半導(dǎo)體薄膜晶體管以及顯示裝置及其背板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體薄膜晶體管以及具有該半導(dǎo)體薄膜晶體管的顯示裝置及其背板。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，其源極和漏極等電極若使用抗氧化性較差的金屬(例如銀合金)，則當(dāng)采用蝕刻方法對半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化時(shí)，蝕刻的氧離子往往會和電極的金屬進(jìn)行反應(yīng)，造成電極氧化，不但使得半導(dǎo)體層和金屬層之間的附著特性變差，而且由于氧化造成電極與半導(dǎo)體層之間的接觸電阻變高，使得元件特性變差。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型旨在提供一種可防止電極氧化的半導(dǎo)體薄膜晶體管以及具有該半導(dǎo)體薄膜晶體管的顯示裝置及其背板。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型實(shí)施例一方面提供一種半導(dǎo)體薄膜晶體管，其包括第一基底、第一柵極、第一源極、第一漏極和第一柵極絕緣層，所述第一柵極設(shè)置于所述第一基底上，所述第一柵極絕緣層覆蓋所述第一柵極并與所述第一基底連接，所述第一源極和第一漏極設(shè)置于所述第一柵極絕緣層上，所述半導(dǎo)體薄膜晶體管還包括第一導(dǎo)線、第一電極和第一半導(dǎo)體，所述第一導(dǎo)線和第一電極均設(shè)置于所述第一柵極絕緣層上方，所述第一半導(dǎo)體覆蓋所述第一源極和第一漏極，且所述第一半導(dǎo)體與所述第一導(dǎo)線和第一電極間隔設(shè)置，所述第一導(dǎo)線和第一電極通過第一導(dǎo)電材料與所述第一半導(dǎo)體連接。
[0005]優(yōu)選地，所述第一源極和第一漏極間隔地設(shè)置于所述第一柵極絕緣層上方，所述第一導(dǎo)線位于所述第一源極遠(yuǎn)離所述第一漏極的一側(cè)，所述第一電極位于所述第一漏極遠(yuǎn)離所述第一源極的一側(cè)。
[0006]優(yōu)選地，所述第一源極和第一漏極間隔地設(shè)置于所述第一柵極絕緣層上方，且在橫向方向上分別位于所述第一柵極的兩側(cè)，所述第一半導(dǎo)體與所述第一柵極絕緣層接觸，所述第一源極和第一漏極之間也成長有所述第一半導(dǎo)體。
[0007]優(yōu)選地，所述第一半導(dǎo)體由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成。
[0008]本實(shí)用新型實(shí)施例另一方面提供一種半導(dǎo)體薄膜晶體管，其包括第二基底、第二柵極、第二源極、第二漏極和第二柵極絕緣層，所述第二源極和第二漏極設(shè)置于所述第二基底上方，所述半導(dǎo)體薄膜晶體管還包括第二導(dǎo)線、第二電極和第二半導(dǎo)體，所述第二導(dǎo)線和第二電極均設(shè)置于所述第二基底上方，所述第二半導(dǎo)體覆蓋所述第二源極和第二漏極，且所述第一半導(dǎo)體并與所述第二導(dǎo)線和第二電極間隔設(shè)置，所述第二導(dǎo)線和第二電極通過第二導(dǎo)電材料與所述第二半導(dǎo)體連接，所述第二柵極絕緣層覆蓋所述第二導(dǎo)線、第二半導(dǎo)體和第二電極，所述第二柵極設(shè)置于所述第二柵極絕緣層上方。
[0009]優(yōu)選地，所述第二源極和第二漏極間隔地設(shè)置于所述第二基底上方，所述第二導(dǎo)線位于所述第二源極遠(yuǎn)離所述第二漏極的一側(cè)，所述第二電極位于所述第二漏極遠(yuǎn)離所述第二源極的一側(cè)。
[0010]優(yōu)選地，所述第二源極和第二漏極間隔地設(shè)置于所述第二基底上方，且在橫向方向上分別位于所述第二柵極的兩側(cè)，所述第二半導(dǎo)體與所述第二基底接觸，所述第二源極和第二漏極之間也成長有所述第二半導(dǎo)體。
[0011]優(yōu)選地，所述第二半導(dǎo)體由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成。
[0012]在上述實(shí)施例中，由于源極和漏極被半導(dǎo)體所覆蓋，所以當(dāng)對半導(dǎo)體進(jìn)行圖案化蝕刻時(shí)，由于半導(dǎo)體的阻隔，源極和漏極不會被蝕刻的氧離子所氧化，因此該半導(dǎo)體薄膜晶體管具有較好的元件特性。而且，此種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜晶體管在制造時(shí)，導(dǎo)線和電極也會受到光阻的保護(hù)，不容易被氧化。
[0013]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其包括如下步驟:
[0014]形成間隔設(shè)置的源極、漏極、導(dǎo)線和電極，所述源極、漏極與所述導(dǎo)線和電極不連接，所述源極、漏極、導(dǎo)線和電極上均覆蓋有光阻；
[0015]去除所述源極和漏極上的光阻；
[0016]在所述源極和漏極上設(shè)置半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體覆蓋所述源極和漏極，所述半導(dǎo)體上覆蓋有光阻；
[0017]將所述半導(dǎo)體圖案化；
[0018]去除所述半導(dǎo)體及導(dǎo)線和電極上的光阻；
[0019]將所述半導(dǎo)體與所述導(dǎo)線和電極通過導(dǎo)電材料連接。
[0020]優(yōu)選地，在形成間隔設(shè)置的源極、漏極、導(dǎo)線和電極的步驟之前，還包括如下步驟:
[0021]在基底上形成柵極；
[0022]在基底上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極，所述源極、漏極、導(dǎo)線和電極形成于所述柵極絕緣層的上方。
[0023]優(yōu)選地，所述源極、漏極、導(dǎo)線和電極均設(shè)置于基底上，在將所述半導(dǎo)體與所述導(dǎo)線和電極通過導(dǎo)電材料連接后，還包括如下步驟:
[0024]在所述導(dǎo)線、半導(dǎo)體和電極上覆蓋柵極絕緣層；
[0025]在所述柵極絕緣層上形成柵極。
[0026]優(yōu)選地，所述光阻為正型光阻，在去除所述源極和漏極上的光阻的步驟中，先將所述源極和漏極上的光阻曝光，所述導(dǎo)線和電極上的光阻則不曝光，然后通過顯影去除所述源極和漏極上的光阻。
[0027]優(yōu)選地，在去除所述源極和漏極上的光阻后，所述源極和漏極與所述導(dǎo)線和電極不導(dǎo)通。
[0028]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成。
[0029]優(yōu)選地，在將所述半導(dǎo)體與所述導(dǎo)線和電極通過導(dǎo)電材料連接的步驟中，所述導(dǎo)電材料通過網(wǎng)印、噴印或熱轉(zhuǎn)移的方法成型。
[0030]在上述實(shí)施例中，由于源極和漏極被半導(dǎo)體所覆蓋，所以當(dāng)對半導(dǎo)體進(jìn)行圖案化蝕刻時(shí)，由于半導(dǎo)體的阻隔，源極和漏極不會被蝕刻的氧離子所氧化，此外導(dǎo)線和電極也受到了光阻的保護(hù)，不容易被氧化，因此該制造方法所得到的半導(dǎo)體薄膜晶體管具有較好的元件特性。
[0031]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置的背板，其包括多個(gè)如上述任一實(shí)施例所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管或多個(gè)由上述任一實(shí)施例所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法所制成的半導(dǎo)體薄膜晶體管。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)一步提供一種顯示裝置，其包括多個(gè)如上述任一實(shí)施例所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管或上述實(shí)施例提供的顯示裝置的背板。上述半導(dǎo)體薄膜晶體管可作為該顯示裝置的背板的一部分。上述半導(dǎo)體薄膜晶體管所帶來的有益效果顯然也可在該顯示裝置及其背板中體現(xiàn)，此處不再贅述。
【附圖說明】
[0033]圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖2是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的半導(dǎo)體薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法示意圖。
[0036]圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0038]請參考圖1，本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體薄膜晶體管，其包括第一基底
11、第一柵極12、第一源極14、第一漏極15和第一柵極絕緣層13。
[0039]第一柵極12設(shè)置于第一基底11上，第一柵極絕緣層13覆蓋第一柵極12并與第一基底11連接。第一基底11可由玻璃、塑料(如PET、PEN、PI…等)、金屬薄片或是復(fù)合材料制成，第一基底11上也可以設(shè)置平坦層或保護(hù)層等，第一柵極12由可導(dǎo)電金屬材料制成，第一柵極絕緣層13則可由可圖案化的介電材料制成。第一源極14和第一漏極15設(shè)置于第一柵極絕緣層13上，與第一柵極12構(gòu)成半導(dǎo)體薄膜晶體管的三個(gè)極。第一源極14和第一漏極15也可由可導(dǎo)電的金屬材料制成，具體來說可通過黃光制程形成于第一柵極絕緣層13上。
[0040]該半導(dǎo)體薄膜晶體管還包括第一導(dǎo)