專利名稱：切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的方法。
背景技術(shù)：
新型存儲(chǔ)器已展現(xiàn)出與常用形式的存儲(chǔ)器相媲美的顯著可能性。例如，非易失性自旋轉(zhuǎn)移(spin-transfer)扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(此處稱為ST-RAM)作為“通用”存儲(chǔ)器已被討論過(guò)。磁性隧道結(jié)(MTJ)單元由于其高速、相對(duì)高的密度和低功耗而在ST-RAM的應(yīng)用中引起了很多關(guān)注。大多數(shù)活動(dòng)已集中在具有向平面內(nèi)的(in-plane)磁各向異性的MTJ單元。預(yù)測(cè)具有向平面外的(out-plane)磁化方向的MTJ單元能夠?qū)崿F(xiàn)比具有相同磁各向異性場(chǎng)的向平面內(nèi)的MTJ單元小的切換電流。因此，向平面外的磁化方向MTJ單元以及使用它們的方法引起了極大的關(guān)注。

發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)涉及經(jīng)常被稱為磁性隧道結(jié)單元的磁性自旋扭矩存儲(chǔ)單元以及使用它們的方法，這些磁性自旋扭矩存儲(chǔ)器單元具有與晶片平面垂直對(duì)準(zhǔn)的、或“向平面外的”關(guān)聯(lián)鐵磁層的磁各向異性(即，磁化方向)。本公開(kāi)的一個(gè)特定實(shí)施例是切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的鐵磁自由層的磁化方向的方法，該方法包括使交流切換電流流經(jīng)向平面外的磁性隧道結(jié)單元，其中交流切換電流切換鐵磁自由層的磁化方向。本公開(kāi)的另一特定實(shí)施例是磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，該磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)包括具有鐵磁自由層、阻擋層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁性隧道結(jié)單元，其中阻擋層定位在鐵磁基準(zhǔn)層和鐵磁自由層之間，并且鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁化方向是向平面外；以及電連接到磁性隧道結(jié)單元的交流電流源。本公開(kāi)的又一特定實(shí)施例是電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方法，該方法包括設(shè)置向平面外的磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)器單元，向平面外的磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)器單元包括鐵磁自由層、阻擋層和鐵磁基準(zhǔn)層，其中阻擋層定位在鐵磁基準(zhǔn)層和鐵磁自由層之間，并且鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁化方向是向平面外的；并且使交流切換電流流經(jīng)向平面外的磁性隧道結(jié)單元，其中交流切換電流切換鐵磁自由層的磁化方向，由此存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。通過(guò)閱讀以下詳細(xì)描述，這些以及各個(gè)其他特征和優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見(jiàn)的。


考慮以下結(jié)合附圖對(duì)本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)描述，可更完整地理解本公開(kāi)， 在附圖中圖IA是說(shuō)明性MTJ單元的示意圖；圖IB是包括可任選釘扎層的說(shuō)明性MTJ單元的示意圖；圖IC是在低電阻狀態(tài)下具有向平面外的磁化方向的說(shuō)明性MTJ單元的示意圖；圖ID是高電阻狀態(tài)下的說(shuō)明性磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)單元的示意側(cè)視圖；圖2A是示出直流(DC)切換電流對(duì)磁化方向的旋磁馳豫的影響的示意圖；而圖2B 是示出交流(AC)切換電流對(duì)磁化方向的旋磁馳豫的影響的示意圖；圖3是包括MTJ單元和晶體管的說(shuō)明性存儲(chǔ)單元的示意圖；圖4是說(shuō)明性存儲(chǔ)器陣列的示意圖；以及圖5是說(shuō)明性存儲(chǔ)系統(tǒng)的示意圖。這些附圖不一定按比例示出。附圖中所使用的相同數(shù)字表示相同部件。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在給定附圖中使用數(shù)字表示部件并不旨在限制在另一附圖中用相同數(shù)字標(biāo)記的部件。
具體實(shí)施例方式本公開(kāi)涉及具有磁各向異性的磁性隧道結(jié)(MTJ)單元的各個(gè)實(shí)施例，磁各向異性導(dǎo)致關(guān)聯(lián)鐵磁層的磁化方向是與晶片平面垂直對(duì)準(zhǔn)的、或“向平面外的”。在以下描述中，參考形成本說(shuō)明書(shū)一部分的一組附圖，其中通過(guò)圖示示出了若干具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，構(gòu)想并可作出其他實(shí)施例而不背離本公開(kāi)的范圍或精神。因此，以下詳細(xì)描述不采取限制性含義。本文中所提供的任何定義用于方便理解本文中頻繁使用的某些術(shù)語(yǔ)，而不旨在限制本公開(kāi)的范圍。除非另外指出，否則在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中使用的表示特征大小、量和物理性質(zhì)的所有數(shù)字應(yīng)當(dāng)理解為在任何情況下均由術(shù)語(yǔ)“約”修飾。因此，除非相反地指出，否則在上述說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中闡明的數(shù)值參數(shù)是近似值，這些近似值可利用本文中公開(kāi)的教示根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員所尋求獲得的期望性質(zhì)而變化。如本說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求書(shū)中所使用的，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”涵蓋具有復(fù)數(shù)引用物的實(shí)施例，除非該內(nèi)容另外明確地指出。如本說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求書(shū)中所使用的，術(shù)語(yǔ)“或”一般以包括“和/或”的含義來(lái)使用，除非該內(nèi)容另外明確地指出。盡管本公開(kāi)不限于此，但通過(guò)討論以下所提供的示例將獲得對(duì)本公開(kāi)的各個(gè)方面的理解。圖IA示出具有向平面外的磁化方向的說(shuō)明性MTJ單元100。MTJ單元100包括相對(duì)柔軟的鐵磁自由層110、鐵磁基準(zhǔn)(例如，固定)層140和氧化物阻擋層130。鐵磁自由層110和鐵磁基準(zhǔn)層140被氧化阻擋層130或非磁性隧道阻擋層分隔開(kāi)。MTJ單元100還可被描述為具有定位在鐵磁基準(zhǔn)層和鐵磁自由層之間的氧化物阻擋層。自由層110和基準(zhǔn)層140各自具有相關(guān)聯(lián)的磁化方向。層110和140的磁化方向不平行于層延伸和其上形成有MTJ單元100的晶片襯底的平面取向。在一些實(shí)施例中，層 110和140的磁化方向可被稱為“向平面外的”。在一些實(shí)施例中，層110和140的磁化方向可被稱為“至少基本垂直的”。在一些實(shí)施例中，層Iio和140的磁化方向可被稱為“垂直的”。自由層110的磁化方向比基準(zhǔn)層140的磁化方向容易切換。諸如籽晶層、覆蓋層、 或其他層之類的其他可任選層可包括在MTJ單元100中，即使它們未在這些附圖中示出。自由層110和基準(zhǔn)層140可獨(dú)立地由諸如例如i^、Co、或Ni及其合金(諸如Nii^e 和CoFe)等任何有用鐵磁(FM)材料制成。自由層110和基準(zhǔn)層140中的一個(gè)或兩個(gè)都可以是單層或多層。組成自由層和固定層的材料的具體示例可包括具有諸如TbCoi^e、GdCoFe和!^ePt之類的垂直各向異性的單層；諸如Co/Pt Co/Ni多層之類的疊層；以及用諸如Co/ 狗和CoFeB合金之類的高自旋極化鐵磁材料層疊的垂直各向異性材料。在一些實(shí)施例中， 自由層110可包括諸如Co之類的高自旋極化層和諸如GdFeCo之類的稀土過(guò)渡性金屬合金層。在一些實(shí)施例中，基準(zhǔn)層140可包括諸如Co之類的高自旋極化層和諸如Tbi^eCo之類的稀土過(guò)渡性金屬合金層。阻擋層130可由諸如例如氧化物材料(例如，Al2O3JiOx或MgOx)等電絕緣材料或半導(dǎo)體材料制成。阻擋層130可以是單層、或者可以是與另一氧化物或金屬(例如，Mg/MgO 雙層)層疊的層。可取決于工藝可行性和設(shè)備可靠性，用自由層110或基準(zhǔn)層140可任選地圖案化阻擋層130。圖IB示出MTJ單元的另一示例性實(shí)施例。該MTJ單元101包括設(shè)置成逼近或毗鄰基準(zhǔn)層140的可任選釘扎層150。釘扎層150 (如果存在的話)則釘扎基準(zhǔn)層140的磁化方向。在一些實(shí)施例中，這種釘扎層150可具有零磁化，但仍然可釘扎基準(zhǔn)層140的磁化方向。釘扎層(如果存在的話)可以是諸如PtMn、IrMn及其他的反鐵磁性有序材料(AFM)。圖IC示出低電阻狀態(tài)下的磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)單元105，其中自由層110的磁化方向與基準(zhǔn)層140的磁化方向處于相同方向。在圖ID中，磁性隧道結(jié)單元106處于高電阻狀態(tài)下，其中自由層110的磁化方向處于自由層140的磁化方向的相反方向。在一些實(shí)施例中， 低電阻狀態(tài)可以是“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)、高電阻狀態(tài)可以是“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)，然而在其他實(shí)施例中， 低電阻狀態(tài)可以是“ 1”、高電阻狀態(tài)可以是“ 0 ”。當(dāng)流經(jīng)磁性隧道結(jié)單元的磁性層的切換電流變成自旋極化的并且將自旋扭矩施加到自由層110上時(shí)，經(jīng)由自旋轉(zhuǎn)移而發(fā)生切換電阻狀態(tài)并且因此切換磁性隧道結(jié)單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。當(dāng)將足夠的自旋扭矩施加到自由層110時(shí)，自由層110的磁化方向可在兩個(gè)相反方向之間切換，并且因此，磁性隧道結(jié)單元可在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間切換。此處公開(kāi)了切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的鐵磁自由層的磁化方向，該切換包括使交流切換電流流經(jīng)MTJ單元的步驟。此處也可被稱為“AC”的交流電流是電荷(或電子)的移動(dòng)周期性地反向的電流。流經(jīng)MTJ單元的交流切換電流的施加(經(jīng)由如上所討論的自旋扭矩)使自由層的磁化方向得以切換。在所公開(kāi)的實(shí)施例中，旋磁馳豫也有助于切換自由層的磁化方向。這可提供較低切換電流的使用以用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入MTJ單元，由此允許較少的功耗。磁場(chǎng)的旋磁馳豫可由等式1描述&=(眾><互)(等式1)其中M是自由層的磁化飽和，而及是電流所生成的磁場(chǎng)。相反地，阻尼馳豫可由等式2描述=▲>< (眾 χ 片)(等式 2)其中M和及如上給出，并且α約為0.01。由于幅度為α，因此在任何給定系統(tǒng)中旋磁馳豫比阻尼馳豫高至少約100倍。因此，如果旋磁馳豫可用于幫助切換鐵磁自由層的磁化方向，則可降低總切換電流。在圖2Α中示意性地示出直流電流對(duì)旋磁馳豫的影響。如圖2Α中可見(jiàn)，直流切換電流在所有方向上將自由層的磁化方向同等地拉(由實(shí)線箭頭所示)離中心，由此有效地消除旋磁馳豫的影響。相反地，在圖2B中示出交流切換電流的影響。如圖2B中可見(jiàn)，此情況下的旋磁馳豫本身并未消除并且因此幫助切換自由層的磁化方向。在使用交流切換電流的實(shí)施例中，交流切換電流可感生繞開(kāi)(circumnavigate)磁性隧道結(jié)單元的磁場(chǎng)，如圖2B 中可見(jiàn)。所感生的磁場(chǎng)可在鐵磁自由層的磁化方向上誘發(fā)旋磁馳豫。這種旋磁馳豫可有助于切換鐵磁自由層。由于旋磁馳豫對(duì)切換的貢獻(xiàn)，可使用較低的切換電流，這可提供可在較低隔離要求的情況下運(yùn)行的存儲(chǔ)器。在一些實(shí)施例中，交流切換電流的頻率可與鐵磁自由層的旋磁頻率相匹配。自由層的旋磁頻率是自由層的磁性質(zhì)和自由層的幾何結(jié)構(gòu)的函數(shù)。旋磁頻率一般處于GHz頻率范圍內(nèi)。交流切換電流可經(jīng)由阻擋層從自由層流到基準(zhǔn)層；或經(jīng)由阻擋層從基準(zhǔn)層流到自由層。所公開(kāi)的方法還可任選地包括讀取或感測(cè)MTJ單元的電阻狀態(tài)或數(shù)據(jù)。可通過(guò)使讀取電流流經(jīng)MTJ單元來(lái)確定MTJ單元的電阻狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，讀取電流可以是直流讀取電流。所測(cè)量或感測(cè)的電阻(或電壓)可與基準(zhǔn)電阻(或電壓)進(jìn)行比較。在一些實(shí)施例中，讀取電流的振幅可小于切換電流的振幅。在一些實(shí)施例中，振幅比交流切換電流小的直流讀取電流可用于讀取或感測(cè)MTJ單元的電阻。此處還公開(kāi)了電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方法，該方法包括設(shè)置所公開(kāi)的MTJ單元。設(shè)置可包括制造、購(gòu)買、配置用于電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)內(nèi)的MTJ單元、或其他動(dòng)作。該方法還可包括如上所述的使交流切換電流流經(jīng)MTJ單元來(lái)切換鐵磁自由層的磁化方向。切換鐵磁自由層的磁化方向可用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位，0 (例如，如果自由層與基準(zhǔn)層平行)或1 (例如，如果自由層與基準(zhǔn)層相反)。交流切換電流流經(jīng)MTJ的方向?qū)⒅甘?或1被存儲(chǔ)在MTJ中。這種方法還可包括使讀取電流流經(jīng)MTJ單元來(lái)測(cè)量或感測(cè)MTJ單元的電阻。在讀取電流可流經(jīng)MTJ單元之前、之后或兩者，第二(和后續(xù))交流切換電流(在相同或不同的方向上)還可流經(jīng)MTJ單元。圖3是說(shuō)明性存儲(chǔ)單元300的示意圖，存儲(chǔ)單元300包括經(jīng)由導(dǎo)電元件340電連接到晶體管320(諸如基于半導(dǎo)體的晶體管)的MTJ單元310。MTJ單元310可以是本文中所描述的任何MTJ單元。晶體管320可包括具有摻雜區(qū)(例如，示為η摻雜區(qū))以及摻雜區(qū)之間的溝道區(qū)(例如，示為P摻雜溝道區(qū))的半導(dǎo)體襯底350。晶體管320可包括柵極 360，柵極360電耦合到字線(WL)以允許選擇并且允許電流從位線(BL)流到MTJ單元310。還可利用半導(dǎo)體制造技術(shù)在半導(dǎo)體襯底上形成可編程金屬化存儲(chǔ)部件的陣列。圖 4是說(shuō)明性存儲(chǔ)器陣列400的示意性電路圖。此處描述的多個(gè)存儲(chǔ)部件450可被排列在陣列中以形成存儲(chǔ)器陣列400。存儲(chǔ)器陣列400可包括多條平行的導(dǎo)電位線410。存儲(chǔ)器陣列400還可包括多條平行的導(dǎo)電字線420，導(dǎo)電字線420 —般與位線410正交。字線420和位線410可形成交叉點(diǎn)陣列，其中存儲(chǔ)部件450可被設(shè)置在每個(gè)交叉點(diǎn)處?？墒褂贸Ｒ?guī)的半導(dǎo)體制造技術(shù)來(lái)形成存儲(chǔ)部件450和存儲(chǔ)器陣列400。此處還公開(kāi)了存儲(chǔ)系統(tǒng)。所公開(kāi)的存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括MTJ單元和交流電流源。在圖 5中示意性地示出示例性系統(tǒng)。如上所討論的，磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)500可包括MTJ單元505，MTJ 單元505包括自由層510、阻擋層530和基準(zhǔn)層MO。系統(tǒng)500還可包括電連接到MTJ單元 505的交流電流源501。雖然此處未示出，但是晶體管還可任選地電耦合到MTJ單元505。這些系統(tǒng)還可任選地包括例如構(gòu)成陣列的多個(gè)MTJ單元。在這種實(shí)施例中，多個(gè)MTJ單元中的每一個(gè)可電連接到交流電流源。這些系統(tǒng)還可任選地包括直流電流源502，直流電流源 502電連接到MTJ單元505(或多個(gè)MTJ單元中的每一個(gè))。直流電流源可用于讀取或感測(cè) MTJ單元(或多個(gè)MTJ單元)的電阻。如本文中所公開(kāi)的MTJ單元可使用各種技術(shù)來(lái)制造，包括例如等離子體氣相沉積 (PVD)、蒸鍍和分子束外延(MBE)。如本文中所公開(kāi)的切換MTJ單元的方法、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方法以及存儲(chǔ)系統(tǒng)可用于 MRAM應(yīng)用中。由此，公開(kāi)了“切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的方法”的各個(gè)實(shí)施例。上述實(shí)現(xiàn)及其他實(shí)現(xiàn)在以下權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本公開(kāi)可用除所公開(kāi)的實(shí)施例以外的實(shí)施例來(lái)實(shí)施。所公開(kāi)的實(shí)施例出于說(shuō)明而非限制的目的而呈現(xiàn)，并且本公開(kāi)僅由所附權(quán)利要求書(shū)來(lái)限定。
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權(quán)利要求
1.一種切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的鐵磁自由層的磁化方向的方法，所述方法包括使交流切換電流流經(jīng)向平面外的磁性隧道結(jié)單元，其中所述交流切換電流切換所述鐵磁自由層的磁化方向。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述交流切換電流的頻率與所述鐵磁自由層的旋磁頻率相匹配。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述交流切換電流感生繞開(kāi)所述磁性隧道結(jié)單元的磁場(chǎng)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)在所述鐵磁自由層的磁化方向上誘發(fā)旋磁馳豫。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性隧道結(jié)單元包括鐵磁自由層、阻擋層和鐵磁基準(zhǔn)層，其中所述阻擋層定位在所述鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層之間，并且其中所述交流切換電流從所述鐵磁基準(zhǔn)層流到所述鐵磁自由層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性隧道結(jié)單元包括鐵磁自由層、阻擋層和鐵磁基準(zhǔn)層，其中所述阻擋層定位在所述鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層之間，并且其中所述交流切換電流從所述鐵磁自由層流到所述鐵磁基準(zhǔn)層。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括使直流讀取電流流經(jīng)所述磁性隧道結(jié)單元，以及感測(cè)所述磁性隧道結(jié)單元的電阻。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述直流讀取電流的振幅比所述交流切換電流的振幅小。
9.一種磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括具有鐵磁自由層、阻擋層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁性隧道結(jié)單元，其中所述阻擋層定位在所述鐵磁基準(zhǔn)層和鐵磁自由層之間，并且所述鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁化方向是向平面外的；以及電連接到所述磁性隧道結(jié)單元的交流電源。
10.如權(quán)利要求9所述的磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，其特征在于，所述鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁化方向是至少基本垂直的。
11.如權(quán)利要求9所述的磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，其特征在于，所述鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁化方向是垂直的。
12.如權(quán)利要求9所述的磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，其特征在于，還包括構(gòu)成陣列的多個(gè)磁性隧道結(jié)單元。
13.如權(quán)利要求9所述的磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，其特征在于，還包括電連接到所述磁性隧道結(jié)單元的直流電源。
14.如權(quán)利要求9所述的磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)，還包括構(gòu)成陣列的多個(gè)磁性隧道結(jié)單元，其中所述多個(gè)磁性隧道結(jié)單元中的每一個(gè)電連接到所述交流電源；以及直流電源，其中所述多個(gè)磁性隧道結(jié)單元中的每一個(gè)電連接到所述直流電源。
15.一種電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方法，包括設(shè)置向平面外的磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)器單元，所述向平面外的磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)器單元包括鐵磁自由層、阻擋層和鐵磁基準(zhǔn)層，其中所述阻擋層定位在所述鐵磁基準(zhǔn)層和鐵磁自由層之間，并且所述鐵磁自由層和鐵磁基準(zhǔn)層的磁化方向是向平面外的；以及使交流切換電流流經(jīng)所述向平面外的磁性隧道結(jié)單元，其中所述交流切換電流切換所述鐵磁自由層的磁化方向，由此存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述交流切換電流的頻率與所述鐵磁自由層的旋磁頻率相匹配。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述交流切換電流感生繞開(kāi)所述磁性隧道結(jié)單元的磁場(chǎng)。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述交流切換電流從所述鐵磁基準(zhǔn)層流到所述鐵磁自由層或從所述鐵磁自由層流到所述鐵磁基準(zhǔn)層。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括使直流讀取電流流經(jīng)所述磁性隧道結(jié)單元，以及感測(cè)所述磁性隧道結(jié)單元的電阻。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括使直流讀取電流流經(jīng)所述磁性隧道結(jié)單元，并且感測(cè)所述磁性隧道結(jié)單元的電阻；以及使第二交流切換電流流經(jīng)所述磁性隧道結(jié)單元以對(duì)所述鐵磁自由層的磁化方向進(jìn)行第二次切換。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種切換向平面外的磁性隧道結(jié)單元的鐵磁自由層的磁化方向的方法，該方法包括使交流切換電流流經(jīng)向平面外的磁性隧道結(jié)單元，其中交流切換電流切換鐵磁自由層的磁化方向。
文檔編號(hào)H01L43/08GK102467954SQ201110383019
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者I·金, Y·陸, 習(xí)海文, 王小斌 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司