專利名稱：單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種太陽能電池的減反射膜結構，尤其是疊層減反射膜結構，具體地說是一種單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜。
背景技術：
太陽能電池是把太陽能光能轉換成電能的裝置，太陽能電池片的轉換效率一般定義為電池片的輸出功率與入射到電池片表面的太陽光總功率之比。太陽光照射到電池片表面是會發(fā)生反射和折射，為提高電池片的轉換效率，則要盡量減少反射損失。減少反射目前有兩種方法，一是將電池片的表面制成絨面，另一種則是在電池片表面鍍上減反射膜，隨著太陽能技術的發(fā)展，出現(xiàn)了多種件反射膜，有單層的、雙層的，也有多層的。減反射膜性能的優(yōu)劣取決于膜層材料本身的性質以及與硅片的光學匹配性，一般認為各層材料的折射率應滿足na < H1 < n2〈…< η, < M其中na為空氣的折射率，nSi為硅的折射率，叫H2-Hi分別為各膜層材料的折射率)。目前常用的的膜層材料有Si02、SiNx, A1203、TiO2, MgF等，單一的各層材料難以獲得理想的減反射效果，現(xiàn)有的多層膜只是對波長在550nm左右光有較好的減反射效果，而對其它波長的太陽光的減反射效果有限。
發(fā)明內容本實用新型的目的是針對目前單一層的減反射膜難以獲得理想的減反射效果，多層膜只是對波長在^Onm左右光有較好的減反射效果，而對其它波長的太陽光的減反射效果有限的問題，提出一種單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，是一種質量高、性能優(yōu)良的反射膜結構。本實用新型的技術方案是一種單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，在太陽能電池單晶硅基體的前表面，從內至外依次設有T^2薄膜和氮化硅薄膜。本實用新型的TiA薄膜的厚度為3(T40nm。本實用新型的氮化硅薄膜的厚度為4(T50nm。本實用新型的有益效果本實用新型所用的TW2薄膜折射率為2. 3，氮化硅薄膜的折射率為1. Π. 7，這種疊層膜與單層膜相比具有更好的光學匹配特性，不僅對在硅的主光譜響應的550nm的光有優(yōu)異的減反射效果，而且對波長在35(Tll00nm范圍內的光都有很好的件反射效果，從而提高單晶硅太陽能電池的轉換效率，采用本結構后，我公司工業(yè)化生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池的轉換效率已超過18. 5%，為當前世界最高水平。

圖1是本實用新型的結構示意圖。1、氮化硅薄膜；2、TiA薄膜；3、單晶硅基體。
具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。如圖1所示，一種單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，在太陽能電池單晶硅基體3 的前表面，從內至外依次設有TiA薄膜2和氮化硅薄膜1。本實用新型的TiA薄膜2的厚度為3(T40nm ；氮化硅薄膜1的厚度為4(T50nm。本實用新型所用的TW2薄膜折射率為2. 3，氮化硅薄膜的折射率為1. Π. 7，這種疊層膜與單層膜相比具有更好的光學匹配特性，不僅對在硅的主光譜響應的550nm的光有優(yōu)異的減反射效果，而且對波長在35(Tll00nm范圍內的光都有很好的件反射效果，從而提高單晶硅太陽能電池的轉換效率，采用本結構后，我公司工業(yè)化生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池的轉換效率已超過18. 5%，為當前世界最高水平。本實用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術相同或可采用現(xiàn)有技術加以實現(xiàn)。
權利要求1.一種單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，其特征是在太陽能電池單晶硅基體(3)的前表面，從內至外依次設有TiO2薄膜(2)和氮化硅薄膜(1)。
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，其特征是所述的T^2薄膜(2)的厚度為3(T40nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，其特征是所述的氮化硅薄膜(1)的厚度為4(T50nm。
專利摘要一種單晶硅太陽能電池用疊層減反射膜，在太陽能電池單晶硅片(3)的前表面，從內至外依次設有TiO2薄膜(2)和氮化硅薄膜(1)；TiO2薄膜(2)的厚度為30～40nm；氮化硅薄膜(1)的厚度為40～50nm。本實用新型所用的TiO2薄膜折射率為2.3，氮化硅薄膜的折射率為1.4～1.7，這種疊層膜與單層膜相比具有更好的光學匹配特性，不僅對在硅的主光譜響應的550nm的光有優(yōu)異的減反射效果，而且對波長在350～1100nm范圍內的光都有很好的件反射效果，從而提高單晶硅太陽能電池的轉換效率。
文檔編號H01L31/04GK202004002SQ20112002443
公開日2011年10月5日 申請日期2011年1月25日 優(yōu)先權日2011年1月25日
發(fā)明者全余生, 程鵬飛, 黃侖, 龔雙龍 申請人:東方電氣集團(宜興)邁吉太陽能科技有限公司