專利名稱：太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池。
背景技術(shù)：
近些年，特別是從保護(hù)地球環(huán)境的觀點(diǎn)出發(fā)，對將太陽能轉(zhuǎn)換為電能的太陽能電池作為下一代能源的期待日益高漲。太陽能電池有使用化合物半導(dǎo)體的太陽能電池和使用有機(jī)材料的太陽能電池等各種各樣的種類，但是目前，以使用晶體硅的太陽能電池為主流。目前，絕大多數(shù)生產(chǎn)和銷售的太陽能電池是在太陽光入射一側(cè)的表面(受光面)形成n電極，在受光面的相反側(cè)的表面(背面)形成p電極的兩面電極型太陽能電池。另外，例如日本特開2006-332273號公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中公開了，在太陽能電池的受光面不形成電極，只在與太陽電池的受光面相反一側(cè)的背面形成n電極及p電極的背面電極型太陽能電池。圖10表示在專利文獻(xiàn)I中記載的背面電極型太陽能電池的n型硅基板的背面上雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的圖案的示意性平面圖。在專利文獻(xiàn)I中記載的背面電極型太陽能電池的n型硅基板161的背面，由一條帶狀n型摻雜區(qū)域162和一條帶狀p型摻雜區(qū)域163構(gòu)成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的圖案。而n型摻雜區(qū)域162上形成n電極，p型摻雜區(qū)域163上形成p電極。另外，為了方便說明，在圖10中n型摻雜區(qū)域162及p型摻雜區(qū)域163分別只示出了一條，但實(shí)際上，n型摻雜區(qū)域162及p型摻雜區(qū)域163分別存在多條，n型摻雜區(qū)域162及p型摻雜區(qū)域163彼此隔著規(guī)定的間隔逐條交錯(cuò)地配置。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2006-332273號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
所要解決的技術(shù)問題在專利文獻(xiàn)I中，記載了通過使p型摻雜區(qū)域163的面積率在60%以上80%以下可以得到具有高轉(zhuǎn)換效率的背面電極型太陽能電池，但是需要進(jìn)一步能夠使轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定地提聞的太陽能電池。鑒于以上原因，本發(fā)明的目的是提供轉(zhuǎn)換效率能夠進(jìn)一步穩(wěn)定地提高的太陽能電池。解決技術(shù)問題的手段本發(fā)明的太陽能電池具有基板、在基板的一側(cè)表面上相鄰設(shè)置的多條帶狀p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和多條帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域、以及設(shè)置于n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域上的n型用電極，基板表面上的p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的面積率為60%以上，相鄰的p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的間隔為400 u m以下。
在此，本發(fā)明的太陽能電池中，優(yōu)選相鄰的n型用電極的間隔為Imm以上?；蛘撸景l(fā)明的太陽能電池具有基板、在基板的一側(cè)表面上相鄰設(shè)置的多條帶狀p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域和多條帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域，基板表面上的p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的面積率大于80%，相鄰的p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的間隔為400 u m以下。而且，本發(fā)明的太陽能電池中，優(yōu)選相鄰的p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的間隔為100 Pm以上。另外，本發(fā)明的太陽能電池中，優(yōu)選p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的面積率為90%以下。發(fā)明的效果 根據(jù)本發(fā)明，可提供轉(zhuǎn)換效率能夠進(jìn)一步穩(wěn)定提高的太陽能電池。


圖1為本發(fā)明的太陽能電池的一個(gè)例子即背面電極型太陽能電池的一個(gè)例子的示意性截面圖。圖2 (a) (g)為就圖1所示的背面電極型太陽能電池的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行圖解的示意性截面圖。圖3為圖1所示的背面電極型太陽能電池基板背面的示意性平面圖。圖4為用于模擬的背面電極型太陽能電池的示意性截面圖。圖5為表示通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池短路電流密度與基區(qū)寬度之間關(guān)系的結(jié)果的圖。圖6為表示通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池短路電流密度與P+面積率之間關(guān)系的結(jié)果的圖。圖7為表示通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池開路電壓與P+面積率之間關(guān)系的結(jié)果的圖。圖8為表示通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池轉(zhuǎn)換效率與P+面積率之間關(guān)系的結(jié)果的圖。圖9為表示背面電極型太陽能電池的FF與p+面積率之間關(guān)系的圖。圖10為在專利文獻(xiàn)I中記載的背面電極型太陽能電池的n型硅基板背面雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的圖案的示意性平面圖。
具體實(shí)施例方式以下就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在本發(fā)明中，同樣的附圖標(biāo)記代表同一部分或相當(dāng)?shù)牟糠?。圖1中示出了本發(fā)明的太陽能電池的一個(gè)例子即背面電極型太陽能電池的一個(gè)例子的示意性截面圖。背面電極型太陽能電池8含有由n型的硅構(gòu)成的基板1、在基板I的背面形成的n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2及p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3、與n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2連接而形成的n型用電極
6、與p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3連接而形成的p型用電極7。在背面電極型太陽能電池8的基板I的受光面上形成有紋理結(jié)構(gòu)等凹凸結(jié)構(gòu)，形成了防止反射膜5以覆蓋該凹凸結(jié)構(gòu)。另外，在背面電極型太陽能電池8的基板I的背面形成了鈍化膜4。另外，為了方便說明，在圖1中n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2及p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3分別只示出了一條，但實(shí)際上，n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2和p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3分別存在多條，n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2和p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3隔著規(guī)定的間隔彼此逐條交錯(cuò)地配置。以下，參照圖2 (a) 圖2 (g)的示意性截面圖，就圖1所示背面電極型太陽能電池8的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。首先，如圖2 (a)所示，例如通過從n型多晶硅或單晶硅錠切割等方式準(zhǔn)備表面上形成了切割損傷Ia的基板。接下來，如圖2 (b)所示，清除基板I表面的切割損傷la。在此，例如可通過用氟化氫溶液和硝酸的混合酸或氫氧化鈉等堿性溶液腐蝕所述切割后的基板I表面等來進(jìn)行切割損傷Ia的清除。清除切割損傷Ia后的基板I的大小及形狀沒有特別的限定，但是，基板I的厚度可以為例如IOOiim以上500 iim以下、特別優(yōu)選200 左右。其次，如圖2 (C)所示，在基板I的背面分別形成n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2及p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3。例如，可通過用含n型雜質(zhì)的雜質(zhì)擴(kuò)散劑涂敷擴(kuò)散或用含n型雜質(zhì)的氣體進(jìn)行氣相擴(kuò)散等方法形成n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2。例如，可通過用含p型雜質(zhì)的雜質(zhì)擴(kuò)散劑涂敷擴(kuò)散或用含p型雜質(zhì)的氣體氣相擴(kuò)散等方法形成P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3。n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2只要是含n型雜質(zhì)、顯示出n型導(dǎo)電型的區(qū)域，就沒有特別的限定。另外，可用例如磷等作為n型雜質(zhì)。p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3只要是含p型雜質(zhì)、顯示出p型導(dǎo)電型的區(qū)域，就沒有特別的限定。另外，可用例如硼或鋁等作為P型雜質(zhì)。其次，如圖2 (d)所示，在基板I的背面形成鈍化膜4。在此，例如可通過熱氧化法或等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition)法等方法形成鈍化膜4。作為鈍化膜4，例如可用氧化硅膜、氮化硅膜或氧化硅膜和氮化硅膜的層積體等，但并不限于這些。鈍化膜4的厚度可為例如0.05iim以上I U m以下，特別優(yōu)選0.2 ii m左右。其次，如圖2(e)所示，在基板I的受光面的整個(gè)表面形成紋理結(jié)構(gòu)等凹凸結(jié)構(gòu)后，在該凹凸結(jié)構(gòu)上形成防止反射膜5.
紋理結(jié)構(gòu)可通過例如腐蝕基板I的受光面來形成?？赏ㄟ^利用將在如氫氧化鈉或氫氧化鉀等堿性溶液中添加異丙醇的溶液加熱到例如70V以上80°C以下而成的腐蝕液腐蝕基板I的受光面來形成紋理結(jié)構(gòu)。防止反射膜5可通過例如等離子體CVD法等形成。另外，例如可用氮化硅膜等作為防止反射膜5，但并不限于此。接著，如圖2 Cf)所示，通過清除基板I背面的鈍化膜4的一部分形成接觸孔4a及接觸孔4b。在此，使n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2的表面至少露出一部分形成接觸孔4a，使p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3的表面至少露出一部分形成接觸孔4b。接觸孔4a及接觸孔4b分別可通過例如在鈍化膜4上用光刻技術(shù)在接觸孔4a及接觸孔4b的形成位置對應(yīng)的部分形成有開口的抗蝕劑圖案后、從抗蝕劑圖案的開口腐蝕鈍化膜4的方法，或在鈍化膜4上與接觸孔4a及接觸孔4b的形成位置對應(yīng)的部分涂敷蝕刻膏后加熱來腐蝕鈍化膜4的方法等形成。接下來，如圖2 (g)所示，通過接觸孔4a形成與n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2相接的n型用電極6，同時(shí)，通過接觸孔4b形成與p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3相接的p型用電極7，由此，制成背面電極型太陽能電池8。圖3中示出了通過所述方式制作的背面電極型太陽能電池8的基板I背面的示意性平面圖。在基板I的背面，帶狀P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3和帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2隔著規(guī)定的間隔逐條交錯(cuò)排列，分別形成了多條P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域3及n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域2。通過利用2D設(shè)備模擬器進(jìn)行的模擬，對于具有所述結(jié)構(gòu)的背面電極型太陽能電池的特性進(jìn)行了研究。圖4示出了用于模擬的背面電極太陽能電池的示意性截面圖。在此，認(rèn)為圖4所示的背面電極型太陽能電池有n型硅基板121 (厚度:200iim、n型雜質(zhì)濃度2 X 1015cm_3)、n型硅基板121背面形成的帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域n+區(qū)域122(n型雜質(zhì)濃度:I X 102°cm_3)、與n+區(qū)域隔著規(guī)定間隔而形成的帶狀p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域即p+區(qū)域123(p型雜質(zhì)濃度:1 X 1019cm_3)、通過與n+區(qū)域122相連而形成的n型用電極126和通過與P+區(qū)域123相連而形成的p型用電極127的結(jié)構(gòu)。在此，n+區(qū)域122及p+區(qū)域123分別形成為相對于圖4的紙面在垂直方向上伸長的帶狀，在n型硅基板121的寬度方向(圖4的左右方向)周期性交錯(cuò)排列。另外，在圖4所示的背面電極型太陽能電池的n型硅基板121的受光面形成防止反射膜125的同時(shí)，在n型硅基板121背面的n型用電極126及p型用電極127以外的區(qū)域形成鈍化膜124的結(jié)構(gòu)。將在n型硅基板121背面的除n+區(qū)域122及p+區(qū)域123的區(qū)域中載流子復(fù)合速度設(shè)定為lOcm/s，同時(shí)，將在n型硅基板121背面的n+區(qū)域122的表面的載流子復(fù)合速度設(shè)定為IX 104cm/s,在p+區(qū)域123表面的載流子復(fù)合速度設(shè)定為5X104cm/s。另外，在圖4所示的背面電極型太陽能電池中，基區(qū)寬度意味著在n型硅基板121背面的寬度方向上相鄰的P+區(qū)域123之間的間隔，節(jié)距意味著在n型硅基板121背面的寬度方向上相鄰的n型用電極126之間的間隔。也就是說，節(jié)距是用一條p+區(qū)域的寬度和基區(qū)寬度之和表示，從P+區(qū)域123的寬度可通過p+區(qū)域123的面積除以p+區(qū)域123的長度求出來看，節(jié)距、基區(qū)寬度及P+區(qū)域123的面積率分別有關(guān)聯(lián)性。在有以上結(jié)構(gòu)的背面電極型太陽能電池中，通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池短路電流密度(J sc)與基區(qū)寬度(相鄰P+區(qū)域123的間隔)之間的關(guān)系。其結(jié)果如圖5所
/Jn o在此，分別針對n型硅基板121內(nèi)部的載流子壽命T為2.0ms (毫秒)、1.0ms及
0.5ms,相鄰的n型用電極126之間的節(jié)距設(shè)定為1mm、1.5mm及2mm的情況,使基區(qū)寬度變化，進(jìn)行短路電流密度(J SC)的評價(jià)。另外，在圖5中，縱軸表示背面電極型太陽能電池的短路電流密度(J SC)，橫軸表不基區(qū)寬度(U m)o同時(shí)，圖5中的三角符號、正方形符號及菱形符號分別表不載流子壽命T為2.0ms、1.0ms及0.5ms時(shí)的短路電流密度(J sc) (mA/cm2)，各個(gè)符號的斜線、空白及涂黑分別相當(dāng)于所述節(jié)距為1mm、1.5mm及2mm的情況。
如圖5所示，對于載流子壽命T為2.0msU.0ms和0.5ms的任一種情況，可知背面電極型太陽能電池的短路電流密度隨著基區(qū)寬度的減少而升高。更具體地來看，基區(qū)寬度在400 u m以下時(shí)短路電流有升高的傾向，特別是當(dāng)基區(qū)寬度在200 u m以下時(shí)，短路電流密度能夠維持在較高的狀態(tài)。由以上結(jié)果可知，為提高背面電極型太陽能電池的短路電流密度，相鄰P+區(qū)域123的間隔即基區(qū)寬度為400 iim以下、特別是在200 iim以下是優(yōu)選的。其次，在具有所述結(jié)構(gòu)的背面電極型太陽能電池中，通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池的短路電流密度(J sc )與p+面積率(p+區(qū)域123面積總和相對于n型硅基板121背面總面積的比例)(％)之間的關(guān)系。其結(jié)果如圖6所示。在此，分別針對n型硅基板121內(nèi)部的載流子壽命T為2.0ms、1.0ms及0.5ms，相鄰的n型用電極126的節(jié)距為1mm、1.5mm及2mm的情況,使p+面積率變化，進(jìn)行短路電流密度(J SC)的評價(jià)。在圖6中，縱軸表示背面電極型太陽能電池的短路電流密度(J SC)，橫軸表示P+面積率(％)。同時(shí)，圖6中的三角符號、正方形符號及菱形符號分別表示載流子壽命T為2.0ms、1.0ms及0.5ms時(shí)的短路電流密度(J sc)(mA/cm2),各個(gè)符號的斜線、空白及涂黑分別相當(dāng)于所述節(jié)距為1mm、1.5mm及2mm的情況。如圖6所示，對于載流子壽命T為2.0msU.0ms和0.5ms的任一種情況，可知背面電極型太陽能電池的短路電流密度隨著P+面積率的增加而升高。更具體地來看，P+面積率為60%以上、特別是大于80%時(shí)，短路電流密度有升高的傾向。但是，p+面積率超過90%時(shí)，短路電流密度幾乎沒有升高的傾向。由以上結(jié)果可知，為提高背面電極型太陽能電池的短路電流密度，使p+區(qū)域123面積總和相對于n型硅基板121背面總面積的比例即p+面積率在60%以上、特別是大于80%是優(yōu)選的。同時(shí)，可知為提高短路電流密度的P+面積率的上限是90%。 接著，在具有所述結(jié)構(gòu)的背面電極型太陽能電池中，通過模擬評價(jià)背面電極型太陽能電池開路電壓(V oc)與P+面積率(％)之間的關(guān)系。其結(jié)果如圖7所示。在此，分別針對n型硅基板121內(nèi)部的載流子壽命T為2.0ms、1.0ms及0.5ms，相鄰的n型用電極126的節(jié)距為1mm、1.5mm及2mm的情況,使p+面積率變化，進(jìn)行開路電壓(V oc)的評價(jià)。另外，在圖7中，縱軸表示背面電極型太陽能電池的開路電壓(V oc)，橫軸表示P+面積率(％)。同時(shí)，圖7中的三角符號、正方形符號及菱形符號分別表示載流子壽命T為2.0ms、1.0ms及0.5ms時(shí)的開路電壓(V oc) (mV),各個(gè)符號的斜線、空白及涂黑分別相當(dāng)于所述節(jié)距為1_、1.5mm及2_的情況。如圖7所示，對于載流子壽命T為2.0msU.0ms和0.5ms的任一種情況，可知背面電極型太陽能電池的開路電壓隨著P+面積率的增加而單調(diào)降低。由以上結(jié)果可知，為提高背面電極型太陽能電池的開路電壓，將P+面積率控制得較低是優(yōu)選的。其次，基于圖6及圖7所示的結(jié)果，通過模擬評價(jià)具有所述結(jié)構(gòu)的背面電極型太陽能電池轉(zhuǎn)換效率(％)與P+面積率(％)之間的關(guān)系。其結(jié)果如圖8所示。在此，分別針對n型硅基板121內(nèi)部的載流子壽命T為2.0msU.0ms及0.5ms，相鄰的n型用電極126之間的節(jié)距為1mm、1.5mm及2mm的情況,使p+面積率(基區(qū)寬度)變化，進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率的評價(jià)。另外，在圖8中，縱軸表示背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率(％)，橫軸表示p+面積率(％)。同時(shí)，圖8中的三角符號、正方形符號及菱形符號分別表示載流子壽命T為
2.0ms、l.0ms及0.5ms時(shí)的轉(zhuǎn)換效率(％),各個(gè)符號的斜線、空白及涂黑分別相當(dāng)于所述節(jié)距為I臟、1.5臟及2臟的情況。就p+面積率(基區(qū)寬度)、載流子壽命及節(jié)距中至少一個(gè)不同的各個(gè)條件來看，圖8所示的轉(zhuǎn)換效率可由圖6所示的短路電流密度、圖7所示開路電壓與圖9所示的FF (填充因子)之積算出。就算出背面電極型太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的各個(gè)條件來看，通過模擬求出電流-電壓曲線，由該電流-電壓曲線求出圖9所示的FF。另外，在圖9中，縱軸表示FF，橫軸表示P+面積率(％)。如圖8所示，確認(rèn)了載流子壽命T為0.5ms、1.0ms及2.0ms的各個(gè)條件下，即使節(jié)距在Imm 2mm的范圍內(nèi)變化，p+面積率在60%以上、特別是大于80%時(shí)，背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率具有穩(wěn)定地顯示出較高數(shù)值的傾向。另一方面，也確認(rèn)了 P+面積率超過90%時(shí)，轉(zhuǎn)換效率有不升高或是反而降低的傾向。因此，由圖8所示的結(jié)果來看，要想使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定提高，P+面積率至少為60%以上、特·別是大于80%是優(yōu)選的。另外，要想使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步穩(wěn)定提高，P+面積率為90%以下是優(yōu)選的。另外，在圖8中，連接斜線、空白及涂黑的各個(gè)符號的虛線意味著基區(qū)寬度相同，載流子壽命為0.5ms、l.0ms及2.0ms的各個(gè)條件下,意味著圖8中的該虛線從右到左的基區(qū)寬度分別為 50 u m, 100 u m, 200 u m, 300 u m, 400 U m 及 500 u m。如圖8所示,確認(rèn)了在載流子壽命T為0.5ms、1.0ms及2.0ms,節(jié)距為lmm,1.5mm及2_的各個(gè)條件下，背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率隨著基區(qū)寬度的減小而增加，特別是基區(qū)寬度為400 u m以下時(shí)，具有穩(wěn)定地顯示出較高數(shù)值的傾向。另一方面，確認(rèn)了基區(qū)寬度大于100 u m、特別是大于200 u m時(shí)，轉(zhuǎn)換效率有不升高或是反而降低的傾向。因此，由圖8所示的結(jié)果來看，要想使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定提高，基區(qū)寬度為400i!m以下是優(yōu)選的。另外，為使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步穩(wěn)定提高，基區(qū)寬度為lOOym以上是優(yōu)選的。而且從再現(xiàn)性良好地形成n+區(qū)域122和n型用電極126的觀點(diǎn)來看，基區(qū)寬度為100微米以上是令人滿意的。由以上的模擬結(jié)果看來，認(rèn)為載流子壽命T至少在0.5ms 2.0ms、節(jié)距至少在Imm 2mm的條件下,通過使背面電極型太陽能電池的p+面積率在60%以上、特別是大于80%,同時(shí)，通過將基區(qū)寬度設(shè)為400 以下，可使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定提聞。另外，要想使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定提高，p+面積率定為90%以下是優(yōu)選的。而且，要想使背面電極型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步穩(wěn)定提高，基區(qū)寬度設(shè)定為IOOiim以上是優(yōu)選的。本次公開的實(shí)施方式在所有方面都僅是舉例說明，不應(yīng)該被認(rèn)為是限定性的描述。本發(fā)明的范圍不是由上述說明，而是通過權(quán)利要求來表示，意在包括權(quán)利要求及與權(quán)利要求有等同意義的所有變更。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明可用于太陽能電池。附圖標(biāo)記說明I基板、Ia切割損傷、2n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域、3p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域、4鈍化膜、5防止反射膜、6n型用電極、7p型用電極，8背面電極型太陽能電池、121n型硅基板、122n+區(qū)域、122p+區(qū)域、124鈍化膜、125防止反射膜、126n型用電極、127p型用電極、161n型硅基板、162n型摻雜區(qū)域、163p型摻雜區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池(8)，其特征在于，具有: 基板(1、121)， 在所述基板(1、121)的一側(cè)表面上相鄰設(shè)置的多條帶狀p型雜質(zhì)擴(kuò)散 區(qū)域(3、123)和多條帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(2、122)， 設(shè)置于所述n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(2、122)上的n型用電極(6、126)； 所述基板(1、121)的所述表面上的所述p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的面積率為60%以上，相鄰的所述P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的間隔為400i!m以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池(8)，其特征在于，相鄰的所述n型用電極(6、126)的間隔為Imm以上。
3.一種太陽能電池(8)，其特征在于，具有: 基板(1、121)， 在所述基板(1、121)的一側(cè)表面上相鄰設(shè)置的多條帶狀p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)和多條帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散 區(qū)域(2、122)， 所述基板(1、121)的所述表面上的所述p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的面積率為80%以上，相鄰的所述P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的間隔為400i!m以下。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的太陽能電池(8)，其特征在于，相鄰的所述p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的所述間隔為lOOym以上。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的太陽能電池(8)，其特征在于，所述p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的所述面積率為90%以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池(8)，其具有基板(1、121)、和在基板(1、121)一側(cè)的表面相鄰設(shè)置的多條帶狀p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)和多條帶狀n型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(2、122)，基板(1、121)的表面上p型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(3、123)的面積率在60%以上、特別是大于80%。
文檔編號H01L31/04GK103081115SQ20108006877
公開日2013年5月1日 申請日期2010年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月3日
發(fā)明者山崎努, 船越康志 申請人:夏普株式會社