專利名稱：封裝件中的凸塊導(dǎo)線直連結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地來(lái)說(shuō)，涉及一種封裝件。
背景技術(shù)：
凸塊導(dǎo)線直連(BOT)結(jié)構(gòu)用于倒裝芯片封裝件中，其中，金屬凸塊直接接合到封裝基板中的較窄的金屬跡線上，而不是接合到金屬焊盤上，該金屬焊盤比與相應(yīng)連接的金屬跡線具有更大的寬度。BOT結(jié)構(gòu)需要更小的芯片面積，并且BOT結(jié)構(gòu)的制造成本較低。BOT結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)與以金屬焊盤為基礎(chǔ)的傳統(tǒng)的接合結(jié)構(gòu)相同的可靠性。有時(shí)，BOT結(jié)構(gòu)可能剝落。例如，當(dāng)器件管芯通過(guò)BOT結(jié)構(gòu)接合至封裝基板時(shí)，由于器件管芯的熱膨脹系數(shù)(CTE)和封裝基板的CTE之間的明顯不匹配，所以可以在生成的封裝中產(chǎn)生應(yīng)力。該應(yīng)力施加在BOT結(jié)構(gòu)中的金屬跡線上方，造成金屬線從相鄰的封裝基板中的介電層剝落。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種器件包括:第一封裝元件，包括:第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述第一封裝元件的頂面上方；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第一錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流。該器件進(jìn)一步包括:第一介電層，所述第一介電層位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔延伸到所述第一介電層中；以及第二介電層，所述第二介電層位于所述第一介電層的下方，其中，所述第一錨定通孔的底面與所述第二介電層的頂面接觸。該器件進(jìn)一步包括:介電層，所述介電層位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔延伸到所述介電層中；錨定金屬部件，所述錨定金屬部件位于所述第一錨定通孔的底面下方并且與所述第一錨定通孔的底面接觸，其中，所述錨定金屬部件被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流。該器件進(jìn)一步包括:與所述第一錨定通孔相鄰的第二錨定通孔，其中，所述第二錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，以及其中，所述第二錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流。該器件進(jìn)一步包括:第二金屬跡線，所述第二金屬跡線位于所述第一金屬跡線的下方并水平地位于所述第一錨定通孔和所述第二錨定通孔之間，其中，所述第二金屬跡線位于直接在所述第一金屬跡線的金屬跡線層下方的金屬跡線層中。該器件進(jìn)一步包括:焊料區(qū)域，所述焊料區(qū)域與所述第一金屬跡線的頂面和側(cè)壁接觸，其中，所述焊料區(qū)域與所述第一錨定通孔相鄰。該器件進(jìn)一步包括:第二封裝元件，其中，所述第二封裝元件包括金屬柱，所述金屬柱通過(guò)所述焊料區(qū)域與所述第一金屬跡線接合。在該器件中，所述第一封裝元件是封裝基板，并且所述第二封裝元件是器件管芯。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件包括:第一封裝元件；第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述第一封裝元件的表面上方；第一凸塊導(dǎo)線直連(BOT)結(jié)構(gòu)，包括:金屬柱；以及焊料區(qū)域，所述焊料區(qū)域?qū)⑺鼋饘僦c所述第一金屬跡線的部分接合；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第一錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流，以及其中，所述第一錨定通孔與所述焊料區(qū)域相鄰。在該器件中，所述第一錨定通孔基本上與所述焊料區(qū)域?qū)?zhǔn)。在該器件中，所述第一錨定通孔與至少與所述金屬柱的部分重疊。該器件進(jìn)一步包括:第二錨定通孔，所述第二錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第二錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流，以及其中，所述第二錨定通孔與所述焊料區(qū)域相鄰。該器件進(jìn)一步包括:第二金屬跡線，所述第二金屬跡線位于所述第一金屬跡線的下方并水平地位于所述第一錨定通孔和所述第二錨定通孔之間，其中，所述第二金屬跡線位于直接在所述第一金屬跡線的金屬跡線層下方的金屬跡線層中。該器件進(jìn)一步包括:第二封裝元件，其中，所述第二封裝元件包括金屬柱，所述金屬柱位于所述第二封裝元件的表面處。在該器件中，所述第一封裝元件是封裝基板，并且所述第二封裝元件是器件管芯。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種器件，包括:封裝基板，所述封裝基板包括:介電層；第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述封裝基板的頂面上方并覆蓋所述介電層；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔包括與所述第一金屬跡線接觸的頂面和與所述介電層的頂面接觸的底面；器件管芯，所述器件管芯包括第一金屬柱；以及第一焊料區(qū)域，所述第一焊料區(qū)域?qū)⑺龅谝唤饘僦雍系剿龅谝唤饘氽E線的部分，其中，所述第一焊料區(qū)域與所述第一金屬跡線的頂面和側(cè)壁接觸。在該器件中，所述第一錨定通孔與所述第一金屬柱對(duì)準(zhǔn)。該器件進(jìn)一步包括:第二金屬跡線，所述第二金屬跡線位于所述封裝基板的頂面上方并且位于所述介電層的上方；以及第二錨定通孔，所述第二錨定通孔位于所述第二金屬跡線的下方，其中，所述第二錨定通孔包括與第二金屬跡線接觸的頂面和與介電層的頂面接觸的底面，以及其中，所述器件管芯包括:第二金屬柱；以及第二焊料區(qū)域，所述第二焊料區(qū)域?qū)⑺龅诙饘僦c所述第二金屬跡線的部分接合，其中，所述第二焊料區(qū)域與所述第二金屬跡線的頂面和側(cè)壁接觸，以及其中，第二錨定通孔與所述第二金屬柱未對(duì)準(zhǔn)。該器件進(jìn)一步包括:位于所述第一金屬跡線下方的第二錨定通孔，其中，所述第二錨定通孔包括與所述第一金屬跡線接觸的頂面和與所述介電層的頂面接觸的底面，以及其中，所述第二錨定通孔與所述第一錨定通孔相鄰。在該器件中，所述第一金屬跡線包括:第一部分和與所述第一部分鄰接的第二部分，以及其中，所述第一焊料區(qū)域與所述第一金屬跡線的所述第一部分的側(cè)壁接觸，并且不與所述第一金屬跡線的所述第二部分的側(cè)壁接觸，以及其中，所述第一部分和所述第二部分具有基本上相同的寬度。


為了更全面地理解本公開及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖進(jìn)行以下描述作為參考，其中:圖1和圖2是根據(jù)實(shí)施例示出的具有凸塊導(dǎo)線直連(BOT)結(jié)構(gòu)的封裝件的截面圖，其中，錨定通孔(anchor vias)形成在BOT結(jié)構(gòu)中的金屬跡線的下方；圖3示出了根據(jù)實(shí)施例的封裝元件，該封裝元件接合至另一個(gè)封裝元件，從而形成如圖1所示的封裝件；圖4示出了根據(jù)實(shí)施例的具有BOT結(jié)構(gòu)的封裝件的截面圖，其中，錨定焊盤(anchor pad)形成在錨定通孔的下方；以及圖5A至5C是根據(jù)實(shí)施例的BOT結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的創(chuàng)造性概念。所討論的具體實(shí)施例僅為示例性的，而不用于限制本發(fā)明的范圍。封裝結(jié)構(gòu)包括凸塊導(dǎo)線直連(BOT)結(jié)構(gòu)，并且可以根據(jù)各個(gè)實(shí)施例提供錨定通孔。討論了實(shí)施例的變型例。在各個(gè)附圖和描述性實(shí)施例中，相同的數(shù)字用于指定相同的元件。圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的封裝件的截面圖。該封裝包括封裝元件100和封裝元件200，封裝元件200接合至封裝元件100。封裝元件100可以是其中具有有源器件，例如，晶體管(圖中示為104)的器件管芯，但是封裝元件100也可以是其他類型的封裝元件。例如，封裝元件100可以是其中沒有有源器件的中間板。在封裝元件100是器件管芯的實(shí)施例中，基板102可以是半導(dǎo)體基板，例如，硅基板，但是該基板還可以包括其它半導(dǎo)體材料?；ミB結(jié)構(gòu)114包括形成在其中的并且連接至半導(dǎo)體器件的金屬線和通孔106，形成該互連結(jié)構(gòu)114，從而與有源器件104電連接。金屬線和通孔106可以由銅或銅合金形成，并且可以通過(guò)使用鑲嵌工藝形成?；ミB結(jié)構(gòu)114可以包括:公知的層間介電層(ILD，未顯示)和金屬間介電層(IMD)108。IMD 108可以具有低-k介電材料，并具有低于大約3.0的介電常數(shù)(k值)。低_k介電材料也可以是超低_k介電材料，該超低-k介電材料具有低于大約2.5的k值。封裝元件100可以進(jìn)一步包括置于其表面處的金屬柱112。金屬柱112也可以延伸至超出封裝元件100的表面100A。金屬柱112可以由銅或銅合金形成，并且還可以包括其他層(未顯示)，例如，鎳層、鈀層、金層等。封裝元件200可以是封裝基板，但是也可以是其他類型的封裝元件，例如，中間板。封裝元件200可以包括金屬線202/212和通孔204/214，用于互連封裝元件200的相對(duì)兩側(cè)上方的金屬部件。下文中，金屬線202還稱作金屬跡線202。在實(shí)施例中，形成在封裝元件200的頂面上方的金屬跡線202與連接件216電連接，該連接件216位于封裝元件200的底面上方。該互連可以通過(guò)電連接件224實(shí)現(xiàn)。在示例性實(shí)施例中，封裝元件200包括芯層220，該芯層220包括電介質(zhì)基板222和穿過(guò)電介質(zhì)基板222的電連接件224。在示例性實(shí)施例中，電介質(zhì)基板222由玻璃纖維形成，但是也可以使用其他介電材料。金屬線202/212和通孔204/214可以形成在介電層230中。此外，在芯層220的每一側(cè)上，金屬跡線的數(shù)量可以大于或小于圖1中所示的數(shù)量。應(yīng)該意識(shí)到，封裝元件200可以具有各種其他結(jié)構(gòu)，并且可以包括層壓層，并且還可以不包括芯層封裝元件100和200通過(guò)焊料區(qū)域232彼此接合，焊料區(qū)域可以由無(wú)鉛焊料、共晶焊料等形成。焊料區(qū)域232接合到金屬線202的頂面并且與金屬線202的頂面物理接觸，其中，該頂面面對(duì)封裝元件100。圖2示意性地示出了其中一個(gè)金屬跡線202和相鄰的焊料區(qū)域232的截面圖，其中，通過(guò)圖1中的平面交線2-2截取該示例性截面圖。如圖2所示，焊料區(qū)域232也可以與相應(yīng)的金屬跡線202的側(cè)壁接觸。由此產(chǎn)生的接合稱作BOT接合，并且由此產(chǎn)生的接合結(jié)構(gòu)稱作BOT結(jié)構(gòu)。再次參考圖1，在封裝元件100和200接合之后，底部填充物(或模制底部填充物(MUF)) 234可以填充到封裝元件100和200之間的間隙中。相應(yīng)地，底部填充物234也可以填充到相鄰的金屬跡線202之間的間隙中。底部填充物234可以與金屬跡線202的頂面和側(cè)壁接觸，并且也可以與焊料區(qū)域232接觸?？蛇x地，沒有填充底部填充物，而封裝元件100和200之間的間隙以及相鄰金屬跡線202之間的間隙可以是空氣間隙。圖3示出了在封裝元件200接合至封裝元件100以形成圖1所示封裝件之前的封裝元件200的截面圖。金屬跡線202 (分別表示為202A、202B、202C)暴露在封裝元件200的表面上。通孔204直接位于金屬跡線202C的下方并與該金屬跡線電連接，該通孔204是標(biāo)準(zhǔn)的通孔，該通孔用于將電流傳導(dǎo)至金屬跡線202和/或傳導(dǎo)來(lái)自金屬跡線202的電流。金屬跡線202A和202B也與直接位于金屬跡線202A和202B的下方的通孔204 (未在圖3中示出，請(qǐng)參考圖2)連接，并且將金屬跡線202A和202B電連接至電連接件224和/或216。由于直接位于金屬跡線202A和202B的下方的通孔204沒有位于圖3所示的平面內(nèi)，所以在圖3中沒有示出通孔204。再次參考圖3，錨定通孔208形成在金屬跡線202A和202B的下方。錨定通孔208的頂面可以與相應(yīng)的上層金屬跡線202A和202B的底面物理接觸。錨定通孔208可以由與通孔204相同的材料形成并且在與通孔204相同的工藝步驟中形成，該通孔直接位于金屬跡線202C的下方。在一些實(shí)施例中，錨定通孔208的底面209與介電層230中的一個(gè)的頂面230A接觸，但沒有位于錨定通孔208的下方并與該錨定通孔物理接觸的導(dǎo)電部件(例如，金屬跡線)。當(dāng)在封裝件使用過(guò)程中給圖1中所示的封裝件(如圖3所示，該封裝件包括封裝元件200)供電時(shí)，錨定通孔208可以具有與相應(yīng)連接的金屬跡線202A和202B相同的電壓，然而，沒有電流流經(jīng)錨定通孔208中的任何一個(gè)，但是金屬跡線202A和202B可以具有電流。圖4示出了可選實(shí)施例。除非另有指定，在這些實(shí)施例中的元件的材料和形成方法基本上與類似的元件相同。在圖1至圖3所示的實(shí)施例中，類似的元件由類似的參考數(shù)字指示。在這些實(shí)施例中，錨定金屬跡線或錨定金屬焊盤(具有比金屬跡線更大的寬度)240形成在錨定通孔208下方。錨定通孔208的底面209可以與錨定跡線或錨定焊盤240的頂面接觸。然而，在這些實(shí)施例中，金屬跡線或金屬焊盤240用于改善金屬跡線202的錨定，而不用于傳導(dǎo)流經(jīng)金屬跡線202的電流。因此，金屬跡線/金屬焊盤240可以沒有任何與其相連的下層導(dǎo)電部件。當(dāng)在封裝件使用過(guò)程中給圖4所示的封裝供電時(shí)，錨定跡線/錨定焊盤240可以具有與相應(yīng)連接的金屬跡線202A和202B相同的電壓，然而，沒有電流流經(jīng)錨定跡線/錨定焊盤240中的任何一個(gè)。圖5A至5C示出了各種俯視圖。圖5A示出了圖3中部分結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中，示出了金屬跡線202A和相應(yīng)的下層錨定通孔208。另外，還示出了金屬柱112。在這些實(shí)施例中，金屬跡線202D(請(qǐng)參考圖1、圖3、以及圖4)直接位于金屬跡線202A下方并且直接位于金屬跡線202A的金屬跡線層下方的金屬跡線層中。錨定通孔208可以形成在金屬跡線202D的一側(cè)或兩側(cè)上。錨定通孔208與金屬跡線202D和上層金屬柱112相鄰。例如，錨定通孔208和金屬跡線202D之間的距離S I可以小于大約15微米，或者小于大約10微米，除非設(shè)計(jì)規(guī)格要求距離SI較大。當(dāng)這種情況出現(xiàn)時(shí)，距離S I可等于或略大于設(shè)計(jì)規(guī)格所允許的最小距離。在俯視圖中，根據(jù)金屬柱112的尺寸，部分錨定通孔208可以與金屬柱112重疊?？蛇x地，整個(gè)錨定通孔208可以與金屬柱112重疊?？蛇x地，部分或整個(gè)錨定通孔208可以與金屬柱112垂直對(duì)齊。如圖5B所示，在又一實(shí)施例中，錨定通孔208可能與金屬柱112的任何部分都不重疊。然而，錨定通孔208仍可能與金屬柱112和金屬跡線202D相鄰，其中，錨定通孔208和金屬跡線202D之間的距離SI可以小于大約15微米，或者小于大約10微米，或者接近設(shè)計(jì)規(guī)格所允許的最小距離。圖5C示出了圖1至圖4所示結(jié)構(gòu)的部分的俯視圖，其中，示出了金屬跡線202B和相應(yīng)連接的錨定通孔208。在這些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)錨定通孔208可以直接位于相應(yīng)的金屬柱112下方(如圖3所示)，并且與相應(yīng)的金屬柱112對(duì)準(zhǔn)，該相應(yīng)的金屬柱112與金屬跡線202B電連接。一個(gè)或多個(gè)錨定通孔208可以與金屬柱112的中心113大致對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，錨定通孔208A直接位于金屬跡線202B的下方(如圖3所示)，并且與金屬跡線202B連接?？蛇x地，除了錨定通孔208A之外，還可以添加一個(gè)或多個(gè)錨定通孔208B，其中，錨定通孔208B沒有與金屬柱112的中心113對(duì)準(zhǔn)。在又一些實(shí)施例中，即使沒有形成與圖4A示出的金屬跡線相似的金屬跡線202D，也形成了錨定通孔208B，而沒有形成錨定通孔208A。如圖5A至圖5C所示的BOT結(jié)構(gòu)中，金屬跡線202可以包括:金屬柱112和焊料區(qū)域232 (如圖1至4所示)覆蓋的第一部分和與第一部分相鄰的第二部分，其中，金屬柱112和焊料區(qū)域232沒有覆蓋第二部分。例如，圖5A至5C示出了示例性的第一部分202’和與相應(yīng)的第一部分202’相鄰的第二部分202”。第一部分202’可以具有與第二部分202”相同的寬度W1。在可選實(shí)施例中，第一部分202’和相應(yīng)連接的第二部分202”可以具有不同的寬度。通過(guò)形成錨定通孔，將錨定通孔208之間的粘附力添加至金屬跡線202和下層介電層230之間的粘附力。因此，改善了金屬跡線202與下層介電層230的粘附性，同時(shí)可以減少金屬跡線的剝落。根據(jù)實(shí)施例，封裝元件包括位于封裝元件頂面上方的金屬跡線。錨定通孔設(shè)置在金屬跡線的下方并與該金屬跡線接觸。將錨定通孔配置成為不傳導(dǎo)流經(jīng)金屬跡線的電流。根據(jù)另一些實(shí)施例，器件包括封裝元件。封裝元件的表面上方設(shè)置有金屬跡線。BOT結(jié)構(gòu)包括金屬柱和將金屬柱接合至部分金屬跡線的焊料區(qū)域。錨定通孔位于金屬跡線的下方并與該金屬跡線接觸。將錨定通孔配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)金屬跡線的電流。錨定通孔與焊料區(qū)域相鄰，并且可以具有與介電層接觸的底面。根據(jù)又一些實(shí)施例，封裝件包括接合至器件管芯的封裝基板。封裝基板包括:介電層；金屬跡線，位于封裝基板的頂面上方并且覆蓋介電層；以及錨定通孔，位于金屬跡線下方。錨定通孔包括:與金屬跡線接觸的頂面和與介電層接觸的底面。器件管芯具有金屬柱。焊料區(qū)域?qū)⒔饘氽E線接合至部分金屬柱。焊料區(qū)域與金屬跡線的頂面和側(cè)壁接觸。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實(shí)施例的主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說(shuō)明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種器件包括: 第一封裝元件，包括: 第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述第一封裝元件的頂面上方；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第一錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 第一介電層，所述第一介電層位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔延伸到所述第一介電層中；以及 第二介電層，所述第二介電層位于所述第一介電層的下方，其中，所述第一錨定通孔的底面與所述第二介電層的頂面接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 介電層，所述介電層位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔延伸到所述介電層中； 錨定金屬部件，所述錨定金屬部件位于所述第一錨定通孔的底面下方并且與所述第一錨定通孔的底面接觸，其中，所述錨定金屬部件被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括:與所述第一錨定通孔相鄰的第二錨定通孔，其中，所述第二錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，以及其中，所述第二錨定 通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進(jìn)一步包括:第二金屬跡線，所述第二金屬跡線位于所述第一金屬跡線的下方并水平地位于所述第一錨定通孔和所述第二錨定通孔之間，其中，所述第二金屬跡線位于直接在所述第一金屬跡線的金屬跡線層下方的金屬跡線層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括:焊料區(qū)域，所述焊料區(qū)域與所述第一金屬跡線的頂面和側(cè)壁接觸，其中，所述焊料區(qū)域與所述第一錨定通孔相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，進(jìn)一步包括:第二封裝元件，其中，所述第二封裝元件包括金屬柱，所述金屬柱通過(guò)所述焊料區(qū)域與所述第一金屬跡線接合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中，所述第一封裝元件是封裝基板，并且所述第二封裝元件是器件管芯。
9.一種器件包括: 第一封裝元件； 第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述第一封裝元件的表面上方； 第一凸塊導(dǎo)線直連(BOT)結(jié)構(gòu)，包括: 金屬柱；以及 焊料區(qū)域，所述焊料區(qū)域?qū)⑺鼋饘僦c所述第一金屬跡線的部分接合；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第一錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)所述第一金屬跡線的電流，以及其中，所述第一錨定通孔與所述焊料區(qū)域相鄰。
10.一種器件，包括: 封裝基板，所述封裝基板包括:介電層； 第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述封裝基板的頂面上方并覆蓋所述介電層；以及 第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔包括與所述第一金屬跡線接觸的頂面和與所述介電層的頂面接觸的底面； 器件管芯，所述器件管芯包括第一金屬柱；以及 第一焊料區(qū)域，所述第一焊料區(qū)域?qū)⑺龅谝唤饘僦雍系剿龅谝唤饘氽E線的部分，其中，所述第一焊料區(qū)域 與所述第一金屬跡線的頂面和側(cè)壁接觸。
全文摘要
一種封裝元件包括位于該封裝元件的頂面上方的金屬跡線和位于金屬跡線的下方并且與該金屬跡線接觸的錨定通孔。錨定通孔被配置成不傳導(dǎo)流經(jīng)金屬跡線的電流。本發(fā)明還提供了封裝件中的凸塊導(dǎo)線直連結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L23/48GK103137582SQ20121011926
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者陳志華 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司