專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體器件。與諸如熒光燈或者輝光燈的傳統(tǒng)的光源相比較，LED在功率消耗、壽命、響應(yīng)速度、安全、以及環(huán)保要求方面是有利的?？紤]此，已經(jīng)進行了各種研究以將傳統(tǒng)的光源替換為LED。LED越來越多地用作用于諸如各種燈、液晶顯示器、電子標(biāo)識牌以及街燈的照明裝置的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實施例提供具有新穎的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實施例提供能夠提高可靠性的發(fā)光器件。根據(jù)實施例的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極；以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一電極中的一個的外圍區(qū)域上的包括第一金屬材料的保護層。根據(jù)實施例的發(fā)光器件可以包括電極，該電極包括具有導(dǎo)電性的支撐構(gòu)件；在電極上的粘附層；在電極的頂表面的外圍區(qū)域上的包括多個層的保護層；以及在電極和保護層上的包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述多個層包括接觸粘附層的第一層、在第一層上的第二層以及接觸第一半導(dǎo)體層的第三層，第一和第三層包括第一金屬材料，并且第二層包括從由絕緣材料、導(dǎo)電材料以及第二金屬材料組成的組中選擇的至少一個。


圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；圖2至圖11是示出根據(jù)實施例的制造發(fā)光器件的方法的截面圖；圖12是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；圖13是示出根據(jù)實施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖；圖14是根據(jù)實施例的顯示裝置的分解透視圖；圖15是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的截面圖；以及圖16是示出根據(jù)實施例的照明裝置的透視圖。
具體實施例方式在實施例的描述中，將會理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一
3襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊盤或另一圖案“上”或“下”時，它能夠“直接”或“間接”在另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊盤或圖案上，或者也可以存在一個或多個中間層。已經(jīng)參考附圖描述了層的這樣的位置。在下文中，將會參考附圖描述實施例。為了方便或清楚的目的，附圖中所示的每層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸沒有完全反映真實尺寸。圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件100的側(cè)截面圖。參考圖1，根據(jù)實施例的發(fā)光器件100包括第一電極175 ；在第一電極175上的粘附層170 ；在粘附層170上的反射層160 ；在反射層160上的歐姆接觸層150 ；在粘附層 170的頂表面的外圍區(qū)域上的保護層140 ；發(fā)光結(jié)構(gòu)135，該發(fā)光結(jié)構(gòu)135形成在歐姆接觸層150和保護層140上以產(chǎn)生光；以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)135上的第二電極115。第一電極175支撐形成在其上的多個層并且具有電極的功能。詳細地，第一電極 175可以包括具有導(dǎo)電性的支撐構(gòu)件。第一電極175和第二電極115—起將電力提供到發(fā)光結(jié)構(gòu)。例如，第一電極175可以包括從由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及包括 Si、Ge、GaAS、aiO、SiC或者SiGe的載具晶圓組成的組中選擇的至少一個。第一電極175的厚度可以取決于發(fā)光器件100的設(shè)計而變化。例如，第一電極175 具有大約30 μ m至大約500 μ m的厚度。第一電極175能夠被鍍和/或沉積在發(fā)光結(jié)構(gòu)135下面或者能夠以片的形式附著，但是實施例不限于此。粘附層170可以形成在第一電極175上。粘附層170是形成在反射層160和保護層140下面的結(jié)合層。粘附層170的外側(cè)表面被暴露并且粘附層170接觸反射層160、歐姆接觸層150的末端以及保護層140以用作用于加強第一電極175與保護層140、歐姆接觸層 150以及反射層160的結(jié)合強度的中間件。粘附層170可以包括阻擋金屬或者結(jié)合金屬。例如，粘附層170可以包括從由Ti、 Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta組成的組中選擇的至少一個。反射層160可以形成在粘附層170上。反射層160反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)135入射的光以提高光提取效率。例如，反射層160可以包括金屬或者金屬合金，其包括從由Ag、Ni、Al、他、Pd、Ir、 Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf組成的組中選擇的至少一個，但是實施例不限于此。另外，通過使用上述金屬和包括從由 IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga-ZnO)、 IGZO (In-Ga-ZnO)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)以及ATO(鋁錫氧化物)組成的組中選擇的一個的透明導(dǎo)電材料能夠?qū)⒎瓷鋵?60制備為多層。例如，反射層160具有包括IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZO/Ag/Ni或者AZO/Ag/Ni的多層結(jié)構(gòu)。歐姆接觸層150可以形成在反射層160上。歐姆接觸層150歐姆接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130以將電力容易地提供到發(fā)光結(jié)構(gòu)135。詳細地，歐姆接觸層150選擇性地包括透明導(dǎo)電材料和金屬。例如，通過使用從由ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁錫氧化物)、 IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、 GZO (鎵鋅氧化物)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni、Ag、Ni/IrOx/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 組成的組中選擇的至少一個，歐姆接觸層150能夠被制備為單層或者多層。歐姆接觸層150的末端部分接觸粘附層170。歐姆接觸層150的整個表面接觸除了重疊保護層140的區(qū)域之外的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130。因為歐姆接觸層150能夠盡可能寬地接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130，所以能夠通過接觸歐姆接觸層150的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 130的整個表面將電流均勻地提供到有源層120，使得能夠顯著地提高發(fā)光效率。歐姆接觸層150在其中被設(shè)置有接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的電流阻擋層145。 電流阻擋層145可以在垂直方向上部分地重疊第二電極115。電流阻擋層145阻擋通過歐姆接觸層150提供到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的電流。因此，被提供到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130 的電流可以被阻擋在電流阻擋層145和電流阻擋層的外圍區(qū)域處。因此，電流阻擋層145 能夠限制電流流過第一和第二電極175和115之間的最短路徑，使得電流被旁通到歐姆接觸層150和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130之間除了電流阻擋層145之外的區(qū)域。因此，電流能夠均勻地在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的整個區(qū)域上，從而顯著地提高發(fā)光效率。盡管能夠限制電流在第一和第二電極175和115之間的最短的路徑流動，但是經(jīng)過電流阻擋層145的外圍區(qū)域的電流可以通過第一和第二電極175和115之間的最短路徑流到與電流阻擋層145相鄰的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130。因此，流過第一和第二電極175和 115之間的最短路徑的電流量可以與通過除了最短路徑之外的電流路徑流到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的電流量類似。電流阻擋層145可以包括具有低于歐姆接觸層150的導(dǎo)電性的導(dǎo)電性的材料，和具有與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130形成肖特基接觸的電絕緣性的材料。例如，電流阻擋層145 可以包括從由 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ΑΤΟ、ZnO、SiO2, SiOx, SiOxNy、Si3N4, A1203、TiOx, Ti、Al以及Cr組成的組中選擇的至少一個。同時，電流阻擋層145能夠形成在歐姆接觸層150和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層I30之間或者在反射層160和歐姆接觸層150之間，但是實施例不限于此。另外，電流阻擋層145能夠形成在形成在歐姆接觸層150中的凹槽中，能夠從歐姆接觸層150突出或者能夠形成在通過歐姆接觸層150形成的孔中，但是實施例不限于此。保護層140能夠形成在粘附層170的頂表面的外圍區(qū)域處。即，保護層140形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135和粘附層170之間的外圍區(qū)域處。保護層140的至少一部分在垂直方向上重疊發(fā)光結(jié)構(gòu)135。因為保護層140能夠接觸發(fā)光結(jié)構(gòu)135，因此能夠有效地防止發(fā)光結(jié)構(gòu)135從粘附層170分層。保護層140可以包括具有優(yōu)異的粘附性能的金屬材料。例如，保護層140可以包括從由Ti、Ni、Au、Ag、Ta、Pt、Pd、詘、Ir以及W組成的組中選擇的至少一個。在這樣的情況下，保護層140可以加強發(fā)光結(jié)構(gòu)135和粘附層175之間的粘附強度，使得能夠提高發(fā)光器件100的可靠性。另外，當(dāng)執(zhí)行激光劃片工藝或者激光剝離(LLO)工藝以將多個芯片斷裂為單獨的芯片單元時，保護層140不會破碎或者不會產(chǎn)生保護層140的碎片，使得能夠提供發(fā)光器件100的可靠性。另外，如果保護層140歐姆接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130，電流可以流過保護層140。在這樣的情況下，在垂直方向上重疊保護層140的有源層120能夠產(chǎn)生光，從而可以進一步提高發(fā)光器件100的發(fā)光效率。例如，如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130是ρ 型半導(dǎo)體層，那么保護層140可以包括能夠與ρ型半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的諸如Ti、Ni或者W的金屬材料，但是實施例不限于此。
發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以形成在歐姆接觸層150和保護層140之間。通過被執(zhí)行以將芯片斷裂為單獨的芯片單元的隔離蝕刻可以垂直地或者傾斜地形成發(fā)光結(jié)構(gòu)135的側(cè)面。通過隔離蝕刻可以部分地暴露保護層140的頂表面。發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以包括多個III-V族化合物半導(dǎo)體材料。發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上的有源層120以及在有源層120上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層I30能夠形成在保護層140的一部分上和在歐姆接觸層150和電流阻擋層145上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130可以是包括ρ型摻雜物的ρ型半導(dǎo)體層。ρ型半導(dǎo)體層可以包括從由 &ιΝ、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP以及AWaInP組成的組中選擇的III-V族化合物半導(dǎo)體材料。ρ型摻雜物可以包括 Mg、Si、Ga、Sr或者Ba。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130能夠被制備為單層或者多層，但是實施例不限于此。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130將多個載流子提供到有源層120。有源層120可以包括單量子阱層、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)以及量子點結(jié)構(gòu)，但是實施例不限于此。有源層120可以具有通過使用III-V族化合物半導(dǎo)體材料的阱/勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。用于有源層的III-V族化合物半導(dǎo)體材料可以包括GaN、InGaN或者AKkiN。因此，例如，有源層可以被制備為InGaN阱/GaN勢壘層、InGaN阱/AlGaN勢壘層、或者InGaN阱/ InGaN勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)，但是實施例不限于此。有源層120通過經(jīng)由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130注入的空穴和經(jīng)由第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 110注入的電子的復(fù)合發(fā)射與根據(jù)有源層120的半導(dǎo)體材料確定的帶隙對應(yīng)的光。盡管在附圖中未示出，但是導(dǎo)電包覆層能夠形成在有源層120上和/或下面。導(dǎo)電包覆層可以包括AKiaN基半導(dǎo)體。例如，包括ρ型摻雜物的ρ型包覆層可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和有源層120之間，并且包括η型摻雜物的η型包覆層可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110和有源層120之間。導(dǎo)電包覆層用作用于防止注入有源層120的電子和空穴遷移到第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和110的引導(dǎo)。因此，由于包覆層使得更大量的空穴和電子在有源層120中復(fù)合，從而能夠提高發(fā)光器件100的發(fā)光效率。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110能夠形成在有源層120上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110可以是包括η型摻雜物的η型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110可以包括從由GaN、A1N、AlGaN, InGaN、InN、InAlGaN、AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 以及 AlGaInP 組成的組中選擇的 III-V族化合物半導(dǎo)體材料。η型摻雜物可以包括Si、Ge、Sn、k或者Te。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110能夠被制備為單層或者多層，但是實施例不限于此。粗糙或者凹凸圖案112能夠形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂表面上以提高光提取效率。通過濕法蝕刻可以隨機地形成粗糙或者凹凸圖案112或者通過構(gòu)圖工藝可以規(guī)則地形成粗糙或者凹凸圖案112，諸如光子晶體結(jié)構(gòu)，但是實施例不限于此。粗糙或者凹凸圖案112可以具有周期圖案。粗糙的凹陷圖案和凸起圖案或者凹凸圖案112可以被圓化或者形成有關(guān)于其頂點以預(yù)定的角傾斜的側(cè)表面。同時，具有與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的極性相反的極性的半導(dǎo)體層可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130下面。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130是ρ型半導(dǎo)體層，那么第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110是η型半導(dǎo)體層，反之亦然。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)145可以包括N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一個。第二電極115能夠形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)上。第二電極115可以具有局部地形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135上的圖案形狀。盡管在附圖中未示出，但是第二電極115可以包括與布線結(jié)合的電極焊盤區(qū)域和從電極焊盤區(qū)域分支以將電流均勻地擴提供在發(fā)光結(jié)構(gòu)的整個區(qū)域上的電流擴展圖案。當(dāng)在平面圖中看時，電極焊盤區(qū)域可以具有矩形、圓形、橢圓形或者多邊形形狀， 但是實施例不限于此。通過使用從由Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag以及Pt組成的組中選擇的至少一個能夠以單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)制備第二電極。另外，第二電極115可以具有處于1 μ m至10 μ m， 優(yōu)選地，2μπι至5μπι范圍內(nèi)的厚度(h)。當(dāng)?shù)诙姌O115具有多層結(jié)構(gòu)時，第二電極115可以包括歐姆層(最低層)，該歐姆層包括諸如Cr的金屬以與發(fā)光結(jié)構(gòu)135形成歐姆接觸；反射層，該反射層形成在歐姆層上并且包括具有高反射率的諸如Al或者Ag的金屬；第一擴散阻擋層，該第一擴散阻擋層形成在反射層上并且包括用于層間擴散諸如Ni的金屬；導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層形成在第一擴散阻擋層上并且包括具有較高的導(dǎo)電性的諸如Cu的金屬；以及粘附層，該粘附層形成在導(dǎo)電層并且包括具有優(yōu)異的粘附性能的諸如Au或者Ti的金屬，但是實施例不限于此。另外，電極焊盤區(qū)域116a和電流擴展圖案可以具有彼此相同或者彼此不同的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，因為用于引線鍵合的粘附層對于電流擴展圖案來說不是必須的，所以可以省略粘附層。另外，電流擴展圖案可以包括具有透射率和導(dǎo)電性能的材料。例如，電流擴展圖案可以包括從由ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、AZ0、ATO以及ZnO組成的組中選擇的至少一個。如果粗糙或者凹凸部分112形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135的頂表面上，那么與粗糙或者凹凸部分112相對應(yīng)的粗糙或者凹凸部分可以形成在第二電極115的頂表面上。由于第二電極115的凹凸部分或者粗糙，使得反射構(gòu)件190能夠穩(wěn)固地耦接第二電極115。通過構(gòu)圖工藝能夠形成第二電極115的粗糙或者凹凸部分。鈍化層180能夠形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135的至少一側(cè)上。詳細地，鈍化層180的一端 184形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂表面的外圍部分上，并且鈍化層180的另一端182可以通過經(jīng)過或者跨過發(fā)光結(jié)構(gòu)135的側(cè)面而形成在保護層140的頂表面上。換言之，鈍化層180可以通過經(jīng)過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、有源層120以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110從保護層140的頂表面延伸到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂表面的外圍部分。鈍化層180可以防止在發(fā)光結(jié)構(gòu)135和諸如外部電極的導(dǎo)電構(gòu)件之間出現(xiàn)電短路。例如，鈍化層180可以包括絕緣材料，其包括從由Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4, TiO2以及 Al2O3組成的組中選擇的一個，但是實施例不限于此。在下文中，將會詳細地描述根據(jù)實施例的制造發(fā)光器件100的方法。在下面的描述中，為了避免重復(fù)將會省略或者簡化先前已經(jīng)描述的元件和結(jié)構(gòu)的詳述。圖2至圖11是示出根據(jù)實施例的制造發(fā)光器件的方法的截面圖。參考圖2，發(fā)光結(jié)構(gòu)135形成在生長襯底101上。
生長襯底101 可以包括從由 Al203、SiC、GaAs、GaN、Zn0、Si、GaP、InP 以及 Ge 組成的組中選擇的至少一個，但是實施例不限于此。通過在生長襯底上順序地生長第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110、有源層120以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130能夠形成發(fā)光結(jié)構(gòu)135。通過MOCVD (金屬有機化學(xué)氣相沉積)、CVD (化學(xué)氣相沉積)、PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積)、MBE (分子束外延)或者HVPE (氫化物氣相外延)能夠形成發(fā)光結(jié)構(gòu)135， 但是實施例不限于此。緩沖層(未示出)或者未摻雜的半導(dǎo)體層(未示出)能夠形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135和生長襯底101之間以減少發(fā)光結(jié)構(gòu)135和生長襯底101之間的晶格錯配。緩沖層可以包括hAlfeiN、feiN、AlfeiN、InGaN, AlInN, AlN或者hN，但是實施例不限于此。參考圖3，保護層140形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135中。詳細地，保護層140形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上在第一芯片區(qū)域Tl和第二芯片區(qū)域T2之間的邊界區(qū)域處。通過劃片工藝將第一芯片區(qū)域Tl與第二芯片區(qū)域T2分離以形成單元發(fā)光器件。因此，第一和第二芯片區(qū)域Tl和T2被定義為要形成單元發(fā)光器件的區(qū)域。通過使用掩模圖案能夠在第一芯片區(qū)域Tl和第二芯片區(qū)域T2之間的邊界區(qū)域處形成保護層140。因為圖3是二維截面圖，所以保護層140被示出為僅形成在第一芯片區(qū)域Tl和第二芯片區(qū)域T2之間的邊界區(qū)域上。實際上，保護層140形成在芯片的所有邊界區(qū)域上。因此，當(dāng)在平面圖中看時，保護層140可以具有環(huán)形、回路形狀或者框架形狀。通過諸如濺射、電子束蒸鍍或者PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積)的各種沉積方案能夠形成保護層140。保護層140可以包括具有優(yōu)異的粘附性能的金屬材料。例如，保護層140可以包括從由Ti、Ni、Au、Ag、Ta、Pt、Pd、I h、Ir以及W組成的組中選擇的至少一個。因此，保護層 140可以加強發(fā)光結(jié)構(gòu)135和粘附層170之間的粘附強度并且提高發(fā)光器件100的可靠性。參考圖4，電流阻擋層145形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上。通過使用掩模圖案能夠形成電流阻擋層145。電流阻擋層145形成在在垂直方向上至少部分地重疊第二電極 115的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上。電流阻擋層145可以包括具有低于歐姆接觸層150的導(dǎo)電性的導(dǎo)電性的材料和具有電絕緣性以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130形成肖特基接觸的材料。例如，電流阻擋層145可以包括從由 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ΑΤΟ、ZnO、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4、Α1203、 TiOx、Ti、Al以及Cr組成的組中選擇的至少一個。參考圖5和圖6，歐姆接觸層150形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和電流阻擋層145 的頂表面上以及在保護層140的頂表面的一部分和側(cè)面上，并且反射層160形成在歐姆接觸層150上。歐姆接觸層150選擇性的包括透明導(dǎo)電材料和金屬。例如，通過使用從由ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁錫氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻鋅氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni、Ag、Ni/Ir0x/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 組成的組中選擇的至少一個，歐姆接觸層150能夠被制備為單層或者多層。
另外，反射層160 可以包括從由 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、ai、Pt、Au 以及 Hf 組成的組中選擇的至少一個。反射層160可以包括包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、ai、Pt、 Au以及Hf中的至少兩個的合金，但是實施例不限于此。通過使用包括從由ΙΖΟαη-ΖηΟ)、 GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga-ZnO)、IGZO(In-Ga-ZnO)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、 IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)以及ATO (鋁錫氧化物)組成的組中選擇的一個的透明導(dǎo)電材料和上述金屬，反射層160能夠被制備為多層。通過電子束蒸鍍、濺射以及PECVD能夠形成歐姆接觸層和反射層160。參考圖7，粘附層170形成在反射層160和保護層140上，并且第一電極175形成在粘附層170上。粘附層170接觸反射層160、歐姆接觸層150的末端以及保護層140以加強反射層 160、歐姆接觸層150以及保護層140之間的粘附強度。粘附層170可以包括阻擋金屬或者結(jié)合金屬。例如，粘附層170可以包括從由Ti、 Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta組成的組中選擇的至少一個。例如，第一電極175可以包括從由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及包括 Si、Ge、GaAS、aiO、SiC或者SiGe的載具晶圓組成的組中選擇的至少一個。如果通過使用相同的材料形成粘附層170和保護層140，那么粘附層170能夠與保護層140—體地形成。換言之，保護層140可以源自于粘附層170。更加詳細地，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上順序地形成電流阻擋層145、歐姆接觸層 150以及反射層160之后，粘附層170與保護層140—體地形成。在這樣的情況下，能夠提高用于發(fā)光器件100的制造工藝的效率。第一電極175能夠被制備為附著到粘附層170的片。另外，通過鍍工藝或者沉積工藝能夠形成第一電極175，但是實施例不限于此。參考圖7和圖8，在翻轉(zhuǎn)圖7的發(fā)光器件之后，生長襯底101被移除。通過LLO、CLO(化學(xué)剝離)以及物理研磨中的至少一個能夠移除生長襯底101。根據(jù)LLO方案，激光照射到生長襯底101和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110之間的界面表面以從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110移除生長襯底101。根據(jù)CLO方案，通過濕法蝕刻移除生長襯底101使得能夠暴露第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 110。根據(jù)物理研磨方案，通過物理研磨生長襯底101，從其頂表面順序地移除生長襯底 101直到暴露第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110。當(dāng)執(zhí)行激光剝離工藝時不會產(chǎn)生保護層140的碎片或者保護層140不會破碎，從而能夠提高用于發(fā)光器件100的制造工藝的可靠性。在已經(jīng)移除生長襯底101之后，可以額外地執(zhí)行清潔工藝以從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 110的頂表面移除生長襯底101的殘留物。清潔工藝可以包括使用氧氣或者氮氣的灰化工藝或者等離子體表面處理工藝。參考圖9，沿著第一和第二芯片區(qū)域Tl和T2之間的邊界區(qū)域105執(zhí)行隔離蝕刻， 從而限定包括發(fā)光結(jié)構(gòu)135的單元芯片區(qū)域。當(dāng)執(zhí)行隔離蝕刻時，可以暴露形成在第一和第二芯片區(qū)域Tl和T2之間的邊界區(qū)域105處的保護層140。單元芯片區(qū)域表示在諸如劃片工藝的斷裂工藝之后形成單元發(fā)光器件的區(qū)域。
隔離蝕刻可以包括諸如電感耦合等離子體蝕刻的干法蝕刻。另外，粗糙或者凹凸圖案112能夠形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的頂表面上以提高光提取效率?？梢酝ㄟ^使用掩模圖案規(guī)則地形成或者通過濕法蝕刻隨機地形成粗糙或者凹凸圖案112，但是實施例不限于此。參考圖10，第二電極115形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135的頂表面上并且鈍化層180形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135的至少一個側(cè)面上。鈍化層180能夠形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)135的至少一側(cè)上和在第一和第二芯片區(qū)域Tl 和T2之間的邊界區(qū)域處的保護層140上。詳細地，鈍化層180接觸在第一和第二芯片區(qū)域 Tl和T2之間的邊界區(qū)域處的保護層140的頂表面，并且通過經(jīng)過或者跨過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、有源層120以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110延伸到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂表面的外圍區(qū)域。鈍化層180可以防止在發(fā)光結(jié)構(gòu)135和第一電極175之間出現(xiàn)電短路。例如，鈍化層180可以包括絕緣材料，其包括從由Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4, Τ 02以及Al2O3組成的組中選擇的一個，但是實施例不限于此。通過諸如電子束蒸鍍、濺射以及PECVD的沉積工藝能夠形成鈍化層180。為了提高光提取效率，粗糙或者凹凸部分112能夠形成在通過鈍化層180暴露的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂表面上。在通過隔離蝕刻已經(jīng)形成單元芯片區(qū)域或者已經(jīng)形成鈍化層180之后可以形成粗糙或者凹凸部分112，但是實施例不限于此。通過使用鈍化層180作為掩模執(zhí)行干法蝕刻或者濕法蝕刻能夠形成粗糙或者凹凸部分112。由于鈍化層180使得粗糙或者凹凸部分沒有形成在鈍化層180下面的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂表面上。第二電極115可以包括與布線結(jié)合的電極焊盤區(qū)域116a和從電極焊盤區(qū)域116a 分支以將電流均勻地提供到發(fā)光結(jié)構(gòu)135的整個區(qū)域的電流擴展圖案116b。當(dāng)在平面圖中看時，電極焊盤區(qū)域116a可以具有矩形、圓形、橢圓形或者多邊形形狀，但是實施例不限于此。通過使用從由Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag以及Pt組成的組中選擇的至少一個，第二電極115能夠制備為單層或者多層。通過鍍工藝或者沉積工藝能夠形成第二電極115。參考圖11，執(zhí)行芯片隔離工藝以通過將第一芯片區(qū)域Tl與第二芯片區(qū)域分離來提供多個單獨的芯片，從而提供根據(jù)實施例的發(fā)光器件100。芯片隔離工藝可以包括用于通過使用刀片施加物理力來分離芯片的芯片斷裂工藝、用于通過將激光照射到芯片邊界區(qū)域來分離芯片的激光劃片工藝、以及諸如濕法蝕刻或者干法蝕刻的蝕刻工藝，但是實施例不限于此。在下文中，將會描述第二實施例。第二實施例類似于第一實施例，不同之處在于保護層220具有多層結(jié)構(gòu)。因此，為了避免重復(fù)將會省略或者簡化先前已經(jīng)描述的元件和結(jié)構(gòu)的細節(jié)，并且相同的附圖標(biāo)記將會被分配給相同的元件。圖12是根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件100B的側(cè)截面圖。參考圖12，發(fā)光器件100B包括第一電極175、在第一電極175上的粘附層170、在粘附層170上的反射層160、在反射層160上的歐姆接觸層150、在粘附層170的頂表面的外圍區(qū)域上的具有多層結(jié)構(gòu)的保護層220、形成在歐姆接觸層150和保護層220上以產(chǎn)生光的發(fā)光結(jié)構(gòu)135、以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)135上的第二電極115。保護層220的最上層和最下層可以包括具有優(yōu)異的粘附性能的第一金屬材料。例如，保護層220可以包括三層或者更多層。因為保護層220的最上層和最下層包括具有優(yōu)異的粘附性能的第一金屬材料，所以能夠防止發(fā)光結(jié)構(gòu)135從粘附層170分層。例如，保護層220可以包括第一至第三層212、214以及216。第一層212和第三層 216可以包括第一金屬材料，其包括從由Ti、Ni、Au、Ag、Ta、Pt、Pd、Rh、Ir以及W組成的組中選擇的至少一個。通過使用從由絕緣材料、透明導(dǎo)電材料以及第二金屬材料組成的組中選擇的至少一個，能夠?qū)⒈徊贾迷诘谝缓偷谌龑?12和216之間的第二層214制備為單層或者多層。例如，絕緣材料可以包括從由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al2O3以及TiOx組成的組中選擇的至少一個。透明導(dǎo)電材料可以包括從由ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0, ΑΖ0, ATO 以及 ZnO
組成的組中選擇的至少一個。第二金屬材料可以包括從由Ti、Al、W、Cu、Mo以及Cr組成的組中選擇的至少一個。第二層214可以包括通過使用Ni、Ni合金、Ti或者Ti合金形成以防止內(nèi)擴散的擴散阻擋層。圖13是示出根據(jù)實施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖13，發(fā)光器件封裝30包括主體20、形成在主體20上的第一和第二引線電極31和32、設(shè)置在主體20上并且電連接到第一和第二引線電極31和32的發(fā)光器件100 以及圍繞發(fā)光器件100的成型構(gòu)件40。主體20可以包括硅、合成樹脂或者金屬材料。當(dāng)從頂部看時，主體20具有形成有傾斜內(nèi)壁53的空腔50。第一和第二引線電極31和32相互電隔離并且通過穿過主體20形成。詳細地，第一和第二引線電極31和32的一端被布置在空腔50中并且第一和第二引線電極31和32 中的另一端附著到主體20的外表面并且暴露到外部。第一和第二引線電極31和32將電力提供給發(fā)光器件100，并且通過反射從發(fā)光器件1發(fā)射的光來提高光效率。此外，第一和第二引線電極31和32將從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱發(fā)散到外部。發(fā)光器件100能夠被安裝在主體20上或者第一或第二引線電極31或32上。發(fā)光器件100的布線171和181能夠電連接到第一和第二引線電極31和32中的一個，但是實施例不限于此。成型構(gòu)件40圍繞發(fā)光器件100以保護發(fā)光器件100。另外，成型構(gòu)件40可以包括熒光體以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長。根據(jù)實施例的發(fā)光器件100或者發(fā)光器件封裝30能夠被應(yīng)用于照明單元。照明單元包括多個發(fā)光器件或者多個發(fā)光器件封裝。照明單元可以包括如圖14和圖15中所示的顯示裝置和圖16中所示的照明裝置。另外，照明單元可以包括照明燈、信號燈、車輛的頭燈以及電子標(biāo)識牌。
圖14是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的分解透視圖。參考圖14，顯示裝置1000包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊1031，該發(fā)光模塊1031用于將光提供給導(dǎo)光板1041 ；反射構(gòu)件1022，該反射構(gòu)件1022被設(shè)置在導(dǎo)光板1041的下方； 光學(xué)片1051，該光學(xué)片1051被設(shè)置在導(dǎo)光板1041上方；顯示面板1061，該顯示面板1061 被設(shè)置在光學(xué)片1051上方；以及底蓋1011，該底蓋1011用于容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊 1031以及反射構(gòu)件1022。然而，實施例不限于上述結(jié)構(gòu)。底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以組成照明單元1050。導(dǎo)光板1041擴散從發(fā)光模塊1031提供的光以提供表面光。導(dǎo)光板1041可以包括透射材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括諸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基樹脂、 PET (聚對苯二甲酸乙二酯)、PC (聚碳酸酯)、COC (環(huán)烯烴共聚合物)以及PEN(聚鄰苯二甲酸酯)樹脂中的一個。發(fā)光模塊1031被布置在導(dǎo)光板1041的一側(cè)處以將光提供給導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)。發(fā)光模塊1031用作顯示裝置的光源。提供至少一個發(fā)光模塊1031以直接或間接地從導(dǎo)光板1041的一側(cè)提供光。發(fā)光模塊1031可以包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝30和基板1033。發(fā)光器件封裝30被布置在基板1033上同時以預(yù)定的間隔相互隔開?；?033可以包括印刷電路板(PCB)，但是實施例不限于此。另外，基板1033還可以包括金屬核PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)，但是實施例不限于此。如果發(fā)光器件封裝30被安裝在底蓋1011的側(cè)面上或者散熱板上，那么可以省略基板1033。散熱板部分地接觸底蓋1011的頂表面。因此，從發(fā)光器件封裝30產(chǎn)生的熱能夠通過散熱板發(fā)射到頂蓋1011。另外，發(fā)光器件封裝30被布置為發(fā)光器件封裝30的出光表面與導(dǎo)光板1041隔開預(yù)定的距離，但是實施例不限于此。發(fā)光器件封裝30可以將光直接或者間接地提供給是導(dǎo)光板1041的一側(cè)的光入射表面，但是實施例不限于此。反射構(gòu)件1022被布置在導(dǎo)光板1041的下方。反射構(gòu)件1022朝著顯示面板1061 反射通過導(dǎo)光板1041的底表面向下行進的光，從而提高顯示面板1061的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET、PC或者PVC樹脂，但是實施例不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面，但是實施例不限于此。底蓋1011可以在其中容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件1022。為此， 底蓋1011具有容納部分1012，其具有帶有開口的頂表面的盒形狀，但是實施例不限于此。 底蓋1011能夠與頂蓋(未示出)耦接，但是實施例不限于此。能夠通過使用金屬材料或者樹脂材料通過按壓工藝或者擠出工藝制造底蓋1011。 另外，底蓋1011可以包括具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性的金屬或者非金屬材料，但是實施例不限于此。例如，顯示面板1061是包括彼此相對的第一和第二透明基板和插入在第一和第二基板之間的液晶層的LCD面板。偏振板能夠附著到顯示面板1061的至少一個表面，但是實施例不限于此。顯示面板1061通過阻擋從發(fā)光模塊1031產(chǎn)生的光或者允許光從其經(jīng)過來顯示信息。顯示裝置1000能夠被應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本計算機的監(jiān)視器、膝上電腦的監(jiān)視器以及電視。光學(xué)片1051被布置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間并且包括至少一個透射
12片。例如，光學(xué)片1051包括擴散片、水平和垂直棱鏡片和亮度增強片中的至少一個。擴散片擴散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示面板1061上，并且亮度增強片通過重新使用丟失的光提高亮度。另外，保護片能夠被設(shè)置在顯示面板1061上，但是實施例不限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051能夠被設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路徑中作為光學(xué)構(gòu)件，但是實施例不限于此。圖15是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的截面圖。參考圖15，顯示裝置1100包括底蓋1152、其上布置發(fā)光器件封裝30的基板1120、 光學(xué)構(gòu)件1巧4以及顯示面板1155?；?120和發(fā)光器件封裝30可以組成發(fā)光模塊1060。另外，底蓋1152、至少一個模塊1060以及光學(xué)構(gòu)件IlM可以組成照明單元(未示出)。底蓋1151可以被設(shè)置有容納部分1153，但是實施例不限于此。光學(xué)構(gòu)件IlM可以包括從由透鏡、導(dǎo)光板、擴散片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強片組成的組中選擇的至少一個。導(dǎo)光板可以包括PC或者PMMA(甲基丙烯酸甲酯)。 導(dǎo)光板能夠被省略。擴散片擴散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示面板11 上，并且亮度增強片通過重新使用丟失的光提高亮度。光學(xué)構(gòu)件IlM被布置在發(fā)光模塊1060的上方以將從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為表面光。另外，光學(xué)構(gòu)件IIM可以擴散或者收集光。圖16是示出根據(jù)實施例的照明裝置的透視圖。參考圖16，照明裝置1500包括外殼1510 ；發(fā)光模塊1530，該發(fā)光模塊1530被安裝在外殼1510中；以及連接端子1520，該連接端子1520被安裝在外殼1510中以從外部電源接收電力。優(yōu)選地，外殼1510包括具有優(yōu)異的散熱性能的材料。例如，外殼1510包括金屬材料或者樹脂材料。發(fā)光模塊1530可以包括基板1532和安裝在基板1532上的發(fā)光器件封裝30。發(fā)光器件封裝30被相互隔開或者以矩陣的形式布置?；?532包括印有電路圖案的絕緣構(gòu)件。例如，基板1532包括PCB、MCPCB、柔性 PCB、陶瓷PCB以及FR-4襯底。另外，基板1532可以包括有效地反射光的材料。涂層能夠形成在基板1532的表面上。這時，涂層具有有效地反射光的白色或者銀色。至少一個發(fā)光器件封裝30被安裝在基板1532上。每個發(fā)光器件封裝30可以包括至少一個LED (發(fā)光二極管)芯片。LED芯片可以包括發(fā)射具有紅、綠、藍或者白色的可見光的LED，和發(fā)射UV光的UV (紫外線)LED。發(fā)光模塊1530的發(fā)光器件封裝30能夠不同地組合以提供各種顏色和亮度。例如， 能夠組合白色LED、紅色LED以及綠色LED以實現(xiàn)高顯色指數(shù)(CRI)。連接端子1520電連接到發(fā)光模塊1530以將電力提供給發(fā)光模塊1530。連接端子 1520具有與外部電源插座螺紋耦合的形狀，但是實施例不限于此。例如，能夠以被插入到外部電源的插頭的形式制備連接端子1520或者通過布線將連接端子1520連接到外部電源。同時，制造發(fā)光器件的方法包括下述步驟形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在限定單元發(fā)光結(jié)構(gòu)的芯片之間的芯片邊界區(qū)域上形成包括金屬材料的保護層；在保護層和發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成包括具有導(dǎo)電性的支撐構(gòu)件的第一電極；以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成與第一電極相對的第二電極。根據(jù)實施例，保護層包括具有優(yōu)異的粘附性能的金屬材料，使得能夠加強發(fā)光結(jié)構(gòu)和粘附層之間的粘附性能。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)不會與粘附層分層，從而能夠提高發(fā)光器件的
可靠性。在本說明書中對于“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等的引用意味著結(jié)合實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。在說明書中， 在各處出現(xiàn)的這類短語不必都表示相同的實施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實施例描述特定特征、 結(jié)構(gòu)或特性時，都認為結(jié)合實施例中的其它實施例實現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個示例性實施例描述了實施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到多個其它修改和實施例，這將落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更加具體地，在本說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主要內(nèi)容組合布置的組成部件和/ 或布置中，各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置中的變化和修改之外，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，替代使用也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極；以及在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述第一電極中的一個的外圍區(qū)域上的包括第一金屬材料的保護層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述保護層包括至少一個單層，所述至少一個單層包括從由Ti、Ni、Au、Ag、Ta、Pt、Pd、Rh、Ir以及W組成的組中選擇的至少一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述保護層包括多個層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述保護層的最下層和最上層包括所述第一金屬材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬材料包括從由Ti、Ni、Au、Ag、 Ta、Pt、Pd、Rh、Ir以及W組成的組中選擇的至少一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中在所述最上層和最下層之間的中間層包括從由絕緣材料、導(dǎo)電材料以及第二金屬材料組成的組中選擇的至少一個。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣材料包括從由Si02、SiOx,SiOxNy、 Si3N4^Al2O3以及TiOx組成的組中選擇的至少一個。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電材料包括從由ΙΤ0、ΙΖ0、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、 IGZO、IGT0、AZ0、ATO以及ZnO組成的組中選擇的至少一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第二金屬材料包括從由Ti、Al、W、Cu、Mo 以及Cr組成的組中選擇的至少一個。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中在所述最上層和最下層之間的中間層中的一個包括擴散阻擋層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述擴散阻擋層包括從由Ni、Ti、Ni合金以及Ti合金組成的組中選擇的至少一個。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述第一電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的從由粘附層、反射層、歐姆接觸層以及電流阻擋層組成的組中選擇的至少一個。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述最下層接觸所述粘附層，并且所述最上層接觸所述第一半導(dǎo)體層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述保護層是從所述粘附層形成的。
15.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述保護層包括最上層，所述最上層與所述第一半導(dǎo)體層形成歐姆接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極；以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一電極中的一個的外圍區(qū)域上的包括第一金屬材料的保護層。
文檔編號H01L33/64GK102237460SQ201110053978
公開日2011年11月9日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
發(fā)明者丁煥熙 申請人:Lg伊諾特有限公司