專利名稱：Sram存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種SRAM存儲器。
背景技術(shù)：
靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為揮發(fā)性存儲器中的一員，具有高速度、低功耗與標準工藝相兼容等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于PC、個人通信、消費電子產(chǎn)品(智能卡、數(shù)碼相機、多媒體播放器)等領(lǐng)域。特別是，高速同步SRAM用于諸如工作站等超高速緩存器的應(yīng)用，超高速緩存為再利用的數(shù)據(jù)或指令提供高速的存儲。在現(xiàn)有的6T(6transistor)結(jié)構(gòu)的SRAM存儲器中，用于存儲以及讀取SRAM存儲器的信號的位線組(包括位線和互補位線)通常相互平行的位于同一金屬層，這種位線組與相鄰位線組之間由于耦合電容的存在常出現(xiàn)信號的串擾問題，導(dǎo)致位線組傳輸?shù)男盘枑夯?，在通過位線組存儲以及讀取SRAM存儲器的信號時效率和速度降低。一種降低位線組之間耦合電容的方法是相隔一定距離扭曲位線組，參考圖1，圖I 為現(xiàn)有具有扭曲結(jié)構(gòu)的位線組的結(jié)構(gòu)示意圖，所述位線組包括位線BL和互補位線BLB,所述位線組具有直線區(qū)20和扭曲區(qū)10，位線BL的直線部分101和互補位線BLB的直線部分 103在直線區(qū)20相互平行且位于同一金屬層，比如第二金屬層(M2)，位線BL的直線部分 101在扭曲區(qū)10通過位于與其同一層的扭曲線102扭曲到互補位線BLB的直線部分103的延長線上，互補位線BLB的直線部分103在扭曲區(qū)10通過與其位于不同金屬層(第一或第三金屬層)的扭曲線104扭曲到位線BL的直線部分101的延長線上。通過上述扭曲結(jié)構(gòu)雖然可以減小位線組與相鄰位線組之間的耦合電容，但是每個位線組本身的位線和互補位線之間的耦合電容并不會降低，還是會出現(xiàn)信號的串擾問題。更多關(guān)于SRAM存儲器的介紹請參考公開號為US2011/0007556A1的美國專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種SRAM存儲器，減小了位線和互補位線之間的耦合電容。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種SRAM存儲器，包括基底，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；相互平行的多個位線組，所述位線組包括位線和互補位線，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)和第二直線區(qū)，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)的位線與第二直線區(qū)的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)的互補位線與第二直線區(qū)的位線的延長線重疊；所述扭曲區(qū)包括第一扭曲區(qū)和第二扭曲區(qū)，其中，第一扭曲區(qū)將第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上；第二扭曲區(qū)將第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上，且將第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上?？蛇x的，所述每個位線組上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等?？蛇x的，不同位線組上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等?？蛇x的，不同位線組上的扭曲區(qū)的分布位置相同，同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直?？蛇x的，位線組的位線和互補位線的延伸方向與存儲單元的行或者列排布方向平行?？蛇x的，每個位線組上的扭曲區(qū)的位置與兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)的位置相對應(yīng)。可選的，每個位線組上的相鄰兩個扭曲區(qū)之間對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為16 256 個?？蛇x的，每個位線組的位線和互補位線在扭曲區(qū)之外的區(qū)域分別與存儲單元中對應(yīng)的晶體管電連接?？蛇x的，所述第一扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第一插塞和第二插塞、位于第二介質(zhì)層上的第一位線彎折線、位于第一介質(zhì)層上的第一互補位線彎折線，第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線通過第一插塞和第一位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上， 第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線通過第二插塞和第一互補位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上?？蛇x的，所述第二扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第三插塞和第四插塞、位于第一介質(zhì)層上的第二位線彎折線、位于第二介質(zhì)層上的第二互補位線彎折線，第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線通過第三插塞和第二位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上， 第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線通過第四插塞和第二互補位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上。可選的，所述每個位線組的同一側(cè)還具有電源線，電源線與位線和互補位線相互平行，電源線用于給存儲單元中相應(yīng)的晶體管提供電源。可選的，所述電源線位于第一介質(zhì)層上。本發(fā)明還提供了一種SRAM存儲器，包括基底，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；相互平行的多個位線組，所述位線組包括位線和互補位線，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)和第二直線區(qū)，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)的位線與第二直線區(qū)的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)的互補位線與第二直線區(qū)的位線的延長線重疊；所述扭曲區(qū)包括第一扭曲區(qū)和第二扭曲區(qū)，其中，第一扭曲區(qū)將第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上；第二扭曲區(qū)將第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上，且將第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上。 可選的，所述每個位線組上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等。可選的，不同位線組上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等?？蛇x的，不同位線組上的扭曲區(qū)的分布位置相同，同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直?？蛇x的，位線組的延伸方向與存儲單元的行或者列排布方向平行?？蛇x的，每個位線組上的扭曲區(qū)的位置與兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)的位置相對應(yīng)?？蛇x的，每個位線組的相鄰兩個扭曲區(qū)之間對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為16 256 個。可選的，每個位線組的位線和互補位線在扭曲區(qū)之外的區(qū)域分別與存儲單元中對應(yīng)的晶體管電連接?？蛇x的，所述第一扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第一插塞和第二插塞、位于第一介質(zhì)層上的第一位線彎折線、位于第二介質(zhì)層上的第一互補位線彎折線，第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線通過第一插塞和第一位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上， 且將第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線通過第二插塞和第一互補位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上?？蛇x的，所述第二扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第三插塞和第四插塞、位于第二介質(zhì)層上的第二位線彎折線、位于第一介質(zhì)層上的第二互補位線彎折線，第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線通過第三插塞和第二位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上， 第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線通過第三插塞和第二互補位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上?？蛇x的，所述每個位線組的同一側(cè)還具有電源線，電源線與位線和互補位線相互平行，電源線用于給存儲單元中相應(yīng)的晶體管提供電源。可選的，所述電源線位于第一介質(zhì)層上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點通過扭曲區(qū)使得每個位線組中位線和互補位線交叉地位于不同的介質(zhì)層，既減小了位線組之間的耦合電容，又減小每個位線組中位線和互補位線之間的耦合電容；進一步，不同位線組上的扭曲區(qū)的分布位置相同，同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直，使得位線組中位于同一介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、位線與互補位線之間的距離以及不同介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、 位線與互補位線之間的距離保持恒定，使得不同位線組的位線與位線之間、位線與互補位線之間以及互補位線與互補位線之間的耦合電容保持恒定，不會出現(xiàn)某個區(qū)域耦合電容相比于其他區(qū)域過大或過小的情況，提高了 SRAM存儲器的穩(wěn)定性；更進一步，所述每個位線組上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等，不同位線組上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等，使得扭曲區(qū)之外位線和互補位線更好的對應(yīng)基底上的行列排布的存儲單元，從而使存儲單元中相應(yīng)的晶體管可以更簡便的連接位線和互補位線，改善了 SRAM存儲器的布局，減小了 SRAM存儲器各金屬連線的布線難度。


圖I為現(xiàn)有具有扭曲結(jié)構(gòu)的位線組的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2 圖7為本發(fā)明實施例SRAM存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有的SRAM存儲器的位線和互補位線位于同一金屬層，當通過位線(互補位線) 寫入或讀取高電平信號時，由于位線和互補位線之間耦合電容的存在，互補位線(位線)會拉低位線中的電平，使得位線和互補位線之間的電壓差變小，從而難以識別位線或互補位線中的信號狀態(tài)，產(chǎn)生信號之間的串擾。為此發(fā)明人提出一種SRAM存儲器，將兩個相鄰扭曲區(qū)之間的位線和互補位線設(shè)置在不同的介質(zhì)層(金屬層)，增大了位線和互補位線之間的距離，從而減小了位線和互補位線之間的耦合電容。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖2為本發(fā)明第一實施例SRAM存儲器的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2沿切割線 a-b方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖2沿切割線c-d方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖2，所述SRAM存儲器包括基底(圖中未示出)，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元(圖中未示出)，每個存儲單元中包括若干晶體管，比如4個、6個或8個；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層(圖中未示出)和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層(圖中未示出)；相互平行的多個位線組50，所述位線組包括位線BL和與位線對應(yīng)的互補位線 BLB，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)28和第二直線區(qū)29，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)28的位線與第二直線區(qū)29的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)28的互補位線與第二直線區(qū)29的位線的延長線重疊；所述扭曲區(qū)包括第一扭曲區(qū)31和第二扭曲區(qū)32，其中，第一扭曲區(qū)31將第一直線區(qū)28的第一介質(zhì)層上的位線306扭曲至第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū) 28的第二介質(zhì)層上的互補位線310扭曲至第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層上；第二扭曲區(qū)32 將第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層上的位線303扭曲至第一直線區(qū)28的第一介質(zhì)層上，且將第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層上的互補位線307扭曲至第一直線區(qū)28的第二介質(zhì)層上；位于每個位線組50的同一側(cè)的電源線Vss，電源線Vss與位線和互補位線相互平行，電源線Vss用于給存儲單元中相應(yīng)的晶體管提供電源。
圖2中僅示出了 4個位線組50，包括第一位線組、第二位線組、第三位線組、第四位線組。每個位線組50上具有2個扭曲區(qū)，包括第一扭曲區(qū)31和第二扭曲區(qū)32。在具體的實施例中，所述位線組50的數(shù)量大于4，每個位線組50上扭曲區(qū)大于2，當每個位線組50 上扭曲區(qū)大于2時，位線組50扭曲區(qū)和直線區(qū)的結(jié)構(gòu)為上述結(jié)構(gòu)的重復(fù)，需要說明的是圖2 中所示的4個位線組和每個位線組上的2個扭曲區(qū)僅作為示例，而不應(yīng)限制本發(fā)明的保護范圍。參考圖2、圖3和圖4，所述第一扭曲區(qū)31包括位于第二介質(zhì)層302中的第一插塞305和第二插塞309、位于第二介質(zhì)層302上的第一位線彎折線304、位于第一介質(zhì)層301 上的第一互補位線彎折線308，第一直線區(qū)28的第一介質(zhì)層301上的位線301通過第一插塞305和第一位線彎折線304扭曲至第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層302上，第一直線區(qū)28 的第二介質(zhì)層302上的互補位線310通過第二插塞309和第一互補位線彎折線308扭曲至第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層301上。參考圖2，所述第二扭曲區(qū)32包括位于第二介質(zhì)層中的第三插塞311和第四插塞312、位于第一介質(zhì)層上的第二位線彎折線314、位于第二介質(zhì)層上的第二互補位線彎折線313，第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層上的位線303通過第三插塞311和第二位線彎折線314 扭曲至第一直線區(qū)28的第一介質(zhì)層上，第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層上的互補位線307通過第四插塞312和第二互補位線彎折線扭曲314至第一直線區(qū)28的第二介質(zhì)層上。第一位線彎折線304和第二位線彎折線314與相應(yīng)介質(zhì)層上的位線為同一金屬層，且第一位線彎折線304和第二位線彎折線為斜直線，以節(jié)省扭曲區(qū)31占用的位線和互補位線的空間，更有益于SRAM存儲器的布局。第一互補位線彎折線308和第二互補位線彎折線313與相應(yīng)介質(zhì)層上的互補位線為同一金屬層，第一互補位線彎折線308和第二互補位線彎折線為斜直線，以節(jié)省扭曲區(qū) 31占用的位線和互補位線的空間，更有益于SRAM存儲器的布局。通過扭曲區(qū)使得每個位線組50中位線和互補位線交叉地位于不同的介質(zhì)層，既減小了位線組50之間的耦合電容，又減小每個位線組50中位線和互補位線之間的耦合電容。由于扭曲區(qū)的存在，每個位線組50中的位線和互補位線在扭曲區(qū)之外的區(qū)域分別與存儲單元中對應(yīng)的晶體管電連接。位線組50的位線和互補位線的延伸方向與存儲單元的行或者列排布方向平行， 所述每個位線組50上的扭曲區(qū)的位置與兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)的位置相對應(yīng)，所述對應(yīng)是指扭曲區(qū)在基底300上的投影位于兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)內(nèi)，扭曲區(qū)位于兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)上方的對應(yīng)的第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302中，使得扭曲區(qū)不會影響位線和互補位線與存儲單元中相應(yīng)的晶體管的連接，比如位線和互補位線可以通過直接貫穿第一介質(zhì)層301和/或第二介質(zhì)層302的插塞與存儲單元中相應(yīng)的晶體管的連接。不同位線組50上的扭曲區(qū)的分布位置相同，不同位線組50上的同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直，使位線組50中位于同一介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、位線與互補位線之間的距離以及不同介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、位線與互補位線之間的距離保持恒定，使得不同位線組的位線與位線之間、位線與互補位線之間以及互補位線與互補位線之間的耦合電容保持恒定，不會出現(xiàn)某個區(qū)域耦合電容相比于其他區(qū)域過大或過小的情況，提高了 SRAM存儲器的穩(wěn)定性。所述每個位線組50上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等，不同位線組50上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等，使得位線組50上的扭曲區(qū)之外的位線和互補位線更好的對應(yīng)基底300上的行列排布的存儲單元，從而使存儲單元中相應(yīng)的晶體管可以更簡便的連接位線和互補位線， 改善了 SRAM存儲器的布局，減小了 SRAM存儲器各金屬連線的布線難度。所述電源線Vss位于第一介質(zhì)層301上。每個位線組50上的兩相鄰扭曲區(qū)之間對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為16 256個，所述對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為相鄰兩個扭曲區(qū)在基底300上的兩投影之間的存儲單元的數(shù)量。圖5為本發(fā)明第二實施例SRAM存儲器的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5沿切割線 a-b方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖5沿切割線c-d方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖5，所述SRAM存儲器包括基底(圖中未示出)，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元(圖中未示出)，每個存儲單元中包括若干晶體管，比如4個、6個或8個；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層(圖中未示出)和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層(圖中未示出)；相互平行的多個位線組50，所述位線組50包括位線BL和與位線BL對應(yīng)的互補位線BLB，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)28和第二直線區(qū)29，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)28的位線與第二直線區(qū)29的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)28的互補位線與第二直線區(qū)29的位線的延長線重疊；所述扭曲區(qū)包括第一扭曲區(qū)31和第二扭曲區(qū)32，其中，第一扭曲區(qū)31將第一直線區(qū)28的第二介質(zhì)層上的位線306扭曲至第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū) 28的第一介質(zhì)層上的互補位線310扭曲至第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層上；第二扭曲區(qū)32 將第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層上的位線303扭曲至第一直線區(qū)28的第二介質(zhì)層上，且將第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層上的互補位線307扭曲至第一直線區(qū)28的第一介質(zhì)層上；位于每個位線組50的同一側(cè)的電源線Vss，電源線Vss與位線和互補位線相互平行，電源線Vss用于給存儲單元中相應(yīng)的晶體管提供電源。圖5中僅示出了 4個位線組50，包括第一位線組、第二位線組、第三位線組、第四位線組。每個位線組50上具有2個扭曲區(qū)，包括第一扭曲區(qū)31和第二扭曲區(qū)32。在具體的實施例中，所述位線組50的數(shù)量大于4，每個位線組50上扭曲區(qū)大于2，當每個位線組50 上扭曲區(qū)大于2時，位線組50扭曲區(qū)和直線區(qū)的結(jié)構(gòu)為上述結(jié)構(gòu)的重復(fù)，需要說明的是圖5 中所示的4個位線組和每個位線組上的2個扭曲區(qū)僅作為示例，而不應(yīng)限制本發(fā)明的保護范圍。參考圖5、圖6和圖7，所述第一扭曲區(qū)31包括位于第二介質(zhì)層302中的第一插塞305和第二插塞309、位于第一介質(zhì)層301上的第一位線彎折線304、位于第二介質(zhì)層302 上的第一互補位線彎折線308，第一直線區(qū)28的第二介質(zhì)層302上的位線306通過第一插塞305和第一位線彎折線304扭曲至第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層301上，且將第一直線區(qū) 28的第一介質(zhì)層301上的互補位線310通過第二插塞309和第一互補位線彎折線308扭曲至第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層302上。參考圖5，所述第二扭曲區(qū)32包括位于第二介質(zhì)層中的第三插塞311和第四插塞312、位于第二介質(zhì)層上的第二位線彎折線314、位于第一介質(zhì)層上的第二互補位線彎折線313，第二直線區(qū)29的第一介質(zhì)層上的位線303通過第三插塞311和第二位線彎折線314 扭曲至第一直線區(qū)28的第二介質(zhì)層上，第二直線區(qū)29的第二介質(zhì)層上的互補位線307通過第三插塞312和第二互補位線彎折線313扭曲至第一直線區(qū)28的第一介質(zhì)層上。第一位線彎折線304和第二位線彎折線314與相應(yīng)層的位線為同一金屬層，且第一位線彎折線304和第二位線彎折線為斜直線，以節(jié)省扭曲區(qū)31占用的位線和互補位線的空間，更有益于SRAM存儲器的布局。第一互補位線彎折線308和第二互補位線彎折線313與相應(yīng)層的互補位線為同一金屬層，第一互補位線彎折線308和第二互補位線彎折線為斜直線，以節(jié)省扭曲區(qū)31占用的位線和互補位線的空間，更有益于SRAM存儲器的布局。通過扭曲區(qū)使得每個位線組50中位線和互補位線交叉的位于不同的介質(zhì)層，既減小了位線組50之間的耦合電容，又減小每個位線組50中位線和互補位線之間的耦合電容。由于扭曲區(qū)的存在，每個位線組50中的位線和互補位線在扭曲區(qū)之外的區(qū)域分別與存儲單元中對應(yīng)的晶體管電連接。位線組50的位線和互補位線的延伸方向與存儲單元的行或者列排布方向平行， 所述每個位線組50上的扭曲區(qū)的位置與兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)的位置相對應(yīng)，所述對應(yīng)是指扭曲區(qū)在基底300上的投影位于兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)內(nèi)，扭曲區(qū)位于兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)上方的對應(yīng)的第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302中，使得扭曲區(qū)不會影響位線和互補位線與存儲單元中相應(yīng)的晶體管的連接，比如位線和互補位線可以通過直接貫穿第一介質(zhì)層301和/或第二介質(zhì)層302的插塞與存儲單元中相應(yīng)的晶體管的連接。不同位線組50上的扭曲區(qū)的分布位置相同，不同位線組50上的同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直，使位線組50中位于同一介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、位線與互補位線之間的距離以及不同介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、位線與互補位線之間的距離保持恒定，使得不同位線組的位線與位線之間、 位線與互補位線之間以及互補位線與互補位線之間的耦合電容保持恒定，不會出現(xiàn)某個區(qū)域耦合電容相比于其他區(qū)域過大或過小的情況，提高了 SRAM存儲器的穩(wěn)定性。所述每個位線組50上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等，不同位線組50上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等，使得位線組50上的扭曲區(qū)之外的位線和互補位線更好的對應(yīng)基底300上的行列排布的存儲單元，從而使存儲單元中相應(yīng)的晶體管可以更簡便的連接位線和互補位線， 改善了 SRAM存儲器的布局，減小了 SRAM存儲器各金屬連線的布線難度。所述電源線Vss位于第一介質(zhì)層301上。每個位線組50上的相鄰兩個扭曲區(qū)之間對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為16 256個， 所述對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為相鄰兩個扭曲區(qū)在基底300上的兩投影之間的存儲單元的數(shù)量。綜上，本發(fā)明實施例提供的SRAM存儲器，通過扭曲區(qū)使得每個位線組中位線和互補位線交叉的位于不同的介質(zhì)層，既減小了位線組之間的耦合電容，又減小每個位線組中位線和互補位線之間的耦合電容；進一步，不同位線組上的扭曲區(qū)的分布位置相同，同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直，使得位線組中位于同一介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、位線與互補位線之間的距離以及不同介質(zhì)層上的位線與位線之間的距離、 位線與互補位線之間的距離保持恒定，使得不同位線組的位線與位線之間、位線與互補位線之間以及互補位線與互補位線之間的耦合電容保持恒定，不會出現(xiàn)某個區(qū)域耦合電容相比于其他區(qū)域過大或過小的情況，提高了 SRAM存儲器的穩(wěn)定性；更進一步，所述每個位線組上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等，不同位線組上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等，使得扭曲區(qū)之外位線和互補位線更好的對應(yīng)基底上的行列排布的存儲單元，從而使存儲單元中相應(yīng)的晶體管可以更簡便的連接位線和互補位線，改善了 SRAM存儲器的布局，減小了 SRAM存儲器各金屬連線的布線難度。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種SRAM存儲器，其特征在于，包括基底，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；相互平行的多個位線組，所述位線組包括位線和互補位線，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)和第二直線區(qū)，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)的位線與第二直線區(qū)的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)的互補位線與第二直線區(qū)的位線的延長線重疊；所述扭曲區(qū)包括第一扭曲區(qū)和第二扭曲區(qū)，其中，第一扭曲區(qū)將第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上；第二扭曲區(qū)將第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上，且將第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上。
2.如權(quán)利要求I所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述每個位線組上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等。
3.如權(quán)利要求2所述的SRAM存儲器，其特征在于，不同位線組上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等。
4.如權(quán)利要求3所述的SRAM存儲器，其特征在于，不同位線組上的扭曲區(qū)的分布位置相同，同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直。
5.如權(quán)利要求I所述的SRAM存儲器，其特征在于，位線組的位線和互補位線的延伸方向與存儲單元的行或者列排布方向平行。
6.如權(quán)利要求5所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個位線組上的扭曲區(qū)的位置與兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)的位置相對應(yīng)。
7.如權(quán)利要求5所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個位線組上的相鄰兩個扭曲區(qū)之間對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為16 256個。
8.如權(quán)利要求5所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個位線組的位線和互補位線在扭曲區(qū)之外的區(qū)域分別與存儲單元中對應(yīng)的晶體管電連接。
9.如權(quán)利要求I所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述第一扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第一插塞和第二插塞、位于第二介質(zhì)層上的第一位線彎折線、位于第一介質(zhì)層上的第一互補位線彎折線，第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線通過第一插塞和第一位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上，第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線通過第二插塞和第一互補位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上。
10.如權(quán)利要求I所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述第二扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第三插塞和第四插塞、位于第一介質(zhì)層上的第二位線彎折線、位于第二介質(zhì)層上的第二互補位線彎折線，第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線通過第三插塞和第二位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上，第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線通過第四插塞和第二互補位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上。
11.如權(quán)利要求I所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述每個位線組的同一側(cè)還具有電源線，電源線與位線和互補位線相互平行，電源線用于給存儲單元中相應(yīng)的晶體管提供電源。
12.如權(quán)利要求11所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述電源線位于第一介質(zhì)層上。
13.—種SRAM存儲器，其特征在于，包括基底，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；相互平行的多個位線組，所述位線組包括位線和互補位線，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)和第二直線區(qū)，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)的位線與第二直線區(qū)的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)的互補位線與第二直線區(qū)的位線的延長線重疊；所述扭曲區(qū)包括第一扭曲區(qū)和第二扭曲區(qū)，其中，第一扭曲區(qū)將第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上；第二扭曲區(qū)將第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上，且將第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上。
14.如權(quán)利要求13所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述每個位線組上的相鄰扭曲區(qū)之間的間距相等。
15.如權(quán)利要求14所述的SRAM存儲器，其特征在于，不同位線組上的扭曲區(qū)的數(shù)量相等。
16.如權(quán)利要求15所述的SRAM存儲器，其特征在于，不同位線組上的扭曲區(qū)的分布位置相同，同一位置的扭曲區(qū)之間的連線與位線組的位線和互補位線的延伸方向垂直。
17.如權(quán)利要求13所述的SRAM存儲器，其特征在于，位線組的延伸方向與存儲單元的行或者列排布方向平行。
18.如權(quán)利要求17所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個位線組上的扭曲區(qū)的位置與兩相鄰存儲單元之間的間隔區(qū)的位置相對應(yīng)。
19.如權(quán)利要求17所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個位線組的相鄰兩個扭曲區(qū)之間對應(yīng)的存儲單元的數(shù)量為16 256個。
20.如權(quán)利要求17所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個位線組的位線和互補位線在扭曲區(qū)之外的區(qū)域分別與存儲單元中對應(yīng)的晶體管電連接。
21.如權(quán)利要求13所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述第一扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第一插塞和第二插塞、位于第一介質(zhì)層上的第一位線彎折線、位于第二介質(zhì)層上的第一互補位線彎折線，第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的位線通過第一插塞和第一位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上，且將第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的互補位線通過第二插塞和第一互補位線彎折線扭曲至第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上。
22.如權(quán)利要求13所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述第二扭曲區(qū)包括位于第二介質(zhì)層中的第三插塞和第四插塞、位于第二介質(zhì)層上的第二位線彎折線、位于第一介質(zhì)層上的第二互補位線彎折線，第二直線區(qū)的第一介質(zhì)層上的位線通過第三插塞和第二位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第二介質(zhì)層上，第二直線區(qū)的第二介質(zhì)層上的互補位線通過第三插塞和第二互補位線彎折線扭曲至第一直線區(qū)的第一介質(zhì)層上。
23.如權(quán)利要求13所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述每個位線組的同一側(cè)還具有電源線，電源線與位線和互補位線相互平行，電源線用于給存儲單元中相應(yīng)的晶體管提供電源。
24.如權(quán)利要求23所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述電源線位于第一介質(zhì)層上。
全文摘要
一種SRAM存儲器，包括基底，位于基底上呈行列排布的多個存儲單元；覆蓋所述存儲單元的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；相互平行的多個位線組，所述位線組包括位線和互補位線，所述位線組具有多個直線區(qū)和連接直線區(qū)的扭曲區(qū)，其中，所述直線區(qū)包括第一直線區(qū)和第二直線區(qū)，所述直線區(qū)的位線與互補位線位于不同介質(zhì)層，所述直線區(qū)的位線與互補位線在基底上的投影相互平行，且所述第一直線區(qū)的位線與第二直線區(qū)的互補位線的延長線重疊，所述第一直線區(qū)的互補位線與第二直線區(qū)的位線的延長線重疊。本發(fā)明實施例提供的SRAM存儲器減小了位線和互補位線之間的耦合電容。
文檔編號H01L23/522GK102610589SQ20121008516
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月27日
發(fā)明者胡劍 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司