專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法及使用存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用具有納米間隙電極(nano-gap electrods)的存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法及存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，伴隨著設(shè)備的小型化、高密度化，期望電氣元件能夠進(jìn)一步微小化。作為電氣元件的微小化的一個(gè)例子，已知有通過(guò)在間隔微小間隙(納米間隙)的兩個(gè)電極之間施加電壓，以能夠進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作的元件。具體來(lái)說(shuō)，例如，開(kāi)發(fā)了一種由氧化硅和金之類(lèi)的穩(wěn)定的材料構(gòu)成，通過(guò)傾斜蒸鍍(Oblique deposition)的簡(jiǎn)便的制造方法進(jìn)行制造,能夠穩(wěn)定并反復(fù)地進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作的元件(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。在具有這種納米間隙的元件(下面，稱(chēng)為“納米間隙存儲(chǔ)元件”)中，為了寫(xiě)入或刪除，通過(guò)施加具有規(guī)定的電壓值的電壓脈沖，使納米間隙存儲(chǔ)元件從該高電阻狀態(tài)(關(guān)(OFF)狀態(tài))向低電阻狀態(tài)(開(kāi)(ON)狀態(tài))轉(zhuǎn)換，或者從低電阻狀態(tài)(開(kāi)(ON)狀態(tài))向高電阻狀態(tài)(關(guān)(OFF)狀態(tài))轉(zhuǎn)換?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2007 - 123828號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，特別是在從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，存在這樣的問(wèn)題即使施加電壓脈沖，轉(zhuǎn)換成所期望的電阻狀態(tài)(低電阻狀態(tài))的概率也很低。在此，為了提高從高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換成低電阻狀態(tài)的概率，考慮了增大脈沖寬度(即，一次施加電壓脈沖的時(shí)間)的方法，或提高電壓值等的方法。然而，在這些方法中，存在從高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換成低電阻狀態(tài)的概率仍然不夠高的問(wèn)題。本發(fā)明要解決的問(wèn)題在于，提供一種能夠高概率地從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法及使用該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置。用于解決問(wèn)題的手段在第一技術(shù)方案中記載的發(fā)明是一種存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法，所述存儲(chǔ)元件具有絕緣性基板；第一電極及第二電極，設(shè)置于所述絕緣性基板上；電極間間隙部，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向所述第一電極與所述第二電極之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生第一、第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象。通過(guò)施加電壓脈沖，所述存儲(chǔ)元件能夠從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換以及能夠從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換。所述存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法的特征在于，至少在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，通過(guò)插入串聯(lián)連接的電阻體，從脈沖發(fā)生源經(jīng)由所述電阻體向所述存儲(chǔ)元件施加電壓脈沖，來(lái)減小電阻值變化之后的電流值；另夕卜，通過(guò)施加所述電壓脈沖，使得與從所述低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，所述脈沖發(fā)生源與所述存儲(chǔ)元件之間的電阻變大。在第二技術(shù)方案中記載的發(fā)明具有與在第一技術(shù)方案中記載的發(fā)明相同的結(jié)構(gòu)，并且該在第二技術(shù)方案中記載的發(fā)明的特征在于，從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下的所述電阻體的電阻值為2ΜΩ 0.5ΜΩ。在第三技術(shù)方案中記載的發(fā)明是一種使用存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，具有存儲(chǔ)元件和電壓施加部。所述存儲(chǔ)元件具有:絕緣性基板；第一電極及第二電極，設(shè)置于所述絕緣性基板上；電極間間隙部，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向所述第一電極與所述第二電極之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生第一、第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象。所述電壓施加部，通過(guò)施加電壓脈沖，使得在所述存儲(chǔ)元件的所述第一電極與第二電極之間，進(jìn)行從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。所述電壓施加部具有:脈沖發(fā)生源，產(chǎn)生規(guī)定電壓的脈沖；電阻體，用于至少減小在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)所施加的電壓脈沖使電阻值變化之后的流向所述存儲(chǔ)元件的電流；切換部，進(jìn)行切換，使得與從所述低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，在所述脈沖發(fā)生源與所述存儲(chǔ)元件之間的電阻變大。在第四技術(shù)方案中記載的發(fā)明是一種使用存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，具有存儲(chǔ)元件和電壓施加部。所述存儲(chǔ)元件具有:絕緣性基板；第一電極及第二電極，設(shè)置于所述絕緣性基板上；電極間間隙部，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向所述第一電極與所述第二電極之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生第一、第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象。所述電壓施加部，通過(guò)施加電壓脈沖，使得在所述存儲(chǔ)元件的所述第一電極與第二電極之間，進(jìn)行從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換和從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換；所述存儲(chǔ)元件為多個(gè)，至少各自的存儲(chǔ)元件分別與電阻體連接；所述電壓施加部具有切換部，所述切換部進(jìn)行切換，使得與從所述低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，在所述脈沖發(fā)生源與所述存儲(chǔ)元件之間的電阻變大。在第五技術(shù)方案中記載的發(fā)明具有與在第三技術(shù)方案或者第四技術(shù)方案中記載的發(fā)明相同的結(jié)構(gòu)，并且該在第五技術(shù)方案中記載的發(fā)明的特征在于，從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下的所述電阻體的電阻值為2ΜΩ 0.5ΜΩ。發(fā)明的效果作為發(fā)明人們?yōu)榱私鉀Q上述的問(wèn)題而專(zhuān)心研究的結(jié)果，著眼于從脈沖發(fā)生源經(jīng)由串聯(lián)連接的電阻體向存儲(chǔ)元件施加用于切換電阻狀態(tài)的電壓脈沖。由此可知，通過(guò)施加上述電壓脈沖，使存儲(chǔ)元件以更高的概率從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換。根據(jù)本發(fā)明，就具有電極間間隙部的存儲(chǔ)元件而言，至少?gòu)母唠娮锠顟B(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，電壓脈沖的施加是經(jīng)由串聯(lián)的電阻體進(jìn)行的，其中，電極間間隙部具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)施加電壓脈沖來(lái)進(jìn)行從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。由此，在施加電壓脈沖時(shí)，能夠減小流向變化為低電阻值之后的存儲(chǔ)元件的電流值。以往，與從低電阻狀態(tài)向高電阻狀態(tài)切換相比，從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)切換的成功率很低，但是通過(guò)以上述方式施加電壓脈沖，能夠顯著地提高從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)切換的成功率。例如，在交替進(jìn)行從低電阻狀態(tài)向高電阻狀態(tài)切換和從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)切換的反復(fù)重寫(xiě)(改寫(xiě))試驗(yàn)中，能夠更加可靠地執(zhí)行在低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)之間的狀態(tài)切換，另外，能夠基本不重復(fù)地將低電阻狀態(tài)的電阻值所屬的范圍與高電阻狀態(tài)的電阻值所屬的范圍分開(kāi)，由此，能夠保持能夠識(shí)別存儲(chǔ)元件的兩個(gè)狀態(tài)，從而能夠進(jìn)一步提高作為存儲(chǔ)裝置的適應(yīng)性。


圖1A是表示本發(fā)明的存儲(chǔ)裝置的功能的結(jié)構(gòu)的框圖。圖1B是表示存儲(chǔ)裝置的納米間隙存儲(chǔ)器陣列所包括的一個(gè)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是示意性地表示本發(fā)明的存儲(chǔ)裝置所具有的納米間隙存儲(chǔ)元件的主要部分的剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的存儲(chǔ)裝置所具有的電壓施加部的功能的結(jié)構(gòu)的框圖。圖4是示意性地表示另一個(gè)納米間隙存儲(chǔ)元件的主要部分的剖視圖。圖5是表示在交替并反復(fù)地施加使實(shí)施例中的納米間隙存儲(chǔ)元件從低電阻狀態(tài)向高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第一電壓脈沖和使該納米間隙存儲(chǔ)元件從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第二電壓脈沖的情況下的元件的電阻值變化的圖表。圖6是表示在交替并反復(fù)地施加使比較例中的納米間隙存儲(chǔ)元件從低電阻狀態(tài)向高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第一電壓脈沖和使該納米間隙存儲(chǔ)元件從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第二電壓脈沖的情況下的元件的電阻值變化的圖表。圖7是表示在交替并反復(fù)地施加使另一個(gè)例子中的納米間隙存儲(chǔ)元件從低電阻狀態(tài)向高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第一電壓脈沖和使該納米間隙存儲(chǔ)元件從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第二電壓脈沖的情況下的元件的電阻值變化的圖表，所述另一個(gè)例子中的納米間隙存儲(chǔ)元件與實(shí)施例中的納米間隙存儲(chǔ)元件結(jié)構(gòu)相同，僅改變了施加給存儲(chǔ)元件的脈沖的寬度。
具體實(shí)施例方式下面，利用附圖，針對(duì)本發(fā)明說(shuō)明具體的方式。但是，發(fā)明的范圍不限于圖示的例子。<具有納米間隙存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置>首先，參照?qǐng)D1A 圖3，針對(duì)存儲(chǔ)裝置1000的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。存儲(chǔ)裝置1000為具有將多個(gè)存儲(chǔ)單元110配置成陣列狀的存儲(chǔ)元件陣列來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的裝置。在此，在本發(fā)明的存儲(chǔ)裝置1000中，存儲(chǔ)單元110由納米間隙存儲(chǔ)元件10和作為選擇元件的MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管11構(gòu)成，存儲(chǔ)元件陣列為納米間隙存儲(chǔ)器陣列100。
具體來(lái)說(shuō)，例如，如圖1A所示，存儲(chǔ)裝置1000構(gòu)成為具有納米間隙存儲(chǔ)器陣列100、電壓施加部200、讀取部300、控制部400、為了選擇排列成陣列狀的存儲(chǔ)單元110的中一個(gè)而指定存儲(chǔ)單元110在X方向上的位置的X方向上的地址指定部410、指定存儲(chǔ)單元110在Y方向上的位置的Y方向上的地址指定部420等。(納米間隙存儲(chǔ)器陣列)納米間隙存儲(chǔ)器陣列100為將例如多個(gè)存儲(chǔ)單元110配置成陣列狀(例如，二維陣列狀)的高密度存儲(chǔ)器。如圖1B所示，存儲(chǔ)單元110由MOS晶體管11、與該MOS晶體管11的漏電極或源電極連接的納米間隙存儲(chǔ)元件10構(gòu)成。MOS晶體管11的源電極或漏電極與X方向上的地址指定部410連接，柵電極與Y方向上的地址指定部420連接。并且，若經(jīng)由X方向上的地址指定部410施加后述的第一或第二電壓脈沖，從Y方向上的地址指定部420輸入指定信號(hào)，則實(shí)現(xiàn)對(duì)納米間隙存儲(chǔ)元件10施加電壓脈沖，產(chǎn)生后述的電阻值變化現(xiàn)象。(納米間隙存儲(chǔ)元件)納米間隙存儲(chǔ)元件10為例如使納米間隙電極之間(電極間間隙部4的間隙)的電阻值切換(在低電阻/高電阻之間切換)，以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件。具體來(lái)說(shuō),例如,如圖2所示,納米間隙存儲(chǔ)元件10構(gòu)成為具有絕緣性基板1、設(shè)置于絕緣性基板I的一個(gè)面(上表面)的第一電極2及第二電極3、設(shè)置在第一電極2與第二電極3之間的電極間間隙部4等。絕緣性基板I作為支持體起作用，用于以例如隔開(kāi)納米間隙存儲(chǔ)元件10的兩個(gè)電極(第一電極2和第二電極3)的方式設(shè)置該兩個(gè)電極。絕緣性基板I的結(jié)構(gòu)及材料沒(méi)有特別的限定。具體來(lái)說(shuō)，例如，絕緣性基板I的表面的形狀可以為平面，可以具有凹凸。另外，絕緣性基板I可以為例如在Si等的半導(dǎo)體基板的表面設(shè)置氧化膜等的基板，還可以采用基板自身具有絕緣性的基板。作為絕緣性基板I的材料，優(yōu)選例如，玻璃、二氧化硅(SiO2)等的氧化物、氮化硅(SiN)等的氮化物等，其中，從與第一電極2及第二電極3的貼合性好、制造的自由度大的角度出發(fā)，優(yōu)選二氧化硅(SiO2)。例如，第一電極2與第二電極3成對(duì)，用于進(jìn)行納米間隙存儲(chǔ)元件10的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。第一電極2的形狀沒(méi)有特別的限定，能夠適當(dāng)?shù)厝我飧淖?。第一電極2的材料只要具有導(dǎo)電性即可，沒(méi)有特別的限定，優(yōu)選地，采用例如，從金、銀、鉬、IE (Palladium)、鎮(zhèn)(Nickel )、招(Aluminum)、鈷(Cobalt)、絡(luò)(Chromium)、錯(cuò)(Rhodium)、銅、鶴(Tungsten)、鉭(Tantalum)、碳或這些材料的合金中選擇的至少一種。在此，為了強(qiáng)化第一電極2與絕緣性基板I的接合性，例如，可以疊加兩層以上不同的金屬來(lái)使用。具體來(lái)說(shuō)，例如，第一電極2可以采用鉻及金的層疊(多層)結(jié)構(gòu)。例如，第二電極3與第一電極2成對(duì)，用于進(jìn)行納米間隙存儲(chǔ)元件10的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。第二電極3的形狀沒(méi)有特別的限定，能夠適當(dāng)?shù)厝我飧淖?。第二電極3的材料只要具有導(dǎo)電性即可，沒(méi)有特別的限定，優(yōu)選地，采用例如，例如，金、銀、鉬、鈀、鎳、鋁、鈷、鉻、銠、銅、鎢、鉭、碳或這些材料的合金中選擇的至少一種。為了強(qiáng)化第一電極3與絕緣性基板I的接合性，例如，可以疊加兩層以上不同的金屬來(lái)使用。具體來(lái)說(shuō)，例如，第二電極3可以采用鉻及金的層疊(多層)結(jié)構(gòu)。
電極間間隙部4例如形成于第一電極2與第二電極3之間，其起到發(fā)現(xiàn)納米間隙存儲(chǔ)元件10的電阻值變化現(xiàn)象的作用。具體來(lái)說(shuō),例如，電極間間隙部4具有納米級(jí)(nanometer order)的間隙,該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向第一電極2與第二電極3之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生電阻的開(kāi)關(guān)現(xiàn)象。即，將第一電極2與第二電極3之間(納米間隙電極之間)的距離(間隔)G設(shè)定為納米級(jí)。優(yōu)選地，第一電極20與第二電極30之間(納米間隙電極之間)的距離(間隔)G為例如，Onm < G ≤ 13nm,更優(yōu)選地，為 0.8nm < G < 2.2nm。在此，將距離G的上限值設(shè)為13nm是因?yàn)?，例如，在通過(guò)兩次傾斜蒸鍍制造納米間隙存儲(chǔ)元件的情況下，若間隙間隔超過(guò)13nm，則納米間隙存儲(chǔ)元件不能進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。另外，若將低電阻狀態(tài)、高電阻狀態(tài)的典型的值代入隧道電流的理論公式，則作為間隙寬度的計(jì)算結(jié)果，求得0.8nm < G < 2.2nm的范圍。此外，第一電極2與第二電極3的最接近的部位(電極間間隙部4的間隙)，例如可以在第一電極2與第二電極3相向?qū)χ玫膮^(qū)域內(nèi)形成一處或者多處。另外，例如，可以在第一電極2與第二電極3之間形成由該第一電極2和第二電極3的結(jié)構(gòu)材料等構(gòu)成的島部分(sandbank portion,沙洲部分)。在該情況下,例如,在第一電極2與島部分之間、在第二電極3與島部分之間形成有規(guī)定的間隙(電極間間隙部4的間隙)，只要使第一電極2與第二電極3不短路即可。(電壓施加部)電壓施加部200與例如納米間隙存儲(chǔ)器陣列100所具有的多個(gè)存儲(chǔ)單元110及控制部400連接。電壓施加部200基于例如從控制部400輸入的控制信號(hào)，通過(guò)向在存儲(chǔ)單元110內(nèi)的納米間隙存儲(chǔ)元件10的第一電極2與第二電極3之間施加電壓(電壓脈沖)，來(lái)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入納米間隙存儲(chǔ)元件10，或者從納米間隙存儲(chǔ)元件10內(nèi)刪除數(shù)據(jù)。具體來(lái)說(shuō)，例如，從控制部400向電壓施加部200輸入與要施加電壓脈沖的納米間隙存儲(chǔ)元件10的所在地相關(guān)的地址信息。若輸入了這些信息，則電壓施加部200向例如納米間隙存儲(chǔ)器陣列100所具有的多個(gè)納米間隙存儲(chǔ)元件10中的利用地址信息指定的納米間隙存儲(chǔ)元件10施加電壓脈沖。另外，為了對(duì)各個(gè)納米間隙存儲(chǔ)元件10施加第一電壓脈沖和第二電壓脈沖，電壓施加部200具備圖3示出的結(jié)構(gòu)，其中，第一電壓脈沖和第二電壓脈沖用于使各個(gè)納米間隙存儲(chǔ)元件10的第一電極2與第二電極3之間的電阻狀態(tài)在低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)的兩種狀態(tài)之間切換。即，電壓施加部200具有:作為脈沖發(fā)生源的脈沖發(fā)生器210，其對(duì)存儲(chǔ)元件10產(chǎn)生(施加)具有規(guī)定的電壓及規(guī)定的脈沖寬度的電壓脈沖；切換部220，其使上述脈沖發(fā)生器210和納米間隙存儲(chǔ)元件10的第一電極2在第一連接狀態(tài)與第二連接狀態(tài)之間切換。此夕卜，這些脈沖發(fā)生器210及切換部220被設(shè)置成經(jīng)由X方向上的地址指定部410而與各納米間隙存儲(chǔ)元件10連接。此外，實(shí)際上，在電壓施加部部200與各納米間隙存儲(chǔ)元件10之間設(shè)置有各地址指定部410及MOS晶體管11，在圖3中，省略這些設(shè)備的圖示。脈沖發(fā)生器210能夠輸出單個(gè)電壓脈沖，通過(guò)控制部400，能夠任意地控制該電壓脈沖的電壓和脈沖寬度。切換部220具有用于形成第一連接狀態(tài)的路徑和用于形成第二連接狀態(tài)的路徑，其中，在所述第一連接狀態(tài)下，直接連接脈沖發(fā)生器210和納米間隙存儲(chǔ)元件10的第一電極2 ;在所述第二連接狀態(tài)下，在脈沖發(fā)生器210與納米間隙存儲(chǔ)元件10的第一電極2之間串聯(lián)配置作為電阻體的電阻元件221，并且連接脈沖發(fā)生器210、電阻元件221、納米間隙存儲(chǔ)元件10的第一電極2。切換部220能夠通過(guò)切換元件222選擇性地連接某一個(gè)的路徑。通過(guò)控制部400進(jìn)行上述切換元件222的切換控制。在通過(guò)切換部220以第一連接狀態(tài)進(jìn)行連接的情況下，將從脈沖發(fā)生器210輸出的電壓脈沖直接作為第一電壓脈沖施加給納米間隙存儲(chǔ)元件10。另外，在通過(guò)切換部220以第二連接狀態(tài)進(jìn)行連接的情況下，將從脈沖發(fā)生器210輸出的電壓脈沖經(jīng)由電阻元件222之后的電壓脈沖，作為第二電壓脈沖施加給納米間隙存儲(chǔ)元件10。此時(shí)，由于能夠?qū)㈦娮柙?22及納米間隙存儲(chǔ)元件10看作串聯(lián)的兩個(gè)電阻元件，所以相對(duì)于電壓脈沖，有與電阻元件222和納米間隙存儲(chǔ)元件10的合計(jì)的電阻值成反比例的電流流向納米間隙存儲(chǔ)元件10，從而防止流經(jīng)切換成低電阻狀態(tài)的納米間隙存儲(chǔ)元件10的電流過(guò)大，從而能夠穩(wěn)定地保持納米間隙存儲(chǔ)元件10的低電阻狀態(tài)，提高向?qū)?yīng)低電阻切換的成功率。由此，通過(guò)施加第二電壓脈沖，能夠?qū)⒓{米間隙存儲(chǔ)元件10在能夠固定的范圍內(nèi)固定為極小的電阻值。另外，防止在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，在納米間隙存儲(chǔ)元件10從高電阻變?yōu)榈碗娮瓒l(fā)生很大電阻變化時(shí)，因元件流入電流的急劇增加而導(dǎo)致斷路等的元件損壞。(X方向及Y方向上的地址指定部)X方向上的地址指定部410具有多個(gè)配線，這些配線將在設(shè)置成陣列狀的多個(gè)存儲(chǔ)單元110內(nèi)的沿著Y方向排列的多個(gè)存儲(chǔ)單元110各自的MOS晶體管11的源電極并聯(lián)，并且各配線設(shè)置成沿著X方向排列。能夠?qū)Ω髋渚€逐個(gè)施加來(lái)自電壓施加部200的電壓脈沖。Y方向的地址指定部420具有多個(gè)配線，這些配線將在設(shè)置成陣列狀的多個(gè)存儲(chǔ)單元Iio內(nèi)的沿著X方向排列的多個(gè)存儲(chǔ)單元110各自的MOS晶體管11的柵電極并聯(lián)，并且各配線設(shè)置成沿著Y方向排列。能夠?qū)Ω髋渚€逐個(gè)施加作為指定信號(hào)的電壓，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)各MOS晶體管11連接源電極和對(duì)各MOS晶體管11連接漏電極。S卩，根據(jù)Y方向上的地址指定部420的位置指定，對(duì)相應(yīng)的配線施加指定信號(hào)，根據(jù)X方向上的地址指定部410的位置指定，對(duì)相應(yīng)的配線施加電壓脈沖，從而，能夠?qū)νㄟ^(guò)X方向和Y方向上的位置指定而確定的任意納米間隙存儲(chǔ)元件10施加電壓脈沖。此外，通過(guò)將存儲(chǔ)單元110構(gòu)成為至少將納米間隙存儲(chǔ)元件10與電阻體連接(還可以與MOS晶體管11連接)，能夠使寫(xiě)入高速化。這是因?yàn)?，到存?chǔ)單元110為止的配線的充放電電流不受電阻體的限制。雖然存儲(chǔ)單元面積有增加的可能性，但若將所述電阻體和所述存儲(chǔ)元件的電極構(gòu)成為層疊結(jié)構(gòu)，則能夠避免存儲(chǔ)單元面積增加。在該情況下，不需要圖3示出的切換部220，能夠由脈沖發(fā)生器210供給電壓，以驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)單元。(讀取部)讀取部300與例如納米間隙存儲(chǔ)器陣列100所具有的多個(gè)納米間隙存儲(chǔ)元件10及控制部400連接。讀取部300根據(jù)例如從控制部400輸入的控制信號(hào)，從納米間隙存儲(chǔ)元件10讀取數(shù)據(jù)，并將該讀取結(jié)果輸出至控制部400。具體來(lái)說(shuō)，例如，從控制部400向讀取部300輸入與讀取數(shù)據(jù)的納米間隙存儲(chǔ)元件10的所在地相關(guān)的地址信息。若接收到該信息，則讀取部300例如測(cè)定納米間隙存儲(chǔ)器陣列100所具有的多個(gè)納米間隙存儲(chǔ)元件10中的利用地址信息指定的納米間隙存儲(chǔ)元件10的納米間隙電極之間(電極間間隙部4的間隙)的電阻值，從而從該納米間隙存儲(chǔ)元件10讀取數(shù)據(jù)。(控制部)控制部400向電壓施加部200的脈沖發(fā)生器210輸入控制信號(hào)(電壓值信息等)，向X方向及Y方向上的地址指定部410、420輸入地址信號(hào)，控制以規(guī)定電壓值向任意納米間隙存儲(chǔ)元件10施加事先設(shè)定的規(guī)定脈沖寬度的電壓脈沖。此時(shí)，控制部400進(jìn)行如下的控制:在使納米間隙存儲(chǔ)元件10從低電阻狀態(tài)向(下面，也稱(chēng)為“開(kāi)(ON)狀態(tài)”)高電阻狀態(tài)(下面，也稱(chēng)為“關(guān)(OFF)狀態(tài)”)切換時(shí)，對(duì)切換元件222進(jìn)行控制，以使切換部220處于第一連接狀態(tài)，此后，使脈沖發(fā)生器210按照設(shè)定電壓產(chǎn)生脈沖，向納米間隙存儲(chǔ)元件10施加第一電壓脈沖。另外，進(jìn)行如下的控制:在使納米間隙存儲(chǔ)元件10從高電阻狀態(tài)(關(guān)(OFF)狀態(tài))向低電阻狀態(tài)(開(kāi)(ON)狀態(tài))切換時(shí)，對(duì)切換元件222進(jìn)行控制，以使切換部220處于第二連接狀態(tài)，此后，使脈沖發(fā)生振器210產(chǎn)生與第一電壓脈沖相同的脈沖，向納米間隙存儲(chǔ)元件10施加第二電壓脈沖。另外，例如，若施加第二電壓脈沖，則控制部400向讀取部300輸入控制信號(hào)(地址信息等)，從納米間隙存儲(chǔ)元件10讀取數(shù)據(jù)，然后，基于該讀取結(jié)果，判斷納米間隙存儲(chǔ)元件10是否從高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換成了低電阻狀態(tài)。在判斷的結(jié)果為納米間隙存儲(chǔ)元件10沒(méi)有從高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換成低電阻狀態(tài)的情況下，可以進(jìn)行再次施加第二電壓脈沖的控制。(納米間隙存儲(chǔ)元件的變形例)此外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種改良以及設(shè)計(jì)的變更。下面，針對(duì)本發(fā)明的納米間隙存儲(chǔ)元件的變形例進(jìn)行說(shuō)明。例如，如圖4所示，變形例I的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA主要具有:絕緣性基板1A、設(shè)置于絕緣性基板IA的上表面的絕緣體5A、設(shè)置于絕緣性基板IA的上表面的第一電極2A、設(shè)置于絕緣體5A的上表面的第二電極3A、設(shè)置于第一電極2A與第二電極3A之間的電極間間隙部4A。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)將絕緣體5A設(shè)置于絕緣性基板IA的上表面，構(gòu)成階梯部，通過(guò)該絕緣體5A,將第一電極2A和第二電極3A以具有高低差的方式配置在基板IA上。第一電極2A設(shè)置成與絕緣性基板IA的上表面及絕緣體5A的側(cè)面51A的下側(cè)部分接觸，第二電極3A設(shè)置成與絕緣體5A的上表面及絕緣體5A的側(cè)面51A的上側(cè)部分接觸。電極間間隙部4A設(shè)置在，設(shè)于絕緣體5A的側(cè)面51A的下側(cè)部分的第一電極2A與設(shè)于絕緣體5A的側(cè)面51A的上側(cè)部分的第二電極3A之間。S卩，電極間間隙部4A沿著由絕緣體5A形成的階梯部的高度方向形成有間隙G。此外，優(yōu)選地，第一電極2A及第二電極3A的材料選擇與上述的第一電極2及第二電極3相同的材料。另外，絕緣體5A的第一對(duì)置部位與第二對(duì)置部位沿著相對(duì)于基板IA的平面的高度方向排列，所述第一對(duì)置部位與構(gòu)成電極間間隙部4A的第一電極2A相對(duì)置，所述第二對(duì)置部位與第二電極3A相對(duì)置。因此，只要具備上述功能，也可以采用其它的結(jié)構(gòu)。另外，絕緣體5A可以為例如在絕緣性基板IA的一部分設(shè)置氧化膜等而成的構(gòu)件，可以為在絕緣性基板IA整個(gè)表面設(shè)置氧化膜等，通過(guò)去掉該氧化膜的一部分而形成的構(gòu)件。另外，作為絕緣體5A的材料，優(yōu)選例如，玻璃、二氧化硅(SiO2)等的氧化物、氮化硅(Si3N4)等的氮化物等，其中，從與第一電極2A及第二電極3A的貼合性好、制造自由度大的角度出發(fā)，優(yōu)選二氧化硅(Si02)。另外，電極間間隙部4A與上述的電極間間隙部4相比，除了所形成的平面的朝向不同以外，實(shí)體的結(jié)構(gòu)基本相同。因此，電極間間隙部4A的尺寸等的設(shè)計(jì)條件、電極間間隙部4A的動(dòng)作方法與上述的電極間間隙部4的情況相同。上述變形例I的存儲(chǔ)元件IOA具備與上述的存儲(chǔ)元件10相同的技術(shù)的效果，并且通過(guò)由絕緣體5A形成的階梯部，將第一電極2A及第二電極3A以具有高低差的方式配置在絕緣性基板IA的上表面，并且沿著絕緣體5A的高度方向形成有電極間間隙部4A，因此，與將第一電極2A、第二電極3A及電極間間隙部4A配置成排列在同一平面上的情況相比，從俯視絕緣性基板IA看來(lái)，能夠減少該電極間間隙部4A的占有面積。由此，例如，在通過(guò)共用單個(gè)絕緣性基板1A，集成多個(gè)存儲(chǔ)元件10A，來(lái)形成存儲(chǔ)元件的情況下，有利于集成化，能夠?qū)崿F(xiàn)存儲(chǔ)元件的小型化。<實(shí)施例>下面，根據(jù)具體的實(shí)施例，來(lái)更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但是，本發(fā)明不限定于此。在此，針對(duì)利用圖4示出的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。此外，也可以采用納米間隙存儲(chǔ)元件10。交替并反復(fù)地對(duì)上述的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA施加第一電壓脈沖及第二電壓脈沖，分別在施加各電壓脈沖之后，測(cè)定該納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的納米間隙電極之間(電極間間隙部4A的間隙)的電阻值。在施加第一電壓脈沖及第二電壓脈沖時(shí)，兩者都將由脈沖發(fā)生器210產(chǎn)生的電壓脈沖的電壓設(shè)定為10V，將脈沖寬度(施加一次電壓脈沖的時(shí)間)設(shè)定為100 μ S。另外，電壓施加部200的切換部220的電阻元件使用IMΩ。另外，作為比較例，對(duì)于相同的納米間隙存儲(chǔ)元件10Α，不使用切換部220，而是直接連接脈沖發(fā)生器210與納米間隙存儲(chǔ)元件10，將第二電壓脈沖的施加電壓設(shè)定為低于第一電壓脈沖的施加電壓，交替并反復(fù)地施加第一電壓脈沖與第二電壓脈沖，分別在施加各電壓脈沖之后，測(cè)定此時(shí)的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的納米間隙電極之間(電極間間隙部4Α的間隙)的電阻值。在該比較例中，將第一電壓脈沖設(shè)定為10V，將第二電壓脈沖設(shè)定為5V，將兩者的脈沖寬度都設(shè)定為500ns。圖5是表不與每次施加實(shí)施例的第一電壓脈沖和第二電壓脈沖相對(duì)應(yīng)的電阻值的圖表，圖6是表示與每次施加比較例的第一電壓脈沖和第二電壓脈沖相對(duì)應(yīng)的電阻值的圖表。在各圖中，■表不施加第一電壓脈沖時(shí)(關(guān)(OFF)時(shí))的電阻值， 表不施加第二電壓脈沖時(shí)(開(kāi)(ON)時(shí))的電阻值。在實(shí)施例及比較例中都 顯示出以下的趨勢(shì):在施加第一電壓脈沖時(shí)，電阻值上升，在施加第二電壓脈沖時(shí)，電阻值下降。然而，在比較例的情況中，如圖6所示，在施加第二電壓脈沖之后，沒(méi)有從高電阻狀態(tài)充分切換成低電阻狀態(tài)的情況很多，在施加第一電壓脈沖之后的電阻值和在施加第二電壓脈沖之后的電阻值各自的偏差很多，高電阻狀態(tài)的電阻的數(shù)值范圍與低電阻狀態(tài)的電阻的數(shù)值范圍有很大程度互相重復(fù)。其結(jié)果為，顯示出若使用納米間隙存儲(chǔ)元件IOA來(lái)作為存儲(chǔ)裝置內(nèi)的一個(gè)存儲(chǔ)元件，則難以識(shí)別開(kāi)(ON)和關(guān)(0FF)，導(dǎo)致不夠?qū)嵱玫慕Y(jié)果。另一方面，如圖5所示，實(shí)施例能夠抑制(減小)在施加第一電壓脈沖之后的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的電阻值和在施加第二電壓脈沖之后的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的電阻值各自的偏差，高電阻狀態(tài)的電阻的數(shù)值范圍與低電阻狀態(tài)的電阻的數(shù)值范圍基本不重復(fù)。即，通過(guò)決定出規(guī)定的閾值，納米間隙存儲(chǔ)元件IOA能夠更加可靠地識(shí)別開(kāi)(ON)狀態(tài)或關(guān)(OFF)狀態(tài)，提高作為存儲(chǔ)裝置的實(shí)用性。另外，相對(duì)于圖5的實(shí)施例，在圖7中示出了在將在施加第一電壓脈沖及第二電壓脈沖時(shí)的脈沖寬度設(shè)定為150微秒(μ s)，進(jìn)行與圖5相同的試驗(yàn)的情況下的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的電阻值的測(cè)定結(jié)果。在圖7的例子中，與圖5相同，能夠抑制(減小)在施加第一電壓脈沖之后的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的電阻值和在施加第二電壓脈沖之后的納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的電阻值各自的偏差，很好地分離高電阻狀態(tài)的電阻的數(shù)值范圍和低電阻狀態(tài)的電阻的數(shù)值范圍，從而能夠易于識(shí)別納米間隙存儲(chǔ)元件IOA的開(kāi)(ON)狀態(tài)或關(guān)(OFF)狀態(tài)，提高作為存儲(chǔ)裝置的實(shí)用性。(發(fā)明的實(shí)施方式的效果)如上所述，在存儲(chǔ)裝置1000中，通過(guò)利用電壓施加部200的切換部220，由脈沖發(fā)生器210直接對(duì)納米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)施加第一電壓脈沖，由串聯(lián)的電阻元件221對(duì)納米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)施加第二電壓脈沖。由此，在施加第二電壓脈沖時(shí)，能夠?qū){米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)導(dǎo)通很小的電流。因此，就在施加第一電壓脈沖之后的納米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)的電阻值和在施加第二電壓脈沖之后的電阻值而言，能夠抑制(減小)各自的偏差，能夠有效抑制高電阻狀態(tài)的電阻值的數(shù)值范圍與低電阻狀態(tài)的電阻值的數(shù)值范圍重復(fù)。因此，能夠提高作為納米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)的存儲(chǔ)元件的可靠性及實(shí)用性。另外，由于通過(guò)利用切換部220切換電阻元件221的有無(wú)(串聯(lián)電阻元件221或者不串聯(lián))，來(lái)選擇性地施加第一電壓脈沖和第二電壓脈沖，所以能夠使脈沖發(fā)生器的輸出電壓恒定，從而能夠施加穩(wěn)定的電壓。(其他)此外，還可以通過(guò)利用規(guī)定的密封構(gòu)件密封存儲(chǔ)裝置1000的一部分(例如，納米間隙存儲(chǔ)器陣列100)或全部，以使得電極間間隙部4不與大氣或水分接觸。由此，能夠使納米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)更穩(wěn)定地進(jìn)行動(dòng)作。進(jìn)而，通過(guò)利用規(guī)定的密封構(gòu)件進(jìn)行密封，能夠保持將電極間間隙部4配置在任意的環(huán)境中的狀態(tài)，從而能夠在任意的環(huán)境中使用納米間隙存儲(chǔ)元件10 (或10A)。此外，第一及第二電壓脈沖的電壓值、脈沖寬度，是根據(jù)納米間隙存儲(chǔ)元件的間隙的尺寸、電極的選擇材料、間隙之間的空氣的成分等適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更而得到的，另外，電阻元件221的電阻值并不嚴(yán)格地限定于1ΜΩ，而在3ΜΩ 0.3ΜΩ的范圍，更優(yōu)選地，在2ΜΩ 0.5ΜΩ的范圍等的大致1ΜΩ的范圍也有效果，另外，在同樣的條件下，根據(jù)第一及第二電壓脈沖的電壓值、納米間隙存儲(chǔ)元件的在高電阻時(shí)或在低電阻時(shí)的電阻值等，能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，而不限于上述的例子。另外，在上述存儲(chǔ)裝置1000中，例示了在納米間隙存儲(chǔ)器陣列100內(nèi)進(jìn)行存儲(chǔ)的情況，但也可以將由單獨(dú)的納米間隙存儲(chǔ)元件10、與該單獨(dú)的納米間隙存儲(chǔ)元件10對(duì)應(yīng)的電壓施加部200、讀取部300、控制部400構(gòu)成的設(shè)備作為存儲(chǔ)裝置。此外，在上述的存儲(chǔ)裝置1000中，電壓施加部200僅在施加第二電壓脈沖時(shí)經(jīng)由電阻元件221來(lái)施加電壓，但也可以在施加第一電壓脈沖時(shí)也經(jīng)由電阻元件來(lái)施加電壓。但是，就在施加第一電壓脈沖時(shí)所使用的電阻元件而言，需要選擇電阻值比在施加第二電壓脈沖時(shí)所使用的電阻元件221低的元件，以將在施加第一電壓脈沖時(shí)流向納米間隙存儲(chǔ)元件10的電流值調(diào)整為比在施加第二電壓脈沖時(shí)的電流大。工業(yè)上的可利用性可應(yīng)用于能夠通過(guò)施加電壓脈沖來(lái)切換開(kāi)(ON)(低電阻)-關(guān)(OFF)(高電阻)的存儲(chǔ)元件的領(lǐng)域中。附圖標(biāo)記說(shuō)明I絕緣性基板2第一電極3第二電極4電極間間隙部10納米間隙存儲(chǔ)元件(存儲(chǔ)元件)200電壓施加部210脈沖發(fā)生器(脈沖發(fā)生源)220切換部221電阻元件(電阻體)1000存儲(chǔ)裝置
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法， 所述存儲(chǔ)元件具有: 絕緣性基板， 第一電極及第二電極，設(shè)置于所述絕緣性基板上， 電極間間隙部，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向所述第一電極與所述第二電極之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生第一、第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象； 通過(guò)施加電壓脈沖，所述存儲(chǔ)元件能夠從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換以及能夠從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換， 所述存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法的特征在于， 至少在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，通過(guò)插入串聯(lián)連接的電阻體，從脈沖發(fā)生源經(jīng)由所述電阻體向所述存儲(chǔ)元件施加電壓脈沖，來(lái)減小電阻值變化之后的電流值， 另外，通過(guò)施加所述電壓脈沖，使得與從所述低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，所述脈沖發(fā)生源與所述存儲(chǔ)元件之間的電阻變大。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下的所述電阻體的電阻值為2ΜΩ 0.5ΜΩ。
3.一種使用存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置，其特征在于， 具有存儲(chǔ)元件和電壓施加部； 所述存儲(chǔ)元件具有: 絕緣性基板， 第一電極及第二電極，設(shè)置于所述絕緣性基板上， 電極間間隙部，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向所述第一電極與所述第二電極之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生第一、第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象； 所述電壓施加部，通過(guò)施加電壓脈沖，使得在所述存儲(chǔ)元件的所述第一電極與第二電極之間，進(jìn)行從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換以及從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換； 所述電壓施加部具有: 脈沖發(fā)生源，產(chǎn)生規(guī)定電壓的脈沖， 電阻體，用于至少減小在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)所施加的電壓脈沖使電阻值變化之后的流向所述存儲(chǔ)元件的電流， 切換部，進(jìn)行切換，使得與從所述低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，在所述脈沖發(fā)生源與所述存儲(chǔ)元件之間的電阻變大。
4.一種使用存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置，其特征在于， 具有存儲(chǔ)元件和電壓施加部；所述存儲(chǔ)元件具有: 絕緣性基板， 第一電極及第二電極，設(shè)置于所述絕緣性基板上， 電極間間隙部，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級(jí)的間隙，該納米級(jí)的間隙用于通過(guò)向所述第一電極與所述第二電極之間施加規(guī)定電壓而產(chǎn)生第一、第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象； 所述電壓施加部，通過(guò)施加電壓脈沖，使得在所述存儲(chǔ)元件的所述第一電極與第二電極之間，進(jìn)行從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換和從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)換； 所述存儲(chǔ)元件為多個(gè)，至少各自的存儲(chǔ)元件分別與電阻體連接； 所述電壓施加部具有切換部，所述切換部進(jìn)行切換，使得與從所述低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，在所述脈沖發(fā)生源與所述存儲(chǔ)元件之間的電阻變大。
5.如權(quán)利要求3或者4所述的使用存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置，其特征在于， 從所述高電阻狀態(tài)向所述低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下的所述電阻體的電阻值為2ΜΩ 0.5ΜΩ。
全文摘要
更穩(wěn)定地進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。存儲(chǔ)元件10具有絕緣性基板1、設(shè)置于絕緣性基板的第一電極2及第二電極3、產(chǎn)生第一電極與第二電極之間的電阻值的變化現(xiàn)象的電極間間隙部4，通過(guò)從脈沖發(fā)生源向存儲(chǔ)元件10施加用于從規(guī)定的低電阻狀態(tài)向規(guī)定的高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第一電壓脈沖，經(jīng)由串聯(lián)的電阻體向存儲(chǔ)元件10施加用于從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的第二電壓脈沖，來(lái)減小流向變化為低電阻值之后的存儲(chǔ)元件的電流值，與從低電阻狀態(tài)向所述高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況相比，在從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換的情況下，在使在脈沖發(fā)生源與存儲(chǔ)元件之間的電阻變大之后，施加電壓脈沖。
文檔編號(hào)H01L49/02GK103081016SQ201180041359
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月26日
發(fā)明者高橋剛, 增田雄一郎, 古田成生, 角谷透, 小野雅敏, 林豊, 福岡敏美, 清水哲夫, 庫(kù)瑪拉古盧巴蘭·索姆, 菅洋志, 內(nèi)藤泰久 申請(qǐng)人:獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所, 株式會(huì)社船井電機(jī)新應(yīng)用技術(shù)研究所, 船井電機(jī)株式會(huì)社