專利名稱：器件和用于制造器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及一種具有光電子半導(dǎo)體芯片的器件和一種用于制造這樣的器件的方法。本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)10 2010 026 343. 5的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)回·
引結(jié)合于此。
背景技術(shù)：
為了制造可表面安裝的光電子器件、如可表面安裝的發(fā)光二極管，可以將半導(dǎo)體芯片固定在殼體中并且為了保護(hù)該半導(dǎo)體芯片配備包封。機(jī)械應(yīng)力可引起半導(dǎo)體芯片的固定的松脫，這可能導(dǎo)致器件的提前故障。

發(fā)明內(nèi)容
任務(wù)是說(shuō)明一種在運(yùn)行中具有提高的可靠性的器件。另外，將說(shuō)明一種可以用于簡(jiǎn)單和可靠地制造這樣的部件的方法。該任務(wù)通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的主題解決。設(shè)計(jì)和擴(kuò)展方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，器件具有光電子半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片利用連接層固定在接線載體上并且嵌入到包封中。在連接層與包封之間至少局部地布置去耦合層。借助于該去耦合層使連接層和包封彼此機(jī)械去耦合。器件中的機(jī)械應(yīng)力、尤其是拉應(yīng)力導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片脫落的風(fēng)險(xiǎn)由此在很大程度上被減小。去耦合層因此被構(gòu)造為，使得在包封中出現(xiàn)的應(yīng)力不傳輸?shù)竭B接層或者僅有減少的部分傳輸?shù)竭B接層。所述包封可以在對(duì)器件的俯視中尤其是完全地覆蓋去耦合層。此外借助于去耦合層減少對(duì)包封的彈性模量的要求。因此，對(duì)于所述包封也可以應(yīng)用具有比較高的彈性模量的材料，而不會(huì)由此危及半導(dǎo)體芯片與接線載體之間的連接的機(jī)械穩(wěn)定性。例如，所述包封可以包含具有2GPa或更多的彈性模量的環(huán)氧化物。所述去耦合層優(yōu)選具有比包封小的彈性模量。彈性模量越小，材料對(duì)其變形的抵抗越小。去耦合層的材料優(yōu)選具有最高lGPa、特別優(yōu)選最高200kPa的彈性模量。優(yōu)選地，所述去耦合層具有其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Te處于室溫或更低的材料。在溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，有機(jī)或無(wú)機(jī)玻璃處于能量彈性的范圍中，在該范圍中所述玻璃的特點(diǎn)在于高的可變形性。所述去耦合層優(yōu)選包含來(lái)自如下材料組的組的材料，所述材料組由彈性體、樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、硅酮、硅凝膠、聚氨酯、橡膠構(gòu)成。在一個(gè)優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，在去耦合層中嵌入顆粒。借助于所述顆?？梢蕴岣呷ヱ詈蠈拥拿芏?。這可以引起去耦合層的較小的熱效應(yīng)。應(yīng)力傳輸?shù)竭B接層的危險(xiǎn)由此在很大程度上被減小。此外借助于所述顆?？梢哉{(diào)整去耦合層的光學(xué)特性。在一個(gè)設(shè)計(jì)變型中，去耦合層針對(duì)由半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的或要探測(cè)的輻射被構(gòu)造為反射性的。在該情況下可以在去耦合層中嵌入尤其是擴(kuò)散式地反射輻射的顆粒。例如可以通過(guò)添加二氧化鈦顆粒實(shí)現(xiàn)85%或者更多、例如95%的可見(jiàn)光譜范圍中的反射性。在一個(gè)可替換的設(shè)計(jì)變型中，去耦合層針對(duì)由半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行時(shí)發(fā)射的輻射被構(gòu)造為有針對(duì)性地吸收性的?！坝嗅槍?duì)性地吸收性的”尤其是被理解為，輻射在入射到去耦合層上時(shí)被吸收至少80%的份額。所述去耦合層尤其是可以為人眼而構(gòu)造為黑色的。借助于這樣的去耦合層，可以在發(fā)射輻射的器件中實(shí)現(xiàn)在關(guān)斷狀態(tài)與接通狀態(tài)之間的提高的對(duì)比度。例如炭黑顆粒適用于吸收性的去耦合層。在一個(gè)優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，去耦合層在對(duì)器件的俯視中至少部分地、優(yōu)選完全覆蓋連接層的伸出半導(dǎo)體芯片的部分。通過(guò)完全覆蓋確保了，包封和連接層不在器件的任何位置處直接彼此接界。在另一優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，去耦合層直接與半導(dǎo)體芯片接界。尤其是，所述去耦合層在橫向方向上、也就是沿著光電子半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層的主延伸面走向方向圍繞半導(dǎo)體芯 片。所述器件優(yōu)選地實(shí)施為可表面安裝的器件(surface mounted device (表面安裝器件)，SMD)。此外，所述器件優(yōu)選具有殼體。所述殼體可以具有在其中布置有半導(dǎo)體芯片的空穴。此外，所述接線載體可以設(shè)計(jì)為導(dǎo)線框架的一部分，所述殼體的殼基體模制在該導(dǎo)線框架處。在一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，空穴的底面在對(duì)器件的俯視圖中完全被去耦合層覆蓋。換句話說(shuō)，空穴的與底面接界的側(cè)面在橫向方向上限制去耦合層。在另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片在垂直方向上伸出去耦合層。因此通過(guò)簡(jiǎn)單的方式確保，半導(dǎo)體芯片的背向接線載體的上側(cè)不被去耦合層覆蓋。在用于制造具有光電子半導(dǎo)體芯片的器件的方法中，根據(jù)實(shí)施方式提供接線載體。將該半導(dǎo)體芯片借助于連接層固定在接線載體上。將去耦合層施加到連接層上。將包封施加到去耦合層上，其中半導(dǎo)體芯片被嵌入到該包封中。借助于去耦合層可以這樣施加包封，使得器件中的機(jī)械應(yīng)力不能或者至少不明顯地危及半導(dǎo)體芯片與接線載體之間的連接。在一個(gè)優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，去稱合層借助于分發(fā)器(Dispenser)來(lái)施加?？商鎿Q地或者補(bǔ)充地，可以應(yīng)用其它的摻雜和填充方法，例如澆注、噴射、壓塑或者按壓。所述方法特別適用于制造上面所述的器件。結(jié)合器件詳述的特征因此也可以用于方法，并且反之亦然。


其它的特征、構(gòu)型和適宜性由結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的以下描述得出。圖1以示意性剖面圖示出器件的第一實(shí)施例，
圖2以示意性剖面圖示出器件的第二實(shí)施例，
圖3示出用于器件的光電子半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，
圖4A至4C根據(jù)分別以示意性剖面圖示出的中間步驟示出用于制造器件的方法的實(shí)施例。
相同的、相同類型的或者起相同作用的元件在附圖中配備同樣的附圖標(biāo)記。
具體實(shí)施例方式附圖和在附圖中所示元件彼此之間的大小關(guān)系不應(yīng)被視作為比例正確的。更確切地說(shuō)，各個(gè)元件可以為了改善的可表示性和/或?yàn)榱烁玫睦斫舛豢浯蟮厥境?。器件的第一?shí)施例在圖1中以示意性剖面圖示出。器件I具有光電子半導(dǎo)體芯片2，該半導(dǎo)體芯片2借助于連接層3固定在接線載體4處。對(duì)于連接層3尤其合適的是粘接層。但是也可以應(yīng)用焊接層。接線載體4和另外的接線載體42構(gòu)成光電子器件 I的導(dǎo)線框架。殼體40模制(anformen)在該導(dǎo)線框架處。器件I示例性地實(shí)施為可表面安裝的器件，該器件借助于接線載體4和另外的接線載體42可從背向輻射透射面10的側(cè)被在外部電接觸。殼體40具有空穴410，在該空穴410中布置半導(dǎo)體芯片2。另外的接線導(dǎo)體42借助于連接線路43、諸如接合線連接與半導(dǎo)體芯片2連接，使得在器件運(yùn)行時(shí)載流子可以經(jīng)由接線載體4和另外的接線載體42被從不同的側(cè)注入到半導(dǎo)體芯片2中或者可以從半導(dǎo)體芯片流出。半導(dǎo)體芯片2和連接線路43嵌入到包封5中，所述包封保護(hù)半導(dǎo)體芯片和連接線路免受如機(jī)械載荷或者潮氣的外部影響。包封5構(gòu)成器件的輻射透射面10。在包封5與連接層3之間布置去耦合層6。該去耦合層6在對(duì)器件的俯視中覆蓋連接層3的在橫向方向上、也就是沿著半導(dǎo)體芯片2的半導(dǎo)體層的主延伸平面伸出半導(dǎo)體芯片2的部分。因此，包封5和連接層3不在任何位置處彼此直接接界。連接層和包封之間的機(jī)械去耦合由此通過(guò)可靠的方式實(shí)現(xiàn)。包封5在對(duì)器件I的俯視中完全覆蓋去稱合層6。去耦合層6具有比包封小的彈性模量。器件I中的機(jī)械應(yīng)力因此僅僅以減小的份額作用到連接層3上。半導(dǎo)體芯片2諸如在接線載體和連接層3之間的界面處從接線載體4脫落的風(fēng)險(xiǎn)因此在很大程度上減少。去耦合層6優(yōu)選具有最高lGPa、特別優(yōu)選最高200kPa的彈性模量。去耦合層優(yōu)選包含其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Te處于室溫或者更低的材料。去耦合層優(yōu)選包含由以下材料構(gòu)成的材料組的組中的材料彈性體、樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、硅酮、硅凝膠、聚氨酯、橡膠。由于通過(guò)去耦合層6的機(jī)械去耦合，對(duì)于包封5還可以應(yīng)用具有比較高的彈性模量、例如2GPa或者更多的材料。所述包封例如可以包含環(huán)氧樹(shù)脂或者由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片2在垂直方向上伸出去耦合層6。半導(dǎo)體芯片2的背向接線載體4的表面因此保持未被去耦合層6覆蓋。半導(dǎo)體芯片2、尤其是被設(shè)置用于發(fā)射和/或探測(cè)輻射的活性區(qū)域優(yōu)選包含II1-V族化合物半導(dǎo)體材料。II1-V族化合物半導(dǎo)體材料特別適合于在紫外(AlxInyGanyN)光譜范圍中經(jīng)由可見(jiàn)(AlxInyGa1^N,尤其是對(duì)于藍(lán)色輻射至綠色輻射,或者AlxInyGanyP,尤其是對(duì)于黃色輻射至紅色輻射)光譜范圍直至到紅外(AlxInyGa1IyAs)光譜范圍中產(chǎn)生輻射。在此情況下分別成立的有和x+y ( I，尤其是其中X關(guān)I, y關(guān)I, X關(guān)O和/或y幸O。利用尤其是來(lái)自所述材料系統(tǒng)的II1-V族半導(dǎo)體材料，可以此外在產(chǎn)生輻射時(shí)實(shí)現(xiàn)高的內(nèi)部量子效率。器件的第二實(shí)施例在圖2中以示意性剖面圖示出。該第二實(shí)施例基本上對(duì)應(yīng)于結(jié)合圖1所述的第一實(shí)施例。與第一實(shí)施例不同的是，包封5在對(duì)該器件的俯視中在背向半導(dǎo)體芯片2的側(cè)上凸彎曲。該包封5在該實(shí)施例中附加地滿足用于由半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行中發(fā)射的和/或要接收的輻射的會(huì)聚透鏡的作用。該包封在此情況下可以以一個(gè)部分或者以多個(gè)部分構(gòu)造。包封的構(gòu)成透鏡的區(qū)域例如在將半導(dǎo)體芯片密封之后的單獨(dú)的制造步驟中構(gòu)造。借助于輻射透射面10側(cè)的包封5的形狀可調(diào)整器件I的空間輻射特性。此外與第一實(shí)施例不同的是，在去耦合層6中嵌入顆粒65。借助于所述顆粒可以 調(diào)整、尤其是提高去耦合層的密度。由此可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方式減小去耦合層的熱膨脹。顆粒65優(yōu)選具有200nm至10 μ m之間的(含200nm和10 μ m)、特別優(yōu)選500nm至5 μ m之間的(含500nm和5 μ m)平均大小。所述顆粒例如可以包含玻璃、氧化物(諸如氧化鋁、氧化硅或者二氧化鈦)，或者由這樣的材料構(gòu)成。所述顆粒此外可以影響去耦合層的光學(xué)特性。在一個(gè)設(shè)計(jì)變型中，在去耦合層6中嵌入反射性的顆粒。例如可以利用二氧化鈦顆粒在可見(jiàn)光譜范圍中實(shí)現(xiàn)85%或者更多、例如95%的反射率。借助于構(gòu)造為反射性的去耦合層，可以在整體上提高從器件I出射的輻射功率。在可替換的設(shè)計(jì)變型中，在去耦合層中嵌入有針對(duì)性地吸收輻射的顆粒。適用于此的例如是炭黑顆粒。借助于實(shí)施為有針對(duì)性地吸收的去耦合層6，可以提高器件I在斷開(kāi)狀態(tài)和接通狀態(tài)之間的對(duì)比度。所述顆粒當(dāng)然也可以在結(jié)合圖1所述的第一實(shí)施例中應(yīng)用。但是，根據(jù)對(duì)去耦合層6的要求，也可以放棄所述顆粒。對(duì)根據(jù)第一或第二實(shí)施例的器件特別合適的半導(dǎo)體芯片2的實(shí)施例在圖3中以示意性剖面圖示出。該半導(dǎo)體芯片2具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體21，該半導(dǎo)體層序列構(gòu)成半導(dǎo)體本體。半導(dǎo)體本體21布置在載體27上，該載體27與用于半導(dǎo)體本體21的半導(dǎo)體層的生長(zhǎng)襯底不同。該載體用于半導(dǎo)體本體21的機(jī)械穩(wěn)定性。生長(zhǎng)襯底對(duì)此是不再需要的。其中去除了生長(zhǎng)襯底的半導(dǎo)體芯片也被稱為薄膜半導(dǎo)體芯片。此外在本發(fā)明的范圍中，薄膜半導(dǎo)體芯片、諸如薄膜發(fā)光二極管芯片的特點(diǎn)可以在于以下特征性特征中的至少一個(gè)
一在包括具有活性區(qū)域的半導(dǎo)體層序列、尤其是外延層序列的半導(dǎo)體本體的向著載體元件、例如載體27的第一主面處施加鏡層或者構(gòu)造諸如作為布拉格境集成到半導(dǎo)體層序列中的鏡層，該鏡層將在該半導(dǎo)體層序列中產(chǎn)生的輻射的至少一部分反射回該半導(dǎo)體層序列中；
一該半導(dǎo)體層序列具有在20 μ m或者更小的范圍中、尤其是在10 μ m范圍中的厚度；和/或
一該半導(dǎo)體層序列包含至少一個(gè)這樣的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層具有至少一個(gè)具有混合結(jié)構(gòu)的面，所述混合結(jié)構(gòu)在理想情況下導(dǎo)致光在半導(dǎo)體層序列中的近似遍歷的分布，也就是說(shuō)所述混合結(jié)構(gòu)具有盡可能遍歷地隨機(jī)的散射特性。薄膜發(fā)光二極管芯片的基本原理例如在1. Schnitzer等人的Appl. Phys. Lett.63 (16)，1993年10月18日，2174 — 2176中描述，其公開(kāi)內(nèi)容就此而言特此通過(guò)回引結(jié)合到本申請(qǐng)中。半導(dǎo)體本體21具有活性區(qū)域22，該活性區(qū)域22布置在第一半導(dǎo)體區(qū)域23與第二半導(dǎo)體區(qū)域24之間。第一半導(dǎo)體區(qū)域23和第二半導(dǎo)體區(qū)域24具有彼此不同的導(dǎo)通類型，從而形成二極管結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體本體21借助于安裝層26固定在載體27處。例如焊劑或者粘合劑適用于該安裝層。在半導(dǎo)體本體21與載體27之間布置鏡層25，該鏡層25被設(shè)置用于在運(yùn)行時(shí)將在活性區(qū)域22中產(chǎn)生的輻射在半導(dǎo)體本體的輻射出射面20的方向上反射。在半導(dǎo)體芯片2運(yùn)行時(shí)，經(jīng)由第一接觸部28和第二接觸部29將載流子從不同的側(cè)注入到活性區(qū)域22中。在第二接觸部29與半導(dǎo)體本體21之間構(gòu)造分布層29a。該分布層被設(shè)置用于將載流子均勻地注入到活性區(qū)域22中。分布層29a例如可以包含透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide (透明導(dǎo)電氧化物)，TC0)或者由這樣的材料構(gòu)成。可替換地或者補(bǔ)充地，分布層29a可以具有金屬層，該金屬層這樣薄，使得該金屬層對(duì)于在活性區(qū)域22中產(chǎn)生的輻射是透明的或者至少是半透明的。但是，在第一半導(dǎo)體區(qū)域23的橫向?qū)щ娐首銐蚋叩那闆r下，也可以舍去分布層29a。在半導(dǎo)體本體21的輻射出射面20上構(gòu)造優(yōu)選預(yù)先制備的轉(zhuǎn)換板7，在該轉(zhuǎn)換板7中嵌入用于對(duì)在活性區(qū)域22中產(chǎn)生的輻射進(jìn)行轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換材料71。該轉(zhuǎn)換板可以借助于固定層(沒(méi)有明確示出)固定在半導(dǎo)體本體21處。于此不同地，轉(zhuǎn)換材料71也可以嵌入到包封5中。尤其是在直接利用由半導(dǎo)體芯片發(fā)出的初級(jí)輻射的情況下，也可以完全舍去轉(zhuǎn)換材料。此外，與該所述的實(shí)施例不同地也可以應(yīng)用這樣的半導(dǎo)體芯片，在該半導(dǎo)體芯片的情況下，載體27由用于半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底構(gòu)成。安裝層26在該情況下是不需要的。此外也可以應(yīng)用這樣的半導(dǎo)體芯片，在該半導(dǎo)體芯片的情況下，至少兩個(gè)接觸部被布置在半導(dǎo)體芯片的同一側(cè)?？商鎿Q地或者補(bǔ)充地，半導(dǎo)體芯片也可以構(gòu)造為用于接收輻射的輻射探測(cè)器。 在圖4A至4A從中示例性地針對(duì)器件的制造示出用于制造器件的方法的實(shí)施例，該方法如結(jié)合圖1所述那樣地實(shí)施。提供具有接線載體4和另外的接線載體42的殼體40。該殼體40具有被設(shè)置用于安裝半導(dǎo)體芯片的空穴410。半導(dǎo)體芯片2借助于連接層3、例如導(dǎo)電的粘接層或焊接層固定在接線載體4處。如在圖4B中所示的，在連接層3上的在橫向方向上伸出半導(dǎo)體芯片2的區(qū)域中施加去耦合層。這例如可以借助于分發(fā)器來(lái)進(jìn)行?？商鎿Q地，例如可以應(yīng)用澆注、噴射、壓塑、或者按壓。
為了制造半導(dǎo)體芯片2與另外的接線載體42的導(dǎo)電連接，在半導(dǎo)體芯片2與該另外的接線載體之間構(gòu)造接合線連接作為連接線路43(圖4C)。但是與該所述實(shí)施例不同地，也可以在施加去耦合層之前構(gòu)造連接線路43。為了完成該器件將半導(dǎo)體芯片2和連接線路43嵌入到包封5中。在此，包封5借助于去耦合層6與連接層3機(jī)械地去耦合。出現(xiàn)的機(jī)械應(yīng)力引起半導(dǎo)體芯片2從接線載體40脫落的風(fēng)險(xiǎn)因此在很大程度上減小。器件的使用壽命和可靠性因此得到提高。利用所述方法可以制造對(duì)于具有比較高的彈性模量的包封、例如基于環(huán)氧化物的包封的情況也具有高的可靠性和使用壽命的器件。包封5的材料因此不必首先針對(duì)彈性模量來(lái)選擇，而是可以基于其它化學(xué)和/或物理 特性、諸如光學(xué)透明度或老化穩(wěn)定性來(lái)選擇。本發(fā)明不由于根據(jù)實(shí)施例的描述而受到限制。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的每個(gè)組合，這尤其是包含權(quán)利要求書(shū)中的特征的組合，即使當(dāng)該特征或該組合本身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求書(shū)或?qū)嵤├姓f(shuō)明時(shí)也是如此。
權(quán)利要求
1.具有光電子半導(dǎo)體芯片(2)的器件(1)，所述半導(dǎo)體芯片利用連接層(3)固定在接線載體(4)上并且嵌入到包封(5)中，其中在連接層與包封之間至少局部地布置去耦合層 (6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述去耦合層具有比所述包封小的彈性模量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的器件，其中所述去耦合層具有最高IGPa的彈性模量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的器件，其中在所述去耦合層中嵌入顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的器件，其中所述去耦合層針對(duì)由半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行時(shí)發(fā)射的或者要探測(cè)的輻射而被構(gòu)造為反射性的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的器件，其中所述去耦合層針對(duì)由半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行時(shí)發(fā)射的或者要探測(cè)的輻射被構(gòu)造為有針對(duì)性地吸收性的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一的器件，其中所述去耦合層在對(duì)器件的俯視中完全覆蓋連接層的伸出半導(dǎo)體芯片的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的器件，其中所述去耦合層直接與半導(dǎo)體芯片接界。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一的器件，其中所述半導(dǎo)體芯片在垂直方向上伸出去耦合層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一的器件，所述器件具有殼體(40)，其中半導(dǎo)體芯片布置在殼體的空穴(410)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的器件，其中空穴的底面完全由去耦合層覆蓋。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11之一的器件，其中去耦合層包含其玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)處于室溫或更低的材料。
13.用于制造具有光電子半導(dǎo)體芯片(2)的器件(I)的方法，具有步驟一提供接線載體(4);一借助于連接層(3)將半導(dǎo)體芯片(2)固定在接線載體(4)上；一將去耦合層(6 )施加到連接層(3 )上；以及一將包封(5)施加到去耦合層(6)上，其中半導(dǎo)體芯片(2)被嵌入到包封(5)中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中去耦合層借助于分發(fā)器來(lái)制造。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14的方法，其中制造根據(jù)權(quán)利要求1至12之一的器件。
全文摘要
本發(fā)明說(shuō)明一種具有光電子半導(dǎo)體芯片(2)的器件(1)，所述光電子半導(dǎo)體芯片利用連接層(3)固定在接線載體(4)上并且嵌入到包封(5)中，其中在連接層(3)與包封(5)之間至少局部地布置去耦合層(6)。此外說(shuō)明一種用于制造器件的方法。
文檔編號(hào)H01L33/56GK103026512SQ201180033647
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者J.拉姆亨, J.E.佐爾格, S.耶雷比克, B.布勞內(nèi) 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司