專利名稱：連接孔的制作方法
連接孔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制作工藝，特別是涉及一種連接孔的制作方法。
背景技術(shù)：
在芯片制造的后端工藝中，連接孔的制備是一道必不可少的步驟，連接孔的作用主要是將兩層金屬連線層連接起來(lái)。從清洗完連接孔到開(kāi)始淀積連接孔內(nèi)的阻擋層有一段等待時(shí)間，等待時(shí)間有預(yù)定值的限制。由于預(yù)定值一般只有幾個(gè)小時(shí)，因此經(jīng)常出現(xiàn)實(shí)際等待時(shí)間超過(guò)預(yù)定值的情況。這種情況下，如果不進(jìn)行有效的處理，刻蝕形成連接孔的時(shí)候產(chǎn)生的副產(chǎn)物很容易吸收空氣中的水汽，從而導(dǎo)致后續(xù)的連接孔內(nèi)的阻擋層填充不好，如此會(huì)造成連接孔電阻偏高，影響產(chǎn)品的良率。圖I是實(shí)際等待時(shí)間超過(guò)預(yù)定值后未進(jìn)行處理的兩片芯片的良率圖，從圖I中可以看出位于晶圓中部的芯片是壞的芯片，不能正常工作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種連接孔的制作方法，其提高芯片的良率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種連接孔的制作方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上形成有待刻蝕層；刻蝕所述待刻蝕層，形成連接孔；清洗所述連接孔；在所述連接孔內(nèi)淀積阻擋層；所述清洗步驟完成的同時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)；若計(jì)時(shí)的時(shí)間達(dá)到預(yù)定值，而又尚未開(kāi)始所述淀積阻擋層的步驟，對(duì)所述連接孔進(jìn)行再清洗。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述再清洗步驟所用的時(shí)間小于所述清洗步驟所用的時(shí)間。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述再清洗步驟所用的時(shí)間為五分鐘。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述清洗步驟所用的時(shí)間為三十分鐘。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述再清洗采用EKC溶液。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述清洗采用EKC溶液。超時(shí)后對(duì)連接孔進(jìn)行再清洗，可清洗刻蝕步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物，從而使得電阻值較低，保證連接孔的導(dǎo)電性能。

圖I為實(shí)際等待時(shí)間超過(guò)預(yù)定值后未進(jìn)行處理的兩片芯片的良率圖；圖2為經(jīng)過(guò)本實(shí)施例方法處理后的兩片芯片的良率圖。
具體實(shí)施方式本實(shí)施例的連接孔的制作方法包括如下步驟提供半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底上形成有待刻蝕層；刻蝕待刻蝕層，形成連接孔；清洗連接孔；在連接孔內(nèi)淀積阻擋層。清洗連接孔的步驟主要清洗刻蝕待刻蝕層步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物，如此可以使得連接孔的電阻值較小。一般清洗步驟完成到開(kāi)始淀積阻擋層步驟會(huì)有一段等待時(shí)間，等待時(shí)間有預(yù)定值的限制，根據(jù)芯片制作工藝的不同等待時(shí)間的預(yù)定值不同。實(shí)際等待時(shí)間未超過(guò)預(yù)定值時(shí)，芯片的良率較高，該預(yù)定值可通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到。本實(shí)施例中，清洗步驟完成的同時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)，計(jì)時(shí)的時(shí)間即為實(shí)際等待時(shí)間；若計(jì)時(shí)的時(shí)間達(dá)到預(yù)定值，而又尚未開(kāi)始淀積阻擋層的步驟，對(duì)連接孔進(jìn)行再清洗。再清洗步驟主要清洗上述清洗步驟中未清洗完全的刻蝕待刻蝕層步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物，該副產(chǎn)物易吸收空氣中的水汽，在等待時(shí)間中副產(chǎn)物吸收了空氣中的水汽，經(jīng)過(guò)再次清洗可去除副產(chǎn)物及其吸收的水汽，從而使得連接孔的電阻值較小，保證連接孔的導(dǎo)電性能。再清洗步驟的時(shí)間無(wú)需太長(zhǎng)，短時(shí)間的清洗即可達(dá)到上述效果。再清洗步驟所用的時(shí)間小于所述清洗步驟所用的時(shí)間。一般清洗步驟所用的時(shí)間為三十分鐘。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)得出，再清洗步驟所用的時(shí)間為五分鐘，試驗(yàn)證明五分鐘的時(shí)間較為恰當(dāng)，清洗效果較好。如此，耗時(shí)較短且產(chǎn)能高。本實(shí)施例中，清洗采用EKC溶液，再清洗也采用EKC溶液。EKC溶液為購(gòu)自EKCTechnology, Inc. , Hayward, CA 的溶液。EKC 溶液為一胺類為主的剝除劑(amine-based stripper)，主要是出羥胺、有機(jī)溶劑、抑制腐蝕劑和水組成，能夠除去刻蝕待刻蝕層步驟中 產(chǎn)生的副產(chǎn)物等。如此,成本較低。圖2是實(shí)際等待時(shí)間超過(guò)預(yù)定值，經(jīng)過(guò)再清洗步驟后的兩片芯片的良率圖。對(duì)比圖I和圖2，可以看出圖2的芯片的良率較高，圖2的晶圓上的芯片基本是好的芯片。如此可見(jiàn)，本實(shí)施例的方法效果明顯。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種連接孔的制作方法，包括如下步驟 提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上形成有待刻蝕層； 刻蝕所述待刻蝕層，形成連接孔； 清洗所述連接孔； 在所述連接孔內(nèi)淀積阻擋層； 其特征在于所述清洗步驟完成的同時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)；若計(jì)時(shí)的時(shí)間達(dá)到預(yù)定值，而又尚未開(kāi)始所述淀積阻擋層的步驟，對(duì)所述連接孔進(jìn)行再清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的連接孔的制作方法，其特征在于所述再清洗步驟所用的時(shí)間小于所述清洗步驟所用的時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連接孔的制作方法，其特征在于所述再清洗步驟所用的時(shí)間為五分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的連接孔的制作方法，其特征在于所述清洗步驟所用的時(shí)間為三十分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的連接孔的制作方法，其特征在于所述再清洗采用EKC溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或5所述的連接孔的制作方法，其特征在于所述清洗采用EKC溶液。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種連接孔的制作方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上形成有待刻蝕層；刻蝕所述待刻蝕層，形成連接孔；清洗所述連接孔；在所述連接孔內(nèi)淀積阻擋層；所述清洗步驟完成的同時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)；若計(jì)時(shí)的時(shí)間達(dá)到預(yù)定值，而又尚未開(kāi)始所述淀積阻擋層的步驟，對(duì)所述連接孔進(jìn)行再清洗。超時(shí)后對(duì)連接孔進(jìn)行再清洗，可清洗刻蝕步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物，從而使得電阻值較低，保證連接孔的導(dǎo)電性能。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102915951SQ201110221369
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月3日
發(fā)明者李艷, 楊杰, 楊兆宇, 謝寶強(qiáng) 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司