專利名稱：肖特基勢壘二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種肖特基勢壘二極管，尤其是涉及一種設(shè)置有焊片和引線裝置的肖特基勢壘二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的二極管一般包括有晶粒，即通常所說的PN結(jié)，晶粒被封裝在塑料內(nèi)，然后晶粒的左右兩端通常兩條引線引出，同時所采用的原料中鉛等金屬元素較多，但是肖特基二極管一般采用金屬和半導(dǎo)體材料結(jié)合的方式制作。實(shí)用新型發(fā)明人在使用中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在下述問題一、晶粒被封裝在塑料內(nèi)時，晶粒中金屬和半導(dǎo)體的結(jié)合過于單一， 并且現(xiàn)有的二極管在加工時晶粒缺少保護(hù)層，容易受到污染和破壞二，所采用的材料不夠環(huán)保，超過我國和歐盟等地區(qū)的環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，大量使用對環(huán)境造成較大破壞。有鑒于此，本實(shí)用新型發(fā)明人乃積極開發(fā)研究，并為改進(jìn)上述產(chǎn)品的不足，經(jīng)過長久努力研究與實(shí)驗(yàn)，終于開發(fā)設(shè)計(jì)出本實(shí)用新型的肖特基勢壘二極管。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種肖特基勢壘二極管，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中引線連接強(qiáng)度不夠、容易受到污染及不夠環(huán)保的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種肖特基勢壘二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，所述晶粒逐次包括陽極金屬、半導(dǎo)體電場消除材料、硅基片、陰極層和陰極金屬，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒、引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。優(yōu)選地，所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層、一防護(hù)層和一引線，所述連接層與所述晶粒相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護(hù)層中央與所述引線連接。優(yōu)選地，所述晶粒和所述連接層相連側(cè)的表面積相等。優(yōu)選地，所屬晶粒半導(dǎo)體電場消除材料與硅基片之間設(shè)置有外延層。 優(yōu)選地，所述肖特基勢壘二極管為環(huán)保材料制作。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案后，由于在所述晶粒的硅基片在與陽極金屬和陰極金屬接觸前設(shè)置有非金屬電場消除材料和外延層，晶粒的兩側(cè)設(shè)置有引線裝置，引線裝置設(shè)置為干字結(jié)構(gòu)，包括有連接層和防護(hù)層，因此遭焊片融化時使得晶粒與引線裝置牢固連接在一起，防護(hù)層能夠使得對引線加工時不會污染晶粒，使得本實(shí)用新型二極管的連接強(qiáng)度和工作穩(wěn)定性得到提高，同時采用環(huán)保材料制作，更能保護(hù)環(huán)境。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例分解結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0015]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。請參閱圖1和圖2，為本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式
，一種肖特基勢壘二極管，包括晶粒1和環(huán)氧模塑料4，所述晶粒1逐次包括陽極金屬2、半導(dǎo)體電場消除材料3、硅基片 5、陰極層6和陰極金屬7，所述晶粒1的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒1和引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料4將所述晶粒1和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。這樣，引線裝置的設(shè)置可使得本實(shí)用新型的連接更為可靠。所屬晶粒1內(nèi)依次設(shè)置的陽極金屬2、半導(dǎo)體電場消除材料3、硅基片5、陰極層6和陰極金屬7后，在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極) 時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變??；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。作為優(yōu)選方式，所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層8、一防護(hù)層9和一引線10，所述連接層8與所述陽極金屬2和陰極金屬7相接，所述引線10的一端連接至連接層8中央，所述防護(hù)層9中央與所述引線10連接并與所述連接層8隔有適當(dāng)距離。同時所述晶粒1和所述連接層8相連側(cè)的表面積相等，這樣大幅提高了晶粒1與引線裝置的連接面積，使得連接穩(wěn)固性大幅提高。在二極管的制作工藝中，對引線的處理中存在電鍍錫這樣一個步驟，在該步驟中引線10放入電鍍槽中滾動時，由于防護(hù)層9的存在，使得電鍍液不至于粘附在晶粒1上，從而確保了產(chǎn)品的質(zhì)量。同時，所述肖特基勢壘二極管為環(huán)保材料制作，二極管的組成材料晶粒1、和引線裝置等均采用符合中國“電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法”的有關(guān)規(guī)定，同時也符合歐盟環(huán)保法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品中五氧化砷等15種高關(guān)注物質(zhì)含量均低于0. 的標(biāo)準(zhǔn)，能夠節(jié)省資源、 減少對環(huán)境的污染。同時，采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案后，本實(shí)用新型產(chǎn)品最大循環(huán)反向電壓可達(dá)40 伏特，最大平均正向整流電流達(dá)1安培，單一正向峰值浪涌電流可達(dá)25A，反向漏電流小于 5微安，并具有低正向壓降、高電流容量、引線可焊性及高穩(wěn)定性等特點(diǎn)，同時可在二極管本體上標(biāo)明極性，適用于在需要的任何位置安裝。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種肖特基勢壘二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，其特征在于所述晶粒逐次包括陽極金屬、半導(dǎo)體電場消除材料、硅基片、陰極層和陰極金屬層，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒、引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層、一防護(hù)層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護(hù)層中央與所述引線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于所述晶粒和所述連接層相連側(cè)的表面積相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于所屬晶粒半導(dǎo)體電場消除材料與硅基片之間設(shè)置有外延層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于其特征在于所述肖特基勢壘二極管為環(huán)保材料制作。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種肖特基勢壘二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，所述晶粒的兩側(cè)設(shè)置有焊片，所述焊片的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒、焊片與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒、焊片和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。本實(shí)用新型產(chǎn)品可廣泛適用于各種需要使用肖特基勢壘二極管的場合。
文檔編號H01L29/872GK202084551SQ201120008399
公開日2011年12月21日 申請日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者張春培 申請人:連云港金堂福半導(dǎo)體器件有限公司