專利名稱：場氧化物濕法刻蝕方法以及半導體器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種場氧化物濕法刻蝕方法、以及包括根據(jù)該場氧化物濕法刻蝕方法刻蝕而成的場氧化物的半導體器件。
背景技術：
在制造半導體器件(例如MOS晶體管)時，需要刻蝕場氧化物。一般的，可以采用濕法刻蝕方法來刻蝕場氧化物。在現(xiàn)有技術的場氧化物濕法刻蝕方法中，一般采取如下步驟預清洗、氧化以形成場氧化物(例如9000A)、離子注入、P阱光刻、場氧化物刻蝕、光刻膠去除等。然而，對于場氧化物(與光刻膠PR)的角度，在某些應用下要求該角度介于5-10 度之間，而上述現(xiàn)有技術僅僅能夠實現(xiàn)約11. 4度左右的角度。圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術的場氧化物濕法刻蝕方法得到的場氧化物的示意圖。如圖1所示，硅襯底Si-sub中的場氧化物FO與光刻膠ra之間的夾角為11. 4度。太大的場氧化物的角度將影響保護環(huán)離子注入結的分布，從而使得制成的半導體器件(例如MOS晶體管)的擊穿(breakdown) 特性也會受到影響。因此，現(xiàn)有技術的場氧化物濕法刻蝕方法所形成的場氧化物的角度無法滿足5-10 度的要求。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠形成 5-10度的場氧化物角度的場氧化物濕法刻蝕方法、以及由此形成的半導體器件。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種場氧化物濕法刻蝕方法，其包括氧化步驟， 用于氧化以形成場氧化物；紫外線固化步驟，用于利用紫外線對光刻膠進行固化；場氧化物刻蝕步驟，用于對場氧化物進行刻蝕；以及光刻膠去除步驟，用于去除光刻膠。優(yōu)選地，上述場氧化物濕法刻蝕方法還包括在所述氧化步驟之前執(zhí)行的預清洗步驟，用于對硅片進行預清洗。優(yōu)選地，在上述場氧化物濕法刻蝕方法中，在所述氧化步驟中形成9000A厚的場氧化物。優(yōu)選地，在上述場氧化物濕法刻蝕方法中，在所述氧化步驟之后執(zhí)行的離子注入步驟注入的離子為進一步加強角度的控制。 優(yōu)選地，在上述場氧化物濕法刻蝕方法中，在所述紫外線固化步驟中，紫外線功率為105mw，執(zhí)行固化的機臺的真空吸盤的溫度為110攝氏度。優(yōu)選地，在上述場氧化物濕法刻蝕方法中，在所述紫外線固化步驟中，固化時間為 10-35so在根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的場氧化物濕法刻蝕方法中，通過在場氧化物刻蝕步驟之前進行了一個用于利用紫外線對光刻膠進行固化的紫外線固化步驟，可有效地調整場氧化物角度，使之滿足要求范圍，例如5-10度的范圍。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種半導體器件，所述半導體器件包括場氧化物， 其特征在于所述場氧化物是由根據(jù)權本發(fā)明第一方面所述的場氧化物濕法刻蝕方法刻蝕而成的。

優(yōu)選地，所述半導體器件是MOS晶體管。進一步優(yōu)選地，所述半導體器件是功率 MOS晶體管。由于采用了根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的場氧化物濕法刻蝕方法；因此，本領域技術人員可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明第二方面的半導體器件同樣能夠實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的第一方面的場氧化物濕法刻蝕方法所能實現(xiàn)的有益技術效果。


結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術的場氧化物濕法刻蝕方法得到的場氧化物的示意圖。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的場氧化物濕法刻蝕方法的流程圖。圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的場氧化物濕法刻蝕方法得到的場氧化物的示意圖。圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例中固化時間與場氧化物角度之間的關系的表格。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的場氧化物濕法刻蝕方法的流程圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的場氧化物濕法刻蝕方法包括預清洗步驟1，用于對硅片進行預清洗；需要說明的是，預清洗步驟1是一個優(yōu)選步驟，用于提高器件質量和產率。氧化步驟2，用于氧化以形成場氧化物；例如形成9000A的場氧化物。離子注入步驟3，用于對硅片執(zhí)行離子注入。在紫外處理(下文將予以描述)之前的離子注入用于進一步增強紫外處理對場氧化物的角度的控制效果。P阱光刻步驟4，用于執(zhí)行光刻以形成P阱；可選地，在其它硅襯底應用中，可以執(zhí)行光刻以形成N阱。離子注入步驟3和P阱光刻步驟4用于形成硅片中的特定有效器件工作區(qū)域。紫外線固化步驟5，用于利用紫外線對光刻膠ra進行固化。場氧化物刻蝕步驟6，用于對場氧化物進行刻蝕。光刻膠去除步驟7，用于去除光刻膠。
與背景技術中介紹的現(xiàn)有技術的場氧化物濕法刻蝕方法相比較可知，本發(fā)明實施例的方法有利地在場氧化物刻蝕步驟之前進行了一個用于利用紫外線對光刻膠PR進行固化的紫外線固化步驟5。該紫外線固化步驟5是在光刻膠涂覆上以后執(zhí)行的一種表面處理。并且，在一個優(yōu)選實施例中，紫外線固化步驟5的工藝條件為紫外線功率為 105mw、執(zhí)行固化的機臺的真空吸盤的溫度為110攝氏度的情況下固化15s的時間。圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的場氧化物濕法刻蝕方法得到的場氧化物的示意圖。如圖 3所示，硅襯底Si-SUb中的場氧化物FO與光刻膠ra之間的夾角為8. 6度。所形成的場氧化物角度滿足5-10度的要求。更具體地說，圖4示意性地示出了紫外線功率為105mw、執(zhí)行固化的機臺的真空吸盤的溫度為110攝氏度的情況下通過實驗得到的固化時間與場氧化物角度之間的關系的表格。從圖4可以看出，固化時間越長，場氧化物角度越小。下述表格列舉了幾個實驗點(固化時間)得到的場氧化物角度的具體數(shù)據(jù)
權利要求
1.一種場氧化物濕法刻蝕方法，其特征在于包括氧化步驟，用于氧化以形成場氧化物；紫外線固化步驟，用于利用紫外線對光刻膠進行固化；場氧化物刻蝕步驟，用于對場氧化物進行刻蝕；光刻膠去除步驟，用于去除光刻膠。
2.根據(jù)權利要求1所述的場氧化物濕法刻蝕方法，其特征在于還包括在所述氧化步驟之前執(zhí)行的預清洗步驟，用于對硅片進行預清洗。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的場氧化物濕法刻蝕方法，其特征在于，在所述氧化步驟中形成9000A厚的場氧化物。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的場氧化物濕法刻蝕方法，其特征在于，在所述氧化步驟之后執(zhí)行的離子注入步驟注入的離子以進一步加強角度的控制。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的場氧化物濕法刻蝕方法，其特征在于，在所述紫外線固化步驟中，紫外線功率為105mw，執(zhí)行固化的機臺的真空吸盤的溫度為110攝氏度。
6.根據(jù)權利要求5所述的場氧化物濕法刻蝕方法，其特征在于，在所述紫外線固化步驟中，固化時間為10-3M。
7.一種半導體器件，所述半導體器件包括場氧化物，其特征在于所述場氧化物是由根據(jù)權利要求1至6之一所述的場氧化物濕法刻蝕方法刻蝕而成的。
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件，其特征在于所述半導體器件是MOS晶體管。
9.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其特征在于所述半導體器件是功率MOS晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種場氧化物濕法刻蝕方法。根據(jù)本發(fā)明的場氧化物濕法刻蝕方法包括氧化步驟，用于氧化以形成場氧化物；紫外線固化步驟，用于利用紫外線對光刻膠進行固化；場氧化物刻蝕步驟，用于對場氧化物進行刻蝕；以及光刻膠去除步驟，用于去除光刻膠。通過在場氧化物刻蝕步驟之前進行了一個用于利用紫外線對光刻膠進行固化的紫外線固化步驟，可有效地調整場氧化物角度，使之滿足要求范圍，例如5-10度的范圍。
文檔編號H01L29/78GK102354680SQ20111034207
公開日2012年2月15日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權日2011年11月2日
發(fā)明者胡學清, 龍濤 申請人:上海宏力半導體制造有限公司