壓電體薄膜、噴墨頭、使用噴墨頭形成圖像的方法、角速度傳感器、使用角速度傳感器測定...的制作方法

文檔序號：7235405閱讀：213來源：國知局

專利名稱：壓電體薄膜、噴墨頭、使用噴墨頭形成圖像的方法、角速度傳感器、使用角速度傳感器測定 ...的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具備壓電體層的壓電體薄膜及其制造方法。本發(fā)明還涉及具備該壓電體薄膜的噴墨頭和使用該噴墨頭形成圖像的方法、具備該壓電體薄膜的角速度傳感器和使用該傳感器測定角速度的方法以及具備該壓電體薄膜的壓電發(fā)電元件和使用該元件的發(fā)電方法。
背景技術：
鈦酸鋯酸鉛(PZTPbarxTi1JO3J < χ < 1)是能夠儲存大量電荷的代表性的強介電材料。PZT用于電容器和薄膜存儲器。PZT具有基于強介電性的和壓電性。PZT具有很高的壓電性能。通過調(diào)整組成或添加元素，就可以容易地控制PZT的機械品質(zhì)因數(shù)Qm。這些使得將PZT應用在傳感器、驅(qū)動器、超聲波馬達、濾波電路和振動器成為可能。但是，PZT含有大量的鉛。近年，因從廢棄物中溶出鉛而造成的生態(tài)系統(tǒng)和環(huán)境的嚴重破壞備受關注。所以，國際上鉛的使用限制也在升級。因此就需求一種與PZT不同的不含鉛的強介電材料(無鉛強介電材料)。目前正在開發(fā)的無鉛(lead-free)強介電材料的一個例子為由鉍(Bi)、鈉(Na)、鋇(Ba)和鈦(Ti)構(gòu)成的鈣鈦礦型復合氧化物[(Bia5Naa山邙。TiO3。專利文獻1和非專利文獻1公開了在鋇量y(= [Ba/(Bi+Na+Ba)])為5 10%時，該強介電材料具有約125pC/N 的壓電常數(shù)d33，具有高壓電性能。但是，該強介電體材料的壓電性能比PZT的壓電性能低。專利文獻2、非專利文獻2和非專利文獻3公開了在特定的方向取向的(Bi，Na, Ba)Ti03膜的制作。通過由取向使(Bi，Na, Ba)TiO3膜的極化軸一致，期待提高該膜具有的剩余極化強度和壓電性能這樣的強介電特性。但是，與(Bi，Na，Ba) TiO3塊材不同，(Bi，Na，Ba) TiO3薄膜產(chǎn)生漏電電流。非專利文獻1公開了厚度Imm的(Bi，Na, Ba) TiO3盤，該盤具有1 %的電介質(zhì)損耗tan δ。對此，非專利文獻3公開了在kHz以下的低頻率區(qū)域的(Bi，Na, Ba)TiO3薄膜的電介質(zhì)損耗達到 20%。漏電電流多的(Bi，Na，Ba) TiO3膜的強介電特性顯著劣化。因此，需要抑制(Bi，Na， Ba) TiO3膜的漏電電流。專利文獻3公開了在由鈮酸系化合物((Na，K，Li)NbO3)構(gòu)成的壓電體層和基板之間夾置有NaNbO3膜的壓電體薄膜?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特公平4-60073號公報專利文獻2 日本特開2007-266346號公報專利文獻3 日本特開2007-019302號公報非專利文獻
禾lJtS^ 1 :T. Takenaka et al.，Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30，No.9B, (1991)，pp.2236-2239非專利文獻2 :H. W. Cheng et al.，Applied Physics Letters, Vol. 85, (2004)， pp.2319-2321非專利文獻 3 :Z. H. Zhou et al.，Applied Physics Letters, Vol. 85, (2004), pp.804-80
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種含有無鉛強介電材料，具有低電介質(zhì)損耗和與PZT相同的高壓電性能的無鉛壓電體薄膜及其制造方法。本發(fā)明的另一個目的在于提供具備該無鉛壓電體薄膜的噴墨頭、角速度傳感器和壓電發(fā)電元件。本發(fā)明的又一個目的在于提供使用該噴墨頭形成圖像的方法、使用該角速度傳感器測定角速度的方法和使用該壓電發(fā)電元件的發(fā)電方法。本發(fā)明的壓電體薄膜具備具有(001)取向的電極膜、具有(001)取向的(NaxBia5) T i O0.5x+2. T5-BaT i03II (0. 29<χ<0·4)、和(Na，Bi) TiO3-BaTiO3 壓電體層，其中，電極膜、 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜和(Na，Bi) TiO3-BaTiO3 壓電體層以該順序疊層。

圖IA是模式地表示本發(fā)明的壓電體薄膜的一個例子的剖面圖。圖IB是模式地表示本發(fā)明的壓電體薄膜的另一個例子的剖面圖。圖IC是模式地表示本發(fā)明的壓電體薄膜的又一個例子的剖面圖。圖ID是模式地表示本發(fā)明的壓電體薄膜的再一個例子的剖面圖。圖IE是模式地表示本發(fā)明的壓電體薄膜的又再一個例子的剖面圖。圖2是模式地表示本發(fā)明的噴墨頭的一個例子并部分表示該噴墨頭的剖面的立體圖。圖3是模式地表示圖2中表示的噴墨頭中的含有壓力室部件和驅(qū)動器部的主要部分且部分表示該主要部分的剖面的分解立體圖。圖4A是模式地表示圖2中表示的噴墨頭中含有壓力室部件和驅(qū)動器部的主要部分的一個例子的剖面圖。圖4B是模式地表示圖2中表示的噴墨頭中含有壓力室部件和驅(qū)動器部的主要部分的另一個例子的剖面圖。圖5A是模式地表示制造圖2中表示的噴墨頭的方法的一個例子中，含有壓電體層的疊層體的形成工序的剖面圖。圖5B是模式地表示制造圖2中表示的噴墨頭的方法的一個例子中，之后成為壓力室部件的部件形成工序的剖面圖。圖5C是模式地表示制造圖2中表示的噴墨頭的方法的一個例子中，形成粘接層工序的剖面圖。圖6A是模式地表示制造圖2中表示的噴墨頭的方法的一個例子中，將在圖5A中表示的工序形成的疊層體和在圖5B中表示的工序形成的部件接合的工序的剖面圖。
圖6B是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，接續(xù)圖6A中表示的工序的工序(中間層的蝕刻工序)的剖面圖。圖7A是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，接續(xù)圖6B中表示的工序的工序(基底基板的除去工序)的剖面圖。圖7B是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，接續(xù)圖7A中表示的工序的工序(個別電極層的形成工序)的剖面圖。圖8A是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，接續(xù)圖7B中表示的工序的工序(壓電體層的微細加工工序)的剖面圖。圖8B是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，接續(xù)圖8A中表示的工序的工序(基板的切斷工序)的剖面圖。圖9A是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，油墨流路部件和噴嘴板的準備工序的剖面圖。圖9B是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，油墨流路部件和噴嘴板的接合工序的剖面圖。圖9C是模式地表示圖2中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子中，驅(qū)動器部和壓力室部件的接合體、油墨流路部件和噴嘴板的接合體的接合工序的剖面圖。圖9D是模式地表示通過圖5A 圖9C中表示的工序得到的噴墨頭的剖面圖。圖10是模式地表示在作為壓力室部件的基板上，配置有作為驅(qū)動器部的疊層體的一個例子的平面圖。圖11是模式地表示本發(fā)明的噴墨頭的另一個例子的剖面圖。圖12A是用于說明圖11中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子的模式性的剖面圖。圖12B是用于說明圖11中表示的噴墨頭的制造方法的一個例子的模式性的剖面圖。圖13A是模式地表示本發(fā)明的角速度傳感器的一個例子的立體圖。圖1 是模式地表示本發(fā)明的角速度傳感器的另一個例子的立體圖。圖14A是表示圖13A中表示的角速度傳感器中的剖面El的剖面圖。圖14B是表示圖13B中表示的角速度傳感器中的剖面E2的剖面圖。圖15A是模式地表示本發(fā)明的壓電發(fā)電元件的一個例子的立體圖。圖15B是模式地表示本發(fā)明的壓電發(fā)電元件的另一個例子的立體圖。圖16A是表示圖15A中表示的壓電發(fā)電元件中的剖面Fl的剖面圖。圖16B是表示圖15B中表示的壓電發(fā)電元件中的剖面F2的剖面圖。圖17是表示作為實施例1-6和比較例1-6制作得到的壓電體薄膜的X射線衍射圖譜的圖。圖18是表示作為實施例1和比較例1制作得到的壓電體薄膜的P-E磁滯曲線的圖。圖19是模式地表示作為比較例1制作得到的壓電體薄膜的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實施方式
下面，說明本發(fā)明的實施方式。在以下的說明中，對于相同部件標以相同的符號。由此可以省略重復的說明。[壓電體薄膜、壓電體薄膜的制造方法]圖IA表示本發(fā)明的壓電體薄膜的一個方式。圖IA所示的壓電體薄膜Ia具有疊層結(jié)構(gòu)16a。疊層結(jié)構(gòu)16a以如下的順序具有(001)取向的電極膜13、具有(001)取向的 (NaxBitl 5) TiOci a^2 75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、和具有(001)取向的(Bi，Na，Ba) TiO3 膜15。所疊層的這些膜13 15互相接觸。該(Bi，Na，Ba) TiO3膜15為壓電體層。該(Bi， Na, 8幻1103膜15具有小的漏電電流，并且具有高結(jié)晶性和高(001)取向性。因此，壓電體薄膜Ia不論是否含有鉛，都具有低電介質(zhì)損耗和與PZT相同的高壓電性能。具有(001)取向的電極膜13的例子為以下的(1)或(2)。(1)鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)這樣的金屬薄膜、和(2)氧化鎳(NiO)、氧化釕 (RuO2)、氧化銥(IrO2)、釕酸鍶(SrRuO3)、以及鎳酸鑭(LaNiO3)這樣的氧化物導電體薄膜。還可以使用2層以上的這些薄膜。其中，優(yōu)選LaNiO3膜13。LaNiO3膜13具有由化學式ABO3所表示的鈣鈦礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)為0.384nm(準立方晶)。因此，LaNiO3膜13具有對于 (NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 和(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15 的良好的晶格匹配性。LaNiO3膜13與該膜的基底層的組成和結(jié)晶結(jié)構(gòu)無關而具有(001)取向。例如，可以在具有較大差異的晶格常數(shù)(0. 543nm)的Si單晶基板上，形成具有(001)取向的LaNiO3 膜13。也可以在由不銹鋼等金屬構(gòu)成的基板、由玻璃等的非晶質(zhì)材料構(gòu)成的基板、以及陶瓷基板上，形成具有(001)取向的LaNiO3膜13。LaNiO3膜13可以含有微量的雜質(zhì)。該雜質(zhì)典型的為取代La的稀土元素。LaNiO3為氧化物導電體。LaNiO3膜13可以作為向(Bi, Na，Ba)TiO3膜15施加電壓的電極層而發(fā)揮作用。LaNiO3膜13典型地可以通過濺射法形成。LaNiO3膜13也可以通過脈沖激光沉積法(PLD法)、化學氣相沉積法(CVD法)、溶膠凝膠法、和氣浮沉積法(AD法)這樣的薄膜形成方法形成。根據(jù)制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法，由濺射法可以形成具有(001)取向的 LaNiO3 膜 13。(NaxBia5)TiOaa^75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 在表面具有(001)的面方位。 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29^x^0.4) 14 為界面層。(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14夾置于LaNiO3膜13和(Bi，Na, Ba) TiO3膜15之間。為了形成具有高結(jié)晶性、高(001)取向性、和小漏電電流的土，恥，8￡1)1103膜 15，(NaxBia5)TiOa5j^75-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14是必須的。表示鈦酸鈉-鉍的氧量的“0.5X+2. 75”可以含有誤差。例如，如果χ = 0. 4，則為 0.5X0. 4+2. 75 = 2.95。但是，鈉的量為0. 4時，鈦酸鈉-鉍的氧量不一定完全與2. 95 —致。用于形成具有高結(jié)晶性、高取向性和小漏電電流的壓電體層而優(yōu)選的界面層的組成難以基于壓電體層和界面層具有的晶格常數(shù)的類似性或組成的類似性來預測。即，通過僅僅設置具有與壓電體層的晶格常數(shù)或組成類似的晶格常數(shù)或組成的界面層，得不到上述希望的壓電體層。其理由是因為構(gòu)成(Bi，Na, Ba)TiO3這樣的多元系復合氧化物的各元素 (除了氧以外)具有不同的蒸汽壓，所以一般難以形成具有良好的結(jié)晶性和良好的取向性的由該復合氧化物構(gòu)成的薄膜。本發(fā)明的發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，在(NaxBia5)TiOa5!￡+2.751&1103膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14上設置的(Bi, Na, Ba)TiO3膜15具有高結(jié)晶性、高取向性和小漏電電流。(NaxBia5)TiOciH75-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 的厚度沒有限定。只要該厚度在數(shù)晶格單位(約2nm)以上，就可以形成具有高結(jié)晶性、高(001)取向性和小漏電電流的(Bi, Na, Ba)TiO3 膜 15。(NaxBia5)TiOaa^75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 具有由化學式 ABO3 所表示的鈣鈦礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。位點A的主成分為Na，位點B的主成分為Nb。(NaxBia5) 打0。.5-2.75-8&1103膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14可以含有微量的雜質(zhì)。該雜質(zhì)典型的可以為取代 Na的K或Li。在LaNiO3 膜 13 和(NaxBia5)TiOaa^75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 之間，根據(jù)需要，可以再夾置(001)取向膜。(001)取向膜例如為Pt膜和SrRuO3膜。(NaxBia5)TiOciH75-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 典型地可以通過濺射法形成。 (NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03膜(0.四彡χ彡0. 4) 14只要具有(001)取向，例如，也可以通過PLD法、CVD法、溶膠凝膠法和AD法這樣的薄膜形成方法形成。在制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法中，在LaNiO3膜13上，通過濺射法形成 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 < χ < 0. 4) 14。(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15 為由(Bi，Na，Ba) TiO3 構(gòu)成的膜。(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15 在表面具有(001)的面方位。士，妝，8幻1103膜15的厚度沒有限定。該厚度例如為0. 5 μ m以上10 μ m以下。 (Bi，Na，Ba) TiO3膜15即使較薄，該膜也具有低電介質(zhì)損耗和高壓電性能。(Bi, Na, Ba) TiO3膜15具有由化學式ABO3所表示的鈣鈦礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。位點A 和位點B根據(jù)單個或多個元素的配置而分別具有2價和4價的平均價數(shù)。位點A為Bi、Na 和Ba。位點B為Ti。(Bi，Na，Ba)TiO3膜15可以含有微量的雜質(zhì)。該雜質(zhì)典型的可以為取代位點A中的Na的Li和K以及取代Ba的Sr和Ca。該雜質(zhì)典型的可以為取代位點B中的Ti的&。其他的該雜質(zhì)例如可以為Mn、Fe、Nb和Ta。若干種雜質(zhì)可以提高(Bi，Na，Ba) TiO3膜15的結(jié)晶性和壓電性能。(Bi, Na, Ba)TiO3膜15典型地可以通過濺射法形成。(Bi，Na, Ba)TiO3膜15只要具有(001)取向，例如，可以通過PLD法、CVD法、溶膠凝膠法、AD法這樣的其他薄膜形成方法形成。在制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法中，在(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75_BaTi03膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14上通過濺射法可以形成(Bi，Na, Ba)TiO3膜15。圖IB表示本發(fā)明的壓電體薄膜另一個方式。圖IB所示的壓電體薄膜Ib具有疊層結(jié)構(gòu)16b。在疊層結(jié)構(gòu)16b中，在圖IA所表示的疊層結(jié)構(gòu)16a上加上金屬電極膜12。在疊層結(jié)構(gòu)16b中，LaNiO3膜13形成在該金屬電極膜12上。具體而言，疊層結(jié)構(gòu)16b以如下順序具有金屬電極膜12、具有(001)取向的LaNiO3膜13、具有(001)取向的(NaxBia5) TiO0.5x+2. T5-BaTiO3 II (0. 彡 χ彡0.4) 14、具有(001)取向的(Bi，Na，Ba)Ti03 膜 15。所疊層的這些膜12 15互相接觸。金屬電極膜12的材料的例子為鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)這樣的金屬；氧化鎳 (NiO)、氧化釕(RuO2)、氧化銥(IrO2)、釕酸鍶(SrRuO3)這樣的氧化物導電體。金屬電極膜 12可以由2種以上這些材料構(gòu)成。金屬電極膜12優(yōu)選具有低電阻和高耐熱性。因此，金屬電極膜12優(yōu)選為Pt膜。該Pt膜可以具有(111)取向。S卩，本發(fā)明的壓電體薄膜還可以具備Pt膜。LaNiO3膜13可以形成在該Pt膜上。金屬電極膜12可以與LaNiO3膜13—同作為向壓電體層(Bi，Na，Ba)TiO3膜15施加電壓的電極層發(fā)揮作用。換而言之，該電極層是由LaNiO3膜13和金屬電極膜12構(gòu)成的
疊層體。圖IB所表示的壓電體薄膜Ib可以通過在金屬電極膜12上，以如下順序形成 LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5) Ti00 5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、和(Bi,Na,Ba) TiO3 膜 15 來制造。在制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法中，可以在金屬電極膜(優(yōu)選Pt膜)12上形成 LaNiO3膜13。這樣就可以制造圖IB所表示的壓電體薄膜lb。圖IC表示根據(jù)本發(fā)明的壓電體薄膜的又一個方式。圖IC所表示的壓電體薄膜 Ic具有疊層結(jié)構(gòu)16c。疊層結(jié)構(gòu)16c為圖IA所表示的多層結(jié)構(gòu)16a還含有導電膜17的結(jié)構(gòu)。該導電膜17形成在(Bi，Na, Ba)Ti03膜15上。具體而言，疊層結(jié)構(gòu)16c以如下順序含有具有(001)取向的 LaNiO3 膜 13、具有(001)取向的(NaxBia5)TiO。.5x+2.75_BaTi03 膜 (0. 彡χ彡0.4) 14、具有(001)取向的(Bi，Na，Ba)Ti03膜15、和導電膜17。所疊層的這些膜13 15和17互相接觸。在壓電體薄膜Ic中，在LaNiO3膜13和導電膜17之間，夾置(Bi, Na, Ba)TiO3膜 15。LaNiO3膜13和導電膜17可以作為向壓電體層(Bi，Na，Ba)TiO3膜15施加電壓的電極層發(fā)揮作用。導電膜17由具有導電性的材料構(gòu)成。該材料的例子為具有低電阻的金屬。該材料可以為NiO、RuO2, Ir03、SrRuO3、和LaNiO3這樣的氧化物導電體。導電膜17可以由2種以上這些材料構(gòu)成。在導電膜17和收，妝，8幻1103膜15之間，可以配置使兩者的密合性提高的密合層。密合層的材料的例子為鈦(Ti)。該材料可以為鉭(Ta)、鐵0 )、鈷(Co)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、或這些的化合物。密合層可以由2種以上的這些材料構(gòu)成。密合層可以根據(jù)導電膜17和(Bi, Na, Ba)TiO3膜15的密合性而省略。圖IC所表示的壓電體薄膜Ic可以通過在LaNiO3膜13上以如下順序形成 (NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTi03 II (0· 29 彡 χ 彡 0· 4)14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15、和導電膜 17 而制造。導電膜17例如可以通過濺射法、PLD法、CVD法、溶膠凝膠法和AD法這樣的薄膜形成方法形成。制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法還可以包括在(Bi，Na，Ba)TiO3膜15上形成導電膜17的工序。這樣就可以制造圖IC所表示的壓電體薄膜lc。圖ID表示根據(jù)本發(fā)明的壓電體薄膜的再一個方式。圖ID所表示的壓電體薄膜 Id具有疊層結(jié)構(gòu)16d。在疊層結(jié)構(gòu)16d中，在圖IA所表示的疊層結(jié)構(gòu)16a中再加上金屬電極膜12和導電膜17。在疊層結(jié)構(gòu)16d中，LaNiO3膜13形成在該金屬電極膜12上。導電膜17形成在(Bi，Na, Ba)TiO3膜15上。具體而言，疊層結(jié)構(gòu)16d以如下順序具有金屬電極膜 12、具有(001)取向的 1^附03膜 13、具有(001)取向的(NaxBia5)TiOa5x+2.75_BaTi03 膜 (0.四彡χ彡0.4) 14、具有(001)取向的(Bi，Na，Ba)Ti03膜15、導電膜17。所疊層的這些膜12 15和17互相接觸。壓電體薄膜Id的金屬電極膜12可以與1^附03膜13—同作為向壓電體層(Bi， Na，Ba) TiO3膜15施加電壓的電極層發(fā)揮作用。換而言之，該電極層為LaNiO3膜13和金屬電極膜12的疊層體。在壓電體薄膜Id中，在LaNiO3膜13 (或者具備LaNiO3膜13的該電極層)和導電膜17之間，還夾置出土，恥，8￡1)1103膜15。LaNiO3膜13 (或者具備LaNiO3膜的該電極層)和導電膜17可以作為向壓電體層(Bi，Na, Ba)TiO3膜15施加電壓的電極層發(fā)揮作用。圖ID所表示的壓電體薄膜Id可以在金屬電極膜12上依次形成LaNiO3膜13、 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 II (0· 29 彡 χ 彡 0· 4)14、(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15 和導電膜 17 而制造。制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法可以包括在金屬電極膜(優(yōu)選Pt膜)12上形成 LaNiO3膜13的工序。該方法還可以包括在(Bi，Na, Ba)TiO3膜15上形成導電膜17的工序。這樣就就可以制造圖ID所表示的壓電體薄膜Id。如圖IE所示，本發(fā)明的壓電體薄膜還可以具備基板11。LaNiO3膜形成在該基板上。在圖IE所表示的壓電體薄膜Ie中，圖ID所表示的疊層結(jié)構(gòu)16d形成在基板11上?；?1可以為硅(Si)基板。優(yōu)選Si單晶基板。在基板11和疊層結(jié)構(gòu)16d之間(更具體而言，基板11和LaNiO3膜13之間)，可以配置使兩者的密合性提高的密合層。其中，密合層需要設為導電性的。密合層的材料的例子為Ti。該材料可以為Ta、Fe、C0、Ni、Cr或這些的化合物。密合層可以由2種以上的這些材料構(gòu)成。密合層可以根據(jù)基板11和疊層結(jié)構(gòu)16d的密合性而省略。圖IE中表示的壓電體薄膜Ie可以在基板11上依次形成金屬電極膜(優(yōu)選Pt 膜)12、LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75"BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi, Na, Ba) TiO3 膜15和導電膜17而制造。制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法可以包括在基板11上形成LaNiO3膜13的工序。圖IA 圖ID所表示的壓電體薄膜Ia Id可以使用基底基板而制造。具體而言，該壓電體薄膜Ia Id可以通過在基底基板上形成疊層結(jié)構(gòu)16a 16d后除去該基底基板而制造。該基底基板可以通過蝕刻這樣的公知方法除去。圖IE所表示的壓電體薄膜Ie也可以使用基底基板制造。在具體的一個方式中，在基底基板兼為基板11的具體的另一個方式中，在基底基板上形成疊層結(jié)構(gòu)16d后，除去該基底基板，再在另外準備的基板11上配置疊層結(jié)構(gòu)16d，由此可以制造該壓電體薄膜le?；谆蹇梢詾镸gO這樣的具有NaCl型結(jié)構(gòu)的氧化物基板；SrTi03、LaAW3、和 NdGaO3這樣的具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的氧化物基板；Al2O3這樣的具有剛玉型結(jié)構(gòu)的氧化物基板；MgAl2O4這樣的具有尖晶石型結(jié)構(gòu)氧化物基板；TW2這樣的金紅石型結(jié)構(gòu)的氧化物基板和(La，Sr) (Al，Ta)03、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)這樣的具有立方晶系的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化物基板?；谆蹇梢酝ㄟ^在玻璃基板、氧化鋁這樣的陶瓷基板、和不銹鋼這樣的金屬基板的表面上，疊層具有NaCl型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化物薄膜而形成。此時，在該氧化物薄膜的表面上，可以形成金屬電極膜12或LaNiO3膜13。氧化物薄膜的例子為MgO薄膜、NiO薄膜和氧化鈷(CoO)薄膜。制造壓電體薄膜的本發(fā)明的方法，如上所述，可以包括在基底基板上直接或隔著金屬電極膜12這樣的其他膜而形成LaNiO3膜13的工序?？梢栽诔タ杉鏋榛?1的基底基板后，配置其他基板。此時，該其他基板可以以與金屬電極膜12或LaNiO3膜13相接的方式配置。該其他基板可以以與(Bi，Na, 8幻1103膜15相接的方式配置。根據(jù)后者，可以得到在該其他基板上以如下順序疊層(Bi，Na，Ba) TiO3膜15、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14和LaNiO3膜13而得到的壓電體薄膜。[噴墨頭]以下，參照圖2 圖12B說明本發(fā)明的噴墨頭。圖2表示本發(fā)明的噴墨頭一個方式。圖3是表示圖2所表示的噴墨頭100中含有壓力室部件和驅(qū)動器部的主要部分的分解圖。圖2和圖3中的符號A是指壓力室部件。壓力室部件A具備貫通其厚度方向(圖的上下方向)的貫通孔101。圖3所表示的貫通孔101是在壓力室部件A的厚度方向上所切斷的該貫通孔101的一部分。符號B是指具備壓電體薄膜和振動層的驅(qū)動器部。符號C 是指具備共通液室105和油墨流路107的油墨流路部件C。壓力室部件A、驅(qū)動器部B和油墨流路部件C，以壓力室部件A夾置于驅(qū)動器部B和油墨流路部件C的方式互相接合。在壓力室部件A、驅(qū)動器部B和油墨流路部件C互相接合的狀態(tài)下，貫通孔101形成容納從共通液室105所供給的油墨的壓力室102。具備驅(qū)動器部B的壓電體薄膜和振動層，在平面視圖中與壓力室102重疊。圖2和圖3中的符號103是指作為壓電體薄膜一部分的個別電極層。如圖2所示，噴墨頭100具備在平面視圖中呈鋸齒狀配置的2以上的個別電極層103，即，壓電體薄膜。油墨流路部件C具備在平面視圖中條紋狀配置的2個以上的共通液室105。在圖 1和圖2中，各個共通液室105在平面視圖中與2個以上的壓力室102重疊。共通液室105 沿著噴墨頭100中的油墨供給方向(圖2中的箭頭方向)延伸。油墨流路部件C具備向壓力室102供給共通液室105內(nèi)的油墨的供給口 106、從噴嘴孔108排出壓力室102內(nèi)的油墨的油墨流路107。通常，1個供給孔106和1個噴嘴孔108與1個壓力室102對應安裝。噴嘴孔108形成在噴嘴板D上。噴嘴板D以與壓力室部件A —同夾著油墨流路部件C的方式，與油墨流路部件C接合。圖2中的符號E是指IC芯片。IC芯片E通過焊線BW與驅(qū)動器部B表面露出的個別電極層103電連接。為了使圖2清楚，圖2中僅表示了一部分焊線BW。圖4A和圖4B表示包含壓力室部件A和驅(qū)動器部B的主要部分的結(jié)構(gòu)。圖4A和圖4B表示在壓力室部件A和驅(qū)動器部B中與油墨供給方向(圖2中的箭頭方向)正交的剖面。驅(qū)動器部B具備具有夾置于第1電極(個別電極層10 和第2電極(共通電極層 112)的壓電體層15的壓電體薄膜104(10 104d)。一個個別電極層103與一個壓電體薄膜10 104d對應安裝。共通電極層112是與壓電體薄膜10 104d共通的電極。圖4A所表示的壓電體薄膜104具有圖IC所表示的疊層結(jié)構(gòu)16c。該結(jié)構(gòu)從LaNiO3 膜13側(cè)以如下順序具備作為個別電極層103的LaNiO3膜13、(NaxBia5)TiOa5j^75-BaTiO3膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14、作為壓電體層的(Bi，Na, Ba)TiO3膜15和作為共通電極層112的導電膜17。圖4B所表示的壓電體薄膜104具有圖ID所表示的疊層結(jié)構(gòu)16d。該結(jié)構(gòu)從金屬電極膜12側(cè)以如下順序具有作為個別電極層103的金屬電極膜(優(yōu)選Pt膜)12和LaNiO3 膜 13、以及(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTi03 II (0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、作為壓電體層的(Bi, Na, Ba) TiO3膜15和作為共通電極層112的導電膜17。LaNiO3膜13形成在金屬電極膜12上。在圖4Α和圖4Β所表示的壓電體薄膜104中，金屬電極膜12、LaNiO3膜13、 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 II (0· 29 彡 χ 彡 0· 4)14、(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15 和導電膜 17 基本上包含其優(yōu)選的方式，如關于本發(fā)明的壓電體薄膜的上述說明所示。作為共通電極層112的導電膜17可以是在表面上具有由導電性材料構(gòu)成的密合層的Pt膜。該導電性材料優(yōu)選Ti。這是由于Ti對于(Bi，Na，Ba)TiO3膜15具有高密合性，可以作為壓電體層和共通電極層的密合層良好地發(fā)揮作用。只要施加在第1電極和第2電極之間的電壓可以感應壓電體層15的變形，第1電極和第2電極的任何一個都可以是個別電極層。即，本發(fā)明的噴墨頭中的壓電體薄膜可以以如下順序具備共通電極層 112、(NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14、作為壓電體層的(Bi，Na，Ba) TiO3膜15和個別電極層103。此時，作為第1電極的共通電極層112 由LaNiO3膜13構(gòu)成。或者，共通電極層112由LaNiO3膜13和金屬電極膜12的疊層體構(gòu)成，在該壓電體薄膜中以使 LaNiO3 膜 13 與(NaxBia5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 相接的方式配置。個別電極層103由導電膜17構(gòu)成。個別電極層103優(yōu)選具有0. 05 μ m以上、1 μ m以下的厚度。個別電極層103為金屬電極膜12和LaNiO3膜13的疊層體時，LaNiO3膜13優(yōu)選具有0. 05 μ m以上、0. 5 μ m以下的厚度。(NaxBitl.5) TiOci 5j^2 75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 優(yōu)選具有 0. 05 μ m 以上、0. 5 μ m 以下的厚度。出丨，妝，8￡1)1103膜15優(yōu)選具有0.511111以上、511111以下的厚度。共通電極層 112優(yōu)選具有0. 05 μ m以上、0. 5 μ m以下的厚度。驅(qū)動器部B還具備振動層111。振動層111與壓電體薄膜104的共通電極層112 接合。振動層111按照由壓電效果引起的壓電體薄膜104的變形而在振動層111的膜厚方向上發(fā)生位移。通過個別電極層103和共通電極層112向壓電體層15上的電壓的施加引起由壓電效果導致的壓電體薄膜104的變形。壓力室部件A隔著中間層113和粘接層114與振動層111接合。壓力室部件A和壓電體薄膜104之間夾著振動層111。(1)對應于由壓電效果導致的壓電體薄膜104的變形，振動層111產(chǎn)生位移，(2)對應于振動層111的位移，壓力室102的容積變化，且，(3)只要可以對應于壓力室102的容積變化而排出壓力室102內(nèi)的油墨，振動層 111的構(gòu)成、壓電體薄膜104與振動層111之間的接合狀態(tài)、以及振動層111與壓力室部件 A之間的接合狀態(tài)就沒有限定。在圖4A和圖4B中，振動層111構(gòu)成壓力室102的壁面。構(gòu)成振動層111的材料例如為Cr。該材料可以為Ni、鋁(Al)、Ta、鎢(W)、硅或這些元素的氧化物、氮化物(例如，二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化硅)。振動層111的厚度優(yōu)選為2μπι以上、5μπι以下。構(gòu)成粘接層114的材料例如為粘接劑或膠粘劑。本領域技術人員可以適當選擇粘接劑和膠粘劑的種類。中間層(縱壁)113防止在壓力室部件A通過粘接層114與振動層111接合時，粘接層114附著在壓力室102中露出的振動層111的一部分上。附著在該一部分上的粘接劑妨礙振動層111的位移。構(gòu)成中間層113的材料，只要可以維持噴墨頭100的功能，就沒有限制。中間層113的材料例如為Ti。中間層113可以省略。壓力室部件A在相鄰的壓力室102間具有隔壁10加。參照圖5A 圖10說明制造圖2所表示的噴墨頭100的方法的一個例子。首先，如圖5A所示，在基底基板120上，以如下順序形成金屬電極膜(優(yōu)選Pt 膜)12、LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5)Ti00.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4)(界面層)14、(Bi， Na, Ba) TiO3膜(壓電體層)15、導電膜17、振動層111和中間層113，得到疊層體132。形成各層(膜)的薄膜形成方法沒有特別限定。該方法的例子為PLD法、CVD法、溶膠凝膠法、 AD法、濺射法。該方法優(yōu)選濺射法。與疊層體132的形成分開，形成之后成為壓力室部件A的部件。該部件例如可以微細加工Si基板(優(yōu)選Si單晶基板)而形成。Si基板的尺寸優(yōu)選比基底基板120的尺寸大(參照圖10。圖10中的符號130為Si基板。符號130可以為Si基板以外的其他基板)。更具體而言，如圖5Β所示，在基板130中形成多個貫通孔101。貫通孔101在該部件與另外形成的驅(qū)動器部和油墨流路部件接合后，作為壓力室102發(fā)揮作用。在圖5Β中，1個貫通孔群由4個貫通孔101構(gòu)成。基板130具備多個該貫通孔群。第1隔壁10 隔開屬于 1個貫通孔群的鄰接的2個通孔101。第2隔壁102b隔開鄰接的2個貫通孔群。第2隔壁 102b優(yōu)選具有第1隔壁10 具有的寬度的2倍以上的寬度。貫通孔101可以通過公知的微細加工方法設置在基板130中。該方法例如可以是圖案化和蝕刻的組合。蝕刻可以為化學蝕刻或干蝕刻。貫通孔101的形狀可以與所希望的壓力室102的形狀對應安裝。以下，將第1隔壁102a和第2隔壁102b總稱為隔壁102。然后，如圖5C所示，在隔壁102上形成粘接層114。粘接層114的形成方法沒有限定。該方法例如可以為電沉積法。之后，如圖6A所示，基板130接合在疊層體132上。通過該接合，中間層113夾置于基板130和疊層體132之間。在基板130的尺寸比基底基板120的尺寸大時，如圖10 所示，多個疊層體132(在圖10所示的例子中有14個疊層體。在圖10中，可以看到疊層體 132具備的基底基板120)可以接合在基板130上。在圖6A中，在基板130上接合2個疊層體132。在圖6A中，2個疊層體132的中心位于第2隔壁102b的延長線上。通過基板130 與疊層體132的接合，導電膜17成為共通電極層112。在粘接層114由熱固化性的粘接劑構(gòu)成時，優(yōu)選在基板130與疊層體132接合后，加熱使粘接層114完全固化。接合時在貫通孔101中露出的粘接層114可以通過等離子體處理除去。然后，如圖6B所示，將隔壁102作為掩模使用而蝕刻中間層113。該蝕刻以與貫通孔101的剖面的形狀相匹配的方式進行。由此，振動層111暴露在貫通孔101中。通過該蝕刻，中間層113在平面視圖中變化為與隔壁102相同的形狀。中間層113與隔壁102和粘接層114 一同構(gòu)成縱壁。這樣就形成具備基板130、中間層113和粘接層114的壓力室部件A。
在圖5B 圖6B所表示的例子中，形成了貫通孔101的基板130與含有壓電體層 15的疊層體132接合。也可以代替該程序，通過將不具備貫通孔101的基板130與疊層體 132接合，然后在該基板130上形成貫通孔101而使振動層111露出，從而形成壓力室部件 A0之后，如圖7A所示，基底基板120例如通過蝕刻除去。然后，如圖7B所示，通過組合了光刻和蝕刻的微細加工，金屬電極膜12和LaNiO3 膜13變化為2以上的個別電極層103。各個別電極層103在平面視圖中與各個貫通孔101
對應安裝。之后，如圖8A 所示，微細加工(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTi03 II (0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 和(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15。經(jīng)過微細力卩工的(NaxBi0.5)Ti00.5x+2.75_BaTi03 膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14和(Bi, Na, Ba)TiO3膜15，在平面視圖中都具有與個別電極層103的形狀相同的形狀。在該微細加工中，優(yōu)選平面視圖中的各層(膜)的中心與貫通孔101的中心高精度地一致。這樣就形成具備由個別電極層103(金屬電極膜12和LaNiO3膜13)、 (NaxBi0.5)TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 和共通電極層 112(導電膜17)構(gòu)成的壓電體薄膜104和振動層111的驅(qū)動器部B。然后，如圖8B所示，將共通電極層112、振動層111和基板130在每個第2隔壁 102b處切斷，得到2個以上的部件133。1個部件133具備驅(qū)動器部B和具有2個以上的貫通孔101的壓力室部件A。驅(qū)動器部B接合于壓力室部件A。與上述的各程序分開，如圖9A所示，準備具備共通液室105、供給口 106和油墨流路107的油墨流路部件C，和具備噴嘴孔108的噴嘴板D。然后，如圖9B所示，以從與油墨流路部件C的主面垂直的方向看油墨流路107與噴嘴孔108重疊的方式，將油墨流路部件C接合于噴嘴板D而得到接合體。優(yōu)選在油墨流路107上露出噴嘴孔108的整體。兩部件的接合方法沒有限定，例如，可以使用粘接劑。之后，如圖9C所示，部件133接合在圖9B所表示的工序中所準備的接合體上。更具體而言，壓力室部件A中的與驅(qū)動器部B側(cè)相反側(cè)的面和油墨流路部件C中的與噴嘴板D 側(cè)相反側(cè)的面接合。接合時進行對齊調(diào)整，通過該接合使貫通孔101作為壓力室102發(fā)揮作用。接合方法沒有限定，例如，可以使用粘接劑。這樣就可以得到圖9D(圖2)所表示的噴墨頭100。本領域技術人員可以應用圖5A 圖10所表示的方法制造具有不具備金屬電極膜 12的壓電體薄膜104的噴墨頭。圖11表示本發(fā)明的其他噴墨頭。圖11所表示的噴墨頭141，與圖2 圖4所表示的噴墨頭100相比較，具有簡易的結(jié)構(gòu)。具體而言，從噴墨頭100中除去了油墨流路部件 C0圖11所表示的噴墨頭141除了以下的(1) (6)以外，與圖2 圖4所表示的噴墨頭100相同(1)沒有油墨流路部件C，并且具備噴嘴孔108的噴嘴板D直接與壓力室部件A接合；(2)沒有中間層113，并且振動層111直接與壓力室部件A接合；(3)在振動層 111和共通電極層112之間配置有密合層142，該密合層142使它們之間的密合性提高；(4) 共通電極層112為金屬電極膜12和LaNiO3膜13的疊層體；(5)個別電極層103為導電膜 17 ； (6)從共通電極層112側(cè)依次疊層共通電極層112 (金屬電極膜12和LaNiO3膜13)、(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 和個別電極層 103(導電膜17)。共通電極層112作為第1電極發(fā)揮作用。個別電極層103作為第2電極發(fā)揮作用。構(gòu)成密合層142的材料例如為Ti。圖11所表示的噴墨頭141例如可以通過圖12A和圖12B所表示的方法制造。首先，如圖12A所示，在基板130 —側(cè)的主面上，以如下順序形成振動層111、密合層 142、共通電極層 112(金屬電極膜 12 和 LaNiO3 膜 13)、(NaxBi0.5)Ti00.5x+2.75-BaTi03 膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14、(Bi, Na, Ba)TiO3膜15和導電膜17。各層(膜)的形成方法如上所述。該方法優(yōu)選濺射法。在該實施方式中，當基板130為Si時，通過氧化該基板的表面，可以形成由二氧化硅構(gòu)成的振動層111。此時，振動層111的厚度可以為0.5 10 μ m。然后，如圖12B所示，在基板130中，在形成壓力室102的位置形成貫通孔101。然后，以從與基板130的主面的垂直方向看，貫通孔101的中心與導電膜17、(Bi, Na, Ba)TiO3 膜 15 和(NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 的各層的中心一致的方式，對這些層實施微細加工。通過該微細加工，導電膜17變化為個別電極層103。在貫通孔101 的形成和各層的微細加工中，可以使用組合了圖案化和蝕刻的公知的微細加工方法。在圖案化中，可以使用抗蝕劑的旋涂。蝕刻優(yōu)選干蝕刻。貫通孔101的形成優(yōu)選各向異性干蝕亥IJ。在干蝕刻中，可以使用含有氟原子的有機氣體和氬的混合氣體。在各向異性干蝕刻中，該混合氣體還可以含有六氟化硫氣體。最后，基板130與另外形成的具有噴嘴孔108的噴嘴板接合，得到圖11所表示的噴墨頭141。在接合時進行對齊調(diào)整，通過這些的接合，使貫通孔101作為壓力室102發(fā)揮作用。接合方法沒有限定，例如，可以使用粘接劑。噴嘴孔108可以通過光刻法、激光加工法、放電加工法這樣的微細加工方法在噴嘴板上形成。[使用噴墨頭的圖像形成方法]本發(fā)明形成圖像的方法包括在上述的本發(fā)明的噴墨頭中，由第1和第2電極 (即，個別電極層和共通電極層)向壓電體層施加電壓，通過壓電效果使振動層在該層的膜厚方向上產(chǎn)生位移從而使壓力室的容積變化的工序；以及通過該位移使油墨從壓力室排出的工序。通過一邊使紙這樣的圖像形成對象物和噴墨頭之間的相對位置變化，一邊使施加于壓電體層的電壓變化而控制油墨從噴墨頭的排出時間和排出量，從而在對象物的表面形成圖像。本說明書中所使用的用語“圖像”包含文字。換而言之，通過本發(fā)明的形成圖像的方法，可以在紙這樣的印刷對象物上印刷文字、圖畫、圖形等。在該方法中，可以形成具有高表現(xiàn)力的印刷。[角速度傳感器]圖13Α、圖13Β、圖14Α和圖14Β表示本發(fā)明的角速度傳感器的一個例子。圖14Α 表示圖13Α所表示的角速度傳感器21a的剖面Ε1。圖14B表示圖1 所表示的角速度傳感器21b的剖面E2。圖13A 圖14B所表示的角速度傳感器21a、21b為所謂的音叉型角速度傳感器。其可以在車輛用導航裝置和數(shù)碼相機的防手抖補正傳感器中使用。圖13A 圖14B所表示的角速度傳感器21a、21b具備具有振動部200b的基板200、接合在振動部200b上的壓電體薄膜208?；?00具備固定部200a、從固定部200a沿指定方向伸出的一對臂(振動部 200b)。振動部200b延伸的方向與角速度傳感器21測定的角速度的旋轉(zhuǎn)中心軸L延伸的方向相同。具體而言，該方向在圖13A、13B中為Y方向。從基板200的厚度方向(圖13A、 13B中的Z方向)看，基板200含有具有2根臂(振動部200b)的音叉形狀。構(gòu)成基板200的材料沒有限定。該材料例如為Si、玻璃、陶瓷、金屬?；?00可以為Si單晶基板?；?00的厚度只要能表現(xiàn)作為角速度傳感器21a、21b的功能，就沒有限定。更具體而言，基板200的厚度為0. Imm以上、0.8mm以下。固定部200a的厚度可以與振動部200b的厚度不同。壓電體薄膜208接合在振動部200b上。壓電體薄膜208具備作為壓電體層的 (Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15、作為界面層的(NaxBia5)TiOaa^75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0.4)14、第1電極202和第2電極205。作為壓電體層的(Bi，Na, 8幻1103膜15夾置于第1電極 202和第2電極205之間。壓電體薄膜208具有以如下順序疊層第1電極202、(NaxBi0.5) TiO0.5χ+2.T5-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 和第 2 電極 205 而得到的疊層結(jié)構(gòu)。在圖13Α和圖14Α所表示的壓電體薄膜208中，第1電極202為金屬電極膜(優(yōu)選 Pt 膜)12 和 LaNiO3 膜 13 的疊層體。LaNiO3 膜 13 與(NaxBi0.5)Ti00.5x+2.75-BaTi03 膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14相接。該壓電體薄膜208具有以如下順序疊層金屬電極膜12、LaNi03 膜 13、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15 和第 2 電極205而得到的疊層結(jié)構(gòu)。S卩，圖13Α和圖14Α所表示的壓電體薄膜208將第2電極205 認作導電膜17，與圖ID所表示的壓電體薄膜Id相同。在圖1 和圖14Β所表示的壓電體薄膜208中，第1電極202為LaNiO3膜13。該壓電體薄膜208具有以如下順序疊層LaNiO3膜13、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29彡χ彡0.4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3膜15和第2電極205而得到的疊層結(jié)構(gòu)。即，圖 1 和圖14B所表示的壓電體薄膜208將第2電極205認作導電膜17，與圖IC所表示的壓電體薄膜Ic相同。在圖13A 圖14B所表示的壓電體薄膜208中，金屬電極膜12、LaNiO3膜13、 (NaxBi0.5)TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 和(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 包含其優(yōu)選方式，基本上，如關于本發(fā)明的壓電體薄膜的上述說明所述。構(gòu)成第2電極205的材料沒有限定，例如為Cu。Cu電極由于具有對于(Bi，Na，Ba) 打03膜15的高密合性，故而優(yōu)選。第2電極205可以是在表面上具有由導電性材料構(gòu)成的密合層的Pt電極膜或Au電極膜。構(gòu)成密合層的材料例如為Ti。Ti具有對于(Bi，Na，Ba) TiO3膜15的高密合性。第2電極205具備含有驅(qū)動電極206和感應電極207的電極群。驅(qū)動電極206向壓電體層15施加使振動部200b振蕩的驅(qū)動電壓。感應電極207測定由施加在振動部200b 的角速度而在振動部200b上產(chǎn)生的變形。振動部200b的振蕩方向通常為其寬度方向(圖 13A、13B中的X方向)。更具體而言，在圖13A 圖14B所表示的角速度傳感器中，一對驅(qū)動電極206沿著振動部200b的長度方向(圖13A、13B的Y方向)被設置在相對于振動部 200b的寬度方向的兩端部上。1根驅(qū)動電極206可以設置在相對于振動部200b的寬度方向的一側(cè)的端部上。在圖13A 圖14B所表示的角速度傳感器中，感應電極207沿著振動部200b的長度方向設置，且夾置于一對驅(qū)動電極206之間。多個感應電極207可以設置在振動部200b上。由感應電極207所測定的振動部200b的變形通常是其厚度方向(圖13A、 13B中的Z方向)的彎曲。在本發(fā)明的角速度傳感器中，選自第1電極和第2電極中的一個電極可以由包含驅(qū)動電極和感應電極的電極群構(gòu)成。在圖13A 圖14B所表示的角速度傳感器21a、21b 中，第2電極205由該電極群構(gòu)成。與該角速度傳感器不同，第1電極202可以由該電極群構(gòu)成。作為一個例子，從基板200看，第2電極205、(Bi，Na，8&)1103膜15、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(0.四彡 χ 彡 0. 4) 14 和第 1 電極 202 (第 1 電極具備與(NaxBi0.5) TiO0.5x+2. T5-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 相接的 LaNiO3 膜 13)可以以如上順序疊層。接線端子20加、206￡1和207a分別在第1電極202的端部、驅(qū)動電極206的端部和感應電極207的端部形成。各接線端子的形狀和位置沒有限定。在圖13A、13B中，接線端子設置在固定部200a上。第1電極202的厚度優(yōu)選0.05 μ m以上、Iym以下。第1電極202為金屬電極膜12和LaNiO3膜13的疊層體時，LaNiO3膜13的厚度優(yōu)選0. 05 μ m以上、0. 5 μ m以下。 (NaxBitl 5)TiOci a^2 75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0.4)14 的厚度優(yōu)選 0. 05 μ m 以上、0. 5 μ m 以下。出丨，妝，8￡1)1103膜15的厚度優(yōu)選0.511111以上、511111以下。第2電極205的厚度優(yōu)選 0. 05ym 以上、0. 5μπι 以下。在圖13Α 圖14Β所表示的角速度傳感器中，壓電體薄膜208接合于振動部200b 和固定部200a兩者。但是，只要壓電體薄膜208能夠使振動部200b振蕩，且振動部200b 上產(chǎn)生的變形可以由壓電體薄膜208測定，則壓電體薄膜208的接合狀態(tài)就不被限定。例如，壓電體薄膜208可以僅與振動部200b接合。本發(fā)明的角速度傳感器可以具有2個以上由一對振動部200b構(gòu)成的振動部群。這樣的角速度傳感器可以測定相對于多個旋轉(zhuǎn)中心軸的角速度，并可以作為2軸或3軸的角速度傳感器發(fā)揮作用。圖13A 圖14B所表示的角速度傳感器具有由一對振動部200b構(gòu)成的1個振動部群。本發(fā)明的角速度傳感器可以應用上述的本發(fā)明的壓電體薄膜的制造方法，例如，如下來制造。但是，以下所表示的方法為第1電極202具備金屬電極膜12時的方法。本領域技術人員對于第1電極202不具備金屬電極膜12的情況，也可以應用以下的方法。首先，在基板(例如Si基板)的表面上，以如下順序形成金屬電極膜(優(yōu)選Pt 膜)12、LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75"BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi, Na, Ba) TiO3 膜15和導電膜17。在各層(膜)的形成中，可以適用上述的薄膜形成方法。該方法優(yōu)選濺射法。然后，通過圖案化來微細加工導電膜17，從而形成由驅(qū)動電極206和感應電極 207構(gòu)成的第2電極205。進一步，通過微細加工，將(Bi, Na, 8￡1)1103膜15、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2. T5-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14,LaNiO3 膜 13 和金屬電極膜 12 圖案化。并且，通過微細加工將基板圖案化，形成振動部200b。這樣就可以制造本發(fā)明的角速度傳感器。微細加工的方法例如為干蝕刻。本發(fā)明的角速度傳感器可以應用使用了基底基板的轉(zhuǎn)印來制造。具體而言，例如可以適用以下的方法。首先，在基底基板的表面上，以如下順序形成金屬電極膜12、LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5)TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 和導電膜 17。然后，在另一個新的基板上接合所形成的疊層體，以使該基板和該導電膜17相接。然后，通過公知的方法除去基底基板。然后，通過微細加工而將各層(膜)圖案化，可以制造本發(fā)明的角速度傳感器。該疊層體和該新的基板例如可以通過粘接層接合。該粘接層的材料只要該疊層體在該新的基板上穩(wěn)定粘接就沒有限定。更具體而言，可以使用丙烯酸樹脂類粘接劑、環(huán)氧樹脂類粘接劑、有機硅類粘接劑和聚酰亞胺類粘接劑。此時，粘接層優(yōu)選具有0. 2μπι以上、Iym以下的厚度。[由角速度傳感器測定角速度的方法]本發(fā)明的測定角速度的方法包括使用本發(fā)明的角速度傳感器向壓電體層施加驅(qū)動電壓，使基板的振動部振蕩的工序；和通過測定由施加于振蕩中的振動部的角速度而在振動部產(chǎn)生的變形，從而得到該角速度的值的工序。第1電極和第2電極之中不作為驅(qū)動電極和感應電極發(fā)揮作用的電極(另一個電極)和驅(qū)動電極之間施加驅(qū)動電壓，并向壓電體層施加驅(qū)動電壓。另一個電極和感應電極測定由角速度而在振蕩中的振動部產(chǎn)生的變形。以下，說明使用了圖13Α、13Β所表示的角速度傳感器21a、21b的角速度的測定方法。與振動部200b的固有振動共振的頻率的驅(qū)動電壓，通過第1電極202和驅(qū)動電極206 施加于作為壓電體層的(Bi，Na, Ba)TiO3膜15，使振動部200b振蕩。驅(qū)動電壓例如可以通過將第1電極202接地，且使驅(qū)動電極206的電位變化而施加(換而言之，驅(qū)動電壓是第1 電極202和驅(qū)動電極206之間的電位差)。角速度傳感器21a、21b具有以音叉的形狀排列的一對振動部200b。通常，向一對振動部200b各自具有的各驅(qū)動電極206分別施加正負相反的電壓。由此，能夠使各振動部200b以彼此反向的振動的模式(圖13A、i;3B所表示的相對于旋轉(zhuǎn)中心軸L對稱地振動的模式)振蕩。在圖13A、i;3B所表示的角速度傳感器21a、 21b中，振動部200b在其寬度方向(X方向)上振蕩。通過僅使一對振動部200b中的一個振蕩也可以實現(xiàn)角速度的測定。但是，為了高精度的測定，優(yōu)選使兩個振動部200b以彼此反向的振動的模式振蕩。在對于振動部200b正在振動的角速度傳感器21施加相對于其旋轉(zhuǎn)中心軸L的角速度ω時，各振動部200b通過科里奧利力(Coriolis force)在厚度方向(Z方向)上彎曲。當一對振動部200b以彼此反向的振動的模式進行振動時，各振動部200b彼此反向地彎曲相同的變化量。對應于該彎曲，與振動部200b接合的壓電體層15也彎曲，在第1電極 202和感應電極207之間，產(chǎn)生了對應于壓電體層11的彎曲，即，對應于產(chǎn)生的科里奧利力的電位差。通過測定該電位差的大小，就能夠測定施加于角速度傳感器21的角速度ω?？评飱W利力Fc和角速度ω之間成立下面的關系Fc = 2mv ω這里，ν為振動中的振動部200b中振動方向的速度。m為振動部200b的質(zhì)量。如該式所示，可以由科里奧利力Fc算出角速度ω。[壓電發(fā)電元件]圖15Α、圖15Β、圖16Α和圖16Β表示本發(fā)明的壓電發(fā)電元件的一個例子。圖16Α 表示圖15Α所表示的壓電發(fā)電元件22a的剖面F1。圖16B表示圖15B所表示的壓電發(fā)電元件22b的剖面F2。壓電發(fā)電元件22a、22b是將從外部施加的機械振動轉(zhuǎn)換為電能的元件。壓電發(fā)電元件22a、22b優(yōu)選應用在由車輛和機械的動力振動和運行振動以及行走時產(chǎn)生的振動所包含的各種振動來發(fā)電的獨立的電源裝置中。圖15A 圖16B所表示的壓電發(fā)電元件22a、22b具備具有振動部300b的基板300、與振動部300b接合的壓電體薄膜308?；?00具有固定部300a和由從固定部300a沿指定方向伸出的梁所構(gòu)成的振動部300b。構(gòu)成固定部300a的材料可以與構(gòu)成振動部300b的材料相同。但是，這些的材料可以彼此不同。由彼此不同的材料構(gòu)成的固定部300a可以接合在振動部300b上。構(gòu)成基板300的材料沒有限定。該材料例如為Si、玻璃、陶瓷、金屬。基板300可以為Si單晶基板?；?00例如具有0. Imm以上、0.8mm以下的厚度。固定部300a可以具有與振動部300b的厚度不同的厚度。振動部300b的厚度可以進行調(diào)整，以使振動部300b 的共振頻率變化而可以進行有效的發(fā)電。重物負荷306接合在振動部300b上。重物負荷306調(diào)整振動部300b的共振頻率。重物負荷306例如為Ni的蒸鍍薄膜。重物負荷306的材料、形狀和質(zhì)量以及重物負荷306 所接合的位置可以對應于需要的振動部300b的共振頻率進行調(diào)整。重物負荷306可以省略。在不調(diào)整振動部300b的共振頻率時，不需要重物負荷306。壓電體薄膜308與振動部300b接合。壓電體薄膜308具備作為壓電體層的(Bi， Na，Ba) TiO3 膜 15、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、第 1 電極 302 和第 2電極305。(Bi，Na，Ba) TiO3膜15夾置于第1電極302和第2電極305之間。壓電體薄膜 308 具有以如下順序疊層第 1 電極 302、(NaxBia5) TiOa 5!￡+2.75-8￡11103膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14、 (Bi，Na, Ba)TiO3膜15和第2電極305得到的疊層結(jié)構(gòu)。在圖15Α和圖16Α所表示的壓電體薄膜308中，第1電極302是金屬電極膜12和 LaNiO3 膜 13 的疊層體。LaNiO3 膜 13 與(NaxBitl. 5) TiOtlH75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 相接。該壓電體薄膜308具有以如下順序疊層金屬電極膜12、1^附03膜13、(NaxBi0.5) TiO0.5χ+2.T5-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 和第 2 電極 305 得到的疊層結(jié)構(gòu)。即，圖15Α和圖16Α所表示的壓電體薄膜308將第2電極305認作導電膜17，與圖ID所表示的壓電體薄膜Id相同。在圖15Β和圖16Β所表示的壓電體薄膜308中，第1電極302為LaNiO3膜13。該壓電體薄膜308具有以如下順序疊層LaNiO3膜13、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0.四彡χ彡0.4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3膜15和第2電極305得到疊層結(jié)構(gòu)。即，圖15B禾口圖16B所表示的壓電體薄膜308將第2電極305認作導電膜17，與圖IC所表示的壓電體薄膜Ic相同。在圖15A 圖16B所表示的壓電體薄膜308中，金屬電極膜12、LaNiO3膜13、 (NaxBi0.5)TiO0.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14 和(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 包含其優(yōu)選方式，基本上，如關于本發(fā)明的壓電體薄膜的上述的說明所述。第2電極305例如可以為Cu電極膜。Cu電極由于具有對于(Bi，Na, Ba)TiO3膜 15的高密合性，故而優(yōu)選。第2電極305可以是在表面上具有由導電性材料構(gòu)成的密合層的Pt電極膜或Au電極膜。構(gòu)成密合層的材料例如為Ti。Ti具有對于(Bi，Na，Ba) TiO3膜 15的高密合性。在圖15Α 圖16Β所表示的壓電發(fā)電元件中，第1電極302的一部分露出。該一部分可以作為接線端子30 發(fā)揮作用。第1電極302的厚度優(yōu)選0.05 μ m以上、Iym以下。第1電極302是金屬電極膜12和LaNiO3膜13的疊層體時，LaNiO3膜13的厚度優(yōu)選0. 05 μ m以上、0. 5 μ m以下。 (NaxBitl 5)TiOci a^2 75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0.4)14 的厚度優(yōu)選 0. 05 μ m 以上、0. 5 μ m 以下。出丨，妝，8￡1)1103膜15的厚度優(yōu)選0.511111以上、511111以下。第2電極305的厚度優(yōu)選 0. 05ym 以上、0. 5μπι 以下。在圖15Α 圖16Β所表示的壓電發(fā)電元件中，從具有振動部300b的基板300側(cè)看，以如下順序疊層第 1 電極 302、(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14、(Bi， Na，Ba)TiO3膜15和第2電極305。這些的層的疊層順序可以相反。即，從具有振動部的基板側(cè)看，可以以如下順序疊層第2電極、(Bi，Na, Ba)TiO3膜、(NaxBia5)TiOciH75-BaTiO3 膜(0.四彡χ彡0. 4)和第1電極(第1電極具備與該(NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29彡χ彡0. 4)相接的LaNiO3膜)。在圖15Α 圖16Β所表示的壓電發(fā)電元件中，壓電體薄膜308可以與振動部300b 和固定部300a兩者接合。壓電體薄膜308可以僅與振動部300b接合。在本發(fā)明的壓電發(fā)電元件中，通過具有多個振動部300b，可以增大產(chǎn)生的電量。通過使各振動部300b具有的共振頻率變化，可以實現(xiàn)對由寬頻率成分構(gòu)成的機械振動的對應。本發(fā)明的壓電發(fā)電元件可以應用上述的本發(fā)明的壓電體薄膜的制造方法，例如，如下制造。但是，以下所表示的方法為第1電極302具備金屬電極膜12時的方法。本領域技術人員對第1電極302不具備金屬電極膜12的情況也可以應用以下方法。首先，在基板(例如Si基板)的表面，以如下順序形成金屬電極膜(優(yōu)選Pt 膜)12、LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75"BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi, Na, Ba) TiO3 膜15和導電膜17。在各層(膜)的形成中，可以適用上述的薄膜形成方法。該方法優(yōu)選濺射法。然后，通過將導電膜17圖案化而進行微細加工，形成第2電極305。再通過微細加工，將(Bi, Na, Ba)TiO3 膜 15、(NaxBi0.5)Ti00.5x+2 75-BaTi03 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、LaNiO3 膜13和金屬電極膜12圖案化。通過LaNiO3膜13和金屬電極膜12的圖案化，接線端子 30 被一并形成。而且，通過微細加工而將基板圖案化，形成固定部300a和振動部300b。這樣可以制造本發(fā)明的壓電發(fā)電元件。在需要調(diào)整振動部300b的共振頻率時，通過公知的方法，重物負荷306與振動部300b接合。微細加工的方法例如為干蝕刻。本發(fā)明的壓電發(fā)電元件可以應用使用了基底基板的轉(zhuǎn)印來制造。具體而言，例如，可以應用以下方法。首先，在基底基板的表面上以如下順序形成金屬電極膜12、1^附03膜 13、(NaxBitl 5)TiOtlH75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4) 14、(Bi，Na，Ba)TiO3 膜 15 和導電膜 17。然后，在另一個新的基板上以該基板與該導電膜17相接的方式接合所形成的疊層體。然后，通過公知的方法除去基底基板。然后，通過微細加工將各層(膜)圖案化，可以制造本發(fā)明的壓電發(fā)電元件。該疊層體和該新的基板例如可以通過粘接層接合。該粘接層的材料只要該疊層體在該新的基板上穩(wěn)定粘接，就沒有限制。更具體而言，可以使用丙烯酸樹脂類粘接劑、環(huán)氧樹脂類粘接劑、有機硅類粘接劑和聚酰亞胺類粘接劑。此時，粘接層優(yōu)選具有0. 2μπ 以上、Ιμ 以下的厚度。[使用壓電發(fā)電元件發(fā)電的方法]通過給上述本發(fā)明的壓電發(fā)電元件賦予振動，經(jīng)過第1電極和第2電極可以獲得 H1^ ο如果從外部對壓電發(fā)電元件22a、22b施加機械的振動，則振動部300b就開始相對于固定部300a的上下彎曲振動。該振動在作為壓電體層的出丨，妝，8幻1103膜15中產(chǎn)生由壓電效果引起的電動勢。這樣就在夾持壓電體層15的第1電極302和第2電極305之間產(chǎn)生電位差。壓電體層15具有的壓電性能越高，第1和第2電極間產(chǎn)生的電位差就越大。特別是在振動部300b的共振頻率與從外部對元件施加的機械振動的頻率相近時，振動部300b的振幅變大而使發(fā)電特性提高。因此，優(yōu)選通過重物負荷306調(diào)整振動部300b的共振頻率，使其接近從外部向元件施加的機械振動的頻率。(實施例)下面，使用實施例更加詳細地說明本發(fā)明。本發(fā)明不局限于以下的實施例。(實施例1)在實施例1中，制作圖IE所表示的壓電體薄膜。該壓電體薄膜依次具備基板11、金屬電極膜 12、LaNiO3 膜 13、(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(x = 0. 35)(界面層)14、(Bi，妝，8幻1103膜(壓電體層)15和導電膜17。該壓電體薄膜如下制作。在具有(100)的面方位的Si單晶基板的表面上，通過RF磁控濺射形成具有(111) 取向的Pt層(厚度IOOnm)。該Pt層對應金屬電極膜12。作為靶材使用金屬Pt，在氬(Ar) 氣的氣氛下，在RF輸出功率15W和基板溫度300°C的成膜條件下形成該Pt層。形成該Pt 層前，在Si單晶基板的表面上形成Ti層(厚度2. 5nm)，使Si單晶基板和Pt層之間的密合性提高。該Ti層除了代替金屬Pt而使用金屬Ti作為靶材以外，通過與該Pt層的形成方法相同的方法形成。然后，在Pt層的表面通過RF磁控濺射形成具有(001)取向的1^慰03膜(厚度 200nm)。作為靶材使用具有化學計量組成的LaNiO3,在Ar和氧的混合氣體(流量比ArA)2 為80/20)的氣氛下，在RF輸出功率IOOW和基板溫度300°C的成膜條件下形成該LaNiO3膜 13。然后，在LaNiO3膜的表面通過RF磁控濺射形成具有(001)取向的(NaxBia5) TiOQ. 75-8&1103膜(χ = 0. 35)(厚度IOOnm)。使用具有上述組成的靶材，在Ar和氧的混合氣體(流量比Ar/仏為50/50)的氣氛下，在RF輸出功率170W和基板溫度650°C的成膜條件下，形成該(NaxBia5)TiOa5j^75-BaTiO3 膜(x = 0. 35) 14。制作的(NaxBia5)TiOa5j^75-BaTiO3 膜(χ = 0. 35) 14的組成通過能量分散型X射線分光法(SEM-EDX)分析。在使用SEM-EDX 的測定中，由于氧(0)這樣的輕元素的分析精度差，所以該輕元素的準確定量困難。但是，制作得到的(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(x = 0. 35) 14 中所含的 Na,Bi,Ba 和 Ti 的組成確認與靶材相同。然后，在(NaxBia5)TiO。. 5x+2.75-BaTi03 膜(x = 0. 35) 14 的表面通過 RF 磁控濺射形成[(Bia5Naa5) TiOJa95-[BaTiO3]Q.Q5 膜(厚度 2. 7 μ m)。該膜對應(Bi，Na，Ba) TiO3 膜 15。使用具有上述組成的靶材，在Ar和氧的混合氣體(流量比Ar/仏為50/50)的氣氛下，在RF 輸出功率170W和基板溫度650°C的成膜條件下形成該膜15。
通過X射線衍射分析形成的[(Bia5Naa5)TiOJa95-[BaTiO3]。^膜((Bi，Na，Ba)TiO3 膜)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。X射線衍射從出1，妝，8幻1^03膜上入射X射線而進行。圖17表示X射線衍射的結(jié)果，即X射線衍射的圖譜。在以下的比較例中，也應用相同的X射線衍射。圖17不僅表示實施例1的X射線衍射的結(jié)果，還表示實施例2 6和比較例1 6的X射線分析的結(jié)果。圖17表示X射線衍射圖譜的結(jié)果。除了來自Si基板和Pt層的反射峰以外，僅觀察到來自具有(001)取向的(Bi，Na, Ba)Ti03膜的反射峰。該(001)反射峰的強度為 23，315cps，非常強。圖17所表示的圖譜表示實施例中所制作的(Bi，Na，Ba) TiO3膜具有極高的(001)取向性。接著，通過搖擺曲線測定求出該圖譜中來自(Bi，Na, Ba)Ti03膜的(001)反射峰的半值寬度。搖擺曲線測定，通過以作為測定對象的反射峰的衍射角2 θ固定檢測器 (detector)的狀態(tài)，通過掃描向試樣的X射線的入射角ω而進行。測定的半值寬度對應相對于膜的主面垂直方向的結(jié)晶軸的傾斜程度。半值寬度越小，結(jié)晶性越高。測定得到的半值寬度為1.45°，非常小。這表示在實施例中制作的(Bi，Na，Ba)Ti03膜具有極高的結(jié)晶性。在以下的比較例中，也應用相同的搖擺曲線測定。然后，在(Bi，Na, Ba) TiO3膜的表面通過蒸鍍形成Au層(厚度IOOnm)。該Au層對應導電膜17。這樣就制作了實施例的壓電體薄膜。圖18表示實施例的壓電體薄膜的P-E磁滯曲線。如圖18所示，確認了如果增加通過Pt層和Au層向壓電體層施加的電壓，則壓電體薄膜就表現(xiàn)良好的強介電特性。使用阻抗分析儀測定IkHz時的電介質(zhì)損耗(tan δ )。該壓電體薄膜的tan δ為4.0%。這表示該壓電體薄膜的漏電電流小。壓電體薄膜的壓電性能如下評價。將壓電體薄膜切出寬2mm(包含Au層的寬度)，加工為懸臂狀。然后，通過激光位移計測定在Pt層和Au層之間施加電位差使懸臂產(chǎn)生位移而得到的位移量。然后，將測定得到的位移量轉(zhuǎn)換為壓電常數(shù)d31，通過該壓電常數(shù)屯評價壓電性能。在實施例中制作的壓電體薄膜的d31為-82pC/N。(實施例2)除了 χ = 0. 40以外，與實施例1同樣地進行實驗。實施例2的(001)反射峰的強度為15，272cps，非常強。測定得到的半值寬度非常小。(實施例3)除了 χ = 0.四以外，與實施例1同樣地進行實驗。實施例2的(001)反射峰的強度為9，956cps，非常強。測定得到的半值寬度非常小。(實施例4)在實施例4中，形成由MgO(IOO)單晶基板/Pt層/0. 93 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-0 . 07BaTi03(x = 0 . 3 50)構(gòu)成的界面層/壓電體層/Au層所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。其制作程序如下。通過濺射法，在MgO (100)單晶基板上形成在(001)面方位上取向的膜厚250nm的 Pt層。靶材使用金屬Pt，在Ar氣體氣氛下，在RF功率15W、基板溫度400°C的條件下進行成膜。之后，通過濺射法，形成由具有在(001)面取向的IOOnm的膜厚的0. 93 (NaxBi0.5) Ti00.5x+2.75-0. 07BaTi03(x = 0 . 3 50)構(gòu)成的界面層。使用上述組成的靶材，在氣體的流量比為ArA)2 = 50/50,RF功率170W、基板溫度650°C的條件的下進行成膜。由SEM-EDX進行組成分析的結(jié)果，確認了靶材與界面層的Na，Bi, Ba, Ti組成相同。通過濺射法形成具有2. 7 μ m的膜厚的0. 93 (Bi0.5Na0.5) TiO3-O. 07BaTi03薄膜。使用上述組成的靶材，在氣體的流量比為ArA)2 = 50/50、RF功率170W、基板溫度650°C的條件的下進行成膜。由SEM-EDX進行的組成分析的結(jié)果，確認了靶材和壓電體層20的Na，Bi， Ba，Ti組成相同。通過XRD評價所得的(Na，Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層。觀測得到的反射峰，僅為 (Na, Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層向(001)面方位取向所引起的反射峰。其(001)峰強度為 179，097cps，也非常強。(實施例5)在實施例5中，形成由Si (100)單晶基板/NiO薄膜/Pt層/0. 93 (NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-0 . 07BaTi03(x = 0 . 3 50)構(gòu)成的界面層/壓電體層/Au層所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。其制作程序如下。通過等離子體MOCVD法在Si (100)單晶基板上形成在(001)面方位取向的具有 NaCl型結(jié)構(gòu)的NiO薄膜。原料氣體使用乙酰丙酮鎳，在RF功率100W、基板溫度400°C的條件下形成膜厚400nm的薄膜。之后，通過濺射法形成在(001)面方位取向的具有250nm厚度的Pt層。靶材使用金屬Pt，在Ar氣體氣氛中，在RF功率15W、基板溫度400°C的條件下進行成膜。通過濺射法，形成在(001)面取向的膜厚IOOnm的由0. 93 (NaxBi0.5) Ti00.5x+2.75-0. 07BaTi03(x = 0 . 3 50)構(gòu)成的界面層。使用上述組成的靶材，在氣體的流量比為ArA)2 = 50/50，RF功率170W、基板溫度650°C的條件的下進行成膜。由SEM-EDX進行組成分析的結(jié)果，確認了靶材與界面層的Na、Bi、Ba、Ti組成相同。通過濺射法形成膜厚2. 7 μ m的0. 93 (Bi0.5Na0.5) TiO3-O. 07BaTi03薄膜。使用上述組成的靶材，在氣體的流量比為ArA)2 = 50/50、RF功率170W、基板溫度650°C的條件的下進行成膜。由SEM-EDX進行的組成分析的結(jié)果，確認了靶材與壓電體層的Na、Bi、Ba、Ti組成相同。對于制作得到的(Na，Bi) TiO3-BaTiO3壓電體層，由XRD進行結(jié)構(gòu)評價。觀測得到的反射峰僅為由(Na，Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層向(001)面方位取向引起的反射峰，其(001) 峰強度為30，^6cps，也非常強。(實施例6)在實施例6中，除了代替Si (100)單晶基板而使用不銹鋼制的金屬板以外，與實施例5同樣地進行實驗。觀測到的反射峰僅為(Na，Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層向(001)面方位取向引起的反射峰，其(001)峰強度為28，923cps，也非常強。(比較例1)在比較例1中，制作具有圖19所表示的結(jié)構(gòu)的壓電體薄膜。該壓電體薄膜除了不具備(NaxBia5)TiOa5j^75-BaTiO3膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14以外，具有與實施例1中制作得到的壓電體薄膜相同的結(jié)構(gòu)。即，在該壓電體薄膜中，以如下順序疊層基板11、金屬電極膜 12、LaNiO3膜13、作為壓電體層的(Bi，Na, Ba)TiO3膜31和導電膜17。該壓電體薄膜除了沒有形成(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 II (0. 29 ^ χ ^ 0. 4) 14 以外，通過與實施例 1 同樣的方法制作。如圖17 所示，在不具備(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4)的比較例1中，也觀察到了來自具有(001)取向的(Bi，Na, Ba) TiO3膜的反射峰。但是，也觀察到了來自(Bi，Na, Ba)Ti03膜中其他結(jié)晶取向(110)的反射峰。上述(001)反射峰的強度為 2，661cps，比實施例中的峰強度(3, 692cps)低。這表示比較例1的(Bi, Na, Ba)Ti03膜的取向性比實施例1的(Bi, Na, Ba)TiO3膜差。上述(001)反射峰的半值寬度為2. 89°，比實施例1的半值寬度大。這表示比較例1的(Bi, Na, Ba)TiO3膜的取向性比實施例1的(Bi, Na, Ba)TiO3膜差。然后，在(Bi，Na，Ba) TiO3膜31的表面，通過蒸鍍形成Au層(厚度IOOnm)。這樣就制作了比較例1的壓電體薄膜。使用壓電體薄膜具備的Pt層和Au層，嘗試進行了該壓電體薄膜的強介電特性和壓電性能的評價。但是，由于壓電體薄膜中的漏電電流非常大，所以準確地測定P-E磁滯曲線很困難(參照圖18)。使用阻抗分析儀以頻率IkHz測定了電介質(zhì)損耗。該壓電體薄膜的 tan δ為40%。比較例1的壓電體薄膜由于具有這樣大的漏電電流，所以難以求出比較例 1的壓電體薄膜具有的準確壓電常數(shù)d31的值。所推測的壓電常數(shù)d31約為-40pC/N。(比較例2)在比較例2中，除了 x = 0. 425以外，與實施例1同樣地進行實驗。比較例2的(001)反射峰的強度為l，96kps，非常弱。因此，沒有測定半值寬度的
眉、ο(比較例3)在比較例3中，除了 χ = 0. 280以外，與實施例1同樣地進行實驗。比較例3的(001)反射峰的強度為2，607cps，非常弱。因此，沒有測定半值寬度的
眉、ο(比較例4)在比較例4中，除了該壓電體薄膜不具備(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75_BaTi03膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4)以外，與實施例4中制作得到的壓電體薄膜具有相同的結(jié)構(gòu)。比較例4的(001)反射峰的強度為30，893cps。但是，在觀測到的反射峰中，不僅包含由(Na，Bi) TiO3-BaTiO3S電體層20向(001)面方位取向引起的反射峰，還包含其他的多個反射峰。(比較例5) 在比較例5中，除了該壓電體薄膜不具備(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75_BaTi03膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4)以外，與實施例5中制作的壓電體薄膜具有相同的結(jié)構(gòu)。
比較例5的(001)反射峰的強度為3，4Mcps，非常弱。并且，觀測到的反射峰中，不僅包含由(Na，Bi)TiO3-BaTiO3S電體層20向(001)面方位取向?qū)е碌姆瓷浞?，還包含其他多個反射峰。
(比較例6)在比較例6中，除了該壓電體薄膜不具備(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75_BaTi03膜 (0. 29 ^ χ ^ 0. 4)以外，與在實施例6中制作得到的壓電體薄膜具有相同的結(jié)構(gòu)。比較例6的(001)反射峰的強度為3，318cps，非常弱。并且在觀測到的反射峰中，不僅包含由(Na，Bi) TiO3-BaTiO3S電體層20向(001)面方位取向引起的反射峰，還包含其他的多個反射峰。以下的表1總結(jié)了實施例和比較例的評價結(jié)果。[表1]
權(quán)利要求
1.一種壓電體薄膜，其特征在于具備具有(001)取向的電極膜、具有(001)取向的(NaxBia5)TiOa5j^75-BaTiO3 膜(0. 29 彡 χ 彡 0. 4)、和 (Na, Bi) TiO3-BaTiO3 壓電體層，由所述電極膜、所述(NaxBia5)TiQQ.5x+2.75-BaTi03膜和(Na，Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層，以上述順序疊層得到。
2.如權(quán)利要求1所述的壓電體薄膜，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的壓電體薄膜，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
4.如權(quán)利要求3所述的壓電體薄膜，其特征在于所述金屬為鉬。
5.如權(quán)利要求1所述的壓電體薄膜，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求5所述的壓電體薄膜，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
7.如權(quán)利要求6所述的壓電體薄膜，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
8.如權(quán)利要求5所述的壓電體薄膜，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
9.如權(quán)利要求8所述的壓電體薄膜，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
10.一種噴墨頭，其特征在于具備具有夾置于第1電極和第2電極的壓電體層的壓電體薄膜、與所述壓電體薄膜接合的振動層、和具有容納油墨的壓力室，并且與所述振動層中的所述壓電體薄膜接合的面的相反側(cè)的面接合的壓力室部件，所述振動層接合于所述壓電體薄膜，以使對應于基于壓電效果的所述壓電體薄膜的變形而在該振動層的膜厚方向產(chǎn)生位移，所述振動層和所述壓力室部件互相結(jié)合，以使對應于所述振動層的位移，所述壓力室的容積變化，并且對應于所述壓力室的容積變化而排出所述壓力室內(nèi)的油墨，所述第1電極具備具有(001)取向的電極膜，所述壓電體層由具有(001)取向的出1，妝，8幻1103膜構(gòu)成，在所述第1電極和所述壓電體層之間，夾置有具有(001)取向的(NaxBia5) TiO0.5χ+2. T5-BaTiO3 膜(0. 29 ^ χ ^ 0. 4),所述電極膜、所述(NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03 膜、所述(Bi，Na，Ba)TiO3 膜、和所述第 2 電極以上述順序疊層。
11.如權(quán)利要求10所述的噴墨頭，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求11所述的噴墨頭，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
13.如權(quán)利要求12所述的噴墨頭，其特征在于所述金屬為鉬。
14.如權(quán)利要求10所述的噴墨頭，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求14所述的噴墨頭，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
16.如權(quán)利要求15所述的噴墨頭，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
17.如權(quán)利要求14所述的噴墨頭，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
18.如權(quán)利要求17所述的噴墨頭，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
19.一種使用噴墨頭形成圖像的方法，其特征在于，包括準備所述噴墨頭的工序，其中，所述噴墨頭具備具有夾置于第1電極和第2電極的壓電體層的壓電體薄膜、與所述壓電體薄膜接合的振動層、和具有容納油墨的壓力室，并且與所述振動層中的所述壓電體薄膜接合的面的相反側(cè)的面接合的壓力室部件，所述振動層接合于所述壓電體薄膜，以使對應于基于壓電效果的所述壓電體薄膜的變形而在該振動層的膜厚方向產(chǎn)生位移，所述振動層和所述壓力室部件互相結(jié)合，以使對應于所述振動層的位移，所述壓力室的容積變化，并且對應于所述壓力室的容積變化而排出所述壓力室內(nèi)的油墨，所述第1電極具備具有(001)取向的電極膜，所述壓電體層由具有(001)取向的出1，妝，8幻1103膜構(gòu)成，在所述第1電極和所述壓電體層之間，夾置有(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29 彡 χ 彡 0. 4)，所述電極膜、所述(NaxBiQ.5)Ti0Q.5x+2.75-BaTi03 膜、所述(Bi，Na，Ba)TiO3 膜、和所述第 2 電極以上述順序疊層；禾口通過由所述第1電極和第2電極向所述壓電體層施加電壓，基于壓電效果使所述振動層在該層的膜厚方向產(chǎn)生位移，以使所述壓力室的容積變化，通過該位移從所述壓力室排出油墨的工序。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于所述金屬為鉬。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
25.如權(quán)利要求M所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
27.如權(quán)利要求沈所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
28.一種角速度傳感器，其特征在于具備具有振動部的基板、和接合于所述振動部，并且具有夾置于第1電極和第2電極的壓電體層的壓電體薄膜，所述第1電極具備具有(001)取向的電極膜，所述壓電體層由具有(001)取向的出1，妝，8幻1103膜構(gòu)成，在所述第1電極和所述壓電體層之間，夾置有(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29 彡 χ 彡 0. 4)，所述電極膜、所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜、所述(Bi, Na, Ba)TiO3膜和所述第2 電極以上述順序疊層，選自所述第1電極和第2電極中的一個電極由包含驅(qū)動電極和感應電極的電極群構(gòu)成，其中，該驅(qū)動電極向所述壓電體層施加使所述振動部振蕩的驅(qū)動電壓，該感應電極用于測定由施加于振蕩中的所述振動部的角速度而在所述振動部產(chǎn)生的形變。
29.如權(quán)利要求觀所述的角速度傳感器，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
30.如權(quán)利要求四所述的角速度傳感器，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
31.如權(quán)利要求30所述的角速度傳感器，其特征在于所述金屬為鉬。
32.如權(quán)利要求觀所述的角速度傳感器，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
33.如權(quán)利要求32所述的角速度傳感器，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
34.如權(quán)利要求33所述的角速度傳感器，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
35.如權(quán)利要求32所述的角速度傳感器，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
36.如權(quán)利要求35所述的角速度傳感器，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
37.一種使用角速度傳感器測定角速度的方法，其特征在于，包括準備所述角速度傳感器的工序，其中，所述角速度傳感器具備具有振動部的基板、和接合于所述振動部，并且具有夾置于第1電極和第2電極的壓電體層的壓電體薄膜，所述第1電極具備具有(001)取向的電極膜，所述壓電體層由具有(001)取向的出1，妝，8幻1103膜構(gòu)成，在所述第1電極和所述壓電體層之間，夾置有(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29 彡 χ 彡 0. 4)，所述電極膜、所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜、所述(Bi, Na, Ba)TiO3膜和所述第2 電極以上述順序疊層，選自所述第1和第2電極中的一個電極由包含驅(qū)動電極和感應電極的電極群構(gòu)成；通過由選自所述第1和第2電極中的另一個電極和所述驅(qū)動電極向所述壓電體層施加驅(qū)動電壓，使所述振動部振蕩的工序；禾口通過由所述另一個電極和所述感應電極測定由施加于振蕩中的所述振動部的角速度而在所述振動部產(chǎn)生的形變，從而得到所述施加的角速度的值的工序。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述金屬為鉬。
41.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
44.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
46.一種壓電發(fā)電元件，其特征在于具備具有振動部的基板、和接合于所述振動部，并且具有夾置于第1電極和第2電極的壓電體層的壓電體薄膜，所述第1電極具備具有(001)取向的電極膜，所述壓電體層由具有(001)取向的出1，妝，8幻1103膜構(gòu)成，在所述第1電極和所述壓電體層之間，夾置有(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29 彡 χ 彡 0. 4)，所述電極膜、所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜、所述(Bi, Na, Ba)TiO3膜和所述第2 電極以上述順序疊層。
47.如權(quán)利要求46所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
48.如權(quán)利要求47所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
49.如權(quán)利要求48所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述金屬為鉬。
50.如權(quán)利要求46所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
51.如權(quán)利要求50所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
52.如權(quán)利要求51所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
53.如權(quán)利要求50所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
54.如權(quán)利要求53所述的壓電發(fā)電元件，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
55.一種使用壓電發(fā)電元件的發(fā)電方法，其特征在于，包括準備所述壓電發(fā)電元件的工序，其中，所述壓電發(fā)電元件具備具有振動部的基板、接合于所述振動部，并且具有夾置于第1電極和第2電極的壓電體層的壓電體薄膜，所述第1電極具備具有(001)取向的電極膜，所述壓電體層由具有(001)取向的出1，妝，8幻1103膜構(gòu)成，在所述第1電極和所述壓電體層之間，夾置有(NaxBi0.5) TiO0.5x+2.75-BaTi03膜 (0. 29 彡 χ 彡 0. 4)，所述電極膜、所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜、所述(Bi, Na, Ba)TiO3膜和所述第2 電極以上述順序疊層；禾口通過向所述振動部施加振動，由所述第1和第2電極得到電力的工序。
56.如權(quán)利要求55所述的方法，其特征在于所述電極膜由金屬構(gòu)成。
57.如權(quán)利要求56所述的方法，其特征在于所述金屬為鉬、鈀或金。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于所述金屬為鉬。
59.如權(quán)利要求55所述的方法，其特征在于所述電極膜由氧化物導電體構(gòu)成。
60.如權(quán)利要求59所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為氧化鎳、氧化釕、氧化銥、釕酸鍶或鎳酸鑭。
61.如權(quán)利要求60所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
62.如權(quán)利要求59所述的方法，其特征在于還具備Pt膜，所述電極膜夾置于所述Pt膜和所述(NaxBia5)TiOtlH75-BaTiO3膜之間。
63.如權(quán)利要求62所述的方法，其特征在于所述氧化物導電體為鎳酸鑭。
全文摘要
一種壓電體薄膜，其具備具有(001)取向的電極膜、具有(001)取向的(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTiO3膜(0.29≤x≤0.4)和(Na，Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層，其中，電極膜、(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75-BaTiO3膜、和(Na，Bi)TiO3-BaTiO3壓電體層以該順序疊層。由此，含有無鉛強介電材料的壓電體薄膜就具有很高的強介電特性和壓電性能。
文檔編號H01L41/18GK102473838SQ20118000243
公開日2012年5月23日申請日期2011年4月7日優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者張?zhí)尜F圣, 田中良明, 藤井映志, 足立秀明申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社

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