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      用于led的放熱反射板的制作方法

      文檔序號(hào):7156928閱讀:305來源:國知局
      專利名稱:用于led的放熱反射板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及供發(fā)光設(shè)備中使用的放熱反射板。本發(fā)明更具體地涉及供發(fā)光二極管 (在下文中稱作“LED”)中使用的放熱和光反射基板,并且尤其是能夠增加所需特定波長下的光的反射率的放熱反射板。
      背景技術(shù)
      據(jù)認(rèn)為一般LED使用的電能少至熒光燈消耗的電能的百分之一,并且具有40倍于熒光燈的長壽命00,000小時(shí))。包括能量節(jié)約和長壽命的特征是重要因素,基于此使得 LED在環(huán)境導(dǎo)向的社會(huì)中被采用。特別是,白光LED還具有包括出色的顯色性和比熒光燈更簡單的電源電路的優(yōu)點(diǎn),并因此對(duì)于它們?cè)谡彰鞴庠粗械氖褂玫念A(yù)期不斷上升。近來,具有照明光源需要的高發(fā)光效率(30至1501m/W)的白光LED成功地出現(xiàn)在市場上,并且在實(shí)際使用過程中在光的利用效率上取代了熒光燈(20至1101m/W)。這急劇地加速了在實(shí)際應(yīng)用中白光LED代替熒光燈的趨勢(shì),并且在越來越多的情況下對(duì)于液晶顯示裝置中的背光和照明光源采用白光LED。已知可以將鋁陽極氧化并使用所得到的陽極氧化膜作為電路板中的絕緣層(參見,例如,JP 55-154564U, JP 2007-250315A 和 JP 2007_266;358A)。然而,當(dāng)用作最近開發(fā)的發(fā)光裝置如LED的安裝基板時(shí),陽極氧化膜有缺乏表面發(fā)射的缺點(diǎn)。LED裝置廣泛地用于多種領(lǐng)域,如室內(nèi)和室外照明、汽車頭燈和顯示裝置中的背光單元,它不可避免地需要在所需的特定波長下的光的高反射率。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種放熱反射板,所述放熱反射板具有高熱耗散性能并且能夠提高在所需特定波長下的光的反射率。本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是提供一種放熱反射板,所述放熱反射板能在低成本下滿足上述性能要求。本發(fā)明的發(fā)明者進(jìn)行了深入研究以實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),并且作為結(jié)果發(fā)現(xiàn)在包括天然具有高耐熱性和高耐久性的鋁金屬和其上的陽極氧化膜的光反射層中,當(dāng)陽極氧化膜具有不同形狀和物理性質(zhì)的多個(gè)層時(shí),可以提高光反射率同時(shí)還改善熱耗散性能,并從而完成了本發(fā)明。還發(fā)現(xiàn)鋁合金層應(yīng)當(dāng)僅存在于要被陽極氧化的部分,并且如果使用具有其它材料制成的芯的基板并且僅其表面為鋁合金層,可以獲得相同的性能,并且可以通過使用低純鋁合金片或鋼片作為芯在較低成本下提供放熱反射板。從而完成本發(fā)明。因此,本發(fā)明提供以下(1)至(10)。本文使用的折射率和孔隙率是指多個(gè)孔部的平均折射率和平均孔隙率,并且在下文中分別簡稱為“折射率”和“孔隙率”。(1) 一種用于LED中的放熱反射板,所述放熱反射板包括深度至少10 μ m的鋁合金層,所述鋁合金層具有形成于其表面上的陽極氧化膜,其中所述陽極氧化膜的孔部在深度方向包括具有不同折射率的至少兩層,并且在所述陽極氧化膜中光反射被增強(qiáng)。(2)根據(jù)(1)所述的用于LED中的放熱反射板,其中包括所述具有不同折射率的至少兩層的孔部是具有不同孔隙率的層,并且其中當(dāng)由P+l、P+2、... p+n表示在表面?zhèn)葘应?之下在深度方向相鄰的層時(shí),層P+1的垂直深度L由式(1)、和(2- 表示L = l/2XmX λ Xnavp/navp+1式(1)navp = nA12。3X (I-Dp)+IiairXDp式(2-1)navp+1 = nA1203 X (l_Dp+1)+nairXDp+1 式(2—2)這里λ是用于反射的光的波長,m是至少為1的整數(shù),navp/navp+1是所述至少兩個(gè)不同的層中所述陽極氧化膜的所述表面?zhèn)葘覲與其下面的層P+1之間的折射率比,nA1203是陽極氧化的氧化鋁的折射率,nair是空氣的折射率,所述空氣的折射率為1,navp是所述層ρ的折射率,navp+1是所述層p+1的折射率,Dp是陽極氧化的層ρ的孔部的孔隙率,并且Dp+1是陽極氧化的層p+1的孔部的孔隙率。(3)根據(jù)⑴或⑵所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述至少兩層是通過在不同條件下陽極氧化獲得的具有不同孔隙率的層。(4)根據(jù)⑴至(3)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述孔部的中心線長度與所述孔部的深度之比為1. 0至1. 2。(5)根據(jù)⑴至(4)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述鋁合金層處于具有凹部的形狀,并且在鋁的表面合金層上所述處于具有凹部的形狀的鋁合金層的表面形成所述陽極氧化膜。(6)根據(jù)(1)至(5)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板,所述用于LED 中的放熱反射板在所述陽極氧化膜的表面上具有由金屬導(dǎo)體構(gòu)成的互連(interconnect) 層,并且被用于安裝發(fā)光裝置。(7) 一種LED組件(package),所述LED組件包括在根據(jù)(1)至(6)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板的表面上的LED芯片和由金屬導(dǎo)體制成的互連層。(8) 一種白光LED組件,所述白光LED組件包括藍(lán)光LED發(fā)光裝置和熒光發(fā)射體, 所述藍(lán)光LED發(fā)光裝置形成于根據(jù)(1)至(6)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板上,所述熒光發(fā)射體被設(shè)置于所述藍(lán)光LED發(fā)光裝置周圍和/或上方。(9) 一種制造根據(jù)⑴至(6)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板的方法, 所述方法包括以下步驟在酸的水溶液中對(duì)在基板上形成的深度至少10 μ m的鋁合金層的表面進(jìn)行第一陽極氧化處理;以及在與所述第一陽極氧化處理中使用的酸的水溶液不同的酸的水溶液中進(jìn)行第二陽極氧化處理,以在深度方向在陽極氧化膜的孔部中形成不同折射率的至少兩層,借此在所述陽極氧化膜中增強(qiáng)光反射。(10) 一種制造根據(jù)⑴至(6)中的任一項(xiàng)所述的用于LED中的放熱反射板的方法,所述方法包括以下步驟在酸的水溶液中對(duì)在基板上形成的深度至少10 μ m的鋁合金層的表面進(jìn)行第一陽極氧化處理;以及進(jìn)行封孔處理,以在深度方向在陽極氧化膜的孔部中形成不同折射率的至少兩層,借此在所述陽極氧化膜中增強(qiáng)光反射。如后面將要描述的,本發(fā)明可以提供一種用于LED的放熱反射板(在下文中稱作 “放熱反射板”),所述放熱反射板具有高熱耗散性能并且能夠提高光反射率。


      圖1是示出了在本發(fā)明的放熱反射板的制造中可以用于進(jìn)行電化學(xué)砂目化處理的交流電波形的實(shí)例的圖形。圖2是在本發(fā)明的放熱反射板的制造中可以用于進(jìn)行陽極氧化處理的陽極氧化裝置的原理圖。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的放熱反射板的一個(gè)實(shí)施方案的示意性截面圖,所述放熱反射板包括帶陽極氧化膜的鋁合金層。圖4是示出了熒光體混色型白光發(fā)射單元的構(gòu)造的示意圖。圖5A和5B示意性地圖解了各自使用根據(jù)本發(fā)明的放熱反射板的另一個(gè)實(shí)施方案的白光發(fā)射單元。
      具體實(shí)施例方式下面,詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的放熱反射板。本發(fā)明的放熱反射板包括鋁合金層,在所述鋁合金層的表面形成有包括不同折射率的至少兩層的陽極氧化膜。具有不同折射率的至少兩層的陽極氧化膜在深度方向相對(duì)于位于表面?zhèn)鹊膶应?具有層ρ+1、ρ+2···ρ+η。當(dāng)用L表示層ρ+1的厚度時(shí),在位于表面?zhèn)鹊膶应训牡撞可戏瓷涞墓釧與在層ρ+1的底部上反射的光B之間存在2L的光程差。在這里使用的比navl/nav2是指陽極氧化膜中兩個(gè)不同的層之間的折射率比。當(dāng)光程差是反射光的波長λ乘以navl/nav2 的整數(shù)倍時(shí),光A與光B的波形彼此重疊引起干涉,從而獲得具有增強(qiáng)的光反射的反射板。1.[在其深度方向具有不同折射率的至少兩層的陽極氧化膜]具有不同折射率的至少兩層的陽極氧化膜是具有不同形狀和物理性質(zhì)的多個(gè)層的陽極氧化膜,并且具有不同折射率的至少兩層。可以通過在不同條件下進(jìn)行陽極氧化處理獲得不同折射率的多個(gè)層。備選地,可以在陽極氧化處理之后進(jìn)行封孔處理或填充處理,以形成多個(gè)層。折射率隨陽極氧化膜的形狀、孔隙率和用于填充的材料的條件而變化。除了用特殊物質(zhì)填充陽極氧化膜的情況以外,氧化鋁、氫氧化鋁或其水合氧化物作為多孔材料存在于陽極氧化膜的孔部中,并且孔隙率隨陽極氧化處理?xiàng)l件變化。本發(fā)明的陽極氧化膜包括其中陽極氧化膜含有大量具有平均孔徑尺寸的微孔的情況,以及其中無法觀察到這種微孔并且氧化鋁、氫氧化鋁或其水和氧化物被填充至對(duì)應(yīng)于孔部的層中的情況。2.[具有不同孔隙率的至少兩層的陽極氧化膜]放熱反射板包括鋁合金層及在其表面上形成的陽極氧化膜,所述陽極氧化膜在從陽極氧化膜的表面至鋁合金層與陽極氧化膜之間界面的深度方向具有至少兩個(gè)不同孔隙率的陽極氧化層。當(dāng)在表面?zhèn)鹊膶覲之下、在深度方向相鄰的層由Ρ+1、P+2、. . . p+n表示時(shí),層P+1的垂直深度L由式(1)、(2-1)和(2-2)表示
      L = 1/2XmX λ Xnavp/navp+1式(1)navp = nA12。3X (I-Dp)+IiairXDp式(2-1)navp+1 = nA1203 X (l"Dp+1)+nairXDp+1 式(2-2)這里λ是用于反射的光的波長,m是至少為1的整數(shù),HavpAiavlrt是至少兩個(gè)不同的陽極氧化層中陽極氧化膜的表面?zhèn)鹊膶?層P)與下面的層(層P+1)之間的折射率比,nA1203是陽極氧化的氧化鋁的折射率,nair是空氣的折射率,它為1,Dp是陽極氧化的層ρ中孔部的孔隙率,并且Dp+1是陽極氧化的層p+1中孔部的孔隙率。navl = nA1203 X (I-D1)+HairXD1 式(3)nav2 = nA1203 X (I-D2) +HairXD2 式(4)(1)考慮以下情況其中與通過第一陽極氧化處理獲得的第一陽極氧化層中的微孔相對(duì)應(yīng)的孔部具有0.33(33% )的孔隙率,并且在通過第二陽極氧化處理獲得的并且具有垂直深度L的第二陽極氧化層中的孔部具有0(0%)的孔隙率。假設(shè)第一陽極氧化層是陽極氧化膜的表面層并且第二陽極氧化層是它下面的層,通過將氧化鋁的折射率(1. 6),以及第一和第二陽極氧化層的孔隙率代入式(3) 和⑷中,我們獲得navl = 1. 6 X (1-0. 33) +1 X0. 33 = 1.4nav2 = 1. 6 X (1-0)+1X0 = 1. 6navl/nav2 = 1.4/1.6這里,在450nm的波長下的光進(jìn)入第一陽極氧化層和第二陽極氧化層的情況下, 當(dāng)進(jìn)入第二陽極氧化層、在其底部反射并在長度為2L的光程上傳播的光B的波形與在第一陽極氧化層的底部反射的光A的波形彼此重疊時(shí),式(1)的關(guān)系被滿足并且反射被增強(qiáng)。因此,L = 1/2XmX450XL 4/1. 6。當(dāng)m為1時(shí)反射在197nm的深度L下增強(qiáng),并且當(dāng)m為2時(shí)反射在394nm的深度 L下增強(qiáng)。(2)考慮另一種情況其中與通過第一陽極氧化處理獲得的第一陽極氧化層中的微孔相對(duì)應(yīng)的孔部具有33%的孔隙率,將第一陽極氧化層的孔部封孔以在所述孔部的表面?zhèn)壬闲纬?孔隙率的第一層,并且通過第一陽極氧化處理獲得的孔部的底部仍具有 0. 33(33% )的孔隙率并形成垂直深度為L的第二層2。通過將氧化鋁的折射率(1. 6),以及第一和第二層的孔隙率代入式(3)和中, 我們得到navl = 1. 6X (1-0)+1X0 = 1. 6nav2 = 1· 6 X (1-0. 33) +1 X0. 33 = 1.4navl/nav2 = 1.6/1.4這里,在450nm波長下的光進(jìn)入第一層和第二層的情況下,當(dāng)進(jìn)入第二層、在其底部反射并在長度為2L的光程上傳播的光B的波形與在第一層的底部反射的光A的波形彼此重疊時(shí),式(1)的關(guān)系被滿足并且反射被增強(qiáng)。
      因此,L = l/2XmX450Xl. 6/1. 4。當(dāng)m為1時(shí)反射在257nm的深度L下增強(qiáng),并且當(dāng)m為2時(shí)反射在514nm的深度 L下增強(qiáng)。(3)例如,在通過第一陽極氧化處理獲得的第一陽極氧化膜的孔部具有 0. 33(33% )的孔隙率,通過第二陽極氧化處理獲得的第二陽極氧化膜的孔部具有垂直深度L和0. 42 (42% )的孔隙率且通過第三陽極氧化處理獲得的第三陽極氧化膜的孔部具有 0. 33(33% )的孔隙率,并且第一陽極氧化層是陽極氧化膜的表面?zhèn)葘忧业诙偷谌枠O氧化層按所述順序在第一陽極氧化層之下的情況下,獲得以下折射率。navl = 1. 6 X (1-0. 33) +1 X0. 33 = 1.4nav2 = 1· 6 X (1-0. 42) +1 X0. 42 = 1. 35nav3 = 1· 6 X (1-0. 33) +1 Χ0. 33 = 1.4這里,在450nm的波長下的光穿過第一陽極氧化層的孔部進(jìn)入第二和第三陽極氧化層的孔部情況下,當(dāng)進(jìn)入第三陽極氧化層的孔部、在其底部反射并在長度為2L的光程上傳播的光B的波形與在第二陽極氧化層的底部反射的光A的波形彼此重疊時(shí),式(1)的關(guān)系被滿足并且反射被增強(qiáng)。因此,nav2/nav3 = 1. 35/1. 4L=Iz^xmxdSOxLSSZLL當(dāng)m為1時(shí)反射在216nm的深度L下增強(qiáng),并且當(dāng)m為2時(shí)反射在433nm的深度 L下增強(qiáng)。作為在第三陽極氧化層的底部反射的并且通過第三和第二陽極氧化層的光與在第一陽極氧化層的底部反射的光之間重疊的結(jié)果,可以按與以上相同的方式理解引起反射增強(qiáng)的層厚與波長之間的關(guān)系。作為在第二陽極氧化層的底部反射的光與在第一陽極氧化層的底部反射的光之間重疊的結(jié)果,可以按與以上相同的方式理解引起反射增強(qiáng)的層厚與波長之間的關(guān)系。增強(qiáng)光反射的機(jī)制被認(rèn)為是如上所述在陽極氧化膜的不同層之間的反射的光的干涉或共振,但是它并不被限定于這種特定機(jī)制。取決于陽極氧化處理?xiàng)l件,也存在形成可以指定平均孔徑尺寸的微孔的情況,以及氧化鋁、氫氧化鋁或其水合氧化物作為多孔材料隨機(jī)地形成并且孔不具有特定平均孔徑尺寸的情況。在本發(fā)明中,將與這些微孔相對(duì)應(yīng)的部分稱作“孔部”。根據(jù)發(fā)明者的發(fā)現(xiàn), 據(jù)認(rèn)為,即使在這種情況中,在至少兩個(gè)不同的層中包括的表面?zhèn)葘覲與下面的具有深度L 的層P+1引起在表面?zhèn)汝枠O氧化層P的孔部的底部反射的光與在不同于表面?zhèn)葘拥膶覲+1 的孔部的底部反射的光干涉,以增強(qiáng)在用于反射的光在波長λ的反射。在增強(qiáng)反射的說明中,孔部的深度L通常是指孔部的實(shí)際垂直深度,但可以指以稍微傾斜的方式入射到孔部中的光的光程長度。(1)對(duì)陽極氧化層的形狀沒有特別限定,并且圖3中所示的實(shí)例是一個(gè)典型的形狀。圖3的實(shí)例中所示的陽極氧化層通過以下制備方法制備所述方法包括通過第一陽極氧化處理形成具有高孔隙率的第一陽極氧化層并且進(jìn)行第二陽極氧化處理以減小第一陽極氧化層中形成的微孔的孔徑尺寸或者填充微孔以便微孔可以是多孔的。
      圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的放熱反射板的一個(gè)實(shí)施方案的示意性截面圖,所述放熱反射板包括帶陽極氧化膜的鋁合金層。圖3中所示的放熱反射板10是層合結(jié)構(gòu)體,其中鋁合金層1與鋁合金的陽極氧化膜2按該順序?qū)盈B。通過線“a”示出陽極氧化膜2的表面的位置,并且通過線“d”示出鋁合金層1與陽極氧化膜之間界面的位置。作為本發(fā)明的典型特征的、通過第一陽極氧化處理形成并且由附圖標(biāo)記4示出的陽極氧化層ρ包括對(duì)應(yīng)于從表面“a”向鋁合金層1側(cè)延伸的微孔的孔部5和底部6。底部6的位置通過點(diǎn)線“C”示出。通過第二陽極氧化處理形成并且由附圖標(biāo)記7示出的陽極氧化層p+1包括對(duì)應(yīng)于微孔的孔部8和底部9。陽極氧化層 P和P+1通過不同的第一和第二陽極氧化處理形成,并且孔部5的孔隙率Dp與孔部8的孔隙率Dp+1不同。在陽極氧化處理過程中,陽極氧化層ρ的底部與陽極氧化層p+1連通,并且陽極氧化層P+1的底部9在鋁合金層1與陽極氧化膜2之間界面位置處的線“d”上。陽極氧化層P+1的垂直深度L是從“C”到“d”的距離。本文使用的術(shù)語“連通”是指流體(其可以是液體或氣體)能夠流動(dòng)的狀態(tài)。通過在150,000X的放大率下取得圖3中所示的陽極氧化膜2的截面圖像,測(cè)量陽極氧化層的至少25個(gè)孔部的深度并計(jì)算測(cè)量結(jié)果的平均值,從而測(cè)定陽極氧化層ρ或p+1 的垂直深度(也稱作“厚度”)。3.[其中陽極氧化層包括沒有特定孔徑尺寸的孔的情況下的孔隙率]也存在其中陽極氧化層包括具有與空氣的折射率相同的折射率的微孔的情況,但是在多孔陽極氧化層包括其折射率與空氣的折射率不同的微孔的情況下,可以測(cè)量相應(yīng)微孔中的孔隙率。在本發(fā)明的實(shí)施中,如下測(cè)定孔隙率在150,000X的放大率下取得陽極氧化膜2的截面圖像;在圖像上將空隙與含有氧化鋁、水合氧化鋁等的部分加以區(qū)分;測(cè)量它們的總面積;將所得到的值變換為與微孔相對(duì)應(yīng)的孔部假定的三維形狀以計(jì)算密度;基于用0%的孔隙率表示的無空隙陽極氧化層的孔部密度計(jì)算陽極氧化層的孔部孔隙率。對(duì)于與微孔相對(duì)應(yīng)的孔部的形狀沒有特別限定,并且例證性的形狀包括大體上直管形狀(大體上圓柱形)和其中朝向深度方向直徑增加的類似章魚壺的形狀,并且大體上直管形狀是優(yōu)選的。當(dāng)陽極氧化層中孔部的中心線長度與陽極氧化層中孔部的深度之比為1. 0至1. 2 時(shí),在陽極氧化層中入射光或反射光以高比例直線傳播,并且因此光反射率高。在陽極氧化膜2的表面上對(duì)應(yīng)于微孔的部分的平均孔徑尺寸為約IOnm至約 200nm,并且優(yōu)選20nm至lOOnm。平均孔密度為約1 X IO6至約1 X IOicVmm2。平均孔密度在上面定義的范圍之內(nèi),光反射率和熱耗散性能出色。對(duì)陽極氧化膜2的深度(厚度)沒有特別限定,并且在更出色的絕緣性方面優(yōu)選為1至200 μ m。小于Ιμπι的膜厚由于絕緣性差降低耐受電壓,而超過200 ym的膜厚需要大量電能用于制造,這在經(jīng)濟(jì)上是不利的。陽極氧化膜優(yōu)選具有2至100 μ m的深度并且更優(yōu)選20至70 μ m。4.[鋁合金層的組成]本發(fā)明的放熱反射板中可以使用的鋁合金層具有至少99. 9重量%的鋁純度,優(yōu)選至少99. 99重量%并且更優(yōu)選至少99. 991重量%的鋁純度。在鑄造過程中無法避免的不可避免雜質(zhì)也負(fù)面地影響光反射率和耐受電壓。當(dāng)不可避免雜質(zhì)的總量至多0. 05重量%時(shí),光反射率高。因此,以至多0. 05重量%的總量摻入包括Si、Fe、Ga和Si的不可避免的雜質(zhì)。除硅和鐵以外,鋁還可以含有其它不可避免的雜質(zhì)如銅、錳、鎂、鉻、鉍、鎳和鈦??梢酝ㄟ^以適當(dāng)?shù)牧繐饺腈?Ga)和鋅(Zn)提高光反射率。更具體地,適宜的是以5ppm至25ppm的量有意加入fei。適宜地是以5ppm至20ppm的量有意加入Si。加入量的增加反向地影響耐受電壓并且因而每個(gè)成分的上限受到限制。在本說明書中,將包括上述高純鋁和鋁合金的鋁統(tǒng)稱為“鋁合金”。5.[具有鋁合金層的反射板(在下文中有時(shí)稱作“基板”]在由其它材料構(gòu)成的基板的表面上形成的鋁合金層應(yīng)該具有至少10 μ m的深度。 由其它材料制成的基板可以是包括鋁合金層的基板。可以獨(dú)立地制備陽極氧化膜并將其粘合至鋁合金層,但是優(yōu)選將鋁合金層的表面陽極氧化以整體地形成陽極氧化膜??梢匀芜x地將鋁合金層堆疊在金屬片如鋼片、玻璃片、陶瓷片或樹脂片之上。備選地,鋁合金層可以是單層片。單個(gè)鋁合金片形式的鋁合金層優(yōu)選具有約0. Imm至約5mm的深度。鋁合金片可以是平坦的或者具有用于安裝諸如發(fā)光裝置的裝置的凹部。凹部優(yōu)選具有向上部放大的端部張開的形狀。這使得能夠?qū)陌惭b在凹部的底部上的發(fā)光裝置側(cè)向發(fā)出的光高效率地向上反射。當(dāng)鋁合金層是單層片的形式時(shí),可以在鋁合金板的正面主表面上,或者在正面主表面和與正面主表面平行的背面主表面上形成陽極氧化膜。任選地可以在包括四個(gè)端表面的全部六個(gè)表面上形成陽極氧化膜。在將特定組成的鋁合金層堆疊在另一個(gè)片材上并使用的情況下,優(yōu)選的是如圖5A 中所示的放熱反射板30,所述放熱反射板30是具有耐熱柔性鋼片或金屬片21和堆疊于其上的鋁合金層的板。圖5A是圖解了使用了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的放熱反射板30的白光發(fā)射單元100的截面圖,所述放熱反射板30包括金屬片21和鋁合金層1,所述鋁合金層1具有帶有特定形狀的微孔的陽極氧化膜2。該層合板優(yōu)選具有約0. Imm至約5mm的厚度。層合板的具有陽極氧化膜2并且構(gòu)成最上層的鋁合金層1具有至少10 μ m的厚度,優(yōu)選10 μ m 至200 μ m并且更優(yōu)選20 μ m至100 μ m的厚度??梢詢H在層合板的一側(cè)上或在兩側(cè)之上都形成鋁合金層。在層合于鋼片之上的情況下,優(yōu)選的是熱浸鋁涂覆鋼片,所述熱浸鋁涂覆鋼片在鋁合金層與鋼片之間具有出色的粘合性并且是通過熱浸獲得的。優(yōu)選使用不銹鋼片(SUS) 用于鋼片。在層合于金屬片之上的情況下,優(yōu)選用于層合的金屬片的實(shí)例包括鋁合金片、銅片、鎳片和鈦片,并且鋁或鋁合金片以及鎳片是特別優(yōu)選的。鋁或鋁合金片的化學(xué)和物理性質(zhì)接近于本發(fā)明的鋁合金層的化學(xué)和物理性質(zhì),并且因此優(yōu)選將鋁或鋁合金片用于層壓片。鋁合金層與鋁合金片優(yōu)選使用層合用的硬釬料金屬作為襯里(clad)。(1)制備熱浸鋁涂覆鋼片的方法下面描述制備熱浸鋁涂覆鋼片的方法的實(shí)施方案。準(zhǔn)備軋制不銹鋼片并將其表面氧化物膜去除??梢允褂帽3衷跓o氧狀態(tài)下的還原退火爐中的還原去除方法和使用酸洗的化學(xué)去除方法去除氧化物膜。在氧化物膜的去除之后就馬上將不銹鋼片浸入鍍鋁浴中以在其表面形成特定組成的鋁合金層。通過鍍覆形成的層的厚度隨熔融鋁的粘度和鋼片的表面性質(zhì)變化,但是也可以使用通過氣體噴射系統(tǒng)均勻化膜厚的方法。之后將片材冷卻,得到鍍鋁的鋼片??梢詫㈠兡さ暮穸热我獾乜刂圃诩s 10 μ m至約100 μ m的范圍內(nèi)。(2)制備鋁襯里材料的方法下面描述制備鋁襯里材料的方法的實(shí)施方案。通過公知方法對(duì)用于皮殼材料的鋁合金和用于硬釬料金屬的鋁合金進(jìn)行鑄造、切削和均熱以制備用于皮殼材料的鑄塊和用于硬釬料金屬的鑄塊。使用用于皮殼材料的鋁合金形成特定組成的鋁合金層。接下來通過熱軋將所述鑄塊軋制至預(yù)定的厚度以制備用于皮殼材料的軋制片和用于硬釬料金屬的軋制片。另一方面,也通過公知方法對(duì)用于核芯材料的鋁合金進(jìn)行鑄造、切削和均熱以制備用于核芯材料的鑄塊。接下來,將用于核芯材料的鑄塊和用于皮殼材料的軋制片用用于硬釬料金屬的軋制片襯里,在至少450°C但是至多550°C的溫度下熱處理至少1小時(shí),放置,在層疊狀態(tài)下通過熱軋壓合以獲得鋁襯里片。之后,進(jìn)行冷軋和中間退火以將厚度降低至預(yù)定值,并且最終進(jìn)行冷軋以獲得具有所需厚度的精整薄片。適宜地在350°C至400°C下進(jìn)行中間退火2至4小時(shí)??梢赃M(jìn)行最終退火以在最終軋制之后將襯里材料的強(qiáng)度調(diào)整至150至200MPa的范圍內(nèi)。在該過程中,可以在150°C 至300°C下進(jìn)行退火1至3小時(shí)。(硬釬料金屬)可以使用通常使用的硬釬料金屬作為鋁合金片的襯里并且通常使用含有7至13 重量%的Si的Al-Si合金硬釬料金屬。硬釬料金屬的優(yōu)選實(shí)例包括JIS4343、JIS4045和 JIS4047 合金。硬釬料金屬在至多600°C的溫度下開始熔化并且熔融金屬以液相形式流動(dòng),幫助連接包括上側(cè)皮殼材料和下側(cè)核芯材料的兩種鋁合金材料。如后面將要描述的,在加熱過程中硬釬料金屬的熔融成分分散至上側(cè)和下側(cè)的鋁材料(皮殼材料和核芯材料)中。然而,如果硬釬料金屬的熔融成分分散至至多10 μ m的厚度并且形成特定組成的鋁合金層的皮殼材料具有比所需的陽極氧化膜的厚度大的厚度,硬釬料金屬的合金成分和不可避免雜質(zhì)的成分不會(huì)影響特定組成的鋁合金層并且因此可以不予考慮。(核芯材料)可以使用高耐熱性金屬片作為本發(fā)明的核芯材料。當(dāng)考慮到核芯材料與構(gòu)成最上層的皮殼材料的整體可形成性時(shí),優(yōu)選使用鋁合金片或不銹鋼片。特別優(yōu)選的是使用鋁合金片作為用硬釬料金屬做襯里的材料。可以使用鋁合金如JIS 3000系列和JIS 6000系列合金作為核芯材料,并且特別優(yōu)選的是使用Jis 6000系列合金。優(yōu)選使用不銹鋼片作為具有在鋼片上通過熱浸鋁涂覆形成的鋁層的熱浸鋁涂覆鋼片??梢允褂脗鹘y(tǒng)公知的鋼片用于該方法中的不銹鋼片。SUS403和SUS304材料是特別優(yōu)選的。層合板可以是平板的形式或具有用于安裝如光發(fā)射裝置的裝置的凹部??梢灶A(yù)先處理其上將要層合鋁合金層的基板表面以形成凹部或者可以處理層合了特定組成的鋁合金層之后獲得的基板。凹部優(yōu)選具有向上面放大的端部張開的形狀。這使得能夠?qū)陌惭b在凹部的底部上的發(fā)光裝置側(cè)向發(fā)出的光高效率地向上反射。用鋁合金層提供層合板的表面,所述鋁合金層具有在其表面上形成的具有特定形狀的孔部的陽極氧化膜。6.[表面處理]用于制備本發(fā)明的放熱反射板的表面處理可以包括多種表面粗糙化處理、其預(yù)處理和后處理、陽極氧化處理,以及多個(gè)其它處理步驟。用于形成上述表面形狀的典型方法包括其中按順序?qū)︿X合金片進(jìn)行堿蝕處理、 使用酸的去污處理和使用電解液的電化學(xué)砂目化處理的方法,以及其中在鋁合金片上進(jìn)行堿蝕處理、使用酸的去污處理和使用不同電解液的電化學(xué)砂目化處理的方法。在這些表面粗糙化處理之間還可以進(jìn)行機(jī)械砂目化處理。優(yōu)選將使用基于硝酸和/或鹽酸的電解液的方法用于電化學(xué)砂目化處理。在這些表面粗糙化處理之前可以進(jìn)行也可以不進(jìn)行機(jī)械砂目化處理。[脫脂處理]使用合適的物質(zhì)如酸、堿或有機(jī)溶劑進(jìn)行脫脂處理,以便溶解并移除鋁合金基板表面附著的包括灰塵、油脂和樹脂等的有機(jī)物質(zhì),從而防止在每個(gè)后續(xù)處理中由于有機(jī)物質(zhì)而出現(xiàn)缺陷。優(yōu)選的脫脂方法包括下列各項(xiàng)其中使有機(jī)溶劑如醇(例如,甲醇)、酮(例如,甲基乙基酮)、石油精或揮發(fā)油與鋁合金基板的表面在環(huán)境溫度下接觸的方法(有機(jī)溶劑方法);在環(huán)境溫度至80°C的溫度下使含有表面活性劑如皂或中性洗滌劑的液體與鋁合金基板的表面接觸,之后用水沖洗所述表面的方法(表面活性劑方法);在環(huán)境溫度至70°C的溫度下使具有10至200g/L濃度的硫酸水溶液與鋁合金基板的表面接觸30至80秒的一段時(shí)間,之后用水沖洗所述表面的方法;在環(huán)境溫度下使具有5至20g/L的濃度的氫氧化鈉水溶液與鋁合金基板的表面接觸約30秒,同時(shí)通過使1至ΙΟΑ/dm2的電流密度的直流電流通過作為陰極的鋁合金基板表面進(jìn)行電解,之后使該表面與100至500g/L的濃度的硝酸水溶液接觸并從而中和的方法;在環(huán)境溫度下使多種公知陽極氧化電解液的任意一種或多種與鋁合金基板的表面接觸,同時(shí)通過使1至ΙΟΑ/dm2的電流密度的直流電流通過作為陰極的鋁合金基板表面,或者通過使交流電流通過作為陰極的鋁合金基板表面從而進(jìn)行電解的方法;在40至50°C下使具有10至200g/L的濃度的堿的水溶液與鋁合金基板的表面接觸15 至60秒,之后是將該表面與具有100至500g/L的濃度的硝酸水溶液接觸從而中和的方法; 在從環(huán)境溫度至50°C的溫度下使通過將表面活性劑、水等混入油如粗柴油或煤油而制備的乳液與鋁合金基板的表面接觸,之后用水沖洗該表面的方法(乳液脫脂方法);以及在環(huán)境溫度至50°C的溫度下使例如,碳酸鈉、磷酸鹽和表面活性劑的混合溶液與鋁合金基板的表面接觸30至180秒,之后用水沖洗該表面的方法(磷酸鹽方法)。其中,從將油脂從鋁合金表面移除同時(shí)基本上不引起鋁合金溶解的角度,有機(jī)溶劑方法、表面活性劑方法、乳液脫脂方法和磷酸鹽方法是優(yōu)選的。
      在脫脂處理中可以使用公知的脫脂劑。例如,可以通過上述方法使用多種可商購的脫脂劑中的任意一種或多種進(jìn)行脫脂處理。7.[通孔形成和布線]在本發(fā)明的放熱反射板中,在安裝發(fā)光裝置之前也可以進(jìn)行用于適當(dāng)?shù)靥峁┗ミB部的通孔形成,以及用于假定為最終產(chǎn)品的芯片上系統(tǒng)的布線??梢栽诒砻嫣幚砗完枠O氧化處理步驟之前或之后進(jìn)行通孔形成。在通過后述陽極氧化形成絕緣層之前的這種處理可以避免通過陽極氧化形成的絕緣層破裂,同時(shí)保持通過該處理形成的基板的端表面的絕緣性。當(dāng)在陽極氧化處理步驟之后進(jìn)行時(shí),這些處理步驟增加陽極氧化處理步驟的效率并且可以將陽極氧化膜精確地加工為最終產(chǎn)品的尺寸。適用于通孔形成和布線的方法的實(shí)例包括鉆孔、使用模具壓制、使用切割鋸切割和激光加工,但所述方法不限于此。8.[第一陽極氧化處理步驟]第一陽極氧化處理步驟是用于陽極氧化鋁合金層以在鋁合金層的表面上形成具有在深度方向(厚度方向)延伸的微孔或孔部的鋁氧化物膜的步驟。如圖3中所示,作為第一陽極氧化處理的結(jié)果,在鋁合金層1的表面上形成了帶有微孔或孔部的陽極氧化的鋁膜2??梢酝ㄟ^本領(lǐng)域中傳統(tǒng)公知的方法進(jìn)行第一陽極氧化處理,但是應(yīng)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置制備條件以使得可以最終形成上述微孔或孔部。更具體地,第一陽極氧化處理步驟中形成的微孔通常具有約10至約200nm并且優(yōu)選20至IOOnm的平均直徑(平均孔徑)。平均直徑在上面定義的范圍之內(nèi),光反射和熱耗散性能出色。如果需要,可以不僅將鋁合金片的主平面,而且也將通孔的內(nèi)部和鋁合金層的端面陽極氧化,以給予絕緣性和光反射性。在第一陽極氧化處理步驟中可以使用的溶液可以含有酸如硫酸、磷酸、鉻酸、草酸、氨基磺酸、苯磺酸、酰胺磺酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸和硼酸,以及堿金屬和堿土金屬的氫氧化物如氫氧化鈉、氫氧化鎂、氫氧化鉀和氫氧化鈣??梢砸运芤旱男问絾为?dú)使用酸和氫氧化物或者使用兩種以上的組合??梢允褂肑P 2008-270158A的第W055]至W108]段中記載的自排序方法和恒電壓處理以便控制陽極氧化處理?xiàng)l件,使得微孔具有特定的形狀。可以接受的是至少通常存在于鋁合金層、電極、自來水、地下水等中的成分存在于電解液中。此外,可以加入第二和第三成分。這里,“第二和第三成分”包括,例如,金屬如鈉、 鉀、鎂、鋰、鈣、鈦、鋁、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅和鋅的離子;陽離子如銨離子;以及陰離子如硝酸根離子、碳酸根離子、氯離子、磷酸根離子、氟離子、亞硫酸根離子、鈦酸根離子、硅酸根離子和硼酸根離子。這些可以約0至10,OOOppm的濃度存在??梢愿鶕?jù)所使用的電解液按經(jīng)驗(yàn)改變陽極氧化處理?xiàng)l件,盡管通常適宜的是對(duì)于溶液,具有1至80重量%的電解質(zhì)濃度和5至70°C的溫度,并且電流密度為0. 5至60A/ dm2,電壓為1至600V,并且電解時(shí)間為15秒至20分鐘??梢哉{(diào)整這些條件以獲得所需的
      陽極氧化層重量??梢杂糜谶M(jìn)行陽極氧化處理的方法包括JP 54-81133A, JP 57-47894A、JP57-51289A,JP 57-51290A.JP 57-54300A.JP 57-136596A、JP58-107498A、JP 60-200256A、 JP 62-136596A、JP 63-176494A、JP4-176897A、JP 4-280997A、JP 6-207299A、JP 5-24377A, JP 5-32083A、JP 5-125597A 和 JP 5-195291A 中記載的那些。其中,如JP 54-12853A和JP 48-45303A中所記載,優(yōu)選的是使用硫酸溶液作為電解液。電解液優(yōu)選具有10至300g/L的硫酸濃度,并且優(yōu)選具有1至25g/L,并且更優(yōu)選2 至10g/L的鋁離子濃度??梢酝ㄟ^將化合物如硫酸鋁加入至具有50至200g/L硫酸濃度的稀硫酸中制備這種電解液。當(dāng)在含有硫酸的電解液中進(jìn)行陽極氧化處理時(shí),可以通過在鋁合金片和對(duì)電極之間施加直流電流或交流電流。在將直流電流施加于鋁合金片時(shí),適宜地是在鋁片和對(duì)電極之間施加恒電壓并且適宜地是施加IOV至50V范圍內(nèi)的電壓。陽極氧化膜在從陽極氧化膜的表面的深度方向中具有微孔,并且微孔的中心線長度與深度之比(長度/深度)優(yōu)選為1.0至1.2,更優(yōu)選1.0至1. 1并且再更優(yōu)選1.0至 1. 05。當(dāng)微孔具有滿足上述范圍的形狀時(shí),所得到的放熱反射板具有高絕緣性和高光反射率。當(dāng)與深度為L的微孔相對(duì)應(yīng)的孔部的中心線長度與深度之比在上面定義的范圍內(nèi)時(shí), 所得到的在特定波長下的光反射率高。陽極氧化膜的厚度優(yōu)選為1至200 μ m。小于1 μ m的膜厚由于絕緣性差降低耐受電壓,而超過200 μ m的膜厚需要大量的電能,這在經(jīng)濟(jì)上是不利的。陽極氧化膜更優(yōu)選具有2至100 μ m的厚度并且還更優(yōu)選20至70 μ m的厚度。陽極氧化處理中可以使用的電解裝置的實(shí)例包括JP 48-26638A、JP47-18739A和 JP 58-M517B中記載的那些。使用圖2中所示的裝置是尤其有利的。圖2是示出了用于陽極氧化鋁片表面的裝置的示意圖。在陽極氧化裝置410中,按照?qǐng)D2中所示箭頭傳送鋁片 416。在含有電解液418的電源池412中通過電源電極420使鋁片416帶正電荷(+)。之后通過設(shè)置于電源池412中的輥422將鋁片416向上輸送,在夾持輥似4上轉(zhuǎn)向下并且向含有電解液426的電解池414輸送,通過輥4 轉(zhuǎn)換為水平方向。接下來,通過電解電極430 使鋁片416帶負(fù)電荷(-)以在片材表面形成陽極氧化膜。之后將從電解池414出來的鋁片 416轉(zhuǎn)送至用于后繼步驟的部分。在陽極氧化裝置410中,輥422、夾持輥4M和輥4 構(gòu)成方向改變裝置,并且借助于這些輥422、似4和428,將鋁片416以山形和反U形傳送通過電源池412和電解池414。電源電極420和電解電極430連接至DC電源434。9.[第二陽極氧化處理步驟]在第二陽極氧化處理步驟中,在與第一陽極氧化處理中的條件不同的條件下陽極氧化經(jīng)過第一陽極氧化處理的鋁合金層,以形成兩個(gè)不同的陽極氧化層。第二陽極氧化處理步驟可以是用于形成與微孔相對(duì)應(yīng)的孔部并使其相對(duì)于第一陽極氧化處理在深度方向 (厚度方向)延伸得更深的步驟,或者是其中對(duì)應(yīng)于微孔的孔部在深度方向幾乎不生長并且微孔的孔徑在徑向減少的步驟??梢詰?yīng)用氧化無微孔開口的鋁合金層的步驟。如圖3中所示,第二陽極氧化處理步驟形成具有通過第一陽極氧化處理步驟形成的孔部5和在深度方向(厚度方向)進(jìn)一步延伸的孔部8的陽極氧化膜2??梢栽诓煌臈l件下,換言之,在第一、第二、第三、…和第η條件下進(jìn)行陽極氧化處理步驟。所得到的陽極氧化膜可以是具有任意數(shù)量的陽極氧化層的多層結(jié)構(gòu)。在電解池的類型上,條件可以不同,并且可以改變條件如所施加的電壓和電流密度。在每個(gè)陽極氧化處理步驟中使用的電解池與在第一陽極氧化處理步驟中使用的電解池相同,并且根據(jù)所得到的陽極氧化層適當(dāng)?shù)卦O(shè)置處理?xiàng)l件。組合方法的優(yōu)選實(shí)例包括以下這種方法其中在硫酸水溶液中對(duì)鋁合金層的表面進(jìn)行第一陽極氧化處理并且之后在硼酸水溶液中對(duì)其進(jìn)行第二陽極氧化處理。另一個(gè)實(shí)例是以下這種方法其中在硫酸水溶液中對(duì)鋁合金層的表面進(jìn)行第一陽極氧化處理并且之后在磷酸水溶液中對(duì)其進(jìn)行第二陽極氧化處理。[封孔處理]在本發(fā)明的實(shí)施中,如果需要,可以進(jìn)行封孔處理以封閉多孔陽極氧化膜中存在的微孔。可以根據(jù)公知方法進(jìn)行封孔處理,如沸水處理、熱水處理、水蒸汽處理、硅酸鈉處理、亞硝酸鹽處理或乙酸銨處理。例如,可以使用JP 56-12518B,JP 4-4194A.JP 5-202496A 和JP 5-179482A中記載的裝置和方法進(jìn)行封孔處理。[酸蝕或堿蝕處理]可以任選地使用酸或堿的水溶液進(jìn)行表面清潔處理。[用水沖洗]優(yōu)選在上述處理結(jié)束之后用水進(jìn)行沖洗。用于沖洗的水的實(shí)例包括純水、井水和自來水??梢允褂脢A持裝置防止將處理液帶至后續(xù)步驟中。在用水沖洗之后,可以進(jìn)一步將陽極氧化膜浸入酸或堿溶液中1至60秒并且用水沖洗。[保護(hù)層]可以對(duì)本發(fā)明的放熱反射板進(jìn)行針對(duì)后面描述的后處理中所使用的多種溶劑的保護(hù)處理,所述后處理包括用于傳送電信號(hào)至LED的金屬互連層的形成,圖案化和在LED安裝區(qū)中的金屬層的形成。更具體地,如在例如JP 2008-93652A和JP 2009-68076A中所記載的,在保護(hù)處理中可以適當(dāng)?shù)母淖冴枠O氧化膜的表面性質(zhì),包括親水性和疏水性(親油性和疏油性)。此外,也可以適當(dāng)?shù)氖褂觅x予其耐酸性和耐堿性的方法。10.[互連層]下面詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的由金屬導(dǎo)體制成的互連層(金屬互連層)。本發(fā)明的互連層形成于本發(fā)明的上述放熱反射板的陽極氧化膜之上并被用于安裝發(fā)光裝置。可以在其上將要安裝發(fā)光裝置的陽極氧化膜上形成互連層。備選地,可以在與其上將要安裝發(fā)光裝置的陽極氧化膜相反的背面上形成互連層,并將其通過通孔與其上將要安裝發(fā)光裝置的一側(cè)電連接。對(duì)于金屬互連層的材料沒有特別限定,只要它是導(dǎo)電材料即可,并且其具體實(shí)例包括金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎂(Mg)和鎳(Ni)。這些材料可以單獨(dú)使用或使用其兩種以上的組合。其中,因?yàn)槠涞碗娮瓒鴥?yōu)選使用銅??梢栽阢~互連層之上形成金層或鎳/金層以便提高易于接線的程度。在傳導(dǎo)可靠性和包裝緊密性方面,金屬互連層優(yōu)選具有0. 5至1,000 μ m的厚度, 更優(yōu)選1至500 μ m并且最優(yōu)選5至250 μ m的厚度。形成金屬互連層的例證性方法包括多種鍍敷處理如電解電鍍、無電電鍍和置換電鍍、濺射、氣相沉積、金屬箔的真空貼敷和使用粘合層的粘附。
      這些之中,在其高耐熱性方面優(yōu)選的是僅使用金屬形成該層,并且在形成厚而均一的膜和高粘附性方面特別優(yōu)選的是通過鍍敷形成該層。對(duì)陽極氧化膜進(jìn)行鍍敷處理,并且因此優(yōu)選使用的是以下方法其中形成被稱作 “種子層”的還原金屬層并且使用這樣形成的金屬層形成厚金屬層。優(yōu)選使用無電電鍍形成種子層,并且對(duì)于電鍍液優(yōu)選使用含有主要成分(例如, 金屬鹽和還原劑)和輔助配合劑(例如,PH調(diào)節(jié)劑、緩沖劑、配位劑、促進(jìn)劑、穩(wěn)定劑和改進(jìn)劑)的溶液。商業(yè)產(chǎn)品如 SE-650 .666 ·680、ΞΕΚ-670 .797、SFK_63 (可得自 Japan Kanigen Co. , Ltd.)和 MelplateNI-4128、Enplate NI-433、Enplate NI-411 (可得自 Meltex Inc.) 可以適合用于電鍍液。在使用銅作為金屬互連層的材料的情況下,可以使用含有硫酸、硫酸銅、鹽酸、聚乙二醇和表面活性劑作為主成分和多種其它添加劑的多種電解液。根據(jù)LED安裝設(shè)計(jì)使用任意公知方法將如此形成的金屬互連層圖案化。為了更易于連接,可以在LED將實(shí)際安裝的部分再次形成金屬層(包括焊錫),并通過以下方式適當(dāng)加工熱壓焊、倒裝焊或絲焊。合適的金屬層優(yōu)選由以下金屬材料制成,如焊錫、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁 (Al)、鎂(Mg)和鎳(Ni)。在通過加熱安裝LED方面,為了連接可靠性,透過鎳施用金或銀的方法是優(yōu)選的。通過后面描述的互連層形成方法如使用金屬油墨的噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷在陽極氧化膜上形成圖案使得能夠在粗糙化的表面上容易地形成圖案化的互連層,而不需要多個(gè)步驟。由于通過陽極氧化膜的微孔產(chǎn)生的高固著效果,互連層與光反射層之間的粘合也是出色的。(噴墨印刷)通過使用含有導(dǎo)體金屬的金屬油墨噴墨印刷,在陽極氧化膜的所需部分上形成互連層。使用金屬油墨形成互連圖案,之后將其燒成以獲得互連。金屬油墨的實(shí)例包括通過以下方式獲得的金屬油墨將粒狀導(dǎo)體金屬均勻地分散在包含例如粘合劑和表面活性劑的溶劑中。在該情況下,溶劑應(yīng)該具有揮發(fā)性并對(duì)導(dǎo)體金屬具有親和性。金屬油墨中含有的導(dǎo)體金屬的實(shí)例包括金屬如銀、銅、金、鉬、鎳、鋁、鐵、鈀、 鉻、鉬和鎢的微粒;金屬氧化物如氧化銀、氧化鈷、氧化鐵和氧化釕的微粒;復(fù)合合金如 Cr-Co-Mn-Fe,Cr-Cu, Cr-Cu-Mn,Mn-Fe-Cu,Cr-Co-Fe, Co-Mn-Fe 和 Co-Ni-Cr-Fe 的微粒;以及通過鍍銀或銅獲得的復(fù)合物的微粒。可以單獨(dú)使用這些或使用其兩種以上的組合。其中,金屬微粒是優(yōu)選的并且銀、銅和金是更優(yōu)選的。因?yàn)閮?yōu)秀的抗氧化性、對(duì)于產(chǎn)生高度絕緣的氧化物的高抵抗性、低成本和在互連圖案的燒成之后電導(dǎo)率的提高,銀是特別優(yōu)選的。對(duì)粒狀導(dǎo)體金屬的形狀沒有特別限定,并且其實(shí)例包括球形、顆粒形和鱗片狀的形狀。在通過增加微粒之間的接觸面積以提高電導(dǎo)率方面,鱗片狀的形狀是優(yōu)選的。在通過增加用金屬油墨形成的互連圖案中的填充比以增加電導(dǎo)率并用金屬油墨供應(yīng)本發(fā)明的基板上的陽極氧化膜方面,金屬油墨中含有的導(dǎo)體金屬優(yōu)選具有1至20nm并且更優(yōu)選5至IOnm的平均尺寸。
      (絲網(wǎng)印刷)通過絲網(wǎng)印刷將含導(dǎo)體金屬的金屬油墨印制在陽極氧化膜的所需部分上。使用金屬油墨形成互連圖案,之后將其燒成以獲得互連。在絲網(wǎng)印刷中,通過在絲網(wǎng)上形成與互連圖案相對(duì)應(yīng)的滲透性部分并將金屬油墨從滲透性部分?jǐn)D出從而供應(yīng)金屬油墨??梢允褂蒙鲜鰢娔∷⒅惺褂玫暮瑢?dǎo)體金屬的金屬油墨。11.[放熱反射板的應(yīng)用]可以將本發(fā)明的放熱反射板廣泛地用于發(fā)光裝置。本發(fā)明的放熱反射板特別適合用于LED中。無論使用何種類型和形狀的LED,可以沒有特別限定地將放熱反射板用于多種應(yīng)用中??梢詫⒈景l(fā)明的放熱反射板,例如,用于使用傳統(tǒng)公知LED的LED組件。例如,可以通過將圖4中所示的基板140換為本發(fā)明的放熱反射板30增強(qiáng)特定波長下的反射光,以提高發(fā)光單元100中的亮度。圖4顯示了白光LED熒光單元(LED組件)100。將LED 110如藍(lán)光LED面向下地連接至具有用于外部連接的電極120和130的基板140,并且將藍(lán)光LEDllO用含有YAG熒光粒子150的透明樹脂160包覆。由YAG熒光粒子150激發(fā)的光和藍(lán)光LED 110的余輝使得白光LED熒光單元100在光發(fā)射表面一側(cè)上以在通過箭頭所示的方向上發(fā)射白光??梢允褂眠@種構(gòu)造的熒光裝置在本發(fā)明的放熱反射板上提供藍(lán)光LED并用公知樹脂密封,并且在藍(lán)光LED上提供微結(jié)構(gòu)體(熒光單元),所述微結(jié)構(gòu)體為用熒光發(fā)射體填充的閥金屬陽極氧化層。JP 2010-283057A和JP 2010485640Α中記載了該熒光裝置。圖5Α顯示了本發(fā)明的放熱反射板30,它包括核芯如SUS金屬片21和鋁合金層1, 所述鋁合金層1形成于金屬片21表面之上并且具有在鋁合金層1表面上形成的陽極氧化膜2。圖5Α還示出了熒光單元100的截面,其中將設(shè)置于放熱反射板30之上的LED 110用含有熒光粒子150的透明樹脂160密封。金屬片21充當(dāng)對(duì)本發(fā)明的放熱反射板的機(jī)械強(qiáng)度和柔性有貢獻(xiàn)的核芯。金屬片21可以充當(dāng)散熱片以對(duì)熱耗散性能有所貢獻(xiàn)。將LED 110 用接線25連接,所述接線與陽極氧化層2上形成的互連層(未顯示)的所需部分電連接。圖5B顯示了本發(fā)明的放熱反射板32的一個(gè)應(yīng)用的截面,它包括鋁合金片23及其表面上形成的陽極氧化膜2。圖5B也顯示了熒光單元100,其中將置于放熱反射板32之上的LED 110用含有熒光粒子150的透明樹脂160密封。在鋁合金片23其上要安裝LED 110的部分具有凹部3,其側(cè)面傾斜以使凹部3朝向上側(cè)向外擴(kuò)大。通過芯片焊接將LED 110置于放熱反射板32之上,并且可以在放熱反射板32之下提供散熱片22。將LED 110用接線25連接,所述接線與陽極氧化層2之上形成的互連層(未顯示)的所需部分電連接。本發(fā)明的放熱反射板32具有高絕緣性以及在所需特定波長下高的總反射率,并且從而其中使用放熱反射板32作為基板的發(fā)光單元100 (LED 組件)具有高發(fā)光效率。使用包括基板上形成的半導(dǎo)體發(fā)光層的發(fā)光裝置,所述半導(dǎo)體如GaAIN、ZnS, ZnSe, SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN, AlInGaP, InfeiN、GaN 或 AlInGaN。該半導(dǎo)體為,例如,均質(zhì)結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)或具有MIS結(jié)、PIN結(jié)或PN結(jié)的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。可以依賴于半導(dǎo)體層的材料及其混合比例在紫外光至紅外光的范圍內(nèi)不同地選擇發(fā)光波長。透明樹脂160優(yōu)選為熱固樹脂。透明樹脂160優(yōu)選由選自由以下各項(xiàng)組成的組的至少一種構(gòu)成熱固樹脂如環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅樹脂、改性硅樹脂、丙烯酸樹脂、氨基甲酸酯樹脂和聚酰亞胺樹脂。環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅樹脂和改性硅樹脂是特別優(yōu)選的。透明樹脂160優(yōu)選為硬的以便保護(hù)LED 110。對(duì)于透明樹脂160優(yōu)選使用具有出色的耐熱性、耐候性和耐光性的樹脂??梢詫⑦x自由以下各項(xiàng)組成的組的至少一種混入透明樹脂160以賦予其預(yù)定功能填充劑、擴(kuò)散劑、顏料、熒光材料、反光材料、UV吸收劑和抗氧化劑。所使用的熒光粒子150應(yīng)該是能夠?qū)陌l(fā)光裝置30吸收的光進(jìn)行波長變換的類型,以改變光的波長。熒光粒子150優(yōu)選由選自由以下各項(xiàng)組成的組中的至少一個(gè)制成主要由鑭系元素如Eu和Ce活化的氮化物磷光體、氮氧化物磷光體、SiAlON磷光體和 β -SiAlON磷光體;主要由鑭系元素如Eu和過渡金屬元素如Mn活化的堿土鹵素磷灰石磷光體;堿土金屬硼酸鹽商素磷光體;堿土金屬鋁酸鹽磷光體;堿土硅酸鹽磷光體;堿土硫化物磷光體;堿土硫代鎵酸鹽磷光體;堿土氮化硅磷光體;鍺酸鹽磷光體;主要由鑭系元素如 Ce活化的稀土鋁酸鹽磷光體;稀土硅酸鹽磷光體;以及主要由鑭系元素如Eu活化的有機(jī)化合物和有機(jī)配位化合物。如上所述,也可以使用本發(fā)明的放熱反射板作為磷光體顏色混合類型的白光LED 發(fā)光裝置的放熱反射板,所述白光LED發(fā)光裝置使用UV至藍(lán)光LED和熒光發(fā)射體,所述熒光發(fā)射體吸收來自UV至藍(lán)光LED的光并在可見光范圍內(nèi)發(fā)出熒光。熒光發(fā)射體吸收來自藍(lán)光LED的藍(lán)光以發(fā)射熒光(黃熒光),并且該熒光和藍(lán)光 LED的余輝使得發(fā)光裝置發(fā)射白光。這就是所謂的“假白光發(fā)射類型”,它使用藍(lán)光LED芯片作為光源并結(jié)合使用黃色磷光體。也可以在使用如下的其它公知發(fā)光系統(tǒng)的發(fā)光單元中的發(fā)光裝置的基板中使用本發(fā)明的放熱反射板,所述發(fā)光系統(tǒng)如使用UV至近UV LED芯片作為光源并組合使用數(shù)種類型的紅/綠/藍(lán)磷光體的“UV至近UV光源類型”,以及從紅色、綠色和藍(lán)色的三個(gè)光源發(fā)射白光的“RGB光源類型”。將發(fā)光裝置安裝在本發(fā)明的互連層上的方法包括加熱,并且在包含熱壓焊如回流焊接和倒裝焊接的安裝方法中,在均一性和安裝可靠性方面,所達(dá)到的最大溫度優(yōu)選為 220°C至350°C,更優(yōu)選240°C至320V并且最優(yōu)選260V至300V。出于與上面相同的原因, 優(yōu)選將所達(dá)到的最大溫度保持2秒至10分鐘,更優(yōu)選5秒至5分鐘并且最優(yōu)選10秒至3 分鐘。為了防止在熱處理過程中由于本發(fā)明的基板中鋁合金層與陽極氧化層之間的熱膨脹系數(shù)不同而在陽極氧化層中出現(xiàn)裂紋,在達(dá)到最大溫度之前也可以在所需的恒定溫度下進(jìn)行熱處理優(yōu)選5秒至10分鐘,更優(yōu)選10秒至5分鐘并且最優(yōu)選20秒至3分鐘。在該情況下,所需的恒定溫度優(yōu)選為80°C至200°C,更優(yōu)選100°C至180°C并且最優(yōu)選120°C至 160°C。在小于上述定義范圍的處理溫度和時(shí)間下,不能令人滿意地安裝發(fā)光裝置,而在高出所定義范圍的處理溫度和時(shí)間下,基板可能損壞。同樣在該情況下,在安裝可靠性方面,通過在優(yōu)選地80°C至30(TC,更優(yōu)選90°C至 250°C并且最優(yōu)選100°C至200°C的溫度下進(jìn)行絲焊從而安裝發(fā)光裝置。加熱時(shí)間優(yōu)選為2 秒至10分鐘,更優(yōu)選5秒至5分鐘并且最優(yōu)選10秒至3分鐘。實(shí)施例
      下面通過實(shí)施例的方式更具體地描述本發(fā)明。然而,不應(yīng)將本發(fā)明理解為受到下列實(shí)施例的限定。(實(shí)施例1至20和比較例1至5)1.[由鋁合金構(gòu)成的放熱反射板的制備][基板1:99· 99%鋁合金軋制片]將高純鋁(99. 99重量% )鑄塊的表面削去Icm的深度以移除不均勻的表面部分。接下來,將鑄塊以50%的每道次壓下率(draft)在冷軋機(jī)中軋制6次并最終軋制為0. 8mm的最終片厚。從軋制片切下IOcmX 15cm大小的片材部分并對(duì)其進(jìn)行表面處理以制備用于評(píng)價(jià)
      的基板樣品。[基板2:鋁襯里材料]將以與基板1相同的方式制備的鋁合金軋制為0. 8mm的厚度并將其用作皮殼材料。將皮殼材料與具有99. 9重量%鋁純度的鑄塊以硬釬料金屬作為襯里疊合,并且將加襯的金屬在500°C下的爐中熱處理3小時(shí),并熱軋以制備片材。將該片材在30%壓下率下再冷軋5次,并且之后在350°C下對(duì)其進(jìn)行3小時(shí)的中間退火,并冷軋以獲得0. 3mm最終厚度的軋制片。通過GD-ICP在其深度方向?qū)堉破某煞址治鲎C實(shí)基板1的鋁合金成分以鋁合金層的形式被保持在從表面層80 μ m的深度內(nèi)。在至少80 μ m的深度的部分中發(fā)現(xiàn)歸因于硬釬料金屬的更高硅濃度的層,并且距表面至少100 μ m的深度的部分含有3N(99. 9% ) 鋁合金材料的成分。[基板3熱浸鋁涂覆材料]準(zhǔn)備厚度0. 3mm的不銹鋼片SUS 4032B。將所準(zhǔn)備的不銹鋼片用10%的氯化鐵水溶液(40°C )處理3分鐘以粗糙化片材表面并使用處理后的片材。在爐中融化基板1的鋁合金并將上述不銹鋼片浸入熔融鋁合金中以形成厚度約 100 μ m的鋁皮層。將該基板稱為基板3。成分分析顯示鋁層和不銹鋼層的過渡區(qū)各自具有約50 μ m的厚度,所述不銹鋼層中分散有作為不銹鋼的主要成分的鐵。可以推斷從表面層向下50 μ m的深度內(nèi)保持了構(gòu)成皮殼材料的鋁合金成分。在陽極氧化處理之前對(duì)基板1、2和3脫脂并進(jìn)行處理(a)或(b)。在每個(gè)處理和沖洗處理完成之后,用夾持輥將剩余溶液或水移除。1.脫脂處理如下進(jìn)行脫脂處理使含有表面活性劑的溶液與鋁片的表面接觸并用水沖洗。之后,通過與具有15g/L的硫酸濃度的水溶液接觸將鋁片的表面溶解,在這之后用水沖洗。2.陽極氧化處理之前的處理(a)制備鏡面拋光的鋁片的方法將鋁片浸入具有30重量%磷酸濃度的電解液中,施加30V電壓進(jìn)行電解拋光30 秒,用水沖洗并干燥。(b)制備粗糙化鋁片的方法準(zhǔn)備含有10g/L的硝酸和4. 5g/L的硝酸鋁的電解液并將其保持在45 °C的溫度。 將該片材浸入電解液中。使用碳電極作為對(duì)電極并施加圖1中所示波形的交流電流以進(jìn)行電解砂目化處理10秒。在用水沖洗之后,將該片材浸入氫氧化鈉水溶液以將其表面部分的 5g/m2溶解。再將該片材用水沖洗,在硫酸中中和,用水沖洗并干燥。之后,進(jìn)行(a)中所述的電解拋光。3.陽極氧化處理使用圖2中所示構(gòu)造的陽極氧化裝置陽極氧化上面獲得的基板。在下列陽極氧化處理?xiàng)l件(1)至C3)下進(jìn)行如表1中的步驟1、步驟2和步驟3中所示的第一陽極氧化處理、第二陽極氧化處理和任選地第三陽極氧化處理以獲得表2的層1、2和3中所示的陽極氧化層。表1給出了下列陽極氧化處理步驟中使用的酸。(1)使用硫酸的陽極氧化處理在15°C的溫度下在含有35g/L硫酸的水溶液中在25V的電壓下通過DC電解進(jìn)行陽極氧化處理步驟。調(diào)整處理時(shí)間以使得形成具有表1中所示的預(yù)定深度的陽極氧化層。(2)使用硼酸的陽極氧化處理在20°C的溫度下在含有30g/L硼酸和20g/L硼酸鈉的水溶液中在300V的電壓下通過DC電解進(jìn)行陽極氧化處理步驟。調(diào)整處理時(shí)間以形成具有表1中所示的預(yù)定深度的陽極氧化層。(3)使用磷酸的陽極氧化處理在5 °C的溫度下在含有l(wèi)g/L磷酸的水溶液中在500V的電壓下通過DC電解進(jìn)行陽極氧化處理步驟。調(diào)整處理時(shí)間以形成具有表1中所示的預(yù)定深度的陽極氧化層。4.封孔處理將表1中所示的陽極氧化基板用水沖洗并浸入80°C的純水中20分鐘。在表1中, 術(shù)語“未進(jìn)行”是指該基板未經(jīng)過該處理。5.酸處理將表1中所示的封孔的基板在室溫下浸入含有100g/L的硫酸的水溶液中30秒。在表1中,術(shù)語“未進(jìn)行”是指該基板未經(jīng)過該處理。(實(shí)施例21)將金納米粒子(NanoTek,可得自C. I. Kasei Co.,Ltd. ;50g)加入50g 二甲苯中并在室溫下攪拌該混合物8小時(shí)以獲得穩(wěn)定的金油墨分散物。油墨分散物的固體粉末分析顯示金含量為26. 8重量%。進(jìn)一步以相對(duì)于油墨分散物為2重量%的量將硅烷偶聯(lián)劑 KBM603 (Shin-Etsu Polymer Co. ,Ltd.)加入油墨分散物,并且攪拌該混合物以制備金屬油墨。所制備的金屬油墨具有IOcps的粘度。接下來,使用Dimatix Material Printer DMP-2831 (FUJIFILM Dimatix,he.)將所制備的金屬油墨通過噴墨印刷施加至放熱反射板中陽極氧化膜的表面上,所述放熱反射板為實(shí)施例1中獲得的基板,在設(shè)定為160°C的熱風(fēng)干燥機(jī)中將金屬油墨用熱空氣干燥約5 分鐘以獲得金的金屬互連。6.[放熱反射板的測(cè)定](1)陽極氧化層的深度通過在150,000X的放大率下取得陽極氧化膜的截面圖像,測(cè)量陽極氧化層的與微孔相對(duì)應(yīng)的至少25個(gè)孔部的深度并計(jì)算使得測(cè)量結(jié)果的平均值,從而測(cè)定陽極氧化層的垂直深度(在下文中也簡稱為“深度”)。
      (2)孔隙率的測(cè)定如下測(cè)量孔隙率在150,000X的放大率下取得陽極氧化膜的截面圖像;在圖像上將孔部中的空隙與孔部中由氧化鋁或水合氧化鋁等構(gòu)成的部分加以區(qū)分;測(cè)量它們的總面積;將所得到的值變換為微孔的假定三維形狀以計(jì)算密度;以表示孔部無空隙情況的0% 孔隙率與表示孔部完全是中空情況(即微孔的情況)的100%孔隙率為基礎(chǔ),計(jì)算陽極氧化層的孔部孔隙率。對(duì)于至少25個(gè)孔部進(jìn)行測(cè)量,并且測(cè)量的平均值在表2中給出。在實(shí)施例16中,在封孔處理和酸處理之后進(jìn)行第一陽極氧化處理以將與微孔相對(duì)應(yīng)的孔部的孔隙率調(diào)整為0%。通過隨后的封孔處理和酸處理獲得的層位于表面?zhèn)壬喜⑶乙虼丝紫堵蕿楸?中所示值的層1和層2分別是指通過后續(xù)處理獲得的層和通過陽極氧化處理獲得的層。(3)具有深度T的陽極氧化層的中心線長度與深度之比(長度/深度)的測(cè)定通過FE-SEM(S-4000,由Hitachi,Ltd.制造)觀察其中形成了深度T的孔部的陽極氧化層的截面表面。測(cè)量陽極氧化層的中心線長度與深度之比(長度/深度)并計(jì)算測(cè)量結(jié)果的平均值。作為結(jié)果,在實(shí)施例1至20的全體中,該比例在1. 01至1. 20的范圍內(nèi)。(4)光反射率的測(cè)定通過X-Rite (X-Rite,Inc.)測(cè)定實(shí)施例和比較例中獲得的用于LED中的放熱反射板在450nm和350nm的波長下的反射率(反射光的總量/入射光X 100)。同樣測(cè)定400nm 至700nm下的光反射率以獲得可見光的平均反射率。結(jié)果在表2中給出。(5)耐受電壓的測(cè)定根據(jù)JIS C2110 使用 IOkV 擊穿實(shí)驗(yàn)裝置(Yamayo Measuring Tools Co.,ltd.) 在油中測(cè)量實(shí)施例和比較例中獲得的用于LED中的放熱反射板的耐受電壓。在三個(gè)點(diǎn)測(cè)量耐受電壓并計(jì)算測(cè)量結(jié)果的平均值以獲得耐受電壓。結(jié)果在表2中給出。表權(quán)利要求
      1.一種用于LED中的放熱反射板,所述用于LED中的放熱反射板包括深度至少10 μ m 的鋁合金層,所述鋁合金層具有形成于其表面上的陽極氧化膜,其中所述陽極氧化膜的孔部包括在深度方向上折射率不同的至少兩層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述的包括具有不同折射率的至少兩層的孔部是具有不同孔隙率的層,并且其中當(dāng)由Ρ+1、Ρ+2、···?+!!表示在表面?zhèn)葘?P之下在深度方向相鄰的層時(shí),層P+1的垂直深度L由式(1)、(2-1)和(2-2)表示L = l/2XmX λ Xnavp/navp+1式(1)navp = nA1203 X (I-Dp)+nairXDp 式(2-1) navp+i = nA1203 X (l-Dp+1)+nairXDp+1 式(2—2)這里λ是用于反射的光的波長,m是至少為1的整數(shù),navp/navp+1是所述至少兩個(gè)不同的層中所述陽極氧化膜的所述表面?zhèn)葘覲與其下面的層p+1之間的折射率比, nA1203是陽極氧化的氧化鋁的折射率,是空氣的折射率,所述空氣的折射率為1, navp是所述層ρ的折射率,navp+1是所述層p+1的折射率, Dp是陽極氧化的層ρ的孔部的孔隙率,并且 Dp+1是陽極氧化的層p+1的孔部的孔隙率。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述至少兩層是通過在不同條件下陽極氧化獲得的具有不同孔隙率的層。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述孔部的中心線長度與所述孔部的深度之比為1. 0至1. 2。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述鋁合金層處于具有凹部的形狀,并且在所述的處于具有凹部的形狀的鋁合金層的表面上形成所述陽極氧化膜。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板,所述用于LED中的放熱反射板在所述陽極氧化膜的表面上具有由金屬導(dǎo)體構(gòu)成的互連層,并且被用于安裝發(fā)光裝置。
      7.—種LED組件,所述LED組件包括在根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板的表面上的LED芯片和由金屬導(dǎo)體制成的互連層。
      8.一種白光LED組件,所述白光LED組件包括藍(lán)光LED發(fā)光裝置和熒光發(fā)射體,所述藍(lán)光LED發(fā)光裝置形成于根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板之上,所述熒光發(fā)射體被設(shè)置于所述藍(lán)光LED發(fā)光裝置周圍和/或上方。
      9.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板的方法,所述方法包括以下步驟在酸的水溶液中對(duì)在基板上形成的深度至少10 μ m的鋁合金層的表面進(jìn)行第一陽極氧化處理;以及在與所述第一陽極氧化處理中使用的酸的水溶液不同的酸的水溶液中進(jìn)行第二陽極氧化處理,以在深度方向在陽極氧化膜的孔部中形成不同折射率的至少兩層, 借此在所述陽極氧化膜中增強(qiáng)光反射。
      10.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED中的放熱反射板的方法,所述方法包括以下步驟在酸的水溶液中對(duì)在基板上形成的深度至少10 μ m的鋁合金層的表面進(jìn)行第一陽極氧化處理;以及進(jìn)行封孔處理,以在深度方向在陽極氧化膜的孔部中形成不同折射率的至少兩層,借此在所述陽極氧化膜中增強(qiáng)光反射。
      11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述至少兩層是通過陽極氧化和封孔獲得的具有不同孔隙率的層。
      12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述至少兩層是通過在不同條件下陽極氧化獲得的具有不同孔隙率的層。
      13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述孔部的中心線長度與所述孔部的深度之比為1. 0至1. 2。
      14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板,其中所述鋁合金層處于具有凹部的形狀,并且在所述處于具有凹部的形狀的鋁合金層的表面形成所述陽極氧化膜。
      15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板,所述用于LED中的放熱反射板在所述陽極氧化膜的表面上具有由金屬導(dǎo)體構(gòu)成的互連層,并且被用于安裝發(fā)光裝置。
      16.一種LED組件,所述LED組件包括在根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板的表面上的LED芯片和由金屬導(dǎo)體制成的互連層。
      17.一種白光LED組件,所述白光LED組件包括藍(lán)光LED發(fā)光裝置和熒光發(fā)射體,所述藍(lán)光LED發(fā)光裝置形成于根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED中的放熱反射板之上,所述熒光發(fā)射體被設(shè)置于所述藍(lán)光LED發(fā)光裝置周圍和/或上方。
      全文摘要
      本發(fā)明提供用于LED中的放熱反射板,該放熱反射板是包括深度至少10μm的鋁合金層和形成于其表面上的陽極氧化膜的反射板。其中陽極氧化膜的孔部在深度方向具有不同折射率的至少兩層,并且在所述陽極氧化膜中光反射被增強(qiáng)。該放熱反射板具有高熱耗散性能并且能夠增加所需特定波長下的光的反射。
      文檔編號(hào)H01L33/64GK102376861SQ20111023549
      公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月16日
      發(fā)明者堀田吉?jiǎng)t, 畠中優(yōu)介 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社
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