專利名稱：倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜用于保護(hù)半導(dǎo)體元件如半導(dǎo)體芯片的背面并且提高半導(dǎo)體元件的強(qiáng)度。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中通過(guò)倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件如半導(dǎo)體芯片安裝(倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類(lèi)倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體芯片以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對(duì)的形式固定至基板。在此類(lèi)半導(dǎo)體器件等中，可以存在半導(dǎo)體芯片的背面用保護(hù)膜保護(hù)以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見(jiàn)，專利文獻(xiàn)1至10)。專利文獻(xiàn)1 JP-A-2008-166451專利文獻(xiàn)2 JP-A-2008-006386專利文獻(xiàn)3 JP-A-2007-261035專利文獻(xiàn)4 JP-A-2007-250970專利文獻(xiàn)5 JP-A-2007-158026專利文獻(xiàn)6 JP-A-2004-221169專利文獻(xiàn)7 :JP-A-2004-21^88專利文獻(xiàn)8 JP-A-2004-142430專利文獻(xiàn)9 JP-A-2004-072108專利文獻(xiàn)10 JP-A-2004-063551然而，用保護(hù)膜保護(hù)半導(dǎo)體芯片背面需要將保護(hù)膜粘貼至在切割步驟中獲得的半導(dǎo)體芯片的背面的額外步驟。結(jié)果，處理步驟的數(shù)量增加并且生產(chǎn)成本由此增加。近年來(lái)， 半導(dǎo)體器件薄型化的趨勢(shì)通常帶來(lái)半導(dǎo)體芯片在將其拾取的步驟中被損害的問(wèn)題。因此， 為了提高半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體芯片的機(jī)械強(qiáng)度的目的，需要在拾取步驟前將其補(bǔ)強(qiáng)。迄今為止，被拾取的半導(dǎo)體芯片不直接安裝在被粘物上，而是在一些情況下曾經(jīng)使用貯存用構(gòu)件來(lái)貯存。作為所述貯存用構(gòu)件，可使用包括以下的結(jié)構(gòu)具有電子部件收納凹部(例如，孔)的基體和用于覆蓋所述電子部件收納凹部的普通覆蓋帶。然而，在通過(guò)使用貯存用構(gòu)件貯存已經(jīng)將上述半導(dǎo)體芯片背面用保護(hù)膜粘貼至其的半導(dǎo)體芯片的情況下，所述半導(dǎo)體芯片背面用保護(hù)膜和貯存用構(gòu)件可能通常粘著在一起 (彼此粘合)以致具有粘貼至其的半導(dǎo)體芯片背面用保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片不能從貯存用構(gòu)件取出。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前述問(wèn)題已經(jīng)作出本發(fā)明并且其目的是提供倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜和提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜能夠保護(hù)半導(dǎo)體元件并且利用其半導(dǎo)體元件能夠從貯存用構(gòu)件容易地取出。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)行了勤勉地研究，結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜形成于半導(dǎo)體元件背面上時(shí)并且當(dāng)將所述膜在不面向所述半導(dǎo)體元件背面?zhèn)壬系拿娴谋砻娲植诙?Ra)在固化前控制為落入預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，則所述膜難以粘著(粘合)至貯存用構(gòu)件，已經(jīng)完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供了一種要形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件背面上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中當(dāng)所述膜形成于半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，所述膜在其不面向半導(dǎo)體元件背面的一個(gè)面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50ηπι-3μπι范圍內(nèi)。當(dāng)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜形成于半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，其發(fā)揮保護(hù)倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的功能。根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中當(dāng)所述膜形成于半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，所述膜在其不面向半導(dǎo)體元件背面的一個(gè)面的表面粗糙度(Ra)在固化前落入50ηπι-3μπι的范圍內(nèi)。因此，當(dāng)將上述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜已經(jīng)粘貼至其的半導(dǎo)體元件貯存在貯存用構(gòu)件中時(shí)，所述形成于所述半導(dǎo)體元件背面上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在其貯存期間防止粘著或粘合至貯存用構(gòu)件，并且當(dāng)半導(dǎo)體元件從貯存用構(gòu)件取出時(shí)，其能夠容易地取出。此處，所述半導(dǎo)體元件背面是指與其上形成電路的表面相對(duì)的表面。優(yōu)選地，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的厚度落入2 μ m-200 μ m的范圍。當(dāng)所述厚度為至少2 μ m時(shí)，則能夠提高所述膜的機(jī)械強(qiáng)度并且所述膜能夠確保良好的自支持性(self-sustainability)。另一方面，當(dāng)所述厚度為至多200μπι時(shí)，可以將包括倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件薄型化。所述半導(dǎo)體元件的厚度優(yōu)選落入20 μ m-300 μ m的范圍。本發(fā)明還提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶和層壓在所述切割帶上的上述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述切割帶包括基材(base material)和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層，并且所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜層壓在所述壓敏粘合劑層上。根據(jù)具有如上所述構(gòu)造的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，將所述切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜集成，因此該類(lèi)型的切割帶集成膜可以用于切割半導(dǎo)體晶片從而生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的切割步驟和隨后的拾取步驟。即，當(dāng)在切割步驟之前將切割帶粘貼至半導(dǎo)體晶片背面時(shí)，所述半導(dǎo)體背面用膜也可以同時(shí)粘合至其，因此，不需要僅將半導(dǎo)體背面用膜粘合至半導(dǎo)體晶片的步驟(半導(dǎo)體背面膜粘合步驟)。結(jié)果，可以減少處理步驟的數(shù)量。而且， 由于半導(dǎo)體背面用膜保護(hù)半導(dǎo)體晶片的背面和通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體元件的背面，所以在切割步驟和隨后步驟(例如，拾取步驟)期間可以防止或減少半導(dǎo)體元件的損壞。結(jié)果，可以增加要生產(chǎn)的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。當(dāng)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜形成于所述半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，其發(fā)揮保護(hù)倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的功能。當(dāng)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜形成于所述半導(dǎo)體晶片背面上時(shí)，所述膜在其不面向所述半導(dǎo)體元件背面的一個(gè)面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50ηπι-3μπι的范圍內(nèi)。因此，當(dāng)將上述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜已經(jīng)粘貼至其的半導(dǎo)體元件貯存在貯存用構(gòu)件中時(shí)，防止形成于半導(dǎo)體元件背面上的倒
4裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在其貯存期間粘著或粘合至貯存用構(gòu)件，并且當(dāng)將半導(dǎo)體元件從貯存用構(gòu)件取出時(shí)，其能夠容易地取出。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，將切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜集成，因此該類(lèi)型的切割帶集成膜可以用于切割半導(dǎo)體晶片從而生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的切割步驟和隨后的拾取步驟。因此，不需要僅將半導(dǎo)體背面用膜粘合至半導(dǎo)體晶片的步驟(半導(dǎo)體背面膜粘合步驟)。而且，在隨后的切割步驟和拾取步驟中，由于半導(dǎo)體背面用膜粘合至半導(dǎo)體晶片背面和通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體元件背面，由此可以有效地保護(hù)半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件并且可以防止半導(dǎo)體元件被損壞。


圖1為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的截面示意圖。圖2A-2D為示出使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)施方案的截面示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜2 半導(dǎo)體背面用膜3 切割帶31 基材32 壓敏粘合劑層33 對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘合部分的部分4 半導(dǎo)體晶片5 半導(dǎo)體芯片51 在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K(bump)6 被粘物61 粘合至被粘物6的連接墊(connecting pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實(shí)施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實(shí)施方案，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方案。圖1為示出根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的截面示意圖。此外，在本說(shuō)明書(shū)的附圖中，未給出不需要描述的部分，并且為了使得描述容易存在通過(guò)放大、縮小等示出的部分。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1(下文中有時(shí)也稱作"切割帶集成的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜"、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜”或“具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)具有包括以下的構(gòu)造包括在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3，和結(jié)果形成在壓敏粘合劑層32上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2 (下文中有時(shí)稱作“半導(dǎo)體背面用膜"或“半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)。同樣如圖1所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以如此設(shè)計(jì)以致半導(dǎo)體背面用膜2僅形成于對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘合部分的部分33上；然而，半導(dǎo)體背面用膜可以形成在壓敏粘合劑層32的整個(gè)表面上，或者半導(dǎo)體背面用膜可以形成在大于對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘合部分的部分33但是小于壓敏粘合劑層32的整個(gè)表面的
5部分上。此外，在直至將半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至晶片背面時(shí)，將半導(dǎo)體背面用膜2的表面 (要粘貼至晶片背面的表面)用隔離膜等保護(hù)。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜2具有膜形狀。半導(dǎo)體背面用膜2在作為產(chǎn)品的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的實(shí)施方案中通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))并且在將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片之后熱固化(細(xì)節(jié)如下所述)。根據(jù)該實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用膜2，當(dāng)所述膜形成于半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，在其不面向(接觸)半導(dǎo)體元件背面的一個(gè)面的表面粗糙度(Ra)在固化前落入50ηπι-3μπι的范圍。優(yōu)選地，所述表面粗糙度(Ra)為60nm-2 μ m，更優(yōu)選70nm-l μ m。由于所述表面粗糙度(Ra)為50nm-3 μ m，當(dāng)將上述半導(dǎo)體背面用膜2已經(jīng)粘貼至其的半導(dǎo)體元件貯存在貯存用構(gòu)件中時(shí)，形成于半導(dǎo)體元件背面上的半導(dǎo)體背面用膜2在其貯存期間防止粘著或粘合至貯存用構(gòu)件，并且當(dāng)半導(dǎo)體元件從貯存用構(gòu)件取出時(shí)，其能夠容易地取出。貯存用構(gòu)件可以為包括具有電子部件收納凹部(例如，孔)的基材和用于覆蓋電子部件收納凹部的普通覆蓋帶的任何已知的構(gòu)件。優(yōu)選地，半導(dǎo)體背面用膜2對(duì)貯存用構(gòu)件的粘合力(23°C，剝離角180°，剝離速度 300m/秒)為至多0. ΙΝ/lOmm,更優(yōu)選至多0. 01N/10mm。當(dāng)粘合力為至多0. ΙΝ/lOmm時(shí)，則更易于從貯存用構(gòu)件取出半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體背面用膜可以由樹(shù)脂組合物例如包含熱塑性樹(shù)脂和熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成。半導(dǎo)體背面用膜可以由不含熱固性樹(shù)脂的熱塑性樹(shù)脂組合物形成或可以由不含熱塑性樹(shù)脂的熱固性樹(shù)脂組合物形成。熱塑性樹(shù)脂的實(shí)例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、 飽和聚酯樹(shù)脂如PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂或氟樹(shù)脂。熱塑性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。在這些熱塑性樹(shù)脂中，優(yōu)選丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂和苯氧基樹(shù)脂，并且苯氧基樹(shù)脂是更優(yōu)選的，這是因?yàn)槠淠軌蛐纬蔀槟ば螤钔瑫r(shí)維持拉伸貯能彈性模量高。不特別限定，所述苯氧基樹(shù)脂包括例如具有插入其中作為構(gòu)成單元的酚醛組分的環(huán)氧樹(shù)脂，如通過(guò)表氯醇和雙酚類(lèi)化合物(diphenolic compound) (二價(jià)酚類(lèi)化合物)的反應(yīng)獲得的樹(shù)脂、通過(guò)二價(jià)環(huán)氧化合物和雙酚類(lèi)化合物的反應(yīng)獲得的樹(shù)脂。所述苯氧基樹(shù)脂的實(shí)例包括具有至少一個(gè)選自雙酚骨架(例如，雙酚A型骨架、雙酚F型骨架、雙酚A/F混合型骨架、雙酚S型骨架、雙酚M型骨架、雙酚P型骨架、雙酚A/P混合型骨架、雙酚Z型骨架)、萘骨架、降冰片烯骨架、芴骨架、聯(lián)苯骨架、蒽骨架、酚醛清漆骨架、芘骨架、咕噸骨架、 金剛烷骨架和二環(huán)戊二烯骨架的那些苯氧基樹(shù)脂。作為所述苯氧基樹(shù)脂，此處可用的是商購(gòu)產(chǎn)品。這里一種或多種不同類(lèi)型的苯氧基樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或作為組合使用。丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括包含一種或兩種以上的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物，其中所述丙烯酸或甲基丙烯酸具有30個(gè)以下碳原子、優(yōu)選 4-18個(gè)碳原子、更優(yōu)選6-10個(gè)碳原子、特別地8或9個(gè)碳原子的直鏈或支化烷基。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂具有也包括甲基丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的寬泛含義。所述烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，用于形成丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的其它單體(除其中烷基為具有30個(gè)以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體如馬來(lái)酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基團(tuán)單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯Q-hydroxyethylacryloylphosphate)。在這點(diǎn)上，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰基是指丙烯?；?或甲基丙烯?；?，等等，這應(yīng)用于整個(gè)說(shuō)明書(shū)中。此外，除了環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂之外，熱固性樹(shù)脂的實(shí)例包括，氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂和熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂。這些熱固性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。作為熱固性樹(shù)脂，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂是合適的。此外，酚醛樹(shù)脂適合用作環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑。環(huán)氧樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂如雙酚A 型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AF型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、芴型環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆(o-cresol novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、 三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹(shù)脂，或環(huán)氧樹(shù)脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹(shù)脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂。作為環(huán)氧樹(shù)脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂是優(yōu)選的。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹(shù)脂與作為固化劑的酚醛樹(shù)脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)良。此外，上述酚醛樹(shù)脂起到環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑的作用，其實(shí)例包括酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂如苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂和壬基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂；甲階型酚醛樹(shù)脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對(duì)氧苯乙烯。酚醛樹(shù)脂可單獨(dú)或以其兩種以上的組合使用。在這些酚醛樹(shù)脂中，苯酚酚醛清漆樹(shù)脂和苯酚芳烷基樹(shù)脂是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)榭筛倪M(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。在本發(fā)明中，可以使用用于環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的熱固化促進(jìn)催化劑。該熱固化促進(jìn)催化劑可以適當(dāng)?shù)剡x自已知的熱固化促進(jìn)催化劑。這里一種或多種熱固化促進(jìn)催化劑可以單獨(dú)或作為組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如，可以使用胺類(lèi)固化促進(jìn)催化劑、 磷類(lèi)固化促進(jìn)催化劑、咪唑類(lèi)固化促進(jìn)催化劑、硼類(lèi)固化促進(jìn)催化劑或磷-硼類(lèi)固化促進(jìn)催化劑。
沒(méi)有特別限定，胺類(lèi)固化促進(jìn)催化劑包括例如一乙醇胺三氟硼酸鹽(由MellaChemifa Co.，Ltd.制造)、雙氰胺(由 NacalaiTesque Co.，Ltd.制造)。沒(méi)有特別限定，磷類(lèi)固化促進(jìn)催化劑包括例如三有機(jī)膦如三苯基膦、三丁基膦、三(對(duì)-甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦；以及四苯基溴化鱗(商品名TPP-PB)、甲基三苯基鱗(商品名TPP-MB)、甲基三苯基氯化鱗(商品名TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鱗(商品名TPP-M0C)、芐基三苯基氯化鱗(商品名TPP-ZC)(均由Holiko ChemicalIndustry Co.，Ltd.制造)。優(yōu)選地，三苯基膦化合物在環(huán)氧樹(shù)脂中基本上不溶解。當(dāng)在環(huán)氧樹(shù)脂中不溶解時(shí)，則它們可以防止過(guò)度熱固化。具有三苯基膦結(jié)構(gòu)并且在環(huán)氧樹(shù)脂中基本上不溶解的熱固化催化劑為，例如，甲基三苯基鱗(商品名TPP-MB)。這里，術(shù)語(yǔ)“不溶解”是指包括三苯基膦化合物的熱固化催化劑在包括環(huán)氧樹(shù)脂的溶劑中不溶解，更精確地，在落入10-40°C的范圍內(nèi)的溫度下所述催化劑不以10重量％以上的量溶解于所述溶劑中。咪唑類(lèi)固化促進(jìn)催化劑包括2-甲基咪唑(商品名2MZ)、2_i^ —烷基咪唑(商品名Cll-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名C17Z)、1，2-二甲基咪唑(商品名1，2DMZ)、2_乙基-4-甲基咪唑(商品名2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名2P4MZ)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名1B2MZ)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名1B2PZ)、1_氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-i烷基咪唑(商品名C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯(商品名2PZCNS-PW) ,2,4- 二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1，)]-乙基-S-三嗪(商品名2MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2，-i^一烷基咪唑基_(1，)]_乙基-S-三嗪(商品名C11Z-A)、2，4-二氨基-6-[2，-乙基-4，-甲基咪唑基-(1，)]-乙基-S-三嗪(商品名2E4MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2'-甲基咪唑基-(1，)]-乙基_s_三嗪異氰脲酸加合物(商品名2MA-0K)、2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑(商品名2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名2P4MHZ-PW)(均由Shikoku Chemical IndustryCo.，Ltd.制造)。沒(méi)有特別限定，硼類(lèi)固化促進(jìn)催化劑包括例如三氯硼烷。沒(méi)有特別限定，磷/硼類(lèi)固化促進(jìn)催化劑包括例如四苯基鱗四苯基硼酸鹽(商品名TPP-K)、四苯基鱗四-對(duì)-三硼酸鹽(商品名TPP-MK)、芐基三苯基鱗四苯基硼酸鹽(商品名TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名TPP-S)(均由Hokko Chemical IndustryCo.，Ltd.制造)。優(yōu)選地，熱固化促進(jìn)催化劑相對(duì)于熱固性樹(shù)脂的總量的比例為1. 5重量％ -20重量％。然而，在一些情況下，熱固化促進(jìn)催化劑的比例可以小于1.5重量％。在此情況下，熱固化促進(jìn)催化劑的比例的最低限優(yōu)選至少0. 01重量％ (更優(yōu)選至少0. 1重量％ )。所述比例的最高限優(yōu)選至多10重量％ (更優(yōu)選至多5重量％ )。優(yōu)選地，從半導(dǎo)體背面用膜的耐熱性的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體背面用膜由包含丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成。重要的是半導(dǎo)體背面用膜2具有粘合性。具體地，重要的是半導(dǎo)體背面用膜2本身是粘合劑層。用作粘合劑層的半導(dǎo)體背面用膜2可以由例如在其中包含酚醛樹(shù)脂作為熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成。優(yōu)選地，為了將所述膜2預(yù)先固化至一定程度，在制備用于半導(dǎo)體背面用膜2的樹(shù)脂組合物時(shí)，在其中添加能夠與在聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。據(jù)此，可以改進(jìn)在高溫下所述膜2的粘合性能并且可提高其
8耐熱性。半導(dǎo)體背面用膜對(duì)半導(dǎo)體晶片的粘合力(23°C，剝離角180°，剝離速率300mm/分鐘)優(yōu)選至少1N/I0mm寬度(例如，1N/I0mm寬度-10N/10mm寬度)，更優(yōu)選至少2N/10mm寬度(例如，2N/10mm寬度-10N/10mm寬度)，甚至更優(yōu)選至少4N/10mm寬度(例如，4N/10mm寬度-10N/10mm寬度)。具有落入上述范圍的粘合力，所述膜可以以優(yōu)異粘合性地粘合至半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件并且沒(méi)有膜溶脹等粘合不良。此外，在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，可以防止芯片飛散。例如，如下測(cè)量半導(dǎo)體背面用膜對(duì)半導(dǎo)體晶片的粘合力將半導(dǎo)體背面用膜的一個(gè)表面用粘貼至其的粘合帶(商品名:BT315，由Nitto Denko Co.，Ltd.制造)補(bǔ)強(qiáng)。接下來(lái)，根據(jù)干式層壓方法在50°C下通過(guò)用2kg輥往復(fù)移動(dòng)一次按壓將具有厚度為0. 6mm的半導(dǎo)體晶片粘貼至具有長(zhǎng)度為150mm和寬度為IOmm的半導(dǎo)體晶片用背面補(bǔ)強(qiáng)膜的表面。其后，將其在熱盤(pán)(50°C )上靜置2分鐘，然后將其在室溫(約23°C )下靜置20分鐘。如此靜置后，使用剝離試驗(yàn)機(jī)(商品名“AutographAGS-J”，由 Shimadzu Seisaku-sho Co. ,Ltd.制造)，在溫度23°C下，在剝離角為180°和拉伸速率為300mm/分鐘下，將背面補(bǔ)強(qiáng)的半導(dǎo)體背面用膜剝離。粘合力是從半導(dǎo)體晶片剝離半導(dǎo)體背面用膜時(shí)在這兩者之間的界面處如此測(cè)量的值(N/10mm寬度)。交聯(lián)劑沒(méi)有特別限定，可以使用已知的交聯(lián)劑。具體地，例如，不僅可提及異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑、環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑、三聚氰胺類(lèi)交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類(lèi)交聯(lián)劑，還可提及脲類(lèi)交聯(lián)劑、金屬醇鹽類(lèi)交聯(lián)劑、金屬螯合物類(lèi)交聯(lián)劑、金屬鹽類(lèi)交聯(lián)劑、碳二亞胺類(lèi)交聯(lián)劑、噁唑啉類(lèi)交聯(lián)劑、氮丙啶類(lèi)交聯(lián)劑和胺類(lèi)交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑或環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名"COLONATE L”，由 NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括N, N, N' , N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂。要使用的交聯(lián)劑的量沒(méi)有特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當(dāng)選擇。具體地，優(yōu)選要使用的交聯(lián)劑的量通常為7重量份以下(例如0. 05至7重量份)，基于100重量份聚合物組分(特別地，在分子鏈末端具有官能團(tuán)的聚合物)。當(dāng)交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分大于7重量份時(shí)，粘合力降低，以致該情況是不優(yōu)選的。從改進(jìn)內(nèi)聚力的觀點(diǎn)，交聯(lián)劑的量?jī)?yōu)選0. 05重量份以上，基于100重量份聚合物組分。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，也可以通過(guò)用電子束或UV光等照射來(lái)進(jìn)行交聯(lián)處理。優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜著色。由此，可以顯示優(yōu)異的激光標(biāo)記性和優(yōu)異的外觀性，并且變得可以使半導(dǎo)體器件具有增值外觀性。如上，由于半導(dǎo)體背面用著色膜具有優(yōu)異的標(biāo)識(shí)性，通過(guò)利用各種標(biāo)識(shí)方法如印刷法和激光標(biāo)識(shí)法通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜可以進(jìn)行標(biāo)識(shí)以將各種信息如文字信息和圖形信息賦予半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)的面。特別地，通過(guò)控制著色的顏色，可以以優(yōu)異的可見(jiàn)度觀察通過(guò)標(biāo)識(shí)而賦予的信息(例如，文字信息和圖形信息)。另外，當(dāng)將半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)，能夠?qū)⑶懈顜Ш桶雽?dǎo)體背面用膜彼此容易地區(qū)分，從而能夠提高加工性等。另外，例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過(guò)使用不同顏色將其產(chǎn)品分類(lèi)。在將半導(dǎo)體背面用膜著色的情況下(所述膜既不是無(wú)色也不是透明的情況)，通過(guò)著色顯示的顏色沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選例如深色如黑色、藍(lán)色或紅色，并且黑色是特別適合的。本實(shí)施方案中，暗色基本上指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40以下(0至40)的在LW顏色空間中定義的L*的暗色。此外，黑色基本上是指具有35以下(0至3 ，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點(diǎn)上，在黑色中，在LW顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，f和b*兩者均在優(yōu)選-10至10，更優(yōu)選-5至5，進(jìn)一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本實(shí)施方案中，在LW顏色空間中定義的ΙΛ a*和b*可通過(guò)用色差計(jì)(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計(jì))測(cè)量來(lái)確定。LW顏色空間為在1976年由 CommissionInternationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，并且指稱作CIE1976(L*aV)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(Japanese IndustrialStandards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑(著色試劑)。作為此類(lèi)著色劑，可適當(dāng)使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。在這點(diǎn)上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽(yáng)離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。特別地，當(dāng)將染料用作著色劑時(shí)，染料變得處于在半導(dǎo)體背面用膜中通過(guò)溶解均勻或幾乎均勻分散的狀態(tài)，從而可以容易地生產(chǎn)具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度的半導(dǎo)體背面用膜(結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當(dāng)將染料用作著色劑時(shí)，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜能夠具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度并能夠增強(qiáng)標(biāo)識(shí)性和外觀性。黑色著色劑不特別限制，例如，可適當(dāng)?shù)剡x自無(wú)機(jī)黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為其中將青色著色劑(藍(lán)-綠著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫著色劑)和黃色著色劑(黃著色劑)混合的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。當(dāng)然，黑色著色劑可與除黑色之外其它顏色的著色劑組合使用。
黑色著色劑的具體實(shí)例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機(jī)黑色顏料。本發(fā)明中，作為黑色著色劑，可以使用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、四、34、43,70, C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等。作為此類(lèi)黑色著色劑，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名"Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black803”、商品名 “Oil Black 860”、商品名"Oil Black 5970”、商品名 “Oil Black 5906” 和商品名 “Oil Black 5905”(由 OrientChemicalIndustries Co.，Ltd.制造)等是商購(gòu)可得的。除黑色著色劑以外的著色劑的實(shí)例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實(shí)例包括青色染料如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性藍(lán)6和45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66 ;C. I.甕藍(lán) 4、60 ;C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實(shí)例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對(duì)、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實(shí)例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實(shí)例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨(dú)使用或兩種以上的組合使用。在此點(diǎn)上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒(méi)有特別限定，可根據(jù)各著色劑的種類(lèi)和目標(biāo)顏色等適當(dāng)選擇。在將半導(dǎo)體背面用膜2著色的情況中，著色的形式?jīng)]有特別限定。半導(dǎo)體背面用膜可以是例如，添加著色劑的單層膜狀制品。另外，所述膜可以是至少層壓由至少熱固性樹(shù)脂形成的樹(shù)脂層和著色劑層的層壓膜。在這點(diǎn)上，在半導(dǎo)體背面用膜2是樹(shù)脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，以層壓形式的半導(dǎo)體背面用膜2具有樹(shù)脂層/著色劑層/樹(shù)脂層的
11層壓形式。在此情況下，著色劑層兩側(cè)的兩個(gè)樹(shù)脂層可以是具有相同組成的樹(shù)脂層或可以是具有不同組成的樹(shù)脂層。根據(jù)需要可以向半導(dǎo)體背面用膜2中適當(dāng)?shù)毓不炱渌砑觿Ｆ渌砑觿┑膶?shí)例除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑以外，還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意無(wú)機(jī)填料和有機(jī)填料，但無(wú)機(jī)填料是合適的。通過(guò)共混填料如無(wú)機(jī)填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、改進(jìn)導(dǎo)熱性、控制彈性模量等。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體背面用膜2可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無(wú)機(jī)填料的實(shí)例包括由以下組成的各種無(wú)機(jī)粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鋁，氧化鈹，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀和焊料，以及碳等。填料可以單獨(dú)或兩種以上組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，更適合為熔凝硅石。無(wú)機(jī)填料的平均粒徑例如可通過(guò)激光衍射型粒徑分布測(cè)量設(shè)備來(lái)測(cè)量。要引入的填料(特別地，無(wú)機(jī)填料)的量?jī)?yōu)選在5重量份至95重量份、更優(yōu)選7重量份至90重量份、甚至更優(yōu)選10重量份至90重量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100重量份有機(jī)樹(shù)脂組分。當(dāng)填料的量在5重量份至95重量份的范圍內(nèi)時(shí)，則在與半導(dǎo)體背面用膜的面向半導(dǎo)體元件背面的面相對(duì)的一側(cè)上，可將半導(dǎo)體背面用膜表面的表面粗糙度(Ra)控制為落入預(yù)期范圍。阻燃劑的實(shí)例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹(shù)脂。阻燃劑可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。離子捕集劑的實(shí)例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。半導(dǎo)體背面用膜2可例如通過(guò)利用包括以下步驟的通常使用的方法形成將熱固性樹(shù)脂如酚醛樹(shù)脂和如果需要的熱塑性樹(shù)脂例如苯氧基樹(shù)脂和丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂和任選的溶劑以及其它添加劑混合以制備樹(shù)脂組合物，然后將其成形為膜狀層。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層(粘合劑層)例如能夠通過(guò)以下方法形成包括將樹(shù)脂組合物施涂于切割帶的壓敏粘合劑層32上的方法；包括將樹(shù)脂組合物施涂于適當(dāng)?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上以形成樹(shù)脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至壓敏粘合劑層32上的方法；等。在這點(diǎn)上，樹(shù)脂組合物可以是溶液或分散液。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂例如酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，在將所述膜施涂于半導(dǎo)體晶片前的階段，半導(dǎo)體背面用膜處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將它施涂至半導(dǎo)體晶片后(具體地，通常，在倒裝芯片接合步驟中將包封材料固化時(shí))，半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹(shù)脂完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜包含熱固性樹(shù)脂時(shí)，該膜也處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)沒(méi)有特別限定，但例如適當(dāng)?shù)卦?0重量％以下(0重量％至50重量％)并優(yōu)選30重量％以下(0重量％至30重量％)，特別優(yōu)選10重量％以下(0重量％至10重量％)的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)可以通過(guò)以下測(cè)量方法測(cè)量。<凝膠分?jǐn)?shù)測(cè)量方法>
從半導(dǎo)體背面用膜2中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時(shí)，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)下述表達(dá)式(a)計(jì)算凝膠分?jǐn)?shù)(重
量％ )。凝膠分?jǐn)?shù)(重量％)=[(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)]X100(a)半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)能夠通過(guò)樹(shù)脂組分的種類(lèi)和含量以及交聯(lián)劑的種類(lèi)和含量，以及除此之外的加熱溫度和加熱時(shí)間等來(lái)控制。本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜為由含熱固性樹(shù)脂例如酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可以有效地顯示對(duì)半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中使用切割水，半導(dǎo)體背面用膜吸濕，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水含量。當(dāng)在仍然保持如此高的水含量下進(jìn)行倒裝芯片接合時(shí)，水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體晶片或其加工主體(半導(dǎo)體)之間的粘合界面處，并有時(shí)產(chǎn)生浮起(lifting)。因此，通過(guò)將半導(dǎo)體背面用膜構(gòu)造為在其各表面上設(shè)置具有高透水性的芯材料的結(jié)構(gòu)，水蒸氣擴(kuò)散，由此能夠避免該問(wèn)題。從這樣的觀點(diǎn)，可以將其中半導(dǎo)體背面用膜形成于芯材料的一個(gè)表面或兩個(gè)表面上的多層結(jié)構(gòu)用作半導(dǎo)體背面用膜。芯材料的實(shí)例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜和聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂基板、硅基板和玻璃基板。半導(dǎo)體背面用膜2的厚度(在層壓膜的情況下的總厚度)不特別限定，但是其可以例如適當(dāng)?shù)剡x自約2 μ m至200 μ m的范圍。另外，厚度優(yōu)選約4 μ m至160 μ m，更優(yōu)選約6 μ m 至 100 μ m，特另Ij地約 10 μ m 至 80 μ m。半導(dǎo)體背面用膜2在23°C、未固化狀態(tài)下的拉伸貯能彈性模量?jī)?yōu)選為IGPa以上(如，Kffa至50GPa)，更優(yōu)選2GPa以上，特別地，3GPa以上是適合的。當(dāng)拉伸貯能彈性模量為IGPa以上時(shí)，在當(dāng)將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶的壓敏粘合劑層32剝離后，將半導(dǎo)體背面用膜2放置在支承體上并進(jìn)行運(yùn)輸?shù)葧r(shí)，能夠有效抑制或者防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。在這點(diǎn)上，支承體是例如在載帶中的頂帶和底帶等。在半導(dǎo)體背面用膜2是由含有熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，如前所述，熱固性樹(shù)脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的拉伸貯能彈性模量通常是在23°C下熱固性樹(shù)脂處于未固化或部分固化狀態(tài)的拉伸貯能彈性模量。此處，半導(dǎo)體背面用膜2可以為單層或者層壓多層的層壓膜，在層壓膜的情況下，作為整個(gè)層壓膜在未固化狀態(tài)下的拉伸貯能彈性模量充分地為IGPa以上(如，Kffa至50GPa)。此外，處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜的拉伸貯能彈性模量(23°C )能夠通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定樹(shù)脂組分(熱塑性樹(shù)脂和/或熱固性樹(shù)脂)的種類(lèi)和含量或填料如二氧化硅填料的種類(lèi)和含量來(lái)控制。在半導(dǎo)體背面用膜2是層壓多層的層壓膜的情況下(在半導(dǎo)體背面用膜具有層壓層的形式的情況下)，作為層壓層形式，例如可以示例由晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層組成的層壓形式。另外，在晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層之間，可以設(shè)置其它層(中間層、遮光層、增強(qiáng)層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。在這點(diǎn)上，晶片粘合層是顯示對(duì)晶片的優(yōu)異緊密粘合性(粘合性能)的層并且是與晶片背面接觸的層。另一方面，激光標(biāo)識(shí)層是顯示優(yōu)異激光標(biāo)識(shí)性的層并且是在半導(dǎo)體芯片的背面上在激光標(biāo)識(shí)時(shí)利用的層。拉伸貯能彈性模量通過(guò)以下方式測(cè)定制備沒(méi)有層壓在切割帶3上的處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜2，并使用由Geometries Co.，Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備〃 SolidAnalyzer RS A2〃，在預(yù)定溫度(23°C )，氮?dú)鈿夥障拢跇悠穼挾?0mm、樣品長(zhǎng)度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測(cè)量彈性模量，并將測(cè)量的彈性模量作為獲得的拉伸貯能彈性模量的值。優(yōu)選地，半導(dǎo)體背面用膜2在其至少一個(gè)表面上用隔離膜(剝離襯墊)保護(hù)(在圖中未示出)。例如，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，可將隔離膜設(shè)置于半導(dǎo)體背面用膜的至少一個(gè)表面上。另一方面，在沒(méi)有集成切割帶的半導(dǎo)體背面用膜中，隔離膜可以設(shè)置于半導(dǎo)體背面用膜的一個(gè)表面或兩個(gè)表面上。隔離膜具有作為用于保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜直至其實(shí)際使用的防護(hù)材料的功能。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，隔離膜可以進(jìn)一步用作將半導(dǎo)體背面用膜2轉(zhuǎn)移至切割帶基材的壓敏粘合劑層32上的支承基材。當(dāng)半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上時(shí)將隔離膜剝離。作為隔離膜，還可以使用聚乙烯或聚丙烯膜以及表面涂布有脫模劑如氟類(lèi)脫模劑或長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類(lèi)脫模劑的塑料膜(例如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或紙等。隔離膜可通過(guò)常規(guī)已知方法形成。另外，隔離膜的厚度等沒(méi)有特別限定。在半導(dǎo)體背面用膜2沒(méi)有層壓切割帶3的情況下，半導(dǎo)體背面用膜2可以與在其兩側(cè)具有脫模層的一個(gè)隔離膜一起卷起成為其中所述膜2用在其兩個(gè)表面上具有脫模層的隔離膜保護(hù)的卷形物(roll)、或所述膜2在其至少一個(gè)表面上具有脫模層的隔離膜保護(hù)的卷形物。此外，半導(dǎo)體背面用膜2中可見(jiàn)光的透光率(可見(jiàn)光透光率，波長(zhǎng)400-800nm)沒(méi)有特別限定，但例如，優(yōu)選在20%以下(0%-20% )、更優(yōu)選在10%以下(0%-10%)，特別優(yōu)選5%以下(0%-5%)的范圍內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2具有大于20%的可見(jiàn)光透光率時(shí)，存在光的透過(guò)可能不利地影響半導(dǎo)體元件的顧慮?？梢?jiàn)光透光率(％ )可以通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2的樹(shù)脂組分的種類(lèi)和含量，著色劑(如，顏料或染料)的種類(lèi)和含量以及無(wú)機(jī)填料的含量等來(lái)控制。半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透光率(％ )能夠如下確定。即，制備本身厚度(平均厚度)為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2。接著，將半導(dǎo)體背面用膜2用具有400-800nm波長(zhǎng)的可見(jiàn)光以預(yù)定強(qiáng)度照射[設(shè)備由Siimadzu Corporation制造的可見(jiàn)光產(chǎn)生設(shè)備[商品名〃 ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER"]]，并測(cè)量透過(guò)的可見(jiàn)光的強(qiáng)度。此外，可以基于穿過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)前后強(qiáng)度的變化來(lái)測(cè)定可見(jiàn)光透光率(％ )。在這點(diǎn)上，還可以從其厚度不是20μπι的半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透光率(％ ；波長(zhǎng)400至800nm)的值得到具有20 μ m厚度的半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透光率(％ ；波長(zhǎng)400至SOOnm)。本發(fā)明中，雖然在具有20 μ m厚度的半導(dǎo)體背面用膜2的情況下測(cè)定了可見(jiàn)光透光率(％ )，但是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜不限于具有20 μ m厚度的膜。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較低吸濕度的膜。具體地，吸濕度優(yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過(guò)將吸濕度調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)
14識(shí)性。此外，例如，在再流步驟(reflow step)中能夠抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜2和半導(dǎo)體元件之間的空隙的產(chǎn)生。吸濕度是由使半導(dǎo)體背面用膜2在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時(shí)前后的重量變化計(jì)算的值。在半導(dǎo)體背面用膜2是由含熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，吸濕度意指當(dāng)將熱固化后的膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時(shí)時(shí)得到的值。另外，吸濕度能夠例如通過(guò)改變待添加的無(wú)機(jī)填料的量來(lái)調(diào)整。另外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，具有較小比率的揮發(fā)物的膜是更優(yōu)選的。具體地，熱處理后半導(dǎo)體背面用膜2的重量降低比率(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下并更優(yōu)選0.8重量％以下。用于熱處理的條件為加熱溫度250°C和加熱時(shí)間1小時(shí)。通過(guò)調(diào)整重量減少率至1重量％以下，可以增強(qiáng)激光標(biāo)識(shí)性。另外，例如在再流步驟中可以抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中的裂紋的產(chǎn)生。重量減少率可例如通過(guò)在無(wú)鉛焊料再流時(shí)添加能夠減少裂紋產(chǎn)生的無(wú)機(jī)物質(zhì)來(lái)調(diào)整。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂組分的樹(shù)脂組合物形成的情況下，重量減少率為當(dāng)將熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C和加熱時(shí)間為1小時(shí)的條件下加熱時(shí)獲得的值。(切割帶)切割帶3包括基材31和形成于基材31上的壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3具有其中層壓基材31和壓敏粘合劑層32的構(gòu)造是足夠的。基材(支承基材)能夠用作壓敏粘合劑層等的支承材料?；?1優(yōu)選具有放射線透過(guò)性。作為基材31，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類(lèi)基材如紙；纖維類(lèi)基材如織物、無(wú)紡布、氈和網(wǎng)；金屬類(lèi)基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類(lèi)基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料類(lèi)材料與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合使用塑料基材如塑料膜和片。此類(lèi)塑料材料的原料實(shí)例包括烯屬樹(shù)脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺類(lèi)樹(shù)脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(wholearomaticpolyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類(lèi)樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；和氟化樹(shù)脂。此外，基材31的材料包括聚合物如前述樹(shù)脂的交聯(lián)材料。塑料膜可在不拉伸的情況下使用或者需要時(shí)可在進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過(guò)拉伸處理等賦予熱收縮性的樹(shù)脂片，在切割后通過(guò)基材31的熱收縮減小壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2之間的粘合面積，因而能夠使半導(dǎo)體芯片的回收容易。為了提高與鄰接層的緊密粘合性、保持性等，可在基材31的表面上實(shí)施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)(例如稍后提及的壓敏粘合劑物質(zhì))的涂布處理。作為基材31，可適當(dāng)選擇和使用相同種類(lèi)或不同種類(lèi)的材料，需要時(shí)，可將幾種材料共混并使用。此外，為了賦予基材31以抗靜電能力，可在基材31上形成由金屬、合金或其氧化物組成的厚度為約30至500埃的導(dǎo)電性物質(zhì)的氣相沉積層。基材31可為單層或其兩層以上的多層?；?1的厚度(在層壓層的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限定，可依賴于強(qiáng)度、撓性及預(yù)期的用途等適當(dāng)選擇。例如，厚度通常為IOOOym以下(例如Iym至ΙΟΟΟμπι)，優(yōu)選10 μ m至500 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選20 μ m至300 μ m，特別優(yōu)選約30 μ m至200 μ m，但不限于此。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)等的范圍內(nèi)，基材31可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層32由壓敏粘合劑形成并具有壓敏粘合性。沒(méi)有具體限定，壓敏粘合劑可以適當(dāng)?shù)剡x自已知壓敏粘合劑。具體地，作為壓敏粘合劑，例如具有上述特性的壓敏粘合劑可在已知的壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇并在此處使用，所述已知的壓敏粘合劑例如丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑、橡膠類(lèi)壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類(lèi)壓敏粘合劑、硅酮類(lèi)壓敏粘合劑、聚酯類(lèi)壓敏粘合劑、聚酰胺類(lèi)壓敏粘合劑、聚氨酯類(lèi)壓敏粘合劑、氟類(lèi)壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類(lèi)壓敏粘合劑，和通過(guò)將具有不高于200°C熔點(diǎn)的熱熔融性樹(shù)脂混入上述壓敏粘合劑中制備的蠕變特性改進(jìn)的壓敏粘合劑(例如，參見(jiàn)JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，將其引入此處以作參考)。作為壓敏粘合劑，此處也可使用照射固化性壓敏粘合劑(或能量射線固化性壓敏粘合劑)和熱膨脹性壓敏粘合劑。這里一種或多種這樣的壓敏粘合劑可單獨(dú)或作為組合使用。作為壓敏粘合劑，此處優(yōu)選使用的是丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑和橡膠類(lèi)壓敏粘合劑，并且更優(yōu)選的是丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑。丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑包括含有一種或多種(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類(lèi)聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎(chǔ)聚合物的那些。用于丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑的(甲基)丙烯酸烷基酯包括，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優(yōu)選其中烷基具有4至18個(gè)碳原子的那些。在(甲基)丙烯酸酯烷基中，烷基可以是直鏈或支鏈的。為了改善內(nèi)聚力、耐熱性及其交聯(lián)性的目的，如果期望的話，所述丙烯酸類(lèi)聚合物可包含與上述(甲基)丙烯酸烷基酯可共聚合的任何其它單體組分(可共聚合單體組分)對(duì)應(yīng)的單元?？晒簿酆蠁误w組分包括例如含羧基單體如(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸；含酸酐基團(tuán)單體如馬來(lái)酸酐、衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲
16基)丙烯酸羥月桂酯、(4-羥甲基環(huán)己基)甲基甲基丙烯酸酯；含磺酸基的單體例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺-丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團(tuán)的單體例如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroethylacryloylphosphate) ； (N-取代)酰胺單體例如(甲基)丙烯酰胺、N, N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯單體例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯單體例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯單體例如丙烯腈、甲基丙烯腈；含環(huán)氧基丙烯酸類(lèi)單體如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類(lèi)單體如苯乙烯、α -甲基苯乙烯；乙烯基酯類(lèi)單體例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烴類(lèi)單體如異戊二烯、丁二烯、異丁烯；乙烯基醚類(lèi)單體例如乙烯基醚；含氮單體如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺、N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來(lái)酰亞胺類(lèi)單體如N-環(huán)己基馬來(lái)酰亞胺、N-異丙基馬來(lái)酰亞胺、N-月桂基馬來(lái)酰亞胺、N-苯基馬來(lái)酰亞胺；衣康酰亞胺類(lèi)單體如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺；琥珀酰亞胺類(lèi)單體如N-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、Ν-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類(lèi)丙烯酸酯單體如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)、甲氧基聚丙二酉享(甲基)丙烯酸酉旨(methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有雜環(huán)、鹵原子或硅原子等的丙烯酸酯類(lèi)單體，如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(f luoro (meth) acrylate)和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能單體如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸環(huán)氧酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯，等等。這里一種或多種這些可共聚合單體組分可單獨(dú)或作為組合使用。本發(fā)明中可用的照射固化性壓敏粘合劑(或能量射線固化性壓敏粘合劑)(組合物)包括，例如，含有在聚合物側(cè)鏈、主鏈或主鏈末端中具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部型照射固化性壓敏粘合劑，及通過(guò)將UV固化性單體組分或低聚物組分引入壓敏粘合劑中制備的照射固化性壓敏粘合劑。此處也可以使用的熱膨脹性壓敏粘合劑包含例如，含有壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別地，熱膨脹性微球)的那些。本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層32可包含各種添加劑(如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑
寸J ο交聯(lián)劑沒(méi)有特別限定，可以使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑、環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑、三聚氰胺類(lèi)交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類(lèi)交聯(lián)劑，還可提及脲類(lèi)交聯(lián)劑、金屬醇鹽類(lèi)交聯(lián)劑、金屬螯合物類(lèi)交聯(lián)劑、金屬鹽類(lèi)交聯(lián)劑、碳二亞胺類(lèi)交聯(lián)劑、噁唑啉類(lèi)交聯(lián)劑、氮丙啶類(lèi)交聯(lián)劑和胺類(lèi)交聯(lián)劑等，并且異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑和環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。此外，待使用的交聯(lián)劑的量沒(méi)有特別限定。異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名"C0L0NATE L”，由 NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括N, N, N' , N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及還有在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，也可以通過(guò)用電子束或UV射線照射將壓敏粘合劑層交聯(lián)。壓敏粘合劑層32例如可通過(guò)利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑，然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，例如可提及以下方法包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物施涂至基材31上的方法；包括施涂上述混合物至適當(dāng)?shù)母綦x膜(如剝離紙)上以形成壓敏粘合劑層32，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至基材31上的方法；等等。沒(méi)有特別限定，壓敏粘合劑層32的厚度，例如，可以為5 μ m至300 μ m(優(yōu)選5 μ m至200 μ m,更優(yōu)選5 μ m至100 μ m，甚至更優(yōu)選7 μ m至50 μ m)左右。當(dāng)壓敏粘合劑層32的厚度落入上述范圍內(nèi)時(shí)，則該層能夠顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈狭?。壓敏粘合劑?2可為單層或多層。切割帶3的壓敏粘合劑層32對(duì)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2的粘合力(23°C，剝離角180度，剝離速率300mm/min)優(yōu)選在0. 02N/20mm至10N/20mm，更優(yōu)選0. 05N/20mm至5N/20mm的范圍內(nèi)。當(dāng)粘合力為至少0. 02N/20mm時(shí)，則在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)可以防止半導(dǎo)體芯片的飛散。另一方面，當(dāng)粘合力為至多10N/20mm時(shí)，則在拾取它們時(shí)使半導(dǎo)體芯片的剝離容易，并防止壓敏粘合劑殘留。此外，在本發(fā)明中，可使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于在其粘合時(shí)和剝離時(shí)靜電能的產(chǎn)生或由于半導(dǎo)體晶片等通過(guò)靜電能的帶電導(dǎo)致的短路。賦予抗靜電功能可通過(guò)適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM(jìn)行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2的方法，或在基材31上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進(jìn)導(dǎo)熱性等的目的要共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實(shí)例包括銀、鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐?、針形或薄片形金屬粉末；金屬氧化物如氧化鋁；無(wú)定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選是非導(dǎo)電性的。此外，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過(guò)隔離膜保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用膜2和切割帶3的層壓體的狀態(tài)將該膜卷繞成卷形物，由此可將膜制備為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。在這點(diǎn)上，處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可由基材31、在基材31的一個(gè)表面上形成的壓敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑層32上形成的半導(dǎo)體背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的厚度(半導(dǎo)體背面用膜的厚度以及包括基材31和壓敏粘合劑層32的切割帶的厚度的總厚度)可在例如8 μ m至1，500 μ m的范圍內(nèi)選擇，其優(yōu)選20 μ m至850 μ m,更優(yōu)選31 μ m至500 μ m，特別優(yōu)選47 μ m至330 μ m。在這點(diǎn)上，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，通過(guò)控制半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度的比或半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶的厚度(基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度)的比，能夠改進(jìn)切割步驟時(shí)的切割性和拾取步驟時(shí)的拾取性等，并且從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠有效利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)使用示于圖1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1作為實(shí)例而描述根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法。首先，基材31可通過(guò)常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實(shí)例包括壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法(casting method)、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠出法和在剝離的半導(dǎo)體芯片上的干法層壓法。接著，將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31上，并在其上干燥(和任選地在加熱下交聯(lián))以形成壓敏粘合劑層32。施涂方法(coating system)包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screencoating)、凹版涂布(gravure coating)等。壓敏粘合劑組合物可直接施涂至基材31上，以在基材31上形成壓敏粘合劑層32 ；或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面已進(jìn)行加工以潤(rùn)滑的剝離紙等上以在其上形成壓敏粘合劑層32，并可將壓敏粘合劑層32轉(zhuǎn)移至基材31上。由此，形成具有在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3。另一方面，將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料施涂至剝離紙上以形成具有規(guī)定的干厚度的涂層，然后在規(guī)定條件下干燥(在需要熱固化的情況下，任選加熱，并干燥)以形成涂層。在此情況下，剝離紙優(yōu)選具有表面粗糙度(Ra)為50nm-3 μ m、更優(yōu)選60nm-2 μ m、甚至更優(yōu)選70nm-l μ m。當(dāng)剝離紙的表面粗糙度(Ra)在50nm-3 μ m的范圍內(nèi)時(shí)，在其面向所述剝離紙側(cè)的涂層(半導(dǎo)體背面用膜幻的表面粗糙度可以為期望的表面粗糙度。用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料可以施涂至第一剝離紙上，然后可以將第二剝離紙層疊在其上隨后干燥從而形成半導(dǎo)體背面用膜2。在此情況下，選擇第一剝離紙或第二剝離紙中任一以使其能夠使得半導(dǎo)體背面用膜2的表面平滑，并且選擇兩者中另一個(gè)以使其能夠使得半導(dǎo)體背面用膜2的表面粗糙度(Ra)落入50ηπι-3μπι的范圍。將該涂層(半導(dǎo)體背面用膜2、轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上，從而在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。半導(dǎo)體背面用膜2可依賴于要加入其中的填料的粒徑(平均粒徑、最大粒徑等)和量來(lái)調(diào)整。關(guān)于填料的粒徑，重要的是其平均粒徑或最大粒徑為50ηπι-3μπι，但是即使當(dāng)所述尺寸大于3 μ m時(shí)，依賴于半導(dǎo)體背面用膜的厚度和填料的量，也可以使得半導(dǎo)體背面用膜2的表面粗糙度(Ra)落入50ηπι-3μπι的范圍。具體地，填料的平均粒徑優(yōu)選100nm-2 μ m,更優(yōu)選300nm_l μ m。填料的最大粒徑優(yōu)選至多5 μ m，更優(yōu)選至多4 μ m，甚至更優(yōu)選至多3 μ m(但是重要的是填料的平均粒徑落入上述范圍)。根據(jù)以上所述，可以獲得本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。在形成半導(dǎo)體背面用膜2時(shí)需要熱固化的情況下，重要的是進(jìn)行熱固化至要成為膜的涂層能夠部分固化的程度，但是優(yōu)選不將涂層熱固化。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1能夠在包括倒裝芯片連接步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時(shí)適當(dāng)使用。即，在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)時(shí)使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1，因此以將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的狀態(tài)或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，可以將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于通過(guò)倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定于被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。如在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，半導(dǎo)體背面用膜2也可用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于用倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定至被粘物如基板等的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)也是有用的。當(dāng)將已經(jīng)將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜粘貼至其的半導(dǎo)體元件貯存在貯存用構(gòu)件(例如，覆蓋帶)中時(shí)，防止形成于半導(dǎo)體元件背面上的半導(dǎo)體背面用膜在其貯存期間粘著或粘合至貯存用構(gòu)件，并且當(dāng)將半導(dǎo)體元件從貯存用構(gòu)件取出時(shí)，其可以容易地取出。(半導(dǎo)體晶片)半導(dǎo)體晶片不特別限制，只要其為已知的或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，并且可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當(dāng)?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)將參考圖2A至2D描述用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法。圖2A至2D為示出在使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的情況下生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的截面示意圖。根據(jù)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法，半導(dǎo)體器件可使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1生產(chǎn)。具體地，該方法包括以下步驟將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割集成膜上的步驟，切割半導(dǎo)體晶片的步驟，拾取通過(guò)切割獲得的半導(dǎo)體元件的步驟，和將半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物上的步驟。此外，當(dāng)使用半導(dǎo)體背面用膜2時(shí)，半導(dǎo)體器件也可以根據(jù)使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法來(lái)生產(chǎn)。例如，將半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至切割帶并與切割帶集成從而制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，并且半導(dǎo)體器件可以使用切割帶集成
20膜來(lái)生產(chǎn)。在此情況下，使用半導(dǎo)體背面用膜2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法包括以下步驟上述構(gòu)成使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法的步驟，并且與其結(jié)合，將半導(dǎo)體背面用膜和切割帶以半導(dǎo)體背面用膜能夠與切割帶的壓敏粘合劑層接觸這樣的方式粘貼的附加步驟。可選擇地，半導(dǎo)體背面用膜2可以通過(guò)直接粘貼至半導(dǎo)體晶片而不與切割帶集成而使用。在此情況下，使用半導(dǎo)體背面用膜2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法包括以下步驟將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體晶片的步驟，接著以半導(dǎo)體背面用膜能夠與切割帶的壓敏粘合劑層接觸這樣的方式將切割帶粘貼至具有粘貼至其的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體背面用膜的步驟，代替在上述使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法中的將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上的步驟。在其另一應(yīng)用實(shí)施方案中，可以將半導(dǎo)體背面用膜2直接粘貼至通過(guò)將半導(dǎo)體晶片切割成單個(gè)的半導(dǎo)體芯片而制備的半導(dǎo)體芯片。在此情況下，使用半導(dǎo)體背面用膜2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法包括，例如，至少以下步驟將切割帶粘貼至半導(dǎo)體晶片的步驟，切割半導(dǎo)體晶片的步驟，拾取通過(guò)切割獲得的半導(dǎo)體元件的步驟，將半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物上的步驟，和將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體元件的步驟。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將任選地在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜2上設(shè)置的隔離膜適當(dāng)剝離并將半導(dǎo)體晶片4粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2上以通過(guò)粘合和保持來(lái)固定(安裝步驟)。在此情況下，半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))。此外，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指與電路面相對(duì)的面(也稱為非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法不特別限制，但優(yōu)選通過(guò)壓接的方法。壓接通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時(shí)進(jìn)行。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個(gè)體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。此外，本步驟可采取例如形成到達(dá)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口(slit)稱作完全切斷的切斷方法。用于本步驟的切割設(shè)備沒(méi)有特別限定，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過(guò)具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面切割帶集成膜1來(lái)粘貼和固定，可以抑制芯片破裂和芯片飛散，以及還可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。在這點(diǎn)上，當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成時(shí)，即使當(dāng)將其通過(guò)切割切斷時(shí)，也能夠抑制或防止在切斷面處產(chǎn)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜的粘合劑層擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可更加方便地進(jìn)行以下要描述的拾取。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1擴(kuò)展(expand)的情況下，擴(kuò)展可使用常規(guī)已知的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動(dòng)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1向下通過(guò)切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過(guò)彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取，以將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3剝離。拾取方法沒(méi)有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動(dòng)各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點(diǎn)上，拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面用半導(dǎo)體背面用膜2保護(hù)。接著，將拾取的半導(dǎo)體芯片5收納在用于輸送它們的貯存用構(gòu)件中。在貯存用構(gòu)件中，形成的是沿帶狀厚板的縱向以預(yù)定間隔的電子部件收納凹部。在將半導(dǎo)體芯片5放置在所述凹部中之后，將構(gòu)件的上面用覆蓋帶熱封，接著將構(gòu)件卷繞成卷形物并且輸送。(倒裝芯片連接步驟)在已經(jīng)輸送半導(dǎo)體芯片的位置處，將覆蓋帶從貯存用構(gòu)件剝離并且將收納的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)空氣噴嘴吸附。如圖2D所示，將通過(guò)空氣噴嘴吸附的半導(dǎo)體芯片5根據(jù)倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物如基板上。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為表面、電路圖案形成面或電極形成面)可以面向被粘物6的方式，根據(jù)常規(guī)方法將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6。例如，在將半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K51壓向粘合至被粘物6的連接墊的接合導(dǎo)電性材料(如焊料)61的同時(shí)，熔融導(dǎo)電性材料，以確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的電連接，并由此將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6 (倒裝芯片接合步驟)。在此情況下，在半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間形成間隙，間隙距離通常為30至300 μ m左右。在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)至被粘物6之后，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的界面以及間隙洗滌，并將兩者通過(guò)用包封材料(如包封樹(shù)脂)填充間隙中來(lái)密封。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜](méi)有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實(shí)例包括環(huán)氧基板、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟中，凸塊的材料和導(dǎo)電性材料不特別限制，其實(shí)例包括焊料(合金)如錫-鉛類(lèi)金屬材料、錫-銀類(lèi)金屬材料、錫-銀-銅類(lèi)金屬材料、錫-鋅類(lèi)金屬材料和錫-鋅-鉍類(lèi)金屬材料，及金類(lèi)金屬材料和銅類(lèi)金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幍耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時(shí)的溫度通常為約2600C (例如，250°C至300°C)。通過(guò)形成具有環(huán)氧樹(shù)脂等的半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對(duì)面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時(shí)使用的洗滌液沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括有機(jī)洗滌液和水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對(duì)洗滌液的耐溶劑性，并且對(duì)這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過(guò)任何常規(guī)方法而無(wú)需任何特別的洗滌液實(shí)現(xiàn)該洗滌。接著，進(jìn)行包封步驟以包封倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。包封步驟使用包封樹(shù)脂進(jìn)行。在此情況下的包封條件不特別限制，但包封樹(shù)脂的固化通常在175°C下進(jìn)行60秒至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C的溫度下進(jìn)行幾分鐘。由于該步驟，半導(dǎo)體背面用膜2可完全或幾乎完全固化并能夠以優(yōu)異的緊密粘合性粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。此外，即使當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)時(shí)，該膜也可在包封步驟時(shí)與包封材料一起熱固化，因此不需要新添加半導(dǎo)體背面用膜2的熱固化步驟。包封樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)即可，并可在已知包封材料如包封樹(shù)脂中適當(dāng)選擇和使用。包封樹(shù)脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹(shù)脂。包封樹(shù)脂的實(shí)例包括含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹(shù)脂。此外，由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物組成的包封樹(shù)脂除了環(huán)氧樹(shù)脂之外還可包含除了環(huán)氧樹(shù)脂之外的熱固性樹(shù)脂(如酚醛樹(shù)脂)或熱塑性樹(shù)脂。此外，也可利用酚醛樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂用固化劑，作為此類(lèi)酚醛樹(shù)脂，可提及以上示例的酚醛樹(shù)脂。根據(jù)使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2制造的半導(dǎo)體器件(倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面，因此，可以以優(yōu)良的可見(jiàn)度實(shí)施激光標(biāo)識(shí)。特別地，即使當(dāng)標(biāo)識(shí)方法是激光標(biāo)識(shí)法時(shí)，激光標(biāo)識(shí)也能夠以優(yōu)良的對(duì)比度實(shí)施，并可以以良好的可見(jiàn)度觀察通過(guò)激光標(biāo)識(shí)實(shí)施的各種信息(例如文字信息和圖形信息)。在激光標(biāo)識(shí)時(shí)，可利用已知激光標(biāo)識(shí)設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒(méi)有特別限定，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準(zhǔn)分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是合適的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒(méi)有特別限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和￥￥04激光器是合適的。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過(guò)倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，該器件與通過(guò)模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因而，可適當(dāng)采用半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動(dòng)電話”和“PHS”，小型計(jì)算機(jī)[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個(gè)人計(jì)算機(jī)”，所謂的“Net Book (商標(biāo))”和所謂的“可穿戴計(jì)算機(jī)”等]，具有“移動(dòng)電話”和計(jì)算機(jī)集成形式的小型電子器件，所謂的“DigitalCamera (商標(biāo))”，所謂的“數(shù)碼攝像機(jī)”，小型電視機(jī)，小尺寸游戲機(jī)，小型數(shù)字音頻播放機(jī)，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書(shū)”的電子器件終端，移動(dòng)電子器件(可攜帶電子器件)如小型數(shù)字型手表等。不必說(shuō)，也可提及除了移動(dòng)器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)”、薄型電視機(jī)、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤(pán)錄像機(jī)(hard disk recorders)、DVD播放機(jī)等)、投影儀和微型機(jī)等。此外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件不特別限制，其實(shí)例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲(chǔ)器”、硬盤(pán)等)的構(gòu)件。實(shí)施例以下將詳細(xì)地說(shuō)明性描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例，除非其超出本發(fā)明的主旨。此外，除非另外說(shuō)明，在各實(shí)施例中的份為重量標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)施例1<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100 份丙烯酸類(lèi)樹(shù)月旨(商品名 “SG-708-6”，由 NagaseChemteX Corporation制造)，將40份苯氧基樹(shù)脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造),129份酚醛樹(shù)脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemical Co.，Ltd.制造)、663份球形二氧化硅(商品名"S0-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，具有平均粒徑為0. 5 μ m)、14份染料(商品名“OILBLACK BS”，由 OrientChemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 1 份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemical Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的粘合劑組合物溶液。將該粘合劑組合物溶液施涂至作為剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由具有厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)60 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜A。對(duì)于采用粘合劑組合物的涂布，使用的是棒涂機(jī)。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>使用手動(dòng)輥，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜A粘貼至切割帶(商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Co.，Ltd.制造；基材平均厚度，65 μ m ；壓敏粘合劑層的平均厚度，10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜A。實(shí)施例2<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100 份丙烯酸類(lèi)樹(shù)月旨(商品名 “SG-708-6，，，由 NagaseChemteX Corporation制造)，將40份苯氧基樹(shù)脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造),129份酚醛樹(shù)脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemical Co. ,Ltd.制造)、1137份球形二氧化硅(商品名“S0-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，具有平均粒徑為0. 5 μ m)、14份染料(商品名"OILBLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)和 1 份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemical Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的粘合劑組合物溶液。將該粘合劑組合物溶液施涂至作為剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由具有厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)60 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜B。采用粘合劑組合物的涂布方法與實(shí)施例1相同。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>使用手動(dòng)輥，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜B粘貼至切割帶(商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Co.，Ltd.制造；基材平均厚度，65 μ m ；壓敏粘合劑層的平均厚度，10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜B。實(shí)施例3<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100 份丙烯酸類(lèi)樹(shù)月旨(商品名 “SG-708-6，，，由 NagaseChemteX Corporation制造)，將40份苯氧基樹(shù)脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造),129份酚醛樹(shù)脂(商品名"MEH-8320",由Meiwa Chemical Co.，Ltd.制造)、426份球形二氧化硅(商品名"S0-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，具有平均粒徑為0. 5 μ m)、14份染料(商品名‘‘OILBLACK BS”，由 OrientChemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 1 份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名‘‘2PHZ-PW”，由Shikoku Chemical Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的粘合劑組合物溶液。
將該粘合劑組合物溶液施涂至作為剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由具有厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)60 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜C。采用粘合劑組合物的涂布方法與實(shí)施例1相同。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>使用手動(dòng)輥，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜C粘貼至切割帶(商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Co.，Ltd.制造；基材平均厚度，65 μ m ；壓敏粘合劑層的平均厚度，10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜C。實(shí)施例4<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100 份丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂(商品名 “SG-708-6，，，由 NagaseChemteX Corporation制造)，將40份苯氧基樹(shù)脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造),129份酚醛樹(shù)脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemical Co.，Ltd.制造)、284份球形二氧化硅(商品名"S0-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，具有平均粒徑為0. 5 μ m)、14份染料(商品名“OILBLACK BS”，由 OrientChemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 1 份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemical Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的粘合劑組合物溶液。將該粘合劑組合物溶液施涂至作為剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由具有厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)60 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜D。采用粘合劑組合物的涂布方法與實(shí)施例1相同。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>使用手動(dòng)輥，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜D粘貼至切割帶(商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Co.，Ltd.制造；基材平均厚度，65 μ m ；壓敏粘合劑層的平均厚度，10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜D。比較例1<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100 份丙烯酸類(lèi)樹(shù)月旨(商品名 “SG-708-6，，，由 NagaseChemteX Corporation制造)，將40份苯氧基樹(shù)脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造),129份酚醛樹(shù)脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemical Co.，Ltd.制造),189份球形二氧化硅(商品名“S0-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，具有平均粒徑為0. 5 μ m)、14份染料(商品名"OILBLACK BS”，由 OrientChemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 1 份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemical Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的粘合劑組合物溶液。將該粘合劑組合物溶液施涂至作為剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由具有厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)60 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜E。采用粘合劑組合物的涂布方法與實(shí)施例1相同。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>
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使用手動(dòng)輥，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜E粘貼至切割帶(商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Co.，Ltd.制造；基材平均厚度，65 μ m ；壓敏粘合劑層的平均厚度，10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜E。(表面粗糙度的測(cè)量)各倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜A-E的暴露側(cè)(與隔離襯墊相對(duì)的側(cè))的表面粗糙度(Ra)根據(jù)JIS B0601采用非接觸三維粗糙度儀(WYK0的NT3300)測(cè)量。測(cè)量條件為50倍能量。得到的數(shù)據(jù)通過(guò)中值濾波器(median filter)處理從而得到預(yù)期的粗糙度值。每個(gè)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在其中不同的5個(gè)位置處分析，將數(shù)據(jù)平均從而得到膜的表面粗糙度(Ra)。結(jié)果示于以下表1中。(對(duì)覆蓋帶的粘合的確認(rèn))首先，將隔離膜從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜剝離，在70°C下將半導(dǎo)體晶片(具有直徑為8英寸和厚度為200 μ m的硅鏡面晶片)通過(guò)輥壓接合粘貼在半導(dǎo)體背面用膜上。此外，將半導(dǎo)體晶片以完全切斷切割的模式切割從而得到10-mm見(jiàn)方的芯片。粘貼條件和切割條件如下(粘貼條件)粘貼設(shè)備商品名“MA-3000III，，，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘貼速度10mm/min粘貼壓力0.I5MPa粘貼時(shí)的階段溫度70°C(切割條件)切割設(shè)備商品名“DFD-6361，，，由 DIS CO Corporation 制造切割環(huán)“2-8-1”(由 DISCO Corporation 制造)切割速度30mm/sec切割刀Zl ；"2030-SE 27HCDD”，由 DISCO Corporation 制造Z2 ；"2030-SE 27HCBB”，由 DISCO Corporation 制造切割刀旋轉(zhuǎn)速度Zl ；40, 000r/minZ2 ；45, 000r/min切割方法階梯切割(st印cutting)晶片芯片尺寸10. Omm見(jiàn)方接下來(lái)，通過(guò)用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的切割帶側(cè)向上推動(dòng)半導(dǎo)體芯片，將通過(guò)切割獲得的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從壓敏粘合劑層拾取。拾取條件如下(拾取條件)拾取設(shè)備商品名‘‘SPA-300”，由 Shinkawa Co.，Ltd.制造拾取針狀物的數(shù)量9個(gè)針狀物針狀物的向上推動(dòng)速度20mm/s針狀物的向上推動(dòng)距離500 μ m
拾取時(shí)間1秒切割帶擴(kuò)展量3mm由此拾取，將具有粘貼至其的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體芯片以倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜側(cè)能夠面向覆蓋帶這樣的方式放在覆蓋帶(商品名"感壓式覆蓋帶No. 2663"，由3M制造)上，并且在50°C下干燥4天。隨后，將器件保持帶翻轉(zhuǎn)，并且將從其中掉出具有粘貼至其的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體芯片的樣品評(píng)價(jià)為“良好”，將從其中不掉出半導(dǎo)體芯片的樣品評(píng)價(jià)為“差”。結(jié)果示于以下表1中。表權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜要形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件背面上，其中當(dāng)所述膜形成于所述半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，所述膜在其不面向所述半導(dǎo)體元件背面的一個(gè)面的表面粗糙度(Ra)在固化前在 50nm-3 μ m范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有在2 μ m-200 μ m范圍內(nèi)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述半導(dǎo)體元件具有在 20 μ m-300 μ m范圍內(nèi)的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述半導(dǎo)體元件具有在 20 μ m-300 μ m范圍內(nèi)的厚度。
5.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶和層壓在所述切割帶上的根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述切割帶包括基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層，和所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜層壓在所述壓敏粘合劑層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其具有在2μ m-200 μ m范圍內(nèi)的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述半導(dǎo)體元件具有在 20 μ m-300 μ m范圍內(nèi)的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述半導(dǎo)體元件具有在 20 μ m-300 μ m范圍內(nèi)的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。本發(fā)明涉及要形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件背面上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中當(dāng)所述膜形成于所述半導(dǎo)體元件背面上時(shí)，所述膜在其不面向所述半導(dǎo)體元件背面的一個(gè)面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102376614SQ20111018458
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月20日
發(fā)明者志賀豪士, 淺井文輝, 高本尚英 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社