專利名稱：金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種新穎的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)、其制造的方法以及用于進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，特別是關(guān)于一種新穎的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)以及使用此金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)來進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，可以完全獨(dú)立于摻雜井和摻雜區(qū)域的干擾之外，來專門讀取從基材到外延層的信號。
背景技術(shù)：
溝渠式柵極金屬氧化物半導(dǎo)體(trench gate M0S)是在半導(dǎo)體裝置中所使用的一種金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。為了確保制造過程會符合預(yù)先設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)，所以會對一些未完成的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行電氣性能方面的測試。例如，在位于基材上與位在外延層上的摻雜井以及摻雜區(qū)域中形成溝渠式柵極時，應(yīng)該要在從晶圓的某一面進(jìn)行背面拋光前，先進(jìn)行晶 圓電性合格測試(wafer acceptance test, WAT)。如果是在最外層的摻雜井層和最外層的基材上直接進(jìn)行晶圓電性合格測試(WAT)時，測試結(jié)果是摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層和基材整體測試結(jié)果的總和。換句話說，這樣并不能獲得在不受摻雜井和摻雜區(qū)域的干擾下，外延層和基材單獨(dú)的測試結(jié)果。目前已知有一種測試結(jié)構(gòu)，可以在不會受到摻雜井和摻雜區(qū)域的干擾情況下，來取得外延層和基材的數(shù)據(jù)。設(shè)計一個與摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層和基材相鄰的額外重?fù)诫s井，又電連接至摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層和基材，并直接接觸摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層和基材。將一個信號施加在漏極上，并從重?fù)诫s井讀取信號，于是得到不受摻雜井和摻雜區(qū)域干擾情況下的外延層和基材的數(shù)據(jù)。然而，這些專門設(shè)計的額外重?fù)诫s井，占有相當(dāng)大的面積。此外，由于額外設(shè)計的重?fù)诫s井仍然是與摻雜井和摻雜區(qū)域電連接的，所以所得到的數(shù)據(jù)仍然不是完全獨(dú)立于摻雜井和摻雜區(qū)域的干擾之外。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在第一方面先提出了一種金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)。一方面，本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的制造過程，可以與目前金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程兼容。在另一個方面，本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體的測試結(jié)構(gòu)，是能夠完全獨(dú)立于相鄰的摻雜井和摻雜區(qū)域的干擾之外。在第三方面，本發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)不會在金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上占去過大的面積。本發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括基材、劃片槽區(qū)域、外延層、摻雜井、摻雜區(qū)域、溝渠式柵極、測試通孔、隔離結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電材料。劃片槽區(qū)域位在基材上，基材為第一導(dǎo)電類型，具有第一面以及與第一面相對的第二面。第一導(dǎo)電類型的外延層位于第一面上，第二導(dǎo)電類型的摻雜井位于外延層上，而第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域位于摻雜井上。具有第一深度的溝渠式柵極位于摻雜區(qū)域、摻雜井和在劃片槽區(qū)域中。導(dǎo)電材料填入具有第二深度的測試通孔中。隔離結(jié)構(gòu)覆蓋測試通孔的內(nèi)壁。導(dǎo)電材料位于摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層與劃片槽區(qū)域中，又電連接至外延層，使得測試通孔得以一起測試外延層和基材。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，外延層完全覆蓋基材。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，摻雜井完全覆蓋外延層。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，摻雜區(qū)域完全覆蓋摻雜井。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，溝渠式柵極與測試通孔的寬度實(shí)質(zhì)上相同。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，第二深度大于第一深度。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，導(dǎo)電材料是經(jīng)摻雜的多晶硅。本發(fā)明的第二方面又提出了一種形成了金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)方法。首先，提供基材、劃片槽區(qū)域、外延層，摻雜井與摻雜區(qū)域。第一導(dǎo)電類型的基材，具有第一面以及 與第一面相對的第二面。劃片槽區(qū)域是位在基材上，第一導(dǎo)電類型的外延層位于第一面上，第二導(dǎo)電類型的摻雜井位于外延層上，第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域位于摻雜井上。其次，進(jìn)行刻蝕步驟，以形成穿過摻雜區(qū)域與摻雜井的柵極溝渠和測試通孔。接下來，進(jìn)行氧化步驟，以形成覆蓋柵極溝渠內(nèi)壁的柵極隔離結(jié)構(gòu)，以及形成覆蓋測試通孔內(nèi)壁的隔離結(jié)構(gòu)。繼續(xù)，進(jìn)行一回蝕步驟，而專門移除位于測試通孔底部的隔離結(jié)構(gòu)。然后，進(jìn)行一穿透步驟，以加深測試通孔而深入外延層中。接著，以一導(dǎo)電材料填入測試通孔與柵極溝渠中，以形成一溝渠式柵極和一測試結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電材料電連接到外延層，使得測試結(jié)構(gòu)得以一起測試外延層和基材。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，溝渠式柵極與測試通孔的寬度實(shí)質(zhì)上相同。本發(fā)明的第三方面，又提出了一種進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法。首先，提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)。包括基材、劃片槽區(qū)域、外延層、摻雜井、摻雜區(qū)域、溝渠式柵極、測試通孔、隔離結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電材料。劃片槽區(qū)域位在基材上，基材為第一導(dǎo)電類型，具有第一面以及與第一面相對的第二面。第一導(dǎo)電類型的外延層位于第一面上，第二導(dǎo)電類型的摻雜井位于外延層上，而第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域位于摻雜井上。具有第一深度的溝渠式柵極位于摻雜區(qū)域、摻雜井和在劃片槽區(qū)域中。導(dǎo)電材料填入具有第二深度的測試通孔中。隔離結(jié)構(gòu)覆蓋測試通孔的內(nèi)壁。導(dǎo)電材料又位于摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層、與劃片槽區(qū)域中，而電連接至外延層，使得測試通孔得以一起測試外延層和基材。其次，在第二面上施加一信號。然后，在不受摻雜區(qū)域與摻雜井影響的情況下，自填充測試通孔的導(dǎo)電材料測量信號。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，外延層完全覆蓋基材。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，信號是電子信號。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，溝渠式柵極與測試通孔的寬度實(shí)質(zhì)上相同。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，第二深度大于第一深度。


圖1-5繪示出形成本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的方法。圖6繪示出形成本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)。圖7繪示出將信號施加于本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的第二面。圖8繪示出從填充測試通孔的導(dǎo)電材料來測量信號。其中，附圖標(biāo)記說明如下101基材141柵極溝渠
103劃片槽區(qū)域142柵極絕緣結(jié)構(gòu)105第一面143溝渠式柵極106第二面146測試通孔110外延層147隔離結(jié)構(gòu)111圖案化掩膜148導(dǎo)電材料120摻雜井149測試結(jié)構(gòu)130摻雜區(qū)域150信號
具體實(shí)施方式
本發(fā)明在第一方面，首先提供了一種方法，可以用來形成金屬氧化物半導(dǎo)體的測試結(jié)構(gòu)。請參考圖1-5，其繪示出形成本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的方法。首先，如圖I所示，提供基材101、劃片槽區(qū)域103、外延層110、摻雜井120以及摻雜區(qū)域130?；?01通常是一種半導(dǎo)體材料，例如Si，并具有第一導(dǎo)電類型，例如P型或是N型，舉例而言，P型?；?01進(jìn)一步具有第一面105以及與第一面105相對且平行的第二面106。劃片槽區(qū)域103可以是位于基材101上多個區(qū)域(圖未示)中的其中一個。外延層110、摻雜井120和摻雜區(qū)域130都位于基材101的第一面105上。例如，外延層110具有第一導(dǎo)電類型，舉例而言，N+類型，位于第一面105上并直接接觸第一面105。具有第二導(dǎo)電類型的摻雜井120位于外延層110上，并直接接觸外延層110。具有第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域130是位于摻雜井120上。第二導(dǎo)電類型可以是P型或N型，舉例而言，P型。其次，如圖2所示，進(jìn)行刻蝕步驟，而形成柵極溝渠141和測試通孔146。柵極溝渠141和測試通孔146，分別穿透摻雜區(qū)域130和摻雜井120。例如，刻蝕步驟可能是一種干刻蝕步驟，并在圖案化掩膜111的存在下進(jìn)行。圖案化掩膜111可以經(jīng)由傳統(tǒng)的光刻工藝所形成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，柵極溝渠141和測試通孔146可以具有大致上相同的寬度W。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，在刻蝕步驟后，柵極溝渠141可以有第一深度，而測試通孔146可以有第二深度?？梢栽诳涛g步驟完成后，即可剝除圖案化掩膜111。再來，如圖3所示，進(jìn)行氧化步驟。氧化步驟可能形成柵極絕緣結(jié)構(gòu)142，其覆蓋柵極溝渠141的內(nèi)壁，并同時形成隔離結(jié)構(gòu)147，而覆蓋測試通孔146的內(nèi)壁。氧化步驟可以是一種干式氧化法。柵極絕緣結(jié)構(gòu)142的厚度可以是大約50奈米(nm)左右，而隔離結(jié)構(gòu)147的厚度可以是大約50奈米左右。然后，如圖4所示，再進(jìn)行回蝕步驟。此回蝕步驟是專門用來移除覆蓋測試通孔146內(nèi)壁部分的隔離結(jié)構(gòu)147。一旦移除了測試通孔146內(nèi)壁底部的隔離結(jié)構(gòu)147，下方的摻雜井120或是外延層110便會再次暴露出來?；匚g步驟可以是一種蝕穿(break through)步驟。在回蝕步驟后，第二深度便會大于第一深度。下一步，如圖5所示，進(jìn)行一穿透步驟。此穿透步驟是用來移除測試通孔146底部下方的摻雜井120，而使得測試通孔146可以更加深入到外延層110中。一旦穿透步驟完成后，測試通孔146即會曝露出深埋在摻雜區(qū)域130和摻雜井120下方的外延層110。穿透步驟可以是對于硅和氧化物之間具有高選擇性蝕刻比的步驟。在穿透步驟后，第二深度即大于第一深度。
隨后，如圖6所示,使用導(dǎo)電材料148，例如經(jīng)摻雜硅，來填入測試通孔146和柵極溝渠141中。一旦測試通孔146和柵極溝渠141填入導(dǎo)電材料148之后，柵極溝渠141即成為一溝渠式柵極143，而測試通孔146便成為測試結(jié)構(gòu)149。在測試通孔146的電性隔離結(jié)構(gòu)147存在下，測試結(jié)構(gòu)149能夠?qū)ｉT接觸并與基材101和外延層110電連接在一起。由于基材101和外延層110位于摻雜區(qū)域130與摻雜井120的下方，所以不會受到相鄰的摻雜區(qū)域130以及摻雜井120可能的干擾。在經(jīng)過上述步驟后，便會得到如圖6所示的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100。本發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100至少包括基材101、劃片槽區(qū)域103、外延層110、摻雜井120、摻雜區(qū)域130、溝渠式柵極143、測試通孔146、隔離結(jié)構(gòu)147和導(dǎo)電材料148。基材101通常是一種半導(dǎo)體材料，例如硅，并具有第一導(dǎo)電類型，例如P型或是N型，舉例而言，P型。基材101進(jìn)一步具有第一面105以及與第一面105相對又平行的第二面106。劃片槽區(qū)域103可以是位于基材101上多個區(qū)域(圖未示)中的其中一者。外延層110可以為第一導(dǎo)電類型，例如N+類型，位于第一面105上并直接接觸第一面105。較佳者，外延層110會完全覆蓋基材101。 一方面，具有第二導(dǎo)電類型的摻雜井120位于外延層110之上，并直接接觸外延層110。第二導(dǎo)電類型可以是P型或N型，例如是P型。較佳者，摻雜井120會完全覆蓋外延層110。在另一方面，摻雜區(qū)域130可以具有第一導(dǎo)電類型，例如N+型，并位于摻雜井120之上。較佳者，摻雜區(qū)域130會完全覆蓋摻雜井120。又另一方面，具有第一深度的溝渠式柵極143則位于摻雜區(qū)域130、摻雜井120和劃片槽區(qū)域103中。導(dǎo)電材料148填入柵極溝渠141中而形成溝渠式的柵極143。導(dǎo)電材料148可以包括經(jīng)摻雜的硅。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，柵極溝渠141與測試通孔146的寬度可以實(shí)質(zhì)上相同。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，測試通孔146具有第二深度而導(dǎo)電材料148填入測試通孔146中。測試通孔146是位在摻雜區(qū)域130、在摻雜井120、在外延層110和在劃片槽區(qū)域103中。此外，還有隔離結(jié)構(gòu)147覆蓋測試通孔146的內(nèi)壁。本發(fā)明的其中一個特征在于，第二深度會大于第一深度。本發(fā)明的另一個特點(diǎn)在于，填入測試通孔146的導(dǎo)電材料148會電連接到外延層110，同時又與相鄰的摻雜區(qū)域130和摻雜井120絕緣，使得測試通孔146得以在隔離結(jié)構(gòu)147的保護(hù)下，與外延層110和基材101電連接在一起，而不受到相鄰的摻雜區(qū)域130以及摻雜井120可能的干擾。本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100，可用于晶圓電性合格測試中。此晶圓電性合格測試是專門用來測試位于劃片槽區(qū)域103中、深深埋在摻雜區(qū)域130和摻雜井120下方的基材101和外延層110，而不受摻雜區(qū)域130和摻雜井120存在的影響。首先，如圖6所示，提供金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100。本發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100至少包括基材101、劃片槽區(qū)域103、外延層110、摻雜井120以及摻雜區(qū)域130、溝渠式柵極143、測試通孔146、隔離結(jié)構(gòu)47和導(dǎo)電材料148。本發(fā)明金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100的細(xì)節(jié)，請參考上面的描述，此處則不多加贅述。其次，如圖7所不,將信號150施加于第二面106。信號150通常是一種電子信號，例如電壓信號或電流信號。然后,如第8圖所不,從填充測試通孔146的導(dǎo)電材料148來測量信號150。由于在隔離結(jié)構(gòu)147的存在下，摻雜區(qū)域130和摻雜井120均與導(dǎo)電材料148電性隔離，所以晶圓電性合格測試就可以專門讀取從基材101傳到外延層110的信號150，而對金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)100進(jìn)行測試，而完全不會受到摻雜區(qū)域130和摻雜井120的影響。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含 一第一導(dǎo)電類型的基材，具有一第一面以及與所述第一面相對的一第二面； 一劃片槽區(qū)域，位于所述基材上； 所述第一導(dǎo)電類型的一外延層，位于所述第一面上； 一第二導(dǎo)電類型的摻雜井，位于所述外延層上； 所述第一導(dǎo)電類型的一摻雜區(qū)域，位于所述摻雜井上； 一第一深度的溝渠式柵極，位于所述摻雜井、所述摻雜區(qū)域以及所述劃片槽區(qū)域中； 一第二深度的測試通孔，位于所述摻雜區(qū)域、所述摻雜井、所述外延層以及所述劃片槽區(qū)域中； 一隔離結(jié)構(gòu)，覆蓋所述測試通孔的一內(nèi)壁；以及 一導(dǎo)電材料，填入所述測試通孔中并電連接所述外延層，使得所述測試通孔得以一起測試所述外延層和所述基材。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外延層完全覆蓋所述基材。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜井完全覆蓋所述外延層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜區(qū)域完全覆蓋所述摻雜井。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是N型。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是P型。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝渠式柵極與所述測試通孔的寬度相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二深度大于所述第一深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為經(jīng)摻雜的多晶硅。
10.一種形成金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包含 提供一基材、一劃片槽區(qū)域、一外延層、一摻雜區(qū)域和一摻雜井，所述基材為一第一導(dǎo)電類型，并具有一第一面以及與所述第一面相對的一第二面，所述劃片槽區(qū)域位于所述基材上，所述第一導(dǎo)電類型的所述外延層位于所述第一面上，所述第二導(dǎo)電類型的所述摻雜井位于所述外延層上，以及所述第一導(dǎo)電類型的所述摻雜區(qū)域位于所述摻雜井上； 進(jìn)行一刻蝕步驟，以形成穿過所述摻雜區(qū)域與所述摻雜井的一柵極溝渠和一測試通孔； 進(jìn)行一氧化步驟，以形成覆蓋所述柵極溝渠一內(nèi)壁的一柵極隔離結(jié)構(gòu)，以及形成覆蓋所述測試通孔一內(nèi)壁的一隔離結(jié)構(gòu)； 進(jìn)行一回蝕步驟，而專門移除位于所述測試通孔底部的所述隔離結(jié)構(gòu)； 進(jìn)行一穿透步驟，以加深所述測試通孔而深入所述外延層；以一導(dǎo)電材料填入所述測試通孔與所述柵極溝渠中，以形成一溝渠式柵極和一測試結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電材料電連接到所述外延層，使得所述測試結(jié)構(gòu)得以一起測試所述外延層和所述基材。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是N型。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是P型。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述溝渠式柵極與所述測試通孔的寬度相同。
14.一種進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，其特征在于，包括 提供一金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，所述金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括 一第一導(dǎo)電類型的基材，具有一第一面以及與所述第一面相對的一第二面； 一劃片槽區(qū)域，位于所述基材上； 所述第一導(dǎo)電類型的一外延層，位于所述第一面上； 一第二導(dǎo)電類型的摻雜井，位于所述外延層中； 所述第一導(dǎo)電類型的一摻雜區(qū)域，位于所述摻雜井上； 一第一深度的溝渠式柵極，位于所述摻雜井、所述摻雜區(qū)域以及所述劃片槽區(qū)域中； 一第二深度的測試通孔，位于所述摻雜區(qū)域、所述摻雜井、所述外延層以及所述劃片槽區(qū)域中； 一隔離結(jié)構(gòu)，覆蓋所述測試通孔的一內(nèi)壁；以及 一導(dǎo)電材料，填入所述測試通孔中并電連接所述外延層； 在所述第二面上施加一信號；以及 在不受所述摻雜區(qū)域與所述摻雜井影響的情況下，自填充所述測試通孔的所述導(dǎo)電材料測量所述信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是N型。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是P型。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，其特征在于，所述信號是一電子信號。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，其特征在于，所述溝渠式柵極與所述測試通孔的寬度相同。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的進(jìn)行晶圓電性合格測試的方法，其特征在于，所述第二深度大于所述第一深度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)。劃片槽區(qū)域位在基材上，基材為第一導(dǎo)電類型，具有第一面以及與第一面相對的第二面。第一導(dǎo)電類型的外延層位于第一面上、第二導(dǎo)電類型的摻雜井位于外延層上、而第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域位于摻雜井上。具有第一深度的溝渠式柵極位于摻雜區(qū)域、摻雜井和在劃片槽區(qū)域中。導(dǎo)電材料填入具有第二深度的測試通孔中，并且隔離結(jié)構(gòu)覆蓋測試通孔的內(nèi)壁，又位于摻雜井、摻雜區(qū)域、外延層、與劃片槽區(qū)域中，而電連接至外延層，使得測試通孔得以一起測試外延層和基材。
文檔編號H01L23/544GK102779810SQ20121008451
公開日2012年11月14日 申請日期2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者劉獻(xiàn)文, 郭錦德, 陳逸男 申請人:南亞科技股份有限公司