專利名稱：用于制造電子器件的方法和電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
不同實(shí)施例涉及用于制造電子器件的方法和電子器件。
背景技術(shù)：
在廣泛的應(yīng)用中，例如為光電子器件的電子器件的尤其作為覆蓋接觸部的薄的電接觸部的前提在于良好的通電或?qū)щ娦院捅匾獣r(shí)足夠的透明度。

發(fā)明內(nèi)容
在不同實(shí)施例中提供一種電子器件，所述電子器件具有帶有與現(xiàn)有技術(shù)相比減小的厚度和必要時(shí)改進(jìn)的透明度和導(dǎo)電性的電極。在不同實(shí)施例中，用于制造電子器件的方法具有:借助于原子層沉積法將電極生長層施加在層結(jié)構(gòu)上或施加在層結(jié)構(gòu)上方，并且將電極施加在電極生長層上。在不同實(shí)施例中，電子器件具有襯底、襯底上的電極生長層、以及電極生長層上的電極。電極生長層構(gòu)成為原子層沉積層。例如能夠?qū)⒃訉映练e法理解成單獨(dú)地施加單層原子的任意方法。原子層沉積法在不同實(shí)施例中能夠理解成氣相的沉積法，其中例如使原材料周期性地依次進(jìn)入到反應(yīng)腔中。在不同實(shí)施例中，原子層沉積法的局部反應(yīng)是自限性的，也就是說，局部反應(yīng)的原材料不與自身或自身的配合基反應(yīng)，這在任意長的時(shí)間和氣體量的情況下將局部反應(yīng)的層生長限制于最大為單層的原子。只要是有意義的，所述實(shí)施例的不同的設(shè)計(jì)方案就以相同的方式適用于用于制造電子器件的方法和電子器件。通過將原子層沉積法用于施加生長層，在不同實(shí)施例中能夠?qū)崿F(xiàn)，生長層能夠沉積成是尤其薄的并且具有高的層厚度可復(fù)現(xiàn)性。使用原子層沉積法的另一優(yōu)點(diǎn)能夠在于，中間層也能夠由多個(gè)極其薄的、直接彼此疊加沉積的層形成(那么也稱作“納米疊層”，NL)。由此，生長層(中間層)的組分和形態(tài)可以目的明確地匹配于透明的金屬覆蓋電極。此外，通常避免在原子層沉積中對(duì)有機(jī)物造成損壞的影響，如同能夠在濺射沉積中出現(xiàn)的(等離子、輻射、快離子)。這尤其在例如為有機(jī)光伏電池的有機(jī)光伏器件中或者在例如為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的有機(jī)光電子器件中能夠是有利的。此外，原子層沉積的特征在于特別均勻且一致的表面覆層。由此，也稱作電極生長層的中間層尤其能夠?qū)嵤┏墒沟脤?duì)金屬覆蓋電極和其之下的有機(jī)層之間的材料交換進(jìn)行抑制。這種擴(kuò)散勢壘阻止由于在覆蓋電極-有機(jī)物分界面處的擴(kuò)散所引起的有機(jī)組件的退化。在使用原子層沉積法時(shí)，另一優(yōu)點(diǎn)在于相對(duì)低的過程溫度，這對(duì)被處理的層在其溫度負(fù)荷方面進(jìn)行保護(hù)。電極能夠是陽極或陰極。電極能夠具有注入空穴的或注入電子的功能。在所述方法的一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠施加具有0.1nm至200nm范圍中的層厚度的、例如具有0.1nm至IOnm范圍中的層厚度的、例如具有Inm至8nm范圍中的層厚度的、例如具有3nm至3.5nm范圍中的層厚度的、例如具有大于或等于1.5nm層厚度的電極生長層。電子生長層的層厚度在不同實(shí)施例中例如能夠小于或等于7nm。此外，能夠借助于原子層沉積法來相互疊加地施加形成電極生長層的多個(gè)子層。直觀地，子層共同地地形成納米疊層。電極生長層能夠由下述材料形成或具有:能夠借助于原子層沉積法沉積的一種或多種原則上任意的材料。所述一種或多種材料能夠具有一種或多種電介質(zhì)和/或一種或多種能導(dǎo)電的材料(例如，金屬)。因此，電極生長層例如能夠具有:一種或多種氧化物、一種或多種氮化物和/或一種或多種碳化物。例如，電極生長層具有至少一個(gè)由銦摻雜的氧化錫制成的層和由鋁摻雜的氧化鋅制成的層。電極生長層能夠下述材料形成或者具有下述材料，所述材料選自透明的能導(dǎo)電的氧化物或透明的不能導(dǎo)電的氧化物，例如為金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化錫、氧化I丐、氧化鈦、氧化銦或銦摻雜的氧化錫(I το )、招摻雜的氧化鋅(ΑΖ0)、四氧化二鋅錫(例如，Zn2SnO4)、氧化鈣錫(例如，CdSnO3)、三氧化鋅錫(例如，ZnSnO3)、氧化鎂銦(例如，MgIn2O4X氧化鎵銦(例如，Galn03)、氧化鋅銦(例如，Zn2In2O5)或氧化銦錫(例如，In4Sn3O12)或不同的透明的導(dǎo)電氧化物或透明的不導(dǎo)電的氧化物的合金和混合物。因?yàn)殡姌O生長層是極其薄的層，所述電極生長層不必是能導(dǎo)電的。因此，電極生長層能夠具有介電氧化物，例如為氧化鋁(例如，Al2O3)、氧化鎢(例如，WO3)、氧化鉿(例如，HfO2)、氧化鈦(例如，TiO2 )、氧化鑭(例如，LaO2 )、氧化硅(例如，SiO2 )、氧化錸(例如，Re2O7 )、氧化鑰(例如，Mo03)、氧化釩(例如，V2O5)等或由上述材料形成以及由上述材料的混合物和合金形成。此夕卜，生長層能夠是或者構(gòu)成為是介電的氮化物，例如為氮化硼、氮化鈦、氮化鎢、氮化硅、氮化鉭、氮化鉻、氮化鉿、氮化鑭、氮化鋯或所述材料的混合物。此外，在不同實(shí)施例中，生長層也能夠是或者構(gòu)成為是介電碳化物，例如為碳化硼、碳化鈦、碳化鎢、碳化硅、碳化鉭、碳化鉻、碳化鉿、碳化鑭、碳化鋯或所述材料的混合物。在不同實(shí)施例中，每種(能導(dǎo)電的或介電的)能夠借助于原子層沉積法沉積的材料能夠設(shè)為用于中間層或子中間層。在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電極生長層對(duì)橫向電流傳導(dǎo)的份額通常是可忽略的。例如能夠以合適的方式準(zhǔn)備或設(shè)計(jì)電極生長層的表面，以便實(shí)現(xiàn)要在其上沉積的金屬層的均勻或均質(zhì)的沉積。在一個(gè)實(shí)施形式中，電極生長層的表面能夠是無定形的或基本上是無定形的結(jié)構(gòu)或者具有無定形的或基本上無定形的表面。完全無定形的結(jié)構(gòu)例如能夠借助于X射線衍射(XRD照相)來確定(不得到離散的布拉格反射)。根據(jù)另一個(gè)改進(jìn)形式，通過施加層厚度小于或等于30nm的金屬層，而能夠形成電極。金屬層能夠具有小于或等于15nm的、例如小于或等于12nm的層厚度。在尤其與金屬層的透明度相關(guān)的實(shí)施形式中，金屬層的厚度例如能夠小于或等于14nm,例如小于或等于llnm。例如,具有Ag層或由Ag合金制成的層(例如，由Ag-Sm合金或由Ag-Mg合金或Ag-Ca合金或AgPdCu合金制成的層)的金屬層的厚度小于或等于14nm,尤其小于或等于IInm,例如在大約9nm和大約IOnm之間。在電極生長層上施加的、例如生長的電極能夠由金屬層組成或具有一個(gè)或其它的層或功能層。根據(jù)又一改進(jìn)形式，能夠形成層厚度均勻性為±10%的、例如層厚度均勻性為±5%的金屬層。
如同在此應(yīng)用的術(shù)語“厚度均勻性”指的是，金屬層能夠具有在其基長度或完整長度之上幾乎恒定的層厚度，也就是說，最大偏差例如為±10%的層厚度。這例如尤其能夠通過設(shè)置在金屬層下的(薄的)電極生長層來實(shí)現(xiàn)。因此，“30nm厚的”金屬層的最大層厚度例如能夠最大為33nm, “12nm厚的”的金屬層的最大層厚度例如能夠最大為13.2nm。在另一個(gè)實(shí)施形式中，電極生長層上的電極的面電阻小于或等于6 Ω/口。面電阻尤其能夠小于或等于5 Ω / 口。例如，面電阻能夠位于從4Ω / □和5 Ω / □的范圍中。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“面電阻”描述層關(guān)于所述層的厚度的各向同性的電阻率。面電阻例如能夠借助于四探針法來測量。替選地，面電阻也能夠借助于專門的范德堡法來測量。因此，在不同實(shí)施例中，面電阻與具有類似的電極層的迄今的現(xiàn)有技術(shù)中的常見的面電阻相比更小，根據(jù)不同實(shí)施例，所述電極層沉積在作為電極生長層的另一襯底上。借助根據(jù)不同實(shí)施例的裝置可能的是，——例如在透明度足夠的光電子器件中——實(shí)現(xiàn)薄的(生長)電極的均勻的通電。例如，電極的金屬層具有下述金屬中的至少一種:鋁、鋇、銦、銀、銅、金、釤、鎂、鈣和鋰及其組合。替選地，金屬層能夠由上述金屬中的一種或具有上述金屬中的一種的化合物或者由多種上述金屬、例如由合金制成。電極能夠用在透明的和非透明的、電子的、光學(xué)的或電光的組件中。設(shè)置在電極生長層上的電極能夠用作覆蓋接觸部、襯底接觸部和/或中間接觸部。在不同的設(shè)計(jì)方案中，電子器件的面電阻小于或等于8Ω/ □，例如小于或等于5 Ω / □。電子器件能夠是或者形成為是有機(jī)電子器件。在所述設(shè)計(jì)方案中，在電子器件中還能夠形成附加電極和設(shè)置在電極和附加電極之間的至少一個(gè)有機(jī)功能層。附加電極能夠?yàn)殛帢O。電極和附加電極以合適的方式電接觸。設(shè)置在生長層上的電極和/或附加電極——如同在上文中提出——也稱作生長電極。生長電極能夠設(shè)為陽極或陰極，或形成所述陽極或陰極的一部分。不設(shè)置在電極生長層上的電極能夠由下述材料形成或者具有下述材料:所述材料選自例如鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鉻、鎳、釩、鈣和鋰的金屬以及其組合或其化合物，尤其是合金；以及透明的導(dǎo)電的氧化物，例如為金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化錫、氧化鈣、氧化鈦、氧化銦或銦摻雜的氧化錫(ΙΤ0)、鋁摻雜的氧化鋅(ΑΖ0)、四氧化二鋅錫(例如，Zn2SnO4)、氧化鈣錫(例如，CdSnO3 )、三氧化鋅錫(例如，ZnSnO3 )、氧化鎂銦(例如，MgIn2O4)、氧化鎵銦(例如，Galn03)、氧化鋅銦(例如，Zn2In2O5)或氧化銦錫(例如，In4Sn3O12)或不同的透明的導(dǎo)電氧化物的混合物。因此，非限制性地，器件例如能夠構(gòu)造成光電子組件，例如構(gòu)造成有機(jī)電子組件，例如構(gòu)造成太陽能電池、光敏晶體管、發(fā)光二極管等，例如構(gòu)造成有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。有機(jī)電子器件例如是光電子器件或發(fā)射輻射的裝置。層結(jié)構(gòu)能夠具有襯底。如同在此應(yīng)用的“襯底”例如能夠具有通常用于電子器件的襯底。襯底能夠是透明的襯底。然而，襯底也能夠是不透明的襯底。例如，襯底能夠具有玻璃、石英、藍(lán)寶石、塑料膜、金屬、金屬膜、硅晶圓或其它合適的襯底材料。例如當(dāng)沒有直接將電極生長層施加到襯底上時(shí)，能夠使用金屬襯底。在不同的設(shè)計(jì)方案中，將下述層理解成襯底:在制造電子器件時(shí)，隨后在所述層上施加全部的其它層。這種后續(xù)的層例如能夠是在光電子器件或發(fā)射輻射的裝置中需要用于發(fā)射輻射的層。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“層”或“層結(jié)構(gòu)”能夠表示單層或由多個(gè)薄層組成的層序列。特別地，例如為有機(jī)功能層的功能層能夠由多個(gè)層形成。金屬層和電極生長層是單層的或多層的。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“彼此疊加地設(shè)置”例如意味著，直接地將層以直接的機(jī)械的和/或電的接觸方式設(shè)置在另一層上。層也能夠間接地設(shè)置在另一層上，其中因此在所提出的層之間能夠存在其它層。這種層能夠用于繼續(xù)改進(jìn)電子器件的功能進(jìn)而效率。一般地，金屬層直接地設(shè)置在電極生長層上。借助于設(shè)在電子器件中的、電極生長層和金屬層的組合可能的是，提供極其薄且同時(shí)極其能導(dǎo)電的接觸部，所述接觸部必要時(shí)——如果需要——也能夠附加地構(gòu)造成是高透明度的。在不同的設(shè)計(jì)方案中，層結(jié)構(gòu)的形成能夠具有在襯底上形成附加電極以及在附加電極上形成有機(jī)功能層。電極生長層能夠在有機(jī)功能層上形成。

電子器件能夠形成為有機(jī)發(fā)光二極管。此外，能夠時(shí)間上在電極生長層之后直接地施加金屬層。在不同實(shí)施例中，具有透明的金屬覆蓋電極的OLED的良好的透明度、導(dǎo)電性和持久穩(wěn)定性通過借助于原子層沉積(ALD)將生長層(在下文中也稱作中間層)施加在電極(也稱作覆蓋接觸部)下方來實(shí)現(xiàn)。中間層例如能夠由諸如氧化鋅或鋁摻雜的氧化鋅的導(dǎo)電金屬氧化物制成，但是在不同實(shí)施例中也設(shè)有由諸如氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鑭和氧化鋯的不導(dǎo)電的氧化物制成的薄層?！坝袡C(jī)功能層”能夠包含例如具有熒光和/或磷光發(fā)射體的發(fā)射體層。能夠用在根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件中或用在根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)射輻射的裝置中的發(fā)射材料的實(shí)例包含作為非聚合物發(fā)射體的下述材料:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，例如為聚芴、聚噻吩、聚亞苯基的衍生物(例如，2-或2.5-取代的聚對(duì)苯基乙炔)；以及金屬絡(luò)合物，例如為銥絡(luò)合物，諸如發(fā)藍(lán)色磷光FIrPic (雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶)苯基-(2-羧基吡啶)_銥III)、發(fā)綠色磷光Ir (ppy)3(三甲醇氨基甲烷(2-苯基吡啶)銥III)、發(fā)紅色磷光Ru(dtb-bpy)3 * 2 (PF6)(三甲醇氨基甲烷[4，4’- 二叔丁基-(2，2’)- 二吡啶]釕(III)絡(luò)合物)以及發(fā)藍(lán)色熒光DPAVBi (4，4-雙[4-( 二對(duì)甲苯氨基)苯乙烯]聯(lián)苯、發(fā)綠色熒光TTPA (9，10-雙[隊(duì)^二-(對(duì)甲苯)-氨基]蒽和發(fā)紅色熒光DCM2(4-二氰亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)。所述非聚合發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合發(fā)射體，所述聚合發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如借助于旋轉(zhuǎn)涂來沉積。發(fā)射材料能夠以合適的方式嵌在基體材料中。電子器件的發(fā)射體層的發(fā)射體材料例如能夠選擇成，使得電子器件發(fā)射白光。發(fā)射體層能夠具有發(fā)射不同色彩(例如，藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色)的多種發(fā)射材料，替選地，發(fā)射體層也能夠由多個(gè)子層、例如由發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層構(gòu)造。通過混合不同的色彩，能夠得到發(fā)射具有白色的色彩印象的光。替選地，也能夠提出，在通過所述層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光程中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射不同波長的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過初級(jí)和次級(jí)輻射組合得出白色的色彩印象。電子器件通常能夠具有其它的有機(jī)功能層，所述其它的有機(jī)功能層用于繼續(xù)改進(jìn)電子器件的功能進(jìn)而效率。例如，能夠選擇用于改進(jìn)電極的和/或附加電極的以及載流子和激子運(yùn)輸?shù)墓δ芎托实挠袡C(jī)功能層。電子器件能夠構(gòu)造成“底部發(fā)射體”和/或“頂部發(fā)射體”。在一個(gè)實(shí)施形式中，將生長層設(shè)置在有機(jī)功能層和作為生長電極的附加電極之間。電極生長層和電極的設(shè)置能夠形成用于頂部發(fā)射體的透明的覆蓋接觸部。在另一個(gè)實(shí)施形式中，將電極生長層設(shè)置在襯底和作為生長電極的第一電極之間。在此，電極能夠是陽極。襯底優(yōu)選能夠?yàn)橥该鞯囊r底，例如為玻璃、石英、藍(lán)寶石、塑料
月旲等。電極生長層和生長電極的設(shè)置能夠形成用于底部發(fā)射體的透明的襯底接觸部。更普遍地適用的是，在頂部發(fā)射體或底部發(fā)射體中，根據(jù)不同實(shí)施例，發(fā)射輻射的裝置的生長電極的形式的一個(gè)電極能夠構(gòu)造為是透明的并且另一電極構(gòu)造為是反射的。替選于此，兩個(gè)電極也都能夠構(gòu)造成是透明的。生長電極的金屬層例如能夠形成透明的薄膜接觸部。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“底部發(fā)射體”表示下述實(shí)施方案，所述實(shí)施方案構(gòu)造成朝向電子器件的襯底側(cè)是透明的。例如，為此，至少襯底、電極和設(shè)置在襯底和電極之間的電極生長層能夠構(gòu)造成是透明的。因此，構(gòu)造成底部發(fā)射體的電子器件例如能夠在電子器件的襯底側(cè)上發(fā)射在有機(jī)功能層中廣生的福射。替選于此或除此以外，根據(jù)不同實(shí)施例，電子器件能夠構(gòu)造成“頂部發(fā)射體”。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“頂部發(fā)射體”例如表示下述實(shí)施方案，所述實(shí)施方案構(gòu)造成朝向電子器件的第二電極側(cè)是透明的。特別地，為此，電極生長層和第二電極能夠構(gòu)造成是透明的。因此，構(gòu)造成頂部發(fā)射體的電子器件例如能夠在電子器件的附加電極側(cè)上發(fā)射在有機(jī)功能層中產(chǎn)生的輻射。根據(jù)不同實(shí)施例的構(gòu)造成頂部發(fā)射體的電子器件能夠以有利的方式具有高的光耦合輸出和輻射密度的極其低的角度相關(guān)性，在所述電子器件中設(shè)有電極生長層和作為覆蓋接觸部的金屬層。根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)射輻射的裝置能夠以有利的方式用于照明裝置，例如室內(nèi)燈。同樣能夠在不同實(shí)施例中設(shè)有底部電極和頂部電極的組合。在所述實(shí)施方案中，電子器件通常能夠?qū)⒃谟袡C(jī)功能層中產(chǎn)生的光在兩個(gè)方向上一也就是既朝向襯底側(cè)也朝向第二電極側(cè)——發(fā)射。在另一個(gè)實(shí)施形式中，在電極和附加電極之間設(shè)置至少一個(gè)第三電極并且將電極生長層設(shè)置在第三電極的朝向襯底的一側(cè)上。“第三電極”能夠作為中間接觸部。所述第三電極能夠用于提高穿過電子器件的層的電荷運(yùn)輸，進(jìn)而改進(jìn)電子器件的效率。第三電極能夠構(gòu)造成是雙極性的層；所述第三電極能夠構(gòu)造成是陰極或陽極。因此，根據(jù)一個(gè)實(shí)施形式的電極生長層和生長電極的設(shè)置形成透明的中間接觸部。同樣如同電極和附加電極，第三電極是電接觸的。在電子器件的一個(gè)改進(jìn)形式中，包含發(fā)射體層和一個(gè)或多個(gè)其它有機(jī)功能層作為有機(jī)功能層。所述其它有機(jī)功能層能夠選自空穴注入層、空穴運(yùn)輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子運(yùn)輸層和電子阻擋層。合適的功能層和合適的有機(jī)功能層對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。(有機(jī))功能層能夠優(yōu)選地借助于熱蒸鍍來施加。其它的(有機(jī))功能層能夠以有利的方式改進(jìn)電子器件的功能和/或效率。在另一個(gè)實(shí)施形式中，電子器件構(gòu)造成有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。在電子器件的一個(gè)改進(jìn)形式中，電子器件具有基本上的朗伯的放射特性。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“朗伯放射特性”表示所謂的朗伯輻射體的理想的放射性能。如同在此表示的“基本上的”朗伯的放射特性在此尤其指的是根據(jù)公式I (O)=Itl.CosO計(jì)算的放射特性，并且在所述公式中，Itl是關(guān)于面法線的強(qiáng)度并且 說明與面法線的角度，對(duì)于給定的角度，尤其是-70°和+70°之間的角度中，對(duì)于任意給定的角度O，偏差不大于根據(jù)上述公式的強(qiáng)度的 10%,也就是 I (Θ) =10.cos Θ.X,其中 x=90% 至 110%。以該方式可能的是，實(shí)現(xiàn)電子器件的在全部方向上恒定的輻射密度或光密度，使得電子器件在全部方向上顯得同樣亮。因此，當(dāng)電子器件相對(duì)于視線傾斜時(shí)，也能夠以有利的方式不改變電子器件的亮度。在另一個(gè)實(shí)施形式中，電子器件的透明度為大于或等于60%。例如，透明度能夠?yàn)榇笥诨虻扔?5%。通過掃描預(yù)設(shè)的波長范圍并且測取穿過發(fā)射輻射的裝置射出的光量，借助于強(qiáng)度測量來測量透明度。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“透明度”表示根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的各個(gè)層讓電磁波——并且尤其是可見光——透過的能力。根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的透明度通常至少對(duì)至少一種具體波長為大于60%、優(yōu)選為大于65%。例如,對(duì)于大約400nm至大約650nm波長范圍中的至少一種波長的透明度能夠?yàn)榇笥?0%并且例如為大于65%。因此，根據(jù)不同實(shí)施例的電極生長層和生長電極的設(shè)置，在通電足夠的同時(shí)能夠提供相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)改進(jìn)的透明度。在另一個(gè)實(shí)施形式中，時(shí)間上直接在電極生長層之后施加金屬層。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“時(shí)間上直接地施加”或者優(yōu)選地“相繼地施加”意味著，在電子器件的制造過程期間，時(shí)間上直接在電極生長層之后沉積金屬層，例如沒有更換反應(yīng)器或者不晚于沉積電極生長層之后一天。通過將金屬層直接地沉積在電極生長層上，能夠防止電極生長層的老化，例如不出現(xiàn)例如無定形表面的老化或僅出現(xiàn)少量的老化，由此，所述為了適當(dāng)?shù)爻练e金屬層能夠保持無定形表面的無定形的外貌。此外，根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件能夠具有其它的功能層，例如為抗反射層、散射層、用于光的色彩轉(zhuǎn)換的層和/或機(jī)械保護(hù)層。這些層例如能夠設(shè)置在生長電極的金屬層上。功能層例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。所述層能夠繼續(xù)改進(jìn)發(fā)射輻射的裝置的功能和效率。在不同實(shí)施例中，電子器件具有襯底、至少一個(gè)設(shè)置在襯底上的第一電極和在電極的朝向襯底的一側(cè)上的(電極)生長層。設(shè)置在生長層上的電極例如具有厚度小于或等于30nm的金屬層并且生長層具有小于或等于IOnm的厚度。如同在此應(yīng)用的“襯底”例如能夠包括例如在現(xiàn)有技術(shù)中通常用于電子器件的襯底。襯底能夠是透明的襯底。然而，襯底也能夠是不透明的襯底。例如，襯底能夠包括玻璃、石英、藍(lán)寶石、塑料膜、金屬、金屬膜、硅晶圓或其它合適的襯底材料。金屬襯底通常僅當(dāng)沒有直接在其上設(shè)置生長層時(shí)才使用。尤其將下述層理解成襯底:在制造電子器件時(shí)，隨后在所述層上施加全部的其它層。所述隨后的層例如能夠是在光電子器件或發(fā)射輻射的裝置中需要用于發(fā)射輻射的層?！暗谝浑姌O”能夠?yàn)殛枠O或陰極。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“生長層”表示下述層:在所述層上設(shè)置具有金屬層的電極(在下文中也稱作生長電極)。生長層能夠由下述材料形成或者具有下述材料，所述材料選自透明的導(dǎo)電氧化物，例如為金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化錫、氧化鈣、氧化鈦、氧化銦或銦摻雜的氧化錫(ΙΤ0)、鋁摻雜的氧化鋅(AZ0)、Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、MgIn204、GaIn03、Zn2In205 或 In4Sn3O12或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物。生長層對(duì)橫向電流傳導(dǎo)的份額通常是可忽略的。因?yàn)樯L層是極其薄的層，所述生長層不必是能導(dǎo)電的。因此，生長層同樣能夠具有例如為A1203、W03、Re2O7等的介電氧化物或由其形成。生長層能夠借助于物理氣相沉積(例如為諸如熱蒸鍍、電子束蒸鍍、激光束蒸鍍、光弧蒸鍍的蒸鍍法和分子束外延等)、濺射(例如為離子束輔助的沉積等)、或離子電鍍、化學(xué)氣相沉積(例如為等離子輔助的化學(xué)氣相沉積等)、或原子層沉積等來施加。例如以合適的方式準(zhǔn)備或設(shè)計(jì)生長層的表面，以便實(shí)現(xiàn)要在其上沉積的金屬層的均勻或均質(zhì)的沉積。在一個(gè)實(shí)施形式中，生長層的表面能夠具有無定形的或基本上無定形的結(jié)構(gòu)或者具有無定形的或基本上無定形的表面。完全無定形的結(jié)構(gòu)例如能夠借助于X射線衍射(XRD照相)來確定(不包含離散的布拉格反射)。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“金屬層”表示基本上或完全由金屬形成的層。金屬層直接設(shè)置在生長層上。所述金屬層能夠外延地生長在生長層上。金屬層的厚度為小于或等于30nm,例如在9nm和IOnm之間。金屬層能夠具有小于或等于15nm、尤其小于或等于12nm的厚度。在金屬層的透明度尤其重要的實(shí)施形式中，金屬層的厚度例如能夠小于或等于14nm，尤其小于或等于llnm。例如,具有Ag層或由Ag合金制成的層(例如，由Ag-Sm合金制成的層)的金屬層的厚度能夠小于或等于14nm,尤其小于或等于IInm,例如在大約9nm和大約IOnm之間。生長電極能夠由金屬層組成或具有一個(gè)或其它的層或功能層。生長電極的金屬層具有例如至少一種下述金屬，所述金屬選自:鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣和鋰及其組合。替選地，金屬層能夠由上述金屬中的一種或上述金屬中的一種的化合物或者由上述金屬中的多種、尤其是合金制成。
生長電極能夠用裝入透明的和非透明的、電子、光學(xué)或電光組件中。設(shè)置在生長層上的生長電極能夠用作覆蓋接觸部、襯底接觸部和/或中間接觸部。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“層”能夠表示單獨(dú)的層或由多個(gè)薄的層組成的層序列。例如，例如為有機(jī)功能層的功能層能夠由多個(gè)層形成。金屬層和生長層通常是單層的。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“彼此疊加地設(shè)置”例如意味著，直接地將層以直接機(jī)械的和/或電的接觸方式設(shè)置在另一層上。層也能夠間接地設(shè)置在另一層上，其中然后能夠在所提出的層之間存在其它的層。這種層能夠用于進(jìn)一步改進(jìn)電子器件的功能進(jìn)而效率。一般地，金屬層直接地設(shè)置在電極生長層上。借助設(shè)置在根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件中的、生長層和金屬層的組合可能的是，提供極其薄且同時(shí)極其可導(dǎo)電的接觸部，所述接觸部——如果需要——能夠也附加地構(gòu)造成是高透明度的。在根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的一個(gè)改進(jìn)形式中，生長層例如具有Inm至8nm的厚度。生長層例如具有3nm至3.5nm的厚度。在特定的實(shí)施形式中，大于或等于1.5nm的厚度能夠是有利的。在特定的實(shí)施形式中，生長層的厚度例如能夠小于或等于7nm。在根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的一個(gè)實(shí)施形式中，生長層選自由銦摻雜的氧化錫(ITO)制成的層和由鋁摻雜的氧化鋅(AZO)制成的層。在電子器件的一個(gè)改進(jìn)形式中，金屬層具有為±10%的、通常甚至為±5%的厚度均勻性。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“厚度均勻性”指的是，金屬層能夠具有在其基本上或完整的長度上近乎恒定的層厚度，也就是說，最大偏差例如為±10%的層厚度。這例如尤其能夠通過設(shè)置在金屬層下的(薄的)生長層來實(shí)現(xiàn)。因此，“30nm厚的”金屬層的最大厚度例如能夠最大為33nm, “ 12nm厚的”的金屬層的最大厚度例如能夠最大為13.2nm。在另一個(gè)實(shí)施形式中，生長層上的生長電極的面電阻小于或等于6Ω/口。面電阻例如能夠小于或等于5 Ω / 口。例如，面電阻能夠在4Ω / □和5 Ω / □之間。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“面電阻”表示層關(guān)于所述層的厚度的各向同性的電阻率。面電阻例如能夠借助于四探針法來測量。替選地，面電阻也能夠借助于專門的范德堡法來測量。因此，面電阻與具有類似的電極層的迄今的現(xiàn)有技術(shù)中的通常的面電阻相比更小，根據(jù)不同的實(shí)施例，所述電極層沉積在不同于生長層的襯底上。借助根據(jù)不同實(shí)施例的裝置可能的是，一在透明度足夠的光電子器件中一實(shí)現(xiàn)對(duì)薄的生長電極進(jìn)行均勻地通電。在另一個(gè)實(shí)施形式中，根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件是有機(jī)電子器件并且還具有第二電極和設(shè)置在第一電極和第二電極之間的至少一個(gè)有機(jī)功能層。有機(jī)電子器件例如為光電子器件或發(fā)射輻射的裝置。“第一電極”能夠?yàn)殛枠O。所述第一電極能夠具有空穴注入功能?！暗诙姌O”能夠?yàn)殛帢O。第一電極和第二電極以合適的方式電接觸?！缤谏衔闹刑岢觥O(shè)置在生長層上的第一電極和/或第二電極也稱作生長電極。生長電極能夠設(shè)為陽極或陰極或者形成所述陽極或陰極的一部分。沒有設(shè)置在生長層上的電極能夠由下述材料形成或者具有下述材料，所述材料選自:金屬，例如為鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣和鋰以及其組合或其化合物，尤其是合金；以及透明的導(dǎo)電氧化物，例如為金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化錫、氧化鈣、氧化鈦、氧化銦或銦摻雜的氧化錫(1!'0)、鋁摻雜的氧化鋅(六20)、211251104、0(151103、21^1103、]\%111204、6&11103、2112111205或In4Sn3O12或不同的透明的導(dǎo)電氧化物的混合物。“有機(jī)功能層”能夠包含例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體的發(fā)射體層。能夠用在根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件中或用在根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)射輻射的裝置中的發(fā)射體材料的實(shí)例包含作為非聚合物發(fā)射體的下述材料:有機(jī)的或金屬有機(jī)的化合物，例如為聚芴、聚噻吩、聚亞苯基的衍生物(例如，2-或2.5-取代的聚對(duì)苯基乙炔)；以及金屬絡(luò)合物，例如為銥絡(luò)合物，諸如發(fā)藍(lán)色磷光FIrPic (雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶)苯基-(2-羧基吡啶)_銥II I)、發(fā)綠色磷光Ir (ppy)3(三甲醇氨基甲烷(2-苯基吡啶)銥III)、發(fā)紅色磷光Ru(dtb-bpy)3 * 2(PF6)(三甲醇氨基甲烷[4，4’-二叔丁基-(2，2’)-二吡啶]釕(III)絡(luò)合物)以及發(fā)藍(lán)色熒光DPAVBi (4，4-雙[4-( 二對(duì)甲苯氨基)苯乙烯]聯(lián)苯、發(fā)綠色熒光TTPA (9，10-雙[隊(duì)^二-(對(duì)甲苯)-氨基]蒽和發(fā)紅色熒光DCM2(4-二氰亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)。所述非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體能夠例如借助于濕法化學(xué)法、例如借助于旋轉(zhuǎn)涂布來沉積。發(fā)射材料能夠以合適的方式嵌在基體材料中。電子器件的發(fā)射體層的發(fā)射體材料例如能夠選擇成，使得電子器件發(fā)射白光。發(fā)射體層能夠具有發(fā)射不同色彩(例如，藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色)的多種發(fā)射體材料，替選地，發(fā)射體層也能夠由多個(gè)子層、例如由發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層構(gòu)造。通過混合不同的色彩，能夠得到發(fā)射具有白色的色彩印象的光。替選地也能夠提出，在通過所述層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光程中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射不同波長的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過初級(jí)和次級(jí)輻射組合得出白色的色彩印象。電子器件通常能夠具有其它的有機(jī)功能層，所述其它的有機(jī)功能層用于繼續(xù)改進(jìn)電子器件的功能進(jìn)而效率。例如，能夠選擇用于改進(jìn)第一電極的和/或第二電極的以及載流子和激子運(yùn)輸?shù)墓δ芎托实挠袡C(jī)功能層。電子器件能夠構(gòu)造成“下部發(fā)射體”和/或“上部發(fā)射體”。在一個(gè)實(shí)施形式中，將生長層設(shè)置在有機(jī)功能層和作為生長電極的第二電極之間。第二電極能夠?yàn)殛帢O。生長層和生長電極的設(shè)置能夠形成用于頂部發(fā)射體的透明的覆蓋接觸部。在另一個(gè)實(shí)施形式中，將生長層設(shè)置在襯底和作為生長電極的第一電極之間。在此，第一電極能夠是陽極。襯底能夠優(yōu)選為透明的襯底，例如為玻璃、石英、藍(lán)寶石、塑料膜
坐寸ο生長層和生長電極的設(shè)置能夠形成用于底部發(fā)射體的透明的襯底接觸部。
更普遍地適用的是，在頂部發(fā)射體或底部發(fā)射體中，根據(jù)不同實(shí)施例，發(fā)射輻射的裝置的生長電極形式的一個(gè)電極能夠構(gòu)成為是透明的并且另一電極構(gòu)成為是反射的。替選于此，兩個(gè)電極也都能夠構(gòu)成為是透明的。因此，生長電極的金屬層例如形成透明的薄膜接觸部。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“底部發(fā)射體”表示一種實(shí)施方案，所述實(shí)施方案構(gòu)造成朝向電子器件的襯底側(cè)是透明的。例如，為此，至少襯底、第一電極和設(shè)置在襯底和第一電極之間的生長層能夠構(gòu)造成是透明的。因此，例如，構(gòu)造成下底部發(fā)射體的電子器件能夠?qū)⒃谟袡C(jī)功能層中產(chǎn)生的輻射在電子器件的襯底側(cè)上發(fā)射。替選于此或除此以外，根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件能夠構(gòu)成為“頂部發(fā)射體”。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“頂部發(fā)射體”例如表示一種實(shí)施方案，所述實(shí)施方案構(gòu)造成朝向電子器件的第二電極的一側(cè)是透明的。例如，為此，生長層和第二電極能夠構(gòu)造成是透明的。因此，構(gòu)造成頂部發(fā)射體的電子器件例如能夠?qū)⒃谟袡C(jī)功能層中產(chǎn)生的輻射在電子器件的第二電極的一側(cè)上發(fā)射。根據(jù)不同實(shí)施例的構(gòu)造成頂部發(fā)射體的電子器件能夠具有高的光耦合輸出和輻射密度的極其低的角度相關(guān)性，在所述電子器件中設(shè)有生長層和作為覆蓋接觸部的金屬層。根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)射輻射的裝置能夠用于照明裝置，例如室內(nèi)燈。以同樣的方式，底部電極和頂部電極的組合是可能的。在該實(shí)施方案中，電子器件通常能夠?qū)⒃谟袡C(jī)功能層中產(chǎn)生的光在兩個(gè)方向上——也就是朝向襯底側(cè)和朝向第二電極的一側(cè)-發(fā)射。在另一個(gè)實(shí)施形式中，在第一電極和第二電極之間設(shè)置至少一個(gè)第三電極，并且將生長層設(shè)置在第三電極的朝向襯底的一側(cè)上。“第三電極”能夠作為中間接觸部。所述第三電極能夠用于提高穿過電子器件的層的電荷運(yùn)輸，進(jìn)而改進(jìn)電子器件的效率。第三電極能夠構(gòu)造為是雙極性的層；所述第三電極能夠構(gòu)造為是陰極或陽極。因此，當(dāng)前實(shí)施形式中的生長層和生長電極的設(shè)置形成透明的中間接觸部。同樣如第一電極和第二電極，對(duì)第三電極電接觸。在電子器件的一個(gè)改進(jìn)形式中，包含作為有機(jī)功能層的發(fā)射體層和一個(gè)或多個(gè)其它的有機(jī)功能層。其它有機(jī)功能層能夠選自:空穴注入層、空穴運(yùn)輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子運(yùn)輸層和電子阻擋層。合適的功能層和合適的有機(jī)功能層對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。(有機(jī))功能層能夠優(yōu)選地借助于熱蒸鍍來施加。其它的(有機(jī))功能層能夠以有利的方式改進(jìn)電子器件的功能和/或效率。在另一個(gè)實(shí)施形式中，電子器件構(gòu)造成有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。在電子器件的一個(gè)改進(jìn)形式中，電子器件具有基本上朗伯的放射特性。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“朗伯的放射特性”表示所謂的朗伯輻射體的理想的放射性倉泛。如同在此稱作“基本上”朗伯的放射特性在此尤其指的是，根據(jù)公式I(0)=1.Cos0計(jì)算的放射特性，并且在所述公式中，Itl是關(guān)于面法線的強(qiáng)度并且Θ說明相對(duì)于面法線的角度，對(duì)于給定的角度，例如在角度為-70°和+70°之間的情況下，對(duì)于任意給定的角度Θ，根據(jù)上述公式的強(qiáng)度偏差不大于10%,也就是I (Q)=Itl.COS Θ.X，其中 x=90% 至 110%ο以該方式可能的是，實(shí)現(xiàn)根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的在全部方向上恒定的輻射密度或光密度，使得電子器件在全部方向上顯得同樣亮。因此，當(dāng)電子器件相對(duì)于視線方向傾斜時(shí)，電子器件的亮度同樣也能夠不變化。在另一個(gè)實(shí)施形式中，電子器件的透明度大于或等于60%。例如，透明度能夠大于或等于65%。通過掃描預(yù)設(shè)的波長范圍并且測取穿過發(fā)射輻射的裝置射出的光量，而借助于強(qiáng)度測量來測量透明度。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“透明度”表示根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的各個(gè)層使電磁波——和例如可見光——穿透的能力。根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的透明度通常至少對(duì)至少一種具體波長為大于60%、優(yōu)選為大于65%。例如,對(duì)于大約400nm至大約650nm的波長范圍中的至少一種波長的透明度能夠大于60%并且優(yōu)選大于65%。因此，根據(jù)不同實(shí)施例的生長層和生長電極的設(shè)置能夠在通電足夠的同時(shí)提供相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)改進(jìn)的透明度。在另一個(gè)實(shí)施形式中，生長層借助于濺射來施加。生長層例如能夠借助于面向靶濺射或空心陰極濺射來施加。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“面向靶濺射”表示單級(jí)過程，借助于所述單級(jí)過程能夠得到封閉的外延層。如同在此示出的術(shù)語“空心陰極濺射”表示利用空心陰極濺射設(shè)備的濺射法，所述空心陰極濺射設(shè)備具有由靶材料制成的空心陰極。與通常在壓強(qiáng)〈IPa的情況下進(jìn)行的濺射法相比，在空心陰極濺射中能夠得到生長層的改進(jìn)的特性，因?yàn)閷?shí)際上，沒有發(fā)生借助有能量的、由靶反射的中性粒子對(duì)層進(jìn)行轟擊。借助于面向靶濺射或空心陰極濺射沉積的生長層通常具有基本上無定形的外貌或基本上無定形的表面。在這種無定形的表面上能夠尤其好地沉積薄的金屬層，以便以該方式提供用于本發(fā)明的電子器件的透明接觸部。借助于濺射施加的層通常具有封入物，在所述封入物中包含用于濺射的過程氣體(例如，氬氣)。通過將濺射法用于施加生長層，能夠避免沉積可從在過高的溫度下的熱蒸鍍中得出的非化學(xué)計(jì)量的層，其中由于根據(jù)不同實(shí)施例設(shè)置的極其薄的生長層通過來自濺射等離子的不同影響能夠避免在反應(yīng)濺射時(shí)通常隨著覆層時(shí)間的增加而出現(xiàn)的下置層損壞。因此，通過借助于濺射來施加生長層，能夠以有利的方式實(shí)現(xiàn)以無損壞的和/或化學(xué)計(jì)量的方式來施加生長層。這例如能夠在對(duì)例如存在于有機(jī)發(fā)光二級(jí)管中的敏感的結(jié)構(gòu)進(jìn)行覆層時(shí)是有利的。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式中，時(shí)間上直接在生長層之后施加金屬層。如同在此應(yīng)用的術(shù)語“時(shí)間上直接地施加”或者優(yōu)選地“依次地施加”意味著，在電子器件的制造過程期間，時(shí)間上直接在生長層之后沉積金屬層，例如沒有更換反應(yīng)器或者不晚于沉積生長層之后一天。通過將金屬層直接地施加在生長層上，能夠預(yù)防生長層的老化，例如不出現(xiàn)或僅出現(xiàn)例如無定形表面的少量的老化，由此，為了適當(dāng)?shù)爻练e金屬層能夠保持所述無定形表面的無定形的外貌。此外，根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件能夠具有其它的功能層，例如為抗反射層、散射層、用于光的色彩轉(zhuǎn)換的層和/或機(jī)械保護(hù)層。這些層例如能夠設(shè)置在生長電極的金屬層上。功能層優(yōu)選能夠借助于熱蒸鍍來沉積。所述層能夠進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)射輻射的裝置的功能和效率。根據(jù)不同實(shí)施例的電接觸部適合用在電子器件中或與電子器件一起應(yīng)用。根據(jù)不同實(shí)施例的電接觸部具有襯底、至少一個(gè)設(shè)置在襯底上的第一電極和在電極的朝向襯底的一側(cè)上的生長層，其中設(shè)置在生長層上的電極例如具有厚度小于或等于30nm的金屬層并且生長層具有小于或等于IOnm的厚度。因?yàn)榻柚诟鶕?jù)不同實(shí)施例的電接觸部已基本上能夠?qū)崿F(xiàn)可借助根據(jù)不同實(shí)施例的電子組件實(shí)現(xiàn)的全部優(yōu)點(diǎn)，為了避免重復(fù)而在其它設(shè)計(jì)方案的方面，在此參照上述實(shí)施方案。通過將金屬層沉積在薄的生長層上能夠均勻地、平滑地并且基本上均質(zhì)地構(gòu)成電極-生長電極。出于該原因，所述生長電極與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的生長電極相比例如能夠構(gòu)成為是更薄的。因此，——不同于借助在現(xiàn)有技術(shù)中使用的、由電導(dǎo)率大于15Ω/□的透明導(dǎo)電氧化物或厚度至少為20nm的薄的金屬層制成的透明接觸部——也可以在大面積的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高的透明度和良好的通電。在透明度重要的、根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件中，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)透明的金屬接觸部的透明度和導(dǎo)電性之間的折中，因?yàn)槌练e在電極生長層上的金屬層能夠構(gòu)成為是足夠薄的、平坦的且封閉的，以便因此例如提供足夠的導(dǎo)電性和同時(shí)突出的透明度。


在附圖中示出并且在下文中詳細(xì)闡明本發(fā)明的實(shí)施例。示出:圖1示出流程圖，在所述流程圖中示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于制造電子器件的方法;圖2a至圖2e以在制造電子器件的不同時(shí)間點(diǎn)的部分剖面圖示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電子器件的示意簡化側(cè)視圖；圖3a至圖3e以在制造電子器件的不同時(shí)間點(diǎn)的部分剖面圖示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的電子器件的示意簡化側(cè)視圖；圖4以部分剖面圖示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式的電子器件的示意簡化側(cè)視圖；圖5以部分剖面圖示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式的電子器件的示意簡化側(cè)視圖；圖6以部分剖面圖示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式的電子器件的示意簡化側(cè)視圖；圖7示出沉積在玻璃襯底上的薄的銀層的REM照片；圖8示出沉積在傳統(tǒng)的有機(jī)底層上的薄的銀層的REM照片；圖9示出根據(jù)本發(fā)明沉積在ITO生長層上的薄的銀層的REM照片；圖10示出曲線圖，所述曲線圖示出圖4至圖6示出的銀層的透明度測量的結(jié)果；以及圖11示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電光器件的放射特性。
具體實(shí)施例方式在以下詳細(xì)的描述中參照形成所述描述的一部分的附圖，在所述附圖中為了說明而示出特定的實(shí)施形式，在所述實(shí)施形式中能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。在這方面，例如為“上部”、“下部”、“前部”、“后部”、“前面”、“后面”等的方向術(shù)語參考關(guān)于所描述的附圖的定向使用。因?yàn)閷?shí)施形式的部件能夠定位在多個(gè)不同的定向中，方向術(shù)語用于說明并且絕對(duì)不進(jìn)行任何限制。要理解的是，能夠使用其它的實(shí)施形式以及進(jìn)行結(jié)構(gòu)上或邏輯上的改變，而沒有偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。要理解的是，只要沒有特別指出，此處描述的不同的示例性實(shí)施形式的特征就能夠相互組合。因此，以下詳細(xì)的描述不能夠理解為是限制意義的，并且通過附上的權(quán)利要求來限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。在該描述的范圍中，將術(shù)語“連接”、“聯(lián)接”以及“耦聯(lián)”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中，只要是適當(dāng)?shù)模嗤幕蛳嗨频脑驮O(shè)有相同的附圖標(biāo)記。在不同的實(shí)施方案中，描述通過借助于原子層沉積(也稱作原子層外延)來添加一個(gè)或多個(gè)薄的透明金屬氧化物層對(duì)有機(jī)光電子器件上的透明金屬電極在其透明度、導(dǎo)電性和持久穩(wěn)定性方面進(jìn)行優(yōu)化。圖1示出流程圖100，其中示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于制造電子器件的方法。根據(jù)不同實(shí)施例，在102中能夠借助于原子層沉積法將電極生長層施加在層結(jié)構(gòu)上或上方。此夕卜，在104中能夠?qū)㈦姌O(也稱作生長電極)施加在電極生長層上。圖2a至圖2e以在制造電子器件的不同時(shí)間點(diǎn)的部分剖面圖示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電子器件的、例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的示意簡化側(cè)視圖。如同在圖2a中在第一子結(jié)構(gòu)200中示出，將在下文中也稱作基本電極204的第一電極204施加、例如沉積到襯底202上。襯底202能夠是透明的襯底202。然而，襯底202也能夠是不透明的襯底202。例如，襯底能夠具有玻璃、石英、藍(lán)寶石、塑料膜、金屬、金屬膜、硅晶圓或其它合適的襯底材料。如同在下文中更詳細(xì)闡明的是，當(dāng)沒有直接將電極生長層設(shè)置在襯底上時(shí)，例如能夠使用金屬層。在不同實(shí)施例中，基本電極204例如能夠是陽極并且例如由銦摻雜的氧化錫(ITO)形成是由銦摻雜的氧化錫(ITO)形成的。在不同的實(shí)施例中，襯底202和/或第一電極204能夠構(gòu)成為是透明的。在不同實(shí)施例中，第一電極204借助于濺射或借助于熱蒸鍍來施加。在不同實(shí)施例中，第一電極204能夠具有大約5nm至大約30nm范圍中的層厚度，例如為大約IOnm至大約20nm范圍中的層厚度。如同圖2b中在第二子結(jié)構(gòu)210中不出，將用于電荷運(yùn)輸和產(chǎn)生光的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)功能層212、例如發(fā)突光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體層施加到第一子結(jié)構(gòu)200上。能夠設(shè)置在根據(jù)不同實(shí)施例的例如為OLED的電子器件中的發(fā)射體材料的實(shí)例包含作為非聚合物發(fā)射體的下述材料:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，例如為聚芴、聚噻吩、聚亞苯基的衍生物(例如，2-或2.5-取代的聚對(duì)苯基乙炔)；以及金屬絡(luò)合物，例如為銥絡(luò)合物，諸如發(fā)藍(lán)色磷光FIrPic (雙(3，5-二氟_2_(2_吡啶)苯基_ (2-羧基吡啶)-銥III)、發(fā)綠色磷光Ir (ppy)3(三甲醇氨基甲燒(2-苯基卩比唳)銥III)、發(fā)紅色磷光Ru(dtb_bpy)3
*2(PF6)(三甲醇氨基甲烷[4，4’-二叔丁基-(2，2’)-二吡啶]釕(III)絡(luò)合物)以及發(fā)藍(lán)色熒光DPAVBi (4，4-雙[4-( 二對(duì)甲苯氨基)苯乙烯]聯(lián)苯、發(fā)綠色熒光TTPA (9，10-雙[N，N- 二 -(對(duì)甲苯)-氨基]蒽和發(fā)紅色熒光DCM2 (4- 二氰亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)。所述非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如借助于旋轉(zhuǎn)涂布來沉積。發(fā)射體材料能夠以合適的方式嵌在基體材料中。電子器件的發(fā)射體層的發(fā)射體材料例如能夠選擇成，使得電子器件發(fā)射白光。發(fā)射體層能夠具有發(fā)射不同色彩(例如，藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色)的多種發(fā)射體材料，替選地，發(fā)射體層也能夠由多個(gè)子層、例如由發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層構(gòu)造。通過混合不同的色彩，能夠得到發(fā)射具有白色的色彩印象的光。替選地，也能夠提出，在通過所述層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光程中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射不同波長的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過初級(jí)和次級(jí)輻射組合得出白色的色彩印象。能夠設(shè)有其它的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層例如用于進(jìn)一步改進(jìn)電子器件的功能進(jìn)而效率。需要指出的是，在替選的實(shí)施例中，能夠設(shè)有任意合適形式的發(fā)光功能層、例如有機(jī)功能層，并且本發(fā)明不局限于特定類型的功能層。如同圖2c中在第三子結(jié)構(gòu)220中示出，將一個(gè)或多個(gè)透明的中間層(在下文中也稱作一個(gè)或多個(gè)電極生長層)施加到第二子結(jié)構(gòu)210上。在不同實(shí)施例中，借助于原子層沉積法來施加至少一個(gè)中間層。至少一個(gè)中間層或由多個(gè)中間層形成的中間層堆226能夠具有納米范圍中的層厚度，例如大約0.1nm至大約200nm范圍中的層厚度，例如大約Inm至大約8nm范圍中的層厚度，例如大約3nm至大約3.5nm范圍中的層厚度，例如大于或等于
1.5nm的層厚度。電極生長層的層厚度能夠分別地或總體上在不同的設(shè)計(jì)方案中例如小于或等于7nm。在圖2c中示出具有多個(gè)子中間層222、224的中間層堆226，所述多個(gè)子中間層分別借助于原子層沉積法來施加或是借助于原子層沉積法來施加的。在不同實(shí)施例中，能夠設(shè)有多種、例如兩種不同的材料，其中每種材料形成相應(yīng)的子中間層222、224。在不同實(shí)施例中，能夠借助于原子層沉積法由分別交替地沉積的不同材料來沉積各個(gè)子中間層222、224。因此，例如能夠?qū)⒂傻谝环N材料(例如，氧化物、氮化物、碳化物或其它適合借助于原子層沉積法來沉積的材料，例如為氧化鋅)制成的第一子中間層222沉積(例如到有機(jī)功能層212的空出的表面上)，所述第一子中間層具有幾納米的層厚度，例如具有大約2nm至大約8nm范圍中的層厚度，例如具有大約3nm至大約7nm范圍中的層厚度，例如具有大約4nm至大約6nm范圍中的層厚度，例如具有大約5nm的層厚度。此外，例如能夠?qū)⒂傻诙N材料(例如，氧化物、氮化物、碳化物或其它適合借助于原子層沉積法來沉積的材料，例如為氧化鋅)制成的第二子中間層224沉積到第一子中間層222上，所述第二種材料例如不同于第一種材料，所述第二子中間層具有幾納米的層厚度，例如具有大約0.5nm至大約8nm范圍中的層厚度，例如具有大約Inm至大約5nm范圍中的層厚度,例如具有大約1.5nm至大約3nm范圍中的層厚度，例如具有大約2nm的層厚度。隨后，重新將另一第一子中間層222沉積到第二子中間層224上，將另一第二子中間層224沉積到該另一第一子中間層222上等。多個(gè)子中間層堆的形成(其中每個(gè)子中間層堆都能夠具有第一子中間層222和第二子中間層224)原則上能夠任意多次地重復(fù)，例如能夠設(shè)有兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)、七個(gè)或更多子中間層堆(與中間層堆的期望的總厚度相關(guān))。相應(yīng)多次地重復(fù)地執(zhí)行原子層沉積法以用于選擇性地沉積各期望的材料。在圖2c中示出的實(shí)施例設(shè)有四個(gè)子中間層堆。在沒有限制一般有效性的情況下，在不同實(shí)施例中，第一子中間層222能夠由氧化鋅(例如，層厚度大約為5nm)形成并且第二子中間層224能夠由氧化鋁(例如，層厚度大約為2nm)形成。因此，在該實(shí)施例中得到大約28nm的中間層堆棧226的總層厚度)。在不同實(shí)施例中，全部的子中間層222、224、進(jìn)而還有例如氧化鋅和氧化鋁借助于原子層沉積法來沉積。在不同實(shí)施例中，子中間層或中間層例如能夠由導(dǎo)電金屬氧化物，諸如氧化鋅、鋁摻雜的氧化鋅、氧化錫、銦摻雜的氧化錫或其合金制成或具有一種或多種上述材料。子中間層或中間層能夠構(gòu)成為是極其薄的(I個(gè)原子層至lOOnm)。在足夠薄的層中，在不同實(shí)施例中，能夠由導(dǎo)電氧化物在沒有掩模的情況下沉積中間層或多個(gè)子中間層，因?yàn)槟軌蚝雎圆⒙?lián)于OLED的寄生電流路徑。因?yàn)樵訉映练e層能夠構(gòu)成為是極其薄的，所以在不同實(shí)施例中也設(shè)有將介電氧化物用于中間層或子中間層，因?yàn)樗鼋殡娧趸飳?duì)于OLED的通電而言沒有引起值得注意的串聯(lián)電阻。在不同實(shí)施例中設(shè)為用于原子沉積中間層的或原子沉積子中間層的介電氧化物的實(shí)例為氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鑭和氧化鋯或其合金。對(duì)于中間層或子中間層的實(shí)施方案，原則上，上述材料的任意組合是可能的。通過選擇材料和層厚度，中間層或子中間層能夠在其功能方面匹配于有機(jī)材料和透明的金屬覆蓋電極。如同圖2d中在第四子結(jié)構(gòu)230中示出，將例如第二電極232形式的、透明的導(dǎo)電的(例如，金屬的)覆蓋接觸部232沉積到中間層(或中間層堆226)的空出的表面上，所述中間層(或中間層堆)直觀地形成生長層或生長層堆。通過施加層厚度小于或等于30nm的(例如，光學(xué)透明的)金屬層，能夠形成第二電極232。金屬層能夠具有下述金屬中的至少一種:鋁、鋇、銦、銀、銅、金、鎂、釤、鉬、鈀、鈣和鋰及一種或多種所述金屬的組合或者由所述金屬或由多種所述金屬制成的化合物，例如合金。當(dāng)?shù)谝浑姌O204為陽極時(shí)，具有金屬層的第二電極232例如為陰極。在此，將電極生長層226設(shè)置在第二電極232的朝向襯底202的一側(cè)上。在不同實(shí)施例中，透明的金屬覆蓋電極232具有IOnm厚的由銀制成的層或由所述層制成，其中透明的金屬覆蓋電極232能夠借助于熱蒸鍍來施加。在不同實(shí)施例中，透明的能導(dǎo)電的覆蓋接觸部232也能夠借助于濺射來施加。在不同實(shí)施例中，透明的能導(dǎo)電的覆蓋接觸部232具有大約5nm至大約30nm范圍中的層厚度，例如大約IOnm至大約20nm范圍中的層厚度。如同圖2e中在第五子結(jié)構(gòu)240中示出，將用于光耦合輸出的光學(xué)匹配層242施加至IJ、例如沉積到或?yàn)R射到透明的能導(dǎo)電的覆蓋接觸部232的空出的表面上。作為根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的實(shí)現(xiàn)方案的圖2e中示出的OLED構(gòu)造成頂部/底部發(fā)射體。圖3a至圖3e以在制造電子器件的不同時(shí)間點(diǎn)的部分剖面圖示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的例如為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的電子器件的示意簡化側(cè)視圖。如同在圖3a中在第一子結(jié)構(gòu)300中示出，將一個(gè)或多個(gè)透明的中間層(在下文中也稱作一個(gè)或多個(gè)電極生長層)施加到襯底302上。襯底302能夠是透明的襯底302。然而，襯底302也能夠是不透明的襯底302。例如，襯底能夠具有玻璃、石英、藍(lán)寶石、塑料膜、金屬、金屬膜、硅晶圓或其它合適的襯底材料。在不同實(shí)施例中，借助于原子層沉積法來施加至少一個(gè)中間層。至少一個(gè)中間層或由多個(gè)中間層形成的中間層堆308能夠具有納米范圍中的層厚度，例如大約0.1nm至大約200nm范圍中的層厚度，例如大約Inm至大約8nm范圍中的層厚度，例如大約3nm至大約3.5nm范圍中的層厚度，例如大于或等于1.5nm的層厚度。電極生長層的層厚度能夠分別地或總體上在不同的設(shè)計(jì)方案中例如小于或等于7nm。在圖3a中示出具有多個(gè)子中間層304、306的中間層堆308，所述多個(gè)子中間層分別借助于原子層沉積法來施加或是借助于原子層沉積法來施加的。在不同實(shí)施例中，能夠設(shè)有多種、例如兩種不同的材料，其中每種材料形成相應(yīng)的子中間層304、306。在不同實(shí)施例中，能夠借助于原子層沉積法由分別交替地沉積的不同材料來沉積各個(gè)子中間層304、306。因此，例如能夠?qū)⒂傻谝环N材料(例如，氧化物、氮化物、碳化物或其它適合借助于原子層沉積法來沉積的材料，例如為氧化鋅)制成的第一子中間層304沉積(例如到襯底302的空出的表面上)，所述第一子中間層具有幾納米的層厚度，例如具有大約2nm至大約8nm范圍中的層厚度，例如具有大約3nm至大約7nm范圍中的層厚度，例如具有大約4nm至大約6nm范圍中的層厚度，例如具有大約5nm的層厚度。此外，例如能夠?qū)⒂傻诙N材料(例如，氧化物、氮化物、碳化物或其它適合借助于原子層沉積法來沉積的材料，例如為氧化鋅)制成的第二子中間層306沉積到第一子中間層304上，所述第二種材料例如不同于第一種材料，所述第二子中間層具有幾納米的層厚度，例如具有大約0.5nm至大約8nm范圍中的層厚度,例如具有大約Inm至大約5nm范圍中的層厚度，例如具有大約1.5nm至大約3nm范圍中的層厚度，例如具有大約2nm的層厚度。隨后，重新將另一第一子中間層304沉積到第二子中間層306上，將另一第二子中間層306沉積到該另一第一子中間層304上等。多個(gè)子中間層堆的形成(其中每個(gè)子中間層堆都能夠具有第一子中間層304和第二子中間層306)原則上能夠任意多次地重復(fù)，例如能夠設(shè)有兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)、七個(gè)或更多子中間層堆(與中間層堆的期望的總厚度相關(guān))。相應(yīng)多次地重復(fù)地執(zhí)行原子層沉積法以用于選擇性地沉積各期望的材料。在圖3a中示出的實(shí)施例中設(shè)有四個(gè)子中間層堆。在沒有限制一般有效性的情況下，在不同實(shí)施例中，第一子中間層304能夠由氧化鋅(例如，層厚度大約為5nm)形成并且第二子中間層306能夠由氧化鋁(例如，層厚度大約為2nm)形成。因此，在該實(shí)施例中得到大約28nm的中間層堆棧308的總層厚度)。在不同實(shí)施例中，全部的子中間層304、306、進(jìn)而還有例如氧化鋅和氧化鋁借助于原子層沉積法來沉積。在不同實(shí)施例中，子中間層或中間層例如能夠由導(dǎo)電金屬氧化物，諸如氧化鋅、鋁摻雜的氧化鋅、氧化錫、銦摻雜的氧化錫或其合金制成或具有一種或多種上述材料。子中間層或中間層能夠構(gòu)成為是極其薄的(I個(gè)原子層至lOOnm)。在足夠薄的層中，在不同實(shí)施例中，能夠中由導(dǎo)電氧化物在沒有掩模的情況下沉積間層或多個(gè)子中間層，因?yàn)槟軌蚝雎圆⒙?lián)于OLED的寄生電流路徑。因?yàn)樵訉映练e層能夠構(gòu)成為是極其薄的，所以在不同實(shí)施例中也設(shè)有將介電氧化物用于中間層或子中間層，因?yàn)樗鼋殡娧趸飳?duì)于OLED的通電而言沒有引起值得注意的串聯(lián)電阻。在不同實(shí)施例中設(shè)為用于原子沉積中間層的或原子沉積子中間層的介電氧化物的實(shí)例為氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鑭和氧化鋯或其合金。對(duì)于中間層或子中間層的實(shí)施方案，原則上，上述材料的任意組合是可能的。通過選擇材料和層厚度，中間層或子中間層能夠在其功能方面匹配于如在下文中更詳細(xì)闡明的要形成的透明的金屬的第一電極。在不同實(shí)施例中，能夠設(shè)有用于中間層或子中間層的任意的(能導(dǎo)電的或介電的)可借助于原子層沉積法沉積的材料。如同在圖3b中在第二子結(jié)構(gòu)310中示出，將在下文中也稱作基本電極310的第一電極310施加到、例如沉積到中間層的或中間層堆308的空出的表面上。在不同實(shí)施例中，基本電極310例如能夠是陽極并且例如由銦摻雜的氧化錫(ITO)形成或具有下述材料中的一種:鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣和鋰及一種或多種所述金屬的組合或者由所述金屬或由多種所述金屬制成的化合物，例如合金。在不同實(shí)施例中，襯底302和/或第一電極312能夠構(gòu)造成是透明的。在不同實(shí)施例中，第一電極312能夠借助于濺射或借助于熱蒸鍍來施加。在不同實(shí)施例中，第一電極312能夠具有大約5nm至大約30nm范圍中的層厚度，例如為大約IOnm至大約20nm范圍中的層厚度。如同在圖3c中在第三子結(jié)構(gòu)320中示出，將用于電荷運(yùn)輸和產(chǎn)生光的例如為發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體層的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)功能層322施加到第一電極312上。能夠設(shè)置在根據(jù)不同實(shí)施例的例如為OLED的電子器件中的發(fā)射體材料的實(shí)例包含作為非聚合物發(fā)射體的下述材料:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，例如為聚芴、聚噻吩、聚亞苯基的衍生物(例如，2-或2.5-取代的聚對(duì)苯基乙炔)；以及金屬絡(luò)合物，例如為銥絡(luò)合物，諸如發(fā)藍(lán)色磷光FIrPic (雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶)苯基_ (2-羧基吡啶)-銥III)、發(fā)綠色磷光Ir (ppy)3(三甲醇氨基甲燒(2-苯基卩比唳)銥III)、發(fā)紅色磷光Ru(dtb_bpy)3
*2(PF6)(三甲醇氨基甲烷[4，4’-二叔丁基-(2，2’)-二吡啶]釕(III)絡(luò)合物)以及發(fā)藍(lán)色熒光DPAVBi (4，4-雙[4-( 二對(duì)甲苯氨基)苯乙烯]聯(lián)苯、發(fā)綠色熒光TTPA (9，10-雙[N，N- 二 -(對(duì)甲苯)-氨基]蒽和發(fā)紅色熒光DCM2 (4- 二氰亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)。所述非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如借助于旋轉(zhuǎn)涂布來沉積。發(fā)射材料能夠以合適的方式嵌在基體材料中。電子器件的發(fā)射體層的發(fā)射體材料例如能夠選擇成，使得電子器件發(fā)射白光。發(fā)射體層能夠具有發(fā)射不同色彩(例如，藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色)的多種發(fā)射體材料，替選地，發(fā)射體層也能夠由多個(gè)子層、例如由發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層構(gòu)造。通過混合不同的色彩，能夠得到發(fā)射具有白色的色彩印象的光。替選地，也能夠提出，在通過所述層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光程中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射不同波長的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過初級(jí)和次級(jí)輻射組合得出白色的色彩印象。
能夠設(shè)有其它的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層例如用于進(jìn)一步改進(jìn)電子器件的功能進(jìn)而效率。需要指出的是，在替選的實(shí)施例中，能夠設(shè)有任意合適形式的發(fā)光功能層、例如有機(jī)功能層，并且本發(fā)明并未局限于特定類型的功能層。例如圖3d中在第四子結(jié)構(gòu)330中示出，將例如第二電極332形式的、透明的導(dǎo)電的(例如，金屬的)覆蓋接觸部332沉積到第三子結(jié)構(gòu)的空出的表面上、更確切地說沉積到一個(gè)或多個(gè)有機(jī)功能層322上。通過施加層厚度小于或等于30nm的(例如，光學(xué)透明的)金屬層，能夠形成第二電極332。金屬層能夠具有下述金屬中的至少一種:鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣和鋰及一種或多種所述金屬的組合或者由所述金屬或由多種所述金屬制成的化合物，例如合金。當(dāng)?shù)谝浑姌O312為陽極時(shí)，具有金屬層的第二電極332例如為陰極。在不同實(shí)施例中，透明的金屬覆蓋電極332具有IOnm厚的由銀制成的層或由所述層制成，其中透明的金屬覆蓋電極332能夠借助于熱蒸鍍來施加。在不同實(shí)施例中，透明的能導(dǎo)電的覆蓋接觸部332也能夠借助于濺射來施加。在不同實(shí)施例中，透明的能導(dǎo)電的覆蓋接觸部332具有大約5nm至大約30nm范圍中的層厚度，例如大約IOnm至大約20nm范圍中的層厚度。如同圖3e中在第五子結(jié)構(gòu)340中示出，將用于光耦合輸出的光學(xué)匹配層342施加至IJ、例如沉積到或?yàn)R射到透明的能導(dǎo)電的覆蓋接觸部332的空出的表面上。作為根據(jù)不同實(shí)施例的電子器件的實(shí)現(xiàn)方案的圖3e中示出的OLED構(gòu)造成底部發(fā)射體。在不同實(shí)施例中能夠提出，將電極生長層或電極生長層堆設(shè)在電子器件的第一電極之下和第二電極之下。圖4示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施形式的電子器件400的示意簡化側(cè)視圖，所述實(shí)施形式構(gòu)造成頂部/底部發(fā)射體。在例如為玻璃襯底的襯底402上設(shè)置第一電極404。第一電極404例如能夠是陽極并且例如由銦摻雜的氧化錫(ITO)形成。在第一電極404上設(shè)置有機(jī)功能層406,例如為發(fā)突光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體層。在有機(jī)功能層406上設(shè)置生長層408。生長層408例如能夠?yàn)?nm厚并且借助于面向靶濺射來沉積。在生長層408上沉積作為第二電極的例如IOnm厚的金屬層410形式的生長電極。金屬層410例如能夠借助于濺射來沉積。當(dāng)?shù)谝浑姌O404為陽極時(shí)，具有金屬層410的第二電極412為陰極。在此，生長層408例如設(shè)置在第二電極412的朝向襯底402的一側(cè)上。圖5示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式的電子器件500的示意簡化側(cè)視圖，所述實(shí)施形式構(gòu)造成底部發(fā)射體。在例如為玻璃襯底的襯底502上設(shè)置生長層504并且在生長層504上設(shè)置金屬層508形式的生長電極作為第一電極510。第一電極510能夠構(gòu)造成陽極。根據(jù)不同的實(shí)施例，生長襯底504設(shè)置在第一電極510的朝向襯底502的一側(cè)上。
生長襯底504能夠用于改進(jìn)施加有生長電極的表面，也就是說，以下述方式進(jìn)行處理:能夠薄地、平滑地且均質(zhì)地沉積金屬層508，以便實(shí)現(xiàn)電子器件500的改進(jìn)的通電和改進(jìn)的透明度。在金屬層508上設(shè)置有機(jī)功能層512。有機(jī)功能層512能夠包括發(fā)射體層。在不同實(shí)施例中，在有機(jī)功能層512上設(shè)置第二電極514。當(dāng)?shù)谝浑姌O510為陽極時(shí)，第二電極514為陰極。所述第二電極例如能夠是常規(guī)20nm厚的銀層。圖6示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式的電子器件600的示意簡化側(cè)視圖，所述實(shí)施形式構(gòu)造成頂部發(fā)射體。在襯底602上設(shè)置第一電極604。如在圖6中示出，第一電極604能夠是陽極并且例如由銦摻雜的氧化錫(ITO)形成。在第一電極604上設(shè)置空穴注入層606并且在所述空穴注入層上設(shè)置空穴運(yùn)輸層608。空穴注入層606和空穴運(yùn)輸層608能夠借助于熱蒸鍍來沉積。在空穴運(yùn)輸層608上設(shè)置另一有機(jī)功能層610，例如為發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體層。在有機(jī)功能層610上設(shè)置電子運(yùn)輸層612，所述電子運(yùn)輸層同樣也能夠借助于熱蒸鍍來沉積。在電子傳輸層612上設(shè)置生長層614。生長層614例如能夠?yàn)?nm厚并且借助于面向靶濺射來沉積。在生長層614上沉積例如IOnm厚的金屬層616形式的生長電極作為第二電極。金屬層616優(yōu)選地能夠借助于濺射來沉積。如同在圖6中示出的，具有金屬層616的第二電極618為陰極。圖7示出沉積在玻璃襯底上的薄銀層的REM照片700。銀層為12nm厚并且借助于熱蒸鍍施加到玻璃襯底上。如能夠在圖7中觀察，銀層強(qiáng)烈地傾向于形成島；在金屬島之間能夠觀察到玻璃襯底。因此，銀層是不平滑地且非均質(zhì)地構(gòu)成在玻璃襯底上。借助于四探針測量設(shè)備測量的所述銀層的面電阻為19.3Ω / □ ±1.9Ω / 口。圖8示出12nm的銀層的REM照片800，所述銀層借助于熱蒸鍍沉積在有機(jī)物底層上。有機(jī)物底層沉積在玻璃襯底上并且由傳統(tǒng)的基體材料制成，例如為a-NPD(N，N’_ 二苯基-N，N’ -雙(1-萘基)_1，I’聯(lián)苯-4，4’’ 二胺。銀層的島形成趨勢與圖7中相比顯著更??；然而，能夠識(shí)別出明顯的裂縫。借助于四探針測量設(shè)備測量的所述銀層的面電阻為
7.13Ω / □ ±0.37Ω/ 口圖9示出12nm厚的銀層的REM照片900，所述銀層根據(jù)不同實(shí)施例借助于濺射沉積在17nm厚的ITO生長層上。ITO生長層又施加在90nm厚的例如在上文中參考圖8說明的有機(jī)物底層上。有機(jī)物底層施加到玻璃襯底上。如能在圖9中觀察，銀層構(gòu)成為是平滑且封閉的。借助于四探針測量設(shè)備測量的所述銀層的面電阻為4.48 Ω/口 ±0.20Ω/口。根據(jù)不同實(shí)施例的薄的無定形的生長層實(shí)現(xiàn):一與厚度例如為20nm的傳統(tǒng)的金屬層或電極層相比——金屬層能夠薄地、平滑地且作為封閉的層施加在生長層上。圖10示出曲線1000，所述曲線示出圖7至圖9的銀層的透明度測量的結(jié)果(根據(jù)圖7的玻璃襯底上的銀層，根據(jù)圖8的玻璃襯底上的有機(jī)物底層上的銀層，根據(jù)圖8的玻璃襯底上的有機(jī)物底層上的ITO層上的銀層)。對(duì)每個(gè)示例執(zhí)行三次測量。關(guān)于波長[nm]來說明透明度[%]。圖7中的玻璃底層19上的銀層在波長大約為355nm時(shí)示出大約為65%的輻射密度，所述輻射密度從大約410nm開始下降到大約為35%的最小值并且在波長更高時(shí)保持恒定。圖8的有機(jī)物底層21上的銀層在大約400nm處示出大約為43%的透明度最大值。透明度在波長更高時(shí)緩慢地下降到大約為32%的數(shù)值上。圖9的根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的銦摻雜的氧化錫(IT0)23上的銀層在大約400nm處示出大約為68%的透明度最大值。在大約380nm至大約450nm的范圍中，透明度大于60%。銦摻雜的氧化錫23上的銀層的透明度明顯大于其它層19和21的透明度。圖11示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的放射特性1100。執(zhí)行了三次測量。放射特性作為輻射密度(以[W/(sr/m2)]為單位說明)相對(duì)于觀察角度(以度[° ]為單位說明)來描述。單位“sr”表示球面度，即立體角。根據(jù)本發(fā)明的電子器件的例如構(gòu)成為頂部發(fā)射的OLED的圖6中描述的裝置的放射特性25示出基本上朗伯的放射特性(朗伯放射特性作為虛線繪出并且沒有附圖標(biāo)記)。在不同實(shí)施例中，提供用于制造電子器件的方法。所述方法能夠具有:借助于原子層沉積法將電極生長層施加在襯底上或施加在襯底上方；并且將電極施加在電極生長層上。在所述實(shí)施例的一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠施加層厚度在0.1nm至200nm范圍中的電
極生長層。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電極生長層的施加能夠具有形成電極生長層的多個(gè)子層的施加。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，通過施加層厚度小于或等于30nm的金屬層能夠形成電極。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，金屬層能夠具有選自下述金屬中的至少一種金屬:鋁、鋇、銦、銀、銅、金、鉬、鈀、釤、鎂、鈣和鋰及其組合或由所述金屬或者由所述金屬或由多種所述金屬的化合物，例如合金制成。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電子器件能夠形成為有機(jī)電子器件并且還能夠形成附加電極和設(shè)置在電極和附加電極之間的至少一個(gè)有機(jī)功能層。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠在電極上形成層結(jié)構(gòu)。層結(jié)構(gòu)的形成能夠具有在有機(jī)功能層上形成附加電極。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電子器件能夠形成為有機(jī)發(fā)光二極管。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電極能夠構(gòu)成為透明電極。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，附加電極能夠構(gòu)成為透明電極。在不同實(shí)施例中，還提供電子器件，所述電極器件能夠具有:襯底；襯底上的電極生長層；以及電極生長層上的電極。電極生長層能夠構(gòu)成為原子層沉積層。在所述實(shí)施例的一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電極能夠構(gòu)成為透明電極。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電極生長層能夠具有在0.1nm至200nm之間范圍中的層厚度。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電極生長層能夠具有形成電極生長層的多個(gè)子層。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)電子器件；并且電子器件還能夠具有附加電極和設(shè)置在電極和附加電極之間的至少一個(gè)有機(jī)功能層。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，附加電極能夠構(gòu)成為透明電極。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，層結(jié)構(gòu)能夠具有在有機(jī)層結(jié)構(gòu)上的附加電極和在電極上的有機(jī)功能層。電極能夠形成在電極生長層上并且電極生長層能夠形成在襯底上。在所述實(shí)施例的另一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二極管?？扇我獾乩^續(xù)地改變實(shí)施例。此外，需要考慮的是，本發(fā)明不局限于所述實(shí)例，而是允許其它的、在此沒有詳述的設(shè)計(jì)方案和實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.用于制造電子器件(240)的方法(100)，其中所述方法具有: 借助于原子層沉積法將電極生長層(226)施加(102)在層結(jié)構(gòu)上或施加在層結(jié)構(gòu)上方；并且 將電極(232 )施加(104 )在所述電極生長層(226 )上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法(100)， 其中施加具有0.1nm至200nm范圍中的層厚度的所述電極生長層(226)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法(100)， 其中電極生長層(226)的施加(102)具有形成所述電極生長層(226)的多個(gè)子層(222，224)的施加。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的方法(100)， 其中通過施加具有小于或等于30nm的層厚度的金屬層(232)來形成所述電極(232)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法(100)， 其中所述金屬層(232)具有下述金屬中的至少一種:鋁、鋇、銦、銀、銅、金、鉬、鈀、釤、鎂、鈣和鋰及其組合；或者由所述金屬或由所述金屬的化合物或由多種所述金屬、尤其是合金制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的方法(100)，其中所述電子器件(240)形成為有機(jī)電子器件(240);以及 其中還形成附加電極(204)和設(shè)置在所述電極(232)和所述附加電極(204)之間的至少一個(gè)有機(jī)功能層(212)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法(100)， 其中所述層結(jié)構(gòu)具有襯底(202);并且 其中所述層結(jié)構(gòu)的形成包括: 在襯底(202)上形成所述附加電極(204)； 在所述附加電極(204)上形成所述有機(jī)功能層(212)； 其中在所述有機(jī)功能層(212)上形成所述電極生長層(226)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的方法(100)， 其中所述電子器件(240)形成為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的方法(100)， 其中所述電極(232 )構(gòu)成為透明電極(232 )。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9之一所述的方法(100)， 其中所述附加電極(204)構(gòu)成為透明電極(204)。
11.電子器件(240)，具有: 層結(jié)構(gòu)； 在所述層結(jié)構(gòu)上的電極生長層(226);以及 在所述電極生長層(226)上的電極(232)； 其中所述電極生長層(226)構(gòu)成為原子層沉積層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件(240)， 其中所述電極(232)構(gòu)成為透明電極(232)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的電子器件(240)，其中所述電極生長層(226 )具有0.1nm至200nm范圍中的層厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13之一所述的電子器件(240)， 其中所述電極生長層(226)具有形成所述電極生長層(226)的多個(gè)子層(222，224)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14之一所述的電子器件(240)， O其中所述電子器件(240)構(gòu)造成有機(jī)電子器件(240);以及 其中所述電子器件(240)還具有附加電極(204)和設(shè)置在所述電極(232)和所述附加電極(204 )之間的至少一個(gè)有機(jī)功能層(212)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子器件(240)， 其中所述附加電極(204 )構(gòu)造成透明電極(204 )。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的電子器件(240)， 其中所述層結(jié)構(gòu)具有: 在襯底(202)上的附加電極(204)； 在所述附加電極(204)上的有機(jī)功能層(212)； 其中在所述有機(jī)功能層(212)上形成所述電極生長層(226)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11至17之一所述的電子器件(240)， 其中所述電子器件(240 )構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。
19.用于制造電子器件的方法，其中所述方法具有: 借助于原子層沉積法將電極生長層施加在襯底上或施加在襯底上方；并且 將電極施加在所述電極生長層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法， 其中所述電子器件形成為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管，和/或 其中所述電極構(gòu)成為透明電極。
21.電子器件，具有: 襯底； 在所述襯底上的電極生長層；以及 在所述電極生長層上的電極； 其中所述電極生長層構(gòu)成為原子層沉積層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子器件， 其中所述電極構(gòu)成為透明 電極；和/或 其中所述電子器件構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二極管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造電子器件(240)的方法(100)，所述方法能夠具有借助于原子層沉積法將電極生長層(226)施加(102)在層結(jié)構(gòu)上或施加在層結(jié)構(gòu)上方；并且將電極(232)施加(104)在電極生長層(226)上。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103210519SQ201180054917
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月15日
發(fā)明者迪爾克·貝克, 埃爾溫·蘭, 蒂洛·羅伊施 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司