專利名稱：可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法。
背景技術：
在高壓MOS管的發(fā)展過程中，主要有垂直導電雙擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) 和橫向雙擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)。雖然VDMOS導通電阻小，占用版圖面積也小，但它是縱向結構，不易和低壓CMOS電路兼容。而LDMOS是平面結構，易于和大規(guī)模集成電路兼容，且工藝簡單，易于實現，性能穩(wěn)定，因此在各種高低電壓兼容的集成電路中得到廣泛的應用。請參閱圖1，圖1是現有技術的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的結構示意圖。如圖1所示，現有技術的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管隨機的例舉為N溝槽型橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管。所述橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管包括P型襯底100、形成在ρ型襯底100上的低摻雜的η型阱區(qū)110、形成在η型阱區(qū)110上表面用以形成N型溝槽的P體擴散區(qū)120、用于隔離的淺溝槽隔離140、形成在η型阱區(qū)110上表面且相對于P體擴散區(qū)120位于淺溝槽隔離140另一側的重η型摻雜的漂移區(qū)130、形成在 P體擴散區(qū)120上表面的重η型摻雜的源極150、形成在漂移區(qū)130上表面的重η型摻雜的漏極160，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋ρ體擴散區(qū)120和漂移區(qū)130的柵極 170?，F有技術的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管只能具備特定的電性特征，無法在其結構或工藝流程、工藝參數不變的情況下對其電性特征進行升級性的調整。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法，以解決現有技術中的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管只能具備特定的電性特征，無法在其結構不變的情況下對其電性特征進行升級性的調整的問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括第一導電類型的襯底、形成在所述襯底上的的第一導電類型的阱區(qū)、形成在所述第一導電類型的阱區(qū)上表面用以形成溝槽的第一導電類型的體擴散區(qū)、用于隔離的隔離區(qū)、形成在所述第一導電類型阱區(qū)上表面且相對于所述體擴散區(qū)位于所述隔離區(qū)另一側的第二導電類型漂移區(qū)、形成在所述體擴散區(qū)上表面的源極、形成在所述漂移區(qū)上表面的漏極，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)和所述漂移區(qū)的柵極。可選的，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。可選的，還包括形成于所述體擴散區(qū)中并臨近所述源極的體接觸區(qū)以及形成于所述漂移區(qū)中的漏極接觸區(qū)?？蛇x的，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層。
本發(fā)明還提供一種制備上述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括以下步驟提供第一導電類型的襯底；在所述襯底中注入雜質離子形成第一導電類型的阱區(qū)；在所述襯底的上表面內形成隔離區(qū)；在所述第一導電類型的阱區(qū)上表面注入雜質離子分別形成第一導電類型的體擴散區(qū)和第二導電類型漂移區(qū)；所述隔離區(qū)的部分或全部位于所述漂移區(qū)的上表面中，并以預定的距離與所述體擴散區(qū)分開；在所述襯底的上表面上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極，所述柵極在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)、所述漂移區(qū)以及所述隔離區(qū)；在所述體擴散區(qū)的上表面形成源極，在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極?？蛇x的，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3?？蛇x的，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層?？蛇x的，還包括在所述體擴散區(qū)的上表面鄰近所述源極的區(qū)域形成體接觸區(qū)以及在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極接觸區(qū)。本發(fā)明還提供一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括第一導電類型的襯底、形成在所述襯底上的第一導電類型的阱區(qū)、形成在所述襯底上的第二導電類型的阱區(qū)、形成在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面用以形成溝槽的第一導電類型的體擴散區(qū)、用于隔離的隔離區(qū)、形成在所述第二導電類型阱區(qū)上表面且相對于所述體擴散區(qū)位于所述隔離區(qū)另一側的第一第二導電類型漂移區(qū)、形成在所述體擴散區(qū)上表面的源極、形成在所述漂移區(qū)上表面的漏極，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)和所述漂移區(qū)的柵極?？蛇x的，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3?？蛇x的，還包括形成于所述體擴散區(qū)中并臨近所述源極的體接觸區(qū)以及形成于所述漂移區(qū)中的漏極接觸區(qū)?？蛇x的，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層?？蛇x的，還包括形成在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面的，相對于所述第一第二導電類型漂移區(qū)位于所述體擴散區(qū)另一側的第二第二導電類型的漂移區(qū)。本發(fā)明還提供一種制備上述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括以下步驟提供第一導電類型的襯底；在所述襯底中注入雜質離子形成第一導電類型的阱區(qū)；在所述襯底中注入雜質離子形成第二導電類型的阱區(qū)；在所述襯底的上表面內形成隔離區(qū)；在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面注入雜質離子分別形成第一導電類型的體擴散區(qū)和第一第二導電類型的漂移區(qū)；所述隔離區(qū)的部分或全部位于所述漂移區(qū)的上表面中，并以預定的距離與所述體擴散區(qū)分開；在所述襯底的上表面上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極，所述柵極在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)、所述漂移區(qū)以及所述隔離區(qū)；
在所述體擴散區(qū)的上表面形成源極，在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極。可選的，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。可選的，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層?？蛇x的，還包括在所述體擴散區(qū)的上表面鄰近所述源極的區(qū)域形成體接觸區(qū)以及在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極接觸區(qū)。可選的，還包括在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面注入雜質離子形成相對于所述第一第二導電類型的漂移區(qū)位于所述體擴散區(qū)另一側的第二第二導電類型的漂移區(qū)。本發(fā)明提供一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法，通過在襯底上形成同襯底摻雜類型相同的阱區(qū)以及位于漂移區(qū)內STI上之柵極來最佳化漂移區(qū)的摻雜濃度和電場分布(RESURF)，即可控制器件具備不同的電性特征，從而在不改變工藝流程、工藝參數及版圖設計的情況下，通過擴展或縮小f區(qū)域的寬度即可線性預測器件的電性特性，得到不同電性特征的器件，而無需為了得到不同電性特征的器件針對每種需要的器件重新設計版圖、工藝參數或工藝流程。


圖1是現有技術的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的結構示意圖；圖2為本發(fā)明的隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的結構示意圖；圖3a至圖3g為本發(fā)明提供的制備隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法的各步驟示意圖；圖4為本發(fā)明的非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的結構示意圖；圖fe至圖5f為本發(fā)明提供的制備非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法的各步驟示意圖；圖6為不同f值的器件中，f值與導通電阻(Ron)之間的關系圖；圖7為不同f值的器件中，f值與擊穿電壓(BV)之間的關系圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。本發(fā)明提供的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法可利用多種替換方式實現，下面是通過較佳的實施例來加以說明，當然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領域內的普通技術人員所熟知的一般的替換無疑涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為了便于說明，示意圖不依一般比例局部放大，不應以此作為對本發(fā)明的限定。請參看圖2，圖2為本發(fā)明的隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的結構示意圖。如圖2所示，本發(fā)明提供一種隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括第一導電類型的襯底(例如P型)200、形成在所述襯底200上的低摻雜的第一導電類型的阱區(qū)(例如P型)210、形成在所述襯底200上的低摻雜的第二導電類型的阱區(qū) (例如η型)220、形成在所述第二導電類型的阱區(qū)220上表面用以形成溝槽的第一導電類型的體擴散區(qū)(例如P體擴散區(qū))230、用于隔離的隔離區(qū)Μ0、形成在所述第二導電類型阱區(qū)220上表面且相對于所述體擴散區(qū)230位于隔離區(qū)240另一側的重摻雜第一第二導電類型的漂移區(qū)(例如重η型摻雜的漂移區(qū))251、形成在所述體擴散區(qū)230上表面的源極沈0、 形成在所述第一第二導電類型的漂移區(qū)251上表面的漏極，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)230和所述第一第二導電類型的漂移區(qū)251的柵極觀0。進一步的，還包括形成于所述體擴散區(qū)230中并臨近所述源極260的體接觸區(qū)四0 及形成在所述第一第二導電類型的漂移區(qū)251上表面的漏極接觸區(qū)270。進一步的，還包括形成在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面的，相對于所述第一第二導電類型漂移區(qū)位于所述體擴散區(qū)另一側的第二第二導電類型的漂移區(qū)252。所述第一導電類型的阱區(qū)210的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。所述隔離區(qū)MO為淺溝槽隔離區(qū)(STI)或場絕緣層。本發(fā)明還提供一種制備上述隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法。請參看圖3a至圖3g，圖3a至圖3g為本發(fā)明提供的制備隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法的各步驟示意圖。如圖3a至圖3g所示，本發(fā)明的制備隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法包括以下步驟首先，如圖3a所示，提供第一導電類型的襯底200 ；其次，如圖北所示，在所述襯底中注入雜質離子形成第一導電類型的阱區(qū)(例如 ρ型)210 ；所述第一導電類型的阱區(qū)210的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3 ；再次，如圖3c所示，在所述襯底200中注入雜質離子形成第二導電類型的阱區(qū) (例如η型)220 ；再次，如圖3d所示，在所述襯底200的上表面內形成隔離區(qū)MO ；所述隔離區(qū)240 為淺溝槽隔離區(qū)(STI)或場絕緣層；再次，如圖!Be所示，在所述第二導電類型的阱區(qū)220上表面注入雜質離子分別形成第一導電類型的體擴散區(qū)230、第一第二導電類型的漂移區(qū)251以及第二第二導電類型的漂移區(qū)252 ；所述隔離區(qū)MO的部分或全部位于所述第一第二導電類型的漂移區(qū)251的上表面中，并以預定的距離與所述體擴散區(qū)230分開；再次，如圖3f所示，在所述襯底200的上表面上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極觀0，所述柵極280在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)230、所述第一第二導電類型漂移區(qū)251以及所述隔離區(qū)MO ；最后，如圖3g所示，采用所述柵極280及所述隔離區(qū)240作為掩模進行離子注入， 在所述體擴散區(qū)230的上表面形成源極沈0，在所述體擴散區(qū)230的上表面鄰近所述源極 260的區(qū)域形成體接觸區(qū)四0，以及在所述第一第二導電類型的漂移區(qū)251的上表面形成漏極和漏極接觸區(qū)270。本發(fā)明還提供一非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，即同前述隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管相比無需形成第二導電類型的阱區(qū)220以及第二第二導電類型的漂移區(qū)252。請參看圖4，圖4為本發(fā)明的非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的結構示意圖。如圖4所示，該非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管包括第一導電類型的襯底300(例如ρ型)、形成在所述襯底300上的低摻雜的第一導電類型的阱區(qū)310(例如ρ型)、形成在所述第一導電類型的阱區(qū)310上表面用以形成溝槽的第一導電類型的體擴散區(qū)320 (例如ρ體擴散區(qū))、用于隔離的隔離區(qū)330、形成在所述第一導電類型阱區(qū)310上表面且相對于所述體擴散區(qū)320 位于隔離區(qū)330另一側的重摻雜第二導電類型漂移區(qū)340(例如重η型摻雜的漂移區(qū))、形成在所述體擴散區(qū)320上表面的源極360、形成于所述體擴散區(qū)320中并臨近所述源極360 的體接觸區(qū)380、形成在所述第二導電類型漂移區(qū)340上表面的漏極、形成于所述第二導電類型漂移區(qū)340上表面的漏極接觸區(qū)370，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)320和所述第二導電類型漂移區(qū)340的柵極350。所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)(STI)或場絕緣層。本發(fā)明還提供一種制備上述非隔離型的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法。請參看圖fe至圖5f，圖fe至圖5f為本發(fā)明提供的制備非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法的各步驟示意圖。如圖5a至圖5f所示，本發(fā)明的制備非隔離型可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括以下步驟首先，如圖fe所示，提供第一導電類型的襯底300 ；其次，如圖恥所示，在所述襯底300中注入雜質離子形成第一導電類型的阱區(qū) (例如ρ型)310 ；所述第一導電類型的阱區(qū)310的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3 ；再次，如圖5c所示，在所述襯底300的上表面內形成隔離區(qū)330 ；所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層；再次，如圖5d所示，在所述第一導電類型的阱區(qū)310上表面注入雜質離子分別形成第一導電類型的體擴散區(qū)320和第二導電類型漂移區(qū)340 ；所述隔離區(qū)330的部分或全部位于所述漂移區(qū)340的上表面中，并以預定的距離與所述體擴散區(qū)320分開；再次，如圖k所示，在所述襯底300的上表面上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極350，所述柵極350在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)320、所述漂移區(qū)340以及所述隔離區(qū)330 ；最后，如圖5f所示，采用所述柵極350及所述隔離區(qū)330作為掩模進行離子注入， 在所述體擴散區(qū)320的上表面形成源極360，以及在所述第二導電類型漂移區(qū)340的上表面形成漏極；如圖5f所示，還包括采用所述柵極350及所述隔離區(qū)330作為掩模進行離子注入，在所述體擴散區(qū)320的上表面鄰近所述源極360的區(qū)域形成體接觸區(qū)380以及在所述第二導電類型漂移區(qū)340的上表面形成漏極接觸區(qū)370。本發(fā)明提供一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法，通過在襯底上形成同襯底摻雜類型相同的阱區(qū)以及位于漂移區(qū)內STI上之柵極來最佳化漂移區(qū)的摻雜濃度和電場分布(RESURF)，即可控制器件具備不同的電性特征，從而在不改變工藝流程、工藝參數及版圖設計的情況下，通過擴展或縮小f區(qū)域的寬度即可線性預測器件的電性特性，得到不同電性特征的器件，而無需為了得到不同電性特征的器件針對每種需要的器件重新設計版圖、工藝參數或工藝流程。
請參看圖6和圖7，圖6為不同f值的器件中，f值與導通電阻(Ron)之間的關系圖；圖7為不同f值的器件中，f值與擊穿電壓(BV)之間的關系圖。由圖6、圖7可知，本發(fā)明的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管通過控制同時位于柵極下和隔離區(qū)下的漂移區(qū)的寬度f即可得到不同電性特征的器件，f值越大， 各項電性特征值越大。顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括第一導電類型的襯底、 形成在所述襯底上的的第一導電類型的阱區(qū)、形成在所述第一導電類型的阱區(qū)上表面用以形成溝槽的第一導電類型的體擴散區(qū)、用于隔離的隔離區(qū)、形成在所述第一導電類型阱區(qū)上表面且相對于所述體擴散區(qū)位于所述隔離區(qū)另一側的第二導電類型漂移區(qū)、形成在所述體擴散區(qū)上表面的源極、形成在所述漂移區(qū)上表面的漏極，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)和所述漂移區(qū)的柵極。
2.如權利要求1所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于， 所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。
3.如權利要求1或2所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，還包括形成于所述體擴散區(qū)中并臨近所述源極的體接觸區(qū)以及形成于所述漂移區(qū)中的漏極接觸區(qū)。
4.如權利要求1或2所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層。
5.一種制備權利要求1所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法， 包括以下步驟提供第一導電類型的襯底；在所述襯底中注入雜質離子形成第一導電類型的阱區(qū)；在所述襯底的上表面內形成隔離區(qū)；在所述第一導電類型的阱區(qū)上表面注入雜質離子分別形成第一導電類型的體擴散區(qū)和第二導電類型漂移區(qū)；所述隔離區(qū)的部分或全部位于所述漂移區(qū)的上表面中，并以預定的距離與所述體擴散區(qū)分開；在所述襯底的上表面上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極，所述柵極在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)、所述漂移區(qū)以及所述隔離區(qū)；在所述體擴散區(qū)的上表面形成源極，在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極。
6.如權利要求5所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。
7.如權利要求5或6所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層。
8.如權利要求5或6所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，還包括在所述體擴散區(qū)的上表面鄰近所述源極的區(qū)域形成體接觸區(qū)以及在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極接觸區(qū)。
9.一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括第一導電類型的襯底、 形成在所述襯底上的第一導電類型的阱區(qū)、形成在所述襯底上的第二導電類型的阱區(qū)、形成在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面用以形成溝槽的第一導電類型的體擴散區(qū)、用于隔離的隔離區(qū)、形成在所述第二導電類型阱區(qū)上表面且相對于所述體擴散區(qū)位于所述隔離區(qū)另一側的第一第二導電類型漂移區(qū)、形成在所述體擴散區(qū)上表面的源極、形成在所述漂移區(qū)上表面的漏極，以及形成在柵極絕緣層上且在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)和所述漂移區(qū)的柵極。
10.如權利要求9所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。
11.如權利要求9或10所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，還包括形成于所述體擴散區(qū)中并臨近所述源極的體接觸區(qū)以及形成于所述漂移區(qū)中的漏極接觸區(qū)。
12.如權利要求9或10所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層。
13.如權利要求9或10所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，還包括形成在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面的，相對于所述第一第二導電類型漂移區(qū)位于所述體擴散區(qū)另一側的第二第二導電類型的漂移區(qū)。
14.一種制備權利要求9所述的可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括以下步驟提供第一導電類型的襯底；在所述襯底中注入雜質離子形成第一導電類型的阱區(qū)；在所述襯底中注入雜質離子形成第二導電類型的阱區(qū)；在所述襯底的上表面內形成隔離區(qū)；在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面注入雜質離子分別形成第一導電類型的體擴散區(qū)和第一第二導電類型的漂移區(qū)；所述隔離區(qū)的部分或全部位于所述漂移區(qū)的上表面中，并以預定的距離與所述體擴散區(qū)分開；在所述襯底的上表面上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極，所述柵極在空間上覆蓋所述體擴散區(qū)、所述漂移區(qū)以及所述隔離區(qū)；在所述體擴散區(qū)的上表面形成源極，在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極。
15.如權利要求14所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法， 其特征在于，所述第一導電類型的阱區(qū)的摻雜濃度為5E15/cm3-lE17/cm3。
16.如權利要求14或15所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述隔離區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)或場絕緣層。
17.如權利要求14或15所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，還包括在所述體擴散區(qū)的上表面鄰近所述源極的區(qū)域形成體接觸區(qū)以及在所述漂移區(qū)的上表面形成漏極接觸區(qū)。
18.如權利要求14或15所述的制備可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，還包括在所述第二導電類型的阱區(qū)上表面注入雜質離子形成相對于所述第一第二導電類型的漂移區(qū)位于所述體擴散區(qū)另一側的第二第二導電類型的漂移區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可升級的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及制造方法，通過在襯底上形成同襯底摻雜類型相同的阱區(qū)以及位于漂移區(qū)內STI上之柵極來最佳化漂移區(qū)的摻雜濃度和電場分布(RESURF)，即可控制器件具備不同的電性特征，從而在不改變工藝流程、工藝參數及版圖設計的情況下，通過擴展或縮小f區(qū)域的寬度即可線性預測器件的電性特性，得到不同電性特征的器件，而無需為了得到不同電性特征的器件針對每種需要的器件重新設計版圖、工藝參數或工藝流程。
文檔編號H01L29/78GK102394246SQ20111038852
公開日2012年3月28日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權日2011年11月29日
發(fā)明者唐樹澍 申請人:上海宏力半導體制造有限公司