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      一種千兆smt封裝網(wǎng)絡變壓器的制作方法

      文檔序號:6878160閱讀:2014來源:國知局
      專利名稱:一種千兆smt封裝網(wǎng)絡變壓器的制作方法
      技術領域
      本實用新型涉及網(wǎng)絡變壓器,具體涉及一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器。
      背景技術
      現(xiàn)有的網(wǎng)絡變壓器有單口千兆網(wǎng)絡變壓器和雙口千兆網(wǎng)絡變壓器。無論是單口千兆網(wǎng)絡變壓器或是雙口千兆網(wǎng)絡變壓器都能允許以太網(wǎng)在數(shù)據(jù)傳輸線上同時傳送直流電源?,F(xiàn)有的網(wǎng)絡變壓器適用于網(wǎng)絡交換設備、筆記本電腦等,支持lO/lOO/lOOOBase-T傳輸速率,電性參數(shù)及性能符合IEEE802. 3at國際標準,電磁抑制能力符合EN55022 Class B 標準要求。但現(xiàn)有的網(wǎng)絡變壓器的POE效率低,設計的最大載流能力以及單通道承載受電設備功率的功率做得不是很高。

      實用新型內容本實用新型需解決的問題是提供一種具有體積小、高功率POE的千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器。為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型設計出一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器,包括底座、 上蓋、繞腳、線圈和電路板,所述的繞腳穿插在底座上,繞腳的一端置于底座外部作為PIN 腳部分,底座和上蓋通過相互扣盒的結構連接,線圈的引出端分別與相應的繞腳連接,所述的線圈和電路板分別設置在底座與上蓋形成的空間里,所述的線圈包括具有高功率耐高偏流抗電流飽和的磁芯。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器采用上下蓋組合結構設計,除了具備常規(guī)網(wǎng)絡變壓器功能外還實現(xiàn)高功率POE+功能并保持較小的產(chǎn)品封裝。允許以太網(wǎng)在數(shù)據(jù)傳輸線上同時傳送直流電源。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器適用于網(wǎng)絡交換設備、筆記本電腦等,支持lO/lOO/lOOOBase-T傳輸速率,電性參數(shù)及性能符合IEEE802. 3at國際標準,電磁抑制能力符合EN55022 Class B標準要求。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器設計最大載流能力850mA Max,單通道承載受電設備(PD)功率30WMax。

      圖1是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器立體結構示意圖;圖2是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器的主視圖;圖3是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器的側視圖;圖4是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器的電路原理圖。
      具體實施方式
      為了便于本領域技術人員的理解,下面將結合具體實施例及附圖對本實用新型的結構原理作進一步的詳細描述如圖1、圖2、圖3、圖4所示,設計一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器,它包括底座1、上蓋2、繞腳3、線圈4和電路板,所述的繞腳3穿插在底座1上,繞腳3的一端置于底座1外部作為PIN腳部分,底座1和上蓋2通過相互扣盒的結構連接,線圈的引出端分別與相應的繞腳3連接,所述的線圈和電路板分別設置在底座與上蓋形成的空間里,所述的線圈包括具有高功率耐高偏流抗電流飽和的磁芯。如圖4所示,線圈T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8分別引出接線端1 40。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器具有以下電路設計特點號傳輸、阻抗匹配、 信號雜波抑制、高電壓隔離、高功率PoE+Enable。Α、信號傳輸支持lO/lOO/lOOOBase-T傳輸速率,電性參數(shù)及性能符合 IEEE802. 3at國際標準,各通道可依不同的主板芯片定義為不同的功能(作為傳輸或接收通道),它把PHY送出來的差分信號用差模耦合線圈耦合濾波以增強信號,并且通過電磁場的轉換耦合到不同電平的連接網(wǎng)線的另外一端。B、阻抗匹配匹配客戶主板IOOOhm的阻抗,可有效的控制ReturnLoss。C、共模信號雜波抑制產(chǎn)品磁性組件中增加共模抑制線圈,當差模信號通過共模線圈時在磁芯中產(chǎn)生相反的磁場而相互抵消,當共模信號通過線圈時在磁芯中產(chǎn)生相同方向的磁場而加強,它能使有用的差模信號幾乎無損耗的通過,而對共模干擾信號呈現(xiàn)高阻抗,使其大量衰減,從而達到抑制共模EMI的目的,EMI抑制能力滿足EN55022 Class B標準。D、高電壓隔離產(chǎn)品磁性組件設計絕緣電壓滿足IEEE802. 3. 2002. PARA 40. 6. 1. LITEM a&b要求,隔離網(wǎng)線連接中不同網(wǎng)絡設備間的不同電平,使芯片端與外部隔離,抗干擾能力大大增強,而且對芯片增加了很大的保護作用(如雷擊),以防止不同電壓通過網(wǎng)線傳輸損壞設備,由此可對客戶設備起到一定的防雷及抗沖擊保護作用。E、高功率PoE+功能(專利保護點)產(chǎn)品設計采用通過與知名磁芯廠商YST公司的合作開發(fā)的高功率耐高偏流抗電流飽和磁芯,使產(chǎn)品電氣性能與磁芯尺寸優(yōu)化組合,從而把產(chǎn)品封裝控制在克扣的范圍內,磁芯可滿足承載電流850mA的3% DC Bias (即25mA 偏流)條件下OCL 350uH Min,采用改良的生產(chǎn)工藝。產(chǎn)品符合IEEE802. 3at國際標準,具備PoE+/850mA供電功能,允許以太網(wǎng)在數(shù)據(jù)傳輸線上同時單通道可傳送最大功率為30W直流電源。可使VoIP電話、Wi-Fi熱點和安全監(jiān)控攝像等受電設備(PD)省去額外供電。上述內容,僅為本實用新型的較佳實施例,并非用于限制本實用新型的實施方案, 本領域技術人員根據(jù)本實用新型的構思,所作出的適當變通或修改,都應在本實用新型的保護范圍之內。
      權利要求1. 一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器,包括底座(1)、上蓋(2)、繞腳(3)、定位插腳(4)、線圈和電路板,所述的繞腳⑶穿插在底座⑴上,繞腳⑶的一端置于底座⑴外部作為 PIN腳部分,底座(1)和上蓋(2)通過相互扣盒的結構連接,線圈的引出端分別與相應的繞腳C3)連接,所述的線圈和電路板分別設置在底座與上蓋形成的空間里,其特征是所述的線圈包括具有高功率耐高偏流抗電流飽和的磁芯。
      專利摘要本實用新型公開了一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器,包括底座、上蓋、繞腳、線圈和電路板,所述的繞腳穿插在底座上,繞腳的一端置于底座外部作為PIN腳部分,底座和上蓋通過相互扣盒的結構連接,線圈的引出端分別與相應的繞腳連接,所述的線圈和電路板分別設置在底座與上蓋形成的空間里,所述的線圈包括具有高功率耐高偏流抗電流飽和的磁芯。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器具有體積小、高功率POE的優(yōu)點。
      文檔編號H01F27/28GK202167328SQ20112021870
      公開日2012年3月14日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權日2011年6月24日
      發(fā)明者劉朋朋, 張小東, 楊先進, 蔡文博 申請人:東莞市銘普實業(yè)有限公司
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