專利名稱：用于半導(dǎo)體芯片封裝的側(cè)可潤(rùn)濕電鍍的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片封裝。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組合件的一直存在的目標(biāo)是提供用于包納/裝納半導(dǎo)體組件的封裝，所述半導(dǎo)體組件較小、較薄、較涼爽且以高生產(chǎn)速率制造起來(lái)較廉價(jià)。一種類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝是塑料雙列直插式封裝(PDIP)。另一種類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝是鷗翼式小輪廓(SO)封裝。這些半導(dǎo)體封裝通常包括從封裝的側(cè)延伸的引線(連接器)。其它類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝是扁平無(wú)引線封裝，例如雙平面無(wú)引線(DFN)及四方扁平無(wú)引線(QFN)封裝。DFN封裝僅在封裝底部的周界的兩個(gè)側(cè)上具有引線焊盤(pán)，而QFN封裝在封裝底部的四個(gè)側(cè)上具有引線焊盤(pán)。一些 DFN及QFN封裝大小的范圍可從具有三C3)個(gè)引線焊盤(pán)的1毫米X2毫米(1x2mm)封裝到具有六十八(68)個(gè)引線焊盤(pán)的10毫米XlO毫米(IOxlOmm)封裝。由于引線框架在封裝的底部上，因此與具有類(lèi)似主體大小及引線計(jì)數(shù)的有引線封裝相比，扁平無(wú)引線封裝可提供優(yōu)越的熱性能。此外，在扁平無(wú)引線配置中，裸片附接墊可暴露于封裝的底部外部上，從而允許將其直接焊接到印刷電路板，且提供用于熱從封裝消散掉的直接路徑。所暴露的裸片附接墊，通常稱作暴露的熱墊，可極大地改善熱轉(zhuǎn)移離開(kāi)集成電路封裝及熱轉(zhuǎn)移到印刷電路板中。然而，當(dāng)一起制造多個(gè)扁平無(wú)引線封裝且接著將其彼此分離(單分)時(shí)，可難以獲得到位于IC封裝的側(cè)面上的引線焊盤(pán)的良好焊接連接，因?yàn)樵趩畏种斑@些側(cè)部分未經(jīng)涂覆焊料可潤(rùn)濕材料。此外，可難以使用目視檢查技術(shù)來(lái)檢查到引線焊盤(pán)的焊接連接。

發(fā)明內(nèi)容
揭示用于通過(guò)側(cè)可潤(rùn)濕電鍍提供半導(dǎo)體芯片封裝的技術(shù)。在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方案中，所述技術(shù)可包括從以塊格式形成的封裝陣列單分半導(dǎo)體芯片封裝；將所述半導(dǎo)體芯片封裝沒(méi)入于電鍍液浴中；使所述半導(dǎo)體芯片封裝的引線焊盤(pán)與所述電鍍液浴內(nèi)的導(dǎo)電接觸材料接觸；將所述導(dǎo)電接觸材料連接到陰極電位；將所述電鍍液浴內(nèi)的陽(yáng)極連接到陽(yáng)極電位；及對(duì)所述半導(dǎo)體芯片封裝的所述引線焊盤(pán)進(jìn)行電解電鍍。提供本發(fā)明內(nèi)容以按簡(jiǎn)要形式介紹在下文實(shí)施方式進(jìn)一步描述的概念選擇。本發(fā)明內(nèi)容并不打算識(shí)別所請(qǐng)求標(biāo)的物的關(guān)鍵特征或?qū)嵸|(zhì)特征，也不打算用于協(xié)助確定所請(qǐng)求標(biāo)的物的范圍。


參照附圖來(lái)描述實(shí)施方式。在所述說(shuō)明中的不同例項(xiàng)中使用相同參考編號(hào)可指示類(lèi)似或相同條目。圖1是圖解說(shuō)明塊格式面板的仰視平面圖，多個(gè)QFN IC封裝已在所述塊格式面板上以陣列形成，其中在單分成個(gè)別裝置之前所述面板上的暴露的熱墊及底部焊盤(pán)部分已浸漬有焊料或以其它方式電鍍有焊料可潤(rùn)濕材料。圖2是圖解說(shuō)明兩個(gè)QFN IC封裝的透視圖，其已在暴露的熱墊及底部焊盤(pán)部分已浸漬有焊料或以其它方式電鍍有焊料可潤(rùn)濕材料之后于塊格式制造工藝期間單分。圖3A是圖解說(shuō)明形成為陣列的部分的經(jīng)單分扁平無(wú)引線IC封裝的未經(jīng)電鍍側(cè)焊盤(pán)部分的局部側(cè)立面圖。圖:3B是圖解說(shuō)明形成為陣列的部分的經(jīng)單分扁平無(wú)引線IC封裝的經(jīng)電鍍底部焊盤(pán)部分的局部仰視平面圖。圖4A是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的側(cè)可潤(rùn)濕無(wú)引線集成電路裝置的局部截面?zhèn)攘⒚鎴D。圖4B是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的另一側(cè)可潤(rùn)濕無(wú)引線集成電路裝置的局部截面?zhèn)攘⒚鎴D。圖5是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案用于對(duì)IC封裝的周界引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍的電鍍?cè)〔鄣膱D解性視圖。圖6是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的電鍍?cè)〔奂熬哂懈郊拥綄?dǎo)電帶的周界引線焊盤(pán)的若干個(gè)IC封裝的局部截面?zhèn)攘⒚鎴D。圖7是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案用于對(duì)IC封裝的周界引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍的電鍍?cè)〔鄣膱D解性視圖。圖8是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案用于對(duì)IC封裝的周界引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍的另一電鍍?cè)〔鄣膱D解性視圖。圖9是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的電鍍?cè)〔奂熬哂兄芙缫€焊盤(pán)的IC封裝的圖解性視圖。圖10是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的電鍍?cè)〔奂熬哂兄芙缫€焊盤(pán)的IC封裝的局部截面?zhèn)攘⒚鎴D。圖11是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的另一電鍍?cè)〔奂熬哂兄芙缫€焊盤(pán)的IC封裝的局部截面?zhèn)攘⒚鎴D。圖12是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案用于同時(shí)對(duì)具有周界引線焊盤(pán)的若干個(gè)IC封裝進(jìn)行電鍍的電鍍?cè)〔鄣木植拷孛鎮(zhèn)攘⒚鎴D。圖13是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案用于對(duì)無(wú)引線IC封裝的周界引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍的方法的框圖。
具體實(shí)施例方式MM使用例如DFN(雙平面無(wú)引線)封裝及QFN(四方扁平無(wú)引線)封裝等扁平無(wú)引線集成電路(IC)封裝來(lái)將IC物理及電連接到印刷電路板。使用術(shù)語(yǔ)“扁平無(wú)引線”來(lái)描述CN 102376588 A
說(shuō)明書(shū)
3/9頁(yè)表面安裝技術(shù)，從而允許在沒(méi)有通孔等的情況下將IC連接到印刷電路板(PCB)的表面。通常在扁平無(wú)引線IC封裝的底部上提供無(wú)引線連接/端子(引線焊盤(pán))及暴露的熱墊以用于將封裝連接到PCB。引線焊盤(pán)通常位于封裝底部的周界處，而暴露的熱墊位于封裝底部的中心引線焊盤(pán)之間?？稍诿姘迳弦詨K格式一起形成、模制及電鍍個(gè)別扁平無(wú)引線封裝，且在制作之后接著將其單分成單獨(dú)的裝置(例如，通過(guò)從所述面板鋸割或沖壓所述封裝)?，F(xiàn)在參照?qǐng)D1，其展示在單分成個(gè)別件之前以矩陣/陣列一起形成若干個(gè)QFN裝置。在此實(shí)例中，每一 QFN封裝在個(gè)別IC封裝的每一側(cè)上形成有四個(gè)引線焊盤(pán)2。在單分之前，可由銅或其它導(dǎo)電材料形成的暴露的引線焊盤(pán)2及暴露的熱墊4可浸漬有焊料或以其它方式電鍍有焊料可潤(rùn)濕材料，例如錫、錫/鉛合金、金及/或另一焊料可潤(rùn)濕材料?？墒褂盟龊噶峡蓾?rùn)濕材料來(lái)實(shí)現(xiàn)焊料與下伏導(dǎo)電材料之間的良好接合，且抑制引線焊盤(pán)的氧化?，F(xiàn)在參照?qǐng)D2，其顯示已在制造工藝期間經(jīng)單分的QFN IC封裝10。QFN裝置10具有一頂部側(cè)表面12 (包含大體平面正方形或矩形表面)及若干個(gè)鄰近側(cè)14。在每一側(cè)面 14上，暴露周界引線焊盤(pán)16。QFN IC封裝10還具有底部側(cè)表面18，其包括由導(dǎo)熱材料形成以從封裝中的IC消散熱的暴露的熱墊20。周界引線焊盤(pán)16從封裝的側(cè)14繞封裝的底部邊緣22延伸到周界區(qū)域上。因此，每一周界引線焊盤(pán)16具有側(cè)焊盤(pán)部分M及底部焊盤(pán)部分洸?，F(xiàn)在參照?qǐng)D3A及3B，其展示周界引線焊盤(pán)16的未經(jīng)電鍍的側(cè)焊盤(pán)部分M及經(jīng)電鍍的底部焊盤(pán)部分26。在特定例項(xiàng)中，側(cè)焊盤(pán)部分M及底部焊盤(pán)部分沈可具有范圍從大約1毫米的百分之十五(0. 15mm)到大約1毫米的十分之四(0. 4mm)的寬度28。側(cè)焊盤(pán)部分M與底部焊盤(pán)部分沈的寬度可大致相同或彼此差距在1毫米的十分之三(0. 3mm) 內(nèi)。側(cè)焊盤(pán)部分M可具有范圍從大約1毫米的十分之一(0. Imm)到大約1毫米的十分之三(0. 3mm)的高度30。底部焊盤(pán)部分沈可具有范圍從大約1毫米的十分之四(0. 4mm)到大約1毫米的十分之七(0.7mm)的長(zhǎng)度32。然而，這些尺寸僅以舉例的方式提供。舉例來(lái)說(shuō)，底部焊盤(pán)部分26的長(zhǎng)度及寬度可由繞QFN IC封裝的周界的底部焊盤(pán)部分的間距(間隔)確定，其在不同的配置中可變化。一般來(lái)說(shuō)，QFN IC封裝10形成于面板(例如，如上文所描述)上且焊料可潤(rùn)濕材料施加到暴露的熱墊20及所述面板上的周界引線焊盤(pán)16的暴露部分。通過(guò)此類(lèi)型的制作技術(shù)，周界引線焊盤(pán)16的底部焊盤(pán)部分沈具有施加到其上的焊料可潤(rùn)濕材料。然而，由于單分，側(cè)焊盤(pán)部分M將不涂覆或電鍍有焊料可潤(rùn)濕材料。因此，在此類(lèi)型的配置中，側(cè)面14 上的側(cè)焊盤(pán)部分M可遭受氧化及/或減小的可焊接性。舉例來(lái)說(shuō)，側(cè)焊盤(pán)部分M可由暴露的銅形成，當(dāng)使用輕微激活的“免清洗”焊劑焊接工藝等時(shí)，所述暴露的銅可氧化且導(dǎo)致側(cè)面的可焊接性不一致。雖然可使用侵略性/高度活性的焊劑來(lái)破壞或分解可在側(cè)焊盤(pán)部分M上形成的所得金屬氧化物，但所述焊劑的腐蝕性質(zhì)可限制QFN IC封裝10的產(chǎn)品壽命。此外，當(dāng)制造 PCB時(shí)，期望使用目視相機(jī)檢查來(lái)檢查焊接的接點(diǎn)，例如QFN IC封裝的引線焊盤(pán)與PCB之間的焊接的連接，以用于質(zhì)量控制。舉例來(lái)說(shuō)，目視相機(jī)檢查可比像X射線檢查等檢查技術(shù)廉價(jià)。然而，當(dāng)QFN IC封裝在側(cè)焊盤(pán)或側(cè)面缺乏氧化保護(hù)時(shí)，由于在外圍焊盤(pán)處形成的不一致的可潤(rùn)濕性、芯吸或焊角形成，可難以分析QFN焊接的接點(diǎn)。
因此，提供具有繞芯片封裝的外圍的可焊接或焊料可潤(rùn)濕側(cè)焊盤(pán)部分的半導(dǎo)體芯片封裝。在若干實(shí)施例中，在以塊格式制造工藝等單分封裝之后于芯片封裝的暴露的側(cè)面上形成可焊接表面。因此，可在可焊接性不一致的材料(例如，被氧化的銅側(cè)面)上形成可焊接界面，可焊接性不一致可為制造/制作工藝期間的切割或沖壓操作的結(jié)果。通過(guò)提供向上芯吸焊料的側(cè)面表面，所得側(cè)焊盤(pán)部分提供高可靠性及/或焊接接點(diǎn)的易于檢查性。 此外，此類(lèi)型的芯片封裝可提供較小且較廉價(jià)的形式因數(shù)，且可用于包括(但不限于)醫(yī)學(xué)、軍事、汽車(chē)、工業(yè)及其它市場(chǎng)(例如，需要長(zhǎng)壽命產(chǎn)品的地方)在內(nèi)的行業(yè)中。在一些例項(xiàng)中，半導(dǎo)體芯片封裝可配置為DFN型封裝。在其它例項(xiàng)中，半導(dǎo)體芯片封裝可配置為QFN 型封裝。然而，僅以舉例的方式提供這些配置，且這些配置不打算限制本發(fā)明。因此，可以其它配置來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體芯片封裝。一種用于通過(guò)側(cè)可潤(rùn)濕電鍍提供例如DFN型封裝或QFN型封裝等半導(dǎo)體芯片封裝的方法包括從以塊格式形成的封裝陣列單分半導(dǎo)體芯片封裝；將所述半導(dǎo)體芯片封裝沒(méi)入于電鍍液浴中；使所述半導(dǎo)體芯片封裝的引線焊盤(pán)與所述電鍍液浴內(nèi)的導(dǎo)電接觸材料接觸；將所述導(dǎo)電接觸材料連接到陰極電位；將所述電鍍液浴內(nèi)的陽(yáng)極連接到陽(yáng)極電位；及對(duì)所述半導(dǎo)體芯片封裝的所述引線焊盤(pán)進(jìn)行電解電鍍。導(dǎo)電帶包括金屬化的背襯、安置于所述金屬化的背襯上的粘合劑及嵌入于所述粘合劑中的多個(gè)導(dǎo)電粒子，所述多個(gè)導(dǎo)電粒子電連接到所述金屬化的背襯。導(dǎo)電帶還可包括在所述粘合劑上形成為呈塊格式的封裝陣列的多個(gè)經(jīng)單分半導(dǎo)體芯片封裝。實(shí)例性實(shí)施方案圖4到12圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施方案的具有側(cè)可潤(rùn)濕電鍍的集成電路(IC)封裝。如圖所示，IC封裝包括周界引線焊盤(pán)，所述周界引線焊盤(pán)具有位于所述IC 封裝的一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)面上的側(cè)焊盤(pán)部分。參照?qǐng)D4A，其描述側(cè)可潤(rùn)濕無(wú)引線封裝150。 無(wú)引線封裝150包括與散熱器、裸片附接墊或中心熱墊IM熱接觸的集成電路152。連接導(dǎo)線156以導(dǎo)電方式接合于集成電路152與周界引線焊盤(pán)158之間。可使用模制化合物168 來(lái)電及物理分離周界引線焊盤(pán)158與熱墊154。每一周界引線焊盤(pán)158的外部表面電鍍有焊料可潤(rùn)濕材料162，使得焊料可潤(rùn)濕材料162大致覆蓋每一周界引線焊盤(pán)158的底部表面部分164及外側(cè)表面部分166。所述焊料可潤(rùn)濕電鍍還大致覆蓋中心熱墊154的底部外部表面。在若干實(shí)施例中，所述電鍍跨越周界引線焊盤(pán)158及中心熱墊巧4表面在厚度上合理地均勻。電鍍162在無(wú)引線封裝150的每一周界引線焊盤(pán)158上提供底部及側(cè)可潤(rùn)濕表面兩者?？墒褂糜赡Ｖ苹衔?68形成的覆蓋物來(lái)覆蓋周界引線焊盤(pán)158、熱墊154的頂部側(cè)以及集成電路152及接合導(dǎo)線156。應(yīng)注意，僅以舉例方式提供側(cè)可潤(rùn)濕無(wú)引線封裝 150，且存在除本文中所描繪的IC封裝以外的可用以產(chǎn)生側(cè)可潤(rùn)濕無(wú)引線封裝的各種封裝配置。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明中所描述的技術(shù)可應(yīng)用于QFN及DFN封裝等?，F(xiàn)在參照?qǐng)D4B，其描述側(cè)可潤(rùn)濕無(wú)引線IC封裝300，其中在被單分之前，周界引線焊盤(pán)158的底部導(dǎo)電表面及熱墊IM已涂覆、電鍍或以其它方式覆蓋有焊料可潤(rùn)濕材料。因此，第一或預(yù)先存在的焊料可潤(rùn)濕層302大致覆蓋周界引線焊盤(pán)158的底部表面164且在若干實(shí)施例中熱墊154。額外的焊料可潤(rùn)濕電鍍的層304大致覆蓋每一周界引線焊盤(pán)158 的暴露的外部側(cè)部分166以及周界引線焊盤(pán)158的底部部分上的第一層302及熱墊154。 通過(guò)在無(wú)引線封裝的每一周界引線焊盤(pán)的側(cè)焊盤(pán)部分以及底部焊盤(pán)部分上提供焊料可潤(rùn)濕電鍍，在被焊接到PC板時(shí)，每一焊盤(pán)具有用于芯吸所述焊料的配置，使得焊料焊角在所述底部焊盤(pán)部分下面形成且平滑地延伸或沿所述側(cè)焊盤(pán)部分向上芯吸?？筛菀椎厥褂媚恳暭夹g(shù)而非較昂貴的X射線技術(shù)來(lái)檢查此類(lèi)型的焊接接點(diǎn)。參照?qǐng)D5，其描繪焊料電鍍?cè)〔?9。焊料電鍍?cè)〔?9包括托盤(pán)42，托盤(pán)42可包含可用以盛納電鍍液44的任何容器或區(qū)域。電鍍液44可為商業(yè)上可購(gòu)得的溶液，其包含一種或一種以上目標(biāo)電鍍材料經(jīng)分解離子(例如，錫離子、鉛離子、金離子)及/或在電解質(zhì)中分解的其它金屬/導(dǎo)電材料。定位于托盤(pán)42的底部附近處的是形成導(dǎo)電接觸材料的導(dǎo)電帶90。導(dǎo)電帶90包括金屬化的背襯92，例如由金屬化的鋁材料形成的背襯等。將含有導(dǎo)電粒子96的粘合劑94施加到金屬化的背襯92。舉例來(lái)說(shuō)，粘合劑94可含有銀、金或其它導(dǎo)電材料(例如，導(dǎo)電聚合物及/或碳基聚合物)粒子或薄片。粘合劑94與導(dǎo)電粒子96共同形成電連接到金屬化的背襯92的導(dǎo)電粘合劑、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電膠或?qū)щ娪椭Ｔ谝恍├?xiàng)中，導(dǎo)電帶90可包括為大致相同高度或大致在同一平面中的表面特征98，例如波紋或凸塊。表面特征98可以陣列或另一形式形成。舉例來(lái)說(shuō)，可隨機(jī)地將表而特征98置于導(dǎo)電帶90上。在其它例項(xiàng)中，導(dǎo)電帶90可具有大致平滑的表面?，F(xiàn)在參照?qǐng)D6，也可提供陽(yáng)極48，使得其浸沒(méi)于電鍍液44的表面以下一預(yù)定距離處，導(dǎo)電帶90上方。在若干實(shí)施例中，托盤(pán)42可為由導(dǎo)電金屬或另一導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電托盤(pán)，且可將粘合劑94及導(dǎo)電粒子96施加于其上?？蓪⒕哂兄芙缫€焊盤(pán)70的無(wú)引線封裝68置于焊料電鍍?cè)〔?9的電鍍液44中。在若干實(shí)施例中，周界引線焊盤(pán)70的底部焊盤(pán)部分可已經(jīng)涂覆有錫、錫/鉛合金或另一焊料可潤(rùn)濕涂層。在其它實(shí)施例中，周界引線焊盤(pán)70的側(cè)焊盤(pán)部分及底部焊盤(pán)部分兩者可并非先前已涂覆有焊料可潤(rùn)濕材料。導(dǎo)電粒子 96經(jīng)配置以與無(wú)引線封裝68的引線焊盤(pán)70接觸，使得所述弓丨線焊盤(pán)處于相同電位。舉例來(lái)說(shuō)，可將導(dǎo)電帶90施加到無(wú)引線封裝68的底部及/或側(cè)焊盤(pán)部分，且可將金屬化的背襯 92連接到接地，使得導(dǎo)電粒子96可在電鍍工藝期間充當(dāng)陰極。當(dāng)將電壓施加到陽(yáng)極48時(shí)，電鍍液44中的金屬離子將沿陽(yáng)極48與陰極/導(dǎo)電粒子96之間的電場(chǎng)線移動(dòng)且將其自身附著或沉積到陰極或具有陰極電位的任何金屬。由于周界引線焊盤(pán)70與陰極/導(dǎo)電粒子96呈導(dǎo)電關(guān)系，因此周界引線焊盤(pán)還充當(dāng)吸引電場(chǎng)線的陰極/離子目標(biāo)。因此，金屬離子可大致均勻地對(duì)周界引線焊盤(pán)70的底部及側(cè)表面兩者進(jìn)行電鍍。應(yīng)注意，在完成電鍍工藝之后，可從電鍍液44回收與粘合劑94分離的導(dǎo)電粒子 96。此外，可利用蝕刻劑及/或溶劑來(lái)從無(wú)引線封裝68清洗掉粘合劑94。在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例中，導(dǎo)電帶90支撐在粘合劑上形成為封裝陣列(例如， 以塊格式制造工藝)的多個(gè)半導(dǎo)體芯片封裝。此外，導(dǎo)電帶可經(jīng)配置以伸展，同時(shí)維持金屬化的背襯92與嵌入于粘合劑94中的多個(gè)導(dǎo)電粒子96之間的電接觸。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)無(wú)引線 IC封裝的面板粘附到導(dǎo)電帶90時(shí)，可將所述面板單分成個(gè)別裝置，同時(shí)通過(guò)粘附到粘合劑 94及連接到導(dǎo)電粒子96而仍保持引線焊盤(pán)處于相同電位。參照?qǐng)D7，其描述焊料電鍍?cè)〔?0。焊料電鍍?cè)〔?0包括托盤(pán)42，托盤(pán)42可包含可用以在制造環(huán)境或另一類(lèi)型的環(huán)境中盛納電鍍液44的任何容器或區(qū)域。電鍍液44保持于托盤(pán)42內(nèi)。電鍍液44可為商業(yè)上可購(gòu)得的溶液，其包含一種或一種以上目標(biāo)電鍍材料的經(jīng)分解離子(例如，錫離子、鉛離子、金離子)及/或在電解質(zhì)中分解的其它金屬/導(dǎo)電材料。從托盤(pán)42的底部延伸或突出的是若干個(gè)導(dǎo)電接觸材料凸塊/凹穴46。每一凸塊 46由例如鈦、金等導(dǎo)電材料或另一耐用導(dǎo)電材料制成。凸塊的頂部或峰為大致相同高度或大致在同一平面中。凸塊46可以陣列或另一形式組織。也可將凸塊46隨機(jī)地放置在托盤(pán) 42的底部的表面周?chē)?。凸塊46經(jīng)配置以與無(wú)引線IC封裝的底部焊盤(pán)部分接觸。凸塊46可為半球形、圓柱形、立方體形、錐形或允許每一凸塊46在托盤(pán)42的底部上方延伸大致相等距離的另一幾何形狀。在一些例項(xiàng)中，凸塊46可具有在大約1毫米的百分之二(0. 02mm)與大約1毫米的百分之二十五(0.25mm)之間的橫截面寬度。在一些例項(xiàng)中，凸塊46在大小及放置上可足夠小，使得在抵靠托盤(pán)42的底部放置或按壓無(wú)引線封裝時(shí)若干個(gè)凸塊46可觸碰此無(wú)引線封裝的單個(gè)底部焊盤(pán)部分。每一凸塊46連接到其它凸塊，使得凸塊46具有相同電位。在若干實(shí)施例中，凸塊46可形成于可移除地置于托盤(pán)42的底部上的絲網(wǎng)、網(wǎng)或另一扁平結(jié)構(gòu)化的裝置上。在若干實(shí)施例中，陽(yáng)極48可定位于箱或托盤(pán)42的一個(gè)或一個(gè)以上內(nèi)部壁上。 在其它實(shí)施例中，當(dāng)正在對(duì)無(wú)引線封裝底部及側(cè)焊盤(pán)部分進(jìn)行電鍍時(shí)，可將陽(yáng)極48可移除地置于或浸沒(méi)于電鍍液44內(nèi)。現(xiàn)在參照?qǐng)D8，其描述焊料電鍍?cè)〔?0。除焊料電鍍?cè)〔?0具有從托盤(pán)42的底部向上延伸的導(dǎo)電接觸材料的桿狀/頭發(fā)狀結(jié)構(gòu)52外，焊料電鍍?cè)〔?0類(lèi)似于焊料電鍍?cè)〔?0。導(dǎo)電桿52可由(例如)鈦毛或可在焊料電鍍?cè)〔壑惺褂玫牧硪粚?dǎo)電金屬形成。 在若干實(shí)施例中，導(dǎo)電桿52可包含導(dǎo)電細(xì)絲或纖維。將桿52浸沒(méi)于電鍍液44下。桿52 經(jīng)連接以使得其處于相同電壓電位。還可提供陽(yáng)極48以使得其浸沒(méi)于電鍍液44的表面以下，在桿狀/頭發(fā)狀結(jié)構(gòu)52上方。在若干實(shí)施例中，托盤(pán)42可為由導(dǎo)電金屬或另一導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電托盤(pán)且在其中并入有桿52或凸塊46。在若干實(shí)施例中，托盤(pán)42可不導(dǎo)電且/或凸塊46或桿52可連接到擱放或附接到托盤(pán)42的底部的常見(jiàn)網(wǎng)或可浸沒(méi)結(jié)構(gòu)，或其可安裝或附接到托盤(pán)42 的底部的頂部表面。參照?qǐng)D9，其描述包括托盤(pán)62的焊料電鍍?cè)〔?0，其中電鍍液64填充托盤(pán)62的至少一部分。導(dǎo)電接觸材料的導(dǎo)電凸塊66大致定位于托盤(pán)62的底部處或附近。凸塊66可并入到擱放或安裝于托盤(pán)62的底部處的單獨(dú)結(jié)構(gòu)中，或可為托盤(pán)62的部分或附接到托盤(pán) 62。導(dǎo)電凸塊66每一者連接到接地，使得其可在電鍍工藝期間充當(dāng)陰極。可將使周界引線焊盤(pán)70定位在其底部表面72周?chē)叶ㄎ挥谥辽僖粋€(gè)側(cè)表面74上的無(wú)引線封裝68置于焊料電鍍?cè)〔?0的電鍍液64中。在若干實(shí)施例中，周界引線焊盤(pán)70的底部焊盤(pán)部分76可已經(jīng)涂覆有錫、錫/鉛合金或另一焊料可潤(rùn)濕涂層。在若干實(shí)施例中，周界引線焊盤(pán)70的側(cè)焊盤(pán)部分78及底部焊盤(pán)部分76兩者可并非先前已涂覆有焊料可潤(rùn)濕材料?，F(xiàn)在參照?qǐng)D10，將無(wú)引線IC封裝68浸沒(méi)于焊料電鍍?cè)〔?0內(nèi)的電鍍液64下。 無(wú)引線封裝68的底部72 (包括周界引線焊盤(pán)70)與若干個(gè)導(dǎo)電凸塊80電接觸，所述若干個(gè)導(dǎo)電凸塊80每一者保持于所述焊料電鍍?cè)〔鄣牡撞刻幓蚋浇译娺B接到接地或陰極電位。在電鍍液64內(nèi)提供陽(yáng)極82。陽(yáng)極82可切換地連接到預(yù)定電壓84。當(dāng)將預(yù)定電壓施加到陽(yáng)極82時(shí)，電鍍液64中的金屬離子將沿陽(yáng)極82與陰極/導(dǎo)電凸塊80之間的電場(chǎng)線移動(dòng)且將其自身附著或沉積到陰極或具有陰極電位的任何金屬。由于周界引線焊盤(pán)70與陰極/導(dǎo)電凸塊80呈導(dǎo)電關(guān)系，因此周界引線焊盤(pán)也充當(dāng)吸引電場(chǎng)線的陰極/離子目標(biāo)。因此，金屬離子可大致均勻地對(duì)周界引線焊盤(pán)70的底部表面76及側(cè)表面78兩者進(jìn)行電鍍。參照?qǐng)D11，其描述其中周界引線焊盤(pán)116在焊料電鍍?cè)〔?00中電鍍焊料可潤(rùn)濕材料的無(wú)引線IC封裝108。焊料電鍍?cè)〔?00包括部分地填充有電鍍液104的托盤(pán)102。 真空套夾106可用以使用真空/吸力來(lái)拾起無(wú)引線裝置108，且接著將無(wú)引線裝置108置于溶液104中。真空套夾106可抵靠若干個(gè)導(dǎo)電凸塊或例如瘤狀物、桿、頭發(fā)狀結(jié)構(gòu)、針織導(dǎo)電絲網(wǎng)或浸沒(méi)的結(jié)構(gòu)110(本文中稱作“導(dǎo)電凸塊”)等其它導(dǎo)電接觸材料按壓所述無(wú)引線裝置，使得每一周界引線焊盤(pán)116與至少一個(gè)導(dǎo)電凸塊110導(dǎo)電接觸。套夾106或用以收集及浸沒(méi)無(wú)引線裝置108的其它裝置可具有附接到其的陽(yáng)極112?？蓪㈥?yáng)極112附接或置于套夾106上，使得當(dāng)所述套夾將無(wú)引線裝置108浸沒(méi)時(shí)，陽(yáng)極112也將部分或完全地浸沒(méi)于電鍍液104中。一旦被浸沒(méi)，將陽(yáng)極電壓114施加到陽(yáng)極112。電場(chǎng)線在陽(yáng)極112與導(dǎo)電凸塊110 之間形成，導(dǎo)電凸塊110接地。由于導(dǎo)電凸塊110中的一些導(dǎo)電凸塊與周界引線焊盤(pán)116導(dǎo)電接觸，因此電場(chǎng)線也在陽(yáng)極112與周界引線焊盤(pán)116的側(cè)及底部焊盤(pán)部分或表面之間延伸。如果無(wú)引線裝置108也在無(wú)引線裝置封裝的底部的中心區(qū)域中具有傳導(dǎo)表面(例如， 熱散熱器)，那么此傳導(dǎo)表面也將具有延伸到其的電場(chǎng)線。電鍍將在導(dǎo)電凸塊110的目標(biāo)陰極區(qū)域、周界焊盤(pán)116的表面且在若干實(shí)施例中無(wú)引線封裝108的底部上的中心傳導(dǎo)表面或散熱器上發(fā)生。在若干實(shí)施例中，無(wú)引線封裝可不完全浸沒(méi)于電鍍液下，如圖11中通過(guò)電鍍液水平10 所展示。在此類(lèi)型的配置中，可繞浸沒(méi)的無(wú)引線封裝的壁或繞其邊緣放置陽(yáng)極 112a,只要陽(yáng)極11 也部分或完全地浸沒(méi)于電鍍液中即可。不管陽(yáng)極112或11 的放置， 電鍍將沿從陽(yáng)極112、11加朝向陰極的電場(chǎng)線發(fā)生，其中陰極是分解的離子電鍍材料的目標(biāo)。由于周界引線焊盤(pán)116與導(dǎo)電凸塊110導(dǎo)電接觸，因此周界焊盤(pán)的側(cè)及底部表面兩者可從源自電鍍液104內(nèi)的所沉積金屬離子獲得大致均勻的焊料可潤(rùn)濕電鍍的涂層?，F(xiàn)在參照?qǐng)D12，其描述若干個(gè)無(wú)引線封裝120、121、122及123，其中IC封裝同時(shí)浸漬于焊料電鍍?cè)〔?25中，以便將所述無(wú)引線封裝的周界引線焊盤(pán)1 每一者抵靠位于電鍍液托盤(pán)130的底部處或附近的導(dǎo)電凸塊1 按壓。一個(gè)或一個(gè)以上陽(yáng)極132可位于真空管、套夾、轉(zhuǎn)塔、封裝固持裝置134或其它多部分載體上且提供靠近于且繞無(wú)引線封裝 120、121、122及123的表面及周界引線焊盤(pán)1 伸展的電場(chǎng)線。在若干實(shí)施例中，可同時(shí)將一個(gè)到至少大約五百(500)個(gè)經(jīng)單分無(wú)引線封裝浸漬于單個(gè)焊料電鍍?cè)〔?25中。然而，在其它實(shí)施例中，可將多于五百個(gè)封裝浸漬于焊料電鍍?cè)〔壑?。?yīng)注意，可將額外的陽(yáng)極133 置于焊料電鍍?cè)〔蹆?nèi)且繞無(wú)引線封裝120、121、122及123。實(shí)例性制作工藝以下論述描述用于制作具有側(cè)可潤(rùn)濕電鍍的引線焊盤(pán)的集成電路裝置的實(shí)例性技術(shù)，例如側(cè)可潤(rùn)濕DFN或QFN半導(dǎo)體芯片封裝等。圖13描繪在一實(shí)例性實(shí)施方案中用于制作集成電路裝置的工藝1300，例如圖4到12中所圖解說(shuō)明及上文所描述的實(shí)例性集成電路裝置68、108、120、121、122、123、150及300。在所圖解說(shuō)明的工藝1300中，從以塊格式制造工藝形成的封裝陣列單分無(wú)引線IC封裝(框1320)。在若干實(shí)施例中，所述無(wú)引線IC 封裝具有包括一個(gè)或一個(gè)以上暴露的側(cè)焊盤(pán)部分的周界引線焊盤(pán)。舉例來(lái)說(shuō)，參照?qǐng)D4到 12，無(wú)引線IC封裝68可具有包括暴露于其一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)面上的側(cè)焊盤(pán)部分78的周界引線焊盤(pán)70。周界引線焊盤(pán)70可從封裝的側(cè)表面74延伸到所述封裝的底部表面72周?chē)闹芙鐓^(qū)域上，以形成底部焊盤(pán)部分76。另一無(wú)引線IC封裝108可具有暴露于其一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)面上的周界引線焊盤(pán) 116。另外的無(wú)引線IC封裝120、121、122及123可具有暴露于其一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)面上的周界引線焊盤(pán)126。其它無(wú)引線IC封裝150及300可具有暴露于其一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)面上的周界引線焊盤(pán)158。周界引線焊盤(pán)116、1沈及158可從其相應(yīng)IC封裝的側(cè)表面延伸到所述封裝的底部表面周?chē)闹芙鐓^(qū)域上，以形成底部焊盤(pán)部分，如前文所描述。在若干實(shí)施例中，底部焊盤(pán)部分的表面可為用以形成周界引線焊盤(pán)的暴露的導(dǎo)電材料(例如，如圖4A中所圖解說(shuō)明)。在其它實(shí)施例中，可在單分之前給底部焊盤(pán)部分涂覆、電鍍或以其它方式覆蓋焊料可潤(rùn)濕材料(例如，如圖4B中所圖解說(shuō)明)(框1310)。接下來(lái)，將經(jīng)單分無(wú)引線IC封裝部分或完全地沒(méi)入到電鍍液浴中(框1330)。在一些實(shí)施方案中，可將經(jīng)單分IC封裝組織成堆疊、容器管或其它儲(chǔ)存配置，使得可分配IC 封裝以對(duì)周界引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍。可單個(gè)地(例如，如圖9到11中所圖解說(shuō)明)或以群組方式(例如，如圖6及12中所圖解說(shuō)明)分配IC封裝。當(dāng)IC封裝經(jīng)分配時(shí)，可使用包括真空吸力組件及/或套夾的裝備來(lái)拾起及定位所述IC封裝。此外，可將所述IC封裝裝載到轉(zhuǎn)塔、擱架及/或另一類(lèi)型的固持裝置中，以便可將其作為群組移動(dòng)。然而，僅以舉例的方式提供用于移動(dòng)及定位經(jīng)單分IC封裝的技術(shù)，且這些技術(shù)不打算限制本發(fā)明。因此，可使用各種其它技術(shù)來(lái)定位IC封裝。繼續(xù)參照上文所描述的圖4到12，可將集成電路裝置68、108、120、121、122、123、 150及300部分或完全地沒(méi)入于電鍍液浴中，例如焊料電鍍?cè)〔?0、50、60、99、100及125。 使無(wú)引線IC封裝的引線焊盤(pán)(及在一些情況下暴露的熱墊)與所述電鍍液浴內(nèi)的導(dǎo)電接觸材料接觸(框1340)。舉例來(lái)說(shuō)，繼續(xù)參照上文所描述的集成電路裝置68、108、120、121、 122、123、150及300，可使經(jīng)單分IC封裝的底部焊盤(pán)部分與導(dǎo)電凸塊46、66、80、110及128、 導(dǎo)電頭發(fā)狀結(jié)構(gòu)52、導(dǎo)電帶90等接觸。放置或按壓外圍引線焊盤(pán)以使其與導(dǎo)電接觸材料接觸。將導(dǎo)電接觸材料連接到接地或陰極電位(框1350)。因此，經(jīng)由與導(dǎo)電接觸材料的接觸將IC封裝的引線焊盤(pán)設(shè)定到陰極或接地電位。將電鍍液浴內(nèi)的陽(yáng)極連接到陽(yáng)極電位(框 1360)。經(jīng)由陽(yáng)極將電位施加到電鍍液以形成從陽(yáng)極到處于陰極電位的引線焊盤(pán)的電場(chǎng)線。以此方式，對(duì)無(wú)引線IC封裝的引線焊盤(pán)進(jìn)行電解電鍍(框1370)。分解于電鍍液中的金屬離子沉積于浸沒(méi)于電鍍液中且與導(dǎo)電接觸材料接觸的各種周界引線焊盤(pán)的側(cè)焊盤(pán)部分及底部焊盤(pán)部分兩者上。在一些量的時(shí)間之后，可移除來(lái)自陽(yáng)極的電位，且/或可從電鍍材料浴移除IC封裝。在若干實(shí)施例中，無(wú)引線IC封裝可保持沒(méi)入于電鍍液浴中達(dá)變化量的時(shí)間，此取決于所要的電鍍厚度。舉例來(lái)說(shuō)，在一些特定例項(xiàng)中，對(duì)引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍可花費(fèi)從大約一分鐘(1分鐘)到大約五分鐘(5分鐘)。在其它例項(xiàng)中，電鍍可花費(fèi)少于一分鐘(例如，幾秒)或多于五分鐘。此外，電鍍量可依據(jù)與電鍍液相關(guān)聯(lián)的電鍍液溫度及 /或其它參數(shù)而變化。此外，施加到陽(yáng)極的電壓可依據(jù)特定電鍍液/電解質(zhì)組合物而變化。 舉例來(lái)說(shuō)，在一些特定例項(xiàng)中，可陽(yáng)極電壓可在大約四伏GV)與大約二十伏(20V)之間。在一些例項(xiàng)中，可將錫、錫/鉛合金或其它焊料可潤(rùn)濕電鍍施加到引線焊盤(pán)，其中電鍍材料具有在大約電鍍材料的分子厚度到大約ι英寸的百萬(wàn)分之五百(500 μ in)之間的電鍍厚度。應(yīng)注意，電鍍材料可大致平滑且跨越周界引線焊盤(pán)及可能的暴露的熱墊的表面的幾乎一致的厚度。然而，導(dǎo)電接觸材料(例如，導(dǎo)電凸塊46、66、80、110及128、波紋98及 /或?qū)щ婎^發(fā)狀結(jié)構(gòu)52)接觸引線焊盤(pán)/熱墊處可存在一些表面不規(guī)則性。所得焊料可潤(rùn)濕電鍍可有助于防止鍍層下面的銅或其它金屬的氧化，增加IC封裝的可焊接性，且允許準(zhǔn)確地目視檢查IC封裝與PCB之間的焊接接點(diǎn)等。繼續(xù)參照上文所描述的圖4到12，可使用(例如)套夾106或封裝固持裝置134 從電鍍液浴移除IC封裝?？山又?例如)使用(例如)去離子水或另一沖洗技術(shù)來(lái)將所述IC封裝清洗/沖洗掉電鍍液?？山又稍锼鯥C封裝以準(zhǔn)備銷(xiāo)售?？蓪⒍鄠€(gè)IC封裝儲(chǔ)存于例如儲(chǔ)存管、盒、帶卷軸等容器中，且可使用其它電子部件銷(xiāo)售技術(shù)來(lái)組織及收集所述多個(gè)IC封裝?？蓪⑦@些IC封裝群組運(yùn)送給裝置零售商、電子器件制造商、終端用戶等。應(yīng)注意，隨著時(shí)間，電鍍液浴內(nèi)的導(dǎo)電接觸材料(例如，導(dǎo)電凸塊46、66、80、110及 128以及導(dǎo)電頭發(fā)狀結(jié)構(gòu)52)可變得電鍍有電鍍材料，因?yàn)槠鋸碾婂円簝?nèi)的離子形成。當(dāng)導(dǎo)電接觸材料變得涂有電鍍材料時(shí)，可從導(dǎo)電接觸材料清洗掉電鍍材料。舉例來(lái)說(shuō)，可將導(dǎo)電接觸材料浸沒(méi)于酸浴中，其可能需要一些額外的擦洗。在此類(lèi)型的實(shí)施方案中，導(dǎo)電接觸材料可由硬導(dǎo)電金屬材料(例如，鈦)構(gòu)成，以承受所述酸與擦洗過(guò)程而導(dǎo)電表面不會(huì)被顯著腐蝕。然而，也可使用其它導(dǎo)電接觸材料，例如金或金合金。在此類(lèi)型的實(shí)施方案中，蝕刻或清洗工藝可從導(dǎo)電接觸材料移除金屬中的一些。在其它例項(xiàng)中，可加熱導(dǎo)電接觸材料以熔化掉電鍍材料。此外，可使用其它類(lèi)型的清洗、蝕刻、加熱技術(shù)等而以其它方式從導(dǎo)電接觸材料移除電鍍材料。一旦IC封裝的制作已完成，則可通過(guò)將IC封裝的引線焊盤(pán)焊接到PCB上的對(duì)應(yīng)連接器來(lái)將IC封裝連接到所述PCB (框1380)。舉例來(lái)說(shuō)，可將IC封裝上的一個(gè)或一個(gè)以上引線焊盤(pán)焊接到PCB上的一個(gè)或一個(gè)以上連接墊。當(dāng)將IC封裝連接到PCB時(shí)，可使用目視檢查技術(shù)來(lái)檢查IC封裝的引線焊盤(pán)與PCB之間的焊接的連接(框1390)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng) IC封裝的側(cè)焊盤(pán)部分經(jīng)電鍍時(shí)，存在芯吸焊料的良好可能性，使得在底部焊盤(pán)部分下面產(chǎn)生焊料焊角，且所述焊料填充平滑地延伸或沿所述側(cè)焊盤(pán)部分向上芯吸?？筛菀椎厥褂美缦鄼C(jī)檢查等目視檢查技術(shù)來(lái)檢查此類(lèi)型的配置。Mrk盡管已以專用于結(jié)構(gòu)特征及/或工藝操作的語(yǔ)言描述了標(biāo)的物，但應(yīng)理解，在所附權(quán)利要求書(shū)中界定的標(biāo)的物未必限制于上文所描述的特定特征或動(dòng)作。而是，上文所描述的特定特征及動(dòng)作是作為實(shí)施所述權(quán)利要求書(shū)的實(shí)例性形式而揭示。
權(quán)利要求
1.一種用于通過(guò)焊料可潤(rùn)濕電鍍提供半導(dǎo)體芯片封裝的方法，其包含從以塊格式形成的封裝陣列單分半導(dǎo)體芯片封裝；將所述半導(dǎo)體芯片封裝沒(méi)入于電鍍液浴中；使所述半導(dǎo)體芯片封裝的引線焊盤(pán)與所述電鍍液浴內(nèi)的導(dǎo)電接觸材料接觸；將所述導(dǎo)電接觸材料連接到陰極電位；將所述電鍍液浴內(nèi)的陽(yáng)極連接到陽(yáng)極電位；及對(duì)所述半導(dǎo)體芯片封裝的所述引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含通過(guò)將所述引線焊盤(pán)焊接到印刷電路板上的對(duì)應(yīng)連接器而將所述半導(dǎo)體芯片封裝連接到所述印刷電路板；及目視檢查所述引線焊盤(pán)與所述印刷電路板之間的所述焊接的連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含在從所述封裝陣列單分所述半導(dǎo)體芯片封裝之前，對(duì)所述引線焊盤(pán)的底部焊盤(pán)部分進(jìn)行電鍍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片封裝的所述引線焊盤(pán)包含底部焊盤(pán)部分及側(cè)焊盤(pán)部分，所述導(dǎo)電接觸材料經(jīng)配置以用于接觸所述底部焊盤(pán)部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電接觸材料包含導(dǎo)電粘合劑、導(dǎo)電聚合物、 導(dǎo)電膠、導(dǎo)電油脂、導(dǎo)電凸塊或?qū)щ姉U中的至少一者。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電接觸材料包含用于盛納所述電鍍液的托盤(pán)的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)用于將所述半導(dǎo)體芯片封裝定位于所述電鍍液浴中的支撐件來(lái)支撐所述陽(yáng)極。
8.一種用于通過(guò)焊料可潤(rùn)濕電鍍提供半導(dǎo)體芯片封裝的電鍍?cè)〔郏浒斜P(pán)，其用于盛納電鍍液浴，所述電鍍液浴用于沒(méi)入從以塊格式形成的封裝陣列單分的半導(dǎo)體芯片封裝；導(dǎo)電接觸材料，其在所述托盤(pán)內(nèi)用于接觸所述半導(dǎo)體芯片封裝的引線焊盤(pán)，所述導(dǎo)電接觸材料用于連接到陰極電位；及陽(yáng)極，其在所述托盤(pán)內(nèi)用于連接到陽(yáng)極電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍?cè)〔?，其中所述引線焊盤(pán)的底部焊盤(pán)部分是在從所述封裝陣列單分所述半導(dǎo)體芯片封裝之前進(jìn)行電鍍的。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍?cè)〔?，其中所述半?dǎo)體芯片封裝的所述引線焊盤(pán)包含底部焊盤(pán)部分及側(cè)焊盤(pán)部分，所述導(dǎo)電接觸材料經(jīng)配置以用于接觸所述底部焊盤(pán)部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍?cè)〔?，其中所述?dǎo)電接觸材料包含導(dǎo)電粘合劑、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電膠、導(dǎo)電油脂、導(dǎo)電凸塊或?qū)щ姉U中的至少一者。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍?cè)〔?，其中所述?dǎo)電接觸材料包含用于盛納所述電鍍液的所述托盤(pán)的表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍?cè)〔郏溥M(jìn)一步包含支撐件，其用于將所述半導(dǎo)體芯片封裝定位于所述托盤(pán)中且在將所述半導(dǎo)體芯片封裝沒(méi)入于所述托盤(pán)中所盛納的電鍍液浴中時(shí)支撐所述托盤(pán)內(nèi)的所述陽(yáng)極。
14.一種導(dǎo)電帶，其包含 金屬化的背襯；粘合劑，其安置于所述金屬化的背襯上；及多個(gè)導(dǎo)電粒子，其嵌入于所述粘合劑中，所述多個(gè)導(dǎo)電粒子電連接到所述金屬化的背襯。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電帶，其中所述粘合劑及所述多個(gè)導(dǎo)電粒子包含導(dǎo)電粘合劑、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電膠或?qū)щ娪椭械闹辽僖徽摺?br> 16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電帶，其中所述導(dǎo)電帶經(jīng)配置以伸展，同時(shí)維持所述金屬化的背襯與嵌入于所述粘合劑中的所述多個(gè)導(dǎo)電粒子之間的電接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電帶，其進(jìn)一步包含多個(gè)半導(dǎo)體芯片封裝，其在所述粘合劑上形成為呈塊格式的封裝陣列。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)電帶，其中所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片封裝是經(jīng)單分的。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電帶，其中所述導(dǎo)電帶形成凹坑。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電帶，其中所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片封裝中的每一者包含引線焊盤(pán)，所述引線焊盤(pán)具有經(jīng)由嵌入于所述粘合劑中的所述多個(gè)導(dǎo)電粒子連接到所述金屬化的背襯的底部焊盤(pán)部分。
全文摘要
本申請(qǐng)案涉及用于半導(dǎo)體芯片封裝的側(cè)可濕潤(rùn)電鍍。一種用于通過(guò)側(cè)可潤(rùn)濕電鍍提供半導(dǎo)體芯片封裝的方法包括從以塊格式形成的封裝陣列單分半導(dǎo)體芯片封裝；將所述半導(dǎo)體芯片封裝沒(méi)入于電鍍液浴中；使所述半導(dǎo)體芯片封裝的引線焊盤(pán)與所述電鍍液浴內(nèi)的導(dǎo)電接觸材料接觸；將所述導(dǎo)電接觸材料連接到陰極電位；將所述電鍍液浴內(nèi)的陽(yáng)極連接到陽(yáng)極電位；及對(duì)所述半導(dǎo)體芯片封裝的所述引線焊盤(pán)進(jìn)行電鍍。
文檔編號(hào)H01L23/48GK102376588SQ20111022991
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月9日
發(fā)明者肯尼思·J·許寧 申請(qǐng)人:美士美積體產(chǎn)品公司