專利名稱：基板處理系統(tǒng)及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對形成于晶片等基材上的感光性樹脂材料進行曝光的技術(shù)，尤其涉及一種對形成于基材周邊部(邊緣部)上的多余的感光性樹脂材料進行曝光的周邊曝光技術(shù)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工藝的光刻工序中，在晶片的整個面上涂敷感光性樹脂材料，由通向標線(reticule)(在基板上描繪電路等圖案的母版)的光來曝光該涂敷膜，即抗蝕劑膜， 從而能夠?qū)司€的圖案轉(zhuǎn)印到抗蝕劑膜上。之后，通過對抗蝕劑膜實施使用藥液的顯影處理，形成抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案作為用于蝕刻加工被加工膜的掩膜使用。形成于晶片上的抗蝕劑膜中，晶片周邊部(邊緣部)上的感光性樹脂材料從晶片上剝離后變?yōu)槔?，可能會?dǎo)致成品率下降。因此，以前，在使用了標線的曝光工序之前，執(zhí)行僅曝光晶片周邊部上多余的感光性樹脂材料的周邊曝光工序。但是，在周邊曝光工序中曝光的感光性樹脂材料引起光化學(xué)反應(yīng)后發(fā)泡，因該發(fā)泡，導(dǎo)致感光性樹脂材料的一部分(發(fā)泡片)飛散并附著在抗蝕劑膜的未曝光部分。擔心附著在未曝光部分的發(fā)泡片在形成于之后的光刻工序的抗蝕劑圖案中引起缺陷(圖案異常)。圖1㈧ ⑶是用于說明周邊曝光工序中由發(fā)泡現(xiàn)象引起的圖案異常的截面圖。 如圖1㈧所示，在基板40上形成了被加工膜41及抗蝕劑膜43之后，向該基板40的外周部上的抗蝕劑膜43照射周邊曝光用的光LB。如圖I(B)所示，因周邊曝光用的光LB，導(dǎo)致發(fā)泡片43a、43b、43c飛散到抗蝕劑膜43的未曝光部分上。若對該抗蝕劑膜43執(zhí)行顯影處理，則如圖I(C)所示，形成原本不存在的異常的抗蝕劑圖案43ra、43rb、43rc。之后，若執(zhí)行將這些異常的抗蝕劑圖案43ra、43rb、43rc設(shè)為掩膜的蝕刻，則如圖I(D)所示，形成異常的加工圖案 41pa、41pb、41pc。抑制上述發(fā)泡現(xiàn)象的周邊曝光技術(shù)例如公開在特開平5-205991號公報(專利文獻1)、特公平7-50676號公報(專利文獻2)及特公平7-50677號公報(專利文獻3)中。 這些專利文獻中公開的周邊曝光技術(shù)均通過分多次對晶片周邊部上的感光性樹脂材料進行曝光，降低每次的曝光量，從而抑制光化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。專利文獻1 特開平5-205991號公報專利文獻2 特公平7-50676號公報
專利文獻3 特公平7-50677號公報
但是，例如即便分多次執(zhí)行周邊曝光，有時也產(chǎn)生發(fā)泡現(xiàn)象，導(dǎo)致在抗蝕劑圖案中產(chǎn)生缺陷，成品率下降，尋求用于進一步抑制發(fā)泡現(xiàn)象的對策。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠有效地抑制對感光性樹脂材料進行曝光時的發(fā)泡現(xiàn)象的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法。本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，具有洗凈裝置，對基板表面實施洗凈處理； 抗蝕劑涂敷裝置，在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料，形成抗蝕劑膜；周邊曝光裝置， 對形成于所述基板的周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光；基板傳送機構(gòu)，將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置；以及系統(tǒng)控制器，控制所述洗凈裝置、所述抗蝕劑涂敷裝置、所述周邊曝光裝置和所述基板傳送機構(gòu)各自的動作，所述系統(tǒng)控制器具有等待時間監(jiān)視部，監(jiān)視從形成了所述抗蝕劑膜時起至由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜進行曝光的曝光工序為止的該基板的等待時間；以及工藝控制部，當所述等待時間超過限制時間時，使所述基板傳送機構(gòu)將該基板傳送到所述洗凈裝置，將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。本發(fā)明的基板處理方法是一種基板處理系統(tǒng)中的基板處理方法，所述基板處理系統(tǒng)具有洗凈裝置，對基板的表面實施洗凈處理；抗蝕劑涂敷裝置，在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料，形成抗蝕劑膜；周邊曝光裝置，對形成于所述基板的周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光；以及基板傳送機構(gòu)，將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置，其特征在于，所述基板處理方法具有如下步驟監(jiān)視從形成了所述抗蝕劑膜時起至由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜進行曝光的曝光工序為止的該基板的等待時間；當所述等待時間超過限制時間時，使所述基板傳送機構(gòu)將該基板傳送到所述洗凈裝置；以及將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制發(fā)泡現(xiàn)象，并能夠抑制抗蝕劑圖案的缺陷發(fā)生。


圖1是用于說明周邊曝光工序中的由發(fā)泡現(xiàn)象引起的圖案異常的截面圖。圖2是示意地表示本發(fā)明的實施方式的基板處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的功能框圖。圖3是示意地表示本實施方式的周邊曝光裝置的一例結(jié)構(gòu)的圖。圖4是示意地表示監(jiān)視周邊曝光前的晶片的等待時間的一例處理步驟的流程圖。圖5是用于說明周邊曝光的順序的示意圖。符號說明
1基板處理系統(tǒng)
10系統(tǒng)控制器
IOA工藝控制部
IOB等待時間監(jiān)視部
11操作輸入部
12 顯示部
13音響輸出部
21洗凈干燥裝置
21S 26S位置檢測傳感器
22抗蝕劑涂敷裝置23周邊曝光裝置 231主控制部 232驅(qū)動控制部 233曝光控制部 234 載置臺(stage) 235光源
236 聚束透鏡(Condenser lens)
237聚光透鏡
24投影曝光裝置(步進式)
25顯影裝置
26蝕刻裝置
30基板傳送機構(gòu)
31架(Substrate carrier),,
具體實施例方式下面，參照附圖來說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式。圖2是示意地表示本實施方式的基板處理系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的功能框圖。如圖2所示， 基板處理系統(tǒng)1具有洗凈干燥裝置21、抗蝕劑涂敷裝置22、周邊曝光裝置23、投影曝光裝置(步進式)24、顯影裝置25及蝕刻裝置26等執(zhí)行用于在晶片(基板)W上形成半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體制造工藝的裝置群。另外，圖2表示基板處理系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的一部分，基板處理系統(tǒng)1還具有與圖2明確示出的裝置群21 26關(guān)聯(lián)地動作的其他裝置群(未圖示)。另外，基板處理系統(tǒng)1具有基板傳送機構(gòu)30，對收存了以批為單位的多個晶片(基板)W的基板運送架31進行傳送。基板傳送機構(gòu)30具有如下功能，即根據(jù)來自系統(tǒng)控制器10的指令，將基板運送架31搬入到裝置群21 26中的任意一個、或從裝置群21 26 中的任意一個中搬出收存了已完成處理的晶片W的基板運送架31?；鍌魉蜋C構(gòu)30能夠根據(jù)來自系統(tǒng)控制器10的指令，將基板運送架31從裝置群21 26中的任意裝置傳送到其他裝置。并且，基板處理系統(tǒng)1還具有系統(tǒng)控制器10，單獨控制上述裝置群21 26及基板傳送機構(gòu)30的動作；操作輸入部(操作面板)11、顯示部(監(jiān)視器)12與音響輸出部(揚聲器)13。操作者能夠?qū)Σ僮鬏斎氩?1進行操作，輸入涉及工藝條件的信息。系統(tǒng)控制器 10根據(jù)向操作輸入部11輸入的輸入信息，執(zhí)行控制處理。顯示部12例如由IXD(Liquid Crystal Display 液晶顯示器)構(gòu)成，具有顯示從系統(tǒng)控制器10輸出的圖像信息的功能。另外，系統(tǒng)控制器10具有控制制造線上的裝置群21 26所執(zhí)行的一系列工藝的工藝控制部10A、以及監(jiān)視等待處理的晶片W的等待時間的等待時間監(jiān)視部10B。這種系統(tǒng)控制器10例如只要具有如下結(jié)構(gòu)即可，該結(jié)構(gòu)包含微處理器、ROM (Read Only Memory 只讀存儲器)、RAM (Random Access Memory 隨機存取存儲器)及輸入輸出接口。另外，系統(tǒng)控制器10的功能的全部或一部分也可以由硬件實現(xiàn)、或者也可以由微處理器執(zhí)行的計算機程序?qū)崿F(xiàn)。在該功能的全部或一部分由計算機程序?qū)崿F(xiàn)的情況下，微處理器通過從記錄媒體(未圖示)加載并執(zhí)行計算機程序，就能夠?qū)崿F(xiàn)該功能。
抗蝕劑涂敷裝置22是在搬入的晶片W的表面均勻地涂敷液態(tài)的感光性樹脂材料后在其整個面上形成正性抗蝕劑膜的裝置。在晶片W上，由未圖示的成膜裝置形成被加工膜，抗蝕劑涂敷裝置22在該被加工膜上形成抗蝕劑膜。另外，抗蝕劑涂敷裝置22具有檢測對晶片W的處理是否完成的光學(xué)式或機械式位置檢測傳感器22S。將位置檢測傳感器22S 的檢測結(jié)果傳送到系統(tǒng)控制器10。形成了抗蝕劑膜的晶片W在收存于基板運送架31中的狀態(tài)下，從抗蝕劑涂敷裝置 22中搬出。之后的晶片W在通常的情況下，即在晶片W的等待時間為規(guī)定的限制時間以內(nèi)的情況下，在經(jīng)過等待時間之后，搬入到周邊曝光裝置23。另一方面，在晶片W的等待時間超過限制時間的情況下，該晶片W未被搬入到周邊曝光裝置23，而被搬入到洗凈干燥裝置21。這種情況下，洗凈干燥裝置21對被搬入的晶片 W實施洗凈處理，去除晶片W上的抗蝕劑膜。之后，該晶片W從洗凈干燥裝置21搬入到抗蝕劑涂敷裝置22。抗蝕劑涂敷裝置22在該晶片W的表面再次形成抗蝕劑膜。洗凈干燥裝置 21具有檢測對晶片W的洗凈處理是否完成的光學(xué)式或機械式位置檢測傳感器21S。將位置檢測傳感器21S的檢測結(jié)果傳送到系統(tǒng)控制器10。周邊曝光裝置23具有如下功能，即僅曝光晶片W的整個面上形成的抗蝕劑膜中的晶片周邊部(邊緣部)上多余的抗蝕劑。圖3是示意地表示周邊曝光裝置23的一例結(jié)構(gòu)的圖。如圖3所示，周邊曝光裝置23具有載置晶片W的載置臺234、光源235、聚束透鏡 236與聚光透鏡237。載置臺234具有如下功能，S卩根據(jù)來自驅(qū)動控制部232的指令，沿X 軸、Y軸及Z軸分別驅(qū)動晶片W，相對于照射光LB對晶片W進行定位。另外，載置臺234的上表面具有吸附并保持表面上所載置的晶片W的功能。作為光源235，例如可使用i射線 (波長約為365nm)用的放電燈，但并不限于此。另外，周邊曝光裝置23具有控制光源235的動作并控制曝光照度的曝光控制部 233、控制載置臺234的動作的驅(qū)動控制部232、以及根據(jù)來自系統(tǒng)控制器10的指令控制驅(qū)動控制部232及曝光控制部233的各處理的主控制部231。另外，雖然未圖示，但機械手等晶片W的搬入搬出機構(gòu)也組入到周邊曝光裝置23中。從光源235射出的光LB經(jīng)聚束透鏡236及聚光透鏡237照射到晶片W上。此時， 載置臺234通過使晶片W移動，從而能夠使光LB的照射位置沿晶片W的外周部移動。照射光LB沿順時針或逆時針掃描晶片W的外周部。周邊曝光裝置23使用照度較低的照射光LB， 多次多重地對晶片W的外周部進行曝光，從而能夠抑制抗蝕劑膜的曝光部分的光化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。外周部曝光后的晶片W在收存于基板運送架31的狀態(tài)下，從周邊曝光裝置23搬出。之后的晶片W在經(jīng)過等待時間之后，搬入到投影曝光裝置24。周邊曝光裝置23具有檢測對晶片W進行的周邊曝光處理是否完成的光學(xué)式或機械式的位置檢測傳感器23S。將位置檢測傳感器23S的檢測結(jié)果傳送到系統(tǒng)控制器10。投影曝光裝置24執(zhí)行投影曝光工序，由通向標線(未圖示)的光對執(zhí)行了周邊曝光的晶片W進行曝光，將標線的母版圖案轉(zhuǎn)印到抗蝕劑膜上?？刮g劑膜上的曝光部分引起光化學(xué)反應(yīng)后，變化為溶于堿性溶液中的構(gòu)造。執(zhí)行了投影曝光后的晶片W在收存于基板運送架31的狀態(tài)下，從投影曝光裝置24搬出。之后的晶片W在經(jīng)過等待時間之后，搬入到顯影裝置25。投影曝光裝置24具有檢測對晶片W進行的投影曝光處理是否完成的光學(xué)式或機械式的位置檢測傳感器24S。將位置檢測傳感器24S的檢測結(jié)果傳送到系統(tǒng)控制器10。顯影裝置25對投影曝光后的晶片上的抗蝕劑膜使用使該抗蝕劑膜的曝光部分溶解的藥液進行顯影處理，由此在晶片W上形成抗蝕劑圖案。完成顯影處理后的晶片W在收存于基板運送架31的狀態(tài)下從顯影裝置25搬出。之后的晶片W在經(jīng)過等待時間之后搬入到蝕刻裝置26。顯影裝置25具有檢測對晶片W進行的顯影處理是否完成的光學(xué)式或機械式的位置檢測傳感器25S。將位置檢測傳感器25S的檢測結(jié)果傳送到系統(tǒng)控制器10。另外，蝕刻裝置26通過將所述抗蝕劑圖案作為蝕刻掩膜，對晶片W實施濕蝕刻或干蝕刻，從而對作為抗蝕劑圖案的基底的被加工膜進行布圖。之后的晶片W在收存于基板運送架31的狀態(tài)下從蝕刻裝置26搬出。蝕刻裝置26具有檢測對晶片W進行的蝕刻處理是否完成的光學(xué)式或機械式的位置檢測傳感器26S。將位置檢測傳感器26S的檢測結(jié)果傳送到系統(tǒng)控制器10。等待時間監(jiān)視部IOB具有根據(jù)從位置檢測傳感器21S 26S輸出的檢測結(jié)果來監(jiān)視晶片W的等待時間的功能。圖4是示意地表示監(jiān)視周邊曝光前的晶片W的等待時間的一例處理步驟的流程圖。下面，參照圖4，說明等待時間監(jiān)視部IOB的處理。若等待時間監(jiān)視部IOB根據(jù)位置檢測傳感器22S的檢測結(jié)果，檢測到抗蝕劑涂敷裝置22對晶片W進行的抗蝕劑涂敷工序已開始，則相應(yīng)地開始圖4的等待時間監(jiān)視處理。 等待時間監(jiān)視部IOB待機(步驟SlO為否)，直到抗蝕劑涂敷工序完成，若檢測到抗蝕劑涂敷工序完成(步驟SlO為是)，則記錄該完成時刻(步驟Sll)。之后，等待時間監(jiān)視部IOB根據(jù)位置檢測傳感器23S的檢測結(jié)果，判定周邊曝光裝置23是否開始周邊曝光工序(步驟S12)。在未開始周邊曝光工序的情況下(步驟S12為否)，判定該晶片W的等待時間是否在限制時間(例如12小時)以內(nèi)(步驟S13)。在等待時間為限制時間以內(nèi)的情況下(步驟S13為是)，則處理返回到步驟S12。在等待時間為限制時間以內(nèi)開始了周邊曝光工序的情況下(步驟S13為是以及步驟S12為是)，等待時間監(jiān)視部IOB終止對該晶片W的等待時間監(jiān)視處理。另一方面，在等待時間超過了限制時間的情況下(步驟S13為否)，等待時間監(jiān)視部IOB使表示警報的圖像信息顯示在顯示部12中，并且，使表示警報的音響信息輸出到音響輸出部13(步驟S14)。由此，操作者接受警報的通知。接著，等待時間監(jiān)視部IOB向工藝控制部IOA指示該晶片W的再處理(步驟S15)，使等待時間監(jiān)視處理終止。其結(jié)果，該晶片W被搬入到洗凈干燥裝置21，從晶片W去除抗蝕劑膜。之后，將該晶片W從洗凈干燥裝置21搬入到抗蝕劑涂敷裝置22，所以抗蝕劑涂敷裝置22在該晶片W上再次形成抗蝕劑膜。將形成了抗蝕劑膜的晶片W從抗蝕劑涂敷裝置22中搬出。之后的晶片W在晶片W的等待時間在限制時間以內(nèi)的情況下，經(jīng)過等待時間之后搬入到周邊曝光裝置23中，但在等待時間超過了限制時間的情況下，不搬入到周邊曝光裝置23，而搬入到洗凈干燥裝置21。如上所述，在等待時間超過了限制時間的情況下從晶片W去除抗蝕劑膜的理由是基于周邊曝光的發(fā)泡現(xiàn)象的原因之一在于，從形成抗蝕劑膜的時刻起至執(zhí)行周邊曝光為止的晶片間等待時間存在偏差，等待時間越長，則越容易引起基于周邊曝光的發(fā)泡。本發(fā)明人已通過實驗進行了確認。下面說明該實驗內(nèi)容。圖5(A) (C)是用于說明實驗中使用的1次旋轉(zhuǎn)的周邊曝光的順序的示意圖。 圖5(A) (C)中示出具有定向平面(Orientation Flat)Wo的晶片W的俯視圖。將定向平面Wo的中央角度位置設(shè)定為0°。在該硅晶片W上，涂敷i射線用正性抗蝕劑‘THMR-iP 2900’(東京應(yīng)化工業(yè)制)構(gòu)成的抗蝕劑膜，對該抗蝕劑膜執(zhí)行周邊曝光。該抗蝕劑膜的膜厚約為2. 5μπι。在圖5(A)的步驟中，周邊曝光裝置23使周邊曝光用照射光(i射線)LBl從定向平面Wo的一個端部附近的開始角15°的位置出發(fā)后，按逆時針且呈圓弧狀地掃描晶片W的外周部一直到定向平面Wo的另一個端部附近的終止角345°的位置。照射光LBl的曝光位置設(shè)定在距晶片W的端部沿徑向內(nèi)側(cè)3. Omm左右的位置。接著，在圖5(B)的步驟中，周邊曝光裝置23使周邊曝光用照射光(i射線)LB2從開始角340°的位置出發(fā)后，按逆時針且呈圓弧狀地掃描晶片W的外周部一直到終止角20°的位置。照射光LB2的曝光位置設(shè)定在距晶片W的端部沿徑向內(nèi)側(cè)3. 3mm左右的位置。之后，在圖5(C)的步驟中，周邊曝光裝置 23使周邊曝光用照射光(i射線)LB3從開始角341°的位置出發(fā)后，按逆時針且呈圓弧狀地掃描晶片W的外周部一直到終止角19°的位置。照射光LB3的曝光位置設(shè)定在距晶片W的端面沿徑向內(nèi)側(cè)3. 5mm左右的位置。以上述周邊曝光順序為基礎(chǔ)，一邊改變曝光能量的量，一邊執(zhí)行1次旋轉(zhuǎn)、2次旋轉(zhuǎn)、3次旋轉(zhuǎn)及4次旋轉(zhuǎn)的周邊曝光。此時，周邊曝光裝置23中不使用曝光濾鏡(Exposure Filter)(波長選擇濾波器)。首先，1次旋轉(zhuǎn)時(實驗1)的周邊曝光順序中的照度(累積照射量)約為 25000mJ/cm2，基準周期(曝光時間)為25. O秒。若匯總1次旋轉(zhuǎn)時的曝光條件，則如下表 1所示。[表1]
權(quán)利要求
1.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，具有 洗凈裝置，對基板的表面實施洗凈處理；抗蝕劑涂敷裝置，在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料，形成抗蝕劑膜； 周邊曝光裝置，對形成在所述基板周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光； 基板傳送機構(gòu)，將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置；以及系統(tǒng)控制器，控制所述洗凈裝置、所述抗蝕劑涂敷裝置、所述周邊曝光裝置與所述基板傳送機構(gòu)的各自的動作， 所述系統(tǒng)控制器具有等待時間監(jiān)視部，監(jiān)視從形成所述抗蝕劑膜時起到由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜的曝光工序為止的該基板的等待時間；以及工藝控制部，當所述等待時間超過了限制時間時，使所述基板傳送機構(gòu)將該基板傳送到所述洗凈裝置，并將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述周邊曝光裝置多次多重地對所述抗蝕劑膜進行曝光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還具有通知單元，當所述等待時間超過了所述限制時間時，利用視覺信息或音響信息來通知警報。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3之一所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述基板是半導(dǎo)體晶片。
5.一種基板處理系統(tǒng)中的基板處理方法，所述基板處理系統(tǒng)具有洗凈裝置，對基板的表面實施洗凈處理；抗蝕劑涂敷裝置，在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料，形成抗蝕劑膜；周邊曝光裝置，對形成在所述基板的周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光；以及基板傳送機構(gòu)，將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置，其特征在于，所述基板處理方法包括如下步驟監(jiān)視從形成所述抗蝕劑膜時起到由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜的曝光工序為止的該基板的等待時間；當所述等待時間超過了限制時間時，使所述基板傳送機構(gòu)將該基板傳送到所述洗凈裝置；以及將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于， 所述曝光裝置多次多重地對所述抗蝕劑膜進行曝光。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基板處理方法，其特征在于，還具有如下步驟，當所述等待時間超過了所述限制時間時，利用視覺信息或音響信息來通知警報。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制曝光的感光性樹脂材料的發(fā)泡現(xiàn)象的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法?；逄幚硐到y(tǒng)(1)具有洗凈裝置(21)、抗蝕劑涂敷裝置(22)、周邊曝光裝置(23)、基板傳送機構(gòu)(30)及系統(tǒng)控制器(10)。系統(tǒng)控制器(10)具有時間監(jiān)視部(10B)，監(jiān)視從由抗蝕劑涂敷裝置(22)形成了抗蝕劑膜時起到由周邊曝光裝置(23)開始曝光工序為止的基板(W)的等待時間；以及工藝控制部(10A)，當?shù)却龝r間超過了限制時間時，使基板傳送機構(gòu)(30)將基板(W)傳送到洗凈裝置(21)。工藝控制部(10A)將由洗凈裝置(21)去除了抗蝕劑膜后的基板(W)傳送到抗蝕劑涂敷裝置(22)。
文檔編號H01L21/027GK102479689SQ20111038043
公開日2012年5月30日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者井手俊幸 申請人:拉碧斯半導(dǎo)體株式會社