專利名稱：三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正 (error checking and correcting, ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)不斷地改變，且元件的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存容量也不斷增加。特別是相關(guān)業(yè)者，不斷研發(fā)新的設(shè)計(jì)或是結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)單元平面的堆疊，以達(dá)到具有更高儲(chǔ)存容量的結(jié)構(gòu)。例如已有一些多層薄膜晶體管堆疊的與非柵(NAND)型快速存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)被提出。具高儲(chǔ)存容量的半導(dǎo)體元件其尺寸也因而跟著堆疊的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)而隨之縮小。半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)展如同摩爾定律(Moore’ s law)的評(píng)估,是以接近直線的方式向前推展(其推估晶體管和電阻數(shù)量將每I 2年增加一倍)，使得IC產(chǎn)品能持續(xù)降低成本，提升性能，增加功能，每I 2年半導(dǎo)體元件的尺寸就可縮小約一半。然而，可容忍的缺陷大小同時(shí)縮小了約一半，這提高了元件在產(chǎn)出品質(zhì)上的困難度。再者，對(duì)非易失存儲(chǔ)器元件(non-violate memory, NVM)而言,多層存儲(chǔ)單元平面堆疊設(shè)計(jì),如三層存儲(chǔ)單元平面堆疊設(shè)計(jì)，也窄化了工藝容許度/工藝條件范圍(Process/product Window)。錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(error checking and correcting, ECC)修復(fù)功能,是一種數(shù)據(jù)檢查的技術(shù)并具有自動(dòng)更正的能力，然而，此功能的存在會(huì)使存儲(chǔ)器元件的制造成本提高。存儲(chǔ)器元件內(nèi)需要額外的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位來儲(chǔ)存進(jìn)行數(shù)據(jù)檢查與更正所需的相關(guān)信息。在執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)與修復(fù)的功能時(shí)，越多的錯(cuò)誤位需要更正，就需要越多的空間來保存核對(duì)與更正所需的信息。存儲(chǔ)器要具有檢查與修復(fù)的功能， 就必須記錄更多的信息，因此這類的存儲(chǔ)器除了負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的記錄之外，還要更多的存儲(chǔ)器來保存核對(duì)與更正所需的信息。一般二維平面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中需要透過額外的區(qū)域來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)與修復(fù)功能。例如，對(duì)于在二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中 IKB 的頁面大小(pagesize),若以 BCH(Bose, Chaudhuri, Hocquenghem) 編碼用來作為檢測(cè)錯(cuò)誤的循環(huán)碼以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)與修復(fù)功能時(shí)，大約需要使用約4% 4. 2%的額外區(qū)域大小儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位，才能更正達(dá)24 個(gè)位的錯(cuò)誤。至于對(duì)2xnm工藝技術(shù)世代的多層式儲(chǔ)存單元與非柵快速存儲(chǔ)器(MLC NAND structure)來說，因趨近物理極限導(dǎo)致錯(cuò)誤率提升,估計(jì)需要64_bit錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正 (ECC)才能達(dá)到接受的可靠度。64-bit錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)估計(jì)需要額外增加約
11.2%的區(qū)域大小儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位，這相當(dāng)于需增加11. 2%的成本。對(duì)于很有可能在未來全面取代硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)，成為新一代的主流儲(chǔ)存產(chǎn)品的固態(tài)硬盤(Solid State Drive, SSD)來說，一些分析報(bào)導(dǎo)提出所需的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正 (ECC)位甚至高達(dá)100-bit，估計(jì)需要額外增加約17. 5%的區(qū)域大小(也就是需要額外增加約17. 5%的成本)，才能確保元件具有良好的穩(wěn)定度。圖I繪示一種典型的具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖I中，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)I包括四層存儲(chǔ)器平面層101 104堆疊于基板10 上而成，而每一存儲(chǔ)器平面層的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)儲(chǔ)存區(qū)12里的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位是用以檢查和更正儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)區(qū)11的數(shù)據(jù)。和二維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)一樣，典型的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)同樣也有需要透過額外的區(qū)域來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位，如圖 I中每一存儲(chǔ)器平面層都要有額外的區(qū)域，才能執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)與修復(fù)功能的問題。對(duì)三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)而言，考慮到薄膜晶體管元件的均勻性(uniformity),估計(jì)應(yīng)需要更多的額外區(qū)域來執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)與修復(fù)功能?！愣?，由于當(dāng)堆疊存儲(chǔ)器平面層的數(shù)量增加一倍制造成本下降約一半，因此設(shè)計(jì)包括2N存儲(chǔ)器平面層且具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)較為容易，例如將圖I中基板10上的四層堆疊存儲(chǔ)器平面層101 104增加為八層堆疊存儲(chǔ)器平面層。雖然，也可以設(shè)計(jì)出包括非2N存儲(chǔ)器平面層且具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，但可能需要更為復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)因而使周邊制造成本提高。圖2繪示另一種典型的具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖I中的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)I包括四層堆疊存儲(chǔ)器平面層(2N存儲(chǔ)器平面層)，而圖2中的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)I包括六層堆疊存儲(chǔ)器平面層(非2N存儲(chǔ)器平面層)101 106。據(jù)估計(jì)如圖2所示的設(shè)計(jì)可能增加約10%的周邊制造成本(periphery manufacturing cost),即使陣列制造成本(array manufacturing cost)下降約 33%。除了能突破制造技術(shù)上的瓶頸(如蝕刻缺陷)和改善薄膜晶體管的穩(wěn)定度，相關(guān)設(shè)計(jì)者也期望在不增加制造成本，甚至降低成本的情形下，可以建構(gòu)出一個(gè)具有更多堆疊存儲(chǔ)器平面層，以達(dá)到具有更高儲(chǔ)存容量的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，且此三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)并運(yùn)用了更進(jìn)步的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)更正與修復(fù)方式。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(error checking andcorrecting, ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施例所提出的具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)可在不增加制造成本的情形下，具有更高的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存容量和更好的穩(wěn)定度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提出一種三維存儲(chǔ)器(3D memory)結(jié)構(gòu),包括多個(gè)堆疊層 (stacking layers)和多個(gè)存儲(chǔ)單元。堆疊層在基板上相互平行并以三維排列方式設(shè)置，且該多個(gè)堆疊層包括多個(gè)堆疊記憶層(stacking memorylayers)。存儲(chǔ)單元包括用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的第一組存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的第二組存儲(chǔ)單元，且第一組存儲(chǔ)單元位于堆疊記憶層，而第一組存儲(chǔ)單元和第二組存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提出一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括基板、具有多組位線的多個(gè)平面(horizontal planes)、多條字線、用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元。該多個(gè)平面設(shè)置成三維排列并與基板平行，且位線之間相互平行排列。字線則垂直于該基板設(shè)置，亦與該多條位線相互垂直。而用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能。
在實(shí)施例中，錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位可建構(gòu)在三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中相同之一或多層額外層(即同樣的物理層或平面上)。在另一實(shí)施例中，錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC) 位可建構(gòu)在三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中不同的物理層或平面上。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下


圖I繪示一種典型的具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2繪示另一種典型的具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的另一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5A繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的再一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC) 位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5B繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的又一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC) 位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第一實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(vertical-gate, VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第二實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第二實(shí)施例的另一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC) 位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖9繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第三實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖IOA繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第四實(shí)施例的一種” RAID I”設(shè)計(jì)應(yīng)用的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖IOB繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第四實(shí)施例的另一種” RAID I”設(shè)計(jì)應(yīng)用的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。附圖標(biāo)記說明1、2、3、4、5、5，、6、7、8、9 :三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)10、30、60、70、80、90 :基板11 :數(shù)據(jù)區(qū)12 ECC 儲(chǔ)存區(qū)101、102、103、104、105、106、301、302、303、304、305、306 :存儲(chǔ)器平面層311、312:額外層601、602、603、604、605、701、702、703、704、705、801、802、803、804、805、901、902、903,904,905 :平面層BL1、BL2、BL3、BL4、BL5、BL6、BL7、BL8 :位線組WLUWL2:字線SSL1、SSL2 :選擇的安全套接層晶體管
具體實(shí)施例方式在此發(fā)明公開內(nèi)容的實(shí)施例中，提出一種具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正 (errorchecking and correcting,ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),其中該結(jié)構(gòu)包括多層堆疊層 (stacking layers)和多個(gè)存儲(chǔ)單元。該多個(gè)堆疊層在基板上相互平行并以三維排列方式設(shè)置，且該多個(gè)堆疊層包括多個(gè)堆疊記憶層(stacking memorylayers)。該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的第一組存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(以下簡稱ECC)位的第二組存儲(chǔ)單元，且第一組存儲(chǔ)單元位于該多個(gè)堆疊記憶層，而第一組存儲(chǔ)單元和第二組存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能。例如，實(shí)施例中，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)具有m個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)，以及η個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位，m和η為正整數(shù)且n <m。而(m+n)個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能。此發(fā)明公開的實(shí)施例，可不限制地透過垂直柵極(vertical-gate，VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，或指狀垂直柵極式(finger VG type)三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)實(shí)施。再者,三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元可位于相同的一或多層額外層(即位于相同的物理層或平面)上，也可分散于不同的物理層或平面上，其分別在以下第一、二實(shí)施例中有詳細(xì)說明。再者，在實(shí)施例內(nèi)容中相同的元件沿用相同的元件符號(hào)以利說明。而附圖內(nèi)容并不限制于以等比例繪示。而由于工藝上的些微變化與容忍值的存在，實(shí)施例所披露的內(nèi)容可能與實(shí)際應(yīng)用元件有些許差異。實(shí)施例中的敘述，僅為舉例說明之用，并非對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限縮。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用所需，對(duì)于如細(xì)部結(jié)構(gòu)、材料、物質(zhì)組成、方法或工藝步驟等，作相應(yīng)的些微更動(dòng)與變化。第一實(shí)施例第一實(shí)施例中，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元建構(gòu)在相同的物理層或平面上，例如是位于相同的一層額外層(extra layer)或更多額外層上。圖3繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖3所示，具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)3包括四層存儲(chǔ)器平面層(stackingmemory layers) 301、302、303、304和一層用來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的額外層311堆疊于基板30上而成。在此實(shí)施例中，建構(gòu)一層額外層用來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位，估計(jì)僅增加約3%的制造成本，但卻可以得到額外的25% (1/4)的儲(chǔ)存空間，此額外空間估計(jì)可提供120bit/Kbyte以上的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修正功能，或作為修補(bǔ)(Repair)位使用，此特性對(duì)于尚未成熟的3D疊層存儲(chǔ)器極為重要。圖4繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的另一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖4所示，具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)4包括四層存儲(chǔ)器平面層301、302、303、304和兩層用來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的額外層311和312堆疊于基板30上而成。通過建構(gòu)兩層額外層311和 312來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位，將可以檢查和更正更多的信息錯(cuò)誤位，使錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能執(zhí)行得更為精細(xì)和完善。實(shí)施例所述的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可應(yīng)用在具有2n存儲(chǔ)器平面層的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，如圖3、圖4中選用四層(22)存儲(chǔ)器平面層。然而本申請(qǐng)的公開內(nèi)容并不以此為限，實(shí)施例所述的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也可應(yīng)用在具有非2N#儲(chǔ)器平面層的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中。 圖5A繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的再一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5A的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)5包括三層的存儲(chǔ)器平面層301 303 (非2N存儲(chǔ)器平面層)和兩層用來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的額外層311和 312。圖5B繪示本發(fā)明公開內(nèi)容的第一實(shí)施例的又一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5B的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)5’包括六層的存儲(chǔ)器平面層 301 306 (非2N存儲(chǔ)器平面層)和一層用來儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的額外層 311。為了使同層的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)和修復(fù)功能，不同層的數(shù)據(jù)需被同時(shí)讀出。而此實(shí)施例可透過垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，或指狀垂直柵極式(finger VG)三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)實(shí)施。圖6繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第一實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(vertical-gate, VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是以40個(gè)存儲(chǔ)單元為例作說明，其中用以儲(chǔ)存非錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元位于不同的平面層。如圖6所示，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)6包括基板60、具有多組位線(如BLl，BL2, BL3, BL4，BL5, BL6, BL7和BL8)的數(shù)個(gè)平面層(如601 605)、多條字線(如以多晶硅制成的 WLl和WL2)、用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元、以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的 η個(gè)存儲(chǔ)單元(m和η為正整數(shù)且η < m)。在實(shí)施例中，每組位線包括多條位線,如位線組 BL4中標(biāo)示為16 20的部分，以多晶硅制成。且該多條位線是以氧化物隔開，位線和氧化物外圍是以電荷捕捉層(charge trapping layer)包覆，電荷捕捉層例如是氧化物-氮化物-氧化物(ONO)復(fù)合層或0Ν0Ν0復(fù)合層或BE-SONOS復(fù)合層(其結(jié)構(gòu)可參考美國申請(qǐng)案號(hào)11/419，977，專利號(hào)7414889)。其中，平面層601 605是在基板60上設(shè)置成三維排列并與基板60平行，而該多條位線組BLl BL8相互平行地排列。字線WLl和WL2垂直于基板60設(shè)置，且亦與該多條位線組BLl BL8垂直。再者，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能。如圖6所示，以40個(gè)存儲(chǔ)單元為例作說明，其中32 (m)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(如標(biāo)示數(shù)字 1-4、6-9、11-14、16-19、21-24、26-29、31-34和 36-39)，8 (η) 個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位。圖6中標(biāo)示數(shù)字5、數(shù)字10、數(shù)字15、 數(shù)字20、數(shù)字25、數(shù)字30、數(shù)字35和數(shù)字40的存儲(chǔ)單元即為用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正 (ECC)位的存儲(chǔ)單元，且位于同一平面層，如平面層605。再者，用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元所在的平面層可以是，如圖6所示，但不限制于，為整個(gè)三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)6中的頂部平面層。
為了執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能，不同層的數(shù)據(jù)需被同時(shí)讀出。在此實(shí)施例中，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的η個(gè)存儲(chǔ)單元電性連接至錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正電路(ECCcircuit)(未繪示于圖6),以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能，例如接收和分析輸出的數(shù)據(jù)，之后并更正錯(cuò)誤位。第二實(shí)施例第一實(shí)施例中，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元位于相同的一或多層額外層(extra layers)上。然而本發(fā)明公開內(nèi)容并不限于此。第二實(shí)施例即是說明用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元也可建構(gòu)在三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中不同的物理層或平面上。同樣地，此建構(gòu)方式亦可透過垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，或指狀垂直柵極式(finger VG)三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)實(shí)施。而第二實(shí)施例即是透過垂直柵極式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)實(shí)施。圖7繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第二實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。與圖6類似，圖7所示的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)7包括基板70、具有多組位線(如BLl BL8)的數(shù)個(gè)平面層(如701 705)、多條字線(如以多晶硅制成的WLl和WL2)、用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元、以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元(m和η 為正整數(shù)且n <m)。在實(shí)施例中，每組位線包括多條位線(如位線組BL4中標(biāo)示為16 20 的部分，以多晶硅制成)。且各位線是以氧化物隔開，位線和氧化物外圍是以電荷捕捉層例如ONO復(fù)合層包覆。其中，平面層701 705在基板70上設(shè)置成三維排列并與基板70平行，而該多條位線組BLl BL8相互平行地排列。字線WLl和WL2垂直于基板70設(shè)置，且亦與該多條位線組BLl BL8垂直。再者，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC) 修復(fù)功能。如圖7所示，同樣以40個(gè)存儲(chǔ)單元為例作說明，其中32(m)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(如標(biāo)示數(shù)字1-32)，8(n)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位。圖 7中標(biāo)示數(shù)字33 數(shù)字40的存儲(chǔ)單元即為用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元，且位于不同的平面層，如分別位于平面層701 705。再者，如圖7所示用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元33 40排列成兩直行，且兩直行約與基板70的表面垂直。當(dāng)然，相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)知，這些用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元也可以分散在不同的平面層的不同位置，并不限制一定要排成與基板70的表面垂直的直行。圖8繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第二實(shí)施例的另一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC) 位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。與圖7十分類似，圖8以40個(gè)存儲(chǔ)單元為例作說明，其中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元位于不同的平面層。圖8所示的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)8同樣地包括了基板80、具有多組位線BLl BL8的數(shù)個(gè)平面層801 805、多條字線WLl和WL2 (如以多晶硅制成)、用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元、以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元。其中，平面層801 805在基板80上設(shè)置成三維排列并與基板80平行，而該多條位線組BLl BL8相互平行地排列。在實(shí)施例中，每組位線包括多條位線(如位線組BL4中標(biāo)示為16 20的部分)，且各位線是以氧化物隔開，位線和氧化物外圍是以電荷捕捉層例如ONO復(fù)合層包覆。字線 WLl和WL2垂直于基板80設(shè)置，且亦與該多條位線組BLl BL8垂直。再者，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能。如圖8所示，以40個(gè)存儲(chǔ)單元為例作說明， 其中32(m)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(如標(biāo)示數(shù)字1-16和21-36)，8 (η)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位。圖8中標(biāo)示數(shù)字17 20和數(shù)字37 40的存儲(chǔ)單元即為用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元，且位于不同的平面層；例如，存儲(chǔ)單元17 20分別位于平面層802 805。再者，如圖8所示，用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元17 20排列成與基板80表面約垂直的直行，而用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的其他存儲(chǔ)單元37 40亦排列成與基板80表面約垂直的另一直行。 當(dāng)然，相關(guān)領(lǐng)域者當(dāng)知，這些用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元也可以分散在不同的平面層的不同區(qū)域，并不限制一定要排成垂直于基板80表面的直行。為了使同層的錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)和修復(fù)功能，不同層的數(shù)據(jù)需被同時(shí)讀出。因此，在第二實(shí)施例中，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的η個(gè)存儲(chǔ)單元可電性連接至錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正電路(ECC circuit)(未繪示于圖7、圖8)，以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能，例如接收和分析輸出的數(shù)據(jù)，之后并更正錯(cuò)誤位。第三實(shí)施例如上述實(shí)施例所說明的具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可以稍加變化修飾，以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能。圖9繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第三實(shí)施例的一種具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的垂直柵極(VG)式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。與上述實(shí)施例相似地，所有數(shù)據(jù)需被同時(shí)讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)和修復(fù)功能。而該多個(gè)錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位可以是物理性地分散于三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)(如垂直柵極式或指狀垂直柵極式三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu))的一些位置。圖9所示的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)9同樣地包括了基板90、具有多組位線BLl BL16的數(shù)個(gè)平面層901 905、多條字線WLl和WL2、用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元、以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元。其中，平面層901 905在基板90上設(shè)置成三維排列并與基板90平行，而該多條位線組BLl BL16與每組位線所包括多條位線相互平行地排列。字線WLl和WL2垂直于基板90設(shè)置，且亦與該多條位線組BLl BL16垂直。其他結(jié)構(gòu)細(xì)部可參考前述實(shí)施例的說明。如圖9所示，物理性分散地儲(chǔ)存于三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)可以被同時(shí)讀取，且該多個(gè)數(shù)據(jù)例如是連續(xù)地儲(chǔ)存于和基板90垂直的方向， 而非連續(xù)地儲(chǔ)存于BL方向上。以20個(gè)存儲(chǔ)單元為例作說明，其中16(m)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(數(shù)字I 16)，4 (η)個(gè)存儲(chǔ)單元用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位(數(shù)字 17 20)。圖9中位于位線組BLl的存儲(chǔ)單元I 5、位于位線組BL5的存儲(chǔ)單元6 10、 位于位線組BL9的存儲(chǔ)單元11 15、和位于位線組BL13的存儲(chǔ)單元16 20，其設(shè)置方式分別垂直于基板90的方向。其中，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元(數(shù)字I 16)以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元(數(shù)字17 20)可同時(shí)被讀出，以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能。第四實(shí)施例
如上述實(shí)施例所說明的具錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存空間的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)亦可以稍加變化修飾，以進(jìn)行如獨(dú)立磁碟備援陣列(RAID, Redundant Array of Independent Disks)設(shè)計(jì)的相關(guān)應(yīng)用。獨(dú)立磁碟備援陣列是把多個(gè)相對(duì)便宜的硬盤組合起來，成為一個(gè)磁碟陣列組，使性能達(dá)到甚至超過一個(gè)價(jià)格昂貴、容量巨大的硬盤。RAID比單顆硬盤具有可增強(qiáng)數(shù)據(jù)整合度，增強(qiáng)容錯(cuò)功能，增加吞吐量或容量等多方面的好處。另外， 磁碟陣列組對(duì)于電腦來說，看起來就像一個(gè)單獨(dú)的硬盤或邏輯存儲(chǔ)單元。RAID依據(jù)其儲(chǔ)存型態(tài)可分成不同的等級(jí)，每種等級(jí)都有其理論上的優(yōu)缺點(diǎn)，并以RAID加上數(shù)字來表示，如
RAID O、RAID I.....RAID 6等。RAID O將多個(gè)磁碟合并成一個(gè)大的磁碟，不具有冗余，并
列1/0，速度最快。RAID O亦稱為帶區(qū)集。它是將多個(gè)磁碟并列起來，成為一個(gè)大磁碟。在存放數(shù)據(jù)時(shí)，其將數(shù)據(jù)按磁碟的個(gè)數(shù)來進(jìn)行分段，然后同時(shí)將這些數(shù)據(jù)寫進(jìn)這些盤中，在所有的級(jí)別中RAID O的速度是最快的，但是RAID O沒有冗余功能，如果一個(gè)磁碟(物理)損壞，則所有的數(shù)據(jù)都會(huì)遺失。RAID I是以兩組(或兩組以上)的N個(gè)磁碟相互作映像，在一些多執(zhí)行緒作業(yè)系統(tǒng)中能有很好的讀取速度，另外寫入速度有微小的降低。除非擁有相同數(shù)據(jù)的主磁碟與鏡像同時(shí)損壞，否則只要一個(gè)磁碟正常即可維持運(yùn)作，可靠性最高。因此， RAID I就是映像。其原理為在主硬盤上存放數(shù)據(jù)的同時(shí)也在映像硬盤上寫一樣的數(shù)據(jù)。當(dāng)主硬盤(物理)損壞時(shí)，映像硬盤則代替主硬盤的工作。因?yàn)橛杏诚裼脖P做數(shù)據(jù)備份，所以 RAID I的數(shù)據(jù)安全性在所有的RAID級(jí)別上來說是最好的。圖IOA繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第四實(shí)施例的一種“RAID I”設(shè)計(jì)應(yīng)用的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖IOB繪示根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容第四實(shí)施例的另一種“RAID I”設(shè)計(jì)應(yīng)用的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖IOA所示，原數(shù)據(jù)是儲(chǔ)存在下方的四層存儲(chǔ)器平面層并標(biāo)示為“DISK 1”，而備份的數(shù)據(jù)是儲(chǔ)存在上方的四層存儲(chǔ)器平面層并標(biāo)示為“DISK O”(做為映像組)，以增強(qiáng)整個(gè)磁碟陣列組(/磁碟系統(tǒng))的可靠度。類似的，另一種“RAID I”設(shè)計(jì)如圖IOB所示，原數(shù)據(jù)是儲(chǔ)存在右邊四層存儲(chǔ)器平面層并標(biāo)示為“DISK 1”，而備份的數(shù)據(jù)是儲(chǔ)存在左邊四層存儲(chǔ)器平面層并標(biāo)示為“DISK O” (做為映像組)，以增強(qiáng)整個(gè)磁碟陣列組(/磁碟系統(tǒng))的可靠度。根據(jù)上述實(shí)施例，可在不增加額外陣列區(qū)域面積的情形下，建構(gòu)出一個(gè)具有更多錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位儲(chǔ)存容量的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，并使此三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)具有更好的穩(wěn)定度。實(shí)施例的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括兩組存儲(chǔ)單元，如用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元以及用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的η個(gè)存儲(chǔ)單元(m和η為正整數(shù)且n<m)。 且(m+n)個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)修復(fù)功能。再者，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正(ECC)位的存儲(chǔ)單元可位于相同的一或多層額外層(即位于相同的物理層或平面)上，也可分散于不同的物理層或平面上。而上述實(shí)施例可廣泛地適于許多應(yīng)用，如應(yīng)用在與非柵(NAND)型芯片、安全套接層系統(tǒng)(SSD)和磁碟陣列儲(chǔ)存系統(tǒng)等應(yīng)用。綜上所述，雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。 因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)堆疊層，在基板上相互平行并以三維排列方式設(shè)置，且該多個(gè)堆疊層包括多個(gè)堆置記憶層；和多個(gè)存儲(chǔ)單元，包括用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的第一組存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的第二組存儲(chǔ)單元，且該第一組存儲(chǔ)單元位于該多個(gè)堆疊記憶層，而該第一組存儲(chǔ)單元和該第二組存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能。
2.—種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),包括基板；多個(gè)平面，平行于該基板并設(shè)置成三維排列，且每一該平面包括多條位線，且該多條位線相互平行排列；多條字線，垂直于該基板設(shè)置，且該多條字線亦與該多條位線垂直；用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的m個(gè)存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的η個(gè)存儲(chǔ)單元，m和 η為正整數(shù)且n <m;其中，該多個(gè)m個(gè)存儲(chǔ)單元和η個(gè)存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出。
3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的該多個(gè)η個(gè)存儲(chǔ)單元位于同一平面。
4.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的該η個(gè)存儲(chǔ)單元位于該多個(gè)平面的最上層平面。
5.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的該η個(gè)存儲(chǔ)單元分成兩群，并分別位于兩個(gè)平面。
6.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)的該m個(gè)存儲(chǔ)單元所位于該多個(gè)平面的數(shù)目為2N，N為大于等于I的整數(shù)。
7.如權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的該m個(gè)存儲(chǔ)單元所位于該多個(gè)平面的數(shù)目為非2N，N為大于等于I的整數(shù)。
8.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其中用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的該η個(gè)存儲(chǔ)單元位于不同的該多個(gè)平面。
9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其中位于不同的該多個(gè)平面的該η個(gè)存儲(chǔ)單元排列成垂直于該基板的一或多個(gè)柱列。
10.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其中可同時(shí)被讀出的用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的該m個(gè)存儲(chǔ)單元和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的該η個(gè)存儲(chǔ)單元電性連接至錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正電路， 以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能。
全文摘要
本發(fā)明公開一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)堆疊層和多個(gè)存儲(chǔ)單元。堆疊層在基板上相互平行并以三維排列方式設(shè)置，且該多個(gè)堆疊層包括多個(gè)堆疊記憶層。存儲(chǔ)單元包括用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的第一組存儲(chǔ)單元(例如有m個(gè)存儲(chǔ)單元)和用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的第二組存儲(chǔ)單元(例如有n個(gè)存儲(chǔ)單元)，第一組存儲(chǔ)單元和第二組存儲(chǔ)單元可同時(shí)被讀出以執(zhí)行錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正功能。披露的實(shí)施例的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，用以儲(chǔ)存錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正位的存儲(chǔ)單元可位于相同或不同的堆疊層。而此披露的實(shí)施例亦可透過(但不限制地)垂直柵極式結(jié)構(gòu)，或指狀垂直柵極式結(jié)構(gòu)實(shí)施。
文檔編號(hào)H01L27/115GK102610613SQ20111009157
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月18日
發(fā)明者呂函庭, 陳士弘, 黃怡仁 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司