專利名稱：一種檢測晶圓的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測晶圓。
背景技術(shù)：
集成電路制作工藝是一種平面制作工藝，其結(jié)合光刻、刻蝕、沉積、離子注入等多種工藝，在同一襯底上形成大量各種類型的復(fù)雜器件，并將其互相連接以具有完整的電子功能。其中，任一步工藝出現(xiàn)問題，都可能會導(dǎo)致電路的制作失敗。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，常會對制作完成的芯片進(jìn)行檢測，以保證制作完成的芯片滿足集成電路制作的要求。對于不同的器件來說，例如，對于射頻標(biāo)識(radio frequency tag, RF tag)器件禾口射頻微機(jī)電系統(tǒng)(radio frequency micro-electro-mechanical system, RF MEMS)器件來說，均需要在制作完成后進(jìn)行等離子損傷測試以及其它檢測項目。目前，通常是分別將不同功能的芯片分別進(jìn)行檢測，使得檢測時間過長，檢測效率較低。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供了一種檢測晶圓，以解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測效率低的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案是提供一種檢測晶圓，包括承載晶圓以及若干不同類型的芯片，所述若干芯片均鍵合在所述承載晶圓上。進(jìn)一步的，所述若干芯片的襯底均為硅襯底。進(jìn)一步的，所述芯片為射頻標(biāo)識器件和/或射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。進(jìn)一步的，所述若干芯片的襯底均為碳化硅襯底。進(jìn)一步的，所述芯片為射頻標(biāo)識器件和/或射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。進(jìn)一步的，所述若干芯片中一部分芯片的襯底為硅襯底，另一部分芯片的襯底為碳化硅襯底。進(jìn)一步的，具有硅襯底的芯片為射頻標(biāo)識器件，具有碳化硅襯底的芯片為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。進(jìn)一步的，具有硅襯底的芯片為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，具有碳化硅襯底的芯片為射頻標(biāo)識器件。進(jìn)一步的，所述承載晶圓的材料是多晶硅。進(jìn)一步的，所述承載晶圓的材料是單晶硅。進(jìn)一步的，所述承載晶圓的直徑為450mm 500mm。進(jìn)一步的，所述若干芯片設(shè)置在所述承載晶圓的邊緣。進(jìn)一步的，所述若干芯片均勻設(shè)置在所述承載晶圓的邊緣。進(jìn)一步的，所述若干芯片通過鍵合的方式設(shè)置在所述承載晶圓上。進(jìn)一步的，所述芯片的數(shù)量為4 20個。本實用新型提供的檢測晶圓，將若干具有不同功能的芯片設(shè)置在同一個承載晶圓上，可以將該檢測晶圓放入相應(yīng)的檢測裝置中，使檢測晶圓上設(shè)置的若干不同類型的芯片均完成了檢測，縮短了檢測時間，有利于提高檢測效率。

圖1是本實用新型實施例提供的檢測晶圓的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的一種檢測晶圓作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。本實用新型的核心思想在于，提供一種檢測晶圓，將具有不同功能的芯片設(shè)置在同一個承載晶圓上，可以將檢測晶圓放入相應(yīng)的檢測裝置中，使檢測晶圓上設(shè)置的若干不同類型的芯片同時完成了檢測，縮短了檢測時間，提高了檢測效率。圖1是本實用新型實施例提供的檢測晶圓的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1，檢測晶圓 10，包括承載晶圓11以及若干不同類型的芯片12，所述芯片12均鍵合在所述承載晶圓11 上。進(jìn)一步地，所述若干芯片12的襯底均為硅(Si)芯片，而芯片12為射頻標(biāo)識器件(radio frequency tag, RF tag)和 / 或射頻微機(jī)電系統(tǒng)(radio frequency micro-electro-mechanical system, RF MEMS)器件?；蛘撸鋈舾尚酒?2的襯底均為碳化硅(SiC)襯底，芯片12同樣為射頻標(biāo)識器件和/或射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。又或者，所述若干芯片12中一部分芯片12的襯底為硅襯底，另一部分芯片12的襯底為碳化硅襯底。其中，具有硅襯底的芯片12為射頻標(biāo)識器件，具有碳化硅襯底的芯片 12為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件；或者，具有硅襯底的芯片12為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，具有碳化硅襯底的芯片12為射頻標(biāo)識器件。在本實施例中，所述若干芯片12中一部分芯片12的襯底為硅襯底，另一部分芯片 12的襯底則為碳化硅襯底，并且，具有硅襯底的芯片12為射頻標(biāo)識器件，具有碳化硅襯底的芯片12為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，也可以是具有硅襯底的芯片 12為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，具有碳化硅襯底的芯片12為射頻標(biāo)識器件。當(dāng)然，所述不同類型的芯片不僅僅局限于射頻標(biāo)識器件以及射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，還可以是其他的功能器件。在本實施例中，所述承載晶圓11的材料為多晶硅，所述承載晶圓11的直徑為 450mm 500mm，所述芯片12的形狀為長方體，所述芯片12的規(guī)格例如為20mm* 10mm*2mm。 或者，所述承載晶圓11的材料也可以為單晶硅。其中，所述若干芯片12靠近所述承載晶圓11的邊緣設(shè)置，進(jìn)一步地，所述若干芯片12均勻設(shè)置在所述承載晶圓11上。在本實施例中，由于所述若干芯片12中一部分芯片 12的襯底為硅襯底，另一部分芯片12的襯底為碳化硅襯底，因此，可在1100度 1250度氫氣0 )的環(huán)境下，將碳化硅襯底鍵合至所述承載晶圓11的表面，同時將硅襯底也鍵合至所述承載晶圓11的表面?？蛇x的，所述芯片的數(shù)量為4 20個，在本實施例中，所述芯片12的數(shù)量為5個， 其中，1個芯片的襯底為硅襯底，其為射頻標(biāo)識器件，其余4個芯片12的襯底為碳化硅襯底， 為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，將鍵合有上述5個芯片12的承載晶圓11進(jìn)行等離子注入，以分別測得5個器件的等離子損傷，從而檢測器件針對等離子損傷這個工藝參數(shù)是否符合要求。綜上所述，通過將不同類型的芯片12鍵合至同一個承載晶圓11上，能夠通過一次檢測工藝檢測出承載晶圓11上的所有芯片12的同一工藝參數(shù)是否合格，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解所述芯片12的工藝參數(shù)不僅僅局限于等離子損傷，還包括溫度、晶圓位置以及晶圓運(yùn)動形式等等。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對實用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種檢測晶圓，其特征在于，包括承載晶圓以及若干不同類型的芯片，所述若干芯片均鍵合在所述承載晶圓上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述若干芯片的襯底均為硅襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測晶圓，其特征在于，所述芯片為射頻標(biāo)識器件和/或射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述若干芯片的襯底均為碳化硅襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測晶圓，其特征在于，所述芯片為射頻標(biāo)識器件和/或射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述若干芯片中一部分芯片的襯底為硅襯底，另一部分芯片的襯底為碳化硅襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測晶圓，其特征在于，具有硅襯底的芯片為射頻標(biāo)識器件， 具有碳化硅襯底的芯片為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測晶圓，其特征在于，具有硅襯底的芯片為射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件，具有碳化硅襯底的芯片為射頻標(biāo)識器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述承載晶圓的材料是多晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述承載晶圓的材料是單晶硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述承載晶圓的直徑為450mm 500mmo
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述若干芯片設(shè)置在所述承載晶圓的邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測晶圓，其特征在于，所述若干芯片均勻設(shè)置在所述承載晶圓的邊緣。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項的檢測晶圓，其特征在于，所述芯片的數(shù)量為4 20個。
專利摘要本實用新型提供一種檢測晶圓，包括承載晶圓以及若干不同類型的芯片，所述若干芯片均鍵合在所述承載晶圓上。本實用新型提供的檢測晶圓，將若干具有不同功能的芯片設(shè)置在同一個承載晶圓上，可以將該檢測晶圓放入相應(yīng)的檢測裝置中，使檢測晶圓上設(shè)置的若干具有不同功能的芯片均完成了測試，縮短了檢測時間，有利于提高檢測效率。
文檔編號H01L21/66GK202332799SQ20112046509
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月21日
發(fā)明者三重野文健, 周梅生 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司