專利名稱：具超薄種子層的封裝基板形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具超薄種子層(seed layer)的封裝基板形成方法，尤其涉及透過超薄種子層增加金屬凸塊或線路與基板的附著度及結(jié)合力，以及由于超薄種子層的厚度很薄，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)封裝基板制作流程中，通常是直接將銅箔壓合于基板的表面上做為導通層，銅箔的厚度一般約為3 y m 12 y m，接著在經(jīng)過壓模、微影、鍍銅來于導通層上形成線路，之后再將干膜及未被線路覆蓋的導通層移除，然而現(xiàn)今數(shù)字電路板日趨輕、薄、短、小、高密度，因此細線路的印刷需求逐漸提高。由于細線路的基板線路密度較高，因此基板上的線距及線寬相對要縮小，但利用 一般現(xiàn)下的銅箔做為導通層，由于一般銅箔的厚度約為3 y m 12 y m，導致在縮小線距上有限制，因此較難提高細線路基板的密度及良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種具超薄種子層(seed layer)的封裝基板形成方法，在基板的一表面上壓合金屬箔片，接著貫穿該基板與金屬箔片形成個孔洞，然后，將金屬箔片整個蝕刻掉而形成一基面，并于該基面及孔洞的孔璧上形成厚度超薄的一超薄種子層，其中基面可以為粗糙表面，而該超薄種子層為導電材料，該超薄種子層可以隨著基面的粗糙度起伏，如此該超薄種子層亦為具有粗糙表面的導電層。接著，將干膜壓于該超薄種子層上，藉由影像轉(zhuǎn)移而形成開口，開口暴露出部分超薄種子層及開至少一孔洞，并于干膜的開口中電鍍金屬，以填滿開口，并產(chǎn)生金屬凸塊，其中金屬凸塊透過超薄種子層的粗糙表面來增加金屬凸塊或線路與基板的附著度及結(jié)合力，且由于超薄種子層的厚度很薄，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距，故可增加制作細線路的良率。最后，剝除干膜并將孔洞以外且未被金屬凸塊覆蓋的超薄種子層移除。本發(fā)明的另一主要目的在提供一種具超薄種子層的封裝基板形成方法，該方法運用已在基板的上下表面壓合金屬箔片的基料，接著貫穿該基板與金屬箔片及金屬箔片形成個孔洞，然后，將金屬箔片及金屬箔片蝕刻掉，形成上基面及下基面，上基面及下基面可為粗糙表面，接著在上基面及下基面及孔洞的孔璧上形成厚度超薄的一超薄種子層，其中該超薄種子層為導電材料，該超薄種子層隨著基板的可隨著上基面及下基面的粗糙度起伏，如此該超薄種子層亦為具有粗糙表面的導電層。接著，將干膜壓于該超薄種子層上，以影像轉(zhuǎn)移的方式將干膜形成開口，開口暴露出部分超薄種子層及開至少一孔洞，接著電鍍金屬，填滿開口并產(chǎn)生金屬凸塊，其中金屬凸塊透過超薄種子層的粗糙表面來增加與基板間的附著度及結(jié)合力，且由于超薄種子層的厚度很薄，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距，故可增加制作細線路的良率。
最后，剝除干膜并將孔洞以外且未被金屬凸塊覆蓋的超薄種子層移除。更進一步地，將上述的雙層結(jié)構(gòu)，以同樣的方式再延伸形成三層以上的多層板結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的具超薄種子層(seed layer)的封裝基板形成方法，主要是利用超薄種子層來取代一般封裝基板中的金屬箔片層，由于超薄種子層具有超薄的厚度，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距，進一步改善制作細線路基板的良率。此外，超薄種子層為具有粗糙表面的導電層，因此金屬凸塊或線路可透過超薄種子層來增加與基板間的附著度及結(jié)合力，用以避免有些金屬材質(zhì)不易與基板附著，因而脫落的問題。


圖IA-圖IH為本發(fā)明第一實施例的施行步驟示意圖；圖2A-圖2G為本發(fā)明第二實施例的施行步驟示意圖；以及·圖3A-圖3H為本發(fā)明第三實施例的施行步驟示意圖。
具體實施例方式以下配合說明書附圖對本發(fā)明的實施方式做更詳細的說明，以使本領(lǐng)域技術(shù)人員在研讀本說明書后能據(jù)以實施。參考圖IA-圖1H，圖IA-圖IH為本發(fā)明第一實施例的施行步驟示意圖。首先，如圖IA-圖IB所不,壓合一金屬箔片20至一基板10的一表面上,接著,貫穿基板10與金屬箔片20來形成至少一個孔洞30 (在圖IC中是以一孔洞30做為代表)，然后，蝕刻以去除金屬箔片20，用以讓基板10的表面成為一基面11，其中蝕刻掉金屬箔片20可增加基板10的表面的粗糙度(使基面11形成為一不平滑的粗糙表面)，如圖ID所示。接著，形成一超薄種子層(seed layer) 25于基面11及孔洞30的孔璧上，其中該超薄種子層27是由導電材料所構(gòu)成，該超薄種子層25隨著該基面11起伏，因此該超薄種子層25亦為具有粗糙表面的種子層，如圖IE所示。然后，壓合一干膜40于該超薄種子層25上，利用影像轉(zhuǎn)移方式，使該干膜40具有至少一開口，且開口可以暴露出超薄種子層25的一部份以及該孔洞30。接著，在完成影像轉(zhuǎn)移而具有開口的干膜上電鍍金屬，使在干膜開口所曝露出的超薄種子層25上，并將孔洞30填滿，用以形成至少一個金屬凸塊51、53，其中所電鍍的金屬可為銅或銅的合金，如圖IF所示，當超薄種子層25具有隨著基面11起伏的粗糙表面時，可以增加電鍍于其上的金屬凸塊51、53的附著度及結(jié)合力。最后，剝除干膜40并將未被金屬凸塊51、53覆蓋的超薄種子層25移除，如圖IG-圖IH所示。要注意的是，基板的表面包含該基板的上表面及下表面的其中之一，在圖IB中是以上表面表示。要注意的是，該金屬箔片20可為銅箔片，金屬凸塊51、53可為銅凸塊以及該至少一孔洞30包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一。要注意的是，形成超薄種子層25的方法包含化學沉積及電漿濺鍍的其中之一，且該超薄種子層具有一厚度，該厚度小于I U m,由于該超薄種子層的厚度極薄，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距，故可增加制作細線路的良率。
參考圖2k_圖2G，本發(fā)明第二實施例的施行步驟示意圖。首先，如圖2A所示，準備已壓合第一金屬箔片22至基板10的上表面、并已壓合第二金屬箔片24壓合至基板10的下表面的一基料，。接著，貫穿基板10、第一金屬箔片22及第二金屬箔片24，以形成至少一個孔洞35(在圖2B中是以一通孔做為代表)，然后，蝕刻以去除第一金屬箔片22，用以讓該基板10的上表面成為上基面13，并蝕刻以去除第二金屬箔片24，用以讓基板10的下表面成為下基面15，其中蝕刻掉第一金屬箔片22及第二金屬箔片24可增加基板10的上下表面及的粗糙度(即上基面13與下基面15可為一粗糙表面)，如圖2C所示。接著，形成一超薄種子層27于上基面13與下基面15的表面及孔洞35的孔璧上，其中該超薄種子層27是由導電材料所構(gòu)成，該超薄種子層27隨著上基面13與下基面15的表面起伏，因此該超薄種子層27也可以為具有粗糙表面的導電層，如圖2D所示。然后，壓合第一干膜42于位于該上基面13上的超薄種子層27上，并壓合一第二該干膜44于位于該不平滑下表面15上的超薄種子層27上，該第一干膜42及該第二該干膜44在影像移轉(zhuǎn)后分別具有至少一開口，暴露出部份的超薄種子層27以及孔洞35。 接著，如圖2E所示，完成影像轉(zhuǎn)移而具有開口的干膜上電鍍金屬，使金屬形成在所暴露出的超薄種子層27上，并將開口 35填滿，而形成至少一個金屬凸塊55、57、59，其中所電鍍的金屬可為銅或銅的合金，其中當超薄種子層27具有粗糙表面時，可以增加電鍍于其上的金屬凸塊55、57、59與基板的附著度及結(jié)合力。最后，剝除第一干膜42及第二干膜44并將未被金屬凸塊55、57、59覆蓋的超薄種子層27移除，而形成一雙層結(jié)構(gòu)，如圖2F-圖2G所示。要注意的是，第一金屬箔片22及第二金屬箔片24可為銅箔片，金屬凸塊55、57、59可為銅凸塊以及該至少一孔洞35包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一，其中填滿孔洞35，并在兩端形成金屬凸塊57、59，能使上表面的電路組件與下表面的電路組件電氣連接。要注意的是，形成超薄種子層27的方法包含化學沉積及電漿濺鍍的其中之一，且該超薄種子層具有一厚度，該厚度小于I U m,由于該超薄種子層的厚度極薄，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距，故可增加制作細線路的良率。參考圖3A-圖3H，本發(fā)明第三實施例的施行步驟示意圖。如圖3A-圖3H所示，本發(fā)明的第三實施例應(yīng)用第二實施例的雙層結(jié)構(gòu)，而延伸形成為多層板結(jié)構(gòu)，如圖3A-圖3B所示，在以第二實施例的步驟所形成的雙層結(jié)構(gòu)上部及/或下部分別形成一第三基板60，并在第三基板上各壓合一金屬箔片70。接著，如圖3C所示，應(yīng)用第二實施例的方式形成至少一孔洞，圖3C中以孔洞37做為通孔示意、而孔洞39作為埋孔的示意。接著，將金屬箔片70以蝕刻方式剝除，而使在第三基板60的表面形成一第一基面17及/或第二基面19，第一基面17及第二基面19可以為粗糙表面，接著在第一基面17、第二基面19上以及孔洞37、39的孔壁上形成一超薄種子層29，如圖3D-圖3E所示。然后，在上部及下部分別形成第三干膜46及第四干膜48，并利用影像轉(zhuǎn)移形成至少一開口，完成影像轉(zhuǎn)移而具有開口的干膜上電鍍金屬，使金屬形成在所暴露出的超薄種子層29上，并將開口 37、39填滿，而形成至少一個金屬凸塊81、83、85，如圖3F所示。接著，移除干膜，再將未有金屬凸塊81、83、85包覆的超薄種子層29移除，如圖3G-圖3H所示，而形成一多層板結(jié)構(gòu)。其中從填滿孔洞37并在兩端金屬凸塊81、85使最上層的組件與最下層的組件能電氣連接，而填滿孔洞39而形成的金屬凸塊83，能使內(nèi)層及外層電氣連接。以上所述者僅為用以解釋本發(fā)明的較佳實施例，并非企圖據(jù)以對本發(fā)明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的發(fā)明精神下所作有關(guān)本發(fā)明的任何修飾或變更，皆仍應(yīng)包 括在本發(fā)明意圖保護的范疇。
權(quán)利要求
1.一種具超薄種子層的封裝基板形成方法，其特征在于，包括 壓合一金屬箔片至一基板的一表面； 貫穿該基板與該金屬箔片形成至少一個孔洞； 蝕刻以去除該金屬箔片，用以讓該基板的表面成為一基面； 形成一超薄種子層于該基面及該至少一孔洞的孔璧上，其中該超薄種子層是由導電材料所構(gòu)成； 壓合一干膜于該超薄種子層上，以影像移轉(zhuǎn)使該干膜具有至少一開口，且該至少一開口暴露出部份的超薄種子層以及該至少一孔洞； 電鍍一金屬于該至少一開口中的超薄種子層上，并將該至少一孔洞填滿，以形成至少一個金屬凸塊；以及 剝除該干膜并將該至少一孔洞以外且未被該至少一個金屬凸塊覆蓋的超薄種子層移除。
2.如權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，形成該超薄種子層的方法包含化學沉積及電漿濺鍍的其中之一。
3.如權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，該超薄種子層具有一厚度，該厚度小于I U m0
4.如權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，該至少一孔洞包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中之一。
5.如權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，該基面為一粗糙表面，而該超薄種子層隨著該基面的粗糙度起伏。
6.一種具超薄種子層的封裝基板形成方法，其特征在于，包括 準備一已將一第一金屬箔片及一第二金屬箔片個別壓合至一基板的上表面及下表面的一基料； 貫穿該基板、該第一金屬箔片及該第二金屬箔片，以形成至少一個孔洞； 蝕刻以去除該第一金屬箔片及該第二金屬箔片，用以讓該基板的上表面及下表面各別成為一上基面及一下基面； 形成一超薄種子層于該上基面、該下基面及該至少一孔洞的孔壁上，其中該超薄種子層是由導電材料所構(gòu)成； 壓合一第一干膜于位于該上基面的超薄種子層上，并壓合一第二該干膜于位于該下基面的超薄種子層上，在影像移轉(zhuǎn)后使該第一干膜及該第二該干膜個別具有至少一開口，且該至少一開口暴露出部份的超薄種子層以及該至少一孔洞； 電鍍一金屬于所暴露出的超薄種子層上，并填滿該至少一孔洞并，以形成至少一個金屬凸塊；以及 剝除該第一干膜及該第二干膜并將該至少一孔洞以外且未被該至少一個金屬凸塊覆蓋的超薄種子層移除，而形成一雙層結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成該超薄種子層的方法包含化學沉積及電漿濺鍍的其中之一。
8.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，該超薄種子層具有一厚度，該厚度小于I U m0
9.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，該至少一孔洞包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一。
10.如權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，該上基面及該下基面為一粗糙表面，而該超薄種子層隨著該上基面及該下基面的粗糙度起伏。
11.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，進一步包含 在該雙層結(jié)構(gòu)的上部及/或下部形成一第三基板； 在該第三基板上，壓合一金屬箔片； 貫穿該金屬箔片、該第三基板以及該雙層結(jié)構(gòu)，而形成至少一孔洞； 蝕刻以去除該金屬箔片，用以在該第三基板的表面形成一第一基面及/或一第二基面； 在該第一基面及/或該第二基面以及該至少一孔洞的孔壁上形成一超薄種子層； 壓合一第三干膜于位于該第三基面的超薄種子層上，及/或壓合一第四干膜于位于該第二基面的超薄種子層上，在影像移轉(zhuǎn)后使該第三干膜及該第四該干膜個別具有至少一開口，且該至少一開口暴露出部份的超薄種子層以及該至少一孔洞； 電鍍一金屬于所暴露出的超薄種子層上，并填滿該至少一孔洞并，以形成至少一個金屬凸塊；以及 剝除該第三干膜及該第四干膜并將該至少一孔洞以外且未被該至少一個金屬凸塊覆蓋的超薄種子層移除，而形成一多層板結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，該第一基面及/或第二基面為一粗糙表面，而該超薄種子層隨著該第一基面及/或該第二基面的粗糙度起伏。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具超薄種子層的封裝基板形成方法，其主要是將壓合于基板的表面上的金屬箔片蝕刻掉，而形成一基面，接著在基面上形成厚度超薄的超薄種子層，且此超薄種子層以導電材料構(gòu)成，并可以隨著基面的粗糙度起伏，該超薄種子層的粗糙表面有助于增加形成于其上的金屬凸塊或線路與基板的附著度及結(jié)合力，且由于超薄種子層的厚度很薄，因此可有效縮小基板上線路的線寬及線距，故可增加制作細線路的良率。
文檔編號H01L21/48GK102832138SQ201110160210
公開日2012年12月19日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者曾博榆 申請人:景碩科技股份有限公司