半導(dǎo)體器件和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體器件具備：具有溝道區(qū)域（121）和接觸區(qū)域（122、123）的半導(dǎo)體層（120A）；配置在與溝道區(qū)域（122、123）重疊的位置的所述第1導(dǎo)電層的圖案（141）；形成在第2導(dǎo)電層和第3導(dǎo)電層的一方、并與第1導(dǎo)電層的圖案（141）連接的柵極線（18）；形成在第2導(dǎo)電層和第3導(dǎo)電層的另一方、并與接觸區(qū)域（122、123）連接的所述源極線（17）。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體器件和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及形成有使多結(jié)晶硅為活性層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái),對(duì)液晶顯示器、利用有機(jī)材料的電致發(fā)光(EL:Electro Luminescence)的有機(jī)EL顯示器所代表的平板顯示器，要求大型化、高精細(xì)化、顯示頻率的高速化的進(jìn)一步的聞功能化。
[0003]特別是，急待開(kāi)發(fā)作為有源矩陣方式的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路具有優(yōu)良特性的薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)。在薄膜晶體管要求高電流驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，對(duì)活性層使用結(jié)晶化的半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管已得到實(shí)用化，特別是具有通過(guò)準(zhǔn)分子激光器等的激光照射而結(jié)晶化的半導(dǎo)體層的頂柵構(gòu)造的低溫多晶硅TFT，作為不僅具有高電流能力、還通過(guò)自整合工藝和LDD構(gòu)造而兼顧高導(dǎo)通/截止電流比和非常小的寄生電容的設(shè)備被廣泛利用。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2003-338509號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0007]對(duì)于頂柵TFT的制造方法，公開(kāi)了以下內(nèi)容(例如，專利文獻(xiàn)I)。
[0008]在專利文獻(xiàn)I中，首先，在基板將非晶硅薄膜形成為例如40?50nm左右的膜厚，進(jìn)行脫氫退火。然后，在通過(guò)由準(zhǔn)分子激光器等的激光照射進(jìn)行的退火工序使之結(jié)晶化后，圖案形成為預(yù)定的形狀而成為T(mén)FT的活性層。
[0009]接著，在活性層上形成SiO2膜等絕緣膜來(lái)形成柵極絕緣膜，在活性層上隔著柵極絕緣膜形成由Cr、W、Mo等金屬或它們的復(fù)合材料形成的柵電極層(以下稱為柵極層)。然后，在柵極層上選擇性地殘留光致抗蝕劑，將柵極層形成為預(yù)定的形狀而成為柵電極。
[0010]接著，以柵電極上的抗蝕劑作為掩模，穿過(guò)柵極絕緣膜向活性層導(dǎo)入高濃度的雜質(zhì)離子，形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域。柵電極的下方的區(qū)域由于柵電極上的抗蝕劑而被遮掩，因此形成沒(méi)有注入雜質(zhì)離子的溝道區(qū)域。
[0011]進(jìn)而，在除去了柵電極上的抗蝕劑之后，以柵電極作為掩模，將低濃度的雜質(zhì)離子越過(guò)柵極絕緣膜注入到露出的活性層中。由此，在活性層的形成于柵電極正下方的溝道區(qū)域和注入了高濃度的雜質(zhì)離子而形成的源極區(qū)域及漏極區(qū)域之間，形成注入了低濃度的雜質(zhì)離子的區(qū)域(LDD)。
[0012]在高濃度的雜質(zhì)離子及低濃度的雜質(zhì)離子的注入結(jié)束之后，再次通過(guò)準(zhǔn)分子激光器和/或基板加熱處理對(duì)活性層進(jìn)行加熱，由此使所注入的雜質(zhì)活性化。
[0013]然后，在整個(gè)面形成SiNx及SiO2膜并形成了層間絕緣膜之后，為了使TFT特性穩(wěn)定，通過(guò)加熱處理將SiNx層的氫供給到活性層，將通過(guò)激光退火而結(jié)晶化的活性層的缺陷能級(jí)用氫封端。
[0014]然后，在源極區(qū)域及漏極區(qū)域的上方的柵極絕緣膜和層間絕緣膜開(kāi)有接觸孔，在開(kāi)口部上分別圖案形成由Al等金屬材料形成的源極.漏極層(以下SD層)，并與源極區(qū)域及漏極區(qū)域連接，由此成為源電極及漏電極。
[0015]如此，柵極層的材料必須具有對(duì)柵電極形成后的基板加熱工序不會(huì)發(fā)生變形或變質(zhì)的高耐熱性。然而，作為一般的電極材料使用的金屬，存在耐熱性越高則導(dǎo)電性就越低的傾向。因此，在作為柵電極的材料使用耐熱性高的材料、且在與柵電極同層由相同的金屬材料形成柵極布線的情況下，柵極布線的布線電阻就會(huì)變高。高的布線電阻成為因布線時(shí)間常數(shù)增大導(dǎo)致信號(hào)延遲、因電壓下降導(dǎo)致顯示器光斑的原因。即，若面板面積大型化而驅(qū)動(dòng)頻率增大化，則布線電阻的影響增大。
[0016]另外，在將像素內(nèi)的電壓保持電容形成在柵極層、層間絕緣膜和SD層的情況下，為了防止串?dāng)_(cross talk)并使I幀內(nèi)的輝度穩(wěn)定，優(yōu)選電容值大。也就是說(shuō)，需要提高柵極層上的層間絕緣膜的介電常數(shù)或者減小膜厚來(lái)增大每單位面積的電容值。
[0017]另一方面，例如在將柵極布線形成在柵極層并將源極布線形成在SD層的情況下，由柵極布線與源極布線的交叉部形成的布線寄生電容，與像素內(nèi)的電壓保持電容同樣也形成在柵極層、層間絕緣膜和SD層，從減小布線時(shí)間常數(shù)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選電容值小。
[0018]S卩，在為了較大地保持像素內(nèi)的保持電容而增大了柵極層上的層間絕緣膜的每單位面積的電容值的情況下，為了使面板工作而將布線時(shí)間常數(shù)設(shè)為規(guī)定值以下，需要降低控制線的電阻。然而，如上述的TFT制造工序的說(shuō)明，特別是柵電極要求具有高耐熱性，在柵極層形成的控制線成為電阻高的布線，越是要較大地保持像素內(nèi)的保持電容，布線時(shí)間常數(shù)就會(huì)越大。
[0019]本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種由分別適于柵電極和柵極布線的特性的材料形成并降低了柵極布線與源極布線之間的寄生電容的半導(dǎo)體器件。
[0020]用于解決問(wèn)題的手段
[0021]本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體器件，具有:基板；半導(dǎo)體層，其形成于所述基板上，第I絕緣層，其形成于所述半導(dǎo)體層上；第I導(dǎo)電層，其形成于所述第I絕緣層上；第2絕緣層，其形成于所述第I導(dǎo)電層上;第2導(dǎo)電層，其形成于所述第2絕緣層上；第3絕緣層，其形成于所述第2導(dǎo)電層上；第3導(dǎo)電層，其形成于所述第3絕緣層上；柵極線；源極線，其配置成與所述柵極線交叉。所述半導(dǎo)體層至少具有溝道區(qū)域和接觸區(qū)域。所述第I絕緣層在與所述接觸區(qū)域重疊的位置具有第I接觸孔，所述第I接觸孔將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的接觸區(qū)域連接。所述第I導(dǎo)電層的圖案配置在至少與所述溝道區(qū)域重疊的位置。所述第2絕緣層具有:第2接觸孔，其形成為與所述第I接觸孔連通，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的接觸區(qū)域連接；和第3接觸孔，其形成在與所述第I導(dǎo)電層的圖案重疊的位置，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。所述第3絕緣層具有第4接觸孔。所述柵極線形成在所述第2導(dǎo)電層和所述第3導(dǎo)電層的一方，至少穿過(guò)所述第3接觸孔與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。所述源極線形成在所述第2導(dǎo)電層和所述第3導(dǎo)電層的另一方，穿過(guò)所述第I接觸孔?所述4接觸孔的任一方與所述接觸區(qū)域連接。[0022]發(fā)明的效果
[0023]根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得由分別適于第I導(dǎo)電層的圖案和柵極布線的特性的材料形成并降低了柵極布線與源極布線之間的寄生電容的半導(dǎo)體器件。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示裝置的局部剖切立體圖。
[0025]圖2是表示實(shí)施方式I涉及的像素電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0026]圖3是實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0027]圖4是從箭頭方向觀察圖3的線段IV的剖面得到的圖。
[0028]圖5A是從箭頭方向觀察圖3的線段V的剖面得到的圖。
[0029]圖5B是從圖5A中省略了第2中繼電極的示例圖。
[0030]圖5C是從圖5B中省略了源電極的示例圖。
[0031]圖6A是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的基板準(zhǔn)備工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0032]圖6B是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的半導(dǎo)體層形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0033]圖6C是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的柵極絕緣膜/柵電極形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0034]圖6D是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的溝道區(qū)域/接觸區(qū)域形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0035]圖6E是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的第2絕緣層形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0036]圖6F是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的源電極/漏電極形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0037]圖6G是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的第3絕緣層形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0038]圖6H是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的中繼電極形成工序中的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0039]圖7A是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的基板準(zhǔn)備工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0040]圖7B是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的半導(dǎo)體層形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0041]圖7C是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的柵極絕緣膜/柵電極形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0042]圖7D是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的溝道區(qū)域/接觸區(qū)域形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0043]圖7E是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的第2絕緣層形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0044]圖7F是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的源電極/漏電極/第2電容電極形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0045]圖7G是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的第3絕緣層形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0046]圖7H是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的中繼電極形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0047]圖71是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的第4絕緣層形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0048]圖7J是實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的陽(yáng)極形成工序中的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0049]圖8是實(shí)施方式I的變形例I涉及的半導(dǎo)體器件的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0050]圖9是實(shí)施方式I的變形例2涉及的半導(dǎo)體器件的與圖8對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0051]圖10是實(shí)施方式I的變形例3涉及的半導(dǎo)體器件的與圖9對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0052]圖11是實(shí)施方式I的變形例4涉及的半導(dǎo)體器件的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0053]圖12是實(shí)施方式I的變形例5涉及的半導(dǎo)體器件的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。
[0054]圖13是實(shí)施方式I的變形例6涉及的半導(dǎo)體器件的與圖3對(duì)應(yīng)的俯視圖。
[0055]圖14是實(shí)施方式I的變形例7涉及的半導(dǎo)體器件的與圖2對(duì)應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)圖。
[0056]圖15是實(shí)施方式I的變形例7涉及的半導(dǎo)體器件的與圖3對(duì)應(yīng)的俯視圖。
[0057]圖16是實(shí)施方式I的變形例8涉及的半導(dǎo)體器件的與圖15對(duì)應(yīng)的俯視圖。
[0058]圖17是表示液晶顯示裝置的像素電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0059]圖18是實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0060]圖19是實(shí)施方式2的變形例I涉及的半導(dǎo)體器件的與圖18對(duì)應(yīng)的俯視圖。
[0061]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0062]10有機(jī)EL顯示裝置
[0063]11有源矩陣基板
[0064]12 像素
[0065]13像素電路
[0066]14 陽(yáng)極
[0067]15 有機(jī) EL 層
[0068]16 陰極
[0069]17、34源極布線
[0070]18、33柵極布線
[0071]19電源布線
[0072]20、35共用布線
[0073]21驅(qū)動(dòng)晶體管
[0074]22開(kāi)關(guān)晶體管
[0075]23、32 電容器
[0076]31晶體管
[0077]100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、200、200A 半導(dǎo)體器件
[0078]110 基板[0079]120A、120B、220A 半導(dǎo)體層
[0080]121、124 溝道區(qū)域
[0081]122、123、125、126 接觸區(qū)域
[0082]130柵極絕緣膜
[0083]131、132、133、134、151、152、153、154、155、171、172、173、174、175、176、177、191、231、232、251、252、253、271、291 接觸孔
[0084]141、142、241 柵電極
[0085]143高度調(diào)整層
[0086]150第2絕緣層
[0087]161、164、183、186、261 源電極
[0088]162、163、184、185、262 漏電極
[0089]165、265第2電容電極
[0090]166第3中繼電極
[0091]170第3絕緣層
[0092]181第I中繼電極·
[0093]182第2中繼電極
[0094]190第4絕緣層
[0095]242第I電容電極
【具體實(shí)施方式】
[0096]本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體器件，具有:基板；半導(dǎo)體層，其形成于所述基板上，第I絕緣層，其形成于所述半導(dǎo)體層上；第I導(dǎo)電層，其形成于所述第I絕緣層上；第2絕緣層，其形成于所述第I導(dǎo)電層上;第2導(dǎo)電層，其形成于所述第2絕緣層上；第3絕緣層，其形成于所述第2導(dǎo)電層上；第3導(dǎo)電層，其形成于所述第3絕緣層上；柵極線；源極線，其配置成與所述柵極線交叉。所述半導(dǎo)體層至少具有溝道區(qū)域和接觸區(qū)域。所述第I絕緣層在與所述接觸區(qū)域重疊的位置具有第I接觸孔，所述第I接觸孔，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的接觸區(qū)域連接。所述第I導(dǎo)電層的圖案配置在至少與所述溝道區(qū)域重疊的位置。所述第2絕緣層具有--第2接觸孔，其形成為與所述第I接觸孔連通，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的接觸區(qū)域連接；和第3接觸孔，其在與所述第I導(dǎo)電層的圖案重疊的位置，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。所述第3絕緣層具有第4接觸孔。所述柵極線形成在所述第2導(dǎo)電層和所述第3導(dǎo)電層的一方，至少穿過(guò)所述第3接觸孔與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。所述源極線形成在所述第2導(dǎo)電層和所述第3導(dǎo)電層的另一方，穿過(guò)所述第I接觸孔~所述4接觸孔的任一方與所述接觸區(qū)域連接。
[0097]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒌贗導(dǎo)電層的圖案和形成在第2導(dǎo)電層或第3導(dǎo)電層的柵極布線由分別適合的材料來(lái)形成。例如，使溝道區(qū)域結(jié)晶化時(shí)暴露于高溫的第I導(dǎo)電層的圖案，只要使用耐熱性高的金屬來(lái)形成即可。另外，柵極布線只要由低電阻的金屬來(lái)形成即可。
[0098]另外，通過(guò)將柵極布線形成在第2導(dǎo)電層和第3導(dǎo)電層的一方，并將源極布線形成在第2導(dǎo)電層和第3導(dǎo)電層的另一方，柵極布線和源極布線隔著第3絕緣層交叉。因?yàn)榈?絕緣層能夠比較自由地設(shè)定膜厚，所以能夠降低在柵極布線與源極布線的交叉部所產(chǎn)生的寄生電容。
[0099]此外，在本實(shí)施方式中，“圖案”是指通過(guò)對(duì)構(gòu)成導(dǎo)電層的金屬膜進(jìn)行圖案形成而得到的圖案。例如，圖案的典型例子例如是電極、布線等，但并不限定于此。另外，本說(shuō)明書(shū)中的“重疊”是指從上下方向觀察具有相互重疊的位置關(guān)系。
[0100]該半導(dǎo)體器件還具有電容部，所述電容部由在所述第I導(dǎo)電層形成的第I電容電極、在所述第2絕緣層的與所述第I電容電極重疊的位置形成的電介體、和在所述第2導(dǎo)電層的與所述電介體重疊的位置形成的第2電容電極構(gòu)成。
[0101]如上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)將構(gòu)成電容部的電極形成在第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層，能夠形成MIM (Metal-1nsulator-Metal:金屬-絕緣體-金屬)型的電容部。
[0102]另外，所述第2絕緣層的每單位面積的靜電電容可以比所述第3絕緣層的每單位面積的靜電電容大。
[0103]由此，能夠以小面積形成大容量的電容部。
[0104]另外，所述柵極線與所述源極線交叉的區(qū)域可以由所述第3絕緣層絕緣。
[0105]另外，所述第3接觸孔可以形成在與所述溝道區(qū)域重疊的位置。
[0106]另外，所述柵極線可以至少穿過(guò)第3接觸孔與配置在與所述溝道區(qū)域重疊的位置的所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。
[0107]作為一例可以是:所述柵極線形成在所述第3導(dǎo)電層，所述源極線形成在所述第2導(dǎo)電層。
[0108]另外，所述第4接觸孔可以形成為與所述第3接觸孔連通。而且，所述第3導(dǎo)電層的圖案可以穿過(guò)所述第3及第4接觸孔與配置在與所述溝道區(qū)域重疊的位置的所述第I導(dǎo)電層的圖案直接連接。
[0109]另外，所述第4接觸孔可以形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置。而且，所述第3導(dǎo)電層的圖案可以經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案與配置在與所述溝道區(qū)域重疊的位置的所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。
[0110]作為另一例可以是:所述柵極線形成在所述第2導(dǎo)電層，所述源極線形成在所述第3導(dǎo)電層。
[0111]另外，所述第3導(dǎo)電層的薄膜電阻(sheet resistance)可以比所述第2導(dǎo)電層的薄膜電阻小。
[0112]另外，所述第3導(dǎo)電層的厚度可以比所述第2導(dǎo)電層的厚度厚。
[0113]另外，所述柵極線可以形成在所述第3導(dǎo)電層。
[0114]該半導(dǎo)體器件還可以具有:第4絕緣層，其形成于所述第3導(dǎo)電層上；和第4導(dǎo)電層，其形成于所述第4絕緣層上。而且，所述第4絕緣層可以在至少與所述第3導(dǎo)電層的圖案重疊的位置具有第5接觸孔。
[0115]另外，所述第5接觸孔可以形成為與所述第4接觸孔連通。進(jìn)而，所述第4接觸孔可以形成為與所述第2接觸孔連通。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以穿過(guò)所述第I接觸孔、所述第2接觸孔、所述第4接觸孔以及所述第5接觸孔與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域
直接連接。[0116]另外，所述第5接觸孔可以形成在與所述第3導(dǎo)電層的圖案重疊的位置。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以穿過(guò)所述第5接觸孔與所述第3導(dǎo)電層的圖案直接連接。
[0117]另外，所述第4接觸孔可以形成為與所述第2接觸孔連通。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以經(jīng)由所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域連接。
[0118]另外，所述第4接觸孔可以形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以經(jīng)由所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述第2導(dǎo)電層的圖案連接。
[0119]另外，所述第2接觸孔可以形成為與所述第I接觸孔連通。進(jìn)而，所述第2導(dǎo)電層的圖案可以形成在與所述第2接觸孔重疊的位置。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案和所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域連接。
[0120]另外，所述第5接觸孔可以形成為與所述第4接觸孔連通。進(jìn)而，所述第4接觸孔可以形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以穿過(guò)所述第4接觸孔和所述第5接觸孔與所述第2導(dǎo)電層的圖案直接連接。
[0121]另外，所述第3接觸孔可以形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。
[0122]另外，所述第2接觸孔可以形成為與所述第I接觸孔連通。進(jìn)而，所述第2導(dǎo)電層的圖案可以形成在與所述第2接觸孔重疊的位置。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域連接。
[0123]另外，所述第I導(dǎo)電層或所述半導(dǎo)體層可以在與所述第4接觸孔重疊的位置具有
高度調(diào)整層。
[0124]另外，所述第I導(dǎo)電層或所述半導(dǎo)體層可以在與所述第5接觸孔重疊的位置具有
高度調(diào)整層。
[0125]進(jìn)而，所述第2導(dǎo)電層可以在與所述第5接觸孔重疊的位置具有高度調(diào)整層。
[0126]如上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)在與接觸孔重疊的位置設(shè)置高度調(diào)整層，層疊在高度調(diào)整層上的絕緣層被選擇性地頂高。其結(jié)果，接觸孔的深度變淺，因此能夠減小接觸孔的開(kāi)口面積。由此，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使發(fā)光層的面積增大。
[0127]另外，所述柵極線和與所述柵極線平行配置的線可以形成在所述第3導(dǎo)電層。而且，與所述源極線平行配置的線可以形成在第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層的一方。
[0128]另外，所述柵極線可以形成在第2導(dǎo)電層。進(jìn)而，與所述柵極線平行配置的線可以形成在第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層的一方。而且，與所述源極線平行配置的線可以形成在所述第3導(dǎo)電層。
[0129]本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的顯示裝置將多個(gè)像素呈矩陣狀配置而構(gòu)成。具體而言，顯示裝置具有:各自平行配置的多條柵極線、各自平行配置、并與所述柵極線交叉的多條源極線、和對(duì)在所述多條柵極線和所述多條源極線的每個(gè)交點(diǎn)形成的所述像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的上述記載的多個(gè)半導(dǎo)體器件。
[0130]所述半導(dǎo)體器件還可以具有:第4絕緣層，其形成于所述第3導(dǎo)電層上；和第4導(dǎo)電層，其形成于所述第4絕緣層上。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以按每個(gè)所述像素孤立配置。
[0131]所述半導(dǎo)體器件還可以具有:第4絕緣層，其形成于所述第3導(dǎo)電層上；和第4導(dǎo)電層，其形成于所述第4絕緣層上。而且，所述第4導(dǎo)電層的圖案可以遍及多個(gè)所述像素而配置。
[0132]以下，參照【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體器件及其制造方法。此外，本發(fā)明基于權(quán)利要求的記載而特定。由此，以下的實(shí)施方式中的構(gòu)成要素中沒(méi)有記載在權(quán)利要求中的構(gòu)成要素，對(duì)解決本發(fā)明的問(wèn)題而言未必是必須的。也就是說(shuō)，以下的實(shí)施方式是對(duì)本發(fā)明的較優(yōu)選的方式進(jìn)行說(shuō)明的實(shí)施方式。另外，各圖是示意圖，不一定嚴(yán)密圖示。
[0133](實(shí)施方式I)
[0134]首先，參照?qǐng)D1，對(duì)將本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體器件應(yīng)用于有機(jī)EL顯示裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖1是實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示裝置的局部剖切立體圖。
[0135]如圖1所示，有機(jī)EL顯示裝置10具有:有源矩陣基板(TFT陣列基板)11 ;在有源矩陣基板11上呈矩陣狀配置的多個(gè)像素12 ;在有源矩陣基板11上呈陣列狀配置的與像素12連接的多個(gè)像素電路13 ;在像素12和像素電路13上依次層疊的像素電極14、有機(jī)EL層15及共用電極16 ;連接各像素電路13與控制電路(未圖示)的多條源極布線17及柵極布線18。有機(jī)EL層15層疊電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層等各層而構(gòu)成。此外,在本實(shí)施方式I中，對(duì)按每個(gè)像素分別形成像素電極(陽(yáng)極)14、按全部像素共同形成共用電極(陰極)16的例子進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，也可以按全部像素共同形成陽(yáng)極、按每個(gè)像素分別形成陰極。
[0136]另外，多條源極布線17配置成與呈矩陣狀配置的多個(gè)像素12的各列對(duì)應(yīng)。S卩，多條源極布線17互相平行配置。另一方面，多條柵極布線18配置成與呈矩陣狀配置的多個(gè)像素的各行對(duì)應(yīng)。即，多條柵極布線18互相平行配置。其結(jié)果，源極布線17和柵極布線18配置成互相交叉。而且，像素電路13配置在源極布線17和柵極布線18的每個(gè)交點(diǎn)。
[0137]接著，參照?qǐng)D2說(shuō)明上述有機(jī)EL顯示裝置10的像素電路13的結(jié)構(gòu)。圖2是表示實(shí)施方式I涉及的像素電路13的電路結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示，像素電路13具有驅(qū)動(dòng)晶體管21、開(kāi)關(guān)晶體管22和電容器(電容部)23。驅(qū)動(dòng)晶體管21是驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL兀件的晶體管，另外，開(kāi)關(guān)晶體管22是用于選擇像素的晶體管。
[0138]開(kāi)關(guān)晶體管22的源電極161與源極布線17連接，柵電極141與柵極布線18連接，漏電極162與電容器23及驅(qū)動(dòng)晶體管21的柵電極142連接。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管21的漏電極163與電源布線19連接，源電極164與像素電極14連接。
[0139]此外，在本實(shí)施方式I中，將驅(qū)動(dòng)晶體管21和開(kāi)關(guān)晶體管22作為N型晶體管來(lái)說(shuō)明，因此源電極和漏電極成為圖2所示的配置。然而，源電極和漏電極是由薄膜晶體管的類型(P型或N型)和施加于各電極的電壓的關(guān)系而決定的，上述的位置關(guān)系只不過(guò)是一例。也就是說(shuō)，在圖2的開(kāi)關(guān)晶體管22中，也可以是:附圖標(biāo)記“161”一側(cè)為漏電極、附圖標(biāo)記“162”一側(cè)為源電極。同樣，在圖2的驅(qū)動(dòng)晶體管21中，也可以是:附圖標(biāo)記“163”一側(cè)為源電極、附圖標(biāo)記“ 164” 一側(cè)為漏電極。
[0140]進(jìn)而，電容器23的一方側(cè)的電極與像素電路13內(nèi)的一個(gè)節(jié)點(diǎn)連接。在圖2的例子中，與柵電極142和開(kāi)關(guān)晶體管22的漏電極162連接。另外，電容器23的另一方側(cè)的電極與像素電路13內(nèi)的另一節(jié)點(diǎn)或共用布線20連接。在圖2的例子中，與共用布線20連接。
[0141]在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)對(duì)柵極布線18輸入柵極信號(hào)、開(kāi)關(guān)晶體管22變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，輸入到源極布線17的信號(hào)電壓經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管22被寫(xiě)入電容器23中。另外，從共用布線20對(duì)電容器23的另一方側(cè)的電極一直施加一定的電位。而且，寫(xiě)入電容器23中的保持電壓被保持I幀期間。通過(guò)該保持電壓，驅(qū)動(dòng)晶體管21的電導(dǎo)模擬地變化，與信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流從有機(jī)EL元件的陽(yáng)極流向陰極。由此，有機(jī)EL元件發(fā)光，能夠顯示預(yù)定的圖像。接著，參照?qǐng)D3?圖5C說(shuō)明實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體器件100的結(jié)構(gòu)。圖3是實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體器件100的俯視圖。圖4是從箭頭方向觀察圖3的線段IV的剖面得到的圖。圖5A是從箭頭方向觀察圖3的線段V的剖面得到的圖。圖5B和圖5C是表示圖5A的其他例子的圖。此外，圖3?圖5C所示的半導(dǎo)體器件100相當(dāng)于圖2的像素電路13。
[0142]實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體器件100是將基板110、包括溝道區(qū)域121、124及接觸區(qū)域122、123、125、126的半導(dǎo)體層120A、120B、柵極絕緣膜(第I絕緣膜)130、包括柵電極141,142的第I導(dǎo)電層、第2絕緣層150、包括源電極161、164、漏電極162、163以及第2電容電極165的第2導(dǎo)電層、第3絕緣層170、第I中繼電極181及第2中繼電極182、第4絕緣層190按該順序?qū)盈B而構(gòu)成的。另外，圖5A中圖示了在第4絕緣層190上的第4導(dǎo)電層所形成的像素電極14和在各像素的邊界所配置的堤。此外，也可以將接觸孔152、171設(shè)置于柵極布線18之下，使柵電極141延伸至接觸孔152、171的位置。
[0143]基板110例如是由石英玻璃、無(wú)堿玻璃、高耐熱性玻璃等玻璃材料形成的玻璃基板。或者，也可以是在塑料基板、金屬薄膜上形成有絕緣體的柔性基板。此外，為了防止玻璃基板中所包含的納、憐等雜質(zhì)滲入結(jié)晶娃層54,可以在基板110上形成由氣化娃I旲(SiNx)、氧化娃(SiOy)或氮氧化娃膜(SiOyNx)等形成的底涂層。另外,底涂層在激光退火等高溫?zé)崽幚砉に囍幸财鸬骄徍蜔釋?duì)基板110的影響的作用。底涂層的膜厚例如可以為IOnm?IOOnm左右。
[0144]半導(dǎo)體層120AU20B圖案形成于基板110上，分別具有溝道區(qū)域121、124和一對(duì)接觸區(qū)域122、123、125、126。半導(dǎo)體層120AU20B的膜厚例如可以為30nm?IOOnm左右。
[0145]溝道區(qū)域121、124是通過(guò)柵電極141、142的電壓控制載流子數(shù)的區(qū)域。溝道區(qū)域121、124是具有結(jié)晶性組織構(gòu)造的結(jié)晶性硅薄膜，由微晶硅薄膜或多晶硅薄膜形成。溝道區(qū)域121、124例如可以通過(guò)使非晶娃(無(wú)定形娃)結(jié)晶化來(lái)形成。
[0146]接觸區(qū)域122、123、125、126是包含高濃度雜質(zhì)的非晶半導(dǎo)體膜，是包含高濃度雜質(zhì)的n+層。更具體而言，N型驅(qū)動(dòng)晶體管21和開(kāi)關(guān)晶體管22的接觸區(qū)域122、123、125、126可以由向無(wú)定形硅摻雜磷(P)作為雜質(zhì)的η型半導(dǎo)體膜來(lái)構(gòu)成。另一方面，P型驅(qū)動(dòng)晶體管21和將開(kāi)關(guān)晶體管22設(shè)為P型晶體管時(shí)的接觸區(qū)域122、123、125、126可以由向無(wú)定形硅摻雜硼(B)作為雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體膜來(lái)構(gòu)成。
[0147]此外，在接觸區(qū)域122、123、125、126與溝道區(qū)域121、124之間也可以構(gòu)成低濃度的雜質(zhì)區(qū)域(LDD)。向低濃度的雜質(zhì)區(qū)域摻雜磷。上述2層能夠在CVD (Chemical VaporDeposition:化學(xué)氣相沉積)裝置中連續(xù)地形成。
[0148]柵極絕緣膜(第I絕緣層)130形成在基板110上的整個(gè)區(qū)域，以覆蓋半導(dǎo)體層120A、120B。另外，在柵極絕緣膜130的與各接觸區(qū)域122、123、125、126重疊的位置形成有接觸孔 131、132、133、134。
[0149]柵極絕緣膜130例如可以由氧化硅(SiOy)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOyNx)、氧化鋁(AlOz)或氧化鉭(TaOw)等氧化物及氮化物的單層膜或它們的層疊膜來(lái)構(gòu)成。此外，對(duì)于第2絕緣層150、第3絕緣層170以及第4絕緣層190，也可以由上述的材料構(gòu)成。
[0150]第I導(dǎo)電層的柵電極141圖案形成在與柵極絕緣膜130下的半導(dǎo)體層120A的溝道區(qū)域121重疊的位置。第I導(dǎo)電層的柵電極142圖案形成在與柵極絕緣膜130下的半導(dǎo)體層120B的溝道區(qū)域124重疊的位置。
[0151]第I導(dǎo)電層(柵電極141,142)例如可以由鑰(Mo)、鋁(Al )、銅(Cu)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉻(Cr)以及鑰鎢(MoW)等構(gòu)成。柵電極141、142的膜厚例如可以為20?500nm左右。另外，柵電極142也作為電容器23的第I電容電極發(fā)揮功能。
[0152]第2絕緣層150形成在柵極絕緣膜130上，以覆蓋柵電極141、142。另外，在第2絕緣層150形成有接觸孔151、153、154、155，以與柵極絕緣膜130的接觸孔131、132、133、134連通。進(jìn)而，在第2絕緣層150的與柵電極141及半導(dǎo)體層120A的溝道區(qū)域121重疊的位置形成有接觸孔152。
[0153]第2導(dǎo)電層的源電極161、164、漏電極162、163以及第2電容電極165圖案形成在第2絕緣層150上。另外，雖然在圖4及圖5A中省略圖示，但在第2導(dǎo)電層，源極布線17和電源布線19互相平行地配置。
[0154]第2導(dǎo)電層可以為導(dǎo)電性材料及其合金等的單層構(gòu)造或多層構(gòu)造。例如由鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)等構(gòu)成。在本實(shí)施方式I中，第2導(dǎo)電層由MoW/Al/MoW的三層構(gòu)造形成。第2導(dǎo)電層的膜厚例如可以為IOOnm?IOOOnm 左右。
[0155]源電極161形成在與接觸孔131、151重疊的位置，穿過(guò)接觸孔131、151與半導(dǎo)體層120A的接觸區(qū)域122連接。另外，源電極161與形成在與源電極161同層(即第2導(dǎo)電層)的源極布線17 (圖4中省略圖示)連接。
[0156]漏電極162形成在與接觸孔132、153重疊的位置，穿過(guò)接觸孔132、153與半導(dǎo)體層120A的接觸區(qū)域123連接。另外，漏電極162穿過(guò)形成于柵極絕緣膜130的接觸孔(省略圖示)與柵電極142連接。
[0157]漏電極163形成在與接觸孔133、154重疊的位置，穿過(guò)接觸孔133、154與半導(dǎo)體層120B的接觸區(qū)域125連接。另外，漏電極163與形成在與漏電極163同層(即第2導(dǎo)電層)的電源布線19 (圖5A中省略圖示)連接。
[0158]源電極164形成在與接觸孔134、155重疊的位置，穿過(guò)接觸孔134、155與半導(dǎo)體層120B的接觸區(qū)域126連接。另外，源電極164經(jīng)由第2中繼電極182與形成于第4導(dǎo)電層的像素電極14連接。
[0159]第2電容電極165形成在與作為第I電容電極發(fā)揮功能的柵電極142重疊的位置，穿過(guò)接觸孔(省略圖示)與形成于第3導(dǎo)電層的共用布線20 (圖5A中省略圖示)連接。另夕卜，也可以將第I導(dǎo)電層圖案和第2導(dǎo)電層圖案設(shè)置在與溝道區(qū)域124上方不同的部位并配置成互相重疊，使其分別作為第I電容電極和第2電容電極發(fā)揮功能而成為電容器23。
[0160]第2絕緣層150的被第I電容電極142和第2電容電極165所夾的區(qū)域作為電容器23的電介體發(fā)揮功能。因此，第2絕緣層150的每單位面積的靜電電容優(yōu)選設(shè)定為比第3絕緣層170的每單位面積的靜電電容大。
[0161]也就是說(shuō)，圖2的開(kāi)關(guān)晶體管22是由半導(dǎo)體層120A、柵電極141、源電極161以及漏電極162構(gòu)成的頂柵型的薄膜晶體管。另外，圖2的驅(qū)動(dòng)晶體管21是由半導(dǎo)體層120B、柵電極142、源電極164以及漏電極163構(gòu)成的頂柵型的薄膜晶體管。進(jìn)而，圖2的電容器23由作為第I電容電極發(fā)揮功能的柵電極142和第2電容電極165構(gòu)成。[0162]第3絕緣層170層疊在第2絕緣層150上，以覆蓋源電極161、164、漏電極162、163以及第2電容電極165。另外，在第3絕緣層170的與第2絕緣層150的接觸孔152連通的位置形成有接觸孔171。進(jìn)而，在第3絕緣層170的與源電極164重疊的位置形成有接觸孔172。
[0163]第3導(dǎo)電層的第I中繼電極181和第2中繼電極182圖案形成在第3絕緣層170上。第3導(dǎo)電層例如可以由與第2導(dǎo)電層相同的材料構(gòu)成。第3導(dǎo)電層的膜厚優(yōu)選比第2導(dǎo)電層的膜厚厚，例如可以為300nm?2000nm左右。另外，第3導(dǎo)電層的薄膜電阻(每單位面積的電阻)優(yōu)選比第2導(dǎo)電層的薄膜電阻小。
[0164]第I中繼電極181形成在與接觸孔152、171重疊的位置，穿過(guò)接觸孔152、171在與半導(dǎo)體層120A的溝道區(qū)域121重疊的位置與柵電極141連接。另外，第I中繼電極181與形成在與第I中繼電極181同層(即第3導(dǎo)電層)的柵極布線18 (圖4中省略圖示)連接。也就是說(shuō)，第I中繼電極181將柵極布線18和柵電極141電連接。
[0165]第2中繼電極182形成在與接觸孔172重疊的位置，與源電極164連接。另外，第2中繼電極182與形成于第4導(dǎo)電層的像素電極14連接。也就是說(shuō)，第2中繼電極182將像素電極14和源電極164電連接。
[0166]此外，如圖5B所示，也可以將接觸孔172、191形成為相互連通，穿過(guò)連通的接觸孔172、191將像素電極14和源電極164直接連接。在該情況下，可以省略圖5A的第2中繼電極182。進(jìn)而，如圖5C所示，也可以將接觸孔134、155、172、191形成為相互連通，穿過(guò)連通的接觸孔134、155、172、191將像素電極14和半導(dǎo)體層120B的接觸區(qū)域126直接連接。在該情況下，因?yàn)橄袼仉姌O14也作為源電極發(fā)揮功能，所以可以省略圖5B的源電極164。
[0167]第4絕緣層190層疊在第3絕緣層170上，以覆蓋第I中繼電極181和第2中繼電極182。另外，第4絕緣層190也可以作為使半導(dǎo)體器件100的上表面平坦的平坦化膜發(fā)揮功能。為了使第4絕緣層190作為平坦化膜發(fā)揮功能，優(yōu)選通過(guò)使聚酰亞胺系、聚丙烯酸系等的感光性樹(shù)脂單體或混合層疊來(lái)形成第4絕緣層190。另外也可以使前述的氧化膜、氮化膜等層疊在第4絕緣層190的上方或下方。進(jìn)而為了提高第4絕緣層190的平坦度，第4絕緣層190的膜厚優(yōu)選為500nm?IOOOOnm的膜厚。進(jìn)而，在第4絕緣層190的與第2中繼電極182重疊的位置形成有接觸孔191。而且，像素電極14穿過(guò)接觸孔191與第2中繼電極182連接。
[0168]第4導(dǎo)電層的像素電極14在第4絕緣層190上形成為按每個(gè)半導(dǎo)體器件100獨(dú)立的圖案。而且，像素電極14穿過(guò)接觸孔191與第2中繼電極182連接。另外，在第4導(dǎo)電層還可以形成有遍及多個(gè)半導(dǎo)體器件100 (即多個(gè)像素電路13)形成的總線布線。該總線布線通過(guò)在多個(gè)部位與共用電極16或共用布線20連接，能夠使共用電極16或共用布線20的中央?yún)^(qū)域與周邊區(qū)域之間的電位差平均化。
[0169]接著，參照?qǐng)D6A?圖6H以及圖7A?圖7J，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法。圖6A?圖6H是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的各工序中的圖4的剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7A?圖7J是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的各工序中的圖5A的剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0170]首先，如圖6A及圖7A所示，準(zhǔn)備基板110。此外，也可以在基板110的上表面通過(guò)等離子體CVD等形成由氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等形成的底涂層。
[0171]接著，如圖6B及圖7B所示，在基板110的上面整個(gè)區(qū)域圖案形成半導(dǎo)體層120A、120B。具體而言，首先，在基板110上通過(guò)等離子體CVD等成膜無(wú)定形硅(非晶硅)，利用準(zhǔn)分子激光器等的熱退火，使半導(dǎo)體層120AU20B的溫度上升到作為無(wú)定形硅的融點(diǎn)的1414°C以上的溫度范圍，由此使無(wú)定形硅結(jié)晶化成平均粒徑為50nm以上的p-Si (多晶硅)。然后，可以通過(guò)對(duì)多結(jié)晶硅進(jìn)行圖案形成來(lái)形成半導(dǎo)體層120AU20B。
[0172]接著，如圖6C及圖7C所示，在基板110的上面形成柵極絕緣膜130，以覆蓋半導(dǎo)體層120AU20B。進(jìn)而，在柵極絕緣膜130上的與半導(dǎo)體層120A、120B重疊的位置圖案形成柵電極 141、142。
[0173]柵極絕緣膜130例如通過(guò)等離子體CVD等由氧化硅來(lái)成膜。氧化硅例如可以通過(guò)以預(yù)定的濃度比導(dǎo)入娃燒氣體(SiH4)和一氧化二氮?dú)怏w(N2O)來(lái)成膜。對(duì)于柵電極141、142，例如可以在柵極絕緣膜130上通過(guò)濺射成膜由MoW形成的柵極金屬膜，使用光刻法和濕式蝕刻法或干式蝕刻法對(duì)柵極金屬膜進(jìn)行圖案形成，由此形成預(yù)定形狀的柵電極141、142。此外，在該工序中，可以不除去柵電極141、142上的抗蝕劑141R、142R而使其殘留。
[0174]接著，如圖6D及圖7D所示，在半導(dǎo)體層120A、120B形成溝道區(qū)域121、124和接觸區(qū)域122、123、125、126。具體而言，向半導(dǎo)體層120A、120B的成為接觸區(qū)域122、123、125、126的區(qū)域，摻雜高濃度的磷等5價(jià)元素或硼等3價(jià)元素的雜質(zhì)。由此，半導(dǎo)體層120A、120B的與柵電極141、142重疊的位置成為p-Si的溝道區(qū)域121、124，與溝道區(qū)域121、124相鄰的區(qū)域成為接觸區(qū)域122、123、125、126。
[0175]然后，若在殘留了抗蝕劑141RU42R的狀態(tài)下進(jìn)一步對(duì)柵電極141、142進(jìn)行蝕刻，則柵電極141、142的圖案后退，成為比抗蝕劑141R、142R小的圖案。然后，除去柵電極141、142上的抗蝕劑141R、142R，向半導(dǎo)體層120A、120B摻雜低濃度的磷等5價(jià)元素或硼等3價(jià)元素的雜質(zhì)。
[0176]由此，在對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管22和驅(qū)動(dòng)晶體管21的柵電極141、142施加截止電壓的狀態(tài)下，能夠避免電場(chǎng)集中在溝道區(qū)域121、124與接觸區(qū)域122、123、125、126之間，因此能夠減小截止泄漏電流。
[0177]接著，如圖6E及圖7E所示，在基板110的上面整個(gè)區(qū)域形成第2絕緣層150，以覆蓋柵電極141、142。具體而言，通過(guò)等離子體CVD法，對(duì)成為第2絕緣層150的絕緣膜進(jìn)行堆積。另外，通過(guò)對(duì)柵極絕緣膜130和第2絕緣層150 —起進(jìn)行蝕刻，同時(shí)形成在厚度方向上貫通柵極絕緣膜130的接觸孔131、132、133、134和在厚度方向上貫通第2絕緣層150的接觸孔151、153、154、155以使其分別互相連通。在此，通過(guò)對(duì)柵極絕緣膜130和第2絕緣層150 —起進(jìn)行蝕刻，接觸孔151、153、154、155的位置相對(duì)于接觸孔131、132、133、134的位置的對(duì)準(zhǔn)精度變得極高。其結(jié)果，能夠在較小的區(qū)域形成接觸孔131、132、133、134、151、153、154、155。
[0178]接著，如圖6F及圖7F所示，在第2絕緣層150上圖案形成源電極161、164、漏電極162、163以及第2電容電極165。具體而言，通過(guò)濺射等成膜由成為源電極161、164、漏電極162、163以及第2電容電極165的材料形成的源極漏極金屬膜，將源極漏極金屬膜圖案形成為預(yù)定形狀。另外，在該工序中，也圖案形成源極布線17和電源布線19。
[0179]由此，在與接觸孔131、151重疊的位置形成源電極161，在與接觸孔132、153重疊的位置形成漏電極162，在與接觸孔133、154重疊的位置形成漏電極163，在與接觸孔134、155重疊的位置形成源電極164，在與作為第I電容電極發(fā)揮功能的柵電極142重疊的位置形成第2電容電極165。
[0180]另外，源電極161、164和漏電極162,163分別穿過(guò)接觸孔131、132、133、134、151、153、154、155與對(duì)應(yīng)的接觸區(qū)域122、123、125、126連接。
[0181]接著，如圖6G及圖7G所示，在基板110的上面整個(gè)域形成第3絕緣層170，以覆蓋源電極161、164、漏電極162、163、以及第2電容電極165。具體而言，通過(guò)等離子體CVD法，對(duì)成為第3絕緣層170的絕緣膜進(jìn)行堆積。另外，通過(guò)對(duì)第2絕緣層150和第3絕緣層170 —起進(jìn)行蝕刻，如圖6G所示，同時(shí)形成在厚度方向上貫通第2絕緣層150的接觸孔152和在厚度方向上貫通第3絕緣層170的接觸孔171以使其相互連通。另外，與此同時(shí)，如圖7G所示，在第3絕緣層170的與源電極164重疊的位置形成在厚度方向上貫通第3絕緣層170的接觸孔172。
[0182]接著，如圖6H及圖7H所示，在第3絕緣層170上圖案形成第I中繼電極181及第2中繼電極182。具體而言，通過(guò)濺射等成膜由成為第I中繼電極181及第2中繼電極182的材料構(gòu)成的金屬膜，將該金屬膜圖案形成為預(yù)定形狀。另外，在該工序中，也圖案形成柵極布線18及共用布線20。
[0183]由此，在與接觸孔152、171重疊的位置形成第I中繼電極181，在與接觸孔172重疊的位置形成第2中繼電極182。另外，第I中繼電極181穿過(guò)接觸孔152、172與柵電極141連接。進(jìn)而，第2中繼電極182穿過(guò)接觸孔172與源電極164連接。
[0184]接著，如圖71所示，在基板110的像素區(qū)域的整個(gè)區(qū)域形成第4絕緣層190，以覆蓋第I中繼電極181及第2中繼電極182。具體而言，在涂敷了聚酰亞胺系、聚丙烯酸系等的感光性樹(shù)脂之后，通過(guò)隔著光掩模進(jìn)行曝光并顯影來(lái)形成圖案，進(jìn)行加熱使之穩(wěn)定化。由此，使所堆積的層間絕緣膜的上表面平坦化，在與第2中繼電極182重疊的位置形成在厚度方向上貫通第4絕緣層190的接觸孔191。
[0185]接著，如圖7J所示，在第4絕緣層190上圖案形成像素電極14。具體而言，通過(guò)濺射等成膜由成為像素電極14的材料構(gòu)成的金屬膜，將該金屬膜圖案形成為預(yù)定形狀。由此，像素電極14穿過(guò)接觸孔191與第2中繼電極182連接。而且，通過(guò)在像素電極14上每隔開(kāi)預(yù)定的間隔形成堤，能夠得到圖3?圖5A所示的半導(dǎo)體器件100。
[0186]如上述結(jié)構(gòu)所示，通過(guò)在第I導(dǎo)電層形成柵電極141、142，并在第3導(dǎo)電層形成柵極布線18，能夠?qū)烹姌O141、142和柵極布線18由分別適合的材料來(lái)構(gòu)成。例如，在對(duì)溝道區(qū)域121、122進(jìn)行熱退火而結(jié)晶化的情況下，形成于第I導(dǎo)電層的柵電極141、142只要由具有耐1100°C?1414°C的高溫的高耐熱性的材料來(lái)形成即可。另一方面，對(duì)于在熱退火之后形成于第3導(dǎo)電層的柵極布線18而言，因?yàn)椴恍枰吣蜔嵝?，所以只要使用低電阻的金屬?lái)形成即可。另外，對(duì)于形成于第2導(dǎo)電層的源極布線17及電源布線19、形成于第3導(dǎo)電層的共用布線20，同樣也只要使用低電阻的金屬來(lái)形成即可。
[0187]另外，形成于第2導(dǎo)電層的源極布線17和電源布線19互相平行配置，形成于第3導(dǎo)電層的柵極布線18和共用布線20互相平行配置。而且，源極布線17及電源布線19和柵極布線18及共用布線20配置成互相交叉。在此，因?yàn)樵诘?導(dǎo)電層與第3導(dǎo)電層之間介有第3絕緣層170，所以上述的各布線的交叉區(qū)域由第3絕緣層170絕緣。因此，如上所述，通過(guò)減小第3絕緣層170的每單位面積的靜電電容，能夠降低在各布線的交叉區(qū)域所產(chǎn)生的寄生電容。
[0188]進(jìn)而，通過(guò)將電容器23的電容電極形成于第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層，能夠形成MIM(Metal-1nsulator-Metal)型的電容部。此時(shí),通過(guò)增大第2絕緣層150的每單位面積的靜電電容，能夠以小面積形成大容量的電容部。
[0189]也就是說(shuō)，通過(guò)減小第3絕緣層170的每單位面積的靜電電容、并增大第2絕緣層150的每單位面積的靜電電容，能夠減小柵極布線18及源極布線17的布線時(shí)間常數(shù)，同時(shí)以有限的面積實(shí)現(xiàn)充分容量的電容器23。由此能夠提高幀頻率來(lái)提高動(dòng)畫(huà)顯示性能，同時(shí)提高I幀的圖像顯示質(zhì)量。
[0190]接著，參照?qǐng)D8?圖16說(shuō)明實(shí)施方式I的變形例I?8。此外，對(duì)與實(shí)施方式I及其他變形例共用的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0191](變形例I)
[0192]圖8是實(shí)施方式I的變形例I涉及的半導(dǎo)體器件100A的與圖4對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖4中，形成于第I導(dǎo)電層的柵電極141，穿過(guò)接觸孔152、171與形成于第3導(dǎo)電層的第I中繼電極181連接。與此相對(duì)，圖8所示的半導(dǎo)體器件100A，在第2導(dǎo)電層的與柵電極141及第I中繼電極181重疊的位置還具有第3中繼電極166。而且，第3中繼電極166穿過(guò)接觸孔152在與半導(dǎo)體層120A的溝道區(qū)域121重疊的位置與柵電極141連接。另外，第I中繼電極181穿過(guò)接觸孔171在與溝道區(qū)域121及柵電極141重疊的位置與第3中繼電極166連接。由此，柵極布線18和柵電極141電連接。
[0193]此外，在圖8的例子中，示出了將接觸孔171形成在與第3中繼電極166的中央?yún)^(qū)域重疊的位置，并將第I中繼電極181連接于第3中繼電極166的中央?yún)^(qū)域的例子，但并不限于此，也可以將接觸孔171形成在與第3中繼電極166的周邊區(qū)域重疊的位置，并將第I中繼電極181連接于第3中繼電極166的周邊區(qū)域(即與溝道區(qū)域121及柵電極141不重疊的位置)。
[0194](變形例2)
[0195]圖9是實(shí)施方式I的變形例2涉及的半導(dǎo)體器件100B的與圖8對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖9所示的半導(dǎo)體器件100B中，省略圖8的第I中繼電極181，將第3中繼電極166與形成于第2導(dǎo)電層的柵極布線18 (圖9中省略圖示)連接。另外，使形成于第3導(dǎo)電層的源極布線17穿過(guò)在第3絕緣層170的與源電極161重疊的位置所形成的接觸孔173與源電極161連接。
[0196]也就是說(shuō)，在圖9的例子中，源極布線17和柵極布線18的位置關(guān)系不同于實(shí)施方式I。如此，在本發(fā)明中，只要源極布線17和柵極布線18的一方形成于第2導(dǎo)電層、另一方形成于第3導(dǎo)電層即可。
[0197]更具體而言，在例如實(shí)施方式I所示將柵極布線18形成于第3導(dǎo)電層的情況下，與柵極布線18平行配置的布線(例如共用布線20)形成于第3導(dǎo)電層，配置成與柵極布線18交叉的布線(例如源極布線17及電源布線19)形成于第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層的一方。
[0198]另一方面，在例如變形例2所示將柵極布線18形成于第2導(dǎo)電層的情況下，與柵極布線18平行配置的布線(例如共用布線20)形成于第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層的一方，配置成與柵極布線交叉的布線(例如源極布線17及電源布線19)形成于第3導(dǎo)電層。[0199](變形例3)
[0200]圖10是實(shí)施方式I的變形例3涉及的半導(dǎo)體器件100C的與圖9對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖10所示的半導(dǎo)體器件100C中，在第3導(dǎo)電層形成源電極183(與圖9的源電極161對(duì)應(yīng))和漏電極184 (與圖9的漏電極162對(duì)應(yīng))，在第3絕緣層170的與接觸孔131、151連通的位置形成有接觸孔174，在第3絕緣層170的與接觸孔132、153連通的位置形成有接觸孔175。
[0201]而且，源電極183穿過(guò)接觸孔131、151、174與接觸區(qū)域122連接。另外，漏電極184穿過(guò)接觸孔132、153、175與接觸區(qū)域123連接。此外，接觸孔131、151、174以及接觸孔132、153、175也可以同時(shí)形成。
[0202]源電極和漏電極可以如實(shí)施方式I所示形成于第2導(dǎo)電層，也可以如變形例3所示形成于第3導(dǎo)電層。
[0203](變形例4)
[0204]圖11是實(shí)施方式I的變形例4涉及的半導(dǎo)體器件100D的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖11所示的半導(dǎo)體器件100D中，在第3導(dǎo)電層形成漏電極185 (與圖5A的漏電極163對(duì)應(yīng))和源電極186 (與圖5A的源電極164對(duì)應(yīng))，在第3絕緣層170的與接觸孔133、154連通的位置形成有接觸孔176，在第3絕緣層170的與接觸孔134、155連通的位置形成有接觸孔177。
[0205]而且，漏電極185穿過(guò)接觸孔133、154、176與接觸區(qū)域125連接。另外，源電極186穿過(guò)接觸孔134、155、177與接觸區(qū)域126連接。進(jìn)而，像素電極14穿過(guò)接觸孔191與源電極186直接連接。此外，接觸孔134、155、177以及接觸孔133、154、176也可以同時(shí)形成。
[0206](變形例5)
[0207]圖12是實(shí)施方式I的變形例5涉及的半導(dǎo)體器件100E的與圖5A對(duì)應(yīng)的剖面圖。圖12所示的半導(dǎo)體器件100D，除了圖5A的結(jié)構(gòu)以外，在第I導(dǎo)電層的與接觸孔191重疊的位置還具有高度調(diào)整層143。通過(guò)設(shè)為上述結(jié)構(gòu)，在第2絕緣層150和第3絕緣層170中，與高度調(diào)整層143重疊的區(qū)域與其他區(qū)域相比被頂高。其結(jié)果，接觸孔191的深度D2比圖5A中的接觸孔191的深度淺。
[0208]在此，通過(guò)感光性樹(shù)脂的涂敷、顯影而形成的接觸孔191的深度D2越淺，則上面的開(kāi)口面積就越小。如此，通過(guò)減小在與堤重疊的位置所形成的接觸孔191的開(kāi)口面積，能夠減小像素電極14的形狀的不穩(wěn)定區(qū)域的面積，結(jié)果能夠增大有效像素電極區(qū)域。在有機(jī)EL面板中，像素電極14的形狀的不穩(wěn)定區(qū)域被堤覆蓋，在相鄰的堤之間設(shè)置有發(fā)光層(省略圖示)，因此根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使發(fā)光層的面積增大。
[0209]另外，在圖12的例子中，示出了在第I導(dǎo)電層設(shè)置有高度調(diào)整層143的例子，但并不限于此，也可以在與半導(dǎo)體層120B同層的與接觸孔191重疊的位置設(shè)置高度調(diào)整層。例如，在圖12的例子中，源電極164的延伸至與接觸孔191重疊的位置的部分不僅作為源電極164發(fā)揮功能，作為高度調(diào)整層也能發(fā)揮功能。此外，高度調(diào)整層并不限定于I個(gè)部位，也可以在與半導(dǎo)體層120B同層和第I導(dǎo)電層的一方或兩方形成高度調(diào)整層。
[0210]同樣，在通過(guò)進(jìn)行感光性樹(shù)脂的涂敷及顯影使第3絕緣層170上表面平坦化來(lái)形成第3絕緣層170的情況下，在與接觸孔172重疊的位置具有高度調(diào)整層143。通過(guò)設(shè)為上述結(jié)構(gòu)，與高度調(diào)整層143重疊的區(qū)域，與其他區(qū)域相比被頂高。其結(jié)果，接觸孔172的深度比圖5A中的接觸孔172的深度淺，與接觸孔191同樣，上面的開(kāi)口面積變小。通過(guò)減小接觸孔172的開(kāi)口面積，能夠?qū)⒃诘?布線層形成的布線、例如柵極布線18形成為較粗，結(jié)果能夠減小布線電阻。
[0211](變形例6)
[0212]圖13是實(shí)施方式I的變形例6涉及的半導(dǎo)體器件100F的與圖3對(duì)應(yīng)的俯視圖。圖13所示的半導(dǎo)體器件100F，在將柵極布線18配置在與柵電極141重疊的位置這一點(diǎn)上不同于圖3。由此，能夠省略圖3的第I中繼電極181，使柵極布線18和柵電極141穿過(guò)接觸孔152、171直接連接。
[0213](變形例7)
[0214]圖14及圖15是實(shí)施方式I的變形例7涉及的半導(dǎo)體器件100G的與圖2及圖3對(duì)應(yīng)的圖。圖14及圖15涉及的半導(dǎo)體器件100G，在省略共用布線20并使電容器23的第2電容電極165與電源布線19連接這一點(diǎn)上不同于圖2及圖3。
[0215]另外，圖15所示的半導(dǎo)體器件100G，取代省略圖3的第I中繼電極181，而使柵電極141延伸至與柵極布線18重疊的位置，使柵極布線18和柵電極141穿過(guò)在兩者重疊的位置(與半導(dǎo)體層120A不重疊的位置)所形成的接觸孔152、171連接。
[0216](變形例8)
[0217]圖16是實(shí)施方式I的變形例8涉及的半導(dǎo)體器件100H的與圖15對(duì)應(yīng)的俯視圖。圖16所示的半導(dǎo)體器件100H，在將柵極布線18配置在與柵電極141重疊的位置這一點(diǎn)上不同于圖15。
[0218](實(shí)施方式2)
[0219]接著，參照?qǐng)D17及圖18說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體器件。圖17是表示液晶顯示裝置的像素電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖18是實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體器件200的俯視圖。
[0220]如圖17所示，半導(dǎo)體器件200具有晶體管31、電容器32、柵極布線33、源極布線34和共用布線35。而且，柵電極241與柵極布線33連接，源電極261與源極布線34連接，漏電極262與電容器32的一方的電極和像素電極連接，共用布線35與電容器32的另一方側(cè)的電極連接。
[0221]在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)對(duì)柵極布線33輸入柵極信號(hào)、晶體管31變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，經(jīng)由源極布線34供給的信號(hào)電壓被寫(xiě)入電容器32中。另外，從共用布線35對(duì)電容器32的另一方側(cè)的電極一直施加一定的電位。而且，寫(xiě)入電容器32中的保持電壓被保持I幀期間。通過(guò)將該保持電壓供給到像素電極并使液晶配向變化，能夠顯示圖像。
[0222]從箭頭方向觀察圖18的線段IV’的剖面得到的圖與圖4共用。另外，從箭頭方向觀察圖18的線段V’的剖面得到的圖與圖5A的電容器區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)共用。S卩，柵電極241與圖4的柵電極141對(duì)應(yīng)，源電極261與圖4的源電極161對(duì)應(yīng)，漏電極262與圖4的漏電極162對(duì)應(yīng)，第I電容電極242與圖5A的作為第I電容電極工作的柵電極142對(duì)應(yīng)，第2電容電極265與圖5A的第2電容電極165對(duì)應(yīng)，接觸孔231、232、251、252、253、271、291 與圖 4 及圖 5A 的 131、132、151、152、153、171、191 對(duì)應(yīng)。
[0223](變形例I)[0224]圖19是實(shí)施方式2的變形例I涉及的半導(dǎo)體器件200A的與圖18對(duì)應(yīng)的俯視圖。圖19所示的半導(dǎo)體器件200A，在將柵極布線33配置在與柵電極241重疊的位置這一點(diǎn)上不同于圖18。
[0225]如此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件不僅適用于使用有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置，也能夠適用于液晶顯示裝置等使用有源矩陣基板的其他顯示裝置。另外，對(duì)于如此構(gòu)成的顯示裝置，能夠作為平板顯示器來(lái)利用，能夠適用于電視機(jī)、個(gè)人電腦、便攜電話等所有的具有顯示面板的電子設(shè)備。
[0226]以上，參照【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于圖示的實(shí)施方式。在與本發(fā)明相同的范圍內(nèi)或者等同的范圍內(nèi)，能夠?qū)D示的實(shí)施方式進(jìn)行各種修正、變形。
[0227]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0228]本發(fā)明可有利地利用于顯示裝置中像素電路等所使用的薄膜半導(dǎo)體器件。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，具有: 基板； 半導(dǎo)體層，其形成于所述基板上， 第1絕緣層，其形成于所述半導(dǎo)體層上； 第1導(dǎo)電層，其形成于所述第I絕緣層上； 第2絕緣層，其形成于所述第I導(dǎo)電層上； 第2導(dǎo)電層，其形成于所述第2絕緣層上； 第3絕緣層，其形成于所述第2導(dǎo)電層上； 第3導(dǎo)電層，其形成于所述第3絕緣層上； 柵極線；和 源極線，其配置成與所述柵極線交叉， 所述半導(dǎo)體層至少具有溝道區(qū)域和接觸區(qū)域， 所述第I絕緣層在與所述接觸區(qū)域重疊的位置具有第I接觸孔，所述第I接觸孔將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的接觸區(qū)域連接， 所述第1導(dǎo)電層的圖案配置在至少與所述溝道區(qū)域重疊的位置， 所述第2絕緣層具有: 第2接觸孔，其形成為與所述第1接觸孔連通，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的接觸區(qū)域連接；和 第3接觸孔，其形成在與所述第I導(dǎo)電層的圖案重疊的位置，將所述第2導(dǎo)電層的圖案或所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接， 所述第3絕緣層具有第4接觸孔， 所述柵極線形成在所述第2導(dǎo)電層和所述第3導(dǎo)電層的一方，至少穿過(guò)所述第3接觸孔與所述第I導(dǎo)電層的圖案連接， 所述源極線形成在所述第2導(dǎo)電層和所述第3導(dǎo)電層的另一方，穿過(guò)所述第I接觸孔~所述4接觸孔的任一方與所述接觸區(qū)域連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 所述半導(dǎo)體器件還具有電容部，所述電容部由在所述第I導(dǎo)電層形成的第I電容電極、在所述第2絕緣層的與所述第I電容電極重疊的位置形成的電介體、和在所述第2導(dǎo)電層的與所述電介體重疊的位置形成的第2電容電極構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件， 所述第2絕緣層的每單位面積的靜電電容比所述第3絕緣層的每單位面積的靜電電容大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線與所述源極線交叉的區(qū)域由所述第3絕緣層絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述第3接觸孔形成在與所述溝道區(qū)域重疊的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線至少穿過(guò)第3接觸孔與配置在與所述溝道區(qū)域重疊的位置的所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線形成在所述第3導(dǎo)電層， 所述源極線形成在所述第2導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件， 所述第4接觸孔形成為與所述第3接觸孔連通， 所述第3導(dǎo)電層的圖案穿過(guò)所述第3接觸孔和所述第4接觸孔，與配置在與所述溝道區(qū)域重疊的位置的所述第I導(dǎo)電層的圖案直接連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件， 所述第4接觸孔形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置， 所述第3導(dǎo)電層的圖案經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案與配置在與所述溝道區(qū)域重疊的位置的所述第I導(dǎo)電層的圖案連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線形成在所述第2導(dǎo)電層， 所述源極線形成在所述第3導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述第3導(dǎo)電層的薄膜電阻比所述第2導(dǎo)電層的薄膜電阻小。
12.根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述第3導(dǎo)電層的厚度比所述第2導(dǎo)電層的厚度厚。
13.根據(jù)權(quán)利要求1~12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線形成在所述第3導(dǎo)電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述半導(dǎo)體器件還具有: 第4絕緣層，其形成于所述第3導(dǎo)電層上；和 第4導(dǎo)電層，其形成于所述第4絕緣層上， 所述第4絕緣層在至少與所述第3導(dǎo)電層的圖案重疊的位置具有第5接觸孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件， 所述第5接觸孔形成為與所述第4接觸孔連通， 所述第4接觸孔形成為與所述第2接觸孔連通， 所述第4導(dǎo)電層的圖案穿過(guò)所述第I接觸孔、所述第2接觸孔、所述第4接觸孔以及所述第5接觸孔與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域直接連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件， 所述第5接觸孔形成在與所述第3導(dǎo)電層的圖案重疊的位置， 所述第4導(dǎo)電層的圖案穿過(guò)所述第5接觸孔與所述第3導(dǎo)電層的圖案直接連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件， 所述第4接觸孔形成為與所述第2接觸孔連通， 所述第4導(dǎo)電層的圖案經(jīng)由所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件， 所述第4接觸孔形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置，所述第4導(dǎo)電層的圖案經(jīng)由所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述第2導(dǎo)電層的圖案連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件， 所述第2接觸孔形成為與所述第I接觸孔連通， 所述第2導(dǎo)電層的圖案形成在與所述第2接觸孔重疊的位置， 所述第4導(dǎo)電層的圖案經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案和所述第3導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件， 所述第5接觸孔形成為與所述第4接觸孔連通， 所述第4接觸孔形成在與所述第2導(dǎo)電層的圖案重疊的位置， 所述第4導(dǎo)電層的圖案穿過(guò)所述第4接觸孔和所述第5接觸孔與所述第2導(dǎo)電層的圖案直接連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件， 所述第2接觸孔形成為與所述第I接觸孔連通， 所述第2導(dǎo)電層的圖案形成在與所述第2接觸孔重疊的位置， 所述第4導(dǎo)電層的圖案經(jīng)由所述第2導(dǎo)電層的圖案與所述半導(dǎo)體層的所述接觸區(qū)域連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求1~21中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述第I導(dǎo)電層或所述半導(dǎo)體層在與所述第4接觸孔重疊的位置具有高度調(diào)整層。
23.根據(jù)權(quán)利要求13~22中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述第I導(dǎo)電層或所述半導(dǎo)體層在與所述第5接觸孔重疊的位置具有高度調(diào)整層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件， 所述第2導(dǎo)電層在與所述第5接觸孔重疊的位置具有高度調(diào)整層。
25.根據(jù)權(quán)利要求1~24中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線和與所述柵極線平行配置的線形成在所述第3導(dǎo)電層， 與所述源極線平行配置的線形成在第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層的一方。
26.根據(jù)權(quán)利要求1~24中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 所述柵極線形成在第2導(dǎo)電層， 與所述柵極線平行配置的線形成在第I導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層的一方， 與所述源極線平行配置的線形成在所述第3導(dǎo)電層。
27.—種顯示裝置，呈矩陣狀配置多個(gè)像素而構(gòu)成，具有: 各自平行配置的多條柵極線； 各自平行配置并與所述柵極線交叉的多條源極線；和 對(duì)在所述多條柵極線和所述多條源極線的每個(gè)交點(diǎn)形成的所述像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的權(quán)利要求I~26中的任一項(xiàng)所述的多個(gè)半導(dǎo)體器件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件， 所述半導(dǎo)體器件還具有: 第4絕緣層，其形成于所述第3導(dǎo)電層上；和 第4導(dǎo)電層，其形成于所述第4絕緣層上， 所述第4導(dǎo)電層的圖案按每個(gè)所述像素孤立配置。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還具有:第4絕緣層，其形成于所述第3導(dǎo)電層上；和第4導(dǎo)電層，其形成于所述第4絕緣層上，所述第4導(dǎo)電層的圖案遍及多個(gè)所述像素而配置。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK103582952SQ201180071289
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月30日
【發(fā)明者】小野晉也 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社