本發(fā)明涉及到一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置，本發(fā)明還涉及一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置的制備方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是制造功率整流器件的基本結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：
功率半導(dǎo)體器件被大量使用在電源管理和電源應(yīng)用上，特別涉及到PN結(jié)已成為最廣泛被應(yīng)用的半導(dǎo)體的器件。在傳統(tǒng)的PN結(jié)器件中，需要漂移區(qū)電場(chǎng)分布呈現(xiàn)三角形分布，在結(jié)前沿電場(chǎng)強(qiáng)度最大，隨著遠(yuǎn)離主結(jié)電場(chǎng)強(qiáng)度逐漸降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題提出，提供一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置及其制備方法。一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；漂移層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；無(wú)源金屬區(qū)，為條狀金屬，位于漂移層中，垂直于襯底層，與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列構(gòu)成，并且其上表面臨靠絕緣材料或者第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料區(qū)，位于漂移層上表面，為第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，并且與無(wú)源金屬區(qū)不相連。一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：在襯底層表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣介質(zhì)；進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質(zhì)，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；在溝槽內(nèi)形成金屬，反刻蝕金屬；在溝槽內(nèi)形成絕緣材料，反刻蝕絕緣材料；注入雜質(zhì)，然后進(jìn)行退火工藝。當(dāng)半導(dǎo)體裝置接一定的反向偏壓時(shí)，漂移區(qū)的耗盡層在整個(gè)無(wú)源金屬區(qū)界面擴(kuò)展，并且在無(wú)源金屬區(qū)間發(fā)生交疊，從而提高器件的反向擊穿電壓。也可以降低器件的正向?qū)娮?，改善器件的正向?qū)ㄌ匦?。本發(fā)明還提供了一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置的制備方法。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置剖面示意圖；圖2為本發(fā)明的第二種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置剖面示意圖。其中，1、襯底層；2、二氧化硅；3、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；4、無(wú)源金屬；5、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料。具體實(shí)施方式實(shí)施例1圖1為本發(fā)明的一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置的剖面圖，下面結(jié)合圖1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；無(wú)源金屬4，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3中，為金屬鎳；有源第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料，表面硼原子的摻雜濃度為1E18/CM3；二氧化硅2，位于溝槽中臨靠金屬。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層3，然后表面熱氧化，形成二氧化硅2；第二步，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分二氧化硅2，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第三步，在溝槽內(nèi)淀積形成薄膜無(wú)源金屬4，刻蝕金屬，淀積薄膜氮化硅，反刻蝕氮化硅，腐蝕金屬；第四步，淀積二氧化硅2，反刻蝕二氧化硅；第五步，注入硼雜質(zhì)，然后進(jìn)行退火工藝，如圖1所示。實(shí)施例2圖2為本發(fā)明的一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置的剖面圖，下面結(jié)合圖2詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種具有無(wú)源金屬PN結(jié)半導(dǎo)體裝置，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；無(wú)源金屬4，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3中，為金屬鎳；有源第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料，表面硼原子的摻雜濃度為1E18/CM3；二氧化硅2，位于溝槽中臨靠金屬。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層3，然后表面熱氧化，形成二氧化硅2；第二步，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分二氧化硅2，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第三步，在溝槽內(nèi)淀積形成薄膜無(wú)源金屬4，刻蝕金屬，淀積較厚氮化硅，反刻蝕氮化硅，腐蝕金屬；第四步，淀積二氧化硅2，反刻蝕二氧化硅；第五步，注入硼雜質(zhì)，然后進(jìn)行退火工藝，如圖2所示。通過(guò)上述實(shí)例闡述了本發(fā)明，同時(shí)本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于功率MOS結(jié)構(gòu)器件中，因此本發(fā)明不局限于上述具體實(shí)例，本發(fā)明由所附權(quán)利要求范圍限定。