專(zhuān)利名稱(chēng)：多芯片封裝結(jié)構(gòu)及電感芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種具有電感芯片的多芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
當(dāng)市面上的電子產(chǎn)品，越來(lái)越被要求輕薄短小時(shí)，其內(nèi)部的電路，相對(duì)地，也必須朝向相同的目標(biāo)設(shè)計(jì)。因此為了達(dá)到縮小體積與重量的目的，就電路的設(shè)計(jì)而言，即融入了整合的概念，如此只要使用一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)，就可以達(dá)到許多的功能，亦可減少封裝的費(fèi)用與時(shí)間。因此，多芯片封裝結(jié)構(gòu)，已是許多廠商設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的方向。但是目前市面上，發(fā)展的多芯片封裝，主要是以堆疊的方式，朝垂直的方向?qū)⒍嘈酒嫌趩我粋€(gè)封裝體內(nèi)。如此一來(lái)，除了會(huì)增加封裝結(jié)構(gòu)的厚度，且此堆疊結(jié)構(gòu)必須另外設(shè)計(jì)每層芯片間電性連接的方式，更增加了芯片整合的復(fù)雜度。在眾多電子組件中，電感常被應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換電路。電感具有能量轉(zhuǎn)換的特性，常常需要與開(kāi)關(guān)電路連結(jié)作為其電路上的應(yīng)用。如圖1所示的升壓電路(boost circuit)，二極管組件D串連于電感L與開(kāi)關(guān)組件M的連接點(diǎn)與電容C之間。一開(kāi)始，開(kāi)關(guān)組件M導(dǎo)通 (ON)時(shí)，電感L處于充電的狀態(tài)(儲(chǔ)存能量)。隨后，當(dāng)開(kāi)關(guān)組件M關(guān)斷(OFF)時(shí)，因?yàn)殡姼蠰具有電流續(xù)流的特性，電流仍維持于原來(lái)的流向，此時(shí)，電感L處于放電的狀態(tài)，將其所儲(chǔ)存的能量轉(zhuǎn)換到電容C上，達(dá)到升壓的功能。因此，為了增加芯片整合的價(jià)值，尋找一種實(shí)用的電感芯片，并利用一種能簡(jiǎn)化整合芯片制程的封裝方式，將電感芯片整合于開(kāi)關(guān)組件的封裝內(nèi)，為目前芯片整合的重要課題。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述的問(wèn)題，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)及電感芯片，并將電感芯片結(jié)合于開(kāi)關(guān)電路的封裝內(nèi)，且發(fā)展出一種薄型的封裝結(jié)構(gòu)，增加多芯片封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)用性與功能性。為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型提供一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)。此多芯片封裝結(jié)構(gòu)包括 一載板，一第一芯片，一第二芯片與一第一導(dǎo)線(xiàn)。其中，第一芯片位于載板的一面，且具有一上表面，此上表面具有一第一電性連接點(diǎn)。第二芯片，位于與第一芯片相同的載板面上，且具有一第一電感圖案層。第一電感圖案層具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)，用以在第一電感圖案層上，定義出至少二個(gè)不同的電感值。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述第一電感圖案層是一螺旋狀圖案層。此螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角。至少一個(gè)第二電性連接點(diǎn)是位于螺旋圈的轉(zhuǎn)角。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述螺旋狀圖案層具有至少一個(gè)第二電性連接點(diǎn)位于螺旋圈的兩個(gè)轉(zhuǎn)角之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述第一電感圖案層是一螺旋狀圖案層，該螺旋狀
4圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于該螺旋圈的兩個(gè)轉(zhuǎn)角之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于不同的該螺旋圈，且呈現(xiàn)交錯(cuò)排列。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述第二芯片還包括一第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)與一第一導(dǎo)電墊(conductive pad)。第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)位于第一電感圖案層下方。第一導(dǎo)電墊(conductive pad)位于第二芯片的上表面邊緣。第二電性連接點(diǎn)是透過(guò)第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)電性連接第一導(dǎo)電墊。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述第二芯片還包括一第二電感圖案層，位于第一電感圖案層的下方，第二電感圖案層與第一電感圖案層具有相同的旋轉(zhuǎn)方向，且第二電感圖案層是透過(guò)一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該第一電感圖案層。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述第二電感圖案層還包括一第三電性連接點(diǎn)，第三電性連接點(diǎn)是裸露于外。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，至少一個(gè)前述第二電性連接點(diǎn)電性連接一封裝引腳。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述芯片為一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET)。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，前述第二芯片還包括一隔離層，位于第一電感圖案
層之上。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，多芯片封裝結(jié)構(gòu)還包含一封裝體，將載板、第一芯片、第二芯片及第一導(dǎo)線(xiàn)封裝于內(nèi)并裸露載板中第一芯片所在面的相反面的部分表面。依據(jù)前述，本實(shí)用新型亦提供一種電感芯片。此芯片包括一基板與一第一電感圖案層。此第一電感圖案層是位于基板上，且具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)，用以在該第一電感圖案層上，定義出至少二個(gè)不同的電感值。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述第一電感圖案層為一螺旋狀圖案層，該螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)，是位于該螺旋圈的轉(zhuǎn)角。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于不同的該螺旋圈，且對(duì)應(yīng)于一第二芯片的不同角落。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述第一電感圖案層為一螺旋狀圖案層，該螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于該螺旋圈的兩個(gè)轉(zhuǎn)角之間。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于不同的該螺旋圈，且呈現(xiàn)交錯(cuò)排列。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述的電感芯片還包括一第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，位于該第一電感圖案層下方；以及一第一導(dǎo)電墊，位于一第二芯片的上表面邊緣，至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)是透過(guò)該第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)電性連接該第一導(dǎo)電墊。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述的電感芯片還包括一第二電感圖案層，位于該第一電感圖案層的下方，該第二電感圖案層與該第一電感圖案層具有相同的旋轉(zhuǎn)方向，且該第二電感圖案層是透過(guò)一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該第一電感圖案層。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述第二電感圖案層還包括一第三電性連接點(diǎn)， 該第三電性連接點(diǎn)是裸露于外。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，前述的電感芯片還包括一隔離層位于該第一電感圖案層之上。根據(jù)本實(shí)用新型的電感芯片，在不增加其體積的前提下，可獲得多組的電感值，以因應(yīng)設(shè)計(jì)者實(shí)際的需要。電感芯片的電感值可依據(jù)設(shè)計(jì)者的需求增加，更增加電感芯片使用上的彈性。同時(shí)，亦可克服集成化電感芯片電感值過(guò)低的缺點(diǎn)。且本實(shí)用新型將電感芯片結(jié)合于開(kāi)關(guān)電路的封裝內(nèi)，發(fā)展出一種薄型的封裝結(jié)構(gòu)，增加多芯片封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)用性與功能性。關(guān)于本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下的發(fā)明詳述及所附附圖得到進(jìn)一步的了解。

圖1是一典型升壓電路(boost circuit)的電路圖；圖2顯示本實(shí)用新型一種電感芯片的一較佳實(shí)施例；圖3A顯示本實(shí)用新型一種電感芯片的另一較佳實(shí)施例；圖;3B顯示圖3A的電感芯片，沿著虛線(xiàn)AA’的剖面圖；圖4A至4C顯示本實(shí)用新型一種多層電感芯片的一較佳實(shí)施例；圖5顯示本實(shí)用新型一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例。主要組件符號(hào)說(shuō)明電感 L二極管組件D電容 C開(kāi)關(guān)組件M電感芯片200基板210第一電感圖案層220第二電性連接點(diǎn)221，222，223，421，521，522第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)330第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)340通道350第一導(dǎo)電墊(conductive pad) 360,370隔離層380第二電感圖案層420第三電性連接點(diǎn)423第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440開(kāi)口 450多芯片封裝結(jié)構(gòu)500[0054]第一芯片501第一電性連接點(diǎn)5011載板502載板面5021第一導(dǎo)線(xiàn)503，504封裝引腳506，505封裝體50具體實(shí)施方式
圖2顯示本實(shí)用新型一種電感芯片的一較佳實(shí)施例。此電感芯片200包含基板 210與第一電感圖案層220。第一電感圖案層220位在基板210上，且具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)221，222，223。此第一電感圖案層220以螺旋狀的圖案層為例，但本實(shí)用新型并不限用于螺旋狀圖案層。其次，本實(shí)施例是以一四邊形螺旋狀圖案層為例進(jìn)行說(shuō)明，但本實(shí)用新型并不限于此。此第一電感圖案層亦可以采圓形、三角形、五邊形、六邊形等不同形狀設(shè)計(jì)。此外，本實(shí)施例的第一電感圖案層220上的二個(gè)第二電性連接點(diǎn)221，223分別位于其端點(diǎn)，在端點(diǎn)之間并分布至少一個(gè)第二電性連接點(diǎn)222。使用者可以在這些電性連接點(diǎn) 221,222,223中，任選其中兩個(gè)第二電性連接點(diǎn)，當(dāng)作電流輸入點(diǎn)與輸出點(diǎn)。依據(jù)此電流輸入點(diǎn)與輸出點(diǎn)間的螺旋狀圖案層的圈數(shù)，即可決定其電感值的大小。舉例來(lái)說(shuō)，若設(shè)置三個(gè)第二電性連接點(diǎn)221，222，223，即可定義出三個(gè)不同的螺旋圈數(shù)(第二電性連接點(diǎn)223與221，第二電性連接點(diǎn)221與222，第二電性連接點(diǎn)223與 222)，以提供三個(gè)不同的電感值。依此，若增加設(shè)置于第一電感圖案層220上的第二電性連接點(diǎn)221，222，223的數(shù)量，即可定義出更多組不同的電感值。因此，根據(jù)本實(shí)用新型的電感芯片200，在不增加其體積的前提下，可獲得多組的電感值，以因應(yīng)設(shè)計(jì)者實(shí)際的需要。其次，本實(shí)施例的第二電性連接點(diǎn)221，223是分別位于第一電感圖案層220的兩端點(diǎn)。但，本實(shí)用新型并不限于此。形成于第一電感圖案層220上的各個(gè)第二電性連接點(diǎn) 221，222，223未必需位于第一電感圖案層220的端點(diǎn)。不過(guò)，將二個(gè)第二電性連接點(diǎn)221， 223設(shè)置于第一電感圖案層220的端點(diǎn)，即可提供此第一電感圖案層220所具有的最大的電感值。因?yàn)槟壳笆忻嫔系男酒?，多為四邊型，為了達(dá)到較佳的空間利用，本實(shí)施例的第一電感圖案層220是一四邊型的螺旋狀圖案層，此螺旋狀圖案層的兩個(gè)端點(diǎn)分別位于芯片的中央處以及角落處。本實(shí)施例在最內(nèi)側(cè)的第二電性連接點(diǎn)221與最外側(cè)的第二電性連接點(diǎn) 223之間的螺旋走線(xiàn)圖案上，設(shè)置有三個(gè)第二電性連接點(diǎn)222，分別位于不同的螺旋圈。為了讓相鄰螺旋圈的間距變小，以有效利用電感芯片200的空間，這些第二電性連接點(diǎn)222， 可分別位于不同的螺旋圈轉(zhuǎn)角，亦即對(duì)應(yīng)到電感芯片200的不同角落如圖2所示。其次，第二電性連接點(diǎn)222的位置，亦可位于螺旋圈的兩個(gè)轉(zhuǎn)角之間。如圖4B所示，此實(shí)施例是將第二電性連接點(diǎn)222沿著芯片的水平方向排列，以方便導(dǎo)線(xiàn)連接步驟的進(jìn)行。又，為了有效利用芯片的表面空間，縮小相鄰螺旋圈的間距，這些第二電性連接點(diǎn) 222，是以交錯(cuò)方式沿著芯片的水平方向排列。圖3A顯示本實(shí)用新型一種電感芯片的另一較佳實(shí)施例。圖;3B顯示圖3A的電感芯片200，沿著虛線(xiàn)AA’的剖面圖。如圖中所示，此電感芯片具有一上層導(dǎo)電圖案與一下層導(dǎo)電圖案。上層導(dǎo)電圖案包括第一電感圖案層220與多個(gè)第一導(dǎo)電墊(conductive pad) 360, 370。這些第一導(dǎo)電墊360,370是位于電感芯片200的上表面邊緣。下層導(dǎo)電圖案包括至少一個(gè)第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)330。上層導(dǎo)電圖案與下層導(dǎo)電圖案之間是夾合有一絕緣層，而于上層導(dǎo)電圖案上則可形成一隔離層380(例如保護(hù)層，Passivation layer)，以隔離電磁場(chǎng)， 避免電感芯片與其它組件之間的電磁感應(yīng)作用的影響。位于第一電感圖案層220的第二電性連接點(diǎn)222是透過(guò)一貫穿絕緣層的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)340電性連接至第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)330的一端。此第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)330的另一端是透過(guò)另一個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)340電性連接至相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電墊370。同理，位于第一電感圖案層220最內(nèi)側(cè)的第二電性連接點(diǎn)221亦可利用第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)340與第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)330，電性連接到第一導(dǎo)電墊360。位于電感芯片200上表面邊緣的第一導(dǎo)電墊360，370，可用來(lái)當(dāng)成電感芯片200的電流輸入點(diǎn)與輸出點(diǎn)，以方便此電感芯片200后續(xù)的打線(xiàn)與測(cè)試制程。本實(shí)施例第一導(dǎo)電墊360，370的位置是位于電感芯片200 相對(duì)的兩側(cè)，以利于后續(xù)封裝打線(xiàn)時(shí)，與芯片和封裝引腳的連接，亦避免其金屬線(xiàn)會(huì)互相接觸干擾。但其相對(duì)位置亦可根據(jù)設(shè)計(jì)者于電感芯片上的空間利用、電感值設(shè)計(jì)與后續(xù)制程的需求而改變。舉例來(lái)說(shuō)，這些導(dǎo)電墊可設(shè)置于電感芯片200的四周，而不限于其相對(duì)側(cè)。圖4A至4C顯示本實(shí)用新型多層電感芯片的一較佳實(shí)施例。此電感芯片具有多個(gè)電感圖案層，堆疊于基板上，可用來(lái)增加電感芯片200的電感值。本實(shí)施例是以二層電感圖案層為例進(jìn)行說(shuō)明。圖4A顯示位于下層的第二電感圖案層420，圖4B顯示位于上層的第一電感圖案層220。圖4C是圖4B的電感芯片200，沿著虛線(xiàn)BB’的剖面圖。如圖中所示，第二電感圖案層420具有一第二電性連接點(diǎn)421與一第三電性連接點(diǎn)423。第二電性連接點(diǎn)421是用以連接第一電感圖案層220。在本實(shí)施例中，第二電性連接點(diǎn)421是位于第二電感圖案層420的最內(nèi)側(cè)，第三電性連接點(diǎn)423則是位于第二電感圖案層420的最外側(cè)。不過(guò)，本實(shí)用新型并不限于此。第二電感圖案層420亦可以透過(guò)設(shè)置于其它位置的電性連接點(diǎn)與第一電感圖案層220相連接。第一電感圖案層220具有多個(gè)第二電性連接點(diǎn)221，222。第一電感圖案層220與第二電感圖案層420之間是夾合有一絕緣層。第一電感圖案層220是透過(guò)一對(duì)準(zhǔn)其中央端點(diǎn)的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440電性連接至第二電感圖案層420的第二電性連接點(diǎn)421。此外，位于芯片邊緣處的第三電性連接點(diǎn)423是裸露于外，供導(dǎo)線(xiàn)連接之用。如此一來(lái)，選擇不同的第二電性連接點(diǎn)222與第三電性連接點(diǎn)423，作為電感芯片200的電流輸入點(diǎn)與輸出點(diǎn)，即可調(diào)整電感芯片200的電感值。本實(shí)施例中，第一電感圖案層220，是由外側(cè)的第二電性連接點(diǎn)222往逆時(shí)針?lè)较颍騼?nèi)旋繞至內(nèi)側(cè)的第二電性連接點(diǎn)221的螺旋狀圖案層。第二電感圖案層420，是由內(nèi)側(cè)的第二電性連接點(diǎn)421往逆時(shí)針?lè)较?，向外旋繞至外側(cè)的第三電性連接點(diǎn)423的螺旋狀圖案層。因?yàn)榈谝浑姼袌D案層220與第二電感圖案層420的旋轉(zhuǎn)方向相同(逆時(shí)針?lè)较?， 當(dāng)電感電流流入第一電感圖案層220上的第二電性連接點(diǎn)221，經(jīng)過(guò)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440，流到第二電感圖案層420，最后由第三電性連接點(diǎn)423流出時(shí)，其電流方向于第一電感圖案層 220與第二電感圖案層420上亦相同，此時(shí)，電感芯片200的電感值，相當(dāng)于此兩層結(jié)構(gòu)的電感值相加。[0072]本實(shí)施例亦可以使用三層以上的電感圖案層，并通過(guò)每一層的電性連接點(diǎn)相連， 以達(dá)到提升電感值的目的。如此一來(lái)，電感芯片的電感值，即可依據(jù)設(shè)計(jì)者的需求增加，更增加電感芯片使用上的彈性。同時(shí)，亦可克服集成化電感芯片電感值過(guò)低的缺點(diǎn)。根據(jù)上述的電感芯片，本實(shí)用新型亦提供一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例， 如圖5顯示。此多芯片封裝結(jié)構(gòu)500包括一載板502、至少一個(gè)與載板502相分離的封裝引腳505、一第一芯片501、一電感芯片200以及一封裝體507。如圖中所示，此載板502亦具有一封裝引腳506向外延伸。第一芯片501是位于載板502的上表面。此第一芯片501 的上表面并具有一第一電性連接點(diǎn)5011。封裝體507將第一芯片501、電感芯片200、載板 502及封裝引腳506、封裝引腳505的部分封裝于內(nèi)，以達(dá)到保護(hù)這些組件的功能。第一芯片501可為開(kāi)關(guān)組件芯片或控制電路芯片，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)組件常與電感組件搭配使用，在此以開(kāi)關(guān)組件為例，但不因此而限制其使用范圍。第二芯片即為上述的電感芯片200，具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)供選擇。圖5顯示其中兩個(gè)被選定的第二電性連接點(diǎn)521，522。如圖中所示，電感芯片200與第一芯片501是位于載板502的同一側(cè)，且第二電性連接點(diǎn)521是透過(guò)一第一導(dǎo)線(xiàn)503電性連接至第一芯片501的第一電性連接點(diǎn)5011。 電感芯片200所具有的另一第二電性連接點(diǎn)522，則利用另一第一導(dǎo)線(xiàn)504電性連接至另一封裝引腳505。其次，載板502通常是由導(dǎo)電材料所構(gòu)成。若是第一芯片501背面形成有電性連接點(diǎn)，亦連接至載板502，以接收或輸出信號(hào)。其次，連接至載板502的封裝引腳506亦可充作一接地引腳，以提供一參考電位。而封裝體507可裸露載板502未有芯片的另一側(cè)的部分表面于外，作為一散熱片，以提升多芯片封裝結(jié)構(gòu)500的散熱能力。視此封裝結(jié)構(gòu)的引腳的設(shè)定，第一芯片501與電感芯片200于載板502上的固定位置與連接方式，亦可以互換。電感芯片200應(yīng)用于升壓電路(boost circuit)時(shí)，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1，電感芯片200的第二電性連接點(diǎn)521，即透過(guò)第一導(dǎo)線(xiàn)503電性連接開(kāi)關(guān)組件芯片(即第一芯片501)，第二電性連接點(diǎn)522則是透過(guò)另一個(gè)第一導(dǎo)線(xiàn)504與封裝引腳505 電性連接至電源輸入端Vin。此外，視電感芯片200的應(yīng)用需求，此多芯片封裝結(jié)構(gòu)500亦用以將三個(gè)以上的芯片封裝于單一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，并且可以選擇電感芯片200上的第二電性連接點(diǎn)522電性連接至另一芯片(未圖標(biāo))。依此，本實(shí)用新型的電感芯片200所選定向外連接的二個(gè)第二電性連接點(diǎn)521，522，可選擇其一直接電性連接至封裝引腳505、亦可將二個(gè)第二電性連接點(diǎn) 521，522均電性連接至別的芯片上的電性連接點(diǎn)，端視應(yīng)用電路的不同。但以上所述者，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即大凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍及實(shí)用新型說(shuō)明內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本實(shí)用新型專(zhuān)利涵蓋的范圍內(nèi)。另外本實(shí)用新型的任一實(shí)施例或申請(qǐng)專(zhuān)利范圍不須達(dá)成本實(shí)用新型所揭露的全部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)。此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來(lái)輔助專(zhuān)利文件搜尋之用，并非用來(lái)限制本實(shí)用新型的權(quán)利范圍。
權(quán)利要求1.一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一載板；一第一芯片，位于該載板的一面，且具有一上表面，該上表面具有一第一電性連接點(diǎn)；一第二芯片，位于該載板的該面，且具有一第一電感圖案層，該第一電感圖案層具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)，用以在該第一電感圖案層上，定義出至少二個(gè)不同的電感值；以及一第一導(dǎo)線(xiàn)，用以電性連接該第一電性連接點(diǎn)與其中一個(gè)該第二電性接點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電感圖案層是一螺旋狀圖案層，該螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)，是位于該螺旋圈的轉(zhuǎn)角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)， 是位于不同的該螺旋圈，且對(duì)應(yīng)于該第二芯片的不同角落。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電感圖案層是一螺旋狀圖案層，該螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于該螺旋圈的兩個(gè)轉(zhuǎn)角之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)， 是位于不同的該螺旋圈，且呈現(xiàn)交錯(cuò)排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二芯片還包括一第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，位于該第一電感圖案層下方；以及一第一導(dǎo)電墊，位于該第二芯片的上表面邊緣，至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)是透過(guò)該第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)電性連接該第一導(dǎo)電墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二芯片還包括一第二電感圖案層，位于該第一電感圖案層的下方，該第二電感圖案層與該第一電感圖案層具有相同的旋轉(zhuǎn)方向，且該第二電感圖案層是透過(guò)一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該第一電感圖案層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電感圖案層還包括一第三電性連接點(diǎn)，該第三電性連接點(diǎn)是裸露于外。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)電性連接一封裝引腳。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片為一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二芯片還包括一隔離層，位于該第一電感圖案層之上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一封裝體，將該載板、 該第一芯片、該第二芯片及該第一導(dǎo)線(xiàn)封裝于內(nèi)并裸露該載板中該第一芯片所在的該面的相反面的部分表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第三芯片；以及一第二導(dǎo)線(xiàn)，將該第三芯片電性連接該第二芯片的其中一個(gè)第二電性連接點(diǎn)。
14.一種電感芯片，其特征在于，包括一基板；以及一第一電感圖案層，位于該基板上，且具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)以在該第一電感圖案層上定義出至少二個(gè)不同的電感值。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感芯片，其特征在于，該第一電感圖案層為一螺旋狀圖案層，該螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)，是位于該螺旋圈的轉(zhuǎn)角。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電感芯片，其特征在于，至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)，是位于不同的該螺旋圈，且對(duì)應(yīng)于一第二芯片的不同角落。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感芯片，其特征在于，該第一電感圖案層為一螺旋狀圖案層，該螺旋狀圖案層具有至少二個(gè)螺旋圈，每一該螺旋圈具有至少四個(gè)轉(zhuǎn)角，且至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)位于該螺旋圈的兩個(gè)轉(zhuǎn)角之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電感芯片，其特征在于，至少二個(gè)該第二電性連接點(diǎn)，是位于不同的該螺旋圈，且呈現(xiàn)交錯(cuò)排列。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感芯片，其特征在于，還包括一第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，位于該第一電感圖案層下方；以及一第一導(dǎo)電墊，位于一第二芯片的上表面邊緣，至少一個(gè)該第二電性連接點(diǎn)是透過(guò)該第一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)電性連接該第一導(dǎo)電墊。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感芯片，其特征在于，還包括一第二電感圖案層，位于該第一電感圖案層的下方，該第二電感圖案層與該第一電感圖案層具有相同的旋轉(zhuǎn)方向，且該第二電感圖案層是透過(guò)一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該第一電感圖案層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電感芯片，其特征在于，該第二電感圖案層還包括一第三電性連接點(diǎn)，該第三電性連接點(diǎn)是裸露于外。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感芯片，其特征在于，還包括一隔離層位于該第一電感圖案層之上。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)及電感芯片。此多芯片封裝結(jié)構(gòu)包括一載板，一第一芯片，一第二芯片與一第一導(dǎo)線(xiàn)。其中，第一芯片位于載板的一面，且具有一上表面，此上表面具有一第一電性連接點(diǎn)。第二芯片，位于與第一芯片相同的載板面上，且具有一第一電感圖案層。第一電感圖案層具有至少三個(gè)第二電性連接點(diǎn)，用以在第一電感圖案層上，定義出至少二個(gè)不同的電感值。
文檔編號(hào)H01L23/522GK202205737SQ20112036632
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
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