專利名稱：一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及照明設(shè)備領(lǐng)域，更具體地說是指一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
如圖6所示為鍍銀層與鍍鋁層的發(fā)光的波長與反射率之間的關(guān)系，如圖7所示為鍍金層的發(fā)光波長與反射率的關(guān)系。參考圖6、圖7，在紅光或紅外線的發(fā)光二極體發(fā)明時， 業(yè)界皆以鍍金層的支架作為基座，由于發(fā)光波長在0. 6um以上，因此可以適用，高亮度紅光二極體芯片同樣也以鍍金層為反射面；由于可見光綠光、黃綠光、黃光、橙光發(fā)光二極體的波長為0. 5-0. 6um，若用鍍金層的支架基座，其反射率低，而改用鍍銀層的支架基座，才可提高封裝組件的發(fā)光效率，相對此波段發(fā)光二極體芯片亦以鍍銀層，有較高的反射率；0. 5um 以下波長的發(fā)光二極體封裝更不能以鍍金層作為反射的支架基座，因其反射率極低，鍍銀層的支架基座在發(fā)光波0. 455um以下時，其反射率反而比鍍鋁層地支架基座反射率低，相對此波段的發(fā)光二極體芯片的背面反射面亦以鍍鋁層為佳，波長越短時，其反射率差距越大。而現(xiàn)有業(yè)界封裝0.37-0. 455um波長的藍(lán)光或紫外光延用鍍銀層的結(jié)構(gòu)，造成光效降低。
業(yè)界慣用的鍍銀層與鍍鋁層的支架基座用于藍(lán)光LED激發(fā)熒光粉所成的白光 LED,鍍銀層支架基座其封裝結(jié)果光效較高，以現(xiàn)有的國產(chǎn)LED芯片，用鏡面鋁為支架基座作發(fā)光LED可達(dá)130-150LM/瓦，然而以鍍銀層的支架基座作白光LED，其光效可達(dá)到 160-180 LM/瓦，平均增加21%，由圖5、圖6，鍍銀層、鋁層與波長的反射率可知鍍鋁層對 0. 455um以下的波長的藍(lán)光的反射率較高，然其所激發(fā)較大的0. 5um以上波長的黃綠光、紅光相對其反射率較鍍銀層低，因此白光LED封裝結(jié)構(gòu)依然使用鍍銀層地支架基座。
現(xiàn)有的LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，常常采用涂布螢光膠的方式，不過采用該種方式出光色溫不好控制，同時業(yè)界采用鍍銀反射層的LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，對于0. 455um以下的波長的反射率較低，光效低。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其目的在于克服現(xiàn)有的發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)出光色溫不好控制，對0. 455um以下的波長的反射率較低、發(fā)光效率低的缺點。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，包括鍍鋁或鏡面鋁的基座及設(shè)于基座上的芯片封裝區(qū)。
還包括覆蓋于基座上的覆蓋層，該覆蓋層與基座間除與芯片封裝區(qū)對應(yīng)區(qū)域外其余位置均設(shè)有可見光高反射材料層，所述覆蓋層包括第一透明片、第二透明片及設(shè)于第一透明片與第二透明片間的密封熒光膠層。
所述可見光高反射材料層為鍍銀層。
所述可見光高反射材料層為多層膜反射層。
所述可見光高反射材料層設(shè)于基座上。
所述可見光高反射材料層設(shè)于覆蓋層表面。
所述芯片封裝區(qū)固定芯片并涂布透明硅膠。
所述基座及覆蓋層均為方形結(jié)構(gòu)。
所述基座及覆蓋層均為長條形結(jié)構(gòu)。
通過上述對本發(fā)明的描述可知，和現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于1、該高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)采用鍍鋁或鏡面鋁的基座，提高了 0. 455um以下的波長的反射率，發(fā)光效率高，適用于藍(lán)光、紫外光LED形成的藍(lán)光、紫外光。
2、該高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，完全改變原有只用鍍銀的基座才可以達(dá)到高光效或高出光功率的結(jié)果，采用螢光薄片覆蓋方式，出光色溫較好控制，同時螢光粉所激發(fā)出的黃、綠、紅光在覆蓋片及可見光高反射率材料層的區(qū)域內(nèi)有良好的反射層，可得到更高的光效。
3、該高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)采用鍍鋁層或鏡面鋁的基座結(jié)構(gòu)，可增加此波段的發(fā)光效率，配合螢光粉的激發(fā)波段選擇，利用本發(fā)明的兩區(qū)域式封裝結(jié)構(gòu)，可大幅提高白光二極體的光效，達(dá)230 LM/瓦的水平。
4、該高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)可提升白光發(fā)光效率，又能降低成本，是現(xiàn)今白光LED照明的重大突破，以現(xiàn)今國際水平8-10瓦的LED才能完全取代60瓦的白熾燈， 用本發(fā)明的兩區(qū)域式封裝結(jié)構(gòu)，白光LED只要4-5瓦即可取代傳統(tǒng)的60瓦的白熾燈，采用該封裝結(jié)構(gòu)的LED燈泡無需用鋁散熱片外殼或散熱片來解決散熱問題，同時覆蓋層的熒光粉采用完全密封方式，可延長熒光粉的壽命。
5、發(fā)光二極體的芯片背鍍反射層的選擇要依其發(fā)光波長的反射率較高者作選擇， 尤其不同波長的發(fā)光二極體芯片，其背鍍的多層膜(DBR)亦應(yīng)以波長為設(shè)計達(dá)到最佳的反射率。


圖1是實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是沿著圖1中A-A方向的剖視圖。
圖3是實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是沿著圖3中B-B方向的剖視圖。
圖5是實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是鍍銀層與鍍鋁層的發(fā)光波長與反射率之間的關(guān)系圖。
圖7是鍍金層的發(fā)光波長與反射率的關(guān)系圖。
具體實施方式
實施例一參考圖1、圖2，一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，包括方形結(jié)構(gòu)的鍍鋁或鏡面鋁的基座1、設(shè)于基座1上的芯片封裝區(qū)11、覆蓋于基座1上的覆蓋層2，該覆蓋層2與基座1間除與芯片封裝區(qū)11對應(yīng)區(qū)域外其余位置均設(shè)有可見光高反射材料層3，覆蓋層2包括第一透明片21、第二透明片22及設(shè)于第一透明片21與第二透明片22間的密封熒光膠層23。
上述可見光高反射材料層為鍍銀層，該可見光高反射材料層3鍍于第二透明片22 底面。
一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)的工作過程如下參考圖1、圖2，覆蓋層2 與基座1可相互分開生產(chǎn)，將覆蓋層2的第二透明片22底面除了與芯片封裝區(qū)11對應(yīng)的位置外，其它位置均鍍銀層，將芯片固定于芯片封裝區(qū)11并涂布透明硅膠，并在封裝區(qū)11 底部布線，將覆蓋層2與基座1膠合即可。由于基座1為鍍鋁層或鏡面鋁結(jié)構(gòu)，對0. 45um 以下的波長具有較高的反射率，增加了此段波長的發(fā)光效率，同時熒光粉所激發(fā)的黃光、綠光、紅光在可見光高反射材料層3具有較大的反射率，采用兩區(qū)域式的封裝結(jié)構(gòu)，可大幅提高白光二極體LED的發(fā)光效率，達(dá)到230LM/瓦以上，同時該封裝結(jié)構(gòu)無需用鋁散熱外殼或散熱片來解決散熱問題，可改用塑料件作外殼，增加LED燈泡光源的安全性。
上述的封裝結(jié)構(gòu)用于藍(lán)光、紫外光LED激發(fā)熒光粉所成的白光LED。
除上述實施例中可見光高反射材料層3鍍于第二透明片22底面外，還可以鍍于基座1除芯片封裝區(qū)11以外的位置，同時可見光高反射材料層3還可以采用支架的形式固定于基座1表面，同時上述可見光高反射材料層3除了鍍銀外，還可以是多層膜反射層。
實施例二該實施例與實施例一大致相同，參考圖3、圖4，只是將方形的基座1改成長條形的基座。
實施例三該實施例與實施例一、實施例二大致相同，參考圖5，只是減少了覆蓋層及可見光高反射材料層，該結(jié)構(gòu)用于藍(lán)光、紫外光LED形成藍(lán)光、紫外光。
上述僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的設(shè)計構(gòu)思并不局限于此，凡利用此構(gòu)思對本結(jié)構(gòu)進行非實質(zhì)性的改動，均應(yīng)屬于侵犯本發(fā)明保護范圍的行為。
權(quán)利要求
1.一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括鍍鋁或鏡面鋁的基座及設(shè)于基座上的芯片封裝區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括覆蓋于基座上的覆蓋層，該覆蓋層與基座間除與芯片封裝區(qū)對應(yīng)區(qū)域外其余位置均設(shè)有可見光高反射材料層，所述覆蓋層包括第一透明片、第二透明片及設(shè)于第一透明片與第二透明片間的密封熒光膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述可見光高反射材料層為鍍銀層。
4.根據(jù)權(quán)利要求所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述可見光高反射材料層為多層膜反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述可見光高反射材料層設(shè)于基座上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述可見光高反射材料層設(shè)于覆蓋層表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片封裝區(qū)固定芯片并涂布透明硅膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基座及覆蓋層均為方形結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基座及覆蓋層均為長條形結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種高效發(fā)光二極體光源的封裝結(jié)構(gòu)，包括鍍鋁或鏡面鋁的基座、設(shè)于基座上的芯片封裝區(qū)、覆蓋于基座上的覆蓋層，該覆蓋層與基座間除與芯片封裝區(qū)對應(yīng)區(qū)域外其余位置均設(shè)有可見光高反射材料層，所述覆蓋層包括第一透明片、第二透明片及設(shè)于第一透明片與第二透明片間的密封熒光膠層。由于基座為鍍鋁層結(jié)構(gòu)，對0.45um以下的波長具有較高的反射率，增加了此段波長的發(fā)光效率，同時熒光粉所激發(fā)的黃光、綠光、紅光在可見光高反射材料層具有較大的反射率，采用基座、覆蓋層兩區(qū)域式的封裝結(jié)構(gòu)，可大幅提高白光二極體LED的發(fā)光效率。
文檔編號H01L33/48GK102522476SQ20111043679
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者林威諭 申請人:泉州萬明光電有限公司