專利名稱：半導(dǎo)體裝置與相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置與相關(guān)方法，且特別是涉及一種整合多芯片且可兼顧集積度與散熱 的半導(dǎo)體裝置與相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
各式各樣的半導(dǎo)體裝置是現(xiàn)代資訊社會(huì)最重要的硬件基礎(chǔ)之一。芯片(管芯、裸晶)是半導(dǎo)體裝置的基礎(chǔ)元件；不同的芯片間可交換信號(hào)、數(shù)據(jù)以整體性地發(fā)揮一電子系統(tǒng)的功能。為了以更小的體積、更高的集積度實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)，現(xiàn)代的半導(dǎo)體裝置會(huì)將多個(gè)芯片整合為同一封裝，例如說是系統(tǒng)級(jí)封裝(System in Package, SiP)。舉例而言,封裝上封裝(Package on Package,PoP)技術(shù)即是將一芯片封裝垂直堆疊于另一芯片封裝上，以整合多個(gè)芯片的功能。不過，以目前封裝上封裝技術(shù)形成的半導(dǎo)體裝置仍存在散熱不佳等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的之一是提供一種可兼顧集積度與散熱的半導(dǎo)體裝置，其包括一基板、一或多個(gè)第一芯片、一或多個(gè)子封裝系統(tǒng)與一散熱體。基板具有一第一表面與多個(gè)外部互聯(lián)導(dǎo)體；第一芯片即安裝于第一表面上，外部互聯(lián)導(dǎo)體則設(shè)于基板的相反兩面。各子封裝系統(tǒng)安裝于第一表面上，每一子封裝系統(tǒng)于第一表面的投影與第一芯片于第一表面的投影有部分重疊，并有部分不重疊。各子封裝系統(tǒng)中包括一或多個(gè)第二芯片、多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體(interconnector)與一界面板(interposer)。其中，第二芯片可以是裸晶，也可以是已封裝的娃晶(packaged silicon)。在各子封裝系統(tǒng)的一實(shí)施例中，第二芯片可以是裸晶，并以覆晶(flip-chip)方式通過裸晶底下的凸塊(bump)而安裝于界面板上。以及/或者，第二芯片可以是已封裝的硅晶，通過針腳及/或圓球狀焊球(例如球格式封裝(Ball Grid Array,BGA)的焊球)安裝于界面板。界面板設(shè)于第二芯片與基板的第一表面之間，互聯(lián)導(dǎo)體則與第二芯片設(shè)于界面板的相反兩面。對(duì)應(yīng)各子封裝系統(tǒng)的互聯(lián)導(dǎo)體，基板的第一表面上還設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)(contact);各子封裝系統(tǒng)的互聯(lián)導(dǎo)體即耦接于接點(diǎn)與界面板之間?！獙?shí)施例中，第一芯片以覆晶形式安裝于基板的第一表面上；在第一表面上，第一芯片沿一第一方向的突起高度低于子封裝系統(tǒng)中各互聯(lián)導(dǎo)體沿第一方向的高度。散熱體具有一突出部分、一散熱板與一或多個(gè)側(cè)壁；散熱板覆蓋于第一芯片與各子封裝系統(tǒng)之上，突出部分設(shè)于第一芯片與散熱板之間，各側(cè)壁則設(shè)于散熱板與第一表面之間。本發(fā)明的又一目的是提出一種提供(例如生產(chǎn)、制造、實(shí)現(xiàn))前述半導(dǎo)體裝置的方法，包括將第一芯片安裝于基板的第一表面上；當(dāng)?shù)诙酒瑸槁憔r(shí)，可以覆晶的方式安裝于界面板上，而當(dāng)?shù)诙酒瑸榉庋b體時(shí)，則以連接導(dǎo)體(如針腳及/或焊球)安裝于界面板上，以組裝子封裝系統(tǒng)；將子封裝系統(tǒng)中的互聯(lián)導(dǎo)體耦接至基板上的對(duì)應(yīng)接點(diǎn)以將各子封裝系統(tǒng)安裝于第一表面上；安裝散熱體，并于基板上附接多個(gè)外部互聯(lián)導(dǎo)體。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下


圖I以立體外視圖示意本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施例；圖2示意圖I半導(dǎo)體裝置的各主要構(gòu)件；圖3示意圖2子封裝系統(tǒng)的架構(gòu)實(shí)施例；圖4示意圖2芯片與子封裝系統(tǒng)于基板上的配置實(shí)施例；圖5以不同角度示意圖2散熱體的實(shí)施例；·圖6不意圖5散熱體于圖2基板的配置實(shí)施例；圖7以不同角度示意圖I半導(dǎo)體裝置；圖8示意圖I半導(dǎo)體裝置中的各種電性耦接導(dǎo)電路徑；圖9以圖I半導(dǎo)體裝置為例示意本發(fā)明方法的流程實(shí)施例；圖10示意圖6散熱體的另一實(shí)施例。主要元件符號(hào)說明10 :半導(dǎo)體裝置12 :基板14、14b:散熱體16a_16b、t20_b20、t24a_b24a、t24b_b24b、t40_b40 :表面18、28、32、34 :互聯(lián)導(dǎo)體20、D1_D8:芯片22a-22b :子封裝系統(tǒng)24a-24b :界面板30、36、38 :接點(diǎn)40 :散熱板42a_42d:側(cè)壁46 :突出部分100 :流程102-110:步驟z :方向P_a、P_b、P_c :投影
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參考圖I至圖7。圖I的立體外視圖示意的是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10，圖2示意的是半導(dǎo)體裝置10的各主要構(gòu)件，包括一基板12、一芯片20、一或多個(gè)子封裝系統(tǒng)(以兩個(gè)子封裝系統(tǒng)22a與22b為例)與一散熱體14。圖3以子封裝系統(tǒng)22a為例說明本發(fā)明子封裝系統(tǒng)的架構(gòu)實(shí)施例；圖4則是芯片20與子封裝系統(tǒng)22a、22b于基板12上的配置示意圖。圖5以各角度的視圖示意散熱體14的一種實(shí)施例；圖6則顯示散熱體14于基板12上的配置示意圖。圖7以不同視圖示意本發(fā)明半導(dǎo)體裝置10的架構(gòu)。如圖I所示，基板12在一 z方向上具有兩相反的表面16a與16b (可分別視為上表面與下表面)，在表面16b上并設(shè)有多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體18以作為外部互聯(lián)導(dǎo)體。芯片20 (第一芯片)與子封裝系統(tǒng)22a、22b則安裝于表面16a上(第一表面)，如圖2所不；也就是說，互聯(lián)導(dǎo)體18與芯片20分別設(shè)于基板12的相反兩面?；ヂ?lián)導(dǎo)體18可以是焊球(ball)、針腳(pin)或接點(diǎn)。如圖2所不，各子封裝系統(tǒng)22a、22b于表面16a的投影P_a、P_b與芯片20于表面16a的投影P_c有部分重疊(如斜線區(qū)域所示)，并有部分不重疊。如圖3與圖4所示，子封裝系統(tǒng)22a中包括一界面板24a、多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體34(圖4)與一或多個(gè)芯片(第二芯片，其可以是裸晶，以及/或者，也可以是已封裝的硅晶)，例如說是芯片Dl至D4。各芯片Dl至D4在z方向上有兩相反的表面,如芯片Dl有表面tl與bl (可分別視為上表面與下表面),芯片D2具有表面t2與b2，芯片D3有表面t3與b3，芯片D4有表面t4與b4。在表面bl至b4上，各芯片Dl至D4均設(shè)有多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體28。在芯片Dl至D4的各芯片中，若某一芯片 為裸晶，則其表面設(shè)置的互聯(lián)導(dǎo)體28為裸晶底下的凸塊；若某一芯片為已封裝的硅晶，則其互聯(lián)導(dǎo)體28則可以是球格式封裝(Ball Grid Array, BGA)的焊球。如圖3與圖4所示，界面板24a在z方向上有兩相反的表面t24a與t24b (圖4)；表面t24a上設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)30,各接點(diǎn)30對(duì)應(yīng)于一互聯(lián)導(dǎo)體28,可相互搭配嵌合。在子封裝系統(tǒng)22a中，各芯片Dl與D4即是經(jīng)由各互聯(lián)導(dǎo)體28與對(duì)應(yīng)接點(diǎn)30的耦接(連接、焊合)而被安裝于界面板24a上(可一并參考圖7的側(cè)視示意圖)。換言之，芯片Dl至D4以覆晶(flip-chip)形式安裝于界面板24a上；芯片Dl至D4的表面bl與b4上設(shè)有半導(dǎo)體活性區(qū)(active region，未圖示)，以設(shè)置互聯(lián)導(dǎo)體28;互聯(lián)導(dǎo)體28可以是格狀陣列(gridarray)排列的凸塊、焊球、針腳或接點(diǎn)。相對(duì)于設(shè)置在表面t24a上的各芯片Dl至D4,互聯(lián)導(dǎo)體34則設(shè)置于界面板24a的相反表面t24b上,如圖4所示。互聯(lián)導(dǎo)體34可以是焊球、針腳或接點(diǎn)。類似于子封裝系統(tǒng)22a，子封裝系統(tǒng)22b中也包括一界面板24b、多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體34與一或多個(gè)芯片，例如說是芯片D5至D8，如圖4所示。在z方向上，界面板24b具有兩相反表面t24b與b24b ;芯片D5至D8設(shè)置于表面t24b上,互聯(lián)導(dǎo)體34則設(shè)于表面b24b上。如圖4所示，基板12在其表面16a上還設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)，各接點(diǎn)38對(duì)應(yīng)于一互聯(lián)導(dǎo)體34，可相互搭配、嵌合。子封裝系統(tǒng)22a與22b即是經(jīng)由互聯(lián)導(dǎo)體34與接點(diǎn)38間的連接(焊合)而被安裝于基板12上(可一并參考圖7的側(cè)視示意圖)。也就是說，在半導(dǎo)體裝置10中，界面板24a設(shè)于芯片Dl至D4與基板12的表面16a之間，子封裝系統(tǒng)22a的互聯(lián)導(dǎo)體34即耦接于接點(diǎn)38與界面板24a之間。類似地，界面板24b設(shè)于芯片D5至D8與表面16a之間，子封裝系統(tǒng)22b的互聯(lián)導(dǎo)體34則介于接點(diǎn)38與界面板24b之間。一實(shí)施例中，芯片20也可以利用覆晶形式而安裝于基板12的表面16a上。芯片20在方向z上有相反兩表面t20 (圖2)與b20 (圖4)。如圖4所示，芯片20在表面b20上設(shè)有多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體32 (可以是焊球、針腳或接點(diǎn));對(duì)應(yīng)地，基板12在其表面16a上也設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)36，各接點(diǎn)36可和一互聯(lián)導(dǎo)體32相互嵌合搭配。芯片20即是經(jīng)由互聯(lián)導(dǎo)體32與接點(diǎn)36的連接而安裝于基板12的表面16a上。如圖7的側(cè)視示意圖所示，在表面16a上，芯片20沿方向z的突起高度低于子封裝系統(tǒng)22a、22b中各互聯(lián)導(dǎo)體34沿方向z的高度，使芯片20可以設(shè)置在界面板24a、24b之下(請(qǐng)一并參考圖7的頂視示意圖)。如圖5所不，散熱體14具有一突出部分46、一散熱板40與一或多個(gè)側(cè)壁,例如側(cè)壁42a與42b。散熱板40在方向z上有兩相反表面t40與b40 ;突出部分46由表面b40沿著方向z的反方向延伸。如圖6與圖7所示，散熱板40覆蓋于芯片20與各子封裝系統(tǒng)22a、22b之上，突出部分46設(shè)于芯片20與散熱板40之間，各側(cè)壁42a、42b則設(shè)于散熱板40與基板12的表面16a之間。散熱體14可以是由高導(dǎo)熱系數(shù)的材質(zhì)(例如金屬)制成，以替芯片20、Dl至D8散熱。舉例而言，散熱板40的表面b40可直接或間接地(隔著一層導(dǎo)熱膠合層)貼合于芯片Dl至D8的表面tl至t8，突出部分46則可(直接或間接地)貼合于芯片20的表面t20 ；如此,芯片20運(yùn)作時(shí)產(chǎn)生的熱就可經(jīng)由突出部分46傳導(dǎo)至散熱板40，并由散熱板40逸散出去。若有需要，散熱板40的表面t40及/或側(cè)壁42a、42b上也可設(shè)置增強(qiáng)散熱的鰭片等 結(jié)構(gòu)。在圖I至圖7的實(shí)施例中，界面板24a與24b承載了芯片Dl至D8。在另一種實(shí)施例中，界面板24a、24b不僅可承載芯片，也可承載其他電子元件(未圖示)，例如被動(dòng)元件(電阻、電容及/或電感等等)。由圖I至圖7的討論可知，子封裝系統(tǒng)22a、22b的界面板24a、24b可部分延伸覆疊于芯片20之上，以擴(kuò)大界面板24a、24b上能承載芯片/電子元件的面積，使界面板24a、24b可以承載更多芯片/電子元件，提高半導(dǎo)體裝置10的封裝集積度。再者，界面板24a、24b不會(huì)完全覆蓋芯片20，使散熱體14的突出部分46仍能延伸至芯片20，兼顧芯片20的散熱。延續(xù)圖I至圖7的實(shí)施例，請(qǐng)參考圖8,其以側(cè)視不意半導(dǎo)體10中的導(dǎo)電路徑?；?2與界面板24a、24b中可分別設(shè)置一或多層的導(dǎo)體層(如金屬層，未圖示)，用以形成繞線，以和互聯(lián)導(dǎo)體28、32與34搭配形成各種導(dǎo)電路徑，使芯片20、D1至D8可互相電性耦接，并經(jīng)由互聯(lián)導(dǎo)體18電性耦接外界電路(例如電路板或另一半導(dǎo)體裝置)。舉例而言，子封裝系統(tǒng)中的芯片，例如子封裝系統(tǒng)22a的芯片D3或D4，即可經(jīng)由互聯(lián)導(dǎo)體28、界面板24a、互聯(lián)導(dǎo)體34、基板12與互聯(lián)導(dǎo)體32而電性耦接至芯片20，使子封裝系統(tǒng)中的芯片可以和芯片20交換(傳輸及/或接收)數(shù)據(jù)、信號(hào)。芯片20本身可經(jīng)由互聯(lián)導(dǎo)體32、基板12而電性耦接至外部互聯(lián)導(dǎo)體18，以和外界電路交換數(shù)據(jù)信號(hào)，以及/或者汲取運(yùn)作所需的電力。類似地，子封裝系統(tǒng)中的芯片，例如子封裝系統(tǒng)22a的芯片D4，則可經(jīng)由互聯(lián)導(dǎo)體28、界面板24a、互聯(lián)導(dǎo)體34、基板12而電性耦接至外部互聯(lián)導(dǎo)體18，以和外界電路交換數(shù)據(jù)信號(hào)，以及/或者汲取運(yùn)作所需的電力。同一子封裝系統(tǒng)中的不同芯片，例如子封裝系統(tǒng)22a中的芯片D3與D4，可經(jīng)由芯片D3的互聯(lián)導(dǎo)體28、界面板24a與芯片D4的互聯(lián)導(dǎo)體28相互電性耦接以交換數(shù)據(jù)、信號(hào)。類似地，不同子封裝系統(tǒng)中的不同芯片，例如子封裝系統(tǒng)22a中的芯片D3與子封裝系統(tǒng)22b中的芯片D7，則可經(jīng)由芯片D3的互聯(lián)導(dǎo)體28、界面板24a、界面板24a的互聯(lián)導(dǎo)體34、基板
12、界面板24b的互聯(lián)導(dǎo)體34、界面板24b與芯片D7的互聯(lián)導(dǎo)體28而相互電性耦接，并交換數(shù)據(jù)、信號(hào)。在本發(fā)明半導(dǎo)體裝置10的一實(shí)施例中，芯片20可以是一處理器(控制器)，而芯片Dl至D8可以是存儲(chǔ)器管芯，為芯片20提供運(yùn)作所需的存儲(chǔ)器資源。請(qǐng)參考圖9，其所示意的是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例而提供(例如組裝、生產(chǎn)、制造、力口工及/或?qū)崿F(xiàn))本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的流程100。以下即以半導(dǎo)體裝置10的實(shí)現(xiàn)為例來說明流程100的各主要步驟。步驟102 :將芯片20貼附至基板12的表面16a。如圖4所示，可將芯片20的互聯(lián)導(dǎo)體32嵌合于對(duì)應(yīng)的接點(diǎn)36 ;當(dāng)互聯(lián)導(dǎo)體32嵌合至對(duì)應(yīng)接點(diǎn)36后，可在互聯(lián)導(dǎo)體32之間注入底膠(underfill)，以覆晶形式將芯片20安裝于基板12的表面16a上。步驟104 :組裝各子封裝系統(tǒng)22a、22b ;舉例而言，可將芯片Dl至D4安裝于界面板24a上。芯片Dl至D4可以是裸晶，也可以是已封裝的娃晶。若芯片為裸晶時(shí)，可以用覆晶的方式安裝于界面板24a上；若芯片為已封裝的硅晶時(shí)，則可以焊球或針腳等形式安裝于界面板24a上。同理，芯片D5至D8也被安裝于界面板24b上。如圖3所示，芯片Dl至D4的互聯(lián)導(dǎo)體28可被嵌合至界面板24a的接點(diǎn)30 ;若芯片Dl至D4為裸晶，可在表面t24a與·表面bl至b4間注入底膠(未圖示)。若芯片Dl至D4非裸晶，底膠則非必要。若有需要，也可在界面板24a、24b上安裝其他電子元件。步驟106 :將子封裝系統(tǒng)22a、22b貼附于基板12的表面16a ;如圖4所示，子封裝系統(tǒng)22a、22b的互聯(lián)導(dǎo)體34可連接嵌合于基板12上的對(duì)應(yīng)接點(diǎn)38，以將子封裝系統(tǒng)22a、22b安裝于表面16a上。由于界面板24a與24b部分延伸于芯片20之上，子封裝系統(tǒng)22a、22b于表面16a的投影與芯片20的投影有部分重疊，并有部分不重疊。步驟108 :貼附散熱體14，將散熱體14安裝于基板12上，使散熱板40覆蓋于芯片20與子封裝系統(tǒng)22a、22b之上，并使突出部分46被設(shè)置于芯片20與散熱板40之間，如圖4與圖7所不。在一種實(shí)施例中，散熱體14的側(cè)壁42a、42b、突出部分46與散熱板40可先組裝為一體，再被貼附至基板12上。在另一種實(shí)施例中，散熱體14的側(cè)壁42a、42b、突出部分46與散熱板40即一體成形。在又一種實(shí)施例中，先將側(cè)壁42a、42b形成于基板12上，再將散熱板14 (與突出部分46)組合至側(cè)壁42a與42b上。步驟110 :將外部互聯(lián)導(dǎo)體18貼附于基板12的表面16b?；?2的表面16b上可設(shè)置多個(gè)接點(diǎn)(未圖示)，各接點(diǎn)對(duì)應(yīng)一互聯(lián)導(dǎo)體18而可相互嵌合；此步驟即是將互聯(lián)導(dǎo)體18連接至對(duì)應(yīng)的接點(diǎn)，以將各互聯(lián)導(dǎo)體18附接于基板12。至此，就可完成半導(dǎo)體裝置10。請(qǐng)參考圖10，其所示意的是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的散熱體14b。類似于圖6的散熱體14，散熱體14b也設(shè)有突出部分46、散熱板40與側(cè)壁42a、42b ;散熱體14b還具有另兩側(cè)壁42c與42d，使散熱體14b的側(cè)壁42a至42d可環(huán)繞于芯片20與子封裝系統(tǒng)22a、22b四周。在圖I至圖10的粒子中，半導(dǎo)體裝置10中設(shè)有單一芯片20。在其他實(shí)施例中(未圖示)，半導(dǎo)體裝置10可以設(shè)置多個(gè)芯片20 ;這些芯片20可以是設(shè)置于子封裝系統(tǒng)22a與22b之間，并與突出部分46接觸。其中，至少有一芯片20覆蓋于子封裝系統(tǒng)22a及/或22b之下。在圖I至圖10實(shí)施例中，芯片Dl至D4以凸塊、焊球或針腳或其他接合形式安裝于子封裝系統(tǒng)22a的界面板24a上?？偨Y(jié)來說，相比較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明不僅可增進(jìn)半導(dǎo)體裝置的封裝集積度，還可兼顧封裝中各芯片的散熱，確保封裝中的電子系統(tǒng)能順利地運(yùn)作。綜上所述，雖然結(jié)合以上較佳實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍 應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包含 基板，具有第一表面； 第一芯片，安裝于該第一表面上； 至少一子封裝系統(tǒng)，安裝于該第一表面上，各該子封裝系統(tǒng)于該第一表面的投影與該第一芯片于該第一表面的投影有部分重疊，并有部分不重疊；以及 散熱體(heat spreader),具有突出部分與散熱板；該散熱板覆蓋于該第一芯片與各該子封裝系統(tǒng)之上，而該突出部分設(shè)于該第一芯片與該散熱板之間； 其中，各該子封裝系統(tǒng)包含 至少一第二芯片；以及 界面板(interposer),設(shè)于各該第二芯片與該第一表面之間；各該第二芯片安裝于該界面板上。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一表面上還設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)(contact)，而各該子封裝系統(tǒng)還包含多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體(interconnector),各該互聯(lián)導(dǎo)體與各該第二芯片設(shè)于該界面板的相反兩面，且該些互聯(lián)導(dǎo)體分別耦接于該些接點(diǎn)與該界面板之間。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一芯片以覆晶形式安裝于該第一表面上；在該第一表面上，該第一芯片沿一第一方向的突起高度低于該些互聯(lián)導(dǎo)體沿該第一方向的高度。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中該散熱體還具有至少一側(cè)壁，各該側(cè)壁設(shè)于該散熱板與該第一表面之間。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，還包含多個(gè)外部互聯(lián)導(dǎo)體；該些外部互聯(lián)導(dǎo)體與該第一芯片設(shè)于該基板的相反兩面。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第二芯片為一裸晶，該第二芯片以覆晶(flip-chip)的方式安裝于該界面板上。
7.如權(quán)利要求第I項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第二芯片為一已封裝的硅晶，該第二芯片通過一焊球或一針腳安裝于該界面板上。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包含 基板，具有第一表面； 第一芯片，安裝于該第一表面上； 至少一子封裝系統(tǒng)，安裝于該第一表面上，各該子封裝系統(tǒng)于該第一表面的投影與該第一芯片于該第一表面的投影有部分重疊，并有部分不重疊；以及 散熱體，具有突出部分與散熱板；該散熱板覆蓋于該第一芯片與各該子封裝系統(tǒng)之上，而該突出部分設(shè)于該第一芯片與該散熱板之間； 其中，各該子封裝系統(tǒng)包含 至少一第二芯片；以及 界面板，設(shè)于各該第二芯片與該第一表面之間。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一表面上還設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)(contact)，而各該子封裝系統(tǒng)還包含多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體(interconnector),各該互聯(lián)導(dǎo)體與各該第二芯片設(shè)于該界面板的相反兩面，且該些互聯(lián)導(dǎo)體分別耦接于該些接點(diǎn)與該界面板之間。
10.一種提供一半導(dǎo)體裝置的方法，包含將一第一芯片安裝于一基板的一第一表面上； 組裝至少一子封裝系統(tǒng)，包含 在各該子封裝系統(tǒng)中將至少一第二芯片安裝于一界面板上； 將各該子封裝系統(tǒng)安裝于該第一表面上，使各該子封裝系統(tǒng)于該第一表面的投影與該第一芯片于該第一表面的投影有部分重疊，并有部分不重疊；以及 安裝一散熱體(heat spreader);該散熱體具有一突出部分與一散熱板；當(dāng)安裝該散熱體時(shí)，使該散熱板覆蓋于該第一芯片與各該子封裝系統(tǒng)之上，并使該突出部分被設(shè)置于該第一芯片與該散熱板之間。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包含于該基板上附接多個(gè)外部互聯(lián)導(dǎo)體，使該些外部互聯(lián)導(dǎo)體與該芯片設(shè)于該基板的相反兩面。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該第一表面上還設(shè)有多個(gè)接點(diǎn)，各該子封裝系統(tǒng)還包含多個(gè)互聯(lián)導(dǎo)體，各該互聯(lián)導(dǎo)體與各該第二芯片設(shè)于該界面板的相反兩面；當(dāng)安裝各該子封裝系統(tǒng)時(shí)，使各該子封裝系統(tǒng)的該些互聯(lián)導(dǎo)體分別耦接于該些接點(diǎn)與該界面板之間。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該第二芯片為一裸晶，該第二芯片以覆晶(flip-chip)的方式安裝于該界面板上。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該第二芯片為一已封裝的硅晶，該第二芯片通過一焊球或一針腳安裝于該界面板上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體裝置與相關(guān)方法，包括一基板、一第一芯片，環(huán)繞芯片設(shè)置的多個(gè)子封裝系統(tǒng)與一散熱體。第一芯片與子封裝系統(tǒng)設(shè)于基板的同一表面上，兩者于該表面上的投影有部分重疊，有部分不重疊。各子封裝系統(tǒng)包括一界面板與多個(gè)以覆晶形式安裝于界面板上的第二芯片。散熱體具有一突出部分與一散熱板；散熱板覆蓋第一芯片與子封裝系統(tǒng)，突出部分設(shè)于第一芯片與散熱板間。
文檔編號(hào)H01L23/498GK102915992SQ201110359460
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者林有玉 申請(qǐng)人:創(chuàng)意電子股份有限公司, 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司