)。無機(jī)填充劑可以包括例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化硅等。基板供應(yīng)單元101連接到在基板處理單元102中設(shè)置的供應(yīng)側(cè)連接部件102A?;骞?yīng)單元101例如向基板處理單元102提供纏繞成卷形的片型基板FB?;寤厥諉卧?103回收在基板處理單元102中執(zhí)行了處理的片型基板FB。圖3圖示基板處理單元102的配置。如圖3中所示,基板處理單元102包括傳送單元105、元件形成單元106、對(duì)齊單元 107和基板切割單元108?;逄幚韱卧?02在傳送從基板供應(yīng)單元101供應(yīng)的片型基板FB的同時(shí)在片型基板FB中形成有機(jī)EL元件50的每個(gè)構(gòu)成部分,并向基板回收單元103傳送具有有機(jī)EL元件50的片型基板FB。傳送單元105具有沿著X方向排列的多個(gè)輥RR。通過旋轉(zhuǎn)輥RR在X軸方向上傳送片型基板FB。輥RR可以是橡膠輥,用于從兩面插入片型基板FB。如果片型基板FB具有穿孔,則輥RR可以有棘齒。多個(gè)輥RR中的一些能夠在垂直于傳送方向的Y軸方向上移動(dòng)。元件形成單元106包括障壁形成單元91、電極形成單元92和發(fā)光層形成單元93。 障壁形成單元91、電極形成單元92和發(fā)光層形成單元93以此順序在片型基板FB的傳送方向上從上游側(cè)向下游側(cè)被布置。以下,將描述元件形成單元106的每一個(gè)配置。障壁形成單元91包括壓印輥110和傳熱輥115。障壁形成單元91在從基板供應(yīng)單元101供應(yīng)的片型基板FB上形成障壁BA。障壁形成單元91使用壓印輥110來擠壓片型基板FB,并且使用傳熱輥115以超過玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)(glass transition point)的溫度來加熱片型基板FB,使得被擠壓的障壁BA可以保持它們的形狀。結(jié)果,在壓印輥110的輥表面上形成的圖案形狀被轉(zhuǎn)印到片型基板FB。傳熱輥115例如以大約200°C的溫度來加熱片型基板FB。壓印輥110的輥表面經(jīng)過鏡面加工,并且,在輥表面上安裝了由諸如SiC和Ta等材料構(gòu)成的精細(xì)壓印模具111。精細(xì)壓印模具111構(gòu)成薄膜晶體管的布線壓模和濾色器壓模。壓印輥110使用精細(xì)壓印模具111在片型基板FB上形成對(duì)齊標(biāo)記AM。為了在作為片型基板FB的寬度方向的Y軸方向的兩側(cè)上形成對(duì)齊標(biāo)記AM,精細(xì)壓印模具111具有用于對(duì)齊標(biāo)記AM的壓模。電極形成單元92設(shè)置在障壁形成單元91的+X側(cè)上,以便例如使用有機(jī)半導(dǎo)體來形成薄膜晶體管。具體地說,在如圖1中所示地形成柵電極G、柵絕緣層I、源電極S、漏電極 D和像素電極P之后,形成有機(jī)半導(dǎo)體層OS。薄膜晶體管(TFT)可以由無機(jī)半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體制成。雖然非晶硅系列在本領(lǐng)域中已知作為無機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管,但是也可以使用有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管。如果通過使用該有機(jī)半導(dǎo)體來構(gòu)成薄膜晶體管,則可以使用印刷技術(shù)或液滴施加技術(shù)來形成薄膜晶體管。另外,在有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管中,在圖1中所示的場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET是特別優(yōu)選的。電極形成單元92包括液滴施加裝置120、熱處理裝置BK和切割裝置130。根據(jù)本實(shí)施例的液滴施加裝置120例如包括液滴施加裝置120G,用于形成柵電極G ;液滴施加裝置1201,用于形成柵絕緣層I ;液滴施加裝置120SD,用于形成源電極S、漏電極D和像素電極P ;液滴施加裝置1200S,用于形成有機(jī)半導(dǎo)體0S,等等。圖4是圖示液滴施加裝置120的配置的平面視圖。圖4圖示從+Z側(cè)看到的液滴施加裝置120的配置。液滴施加裝置120沿著Y軸方向延伸。在液滴施加裝置120中設(shè)置了未示出的驅(qū)動(dòng)裝置。液滴施加裝置120能夠由驅(qū)動(dòng)裝置例如在X方向、Y方向和ΘΖ方向上移動(dòng)。在液滴施加裝置120中形成多個(gè)噴嘴122。噴嘴122設(shè)置在液滴施加裝置120中的面向片型基板FB的平面中。噴嘴122例如沿著Y軸方向排列,并且例如以兩行來形成一行噴嘴122(噴嘴行)。控制單元104可以使得所有的噴嘴122 —起被施加液滴,或獨(dú)立地調(diào)整用于在每一個(gè)噴嘴122中施加液滴的時(shí)機(jī)。
液滴施加裝置120可以采用例如噴墨技術(shù)、分配器技術(shù)等。噴墨技術(shù)可以包括電荷控制型、擠壓振動(dòng)型、機(jī)電轉(zhuǎn)換型、電熱轉(zhuǎn)換型、靜電吸入型等。在液滴施加方法中,以較少的浪費(fèi)來使用材料,并且可以將期望量的材料精確地設(shè)置到期望位置。另外,通過液滴施加方法施加的金屬墨的單個(gè)液滴的量可以被設(shè)置為例如1至300毫微克。返回圖2,液滴施加裝置120G在柵極總線GBL的障壁BA內(nèi)施加金屬墨。液滴施加裝置1201向切換單元施加由聚酰亞胺基樹脂或聚氨酯基樹脂構(gòu)成的電絕緣墨。液滴施加裝置120SD在源極總線SBL的障壁BA和像素電極P的障壁BA內(nèi)施加金屬墨。液滴施加裝置1200S向在源電極S和漏電極D之間的切換單元施加有機(jī)半導(dǎo)體墨。金屬墨是以下液體,由所述液體形成的具有大約5nm的微粒直徑的導(dǎo)體在室溫下穩(wěn)定地散布在溶劑中,并且可以使用碳、銀(Ag)或金(Au)作為導(dǎo)體。構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體墨的化合物可以包括單晶材料、非晶材料、低分子材料或聚合物材料。更優(yōu)選的是,作為有機(jī)半導(dǎo)體墨的化合物,有濃縮芳香烴化合物(諸如并五苯、三亞苯或蒽或η共軛聚合物)的單晶體。在每一個(gè)液滴施加裝置120的+X側(cè)(在基板傳送方向上的下游側(cè))布置每一個(gè)熱處理裝置ΒΚ。熱處理裝置BK被配置為例如向片型基板FB吹熱空氣或輻射遠(yuǎn)紅外線。熱處理裝置BK使用這樣的熱輻射來干燥或烘焙在片型基板FB上施加的液滴,以固化液滴。切割裝置130在液滴施加裝置120SD的+X側(cè)設(shè)置在液滴施加裝置1200S的上游側(cè)。切割裝置130例如使用激光等來切割由液滴施加裝置120SD形成的源電極S和漏電極 D。切割裝置130包括未示出的光源和用于講來自光源的激光輻射到片型基板FB上的電流鏡 131。作為激光,具有由被要切割的金屬膜吸收的波長的激光是優(yōu)選的,并且諸如YAG 的波長轉(zhuǎn)換激光的二次、三次或四次諧波是更優(yōu)選的。另外,通過使用脈沖激光,可以防止熱擴(kuò)散,并且降低在除了切割部分之外的其他區(qū)域中的損壞。當(dāng)使用鋁作為材料時(shí),優(yōu)選地使用具有760nm的波長的飛秒激光束。在本實(shí)施例中,例如,將使用鈦藍(lán)寶石激光的飛秒激光輻射單元用作光源。飛秒激光輻射單元輻射例如具有IOKHz至40KHz頻率的激光LL的脈沖。在本實(shí)施例中,因?yàn)槭褂蔑w秒激光器,所以可以在次微米數(shù)量級(jí)上執(zhí)行制造,并且可以精確地切割源電極S與漏電極D之間的間隔,所述間隔用于確定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。 源電極S與漏電極D之間的間隔被設(shè)置為例如大約3 μ m至30 μ m。例如,作為上述飛秒激光器的另一種方式,可以使用二氧化碳?xì)怏w激光器或綠色激光器。此外,作為激光器的另一種方式,可以配置為使用切割鋸等來機(jī)械地切割。電流鏡131布置在激光LL的光路的中間。電流鏡131將來自光源的激光LL向片型基板ra反射。例如在Θ χ方向、Θ γ方向和Θ ζ方向方向上可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置電流鏡131。 通過旋轉(zhuǎn)電流鏡131來調(diào)整激光LL的輻射位置。通過使用如上所述的障壁形成單元91和電極形成單元92,可以使用印刷技術(shù)或液滴施加技術(shù)來形成薄膜晶體管,而無需所謂的光刻處理。例如,當(dāng)僅使用采用印刷技術(shù)、 液滴施加技術(shù)等的電極形成單元92時(shí),可能因?yàn)槟珴B出或擴(kuò)散而不能高精度地制造薄膜
晶體管。相反,因?yàn)橥ㄟ^使用障壁形成單元91形成障壁ΒΑ,所以可以防止墨滲出或擴(kuò)散。另外,通過激光加工或機(jī)械加工來形成在源電極S和漏電極D之間的用于確定薄膜晶體管的性能的間隔。在電極形成單元92的+X側(cè)布置了發(fā)光層形成單元93。在發(fā)光層形成單元93中, 在已經(jīng)設(shè)置了電極的片型基板FB上形成有機(jī)EL元件的部件,諸如發(fā)光層頂和像素電極 ITO0發(fā)光層形成單元93包括液滴施加裝置140和熱處理裝置BK。在發(fā)光層形成單元93中形成的發(fā)光層頂包含基質(zhì)化合物(host compound)和磷光化合物(也稱為磷光發(fā)射化合物)?;|(zhì)化合物指的是在發(fā)光層中包含的化合物。磷光化合物以激發(fā)三重態(tài)來發(fā)射光,并且在室溫發(fā)射磷光。在本實(shí)施例中,例如使用以下裝置作為液滴施加裝置140 液滴施加裝置140Re, 用于形成紅光發(fā)射層;液滴施加裝置140Gr,用于形成綠光發(fā)射層;液滴施加裝置140B1,用于形成藍(lán)光發(fā)射層;液滴施加裝置1401,用于形成絕緣層;液滴施加裝置140IT,用于形成像素電極ΙΤ0,等等。液滴施加裝置140可以采用與上述的液滴施加裝置120類似的噴墨方法或分配方法。當(dāng)有機(jī)EL元件50包括作為部件的空穴傳送層和電子傳送層時(shí),應(yīng)當(dāng)單獨(dú)地提供用于形成這樣的層的裝置(諸如液滴施加裝置)。液滴施加裝置140Re在像素電極P上施加R溶液。采用液滴施加裝置140Re來調(diào)整R溶液的排放量,以便在干燥后提供IOOnm的膜厚度。R溶液例如包括通過在1,2- 二氯乙烷中溶解與紅色摻雜劑混和的、作為基質(zhì)材料的聚乙烯基咔唑(PVK)而獲得的溶液。液滴施加裝置140Gr在像素電極P上施加G溶液。G溶液例如包括通過在1,2_ 二氯乙烷中溶解與綠色摻雜劑混和的、作為基質(zhì)材料的聚乙烯基咔唑(PVK)而獲得的溶液。液滴施加裝置140B1在像素電極P上施加B溶液。B溶液例如包括通過在1,2_ 二氯乙烷中溶解與藍(lán)色摻雜劑混和的、作為基質(zhì)材料的聚乙烯基咔唑(PVK)而獲得的溶液。液滴施加裝置1201在柵極總線GBL或源極總線SBL的一部分上施加電絕緣墨。例如可以使用聚酰亞胺基樹脂墨或聚氨酯基樹脂墨來作為電絕緣墨。液滴施加裝置120IT在紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光層上施加氧化銦錫(ITO)墨。使用通過向氧化銦(In2O3)添加百分之幾的氧化錫(SnO2)而獲得的化合物來作為ITO墨。另外, 可以使用可以用于制造透明導(dǎo)電膜的非晶材料,比如IDIXOan2O3-ZnO)。透明導(dǎo)電膜優(yōu)選地具有超過90%的透明度。每一個(gè)熱處理裝置BK布置在每一個(gè)液滴施加裝置140的+X側(cè)(在基板傳送方向的下游側(cè))上。與在電極形成單元92中使用的熱處理裝置BK類似,熱處理裝置BK能夠例如向片型基板FB吹熱空氣或輻射遠(yuǎn)紅外線。熱處理裝置BK使用這樣的熱輻射來干燥或烘焙在片型基板FB上施加的液滴,以固化液滴。對(duì)齊單元107包括沿著X方向設(shè)置的多個(gè)對(duì)齊相機(jī)CA (CAl至CA8)。對(duì)齊相機(jī)CA 可以在可見光照明下使用CCD或COMS元件來拍攝圖像,并處理所拍攝的圖像以檢測(cè)對(duì)齊標(biāo)記AM的位置?;蛘?,對(duì)齊相機(jī)CA可以向?qū)R標(biāo)記AM上輻射激光,并接收從對(duì)齊標(biāo)記AM漫射的光以檢測(cè)對(duì)齊標(biāo)記AM的位置。對(duì)齊相機(jī)CAl布置在傳熱輥115的+X側(cè)。對(duì)齊相機(jī)CAl檢測(cè)在片型基板FB上由傳熱輥115形成的對(duì)齊標(biāo)記AM的位置。每一個(gè)對(duì)齊相機(jī)CA2至CA8布置在熱處理裝置BK 的+X側(cè)。對(duì)齊相機(jī)CA2至CA8檢測(cè)在通過熱處理裝置BK的片型基板FB上的對(duì)齊標(biāo)記AM的位置。經(jīng)由通過傳熱輥115和熱處理裝置BK,片型基板FB可以在X軸方向和Y軸方向上伸展或收縮。通過以這種方式在傳熱輥115或執(zhí)行熱處理的熱處理裝置BK的+X側(cè)上布置對(duì)齊相機(jī)CA,可以檢測(cè)由熱變形等引起的片型基板FB的位置偏離。來自對(duì)齊相機(jī)CAl至CA8的檢測(cè)結(jié)果被發(fā)送到控制單元104??刂茊卧?04基于來自對(duì)齊相機(jī)CAl至CA8的檢測(cè)結(jié)果來調(diào)整例如來自液滴施加裝置120或液滴施加裝置 140的墨的施加位置或時(shí)機(jī)、來自基板供應(yīng)單元101的片型基板FB的供應(yīng)速度、輥RR的傳送速度、通過輥RR在Y方向上的移動(dòng)、切割位置130的切割位置或時(shí)機(jī)等。(基板盒)在本實(shí)施例中,基板盒1被用作基板供應(yīng)單元101和基板回收單元103。在下面的描述中,為了方便說明,建立與圖2類似的XYZ直角坐標(biāo)系,并且將參考該XYZ直角坐標(biāo)系來描述每一個(gè)構(gòu)件的位置關(guān)系。在下面的MZ直角坐標(biāo)系中,將示例性地描述基板盒1被用作基板供應(yīng)單元101、并且基板供應(yīng)單元101連接到基板處理單元102的情況。圖5是基板盒1的配置的透視圖。另外,圖6圖示沿著圖5的線A-A'所取的橫截面配置。如圖5和6中所示,基板盒1包括盒主框架2、安裝部件3和阻塞單元4。盒主框架2是用于容納片型基板FB的部件。盒主框架2包括容納單元20、傳送單元(傳送機(jī)構(gòu))21、基板引導(dǎo)單元22、第二基板傳送單元36和第二基板引導(dǎo)單元37。另夕卜,在盒主框架2中設(shè)置了上述安裝部件3。另外,例如,盒主框架2由鋁或硬鋁制成。容納單元20是用于容納片型基板FB的部件。例如,容納單元20具有圓柱形狀,以容納纏繞成卷形的片型基板FB,并且容納單元20的一部分向+X側(cè)突出(突出部23)。在本實(shí)施例中,容納單元20在附圖中的Y方向上延伸。容納單元20具有蓋25和基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24。蓋25設(shè)置在容納單元20的+Y側(cè)或-Y側(cè)的端部。蓋25可拆卸地設(shè)置在容納單元20中??梢酝ㄟ^將蓋25從容納單元20拆卸下來,來進(jìn)入容納單元20的內(nèi)部。作為蓋 25的打開/關(guān)閉機(jī)構(gòu),例如,可以設(shè)置用于將蓋25和容納單元20彼此接合的螺紋,或者,可以通過使用鉸接機(jī)構(gòu)來連接蓋25和容納單元20。蓋25具有窗口 28和顯示器四。窗口觀例如由能夠透過可見光的材料(諸如玻璃或塑料)制成??梢酝ㄟ^窗口 28觀察容納單元20的內(nèi)部。顯示器四是用于顯示信息(諸如片型基板FB的狀況)的部件。顯示器四顯示諸如在容納單元20中容納的片型基板FB的長度和片型基板FB的剩余長度等尺寸?;弪?qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M是用于執(zhí)行纏繞片型基板FB的操作和供應(yīng)片型基板FB的操作的部件?;弪?qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M設(shè)置在容納單元20內(nèi)部?;弪?qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M具有輥(軸)沈和引導(dǎo)件27。如圖6中所示,輥沈具有旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a、放大半徑部件26b和附著部件^c。旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a是由高硬度金屬(諸如鋁)形成的圓柱構(gòu)件。例如通過設(shè)置在蓋 25的中心的承載構(gòu)件2 和開口 2 來可旋轉(zhuǎn)地支撐旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a。在該情況下,旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a的中軸線例如與Y方向平行地排列,以便使旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a在θ Y方向上旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a連接到未示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。通過控制旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a相對(duì)于中軸線旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以例如在如圖6中所示的+ θ Y或-θ Y方向上旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a。
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放大半徑部件26b被形成為在旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件的表面上具有均勻的厚度。放大半徑部件26b被形成為與旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a —體地旋轉(zhuǎn)。附著部件26c被形成為在放大半徑部件^^的表面上具有均勻的厚度,如在橫截面視圖中所見。附著部件^c由具有能夠附著到片型基板FB的粘性的材料制成。引導(dǎo)件27具有樞軸構(gòu)件(第一引導(dǎo)構(gòu)件)27a和前端構(gòu)件(第一引導(dǎo)構(gòu)件)27b。 樞軸構(gòu)件27a例如在一端通過軸27c被安裝在容納單元20中,并且相對(duì)于軸27c可樞轉(zhuǎn)地設(shè)置在ΘΥ方向上。樞軸構(gòu)件27a連接到未示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。前端構(gòu)件27b連接到樞軸構(gòu)件27a的另一端,如在橫截面視圖中所見。例如,前端構(gòu)件27b被形成為具有弧形圓表面,如在橫截面視圖中所見。通過前端構(gòu)件27b中設(shè)置的在+Z側(cè)上的弧形圓表面將片型基板FB引導(dǎo)到輥沈,如在橫截面視圖中所見。前端構(gòu)件27b 與樞軸構(gòu)件27a —體地繞樞軸旋轉(zhuǎn)。例如,當(dāng)樞軸構(gòu)件27a繞樞軸旋轉(zhuǎn)以離開輥沈(在輥沈的徑向上向外)時(shí),前端構(gòu)件27b沿著容納單元20的內(nèi)圓周接觸。因此,可以避免纏繞在輥沈上的片型基板FB與前端構(gòu)件27b之間的接觸。安裝部件3是連接到基板處理單元102的部件。安裝部件3例如設(shè)置在容納單元 20的突出部23的+X側(cè)的端部。安裝部件3具有插入部3a,用于與基板處理單元102連接。 當(dāng)基板盒1被用作基板供應(yīng)單元101時(shí),安裝部件3連接到基板處理單元102的供應(yīng)側(cè)連接部件102A。當(dāng)基板盒1被用作基板回收單元103時(shí),安裝部件3連接到盒主框架2的回收側(cè)連接部件102B。即使當(dāng)安裝部件3連接到基板處理單元102的基板供應(yīng)單元101或基板回收單元103中的任何一個(gè)時(shí),它也可以可拆卸地被連接。安裝部件3具有開口 34和第二開口 35。開口 34設(shè)置在+Z側(cè),并且是用于將片型基板FB載入/載出盒主框架2的部件。盒主框架2容納通過開口 34的片型基板FB。在盒主框架2中容納的片型基板FB從盒主框架2通過開口 34供應(yīng)到外側(cè)。第二開口 35設(shè)置在-Z側(cè),并且是用于將與片型基板FB不同的帶狀第二基板SB 載入/載出盒主框架2的部件。這樣的第二基板SB可以包括例如保護(hù)基板,用于保護(hù)片型基板FB的元件形成表面等。例如,可以使用襯紙作為保護(hù)基板。第二開口 35被布置為例如與開口 34有間隙。第二開口 35形成為例如具有與開口 34相同的尺寸和形狀。另外,在本實(shí)施例中,諸如不銹鋼薄板(例如,厚度小于0. Imm)等具有導(dǎo)電性的材料可以用作第二基板SB。在該情況下,如果當(dāng)?shù)诙錝B與片型基板FB—起容納在盒主框架2中時(shí)第二基板SB電連接到盒主框架2,則可以防止片型基板FB被充電。例如,在突出部23內(nèi)部設(shè)置傳送單元21、基板引導(dǎo)單元22、第二基板傳送單元36 和第二基板引導(dǎo)單元37。圖7是夸大地圖示圖6的突出部23附近的橫截面視圖。在圖7 中,一些部件有意被省略,以方便對(duì)附圖的理解?;逡龑?dǎo)單元22設(shè)置在開口 34和傳送單元21之間?;逡龑?dǎo)單元22是用于在開口 34和傳送單元21之間引導(dǎo)片型基板FB的部件?;逡龑?dǎo)單元22包括基板引導(dǎo)構(gòu)件 22a和22b?;逡龑?dǎo)構(gòu)件2 和22b在Z方向上彼此相對(duì)并相隔間隙22c,并且它們的相對(duì)表面被設(shè)置為近乎與XY平面平行。間隙22c連接到開口 34,并且片型基板FB能夠通過開口 34和間隙22c移動(dòng)。第二基板引導(dǎo)單元37是用于在安裝部件3和傳送單元21之間引導(dǎo)第二基板SB 的部件。第二基板引導(dǎo)單元37包括第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37a、37b和37c。第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37a和37b在Z方向上彼此相對(duì)并相隔間隙37d,并且它們的相對(duì)表面被設(shè)置為近乎與 XY平面平行。第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37c被傾斜地布置,以將第二基板SB向+Z側(cè)引導(dǎo)。具體地說,第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37c的-X側(cè)端部被布置用于在+Z側(cè)上相對(duì)于第二基板引導(dǎo)構(gòu)件 37c的+X側(cè)端部?jī)A斜。第二基板傳送單元36在安裝部件3和傳送單元21之間傳送第二基板SB。第二基板傳送單元36布置在第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37a和37b與第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37c之間。第二基板傳送單元36具有主動(dòng)輥36a和從動(dòng)輥36b。主動(dòng)輥36a可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在例如θ Y方向上,并且連接到未示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。從動(dòng)輥36b被布置為與主動(dòng)輥36a隔開特定間隙,以便利用主動(dòng)輥36a插入和保持第二基板SB。換句話說,第二基板SB被插入和保持在主動(dòng)輥36a和從動(dòng)輥36b之間。傳送單元21在安裝部件3和容納單元20之間傳送片型基板FB和第二基板SB。 傳送單元21包括張力輥(張力機(jī)構(gòu))21a和測(cè)量輥(測(cè)量單元)21b。張力輥21a是用于在張力輥21a和輥沈之間向片型基板FB和第二基板SB施加張力的輥。張力輥21a可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在ΘΥ方向上。未示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)例如連接到張力輥21a。另外,張力輥21a 和測(cè)量輥21b可以分別可移動(dòng)地設(shè)置在圖7中的Z方向上。測(cè)量輥21b具有比張力輥21a小的直徑。測(cè)量輥21b被布置為與張力輥21a隔開預(yù)定間隙,以便能夠利用張力輥21a來插入和保持片型基板FB和第二基板SB。在測(cè)量輥 21b和張力輥21a之間的間隙的大小可以被配置得可調(diào)整為僅插入和保持片型基板FB、或者片型基板FB與第二基板SB的組合。測(cè)量輥21b是從動(dòng)輥,其伴隨張力輥21a的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。通過在張力輥21a和測(cè)量輥21b之間插入片型基板FB的同時(shí)旋轉(zhuǎn)張力輥21a,可以在向片型基板FB施加張力的同時(shí)分別在片型基板FB的纏繞方向和供應(yīng)方向上傳送片型基板FB。傳送單元21包括例如檢測(cè)單元21c,用于檢測(cè)測(cè)量輥21b的旋轉(zhuǎn)周數(shù)或旋轉(zhuǎn)角度。 例如,編碼器可以被用作檢測(cè)單元21c。例如,通過使用檢測(cè)單元21c,可以測(cè)量片型基板FB 通過測(cè)量輥21b的傳送距離。盒主框架2具有信息處理單元IC (參見圖5)。信息處理單元IC包括例如IC芯片等,并且例如嵌入在盒主框架2中。信息處理單元IC具有存儲(chǔ)器單元MR,用于存儲(chǔ)基板處理設(shè)備100和基板盒1的處理信息;例如通信單元CR,用于與控制單元104傳輸處理信
自 AjVAjV 尼、,寸寸ο這樣的處理信息可以包括例如關(guān)于基板處理設(shè)備100的生產(chǎn)節(jié)拍(takt)或生產(chǎn)量的信息、關(guān)于基板盒1的傳送速度或輥26的纏繞/供給速度的信息、關(guān)于片型基板ra的信息等。術(shù)語“生產(chǎn)節(jié)拍”指的是在處理的單位面積(例如,可以被液滴施加裝置120或140 等一次處理的面積,或者在有機(jī)EL元件50的單板中的屏幕面積或整板面積)中的處理時(shí)間。術(shù)語“生產(chǎn)量”指的是可以在單位時(shí)間中處理的片型基板FB的量(例如,長度、板的數(shù)量、基板盒1的數(shù)量等)。例如,當(dāng)通過開口 ;34插入片型基板FB并且通過第二開口 35插入第二基板SB時(shí), 片型基板FB和第二基板SB分別被基板引導(dǎo)單元22和第二基板引導(dǎo)單元37引導(dǎo),并且在結(jié)合部分39中結(jié)合到一起。在結(jié)合部分39結(jié)合的片型基板FB和第二基板SB在它們結(jié)合在一起的同時(shí)被傳送單元21傳送。此刻,傳送單元21將片型基板FB和第二基板SB擠壓為彼此緊密接觸。因此,傳送單元21也用作擠壓機(jī)構(gòu),用于將第二基板SB擠壓到片型基板 FB上。參見圖5和6,在突出部23的+X側(cè)端部中設(shè)置阻塞單元4。阻塞單元4響應(yīng)于安裝部件3與基板處理單元102之間的連接狀態(tài)來阻塞開口 34和第二開口 35。阻塞單元4 具有蓋構(gòu)件41和切換機(jī)構(gòu)42。圖8和9圖示突出部23的+X側(cè)端部和阻塞單元4的配置的放大視圖。如圖8和9中所示,蓋構(gòu)件41被形成為具有覆蓋安裝部件3的端面北的尺寸。蓋構(gòu)件41通過固定構(gòu)件43和軸44而安裝在安裝部件3中。固定構(gòu)件43被固定為毗連在突出部23的+X側(cè)端部上。軸44被固定構(gòu)件43可旋轉(zhuǎn)地支撐。蓋構(gòu)件41與軸44集成為一體。由此,蓋構(gòu)件41能夠圍繞軸44旋轉(zhuǎn)。蓋構(gòu)件41具有閉合狀態(tài)和打開狀態(tài)。在閉合狀態(tài)中,安裝部件3的端面北被覆蓋,如圖8中所示;而在打開狀態(tài)中,安裝部件3的端面未被覆蓋,如圖9中所示。蓋構(gòu)件41被設(shè)置為通過圍繞軸44旋轉(zhuǎn)來打開或關(guān)閉在端面北上設(shè)置的開口 34和第二開口 35。切換機(jī)構(gòu)42是用于轉(zhuǎn)換以打開或關(guān)閉蓋構(gòu)件41的部件。切換機(jī)構(gòu)42具有帶構(gòu)件45、彈性構(gòu)件46和可移動(dòng)構(gòu)件47。使用撓性材料來形成帶構(gòu)件45。帶構(gòu)件45的一端被固定在蓋構(gòu)件41中,另一端被固定在可移動(dòng)構(gòu)件47中。彈性構(gòu)件46連接在蓋構(gòu)件41和突出部23之間,使得蓋構(gòu)件 41和突出部23通過彈力而彼此附著。因此,除非增加外力,否則蓋構(gòu)件41通過彈性構(gòu)件 46的彈力來進(jìn)入閉合狀態(tài)??梢苿?dòng)構(gòu)件47被布置在例如固定構(gòu)件43的-Z側(cè)??梢苿?dòng)構(gòu)件47具有頭47a和帶固定件47b。同時(shí),在固定構(gòu)件43的-Z側(cè)上形成溝槽48。例如沿著X方向來形成溝槽48。溝槽23a從與軸44接觸的部分沿著-X方向設(shè)置在突出部23的-Z側(cè)。溝槽2 沿著溝槽23a 設(shè)置在溝槽23a的底部。溝槽2 沿著上述溝槽48的延長線形成,并且連接到溝槽48。帶固定件47b插入固定構(gòu)件43的溝槽48內(nèi)。因此,可移動(dòng)構(gòu)件47可以在帶固定件47b插入溝槽48內(nèi)的同時(shí)在沿著溝槽48的方向(X方向)上移動(dòng)。溝槽48的+X側(cè)端部被形成為當(dāng)蓋構(gòu)件41在閉合狀態(tài)中時(shí)與帶固定件47b毗連。溝槽23a被形成為Y方向的尺寸近似地等于頭47a的Y方向的尺寸,并且頭47a 可以從固定構(gòu)件43的一側(cè)進(jìn)入溝槽23a內(nèi)。溝槽2 沿著溝槽23a設(shè)置在溝槽23a的底部。溝槽2 沿著上述的溝槽48的延長線形成,并且連接到溝槽48。溝槽23a的-X側(cè)端部被形成為例如在蓋構(gòu)件41相對(duì)于閉合狀態(tài)打開大約90°時(shí),接近頭47a。例如,通過借助于外力等相對(duì)于固定構(gòu)件43向-X方向移動(dòng)可移動(dòng)構(gòu)件47,帶固定件47b向-X方向移動(dòng),并且?guī)?gòu)件45向-X側(cè)伸展。通過拉動(dòng)(張緊)帶構(gòu)件45來打開連接到帶構(gòu)件45的蓋構(gòu)件41,如圖9中所示。通過從在圖9中所示的狀態(tài)中釋放外力,蓋構(gòu)件41借助于彈性構(gòu)件46的彈力而附著到突出部23,并且蓋構(gòu)件41返回到如圖8中所示的閉合狀態(tài)。帶構(gòu)件45被蓋構(gòu)件41拉到+X側(cè),并且當(dāng)蓋構(gòu)件41從打開狀態(tài)切換到閉合狀態(tài)時(shí),可移動(dòng)構(gòu)件47也返回到原始位置。(在基板盒中容納片型基板的操作)
接下來,將描述在如上所述配置的基板盒1中容納片型基板FB的操作。圖10和 11圖示在容納操作期間基板盒1的狀態(tài)。在圖10和11中,為了便于區(qū)別,將基板盒1的輪廓示為虛線。如圖10和11中所示,當(dāng)在基板盒1中容納片型基板ra時(shí),例如,阻塞單元4的蓋構(gòu)件41通過下述方式進(jìn)入打開狀態(tài)將可移動(dòng)構(gòu)件47吸引到突出部23的側(cè)部,使得基板盒1被保持在保持器HD中。在該狀態(tài)中,從開口 34插入片型基板FB。當(dāng)插入片型基板FB 時(shí),張力輥21a和旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a (輥單元26)被設(shè)置為具有可旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。通過開口 34插入的片型基板FB被基板引導(dǎo)單元22引導(dǎo)到傳送單元21。在傳送單元21中,片型基板FB在被插在張力輥21a和測(cè)量輥21b之間的同時(shí)被傳送到容納單元 20。隨著測(cè)量輥21b的旋轉(zhuǎn),例如通過檢測(cè)單元21c檢測(cè)到片型基板FB的傳送長度。由傳送單元21向容納單元20傳送的片型基板FB在因?yàn)樽灾囟?Z方向彎曲的同時(shí)被引導(dǎo)。在本實(shí)施例中,因?yàn)橐龑?dǎo)件27設(shè)置在片型基板FB的-Z側(cè),所以片型基板FB 沿著引導(dǎo)件27的樞軸構(gòu)件27a和前端構(gòu)建27b被引導(dǎo)到輥單元26。當(dāng)片型基板FB的前端到達(dá)輥單元沈的附著部件26c時(shí),片型基板FB的前端附著到附著部件26c。在該狀態(tài)中,隨著輥單元沈的旋轉(zhuǎn),片型基板FB穩(wěn)定地附著到附著部件 26c,并且片型基板FB纏繞在輥單元沈上。在片型基板FB附著到附著部件26c后,片型基板FB被傳送以便例如不在輥單元沈和傳送單元21之間彎曲片型基板FB,同時(shí),調(diào)整張力輥21a的旋轉(zhuǎn)速度和旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a的旋轉(zhuǎn)速度。在片型基板FB例如以單匝纏繞到輥單元沈上之后,撤回引導(dǎo)單元27,如圖11中所示。通過在這種狀態(tài)中旋轉(zhuǎn)輥單元沈,片型基板FB容易纏繞到輥單元沈上。盡管片型基板FB的纏繞厚度逐漸增大,但是片型基板FB不與引導(dǎo)件27接觸,因?yàn)橐呀?jīng)撤回引導(dǎo)單元27。在將片型基板FB纏繞例如期望長度后,切開在開口 34之外的片型基板的外部部分,使得阻塞單元4的蓋構(gòu)件41變?yōu)殚]合狀態(tài)。以這種方式,在基板盒1中容納片型基板 FB。在容納片型基板FB的操作期間,例如,可以基于由檢測(cè)單元21c測(cè)量的片型基板FB的測(cè)量長度來計(jì)算在基板盒1中容納的片型基板FB的整個(gè)長度。另外,可以將計(jì)算結(jié)果顯示在顯示單元四上,存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MR中,或者使用通信單元CR發(fā)送計(jì)算結(jié)果。另外,例如,可以在操作員通過窗口觀觀察容納單元20的內(nèi)部的同時(shí)纏繞片型基板FB。在該情況下,例如,可以執(zhí)行纏繞操作,同時(shí)查看片型基板FB是否被纏繞成彎曲狀態(tài)、或者片型基板FB的纏繞形狀(卷形)是否已經(jīng)有偏離。當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí),可以立即停止纏繞操作。(基板處理設(shè)備的操作)接下來,將描述如上所述配置的基板處理設(shè)備100的操作在本實(shí)施例中,依序執(zhí)行下述操作將容納片型基板FB的基板盒1連接到供應(yīng)側(cè)連接部件102A以作為基板供應(yīng)單元101的操作,由基板供應(yīng)單元101供應(yīng)容納在基板盒1 中的片型基板FB的操作,通過基板處理單元102形成元件的操作,以及移除基板盒1的操作。首先,將描述連接基板盒1的操作。圖12圖示連接基板盒1的操作。如圖12中所示,供應(yīng)側(cè)連接部件10 包括插孔,其具有與安裝部件3對(duì)應(yīng)的形狀;以及接合部件51,用于與可移動(dòng)構(gòu)件47接合。在連接操作中,在基板盒1被保持在保持器(例如,具有與圖10的保持器HD相同的配置)的同時(shí),執(zhí)行在安裝部件3和供應(yīng)側(cè)連接部件10 之間的定位。在定位后,安裝部件3移動(dòng)到+X側(cè)以插入到基板處理單元102中。此時(shí),與接合部件51接合的可移動(dòng)構(gòu)件47相對(duì)于安裝部件3在-X方向上移動(dòng)。由此,當(dāng)安裝部件3連接到基板處理單元102 時(shí),蓋構(gòu)件41進(jìn)入打開狀態(tài)。接下來,將描述供應(yīng)操作。為了例如向基板處理單元102供應(yīng)片型基板FB,在與容納操作相反的方向上旋轉(zhuǎn)基板盒1的張力輥21a和旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件輥單元26),以便通過如圖13中所示的開口 34來供應(yīng)片型基板FB。接下來,將描述元件形成操作。在元件形成操作中,在如圖2中所示從基板供應(yīng)單元101向基板處理單元102供應(yīng)片型基板FB的同時(shí),在基板處理單元102中在片型基板FB 上形成元件。如圖3中所示,由基板處理單元102中的輥RR傳送片型基板FB??刂茊卧?04可以例如與基板盒1傳輸處理信息,并且基于處理信息來執(zhí)行基板處理單元102的操作的控制。具體地說,可以根據(jù)從基板盒1供應(yīng)片型基板FB的速度來調(diào)整基板處理單元102的每一個(gè)輥RR的旋轉(zhuǎn)速度。另外,控制單元104檢測(cè)輥RR是否在Y 軸方向上偏離,并且在檢測(cè)到偏離的情況下移動(dòng)輥RR以校正位置。另外,控制單元104也執(zhí)行片型基板FB的位置校正。從基板供應(yīng)單元101向基板處理單元102供應(yīng)的片型基板FB首先被傳送到障壁形成單元91。在障壁形成單元91中,片型基板FB被壓印輥110和傳熱輥115夾持并擠壓, 并且通過熱傳遞來形成障壁BA和對(duì)齊標(biāo)記AM。圖14圖示在片型基板FB上形成障壁BA和對(duì)齊標(biāo)記AM的狀態(tài)。圖15圖示圖14 的擴(kuò)大部分。圖16圖示沿著圖15的線D-D所取的橫截面配置。圖14和15圖示從+Z側(cè)看到的片型基板FB。如圖14中所示,在片型基板FB的Y方向上的中心的元件形成區(qū)域60中形成障壁 BA。如圖15中所示,通過形成障壁BA而在元件形成區(qū)域60中劃分出下述區(qū)域用于形成柵極總線GBL和柵電極G的區(qū)域(柵極形成區(qū)域52),以及用于形成源極總線SBL、源電極 S、漏電極D和正電極P的區(qū)域(源極/漏極形成區(qū)域5 。如圖16中所示,柵極形成區(qū)域 52具有梯形形狀,如在橫截面視圖中所見。雖然在附圖中未示出,但是源極/漏極形成區(qū)域 53具有同樣的形狀。障壁BA的內(nèi)部寬度W(ym)與柵極總線GBL的線寬相同。寬度W優(yōu)選地被設(shè)置為兩倍,以使從液滴施加裝置120G施加的液滴的直徑d( μ m)變?yōu)樵瓉淼乃谋?。此外,柵極形成區(qū)域52和源極/漏極形成區(qū)域53的橫截面形狀優(yōu)選地具有在橫截面視圖中看到的V形或U形,以便使得在通過精細(xì)壓印模具111擠壓后容易剝落片型基板FB。它也可以具有在橫截面視圖中看到的其他形狀,比如矩形。同時(shí),如圖14中所示,在片型基板FB的Y方向上的兩端的邊緣區(qū)域61中形成一對(duì)對(duì)齊標(biāo)記AM。障壁BA和對(duì)齊標(biāo)記AM同時(shí)形成,因?yàn)橄嗷ノ恢藐P(guān)系是重要的。如圖15中所示,在Y軸方向上定義對(duì)齊標(biāo)記AM和柵極形成區(qū)域52之間的預(yù)定距離PY,并且,在X軸方向上定義對(duì)齊標(biāo)記AM和源極/漏極形成區(qū)域53之間的預(yù)定距離PX。因此,可以基于一對(duì)對(duì)齊標(biāo)記AM的位置來檢測(cè)在X軸方向上的偏離、在Y軸方向上的偏離、以及片型基板FB 的θ旋轉(zhuǎn)。
在圖14和15中,在X軸方向上的每多行障壁BA中設(shè)置了一對(duì)對(duì)齊標(biāo)記AM。但是不限于此。例如,可以在每行障壁BA中設(shè)置對(duì)齊標(biāo)記AM。另外,如果存在空間,則可以在片型基板FB的元件形成區(qū)域60以及邊緣區(qū)域61中設(shè)置對(duì)齊標(biāo)記AM。另外,雖然在圖14 和15中對(duì)齊標(biāo)記AM具有十字形狀,但是對(duì)齊標(biāo)記AM可以采用其他形狀,諸如圓形標(biāo)記或斜線標(biāo)記。隨后,傳送輥RR將片型基板FB傳送到電極形成單元92。在電極形成單元92中, 使用每一個(gè)液滴施加裝置120來施加液滴,以在片型基板FB上形成電極。首先,液滴施加裝置120G在片型基板FB上形成柵極總線GBL和柵電極G。圖17(a) 和17(b)圖示通過液滴施加裝置120G施加了液滴的片型基板FB。如圖17(a)中所示,液滴施加裝置120G在具有障壁BA的片型基板FB的柵極形成區(qū)域52中以例如1至9的順序來施加金屬墨。這個(gè)順序例如是通過金屬墨的張力來以線性形狀施加金屬墨的順序。圖17(b)圖示例如施加了單個(gè)液滴的金屬墨的狀態(tài)。如圖17(b) 中所示,因?yàn)樘峁┝苏媳贐A,所以在柵極形成區(qū)域52中施加的金屬墨不擴(kuò)散而是被保持。 以這種方式,在整個(gè)柵極形成區(qū)域52上施加金屬墨。在柵極形成區(qū)域52上施加金屬墨后,傳送片型基板FB以使得施加了金屬墨的部分位于熱處理裝置BK的-Z側(cè)。熱處理裝置BK對(duì)施加在片型基板FB上的金屬墨執(zhí)行熱處理,以干燥金屬墨。圖18(a)圖示在金屬墨干燥后柵極形成區(qū)域52的狀態(tài)。如圖18(a)中所示,通過干燥金屬墨,在金屬墨中包括的導(dǎo)體層壓成薄膜狀態(tài)。這樣的薄膜導(dǎo)體形成在整個(gè)柵極形成區(qū)域52中,使得柵極總線GBL和柵電極G設(shè)置在片型基板FB上,如圖18(b)中所示。接下來,片型基板FB被傳送到液滴施加裝置1201的-Z側(cè)。電絕緣墨由液滴施加裝置1201施加在片型基板FB上。液滴施加裝置1201在通過例如源極/漏極形成區(qū)域53 的柵極總線GBL和柵電極G上施加電絕緣墨,如圖19中所示。在施加電絕緣墨后,向熱處理裝置BK的-Z側(cè)傳送片型基板FB,并且,通過熱處理裝置BK向電絕緣墨施加熱處理。通過熱處理,電絕緣墨被干燥以形成柵絕緣層I。當(dāng)在圖 19中柵絕緣層I被形成為具有在障壁BA上的圓形時(shí),不必在障壁BA上形成柵絕緣層I。在形成柵絕緣層I后,片型基板FB被傳送到液滴施加裝置120SD的-Z側(cè)。在液滴施加裝置120SD中,在片型基板FB的源極/漏極形成區(qū)域53上施加金屬墨。對(duì)于在源極/漏極形成區(qū)域53中在柵絕緣層I上的部分,例如以如圖20中所示的1至9的順序排放金屬墨。在排放金屬墨后,片型基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè),以執(zhí)行金屬墨的干燥處理。在干燥處理后,在金屬墨中包括的導(dǎo)體成為薄膜狀的層,以便形成源極總線SBL、 源電極S、漏電極D和正電極P。然而,在這個(gè)階段,源電極S和漏電極D彼此連接。接著,片型基板FB被傳送到切割裝置130的-Z側(cè)。通過切割裝置130來斷開片型基板FB上的源電極S和漏電極D。圖21圖示通過切割裝置130斷開源電極S和漏電極 D的狀態(tài)。切割裝置130在使用電流鏡131來調(diào)整激光LL在片型基板FB上的輻射位置的同時(shí)執(zhí)行斷開。在斷開源電極S和漏電極D后,向液滴施加裝置1200S的-Z側(cè)傳送片型基板FB。 通過液滴施加裝置OS在片型基板FB上形成有機(jī)半導(dǎo)體層OS。在與柵電極G交疊的片型基板FB的區(qū)域中,在源電極S和漏電極D上排放有機(jī)半導(dǎo)體墨。在排放有機(jī)半導(dǎo)體墨后,片型基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè),以干燥有機(jī)半導(dǎo)體墨。在干燥處理后,在有機(jī)半導(dǎo)體墨中包括的半導(dǎo)體成為薄膜狀的層,以形成如圖 22中所示的有機(jī)半導(dǎo)體OS。通過上述的處理,在片型基板FB上形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管和布線。隨后,傳送輥RR向發(fā)光層形成單元93傳送片型基板FB (參見圖幻。通過發(fā)光層形成單元93中的液滴施加裝置140Re、液滴施加裝置140Gr、液滴施加裝置140B1和熱處理裝置BK來分別形成紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光層頂。因?yàn)檎媳贐A形成在片型基板FB上,所以即使當(dāng)紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光層頂依序被施加而不在熱處理裝置BK中執(zhí)行熱處理時(shí),也不因?yàn)槿芤阂绯龅较噜徬袼貐^(qū)域而出現(xiàn)顏色的混和。在形成發(fā)光層頂后,片型基板FB通過液滴施加裝置1401和熱處理裝置BK以形成絕緣層I,并且通過液滴施加裝置140IT和熱處理裝置BK以形成透明電極IT。通過上述處理,在片型基板FB上形成在圖1中所示的有機(jī)EL元件50。在元件形成操作中,為了防止在如上所述傳送片型基板FB的同時(shí)片型基板FB在形成有機(jī)EL元件50的步驟中在X方向、Y方向和θ Z方向上偏離,執(zhí)行對(duì)齊操作。以下, 將參考圖23來描述對(duì)齊操作。在對(duì)齊操作中,在每個(gè)部分中設(shè)置的多個(gè)對(duì)齊相機(jī)CA (CAl至CA8)適當(dāng)?shù)貦z測(cè)在片型基板FB上形成的對(duì)齊標(biāo)記ΑΜ,并且向控制單元104發(fā)送檢測(cè)結(jié)果??刂茊卧?04基于發(fā)送的檢測(cè)結(jié)果來執(zhí)行對(duì)齊操作。例如,控制單元104基于由對(duì)齊相機(jī)CA(CAl至CA8)檢測(cè)的對(duì)齊標(biāo)記AM的這樣的圖像拍攝(成像)間隔來檢測(cè)片型基板FB的傳送速度,并且確定輥RR例如是否以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)。當(dāng)確定輥RR未以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)時(shí),控制單元104指示輥RR調(diào)整旋轉(zhuǎn)速度并返回反饋。另外,例如,控制單元104基于對(duì)齊標(biāo)記AM的圖像拍攝結(jié)果來檢測(cè)是否已經(jīng)偏離在Y方向上的對(duì)齊標(biāo)記AM的位置,以檢測(cè)在片型基板FB的Y軸方向上的位置偏離。當(dāng)檢測(cè)到位置偏離時(shí),控制單元104檢測(cè)在傳送片型基板FB的同時(shí)位置偏離持續(xù)了多長時(shí)間。如果位置偏離持續(xù)短時(shí)間,則從液滴施加裝置120的多個(gè)噴嘴122切換用于施加液滴的噴嘴。如果在片型基板FB的Y軸方向上的偏離持續(xù)長時(shí)間,則通過移動(dòng)輥RR在片型基板FB的Y軸方向上執(zhí)行位置校正。例如,控制單元104基于由對(duì)齊相機(jī)CA檢測(cè)的對(duì)齊標(biāo)記AM在X軸和Y軸方向上的位置來檢測(cè)片型基板FB是否已經(jīng)在θ Z方向上偏離。如果檢測(cè)到位置偏離,則控制單元 104以與在Y軸方向上的位置偏離檢測(cè)相同的方式檢測(cè)在傳送片型基板FB的同時(shí)位置偏離已經(jīng)持續(xù)多長時(shí)間。如果位置偏離持續(xù)短時(shí)間,則在液滴施加裝置120的多個(gè)噴嘴122中切換用于施加液滴的噴嘴122。如果偏離持續(xù)了長時(shí)間,則通過在X或Y方向上移動(dòng)在檢測(cè)到偏離的對(duì)齊相機(jī)CA上設(shè)置的兩個(gè)輥RR來在片型基板FB的θ Z方向上執(zhí)行位置校正。接下來,將描述移除操作。例如,在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50,并且回收片型基板FB。然后,從基板處理單元102移除被用作基板供應(yīng)單元101的基板盒1。圖M圖示移除基板盒1的操作。在移除操作中,安裝部件3移動(dòng)到-X方向,以從供應(yīng)側(cè)連接部件102Α撤出。
因?yàn)橥ㄟ^撤出安裝部件3而在接合構(gòu)件和可移動(dòng)構(gòu)件47之間脫開,所以蓋構(gòu)件41 借助于彈性構(gòu)件46的彈力變?yōu)殚]合狀態(tài)。以這種方式,在阻塞單元4中,當(dāng)安裝部件3連接到基板處理單元102時(shí)蓋構(gòu)件41打開,并且當(dāng)安裝部件3未連接到基板處理單元102時(shí)蓋構(gòu)件41閉合。如上所述,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,提供了 盒主框架2,其具有載入/載出片型基板FB的開口 34,并且容納通過開口 34的片型基板FB ;安裝部件3,其設(shè)置在盒主框架2 中,并且可拆卸地連接到供應(yīng)側(cè)連接部件102A和回收側(cè)連接部件102B ;以及阻塞單元4,其根據(jù)安裝部件3與供應(yīng)側(cè)連接部件102A和回收側(cè)連接部件102B之間的連接狀態(tài)來阻塞開口 34。因此,可以防止異物(諸如灰塵)從開口 34來。結(jié)果,可以防止異物附著到片型基板FB。另外,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,可以容易地將基板盒1附著到目標(biāo)物體(諸如基板處理單元10 /將基板盒1從目標(biāo)物體脫離。圖25圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)SYS的配置。在下面的說明中,以相同的附圖標(biāo)號(hào)來表示與上述實(shí)施例相同或類似的部件,并且簡(jiǎn)化或省略它們的說明。如圖25中所示,基板處理系統(tǒng)SYS具有基板制造設(shè)備(第一處理設(shè)備)201、基板處理設(shè)備202(第二處理設(shè)備)和中繼設(shè)備(基板中繼設(shè)備)203。例如,在不同的生產(chǎn)線、 位置或工廠中提供基板制造設(shè)備201和基板處理設(shè)備202?;逯圃煸O(shè)備201是用于作為在上述實(shí)施例中描述的第一處理的制造撓性帶狀片型基板FB的設(shè)備,并且包括基板制造單元211和控制單元212?;逯圃靻卧?11在控制單元212的控制下制造片型基板FB?;逄幚碓O(shè)備202是用于作為第二處理的在片型基板FB中形成圖3等中所示的有機(jī)EL元件50的設(shè)備?;逄幚碓O(shè)備202包括基板處理單元222、基板回收單元223和控制單元224?;逄幚韱卧?22、基板回收單元223和控制單元2M具有與在圖2等中所示的基板處理單元102、基板回收單元103和控制單元104相同的配置。安裝部件3被形成為附著到基板制造設(shè)備201和基板處理設(shè)備202/從基板制造設(shè)備201和基板處理設(shè)備202脫離。具體地說,中繼設(shè)備203通過安裝部件3連接到在基板制造設(shè)備201的基板制造單元211中設(shè)置的連接部件211A和在基板處理設(shè)備202的基板處理單元222中設(shè)置的連接部件222A。另外,連接部件211A和222A的配置與在圖2等中所示的供應(yīng)側(cè)連接部件102A的配置類似。中繼設(shè)備203是用于回收由基板制造設(shè)備201制造的片型基板FB并且向基板處理設(shè)備202供應(yīng)片型基板ra的設(shè)備。例如,使用在圖2等中示出的基板盒1作為中繼設(shè)備 203。將省略中繼設(shè)備203的詳細(xì)說明。在如上所述配置的基板處理系統(tǒng)SYS中,首先,中繼設(shè)備203連接到基板制造設(shè)備 201的連接部件211A。在將中繼設(shè)備203連接到連接部件211A后,從基板制造單元211向中繼設(shè)備203供應(yīng)片型基板FB。中繼設(shè)備203通過與在圖10、圖11等中所示的操作類似的操作來纏繞和回收片型基板FB。在該情況下,例如,從控制單元212向中繼設(shè)備203的信息處理單元IC (參見圖5) 發(fā)送下述處理信息,諸如關(guān)于基板制造設(shè)備201的生產(chǎn)節(jié)拍或生產(chǎn)量的信息;關(guān)于中繼設(shè)備203的傳送速度或輥沈的纏繞/供給速度的信息;關(guān)于整個(gè)處理或完成(結(jié)束)的處理的處理信息;以及關(guān)于片型基板FB的信息,諸如片型基板FB的剩余長度或整個(gè)長度。被發(fā)送到信息處理單元IC的上述處理信息由信息處理單元IC的通信單元CR接收,然后存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MR中或顯示在顯示單元四上。另外,關(guān)于由中繼設(shè)備203的檢測(cè)單元21c檢測(cè)的片型基板FB的長度的信息也被發(fā)送到信息處理單元IC。接下來,使用運(yùn)送系統(tǒng)TR(諸如卡車)將回收了片型基板FB的中繼設(shè)備203傳送到基板處理設(shè)備202。在中繼設(shè)備203被傳送到基板處理設(shè)備202后,中繼設(shè)備203以在圖12、圖13等中所示的次序連接到基板處理設(shè)備202的連接部件222A,并且在從中繼設(shè)備 203供應(yīng)片型基板FB的同時(shí)在基板處理單元222中在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50。此時(shí),例如,控制單元2M與中繼設(shè)備203的信息處理單元IC進(jìn)行通信,并且接收在信息處理單元IC中存儲(chǔ)的處理信息。基于接收的處理信息,控制單元2M執(zhí)行控制以執(zhí)行下述每一個(gè)處理在調(diào)整與所接收的處理信息(諸如片型基板FB的傳送速度以及傳熱輥 115和熱處理裝置BK的加熱時(shí)間或加熱溫度)相關(guān)的操作的同時(shí),形成有機(jī)EL元件50。具有有機(jī)EL元件50的片型基板FB被切割為板狀,并且由基板回收單元223回收。如上所述,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,提供了 基板制造設(shè)備201,其制造撓性片型基板FB (作為第一處理);基板處理設(shè)備202,其在制造片型基板FB后在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50 (作為第二處理);以及中繼設(shè)備203,其從基板制造設(shè)備201回收片型基板FB,并向基板處理設(shè)備202供應(yīng)所回收的片型基板冊(cè),其中,基板盒1被用作中繼設(shè)備 203。因此,可以防止灰塵等附著到在基板制造設(shè)備201和基板處理設(shè)備202之間的片型基板FB。另外,使用在中繼設(shè)備203中設(shè)置的信息處理單元IC將基板制造設(shè)備201的處理信息供應(yīng)到基板處理設(shè)備202,并且可以由基板處理設(shè)備202使用所述處理信息來執(zhí)行處理。 因此,可以改善在基板處理設(shè)備202中的處理效率。另外,在本實(shí)施例中,因?yàn)樯鲜龅幕搴?被用作中繼設(shè)備203,所以可以容易地識(shí)別片型基板FB的長度或剩余長度。此外,在本實(shí)施例中,因?yàn)榛搴?被用作中繼設(shè)備203,所以可以容易地劃分多個(gè)處理,諸如第一和第二處理。圖沈圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)SYS2的配置。在下面的說明中,通過相同的附圖標(biāo)記來表示與上述實(shí)施例相同或類似的部件,并且簡(jiǎn)化或省略它們的說明。如圖沈中所示,基板處理系統(tǒng)SYS2具有第一基板處理設(shè)備(第一處理設(shè)備)300、 第二基板處理設(shè)備(第二處理設(shè)備)310和320、以及中繼設(shè)備(基板中繼設(shè)備)303。例如在相同位置或工廠中提供第一基板處理設(shè)備300與第二基板處理設(shè)備310和320。第一基板處理設(shè)備300例如是用于在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50的障壁 BA的設(shè)備。第二基板處理設(shè)備310和320例如是用于在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件 50的電極(諸如柵電極G)、發(fā)光層頂和透明電極ITO的設(shè)備。第二基板處理設(shè)備310和 320具有相同的配置。以下,原則上將有代表性地說明第二基板處理設(shè)備310,以便描述第二基板處理設(shè)備的配置或操作,但是相同的說明也可以用于第二基板處理設(shè)備320。如上所述,基板處理系統(tǒng)SYS2具有作為用于形成有機(jī)EL元件50的設(shè)備的兩種設(shè)備,包括第一基板處理設(shè)備300以及第二基板處理設(shè)備310和320。中繼設(shè)備303是從第一基板處理設(shè)備300向第二基板處理設(shè)備310和320接收/發(fā)送(中繼)片型基板FB的設(shè)備。在本實(shí)施例中,具有與在圖5等中所示配置相同的配置的基板盒1被用作中繼設(shè)備
25303。第一基板處理設(shè)備300包括基板供應(yīng)單元301、基板處理單元302、第一控制單元
304、第二控制單元305和保護(hù)基板供應(yīng)單元306?;骞?yīng)單元301具有例如與在圖2中所示的基板供應(yīng)單元101相同的配置?;逄幚韱卧?02具有與圖2中所示的基板處理設(shè)備100的障壁形成單元91相同的配置,并且,在連接到基板供應(yīng)單元301的部分中設(shè)置供應(yīng)側(cè)連接部件302A。供應(yīng)側(cè)連接部件302A具有與在圖2中所示的供應(yīng)側(cè)連接部件102A相同的配置。如上所述,第一基板處理設(shè)備300具有與在圖2中所示的在基板處理設(shè)備100 的基板供應(yīng)單元101和基板處理單元102的障壁形成單元91之間的配置相同的配置。在基板處理單元302的+X側(cè)端部中設(shè)置連接到中繼設(shè)備303的安裝部件3的回收側(cè)連接部件302B?;厥諅?cè)連接部件302B具有與供應(yīng)側(cè)連接部件302A相同的配置。第一控制單元304接收在基板供應(yīng)單元301的信息處理單元IC中存儲(chǔ)的處理信息,并且基于所述處理信息執(zhí)行基板處理單元302的操作(諸如用于處理或加工的操作)的控制。第二控制單元305向中繼設(shè)備303的信息處理單元IC發(fā)送關(guān)于基板供應(yīng)單元301、基板處理單元302、片型基板FB等的處理信息。處理信息可以包括例如具有如在上述實(shí)施例中描述的處理信息的內(nèi)容的信息。第一基板處理設(shè)備300可以具有未示出的控制裝置,該控制裝置統(tǒng)一地對(duì)第一控制單元304和第二控制單元305執(zhí)行控制和管理。保護(hù)基板供應(yīng)單元306 例如設(shè)置在基板處理單元302的+X側(cè)端部中。第二基板處理設(shè)備310包括基板處理單元311、基板回收單元312、第一控制單元 314和第二控制單元315?;逄幚韱卧?11具有與在圖2中所示的基板處理設(shè)備100的電極形成單元92和發(fā)光層形成單元93相同的配置。基板處理單元311包括在-X側(cè)端部的供應(yīng)側(cè)連接部件3 IlA和在+X側(cè)端部的回收側(cè)連接部件311B。供應(yīng)側(cè)連接部件3 IlA和回收側(cè)連接部件311B分別具有與如上所述的供應(yīng)側(cè)連接部件302A和回收側(cè)連接部件302B 的配置相同的配置。上述的中繼設(shè)備303可拆卸地連接到供應(yīng)側(cè)連接部件311A。第一控制單元314接收在中繼設(shè)備303的信息處理單元IC中存儲(chǔ)的處理信息,并且基于所述處理信息來執(zhí)行基板處理單元311的操作(諸如用于處理或加工的操作)的控制。第二控制單元315向基板回收單元312的信息處理單元IC發(fā)送關(guān)于中繼設(shè)備303、基板處理單元311、片型基板FB 等的處理信息。所述處理信息可以包括例如內(nèi)容與在上述實(shí)施例中所述的處理信息的內(nèi)容類似的信息。接下來,在如上所述配置的基板處理系統(tǒng)SYS2中,首先,在基板盒1中容納片型基板FB,基板盒1作為基板供應(yīng)單元301連接到第一基板處理設(shè)備300的基板處理單元302 的供應(yīng)側(cè)連接部件302A。基板盒1用作基板供應(yīng)單元301。另外,空的基板盒1作為中繼設(shè)備303連接到基板處理單元302的回收側(cè)連接部件302B。接下來,從基板供應(yīng)單元301向基板處理單元302供應(yīng)片型基板FB,并且通過基板處理單元302形成障壁BA。在該情況下,控制單元304和305與基板供應(yīng)單元301的信息處理單元IC和中繼設(shè)備303的信息處理單元IC進(jìn)行通信,以接收在信息處理單元IC中存儲(chǔ)的信息??刂茊卧?04和305執(zhí)行控制,以在調(diào)整關(guān)于例如所接收的處理信息的操作的同時(shí)形成障壁BA,所接收的處理信息例如是片型基板FB的傳送速度以及傳熱輥115的加熱時(shí)間或加熱溫度。
從基板處理單元302向中繼設(shè)備303供應(yīng)具有障壁BA的片型基板FB,并且供應(yīng)的片型基板FB纏繞成卷狀并由中繼設(shè)備303回收。中繼設(shè)備303回收片型基板FB,使得保護(hù)基板PB被布置在片型基板FB內(nèi)的形成障壁BA的表面上。圖27至四圖示用于在基板回收單元103中回收片型基板FB的操作。在圖27至 29中,有意省略一些部件以便于附圖的理解。在回收操作中,如圖27中所示,將片型基板FB插入基板盒1的開口 34中,同時(shí), 將保護(hù)基板PB從第二開口 35插入。如圖沈和27中所示,例如從如上所述的保護(hù)基板供應(yīng)單元306供應(yīng)保護(hù)基板PB。插入的片型基板FB和保護(hù)基板PB由如圖觀中所示的基板引導(dǎo)單元22和第二基板引導(dǎo)單元37引導(dǎo),并且在結(jié)合部分39中結(jié)合在一起。在結(jié)合部分39中結(jié)合在一起的片型基板FB和保護(hù)基板PB以結(jié)合狀態(tài)被傳送單元21傳送,如圖四中所示,并且被張力輥 21a和測(cè)量輥21b擠壓為彼此緊密接觸。片型基板FB和保護(hù)基板PB在它們彼此緊密接觸的同時(shí)纏繞在輥單元沈上并被回收。接著,回收與片型基板FB毗連的片型基板FB的中繼設(shè)備303由運(yùn)送系統(tǒng)TR2 (諸如叉車)傳送到第二基板處理設(shè)備310。在傳送后,中繼設(shè)備303以在圖12、圖13等中所示的次序連接到第二基板處理設(shè)備310的供應(yīng)側(cè)連接部件311A,并且空基板盒1連接到到回收側(cè)連接部件311B作為基板回收單元312。在基板回收單元312連接到回收側(cè)連接部件 311B后,在從中繼設(shè)備303供應(yīng)片型基板FB的同時(shí),通過基板處理單元311來在片型基板 FB上形成電極、發(fā)光層頂和透明電極ΙΤ0。此刻,例如,控制單元314和315與中繼設(shè)備303的信息處理單元IC以及基板回收單元312的信息處理單元IC進(jìn)行通信,以接收在每一個(gè)信息處理單元IC中存儲(chǔ)的處理信息?;谒邮盏奶幚硇畔ⅲ刂茊卧?14和315在調(diào)整關(guān)于所接收的處理信息的操作的同時(shí)形成電極、發(fā)光層頂和透明電極ΙΤ0,所接收的處理信息例如是片型基板FB的傳送速度以及熱處理裝置BK的加熱時(shí)間或加熱溫度。另外,當(dāng)?shù)谝换逄幚碓O(shè)備300的處理速度高于第二基板處理設(shè)備310的處理速度(具有較小的生產(chǎn)節(jié)拍)時(shí),比如在第一基板處理設(shè)備300的處理速度和第二基板處理設(shè)備310的處理速度的比率被設(shè)置為例如2 1的情況下,由中繼設(shè)備303中繼的目的地的數(shù)量可能增加。在本實(shí)施例中,例如,增加第二基板處理設(shè)備320以作為由中繼設(shè)備303 中繼的目的地。結(jié)果,因?yàn)樵诘诙逄幚碓O(shè)備310和320兩個(gè)位置并行地處理由第一基板處理設(shè)備300處理的片型基板FB,所以具有較低處理速度(具有較大的生產(chǎn)節(jié)拍)的生產(chǎn)線的數(shù)量增大。如上所述,通過第一基板處理設(shè)備300的處理和第二基板處理設(shè)備310的處理來完成片型基板FB的處理。因此,當(dāng)使用單個(gè)第一基板處理設(shè)備300和單個(gè)第二基板處理設(shè)備310時(shí)(或當(dāng)依序執(zhí)行處理時(shí)),整個(gè)基板處理系統(tǒng)SYS2的處理速度是第一基板處理設(shè)備300的處理速度或第二基板處理設(shè)備310的處理速度中較慢的一個(gè)。相反,在本實(shí)施例中,生產(chǎn)線的數(shù)量利用具有較低處理速度的兩個(gè)第二基板處理設(shè)備310(第二基板處理設(shè)備310和320)而增加。因此,補(bǔ)償了處理速度的差異,并且可以利用第一基板處理設(shè)備300的處理速度。結(jié)果,可以防止整個(gè)基板處理系統(tǒng)SYS2的處理效率降低。
通過在具有障壁BA的片型基板FB上形成電極、發(fā)光層頂和透明電極ITO而在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50。例如,象在圖27至四中所述的操作序列中那樣,通過基板回收單元312纏繞和回收具有有機(jī)EL元件50的片型基板FB。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,提供了 第一基板處理設(shè)備300,其執(zhí)行在片型基板FB 上形成障壁BA的處理(作為第一處理);第二基板處理設(shè)備310,其執(zhí)行在形成障壁BA的處理后在片型基板FB上形成電極、發(fā)光層頂和透明電極ITO的處理(作為第二處理);以及中繼設(shè)備303,其從第一基板處理設(shè)備300回收片型基板FB,并且向第二基板處理設(shè)備310 供應(yīng)回收的片型基板FB,其中,根據(jù)本發(fā)明的基板盒1被用作中繼設(shè)備303。因此,可以防止在相同位置或工廠中提供的第一基板處理設(shè)備300和310之間的傳送期間灰塵等附著到片型基板FB。另外,使用在基板盒1中設(shè)置的信息處理單元IC來發(fā)送處理信息,并且,基板處理單元302和311可以使用處理信息來執(zhí)行處理。因此,可以改善在整個(gè)基板處理系統(tǒng) SYS2中的處理效率。另外,在另一個(gè)示例中,第一基板處理設(shè)備300例如是用于在片型基板FB上形成障壁BA和有機(jī)EL元件50的電極(比如柵電極G)的設(shè)備。第二基板處理設(shè)備310或320 例如是用于在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50的發(fā)光層頂和透明電極ITO的設(shè)備。
在這個(gè)示例中,通過在具有障壁BA和電極的片型基板FB上形成發(fā)光層頂和透明電極ITO來在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50。具有有機(jī)EL元件50的片型基板FB例如以如在圖27至四中所述的操作序列由基板回收單元312纏繞和回收。另外,上述的基板處理系統(tǒng)SYS2可以被配置為使得第二基板處理設(shè)備310的處理速度高于第一基板處理設(shè)備300的處理速度。在這種配置中,例如,第一基板處理設(shè)備300 可以包括障壁形成單元91和電極形成單元92,并且第二基板處理設(shè)備310可以包括發(fā)光層形成單元93。在該情況下,利用與本實(shí)施例相同的構(gòu)思,例如,通過將第一基板處理設(shè)備 300的數(shù)量設(shè)置得大于第二基板處理設(shè)備310的數(shù)量,可以補(bǔ)償處理速度的差異。例如,在圖30(a)中,基板處理系統(tǒng)SYS2’包括兩個(gè)第一基板處理設(shè)備300和單個(gè)第二基板處理設(shè)備310。因?yàn)橛糜诰哂休^低處理速度的第一基板處理設(shè)備300的處理的生產(chǎn)線的數(shù)量增大,所以可以補(bǔ)償處理速度的差異。在該情況下,例如,優(yōu)選的是,通過控制在兩個(gè)第一基板處理設(shè)備300中的處理的時(shí)間,中繼設(shè)備303交替地連接到第二基板處理設(shè)備310。結(jié)果,可以顯著地降低中繼設(shè)備303的暫停時(shí)間,并有效地執(zhí)行處理。另外,例如,該基板處理系統(tǒng)SYS2’可以具有將第一基板處理設(shè)備300進(jìn)一步劃分為障壁形成設(shè)備340和電極形成設(shè)備350的配置(基板處理系統(tǒng)SYS2”),如圖30(b)中所示。此外,障壁形成設(shè)備340具有與在圖3中所示的障壁形成單元91對(duì)應(yīng)的配置,并且電極形成設(shè)備350具有與在圖3中所示的電極形成單元92對(duì)應(yīng)的配置。第二基板處理設(shè)備 310具有與基板處理系統(tǒng)SYS’類似的發(fā)光層形成單元93。在障壁形成處理、電極形成處理和發(fā)光層形成處理這三種處理中,電極形成處理由于特別需要以較高的對(duì)齊精度被執(zhí)行而具有最低的處理速度。結(jié)果,如圖30(b)中所示, 如果布置具有較低處理速度的兩個(gè)電極形成設(shè)備350來增加生產(chǎn)線的數(shù)量,并且布置了單個(gè)障壁形成設(shè)備340和單個(gè)第二基板處理設(shè)備310(具有發(fā)光層形成單元93),則可以補(bǔ)償處理速度的差異。在該情況下,從障壁形成設(shè)備340到電極形成設(shè)備350的中繼設(shè)備303具有與在上述實(shí)施例中的基板處理系統(tǒng)SYS2的中繼設(shè)備303相同的功能,并且,從電極形成設(shè)備350 到第二基板處理設(shè)備310的中繼設(shè)備303具有與上述基板處理系統(tǒng)SYS’的中繼設(shè)備303 相同的功能。另外,在基板處理系統(tǒng)SYS2”中,例如,電極形成設(shè)備350可以被劃分為用于形成柵電極G的柵極形成設(shè)備和用于形成源電極S和漏電極D的源極/漏極形成設(shè)備。在該情況下,因?yàn)樵礃O/漏極形成設(shè)備的處理速度低于柵極形成設(shè)備的處理速度,所以優(yōu)選的是,提供多個(gè)源極/漏極形成設(shè)備。以這種方式,通過劃分具有較低處理速度的設(shè)備并提高由所劃分的設(shè)備組成的生產(chǎn)線的數(shù)量,可以降低用于增加生產(chǎn)線數(shù)量的成本。圖31圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)SYS3。另外,根據(jù)本實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)SYS3在一些部件上與在圖沈中所示的基板處理系統(tǒng)SYS2不同,并且其他部件相同。 以下,將集中于與基板處理系統(tǒng)SYS2的差別來進(jìn)行說明。在下面的說明中,以相同的附圖標(biāo)記來表示與基板處理系統(tǒng)SYS2相同或類似的部件,并且簡(jiǎn)化或省略它們的說明。如圖31中所示,基板處理系統(tǒng)SYS3包括第一基板處理設(shè)備(第一處理設(shè)備)300、 第二基板處理設(shè)備(第二處理設(shè)備)310和320、以及中繼設(shè)備(基板中繼設(shè)備)303。根據(jù)本實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)SYS3與基板處理系統(tǒng)SYS2的不同在于未提供基板處理系統(tǒng) SYS2的控制設(shè)備304和305以及控制設(shè)備314和315,而是提供了主控制設(shè)備C0NT。其他部件類似于基板處理系統(tǒng)SYS2的那些部件。主控制設(shè)備CONT例如基于在上述實(shí)施例中描述的處理信息(諸如基板處理設(shè)備的生產(chǎn)節(jié)拍、生產(chǎn)量、傳送速度、纏繞速度和供應(yīng)速度、以及關(guān)于片型基板ra的信息)統(tǒng)一地執(zhí)行第一基板處理設(shè)備300、第二基板處理設(shè)備310和320以及中繼設(shè)備303的控制。例如,可以基于片型基板FB的傳送速度、纏繞速度或供應(yīng)速度來確定第二基板處理設(shè)備310 和320中的哪個(gè)被設(shè)置為中繼設(shè)備303的中繼目的地。以這種方式,在本實(shí)施例中,因?yàn)橥ㄟ^主控制設(shè)備CONT統(tǒng)一地控制第一基板處理設(shè)備300、第二基板處理設(shè)備310和320、以及中繼設(shè)備303,所以可以有效地執(zhí)行對(duì)片型基板FB的一系列處理。圖32是圖示用于在撓性基板上制造具有像素電極、發(fā)光層等的顯示元件(諸如有機(jī)EL元件)的制造設(shè)備410的配置的示意圖,并且也圖示圖2的基板處理使用102的另一個(gè)示例。然而,相同的附圖標(biāo)記表示與在基板處理單元102中相同的元件或設(shè)備。在圖32中的制造設(shè)備410與上述的基板處理單元102的不同在于提供了兩個(gè)障壁形成單元91。在一個(gè)障壁形成處理中,通過使用壓印輥110來形成用于薄膜晶體管的布線的障壁BA,并且在作為片型基板FB的寬度方向的Y軸方向的兩側(cè)上形成對(duì)齊標(biāo)記AM。 另外,在另一個(gè)障壁形成處理中,使用印刷輥440。在印刷輥440上形成金屬掩模,使得可以對(duì)于該表面執(zhí)行絲網(wǎng)印刷。另外,在印刷輥440內(nèi)包含紫外線可固化樹脂。使用橡膠滾軸441通過金屬掩模在片型基板FB上施加紫外線可固化樹脂。結(jié)果,形成由紫外線可固化樹脂構(gòu)成的障壁BA。障壁的高度小于十幾個(gè)微米。通過使用諸如水銀燈的紫外線燈444來固化由在片型基板FB上形成的紫外線可固化樹脂制成的障壁BA。當(dāng)在顯示元件中形成發(fā)光層、空穴傳送層和電子傳送層時(shí),需要增大障壁BA的高度。在壓印輥110的傳熱過程中,可能無法充分地增大從片型基板FB突出的障壁BA的高度。因此,與壓印輥110分離地提供印刷輥440。
通過在印刷輥440的上游側(cè)布置對(duì)齊相機(jī)CA6,控制單元104識(shí)別在印刷輥440前方的片型基板FB的位置。并且,控制單元104根據(jù)在片型基板FB上形成的薄膜晶體管的位置來執(zhí)行印刷輥440的旋轉(zhuǎn)的控制,以印刷紫外線可固化樹脂。紫外線可固化樹脂層指的是由可以通過輻射紫外光、經(jīng)由交聯(lián)反應(yīng)固化的樹脂作為主要成分制成的層。優(yōu)選地使用包含具有乙烯基不飽和雙鍵的單體的成分作為紫外線可固化樹脂,并且,通過輻射紫外光以固化紫外線可固化樹脂來形成紫外線可固化樹脂層。紫外線可固化樹脂優(yōu)選地包括例如紫外線可固化的聚氨酯丙烯酸酯基樹脂、紫外線可固化的聚酯丙烯酸酯基樹脂、紫外線可固化的環(huán)氧丙烯酸酯基樹脂、紫外線可固化的多元醇丙烯酸酯基樹脂或紫外線可固化的環(huán)氧樹脂等。優(yōu)選地首先使用紫外線可固化的丙烯酸酯基樹月旨。另外,由于黑矩陣優(yōu)選地用于發(fā)光層的障壁BA,因此諸如鉻的金屬或氧化物可以被引入到紫外線可固化的丙烯酸酯基樹脂內(nèi)。由紫外線可固化的樹脂制成的障壁BA可以通過壓印輥110交疊地形成于在片型基板上形成的障壁BA上,或者可以通過壓印輥110形成在未形成障壁BA的區(qū)域上。其后, 可以使用在圖3等中所述的相同配置來充分地執(zhí)行用于形成發(fā)光層的處理。接下來,將描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于制造液晶顯示元件的設(shè)備和方法。液晶顯示元件通常包括偏轉(zhuǎn)濾光器、具有薄膜晶體管的片型基板FB、液晶層、濾色器和偏轉(zhuǎn)濾光器。在這些元件中,已經(jīng)對(duì)下述情況進(jìn)行了說明可以通過使用在圖3的上半部分中圖示的基板處理單元102和在圖32的上半部分中圖示的制造設(shè)備410制造具有薄膜晶體管的片型基板FB。在本實(shí)施例中,將說明液晶的提供和濾色器CF的粘結(jié)。需要向液晶元件提供液晶,并且形成用于封裝液晶的障壁。因?yàn)檫@個(gè)原因,在本實(shí)施例中,在圖32的下半部分中圖示的印刷輥440不用于發(fā)光層的障壁BA,而是用于封裝液晶的障壁。圖33圖示用于執(zhí)行液晶的供應(yīng)和濾色器的粘結(jié)的供應(yīng)粘結(jié)設(shè)備420。供應(yīng)粘結(jié)設(shè)備420包括上游低真空室82、下游低真空室83、以及在上游低真空室 82和下游低真空室83之間設(shè)置的高真空室84。使用旋轉(zhuǎn)泵或渦輪分子泵89來將上游低真空室82和83以及高真空室84抽真空。通過圖32中所示的印刷輥40將濾色器CF和片型基板FB供應(yīng)給上游低真空室 82,其中片型基板FB具有用于封裝液晶的障壁。另外,在濾色器CF的Y方向的兩側(cè)上形成對(duì)齊標(biāo)記。首先從粘結(jié)劑分配器72向具有用于封裝液晶的障壁的片型基板FB施加用于與濾色器CF粘結(jié)的熱固性粘結(jié)劑。然后,通過上游低真空室82向高真空室84傳送片型基板 FB。從在高真空室84中的液晶分配器74施加液晶。另外,使用傳熱輥76來粘結(jié)濾色器CF 和片型基板FB。通過對(duì)齊相機(jī)CAl 1來拍攝片型基板FB的對(duì)齊標(biāo)記AM的圖像,并且通過對(duì)齊相機(jī) CA12來拍攝濾色器CF的對(duì)齊標(biāo)記AM的圖像。由對(duì)齊相機(jī)CAll和CA12拍攝的結(jié)果產(chǎn)生的圖像被傳送到控制單元104,以識(shí)別在X軸方向上的偏離、在Y軸方向上的偏離、以及θ旋轉(zhuǎn)。傳熱輥76的旋轉(zhuǎn)速度根據(jù)從控制單元104發(fā)送的定位信號(hào)來改變,并且,濾色器CF和片型基板FB被定位和彼此粘結(jié)。粘結(jié)的液晶顯示元件片材CFB通過下游低真空室83被輸出到外側(cè)。另外,當(dāng)在上述的說明中使用熱固性粘結(jié)劑的同時(shí),也可以使用紫外線可固化粘結(jié)劑。在該情況下,使用紫外線燈來取代傳熱輥76。圖34圖示用于在用于印刷輥40在Y軸方向上的對(duì)齊的機(jī)構(gòu)。在印刷輥的表面上形成金屬掩模。可以基于來自控制單元104的信號(hào),通過印刷輥的旋轉(zhuǎn)速度來調(diào)整在X軸方向上的定位??梢允褂孟旅娴姆椒▉韴?zhí)行在Y軸方向上的定位。圖34(a)圖示中心利用氣動(dòng)或液壓控制方法被膨脹或壓縮的印刷輥440p??梢酝ㄟ^基于來自速度和對(duì)齊控制單元90的信號(hào)供應(yīng)空氣或油,來改變輥的中心和邊緣在Y軸方向上的位置。圖34 (b)圖示整個(gè)輥利用熱變形控制方法被放大或壓縮的印刷輥440q??梢酝ㄟ^基于來自速度和對(duì)齊控制單元90的信號(hào)加熱或冷卻輥,來改變整個(gè)輥在X軸方向和Y軸方向上的位置。圖34(c)圖示整個(gè)輥利用彎曲變形控制方法被彎曲的印刷輥440r。印刷輥440r 優(yōu)選地在圓周方向上具有狹縫,以便被弱的力彎曲。本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于上述實(shí)施例,因此,可以在不背離本發(fā)明的精神的情況下適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行任何增加或修改。在上述實(shí)施例中,基板盒1的阻塞單元4被配置為使得蓋構(gòu)件41覆蓋開口 34和第二開口 35,但是不限于此。例如,如圖33中所示,以下配置也是可能的蓋構(gòu)件41A打開或關(guān)閉開口 34,并且蓋構(gòu)件41B打開或關(guān)閉第二開口 35。在這種配置中,例如,如圖35中所示,可以提供驅(qū)動(dòng)設(shè)備,該驅(qū)動(dòng)設(shè)備執(zhí)行蓋構(gòu)件 41A和41B的打開/關(guān)閉的控制,使得當(dāng)安裝部件3被插入基板處理單元102的供應(yīng)側(cè)連接部件102A中時(shí),蓋構(gòu)件41A和41B打開,并且當(dāng)安裝部件3未連接到供應(yīng)側(cè)連接部件102A 時(shí),蓋構(gòu)件41A和41B閉合。以這種方式,通過獨(dú)立地閉合/打開開口 34和第二開口 35,可以防止任何未使用的開口被打開。結(jié)果,可以防止異物(諸如灰塵)從開口引入。例如,當(dāng)上述基板處理設(shè)備或基板處理系統(tǒng)的一部分中出現(xiàn)故障時(shí),可以切除片型基板FB的一部分以去除出現(xiàn)故障的位置。結(jié)果,可以防止片型基板FB的提取速率變差。 另外,在本實(shí)施例的基板盒或基板處理系統(tǒng)中,即使當(dāng)因?yàn)槿毕荻懈钇突錐B時(shí),或者即使當(dāng)生產(chǎn)線因?yàn)殡娏χ袛喽V箷r(shí),也可以識(shí)別片型基板FB的剩余長度。因此,可以在重新運(yùn)行后立即執(zhí)行處理。因此,根據(jù)本實(shí)施例,可以改善處理效率和安全性。在上述實(shí)施例中,作為示例已經(jīng)描述了圖1中所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,但是不限于此。圖36(a)和36(b)是圖示與上述實(shí)施例不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的橫截面視圖。例如,除了圖1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管之外,還可以制造在圖36(a)中所示的底部柵極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在片型基板FB上形成柵電極G、柵絕緣層I和有機(jī)半導(dǎo)體層OS后,在片型基板FB上形成源電極S和漏電極D。圖36 (b)圖示頂部柵極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,通過在片型基板FB上形成源電極S和漏電極D,然后形成有機(jī)半導(dǎo)體層0S,以及進(jìn)一步在片型基板FB上形成柵絕緣層I和柵電極 G而獲得所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在任何場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,可以使用基板處理單元102通過改變金屬墨等的順序來進(jìn)行修改。
在上述實(shí)施例中,開口 34和第二開口 35設(shè)置在安裝部件3的+X側(cè)端部中,但是不限于此。例如,可以在除了安裝部件3之外的位置中設(shè)置開口 34和第二開口 35。另外, 可以不設(shè)置第二開口 35。在上述實(shí)施例中,在基板盒1上設(shè)置基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)對(duì),并且,通過纏繞來容納片型基板FB,但是不限于此??梢允褂闷渌椒▉砣菁{片型基板FB。在上述實(shí)施例中,在基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M的輥單元沈的表面上設(shè)置附著部件^c,但是不限于此。如果其他機(jī)構(gòu)可以保持片型基板FB,則可以使用其他機(jī)構(gòu)。另外,不必在輥單元沈的整個(gè)表面上設(shè)置附著部件^c,因此,可以在輥單元沈的表面的一部分上設(shè)置附著部件沈C。在容納單元20中設(shè)置的傳送單元21或引導(dǎo)單元27不限于在上述實(shí)施例中所述的那些布置,而是可以使用其他布置。在上述實(shí)施例中,在每一個(gè)基板處理單元中設(shè)置作為基板盒1的連接目的地的單個(gè)外部連接部件,但是不限于此。例如,可以在Z方向上設(shè)置多個(gè)外部連接部件。在該配置中,例如,可以在Z方向上以相反狀態(tài)安裝基板盒1。在上述實(shí)施例中,外部連接部件可以可移動(dòng)地設(shè)置在Z方向上。在該情況下,例如,當(dāng)向Z方向上以相反狀態(tài)安裝基板盒1時(shí),外部連接部件可以在Z方向上可移動(dòng)。(基板盒的另一個(gè)實(shí)施例)圖37是圖示根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的基板盒2001的配置的透視圖。另外,圖38圖示沿著圖37的線A-A’所取的橫截面配置。在下面的說明中,以相同的附圖標(biāo)記來表示與上述實(shí)施例相同或類似的部件,并且簡(jiǎn)化或省略它們的說明。如圖37和38中所示,基板盒2001 包括盒主框架2和安裝部件3。在本實(shí)施例中,基板盒2001被用作基板供應(yīng)單元101和基板回收單元103。在下面的說明中,為了方便說明,建立與圖2類似的XYZ直角坐標(biāo)系,并且將參考所述XYZ直角坐標(biāo)系來描述每一個(gè)構(gòu)件的位置關(guān)系。在下面的XYZ直角坐標(biāo)系中,將示例性地描述下述情況將基板盒2001用作基板供應(yīng)單元101,同時(shí),基板供應(yīng)單元101連接到基板處理單元 102。例如,可以使用耐熱樹脂膜、不銹鋼等作為片型基板FB。具體地說,片型基板FB的材料可以包括聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯共聚樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚酰氨樹脂、聚酰亞氨樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂等。 例如,片型基板FB的Y方向尺寸形成為大約50cm至2m,并且,Y方向尺寸形成為IOm或更大。毋庸多言,這樣的尺寸僅是示例性的,而不限于此。例如,片型基板FB的Y方向尺寸可以小于50cm,或者等于或大于an。另外,片型基板FB的X方向尺寸可以小于10m。此外, 本實(shí)施例的撓性表示下述撓性屬性當(dāng)諸如至少大約自重的預(yù)定力被施加到基板時(shí),基板可以彎曲,而不會(huì)導(dǎo)致任何破裂或折斷。另外,撓性根據(jù)基板的材料、大小或厚度或者環(huán)境 (比如溫度)來改變。基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M是用于執(zhí)行纏繞片型基板FB的操作或供應(yīng)片型基板FB的操作的部件。基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M設(shè)置在容納單元20內(nèi)?;弪?qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M具有輥(軸)沈和引導(dǎo)件27。如圖38中所示,輥沈具有旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a、放大半徑部件26b和附著部件^c。旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a連接到未示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。通過控制旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),旋轉(zhuǎn)軸
32構(gòu)件26a相對(duì)于中軸線旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以例如在如圖38中所示的+ θ Y或-θ Y方向上旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件26a。在突出部23的+X側(cè)的端部中設(shè)置氣體供應(yīng)端口(切換機(jī)構(gòu))2004。氣體供應(yīng)端口 2004具有連接到外部氣體供應(yīng)源的供應(yīng)入口 2041。氣體供應(yīng)端口 2004例如設(shè)置在Y方
向的中心。盡管在圖37中僅設(shè)置了單個(gè)氣體供應(yīng)端口 2004,但是可以設(shè)置多個(gè)氣體供應(yīng)端□。盒主框架2具有信息處理單元IC (參見圖37)。該信息處理單元IC包括例如IC 芯片等,并且例如嵌入在盒主框架2中。信息處理單元IC具有存儲(chǔ)器單元MR,用于存儲(chǔ)基板處理設(shè)備100和基板盒2001的處理信息;通信單元CR,例如用于與控制單元104傳輸
處理信息,等等。圖39和40圖示突出部23的+X側(cè)端部分的擴(kuò)大配置,并且圖示連接到氣體供應(yīng)端口 2004的流動(dòng)路徑機(jī)構(gòu)。如圖39和40中所示,氣體供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041連接到在突出部23 內(nèi)形成的流動(dòng)路徑2042。流動(dòng)路徑2042被劃分為第一流動(dòng)路徑204 和第二流動(dòng)路徑 2042b。基板引導(dǎo)構(gòu)件22a內(nèi)部包括流動(dòng)路徑2043a,并且第一流動(dòng)路徑204 通過連接部件42c連接到流動(dòng)路徑2043a。在基板引導(dǎo)構(gòu)件22a的-Z側(cè)表面中形成多個(gè)氣體排放端口 2044a,并且每一個(gè)流動(dòng)路徑2043a連接到這些氣體排放端口 2044a。以這種方式,基板引導(dǎo)構(gòu)件2 形成為氣墊形狀,其從-Z側(cè)表面排放氣體。同時(shí),如圖39和40中所示,流動(dòng)路徑204 也形成在基板引導(dǎo)構(gòu)件22b內(nèi)。第二綹綹2042b通過連接部件42d連接到流動(dòng)路徑2043b。多個(gè)氣體排放端口 2044b形成在基板引導(dǎo)構(gòu)件22b的+Z側(cè)表面中,并且流動(dòng)路徑204 連接到氣體排放端口 2044b中的每一個(gè)。以這種方式,基板引導(dǎo)構(gòu)件22b形成為氣墊形狀,其從+Z側(cè)表面排放氣體。密封構(gòu)件2047的一端連接到基板引導(dǎo)構(gòu)件22b的-Z側(cè)表面。密封構(gòu)件2047的另一端連接到例如安裝部件3的-Z側(cè)表面。通過密封構(gòu)件2047在基板引導(dǎo)構(gòu)件22b和開口 34之間密封。通過擠壓機(jī)構(gòu)2045來擠壓基板引導(dǎo)構(gòu)件22b的-Z側(cè)表面。擠壓機(jī)構(gòu)2045 的-Z側(cè)端被固定在例如由突出部23的內(nèi)表面支撐的支架2046上。如圖39中所示,當(dāng)氣體供應(yīng)源未連接到氣體供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041時(shí), 氣體不流過流動(dòng)路徑機(jī)構(gòu),并且不從基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b注入氣體。因此,基板引導(dǎo)構(gòu)件22b被+Z側(cè)上的擠壓機(jī)構(gòu)2045擠壓,并且與基板引導(dǎo)構(gòu)件2 合作來夾持片型基板FB。相反,如圖40中所示,例如,通過向供應(yīng)入口 2041中插入外部氣體供應(yīng)單元GS并且供應(yīng)氣體,從氣體排放端口 204 經(jīng)由流動(dòng)路徑2042、流動(dòng)路徑2042a、連接部件42c和基板引導(dǎo)構(gòu)件22a中的流動(dòng)路徑2043a向-Z方向注入氣體。另外,在基板引導(dǎo)構(gòu)件22b 中,從氣體排放端口 2044b經(jīng)由流動(dòng)路徑2042、流動(dòng)路徑2042b、連接部件42d和流動(dòng)路徑 2043b向+Z方向注入氣體。通過從Z方向的兩側(cè)將氣體注入到片型基板FB上,在片型基板FB和氣體排放端口 204 之間以及在片型基板FB和氣體排放端口 2044b之間形成氣體層(空氣支架)。因?yàn)樵谄突錐B的+Z側(cè)表面和-Z側(cè)表面上形成氣體層,所以基板引導(dǎo)構(gòu)件22a向+Z方向移動(dòng),并且基板引導(dǎo)構(gòu)件22b向-Z側(cè)移動(dòng),使得可以將片型基板FB從插入和保持在基板引導(dǎo)構(gòu)件22a與基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間的狀態(tài)中釋放。另外,例如,如果從基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b注入的氣體通過離子發(fā)生器,則可以將片型基板FB中性化,或防止片型基板FB被充電。(在基板盒中容納片型基板的操作)接下來,將說明在如上所述配置的基板盒2001中容納片型基板FB的操作。圖41 和42圖示在容納操作期間基板盒2001的狀態(tài)。在圖41和42中,為了便于區(qū)別,將基板盒 2001的輪廓示為虛線。如圖41和42中所示,當(dāng)在基板盒2001中容納片型基板FB時(shí),基板盒2001保持在保持器HD中。然后,例如,氣體從氣體源供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041供應(yīng),并從基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b注入。通過注入氣體,基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b在被擠壓機(jī)構(gòu)2045閉合的狀態(tài)中經(jīng)受相互注入行為,因此基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b之間的間隙放大。在這種狀態(tài)中,從開口 34插入片型基板FB。當(dāng)插入片型基板FB時(shí),張力輥21a和旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a (輥單元26)旋轉(zhuǎn)。通過從YL側(cè)和-Z側(cè)注入氣體來形成氣體層,并且該氣體層形成在通過開口 34插入的片型基板FB的每個(gè)表面上。片型基板FB在基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b之間移動(dòng),以在氣體層上滑動(dòng)。在傳送單元21中,在將片型基板FB插入張力輥21a和測(cè)量輥21b之間的同時(shí)向容納單元20傳送片型基板FB。隨著測(cè)量輥21b的旋轉(zhuǎn),例如通過檢測(cè)單元21c來檢測(cè)片型基板FB的傳送長度。由傳送單元21向容納單元20傳送的片型基板FB在因?yàn)樽灾囟騙Z方向彎曲的同時(shí)被引導(dǎo),如圖41中所示。在本實(shí)施例中,因?yàn)橐龑?dǎo)單元27設(shè)置在片型基板FB的-Z側(cè), 所以沿著引導(dǎo)單元27的樞軸構(gòu)件27a和前端構(gòu)件27b向輥單元沈引導(dǎo)片型基板FB。當(dāng)片型基板FB的前端到達(dá)輥單元沈的附著部件26c時(shí),片型基板FB的前端附著到附著部件26c。在該狀態(tài)中,隨著輥單元沈的旋轉(zhuǎn),片型基板FB穩(wěn)定地附著到附著部件 26c,并且片型基板FB纏繞在輥單元沈上。在片型基板FB附著到附著部件26c后,例如在調(diào)整張力輥21a的旋轉(zhuǎn)速度和旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件^a的旋轉(zhuǎn)速度的同時(shí)傳送片型基板FB,以使得不彎曲在輥單元26和傳送單元21之間的片型基板FB。在片型基板FB例如以單匝被纏繞在輥單元沈上之后,撤回引導(dǎo)單元27,如圖42 中所示。通過在這種狀態(tài)中旋轉(zhuǎn)輥單元沈,片型基板FB穩(wěn)定地纏繞在輥單元沈上。盡管片型基板FB的纏繞厚度逐漸增大,但是片型基板FB不與引導(dǎo)單元27接觸,因?yàn)橐龑?dǎo)單元 27已經(jīng)被撤回。在將片型基板FB纏繞例如期望長度后,片型基板FB在開口 34之外的外部部分被切去,停止對(duì)供應(yīng)入口 2041的氣體供應(yīng),并且通過夾持基板基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間的片型基板FB來關(guān)閉在基板基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間的間隙。以這種方式,在基板盒2001中容納片型基板FB。在容納片型基板FB的操作期間, 例如可以基于由檢測(cè)單元21c測(cè)量的片型基板FB的測(cè)量長度來計(jì)算在基板盒2001中容納的片型基板FB的整個(gè)長度。另外,計(jì)算結(jié)果可以顯示在顯示單元四上,存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元 MR中,或使用通信單元CR被發(fā)送。另外,例如,可以在操作員通過窗口觀觀察容納單元20的內(nèi)側(cè)的同時(shí)纏繞片型基板FB。在該情況下,例如,可以執(zhí)行纏繞操作,同時(shí)查看片型基板FB是否被纏繞成彎曲狀態(tài)、或者片型基板FB的纏繞形狀(卷形)是否已經(jīng)有偏離。當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí),可以立即停止纏繞操作。(基板處理設(shè)備的操作)接下來,將描述如上所述配置的基板處理設(shè)備100的操作。在本實(shí)施例中,依序執(zhí)行下述操作將容納片型基板FB的基板盒2001連接到供應(yīng)側(cè)連接部件102A以作為基板供應(yīng)單元101的操作;由基板供應(yīng)單元101供應(yīng)容納在基板盒2001中的片型基板FB的操作;通過基板處理單元102形成元件的操作;以及移除基板盒 2001的操作。首先,將描述連接基板盒2001的操作。圖43圖示連接基板盒2001的操作。如圖43中所示,供應(yīng)側(cè)連接部件102A包括插孔,其具有與安裝部件3對(duì)應(yīng)的形狀;以及氣體供應(yīng)部件GS,其形成在插入氣體供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041的位置。在連接操作中,在基板盒2001被保持在保持器(例如,具有與圖41的保持器HD 相同的配置)的同時(shí),執(zhí)行在安裝部件3和供應(yīng)側(cè)連接部件102A之間的定位。在定位后, 安裝部件3移動(dòng)到+X側(cè)以插入基板處理單元102中。此刻,氣體供應(yīng)部件GS被插入氣體供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041中。由此,為了將安裝部件3連接到基板處理單元102,打開在基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間的間隙。接下來,將描述供應(yīng)操作。為了例如向基板處理單元102供應(yīng)片型基板FB,基板盒2001的張力輥21a和旋轉(zhuǎn)軸構(gòu)件輥單元26)在與容納方向相反的方向上旋轉(zhuǎn),以便通過開口 34供應(yīng)片型基板FB,如圖44中所示。接下來,將描述元件形成操作。在元件形成操作中,在如圖2中所示從基板供應(yīng)單元101向基板處理單元102供應(yīng)片型基板FB的同時(shí),在基板處理單元102中的片型基板FB 上形成元件。具體地說,這是與在圖14至23中所示的操作相同的操作。接下來,將描述移除操作。例如,在片型基板FB上形成有機(jī)EL元件50,并且,回收片型基板FB。然后,從基板處理單元102上移除用作基板供應(yīng)單元101的基板盒2001。圖45圖示移除基板盒2001的操作。在移除操作中,安裝部件3向-X方向移動(dòng),以從供應(yīng)側(cè)連接部件102A撤出。通過撤出安裝部件3,從氣體供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041取出氣體供應(yīng)部件GS。因此,基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間通過插入片型基板FB而再一次閉合。以這種方式,當(dāng)安裝部件3連接到基板處理單元102時(shí),基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間打開。因此,打開開口 34。當(dāng)安裝部件3未連接到基板處理單元102時(shí), 基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和基板引導(dǎo)構(gòu)件22b之間閉合。因此,通過片型基板FB閉合開口 34。如上所述,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,提供了 盒主框架2,該盒主框架2具有載入 /載出片型基板FB的開口 34,并且容納通過開口 34的片型基板FB ;以及安裝部件3,其設(shè)置在盒主框架2中,并且可拆卸地連接到供應(yīng)側(cè)連接部件102A和回收側(cè)連接部件102B,其中,可以根據(jù)安裝部件3與供應(yīng)側(cè)連接部件102A或回收側(cè)連接部件102B之間的連接狀態(tài), 通過片型基板FB來阻塞開口 34。因此,可以防止諸如灰塵的異物從開口 34引入。結(jié)果,可以防止異物附著到片型基板FB。另外,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,可以容易地將基板盒2001附著到目標(biāo)物體(諸如基板處理單元102)/使基板盒2001從目標(biāo)物體脫離。
本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于上述實(shí)施例,因此可以在不背離本發(fā)明的精神的情況下適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行任何增加或修改。在上述實(shí)施例中,僅基板弓I導(dǎo)構(gòu)件2 和22b形成得象氣墊那樣,并且氣體供應(yīng)端口 2004的供應(yīng)入口 2041僅連接到在開口 34側(cè)的基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b,但是不限于此。 例如,可以針對(duì)在第二開口 35側(cè)的第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37a和37b提供相同的配置。例如,如圖46中所示,可以提供從供應(yīng)入口 2041到第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37a和37b 的流動(dòng)路徑2049,并且可以將流動(dòng)路徑2049劃分為連接到第二基板弓I導(dǎo)構(gòu)件37a的第一流動(dòng)路徑2049a和連接到第二基板引導(dǎo)構(gòu)件37b的第二流動(dòng)路徑2049b。在該情況下,可以通過在流動(dòng)路徑2042中提供電磁閥Vl并在流動(dòng)路徑2049中提供電磁閥V2來獨(dú)立地執(zhí)行開口 34和第二開口 35的打開/關(guān)閉控制。例如可以使用控制單元104、信息處理單元IC等來執(zhí)行電磁閥Vl和V2的控制。在上述實(shí)施例中,基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b也被用作用于夾持片型基板FB以打開 /關(guān)閉開口 34的夾持機(jī)構(gòu),但是不限于此??梢耘c基板引導(dǎo)構(gòu)件2 和22b分離地提供夾持機(jī)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種基板盒,包括盒主框架,其具有用于載入/載出基板的開口,并且容納通過所述開口的所述基板; 安裝部件,其設(shè)置在所述盒主框架中,并且可拆卸地連接到外部連接部件;以及阻塞單元,其根據(jù)所述安裝部件與所述外部連接部件之間的連接狀態(tài)來阻塞所述開
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板盒, 其中,所述開口設(shè)置在所述安裝部件中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于纏繞或供應(yīng)所述基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有容納單元,所述容納單元連接到所述開口并且容納所述基板,并且所述基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述容納單元中。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板盒, 其中,所述基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)具有 軸構(gòu)件,其被可旋轉(zhuǎn)地保持;以及第一引導(dǎo)構(gòu)件,其向所述軸構(gòu)件或所述開口引導(dǎo)所述基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板盒,其中,所述軸構(gòu)件具有附著部件以附著所述基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基板盒,其中,所述第一引導(dǎo)構(gòu)件可移動(dòng)地設(shè)置在所述軸構(gòu)件的至少旋轉(zhuǎn)半徑方向上。
8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有傳送機(jī)構(gòu),用于在所述開口和所述基板驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)之間傳送所述基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板盒,其中,所述傳送機(jī)構(gòu)具有張力機(jī)構(gòu),用于向所述基板施加張力。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的基板盒,其中,所述傳送機(jī)構(gòu)具有測(cè)量單元,用于測(cè)量所述基板的傳送量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板盒,進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器單元,用于存儲(chǔ)基于所述傳送量的數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的基板盒,進(jìn)一步包括通信單元,用于傳送基于所述傳送量的數(shù)據(jù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 進(jìn)一步包括顯示單元,用于顯示基于所述傳送量的數(shù)據(jù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至13中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有基板引導(dǎo)構(gòu)件,用于在所述開口和所述傳送機(jī)構(gòu)之間引導(dǎo)所述基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,所述盒主框架具有能夠閉合/打開的蓋。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有窗口,用于觀察所述基板的容納狀況。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有第二開口,用于載入/載出保護(hù)基板以保護(hù)所述基板。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有擠壓機(jī)構(gòu),用于向所述基板擠壓所述保護(hù)基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有保護(hù)基板引導(dǎo)構(gòu)件,用于在所述第二開口和所述擠壓機(jī)構(gòu)之間引導(dǎo)所述保護(hù)基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求17至19中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,所述阻塞單元被設(shè)置為阻塞所述第二開口。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板盒,其中,所述阻塞單元被設(shè)置為獨(dú)立地阻塞所述開口和所述第二開口。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的基板盒,其中,所述阻塞單元具有設(shè)置在所述開口和所述第二開口中的每一個(gè)蓋構(gòu)件。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的基板盒,其中,所述阻塞單元具有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),用于驅(qū)動(dòng)所述蓋構(gòu)件以打開/閉合。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的基板盒,其中,所述阻塞單元具有切換機(jī)構(gòu),用于根據(jù)所述安裝部件與所述外部連接部件之間的連接狀態(tài)來在所述蓋構(gòu)件的打開和關(guān)閉之間切換。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至M中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,在所述盒主框架中將所述基板容納為至少部分地彼此交疊。
26.根據(jù)權(quán)利要求1至25中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,所述基板被所述盒主框架容納為卷形。
27.一種基板處理設(shè)備,包括基板處理單元,其執(zhí)行對(duì)基板的處理;根據(jù)權(quán)利要求1至26中任何一項(xiàng)所述的基板盒;以及基板處理側(cè)連接部件,其設(shè)置在所述基板處理單元中,并且連接到所述基板盒。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的基板盒,其中,所述基板處理側(cè)連接部件至少設(shè)置在所述基板處理單元中的載入/載出基板的側(cè)部。
29.根據(jù)權(quán)利要求27或觀所述的基板盒, 其中,可移動(dòng)地設(shè)置所述基板處理側(cè)連接部件。
30.根據(jù)權(quán)利要求27至四中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,設(shè)置多個(gè)基板處理側(cè)連接部件。
31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述基板盒被用作以下部件的至少一個(gè)供應(yīng)單元,用于向所述基板處理單元供應(yīng)所述基板;以及回收單元,用于從所述基板處理單元回收所述基板。
32.根據(jù)權(quán)利要求27至31中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述基板處理單元包括以下中的至少一個(gè)在所述基板上形成顯示元件,以及傳送所述基板。
33.一種基板處理系統(tǒng),包括第一處理設(shè)備,其執(zhí)行對(duì)基板的第一處理;第二處理設(shè)備,其在所述第一處理后執(zhí)行對(duì)所述基板的第二處理;以及基板中繼設(shè)備,其從所述第一處理設(shè)備回收所述基板,并且向所述第二處理設(shè)備供應(yīng)所回收的基板,其中,使用根據(jù)權(quán)利要求1至26中任何一項(xiàng)所述的基板盒作為所述基板中繼設(shè)備。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的基板處理系統(tǒng),< 其中,所述第一處理包括在所述基板上形成電路的處理,并且所述第二處理包括在所述基板上形成像素的處理。
35.根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的基板處理系統(tǒng),其中,根據(jù)所述第一處理設(shè)備和所述第二處理設(shè)備的每一個(gè)處理信息來使用所述基板中繼設(shè)備。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的基板處理系統(tǒng), 進(jìn)一步包括系統(tǒng)控制單元,其至少管理所述處理信息。
37.根據(jù)權(quán)利要求33至36中任何一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括主控制單元,其執(zhí)行所述第一處理設(shè)備和第二處理設(shè)備以及所述基板中繼設(shè)備的控制。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的基板處理系統(tǒng),其中,所述主控制單元響應(yīng)于基于所述基板的傳送量的數(shù)據(jù)來確定所述基板中繼設(shè)備的中繼目的地。
39.一種控制設(shè)備,包括基板處理設(shè)備,其執(zhí)行對(duì)基板的處理;以及主控制單元,其執(zhí)行連接到所述基板處理設(shè)備的根據(jù)權(quán)利要求1至沈中任何一項(xiàng)所述的基板盒的控制。
40.一種制造顯示元件的方法,包括使用基板處理單元來執(zhí)行對(duì)基板的處理的過程;以及使用根據(jù)權(quán)利要求1至26中任何一項(xiàng)所述的基板盒向所述基板處理單元供應(yīng)所述基板的過程。
41.一種基板盒,包括盒主框架,其具有用于載入/載出基板的開口,并且容納通過所述開口的所述基板; 安裝部件,其設(shè)置在所述盒主框架中,并且可拆卸地連接到外部連接部件, 其中,所述開口被設(shè)置為根據(jù)所述安裝部件與所述外部連接部件之間的連接狀態(tài),由所述基板阻塞。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有夾持機(jī)構(gòu),用于夾持在所述開口內(nèi)的所述基板,并且所述夾持機(jī)構(gòu)在夾持所述基板的同時(shí)阻塞所述開口。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的基板盒,其中,所述夾持機(jī)構(gòu)具有氣體排放端口,用于向夾持所述基板的部分供應(yīng)氣體。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的基板盒,其中,所述氣體排放端口排放所述氣體,以在所述夾持機(jī)構(gòu)和所述基板之間提供間隙。
45.根據(jù)權(quán)利要求43或44所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有切換機(jī)構(gòu),用于根據(jù)所述安裝部件和所述外部連接部件之間的連接狀態(tài)來在所述氣體的排放和不排放之間切換。
46.根據(jù)權(quán)利要求41至45中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,所述開口設(shè)置在所述安裝部件中。
47.根據(jù)權(quán)利要求41至46中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有纏繞/供給機(jī)構(gòu),用于纏繞或供應(yīng)所述基板。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有容納單元,所述容納單元連接到所述開口,并且容納所述基板,并且所述纏繞/供給機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述容納單元中。
49.根據(jù)權(quán)利要求47或48所述的基板盒, 其中,所述纏繞/供給機(jī)構(gòu)具有 軸構(gòu)件,其被可旋轉(zhuǎn)地保持;以及第一引導(dǎo)構(gòu)件,其將所述基板向所述軸構(gòu)件或所述開口引導(dǎo)。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的基板盒,其中,所述軸構(gòu)件具有附著部件以附著所述基板。
51.根據(jù)權(quán)利要求49或50所述的基板盒,其中,所述引導(dǎo)構(gòu)件可移動(dòng)地設(shè)置在所述軸構(gòu)件的至少旋轉(zhuǎn)半徑方向上。
52.根據(jù)權(quán)利要求47至51中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有傳送機(jī)構(gòu),用于在所述開口和所述纏繞/供給機(jī)構(gòu)之間傳送所述基板。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的基板盒,其中,所述傳送機(jī)構(gòu)具有張力機(jī)構(gòu),用于向所述基板施加張力。
54.根據(jù)權(quán)利要求52或53所述的基板盒,其中,所述傳送機(jī)構(gòu)具有測(cè)量單元,用于測(cè)量所述基板的傳送量。
55.根據(jù)權(quán)利要求M所述的基板盒,進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器單元,用于存儲(chǔ)基于所述傳送量的數(shù)據(jù)。
56.根據(jù)權(quán)利要求M或55所述的基板盒,進(jìn)一步包括通信單元,用于傳送基于所述傳送量的數(shù)據(jù)。
57.根據(jù)權(quán)利要求M至56中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 進(jìn)一步包括顯示單元,用于顯示基于所述傳送量的數(shù)據(jù)。
58.根據(jù)權(quán)利要求52至57中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有基板引導(dǎo)構(gòu)件,用于在所述開口和所述傳送機(jī)構(gòu)之間引導(dǎo)所述基板。
59.根據(jù)權(quán)利要求41至58中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有能夠閉合/打開的蓋。
60.根據(jù)權(quán)利要求41至59中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,所述盒主框架具有窗口,用于觀察所述基板的容納狀況。
61.根據(jù)權(quán)利要求41至60中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,所述盒主框架具有第二開口,其載入/載出保護(hù)基板以保護(hù)所述基板的表面。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有擠壓機(jī)構(gòu),用于向所述基板擠壓所述保護(hù)基板。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的基板盒,其中,所述盒主框架具有保護(hù)基板引導(dǎo)構(gòu)件,用于在所述第二開口和所述擠壓機(jī)構(gòu)之間引導(dǎo)所述保護(hù)基板。
64.根據(jù)權(quán)利要求41至63中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,在所述盒主框架中將所述基板容納為至少部分地彼此交疊。
65.根據(jù)權(quán)利要求41至64中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,在所述盒主框架中將所述基板容納為卷形。
66.一種基板處理設(shè)備,包括 基板處理單元,其執(zhí)行基板的處理;根據(jù)權(quán)利要求41至65中任何一項(xiàng)所述的基板盒;以及基板處理側(cè)連接部件,其設(shè)置在所述基板處理單元中,并且連接到所述基板盒。
67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的基板盒,其中,所述基板處理側(cè)連接部件至少設(shè)置在所述基板處理單元中的載入或載出基板的側(cè)部。
68.根據(jù)權(quán)利要求66或67所述的基板盒, 其中,可移動(dòng)地設(shè)置所述基板處理側(cè)連接部件。
69.根據(jù)權(quán)利要求66至68中任何一項(xiàng)所述的基板盒, 其中,設(shè)置多個(gè)基板處理側(cè)連接部件。
70.根據(jù)權(quán)利要求66至69中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述基板盒被用作以下部件的至少一個(gè)供應(yīng)單元,用于向所述基板處理單元供應(yīng)所述基板;以及回收單元,用于從所述基板處理單元回收所述基板。
71.根據(jù)權(quán)利要求66至70中任何一項(xiàng)所述的基板盒,其中,所述基板處理單元包括以下中的至少一個(gè)在所述基板上形成顯示元件,以及傳送所述基板。
72.一種基板處理系統(tǒng),包括第一處理設(shè)備,其執(zhí)行對(duì)基板的第一處理;第二處理設(shè)備,其在所述第一處理后執(zhí)行對(duì)所述基板的第二處理;以及基板中繼設(shè)備,其從所述第一處理設(shè)備回收所述基板,并且向所述第二處理設(shè)備供應(yīng)所回收的基板,其中,使用根據(jù)權(quán)利要求41至65中任何一項(xiàng)所述的基板盒作為所述基板中繼設(shè)備。
73.根據(jù)權(quán)利要求72所述的基板處理系統(tǒng),其中,所述第一處理包括形成所述基板的電路的處理,并且所述第二處理包括在所述基板上形成像素的處理。
74.根據(jù)權(quán)利要求72或73所述的基板處理系統(tǒng),其中,根據(jù)所述第一處理設(shè)備和所述第二處理設(shè)備的每一個(gè)處理信息來使用所述基板中繼設(shè)備。
75.根據(jù)權(quán)利要求74所述的基板處理系統(tǒng), 進(jìn)一步包括系統(tǒng)控制單元,其至少管理所述處理信息。
76.一種控制設(shè)備,包括基板處理設(shè)備,其執(zhí)行對(duì)基板的處理;以及主控制單元,其執(zhí)行連接到所述基板處理設(shè)備的根據(jù)權(quán)利要求41至65中任何一項(xiàng)所述的基板盒的控制。
77.一種制造顯示元件的方法,包括使用基板處理單元來執(zhí)行基板的處理的過程;以及使用根據(jù)權(quán)利要求41至65中任何一項(xiàng)所述的基板盒向所述基板處理單元供應(yīng)所述基板的過程。
全文摘要
為了提供一種能夠防止異物附著到基板的基板盒、基板處理設(shè)備、基板處理系統(tǒng)、控制設(shè)備以及制造顯示元件的方法,提供了一種基板盒。所述基板盒包括盒主框架,其具有用于載入/載出基板的開口,并且容納通過所述開口的基板;安裝部件,其設(shè)置在盒主框架中,并且可拆卸地連接到外部連接部件;以及阻塞單元,其根據(jù)安裝部件與外部連接部件之間的連接狀態(tài)來阻塞所述開口。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102549713SQ201080042310
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者木內(nèi)徹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康