本發(fā)明涉及由含有粒狀的無機(jī)熒光體的無機(jī)材料構(gòu)成的波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體及其制造方法以及發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：
在發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體發(fā)光元件中，有使用含有熒光體的顏色變換用成型體（波長(zhǎng)變換用成型體）將半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光的顏色的一部分或全部進(jìn)行顏色變換（波長(zhǎng)變換），變換發(fā)光顏色（發(fā)光波長(zhǎng)）而輸出的發(fā)光裝置。另外，這樣的發(fā)光裝置也可以用于前照燈、投影儀等要求高輸出的用途。以往，作為這樣的發(fā)光裝置中使用的顏色變換用成型體，使用在耐熱性·耐光性較良好的有機(jī)硅樹脂中分散熒光體而成型的顏色變換用成型體。然而，近年的應(yīng)對(duì)使用了LED（發(fā)光二極管）、LD（激光二極管）等半導(dǎo)體發(fā)光元件的光源進(jìn)一步高輸出化·高負(fù)荷化的嚴(yán)酷的用途中，存在用于顏色變換用成型體的樹脂發(fā)生劣化的情況。因此，將不含樹脂、有機(jī)物，僅含無機(jī)熒光體，或者使無機(jī)熒光體和透明的無機(jī)材料燒結(jié)成型為板狀的顏色變換用的陶瓷成型體作為高輸出·高負(fù)荷用途顏色變換用成型體而使用的LED、LD開始得到實(shí)用化。另外，作為僅由無機(jī)材料構(gòu)成的顏色變換用的陶瓷成型體的制造方法已提出各種方法。例如，專利文獻(xiàn)1中，作為耐久性好的發(fā)光變換體舉例記載了無機(jī)氧化物的稀土類石榴石系化合物、特別是YAG（釔·鋁·石榴石）系熒光體。制造方法沒有詳細(xì)記載，但其利用由陶瓷基材料制成多晶陶瓷體，其后，摻雜作為發(fā)光中心的賦活劑的方法來制成發(fā)光變換體。其后，記載了將作為該發(fā)光變換體的多晶陶瓷體與半導(dǎo)體發(fā)光元件組合使用的方法。專利文獻(xiàn)2中，記載了作為發(fā)光顏色變換部件的添加有無機(jī)熒光體的玻璃的構(gòu)成和制造方法。此處，例舉了氧化物系熒光體的YAG系熒光體。專利文獻(xiàn)3中，記載了在高溫高壓下使無機(jī)熒光體燒結(jié)而的德奧作為顏色變換體的發(fā)光陶瓷的方法。另外，專利文獻(xiàn)4中，公開了由熒光體粉末和玻璃粉末生成片，將其導(dǎo)入高溫的爐內(nèi)來制造無機(jī)顏色變換玻璃片的方法。其中，作為將各種的化合物的熒光體制成無機(jī)顏色變換玻璃片的方法，記載了利用熔點(diǎn)為400℃以下的低熔點(diǎn)玻璃的方法。另外，專利文獻(xiàn)5中，作為光變換用陶瓷復(fù)合體的制造方法，記載了將YAG系熒光體從氧化鋁等的熔液析出·生長(zhǎng)的方法。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-146835號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開2003-258308號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開2006-5367號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4：日本特開2006-37097號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5：日本特開2006-169422號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
然而，專利文獻(xiàn)1～專利文獻(xiàn)5所記載的陶瓷成型體均是使無機(jī)材料燒結(jié)或者熔融而制成的。通過燒結(jié)、熔融而制成的陶瓷成型體通常由塊（bulk）狀的陶瓷通過切片、研磨等加工而成型為所希望的形狀。因此，例如成型為板狀的情況下，厚度的薄化有限制。而且，將熒光體與除熒光體以外的無機(jī)材料燒結(jié)而成型為陶瓷體的情況下，制成的陶瓷成型體中的熒光體的含有率低，所以為了進(jìn)行充分的顏色變換，需要相當(dāng)厚的厚度。另外，以往的陶瓷成型體需要從塊狀的陶瓷切出而成型為所希望的形狀，所以可加工的成型體的形狀有限制。另外，作為無機(jī)的紅色熒光體，例如已知有以CaSiAlN3：Eu為基本組成的CASN以及進(jìn)一步大量含有Sr的SCASN等氮化物熒光體，但只能作為粒狀物獲得，無法制成塊狀的熒光體。另外，氮化物熒光體大多不耐熱，因燒結(jié)時(shí)的熱而熒光體失活，所以無法通過燒結(jié)而制成含有這些熒光體的成型體。本發(fā)明鑒于上述問題，以提供一種厚度、形狀以及使用的無機(jī)熒光體的限制少的波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體及其制造方法以及使用了該波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體的發(fā)光裝置為課題。本發(fā)明是為了解決上述的課題而進(jìn)行的，本發(fā)明的波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體具有基體和含有由無機(jī)材料構(gòu)成的波長(zhǎng)變換部件（無機(jī)波長(zhǎng)變換物質(zhì)）的粒子的無機(jī)粒子層，上述無機(jī)粒子層具有凝集體、覆蓋層和空隙。根據(jù)上述的構(gòu)成，入射到無機(jī)粒子層的第1波長(zhǎng)的光被波長(zhǎng)變換部件所吸收，顏色變換成與第1波長(zhǎng)不同的第2波長(zhǎng)的光而發(fā)光。此時(shí)，向無機(jī)粒子層入射的入射光因無機(jī)粒子層內(nèi)存在的空隙而發(fā)生散射，高效地照射到無機(jī)粒子層內(nèi)的波長(zhǎng)變換部件。由此，入射光被波長(zhǎng)變換部件的粒子高效地吸收，顏色變換為第2波長(zhǎng)的光。其中，波長(zhǎng)變換部件（無機(jī)波長(zhǎng)變換物質(zhì)）吸收第1波長(zhǎng)的光且發(fā)出與第1波長(zhǎng)不同的第2波長(zhǎng)的光，例如為氮化物熒光體、氟化物熒光體等無機(jī)熒光體。另外，在無機(jī)粒子層中，波長(zhǎng)變換部件的粒子是通過該粒子彼此或者該粒子與基體的接觸而成為連續(xù)地連接的凝集體。而且，基板的表面和波長(zhǎng)變換部件的粒子的表面被由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層連續(xù)地覆蓋。即，作為進(jìn)行波長(zhǎng)變換的層的無機(jī)粒子層的厚度、形狀，被波長(zhǎng)變換部件的粒子的凝集體的厚度、形狀所決定。另外，在無機(jī)粒子層的內(nèi)部形成有空隙，該空隙被所述覆蓋層覆蓋的所述粒子、或被所述覆蓋層覆蓋的所述粒子以及被所述覆蓋層覆蓋的所述基體所包圍而成。本發(fā)明的波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體的制造方法包括無機(jī)粒子層形成工序和覆蓋層形成工序，按該順序進(jìn)行。根據(jù)上述順序，首先，在無機(jī)粒子層形成工序中，在基體上形成含有由吸收第1波長(zhǎng)的光且發(fā)出與第1波長(zhǎng)不同的第2波長(zhǎng)的光的無機(jī)材料構(gòu)成的波長(zhǎng)變換部件的粒子的凝集體。即，作為進(jìn)行波長(zhǎng)變換的層的無機(jī)粒子層的厚度、形狀，被波長(zhǎng)變換部件的粒子的凝集體的厚度、形狀所決定。接下來，在覆蓋層形成工序中，形成連續(xù)地覆蓋基體的表面和波長(zhǎng)變換部件的粒子的表面的由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層。即，上述的凝集體是在維持該形狀的狀態(tài)下，通過覆蓋層成為與基體一體化的成型體。根據(jù)本發(fā)明，作為進(jìn)行波長(zhǎng)變換的層的無機(jī)粒子層的厚度、形狀，在用覆蓋層覆蓋波長(zhǎng)變換部件的粒子的凝集體且在內(nèi)部設(shè)置空隙的狀態(tài)下決定厚度、形狀，所以可自由地規(guī)定厚度、形狀。另外，通過這樣地構(gòu)成，無機(jī)粒子層不僅波長(zhǎng)變換部件的含有率得到提高，并且因設(shè)于內(nèi)部的空隙的光散射效果，能夠得到高的波長(zhǎng)變換效率，所以能夠減薄用于得到一定的波長(zhǎng)變換率的無機(jī)粒子層的厚度。另外，無機(jī)粒子層由無機(jī)材料構(gòu)成，不使用樹脂等有機(jī)材料，所以能夠制成即使暴曬于高亮度的光的照射或高溫下其經(jīng)時(shí)劣化也少的波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體。另外，根據(jù)本發(fā)明，作為進(jìn)行波長(zhǎng)變換的層的無機(jī)粒子層的厚度、形狀，被作為波長(zhǎng)變換部件的粒子的凝集體的厚度、形狀所取決，所以可以自由地規(guī)定厚度、形狀。另外，通過利用覆蓋層覆蓋波長(zhǎng)變換部件的粒子的凝集體而制成成型體，所以能夠提高無機(jī)粒子層中的波長(zhǎng)變換部件的含有率，并且利用設(shè)于內(nèi)部的空隙的光散射效果，能夠得到高的波長(zhǎng)變換效率。因此，能夠減薄用于得到一定的波長(zhǎng)變換率的無機(jī)粒子層的厚度。另外，無機(jī)粒子層由無機(jī)材料構(gòu)成，不使用樹脂等有機(jī)材料，所以能夠制成即使暴曬于高亮度的光的照射或高溫下其經(jīng)時(shí)劣化也少的波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體。附圖說明圖1是表示第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的圖，（a）是示意性的剖視圖，（b）是（a）的局部放大圖。圖2是表示第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法的流程的流程圖。圖3是用于說明第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造工序的示意性的剖視圖，（a）表示形成了掩模的情況，（b）表示層疊了熒光體的情況，（c）表示形成了覆蓋層的情況，（d）表示除去了掩模的情況。圖4是表示第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法中的覆蓋層形成工序詳細(xì)處理流程的流程圖。圖5是表示第1實(shí)施方式的變形例的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性的剖視圖，（a）表示制成拱頂型的例子，（b）表示制成管型的例子，（c）表示制成透鏡型的例子。圖6是表示第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性的剖視圖。圖7是表示第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法的流程的流程圖。圖8是表示第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性的剖視圖。圖9是表示第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法的流程的流程圖。圖10是用于說明第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造工序的示意性的剖視圖，（a）表示形成了反射層的情況，（b）表示形成了電介質(zhì)層的情況，（c）表示形成了掩模的情況，（d）表示形成了導(dǎo)電體層的情況。圖11是用于說明第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造工序的示意性的剖視圖，（a）表示層疊了熒光體的情況，（b）表示使導(dǎo)電體層透明化的情況，（c）表示形成了覆蓋層的情況，（d）表示除去了掩模的情況。圖12是表示第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性的剖視圖。圖13是表示第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法的流程的流程圖。圖14是用于說明第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造工序的示意性的剖視圖，（a）表示形成了導(dǎo)電體層的情況，（b）表示層疊了熒光體的情況，（c）表示使導(dǎo)電體層透明化的情況，（d）表示形成了覆蓋層的情況。圖15是表示第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性的剖視圖。圖16是表示第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法的流程的流程圖。圖17是用于說明第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造工序的示意性的剖視圖，（a）表示形成了掩模的情況，（b）表示層疊了熒光體的情況，（c）表示形成了覆蓋層的情況，（d）表示除去了掩模的情況。圖18的（a）是表示第6實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，（b）是表示第7實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖。圖19的（a）是表示第8實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖，（b）是在內(nèi)側(cè)配置熒光體層的例子，（c）是在外側(cè)配置熒光體層的例子。圖20是表示第9實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意圖。圖21是用電子顯微鏡拍攝本發(fā)明實(shí)施例的無機(jī)成型體的熒光體層剖面的照片圖像。圖22是在圖21的區(qū)域A中涂布覆蓋層的圖像。圖23是在圖21的區(qū)域A中涂布覆蓋層和熒光體的圖像。圖24的（a）是表示第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性剖視圖，（b）是表示第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性剖視圖，（c）是表示第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成的示意性剖視圖。圖25是表示第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意性的剖視圖。圖26是表示半導(dǎo)體發(fā)光元件的構(gòu)成的示意性的剖視圖，（a）是正面朝下安裝型或者正面朝上安裝型的元件，（b）是垂直結(jié)構(gòu)型的元件。圖27是表示第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意性的剖視圖。圖28是表示第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法（第1制造方法）的流程的流程圖。圖29的（a）～（h）是用于說明第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法（第1制造方法）的制造工序的示意性的剖視圖。圖30是表示第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置的其他的制造方法（第2制造方法）的流程的流程圖。圖31的（a）～（h）是用于說明第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置的其他的制造方法（第2制造方法）的制造工序的示意性的剖視圖。圖32是表示第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法（第3制造方法）的流程的流程圖。圖33的（a）～（f）是用于說明第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法（第3制造方法）的制造工序的示意性的剖視圖。圖34表示第14實(shí)施方式的變形例的發(fā)光裝置的構(gòu)成，（a）是表示具備保護(hù)層的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意性的剖視圖，（b）是表示具備填料粒子的發(fā)光裝置的構(gòu)成的示意性的剖視圖。符號(hào)說明1、1A1、1A2、1A3、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H無機(jī)成型體（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體）2、2C、2D、2E、2F、2G、2H基板（基體）3熒光體層（無機(jī)粒子層）31無機(jī)熒光體（波長(zhǎng)變換部件（無機(jī)波長(zhǎng)變換物質(zhì)））32覆蓋層33空隙34粒子層（凝集體）35填料粒子4反射層5透光性層6導(dǎo)電體層7電介質(zhì)層8、8a、8b半導(dǎo)體發(fā)光元件（基體、光源）9保護(hù)層10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G發(fā)光裝置11光源12、12AR、12AG、12B、12CR、12CG波長(zhǎng)變換用成型部件（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體）13、13C色輪13a、13Ca旋轉(zhuǎn)軸14B反射部件15子基板15a凹部16B透光部件20掩模部件具體實(shí)施方式以下，對(duì)本發(fā)明中的顏色變換用無機(jī)成型體（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體；以下，省略為“無機(jī)成型體”）、該無機(jī)成型體的制造方法、使用該無機(jī)成型體的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。＜第1實(shí)施方式＞［無機(jī)成型體的構(gòu)成］參照?qǐng)D1說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的結(jié)構(gòu)。如圖1（a）所示，第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1在基板2的上表面和側(cè)面設(shè)置有熒光體層（無機(jī)粒子層）3。另外，熒光體層3由粒狀的無機(jī)熒光體（波長(zhǎng)變換部件）31、覆蓋無機(jī)熒光體31的覆蓋層32形成。更詳細(xì)而言，如圖1（b）所示，在熒光體層3的內(nèi)部形成有空隙33。對(duì)于本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1，使用金屬材料作為基板2，基板2的上表面和側(cè)面作為反射從上方甚至是側(cè)方照射的光的反射面而發(fā)揮功能。因此，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1通過熒光體層3的無機(jī)熒光體31來吸收從上方甚至是側(cè)方入射的光的一部分或全部，用作變換為與入射光不同的顏色（波長(zhǎng)）的光而反射的反射型顏色變換用成型部件。以下，對(duì)無機(jī)成型體1的各部的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。（基板（基體））基板2是用于支撐熒光體層3的由金屬構(gòu)成的板狀的支撐部件。作為基板2，例如可使用Al（鋁）、Cu（銅）、Ag（銀）等后述的在覆蓋層形成工序中的溫度下呈固態(tài)的金屬、含有這些金屬的合金或者這些金屬或合金的層疊體。另外，在本實(shí)施方式中，設(shè)置熒光體層3的基板2的上表面和側(cè)面作為反射面發(fā)揮功能，所以優(yōu)選對(duì)入射到熒光體層3的光和用熒光體層3進(jìn)行顏色變換的光反射率高的基板。另外，基板2的上表面和側(cè)面優(yōu)選實(shí)施鏡面加工、高反射光學(xué)薄膜加工而制成高反射面和/或高光澤面。另外，基板2也可以不是全部由金屬形成，例如在玻璃、無機(jī)化合物、高熱傳導(dǎo)的碳或金剛石的基板上設(shè)置金屬層而構(gòu)成。進(jìn)而，為了使得用熒光體層3進(jìn)行顏色變換的光的斯托克斯損失所產(chǎn)生的發(fā)熱能夠介由基板2高效地散熱，基板2優(yōu)選熱導(dǎo)率高的材料。具體而言，優(yōu)選基板2中使用的材料的熱導(dǎo)率為5W/m·K以上。應(yīng)予說明，在本說明書中，“具有透光性”是指對(duì)入射到無機(jī)成型體1的光（第1顏色的光）和通過無機(jī)成型體1進(jìn)行顏色變換的光（第2顏色的光）具有透光性。（熒光體層（無機(jī)粒子層））熒光體層3是用由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層32覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子的凝集體而成的無機(jī)粒子層。在本實(shí)施方式中，將熒光體層3設(shè)置成覆蓋基板2的上表面和側(cè)面。熒光體層3是具有吸收從上方和側(cè)方入射的光的一部分或全部且發(fā)出與入射的光不同的顏色的光的顏色變換功能的層。如圖1（b）所示，對(duì)于熒光體層3而言，粒狀的無機(jī)熒光體31的粒子被由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層32覆蓋，并且通過該覆蓋層32使無機(jī)熒光體31的粒子和基板2以及粒子彼此固定，構(gòu)成使粒狀的無機(jī)熒光體31一體化的成型體。另外，熒光體層3的表面形成有由無機(jī)熒光體31的粒徑而引起的凹凸。而且，在熒光體層3的內(nèi)部，在無機(jī)熒光體31的粒子間形成有空隙33。入射到熒光體層3的光因該空隙33而發(fā)生散射，被熒光體層3中含有的無機(jī)熒光體31高效地吸收，所以與不具有空隙33的情況相比，能夠得到高顏色變換效率。因此，對(duì)于得到相同的顏色變換率而言，與不具有空隙33的情況相比，能使熒光體層3的厚度變薄。另外，在熒光體層3的表面，具有由無機(jī)熒光體31的粒徑而引起的凹凸，所以能夠減少界面的全反射，能從熒光體層3高效地射出光。因此，作為顏色變換用成型部件使用該無機(jī)成型體1而構(gòu)成發(fā)光裝置時(shí)，能夠得到高發(fā)光效率。另外，熒光體層3可以含有由透光性的堿土類金屬鹽構(gòu)成的無機(jī)粘結(jié)材料（未圖示）。無機(jī)粘結(jié)材料用于將無機(jī)熒光體31與基板2之間和/或無機(jī)熒光體31彼此粘結(jié)。該無機(jī)粘結(jié)材料是在基板2上層疊無機(jī)熒光體31的制造工序中進(jìn)行添加的，用于直到形成覆蓋層32為止使無機(jī)熒光體31的粒子不散逸地粘結(jié)，該覆蓋層32由無機(jī)材料構(gòu)成，通過該覆蓋層32覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子與基板2之間、以及無機(jī)熒光體31的粒子彼此而進(jìn)行穩(wěn)固的粘結(jié)。另外，熒光體層3也可以含有無機(jī)填料、金屬粉等導(dǎo)電體粒子等。例如，通過添加無機(jī)填料，能夠使入射到熒光體層3的光散射、擴(kuò)散，或?qū)⒁蛏鲜龅乃雇锌怂箵p失而導(dǎo)致的發(fā)熱高效地傳導(dǎo)到基板2，從而能夠提高散熱性。另外，通過添加無機(jī)填料，能夠調(diào)整熒光體層3中的無機(jī)熒光體31的含有率。另外，根據(jù)添加的無機(jī)填料的粒徑、形狀，能夠調(diào)整空隙33的形狀、空隙率、熒光體層3的表面的凹凸形狀。另外，通過添加導(dǎo)電體粒子，能夠?qū)⒁蛏鲜龅乃雇锌怂箵p失而導(dǎo)致的發(fā)熱高效地傳導(dǎo)到基板2，從而能夠提高散熱性。作為無機(jī)填料，例如可舉出氮化鋁、鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、二氧化硅、重質(zhì)碳酸鈣、輕質(zhì)碳酸鈣、銀、二氧化硅（硅粉、沉降性二氧化硅等）、鈦酸鉀、硅酸鋇、玻璃纖維、碳、金剛石等以及它們的2種以上的組合。另外，可使用氧化鉭、氧化鈮、稀土類氧化物等主要是光吸收少的透光性材料、反射或吸收特定的波長(zhǎng)的光的無機(jī)化合物。此外，無機(jī)填料可使用與后述的無機(jī)熒光體31的粒徑相同程度的填料。另外，熒光體層3是用覆蓋層32連續(xù)覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子的凝集體而一體化的層，但也可以進(jìn)一步層疊保護(hù)層、反射防止層等。此時(shí)，作為從基板2的上表面到包括保護(hù)層、反射層等的熒光體層3的上表面為止的膜厚的熒光體層3的總膜厚優(yōu)選為10～300μm左右。另外，熒光體層3是無機(jī)熒光體31的粒子的凝集體，所以膜厚受這些的粒徑影響，但可以設(shè)成實(shí)際上有助于顏色變換的熒光體層3的厚度為1～150μm左右，優(yōu)選為5～70μm，更優(yōu)選為10～50μm。此外，“實(shí)際上有助于顏色變換的熒光體層”是指不包括上述的保護(hù)層、反射層的、用覆蓋層32連續(xù)地覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子的凝集體而一體化的層。該熒光體層3的厚度（實(shí)際上有助于顏色變換的熒光體層的厚度和總膜厚）可使用掃描式電子顯微鏡進(jìn)行測(cè)定。另外，與以往的由燒結(jié)陶瓷等構(gòu)成的熒光體的成型體相比，可提高熒光體層3的無機(jī)熒光體31的含有率，并且由于空隙33的存在，能夠減薄用于得到相同的顏色變換率的熒光體層3的膜厚。因此，能夠?qū)⒂蔁晒怏w層3中含有的無機(jī)熒光體31產(chǎn)生的斯托克斯發(fā)熱迅速地傳導(dǎo)至具有散熱功能的基板2。即，可制成散熱性優(yōu)異的無機(jī)成型體1。（無機(jī)熒光體（波長(zhǎng)變換部件：無機(jī)波長(zhǎng)變換材料））無機(jī)熒光體31是由吸收入射到熒光體層3的光且發(fā)出與入射光的顏色不同的顏色的光的無機(jī)材料構(gòu)成的熒光體。用作無機(jī)熒光體31的熒光體材料只要吸收作為激發(fā)光的入射光，將其顏色變換（波長(zhǎng)變換）成不同顏色（波長(zhǎng)）的光即可。無機(jī)熒光體31特別優(yōu)選為吸收紫外光至藍(lán)色光，釋放出藍(lán)色光至紅色光的材料。另外，無機(jī)熒光體31的粒子的平均粒徑?jīng)]有特別限定，可使用0.1～100μm左右的粒徑，從操作容易的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用1～50μm，更優(yōu)選使用2～30μm的粒子。此外，平均粒徑的值是利用空氣透過法或者F.S.S.S.No（Fisher-SubSieve-Sizers-No.）測(cè)得的值（所謂的D杠（在D上加杠）表示的值）。另外，將用激光衍射式粒度分布測(cè)定裝置（例如，島津制作所制的SALDSeries等）或者電阻式粒度分布裝置（例如，COULTER（BECKMANCOULTER）公司制的COULTERCOUNTER等）測(cè)定的中值粒徑Dm（MedianDiameter）與上述的平均粒徑D杠的比的（Dm/D杠）作為表示無機(jī)熒光體31的粒子的分散性的指標(biāo)的情況下，該指標(biāo)值越接近1越優(yōu)選。即，指標(biāo)值越接近1，粒子的分散性越高（粒子不凝集），越能夠形成應(yīng)力少的熒光體層3。由此，能夠抑制熒光體層3中的裂紋的產(chǎn)生。另外，無機(jī)熒光體31可以是1種，也可以混合多種無機(jī)熒光體31的粒子使用。另外，也可以依次層疊多種無機(jī)熒光體31的粒子層。作為用作無機(jī)熒光體31的具體例，可舉出以下的物質(zhì)。例如，優(yōu)選選自用Eu、Ce等鑭系元素主要激活的、氮化物系熒光體·氮氧化物系熒光體·賽隆系熒光體，利用Eu等鑭系、Mn等過渡金屬系的元素主要激活的堿土類鹵素磷灰石熒光體、堿土類金屬鹵素硼酸鹽熒光體、堿土類金屬鋁酸鹽熒光體、堿土類硅酸鹽熒光體、堿土類硫化物熒光體、堿土類硫代鎵熒光體、硫代硅酸鹽熒光體、堿土類氮化硅熒光體、鍺酸鹽熒光體、堿金屬鹵素硅酸鹽熒光體、堿金屬鍺酸鹽熒光體、或者用Ce等鑭系元素主要激活的稀土類鋁酸鹽熒光體、稀土類硅酸鹽熒光體等中的至少1種以上。作為具體例，可使用下述的熒光體，但并不限于此。用Eu、Ce等鑭系元素主要激活的氮化物系熒光體為選自M2Si5N8：Eu、MAlSiN3：Eu（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上）等。另外，除了M2Si5N8：Eu之外，還有MSi7N10：Eu、M1.8Si5O0.2N8：Eu、M0.9Si7O0.1N10：Eu（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上）等。用Eu、Ce等鑭系元素主要激活的氮氧化物系熒光體為MSi2O2N2：Eu（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上）等。用Eu、Ce等鑭系元素主要激活的賽隆系熒光體為Mp/2Si12-p-qAlp＋qOqN16-p：Ce、M-Al-Si-O-N（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上。q為0～2.5，p為1.5～3）等。作為用Eu等的鑭系、Mn等過渡金屬系的元素主要激活的堿土類鹵素磷灰石熒光體，有M5（PO4）3X：R（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上。X為選自F、Cl、Br、I中的至少1種以上。R為Eu、Mn、Eu和Mn中的至少一種。）等。作為堿土類金屬鹵素硼酸鹽熒光體，有M2B5O9X：R（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上。X為選自F、Cl、Br、I中的至少1種以上。R為Eu、Mn、Eu和Mn中的至少一種。）等。作為堿土類金屬鋁酸鹽熒光體，有SrAl2O4：R、Sr4Al14O25：R、CaAl2O4：R、BaMg2Al16O27：R、BaMg2Al16O12：R、BaMgAl10O17：R（R為Eu、Mn、Eu和Mn中的至少一種。）等。作為堿土類金屬硅酸鹽熒光體，有M2SiO4：Eu（M為選自Ca、Sr、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上。）等。作為堿土類硫化物熒光體，有La2O2S：Eu、Y2O2S：Eu、Gd2O2S：Eu等。作為堿金屬鹵素硅酸鹽熒光體，有MSiX6：Mn（M為選自Li、Na、K中的1種以上，X為選自F、Cl、Br、I中的1種以上，另外，可以用Ge取代Si的一部分），用Li2SiF6：Mn、K2（SiGe）F6：Mn的組成式表示的熒光體。作為用Ce等鑭系元素主要激活的稀土類鋁酸鹽熒光體，有用Y3Al5O12：Ce、（Y0.8Gd0.2）3Al5O12：Ce、Y3（Al0.8Ga0.2）5O12：Ce、（Y、Gd）3（Al、Ga）5O12：Ce的組成式表示的YAG系熒光體等。另外，還有用Tb、Lu等取代Y的一部分或全部的Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce等。作為其它的熒光體，有MS：Eu、Zn2GeO4：Mn、0.5MgF2·3.5MgO·GeO2、MGa2S4：Eu（M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少1種以上。）等。這些熒光體還可以根據(jù)需要代替Eu或者除了Eu含有選自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti中的1種以上。另外，還可以使用具有相同的性能、效果的除上述的熒光體以外的熒光體。這些熒光體可使用因來自發(fā)光元件的激發(fā)光，在黃色、紅色、綠色、藍(lán)色具有發(fā)光光譜的熒光體，除此之外，還可使用在作為這些中間色的黃色、藍(lán)綠色、橙色等上具有發(fā)光光譜的熒光體。通過各種各樣地組合使用這些熒光體，能夠制造具有各種發(fā)光色的發(fā)光裝置。例如可提供一種如下的發(fā)光裝置，即，作為光源，使用發(fā)出藍(lán)色光的GaN系或InGaN系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件，照射到Y(jié)3Al5O12：Ce或（Y0.8Gd0.2）3Al5O12：Ce的熒光體，進(jìn)行顏色變換，利用來自發(fā)光元件的光和來自熒光體的光的混合色，發(fā)出白色光。例如，通過使用由發(fā)出綠色到黃色光的CaSi2O2N2：Eu或者SrSi2O2N2：Eu以及發(fā)出藍(lán)色光的（Sr、Ca）5（PO4）3Cl：Eu以及發(fā)出紅色光的Ca2Si5N8：Eu或者CaAlSiN3：Eu構(gòu)成的這3種熒光體，能夠提供發(fā)出彩色再現(xiàn)性優(yōu)異的白色光的發(fā)光裝置。其使用了作為光的三原色的紅·藍(lán)·綠，所以僅改變熒光體的配合比，就能夠?qū)崿F(xiàn)所希望的白色光。此外，作為無機(jī)熒光體31的具體例記載的上述熒光體中，例如有屬于非氧化物系的熒光體的硫化物系熒光體、鹵素硅酸鹽系熒光體、氮化物熒光體、氮氧化物熒光體等這樣的因熱而容易母體分解或激活劑失活的熒光體。另外，還有氟化物熒光體這樣的因水分而潮解等因環(huán)境而劣化的熒光體。在本發(fā)明中，形成無機(jī)成型體1時(shí)，不同于利用燒結(jié)、玻璃密封的成型，不會(huì)成為高溫，所以可使用因熱容易劣化的熒光體，例如屬于非氧化物系熒光體的CASN、SCASN之類的氮化物熒光體。另外，在本發(fā)明中，無機(jī)熒光體31優(yōu)選通過利用后述的原子層沉積法而形成的覆蓋層32致密地覆蓋，所以可使用因水分容易潮解的熒光體，例如LiSiF4：Mn之類的氟化物熒光體。（覆蓋層）覆蓋層32是覆蓋粒狀的無機(jī)熒光體31的粒子且使該粒子和基板2、以及粒子彼此固定的透光性的被膜。即，覆蓋層32具有作為無機(jī)熒光體31的保護(hù)層的功能、作為粘合劑的功能以及作為熱傳導(dǎo)路徑的功能。作為覆蓋層32，可優(yōu)選使用選自Al2O3、SiO2、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Ta2O5、Nb2O5、In2O3、SnO2、TiN、AlN等中的至少1種化合物。另外，覆蓋層32可通過ALD（AtomicLayerDeposition；原子層沉積）法、MOCVD（MetalOrganicChemicalVaporDeposition；有機(jī)金屬化學(xué)氣相生長(zhǎng)）法、PECVD（Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition；等離子體CVD）法、大氣壓等離子體成膜法等而形成。特別優(yōu)選ALD法，因?yàn)樗纬傻谋荒ぶ旅埽瑢?duì)具有階梯差（凹凸）的形狀的覆蓋性高、且能夠形成均勻厚度的被膜。另外，利用ALD法而形成的覆蓋層32即使膜厚薄，也能夠良好地覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子，并且使無機(jī)熒光體31的粒子的凝集體成為一體，能夠進(jìn)一步薄地形成熒光體層3的膜厚。因此，能夠?qū)o機(jī)熒光體31的粒子中產(chǎn)生的斯托克斯發(fā)熱介由薄的覆蓋層32迅速地傳導(dǎo)至具有散熱功能的基板2。由此，能夠形成散熱性優(yōu)異的無機(jī)成型體1。此外，為了得到良好的散熱性，優(yōu)選使熒光體層3的膜厚為上述的范圍，另外，優(yōu)選使覆蓋層32的膜厚為后述的范圍。另外，作為利用ALD法而形成的覆蓋層32的原料，可使用從常溫至300℃以下范圍中具有蒸氣壓的有機(jī)金屬材料、金屬鹵化物等。特別是利用ALD法形成的由Al2O3構(gòu)成的被膜對(duì)水分等的環(huán)境的阻隔性高，從而優(yōu)選。作為用于形成Al2O3膜的原料，可使用TMA（三甲基鋁）和水。另外，覆蓋層32的膜厚的平均厚度可以為10nm～50μm，優(yōu)選為50nm～30μm，更優(yōu)選為100nm～10μm。此外，覆蓋層32的膜厚是指均勻地覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子（添加無機(jī)填料等時(shí)為無機(jī)熒光體31和無機(jī)填料等的粒子）的部分的厚度。此外，覆蓋層32可以作為利用上述的化合物的單一層而形成，也可以作為利用不同種類材料的多層膜而形成。以多層膜形成的情況下，例如作為第1層（與無機(jī)熒光體31相接的層），可以形成利用ALD法的致密的層，接著作為第2層，可以利用PECVD法、大氣壓等離子體成膜法等成膜速度快的方法進(jìn)行成膜。（空隙）空隙33是作為層疊在基板2上的無機(jī)熒光體31的粒子間的間隙而形成。即，空隙33是被基板2、無機(jī)熒光體31和覆蓋層32任意圍起的空間。此外，熒光體層3含有無機(jī)填料、導(dǎo)電性粒子等除無機(jī)熒光體31以外的粒子的情況下，空隙33將作為包含無機(jī)熒光體31的這些粒子間的間隙而形成?？障?3可使入射到熒光體層3的光散射，使入射光高效地被無機(jī)熒光體31所吸收?？障堵蕛?yōu)選為1～50%左右，更優(yōu)選為5～30%?？障堵实淖罴阎等Q于無機(jī)熒光體31的粒徑和覆蓋層32的膜厚，但通過使空隙率為1%以上，能夠有效地使入射光散射，通過為50%以下，即使將熒光體層3減薄的情況下，也能夠得到足夠進(jìn)行顏色變換的無機(jī)熒光體31含量。另外，通過以上述的空隙率的范圍設(shè)置空隙33，從而即使在基板2與熒光體層3之間的線膨脹系數(shù)的差大的情況下，也能夠吸收因制造工序或制造后的使用時(shí)的溫度上升而施加在成型體上的形變，能夠防止裂紋的產(chǎn)生。此外，熒光體層3的空隙率可以通過分別將無機(jī)熒光體31的平均粒徑和覆蓋層32的膜厚調(diào)整為上述的范圍來進(jìn)行控制。即，根據(jù)無機(jī)熒光體31的平均粒徑，規(guī)定覆蓋層32的膜厚，匆匆而能夠形成成為所希望的空隙率的空隙33。另外，向熒光體層3中添加無機(jī)填料時(shí)，能夠根據(jù)結(jié)合無機(jī)熒光體31的粒子與無機(jī)填料的粒子的平均粒徑以及覆蓋層3的膜厚來控制空隙率。另外，優(yōu)選空隙率的控制進(jìn)一步考慮粒子的形狀和粒子的分散性。（空隙的填充物）另外，也可以用填充物填埋空隙33。作為填充物，優(yōu)選為空氣層（N2、O2、CO2等混合氣體）等氣體。但并不限于此，可以制成無機(jī)化合物（例如AlOOH、SiOx等）、無機(jī)原料（例如聚硅氮烷等）、玻璃或納米無機(jī)粒子等固體占填充物的一部分或全部。作為這樣的固體的填充物的原料，可舉出液體玻璃材料、溶膠凝膠材料等含有無機(jī)化合物的液體。另外，作為上述的含有無機(jī)化合物的液體的溶劑，可以使用水、有機(jī)溶劑，進(jìn)一步還可以使用有機(jī)硅、氟樹脂等以無機(jī)物為主體的樹脂。此外，設(shè)置于空隙33的這些固體的填充物還可以含有與構(gòu)成覆蓋層32的材料相同的材料。此時(shí)，對(duì)于覆蓋層32和空隙33的填充物，優(yōu)選折射率、透過率等物性相互不同。因此，例如覆蓋層32可以為利用ALD法形成的Al2O3，空隙33的填充物可以為利用溶膠-凝膠法形成的Al2O3。這樣通過使形成方法不同，能夠使結(jié)晶性密度不同，進(jìn)而使上述的物性不同。這樣，通過用與覆蓋層32物性不同的材料填充空隙33，能夠控制入射到熒光體層3的光的擴(kuò)散、射出。［無機(jī)成型體的制造方法］接下來，對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法，參照?qǐng)D2進(jìn)行說明。如圖2所示，第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法包括掩模工序S10、熒光體層形成工序S11、覆蓋層形成工序S12、以及掩模除去工序S13，按該順序進(jìn)行進(jìn)行。以下，參照?qǐng)D3（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D1和圖2），對(duì)各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。（掩模工序）首先，在掩模工序S10中，如圖3（a）所示，在基板2上，通過粘附掩模部件20覆蓋除形成熒光體層3的位置以外的位置。在本實(shí)施方式中，覆蓋基板2的下表面。作為掩模部件20，例如可使用聚酰亞胺、聚四氟乙烯、聚烯烴等樹脂制的粘性帶、粘接片。另外，也可涂布丙烯酸系樹脂、有機(jī)硅系樹脂或環(huán)氧類樹脂等樹脂材料制成掩模。另外，也可使用光致抗蝕劑對(duì)樹脂系的掩模部件20形成圖案。使用了光刻技術(shù)的掩模在對(duì)微細(xì)的形狀進(jìn)行覆蓋時(shí)有用。這些掩模材料、方法可根據(jù)使用的溫度、環(huán)境、目的進(jìn)行選擇。此外，在本實(shí)施方式中，將熒光體層3設(shè)置于基板2的上表面和側(cè)面，所以用掩模部件20覆蓋基板2的下表面，但也可以通過改變用掩模部件20覆蓋的區(qū)域，在任意的區(qū)域設(shè)置熒光體層3。（熒光體層形成工序（無機(jī)粒子層形成工序））接下來，在熒光體層形成工序S11中，如圖3（b）所示，在基板2的上表面和側(cè)面形成作為無機(jī)熒光體31的粒子的凝集體的粒子層34。在本實(shí)施方式中，利用電沉積（電鍍）法形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。此外，在熒光體層3中添加無機(jī)填料、導(dǎo)電性粒子等無機(jī)粒子的情況下，粒子層34為無機(jī)熒光體31的粒子與粒子的凝集體。根據(jù)電沉積法，室溫下，在加入了使粒狀的無機(jī)熒光體31懸濁的溶液的電鍍槽中，浸漬成為一個(gè)電極的基板2和成為另一個(gè)電極的對(duì)電極，在電極間施加電壓。此外，在基板2側(cè)，施加與無機(jī)熒光體31帶電的極性不同的極性的電壓。由此，使無機(jī)熒光體31的粒子電泳附著在基板2上。無機(jī)熒光體31的粒子層34的厚度可通過調(diào)整被電極間通電的電流和時(shí)間規(guī)定的庫(kù)倫量而進(jìn)行控制。該電沉積法中使用的溶劑沒有特別限定，但可優(yōu)選使用IPA（異丙醇）等醇系溶劑。另外，優(yōu)選在溶液中添加用于使無機(jī)熒光體31的粒子和基板2、以及無機(jī)熒光體31的粒子彼此粘結(jié)的無機(jī)粘結(jié)材料。無機(jī)粘結(jié)材料是使通過電沉積法而層疊的無機(jī)熒光體31的粒子直到作為后續(xù)工序的覆蓋層形成工序S12形成覆蓋層32為止都不散逸的材料。作為無機(jī)粘結(jié)材料，例如可使用Mg離子、Ca離子、Sr離子等堿土類金屬離子。添加的堿土類金屬離子作為氫氧化物、碳酸鹽而析出發(fā)揮粘結(jié)力。這些氫氧化物、碳酸鹽為無色透明，所以即使殘存于制造后的熒光體層3中也不會(huì)降低顏色變換效率。另外，由于是無機(jī)物，所以也不會(huì)因經(jīng)時(shí)變化而使顏色變換效率降低。另外，為了高效地進(jìn)行無機(jī)熒光體31的電泳，優(yōu)選在溶液中添加金屬鹽等帶電控制劑。另外，帶電控制劑也可以不添加在溶液中，而是涂布于無機(jī)熒光體31的粒子上。此外，在本實(shí)施方式中，在熒光體層形成工序S11中，利用電沉積法形成無機(jī)熒光體31的粒子層34，但并不限于此。例如也可以以基板2作為一個(gè)電極，使用靜電涂裝法。另外，在上表面形成熒光體層3時(shí)，還可以使用離心沉降法。除此之外，還可以使用脈沖噴霧法。另外，也可以組合使用上述的方法。（覆蓋層形成工序）接下來，在覆蓋層形成工序S12中，如圖3（c）所示，覆蓋熒光體層形成工序S11中形成的無機(jī)熒光體31的粒子層34，形成使粒子彼此固定的覆蓋層32。在覆蓋層形成工序S12中，覆蓋層32可利用ALD法、MOCVD法等而形成。另外，在進(jìn)行覆蓋層形成工序S12后，還可以進(jìn)一步在熒光體層3的表面將SiO2膜等由無機(jī)材料構(gòu)成的層作為保護(hù)層、無反射涂覆層進(jìn)行形成。該層例如可利用濺射法、CVD法、ALD法、大氣壓等離子體法等而形成。另外，在空隙33作為除空氣層以外的填充物設(shè)置固體時(shí)，可在覆蓋層形成工序S12后，接著如以下說明的那樣進(jìn)行。此外，在進(jìn)行了覆蓋層形成工序S12后的空隙33中填充有空氣。固體的填充物可通過將使固體分散于溶劑中的溶液（含固體的液體）填充到空隙33內(nèi)，使溶劑揮發(fā)后，進(jìn)行低溫加熱使其固體化而設(shè)置。例如將液體玻璃、溶膠凝膠材料等含固體的液體通過滴下或者涂布等供給到熒光體層3上，抽真空。由此，可以將填充在空隙33內(nèi)的空氣從空隙33除去，并且作為替換將含固體的液體填充到空隙33內(nèi)。其后，通過設(shè)成含固體的液體的溶劑揮發(fā)的溫度，能夠在空隙33內(nèi)設(shè)置固體的填充物。此外，為了揮發(fā)溶劑而加熱的溫度優(yōu)選為300℃左右以下的比較低的溫度。（掩模除去工序）最后，在掩模除去工序S13中，如圖3（d）所示，除去掩模部件20。由此，得到在基板2的上表面和側(cè)面形成了熒光體層3的無機(jī)成型體1。另外，進(jìn)行覆蓋層形成工序S12后，也可以進(jìn)一步在熒光體層3的表面作為將SiO2膜等由無機(jī)材料構(gòu)成的層作為保護(hù)層、無反射涂覆層進(jìn)行形成。該層例如可利用濺射法、CVD法、ALD法、大氣壓等離子體法等而形成。另外，在空隙33作為除空氣層以外的填充物設(shè)置固體時(shí)，可在覆蓋層形成工序S12后，接著如以下說明的那樣進(jìn)行。此外，在進(jìn)行了覆蓋層形成工序S12后的空隙33中填充有空氣。固體的填充物可通過將使固體分散于溶劑中的溶液（含固體的液體）填充到空隙33內(nèi)，使溶劑揮發(fā)后，進(jìn)行低溫加熱使其固體化而設(shè)置。例如將液體玻璃、溶膠凝膠材料等含固體的液體通過滴下或者涂布等設(shè)置在熒光體層3上，抽真空。由此，可以將填充在空隙33內(nèi)的空氣從空隙33除去，并且作為替換將含固體的液體填充到空隙33內(nèi)。其后，通過設(shè)為含固體的液體的溶劑揮發(fā)的溫度，能夠在空隙33內(nèi)設(shè)置固體的填充物。此外，為了揮發(fā)溶劑而加熱的溫度優(yōu)選為300℃左右以下的比較低的溫度。（利用ALD法的覆蓋層形成工序）此處，參照?qǐng)D4，對(duì)使用了ALD法時(shí)的覆蓋層形成工序S12進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖4所示，本實(shí)施方式中的覆蓋層形成工序S12包括預(yù)焙工序S121、試樣設(shè)置工序S122、成膜前保管工序S123、第1原料供給工序S124、第1排氣工序S125、第2原料供給工序S126、以及第2排氣工序S127，將從第1原料供給工序S124到第2排氣工序S127反復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)。（預(yù)焙工序）首先，在預(yù)焙工序S121中，對(duì)在基板2的上表面和側(cè)面形成了無機(jī)熒光體31的粒子層34的試樣，進(jìn)行使用烘箱加熱的烘焙處理。在本實(shí)施方式中，以H2O（水）為第1原料、以TMA（三甲基鋁）為第2原料、將Al2O3膜作為覆蓋層32進(jìn)行形成。因此，為了良好地進(jìn)行成膜，優(yōu)選通過使成膜前的試樣中含有的水分等蒸發(fā)而盡可能地將其除去。烘焙處理例如可以將試樣在120℃的烘箱中加熱2小時(shí)左右而進(jìn)行。（試樣設(shè)置工序）接下來，在試樣設(shè)置工序S122中，為了進(jìn)行覆蓋層32的成膜，將試樣投入到反應(yīng)容器（未圖示）中。該反應(yīng)容器與第1原料供給線、第2原料供給線、氮?dú)夤┙o線以及真空線（均未圖示）等連接。（成膜前保管工序）接下來，在成膜前保管工序S123中，將保管試樣的反應(yīng)容器內(nèi)介由例如與旋轉(zhuǎn)泵連接的真空線設(shè)成低壓狀態(tài)，使反應(yīng)容器內(nèi)的狀態(tài)穩(wěn)定化。另外，此時(shí)，向反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)?，將空氣等不需要的物質(zhì)從反應(yīng)容器排出。反應(yīng)容器內(nèi)的壓力例如可以為0.1～10torr（133～13332Pa）左右，氮?dú)獾牧髁靠梢詾?0sccm（33×10-3Pa·m3/s）左右，為了使其穩(wěn)定化而維持該狀態(tài)的時(shí)間可以為10分鐘左右。另外，反應(yīng)容器內(nèi)的溫度例如可以為100℃左右，但成膜溫度可以在50～500℃的范圍內(nèi)自由地設(shè)定。以下的成膜中通常維持該溫度，但并不局限于此，可以在中途變更溫度。此外，成膜中的溫度可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，但考慮到使用的無機(jī)熒光體31的耐熱性，優(yōu)選在50～500℃左右的范圍設(shè)定，更優(yōu)選為100～200℃。利用ALD法的成膜與利用燒結(jié)法的成型以及利用MOCVD法的成膜相比較，可以在低溫下進(jìn)行。因此，能制造特別是使用了耐熱性低的CASN、SCASN等發(fā)出紅色光的無機(jī)熒光體31的無機(jī)成型體1。（第1原料供給工序）接下來，在第1原料供給工序S124中，將作為第1原料的H2O導(dǎo)入到反應(yīng)容器中。H2O作為常溫的蒸氣導(dǎo)入。導(dǎo)入H2O后，等待一定的時(shí)間直到導(dǎo)入的H2O遍布試樣的整面，在試樣的整面進(jìn)行反應(yīng)。此外，相對(duì)于第1原料供給工序S124的所需時(shí)間，將H2O的蒸氣例如以0.001～1秒等短時(shí)間導(dǎo)入到反應(yīng)容器，進(jìn)行H2O的導(dǎo)入。其中，原料的導(dǎo)入時(shí)間可根據(jù)試樣的表面積、裝置的體積、每單位時(shí)間的原料供給量而決定。導(dǎo)入作為原料的H2O后，需要經(jīng)過試樣的整面的反應(yīng)所需的充分的時(shí)間。（第1排氣工序）接下來，在第1排氣工序S125中，將真空線與反應(yīng)容器連接，并且導(dǎo)入氮?dú)?，將未參與反應(yīng)的過度的H2O和副生成物從反應(yīng)容器排氣。此外，本工序中的副生成物為甲烷氣體。（第2原料供給工序）接下來，在第2原料供給工序S126中，在反應(yīng)容器中導(dǎo)入作為第2原料的TMA。TMA作為常溫的蒸氣導(dǎo)入。導(dǎo)入TMA后，等待規(guī)定的時(shí)間直到導(dǎo)入的TMA遍布試樣的整面。此外，TMA的導(dǎo)入與上述的H2O的導(dǎo)入相同地進(jìn)行。其中，原料的導(dǎo)入時(shí)間可根據(jù)試樣的表面積、裝置的體積、每單位時(shí)間的原料供給量而決定。導(dǎo)入作為原料的TMA后，需要經(jīng)過試樣的整面的反應(yīng)所需的充分的時(shí)間。（第2排氣工序）接下來，在第2排氣工序S127中，將真空線與反應(yīng)容器連接，并且導(dǎo)入氮?dú)?，將未參與反應(yīng)的過度的TMA和副生成物從反應(yīng)容器排氣。本實(shí)施方式的成膜工序中，將第1原料供給工序S124至第2排氣工序S127作為成膜的基本循環(huán)，反復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的循環(huán)。因此，在第2排氣工序S127結(jié)束后，判定是否進(jìn)行了規(guī)定次數(shù)的該循環(huán)（步驟S128），未完成規(guī)定次數(shù)的情況下（步驟S128中為No），返回第1原料供給工序S124，重復(fù)上述的循環(huán)。另一方面，完成了規(guī)定次數(shù)的情況下（步驟S128中為Yes），結(jié)束覆蓋層形成工序。根據(jù)ALD法，通過進(jìn)行1次成膜的基本循環(huán)，覆蓋層32以原子層等級(jí)為單位而層疊。因此，根據(jù)執(zhí)行的循環(huán)數(shù)，能夠自由地控制覆蓋層32的厚度。另外，覆蓋層32是以原子層等級(jí)為單位層疊的，所以能夠形成對(duì)凹凸形狀等階梯差的覆蓋性高、針孔極少的致密且均勻的厚度的膜。另外，通過形成適度厚度的覆蓋層32，能夠不完全填埋無機(jī)熒光體31的粒子間的間隙，將其作為空隙33（參照?qǐng)D1（b））殘留于熒光體層3中。另外，根據(jù)ALD法，能夠致密且均勻地覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子，所以能夠使用因水分易于劣化的氟化物熒光體等。此外，將氟化物熒光體這樣的因水分易于劣化的熒光體加工為無機(jī)成型體1時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行如下步驟。首先，預(yù)先利用各種的涂覆法對(duì)無機(jī)熒光體31的粒子的表面進(jìn)行耐水涂布。接下來，使用實(shí)施了耐水涂布的無機(jī)熒光體31，短時(shí)間內(nèi)，在基板2的表面利用電沉積法或靜電涂裝法等形成粒子層34。而且，通過利用ALD法，形成覆蓋層32，使基板2和粒子層34一體化，成型加工成塊體。由此，能夠在防止制造工序中的水分的影響的同時(shí)制成無機(jī)成型體1。另外，制造后，能夠制成利用覆蓋層32來從水分等環(huán)境進(jìn)行保護(hù)的不易劣化的無機(jī)成型體1。＜第1實(shí)施方式的變形例＞接下來，參照?qǐng)D5，對(duì)第1實(shí)施方式的變形例的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1是在平板狀的基板2上設(shè)置熒光體層3的成型體。在本發(fā)明中，熒光體層3是使粒狀的無機(jī)熒光體31附著在基板2上，通過覆蓋層32固定而成型的，所以對(duì)基板2的形狀沒有太大的限制。例如，圖5（a）所示的無機(jī)成型體1A1是在拱頂狀（半球狀）的基板2的表面設(shè)置熒光體層3的成型體。另外，圖5（b）所示的無機(jī)成型體1A2是在管狀的基板2的表面設(shè)置熒光體層3的成型體。另外，圖5（c）所示的無機(jī)成型體1A3是在凸透鏡形的基板2的凸面上設(shè)置熒光體層3的成型體。基板2的形狀不限于這些例子，進(jìn)而可使用復(fù)雜的形狀的基板2。此外，圖5所示的例子中，省略空隙33的記載。另外，可在鋼絲狀、網(wǎng)狀的基板（基體）上形成熒光體層3。另外，本變形例的無機(jī)成型體1A1～1A3，除了基板2的形狀不同之外，可以與第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1同樣地進(jìn)行制造，所以省略制造方法的說明。＜第2實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體進(jìn)行說明。［無機(jī)成型體的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D6，對(duì)第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖6所示，第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B在基板2的上表面具有反射層4，介由反射層4，在基板2的上表面設(shè)置熒光體層3。除了設(shè)置反射層4和僅在上表面設(shè)置熒光體層3之外，與圖1的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1相同。相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷哉f明。此外，在圖6中，省略空隙33的記載。（反射層）在本實(shí)施方式中，在基板2的上表面設(shè)置金屬層作為反射層4，其與構(gòu)成基板2的材料相比，對(duì)為了顏色變換而入射到熒光體層3的顏色的光和用熒光體層3進(jìn)行顏色變換的顏色的光的反射率高。特別是作為在可見光區(qū)域中的反射率高的金屬，可優(yōu)選使用Al、Ag或含這些金屬的合金。此外，基板2可與第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1同樣地使用金屬。另外，例如通過使用熱傳導(dǎo)率高的Cu作為基板2，使用反射率高的Al、Ag作為反射層4，能夠同時(shí)提高散熱性和顏色變換效率。另外，反射層4不局限于單一層，也可以是多層結(jié)果。另外，也可以在基板2與反射層4之間設(shè)置中間層，進(jìn)而可以提高基板2與反射層4之間的接合性。另外，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B可作為將圖6中從上方入射的光用熒光體層3進(jìn)行顏色變換，用反射層4反射到上方后射出顏色變換的光的反射型的顏色變換用成型部件而使用。此外，本實(shí)施方式中，由于設(shè)置了反射層4，所以基板2不限于金屬，即使使用玻璃、樹脂等透光性的材料，也能夠形成作為反射型的顏色變換用成型部件而使用的無機(jī)成型體1B。熒光體層3與第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1的熒光體層3相同，所以省略詳細(xì)的說明。此外，在本實(shí)施方式中，將熒光體層3介由反射層4僅設(shè)置在基板2的上表面，但并不限于此。也可以介由反射層4設(shè)置在上表面和側(cè)面，也可以設(shè)置在下表面，另外，也可以僅設(shè)置在上表面的一部分。另外，基板2的形狀不限于平板狀，如圖5所示，可以使用任意形狀的基板。［無機(jī)成型體的制造方法］接下來，參照?qǐng)D7（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D6），對(duì)第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B的制造方法進(jìn)行說明。如圖7所示，第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B的制造方法包括反射層形成工序S14、掩模工序S10、熒光體層形成工序S11、覆蓋層形成工序S12以及掩模除去工序S13，按該順序進(jìn)行。第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B的制造方法，除了作為最初的工序進(jìn)行反射層形成工序S14之外，與圖2所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1的制造方法相同，所以相同的工序賦予相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷哉f明。（反射層形成工序）首先，在反射層形成工序S14中，在基板2上形成反射層4。反射層4可將Al、Ag或含這些金屬的合金等成為反射層4的金屬材料，利用濺射法、蒸鍍法等層疊在基板2上而形成。另外，為了提高反射率，也可以在基板2上形成反射層4后實(shí)施鏡面加工。（熒光體層形成工序）在熒光體層形成工序S11中，以反射層4作為電極，利用電沉積法或靜電涂裝法在反射層4上形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。此外，基板2即使為絕緣體，通過將屬于導(dǎo)電體的金屬用作反射層4，從而能夠以反射層4作為電極，利用電沉積法、靜電涂裝法來形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。掩模工序S10、覆蓋層形成工序S12以及掩模除去工序S13與第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1的制造方法相同，所以省略說明。＜第3實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體進(jìn)行說明。［無機(jī)成型體的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D8，對(duì)第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖8所示，對(duì)于第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C，在基板2的上表面按反射層4、電介質(zhì)層7和透光性層5的順序進(jìn)行層疊，介由反射層4、電介質(zhì)層7以及透光性層5在基板2的上表面設(shè)置熒光體層3。反射層4與熒光體層3之間設(shè)置電介質(zhì)層7和透光性層5，除此之外，與圖6所示的第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B相同。相同的構(gòu)成要素賦予相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷哉f明。此外，在圖8中，省略空隙33的記載。（電介質(zhì)層）電介質(zhì)層7介由透光性層5，設(shè)置在反射層4和熒光體層3之間。通過配置電介質(zhì)層3，使在熒光體層3擴(kuò)散的光更高效地用反射層4反射。由此，能夠提高從無機(jī)成型體1C的光射出效率。另外，電介質(zhì)層7不限于單層，也可制成多層膜。通過層疊折射率不同的2種以上的介電膜，能夠作為反射層發(fā)揮功能。用電介質(zhì)多層膜反射的光的波長(zhǎng)區(qū)域可以根據(jù)構(gòu)成多層膜的介電膜的折射率和膜厚的組合，在350～800nm之間任意設(shè)定。另外，這樣的電介質(zhì)多層膜的層數(shù)可設(shè)定為2～100層左右，總膜厚為0.1～20μm左右。另外，以使僅用反射層4無法充分反射的波長(zhǎng)區(qū)域的光用電介質(zhì)層7反射的方式設(shè)定電介質(zhì)層7的反射波帶，進(jìn)而能夠提高光的射出效率。作為電介質(zhì)層7，優(yōu)選使用選自SiO2、Al2O3、Nb2O5、ZrO2、AlN、TiO2、SiON、SiN中的1種以上的材料。另外，將電介質(zhì)層7制成多層膜時(shí)，交替層疊由從這些材料中選擇的折射率顯著不同的2種材料構(gòu)成的膜而進(jìn)行配置。作為折射率顯著不同的材料的優(yōu)選的組合，例如可舉出SiO2和ZrO2、SiO2和Nb2O5。另外，為了反射白色光，優(yōu)選電介質(zhì)層7反射的波長(zhǎng)區(qū)域?yàn)?00～800nm。另外，考慮到散熱性和反射率，優(yōu)選多層膜的層數(shù)為6～50層，總膜厚為1～5μm。（透光性層）透光性層5是將在后述的熒光體層形成工序S11（參照?qǐng)D9）中為了在基板2上利用電沉積法或者靜電涂裝法形成無機(jī)熒光體31的粒子層34而作為電極使用的導(dǎo)電體層6（參照?qǐng)D10（d））透明化的透光性層或透明導(dǎo)電體層。因此，透光性層5可使用在上述的制造工序中具有導(dǎo)電性并其后可透明化的材料或具有導(dǎo)電性的透光性的材料。作為具有導(dǎo)電性并其后可透明化的材料，可舉出含有選自Al、Si、Zn、Sn、Mg、In中的至少一種的金屬材料。例如，Al可通過暴露在90℃左右的熱水中而氧化，變成透光性的Al2O3。如此地，Al可以在比較低的溫度下氧化形成透明，所以優(yōu)選。此時(shí)，Al2O3膜作為透光性層5被形成。另外，作為覆蓋層32形成Al2O3膜時(shí)，將成為相同的材料，所以覆蓋層32與透光性層5良好地密合。因此，將無機(jī)熒光體31良好地從水分等環(huán)境保護(hù)，從而防止熒光體層3從基板2C剝離。對(duì)于Al以外的材料，通過使透光性層5和覆蓋層32為相同的材料，從而得到透光性層5與覆蓋層32之間的良好的密合性，因而優(yōu)選。另外，作為將導(dǎo)電體層6變換為透光性層5的其它的方法，可使用利用氨水的處理。例如，使用Al或者Zn作為導(dǎo)電體層6的材料時(shí)，通過用氨水處理，能夠分別變換為透光性的Al（OH）3（氫氧化鋁）、Zn（OH）2（氫氧化鋅）。另外，這些將作為凝膠狀的物質(zhì)而生成，所以還能夠期待作為無機(jī)熒光體31的粒子彼此的粘結(jié)材料的效果。另外，作為具有導(dǎo)電性的透光性的材料，例如可舉出含有選自Zn（鋅）、In（銦）、Sn（錫）、Ga（鎵）以及Mg（鎂）中的至少1種元素的導(dǎo)電性金屬氧化物。具體而言，有ZnO、AZO（Al摻雜ZnO）、IZO（In摻雜ZnO）、GZO（Ga摻雜ZnO）、In2O3、ITO（Sn摻雜In2O3）、IFO（F摻雜In2O3）、SnO2、ATO（Sb摻雜SnO2）、FTO（F摻雜SnO2）、CTO（Cd摻雜SnO2）、MgO等導(dǎo)電性金屬氧化物。此外，使用具有導(dǎo)電性的透光性的材料時(shí)，在后述的制造方法中，可省略導(dǎo)電體層透明化工序S17（參照?qǐng)D9）。此外，在本實(shí)施方式中，將熒光體層3介由反射層4、電介質(zhì)層7以及透光性層5設(shè)置在基板2的上表面，但并不限于此。也可以介由反射層4、電介質(zhì)層7以及透光性層5設(shè)置在上表面和側(cè)面，也可以設(shè)置在下表面，另外，也可以僅設(shè)置在上表面的一部分。另外，基板2的形狀不限于平板狀，如圖5所示，可以使用任意形狀的基板。另外，也可以在基板2與反射層4之間進(jìn)一步設(shè)置碳納米管層、類金剛石碳層之類的高熱傳導(dǎo)性的層。另外，基板2具有反射性時(shí)，也可以不設(shè)置反射層4，在基板2上直接設(shè)置電介質(zhì)層7。［無機(jī)成型體的制造方法］接下來，對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法，參照?qǐng)D9進(jìn)行說明。如圖9所示，第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法包括反射層形成工序S14、電介質(zhì)層形成工序S15、掩模工序S10、導(dǎo)電體層形成工序S16、熒光體層形成工序S11、導(dǎo)電體層透明化工序S17、覆蓋層形成工序S12以及掩模除去工序S13，按該順序進(jìn)行。以下，參照?qǐng)D10和圖11（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D8和圖9），對(duì)各工序詳細(xì)進(jìn)行說明。（反射層形成工序）首先，在反射層形成工序S14中，如圖10（a）所示，在基板2上形成反射層4。本實(shí)施方式的反射層形成工序S14與第2實(shí)施方式的反射層形成工序S14相同，所以省略詳細(xì)說明。（電介質(zhì)層形成工序）接下來，在電介質(zhì)層形成工序S15中，如圖10（b）所示，在反射層4上形成電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7可通過將SiO2、Al2O3、Nb2O5、ZrO2、AlN、TiO2、SiON、SiN等透光性的電介質(zhì)材料利用濺射法、蒸鍍法等層疊在反射層4上。另外，將電介質(zhì)層7形成為電介質(zhì)多層膜的構(gòu)成時(shí)，可通過組合上述的電介質(zhì)材料中的折射率顯著不同的材料（例如，SiO2和ZrO2的組合、SiO2和Nb2O5的組合等）交替層疊而形成。（掩模工序）接下來，在掩模工序S10中，如圖10（c）所示，對(duì)于作為設(shè)置熒光體層3的區(qū)域的電介質(zhì)層7的上表面以外，使用膠帶、光致抗蝕劑等掩模部件20實(shí)施掩模。本實(shí)施方式的掩模工序S10，除了掩模的部位不同之外，與第1實(shí)施方式的掩模工序S10相同，所以省略詳細(xì)說明。（導(dǎo)電體層形成工序）接下來，在導(dǎo)電體層形成工序S16中，如圖10（d）所示，在電介質(zhì)層7上形成由導(dǎo)電體材料構(gòu)成的導(dǎo)電體層6。作為導(dǎo)電體層6，可使用作為后續(xù)工序的導(dǎo)電體層透明化工序S17中能夠透明化的材料，例如可使用Al。導(dǎo)電體層6例如可利用濺射法、蒸鍍法、鍍覆法等而形成。另外，作為導(dǎo)電體材料，可使用ITO、ZnO等上述的具有透光性的材料，可利用例如濺射法、蒸鍍法等物理的方法或噴霧法、CVD（化學(xué)氣相生長(zhǎng)）法等化學(xué)方法等來形成導(dǎo)電體層6。此外，使用透光性材料來形成導(dǎo)電體層6時(shí)，可省略導(dǎo)電體層透明化工序S17。（熒光體層形成工序）接下來，在熒光體層形成工序S11中，如圖11（a）所示，以導(dǎo)電體層6作為電極，利用電沉積法或者靜電涂裝法，在基板2的上表面，介由反射層4、電介質(zhì)層7以及導(dǎo)電體層6形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。本實(shí)施方式的熒光體層形成工序S11與第1實(shí)施方式的熒光體層形成工序S11相同，所以省略詳細(xì)說明。此外，使用離心沉降法或者脈沖噴霧法來形成無機(jī)熒光體31的粒子層34時(shí)，不需要形成導(dǎo)電體層6。此時(shí)，能夠省略導(dǎo)電體層形成工序S16和導(dǎo)電體層透明化工序S17。此時(shí)，能形成如下的構(gòu)成的無機(jī)成型體：在圖8所示的無機(jī)成型體1C中，不具有透光性層5，在電介質(zhì)層7上直接設(shè)置有熒光體層3。（導(dǎo)電體層透明化工序）接下來，在導(dǎo)電體層透明化工序S17中，如圖11（b）所示，使導(dǎo)電體層6透明化，變化為透光性層5。用Al膜形成導(dǎo)電體層6時(shí)，例如可以通過暴露在90℃左右的熱水，將Al氧化，變化為透光性的Al2O3膜。另外，用Al膜生成導(dǎo)電體層6時(shí)，也可以用氨水進(jìn)行處理，將Al變化為透光性的Al（OH）3。另外，可以使形成導(dǎo)電體層6的金屬溶解、除去。即，也可以代替導(dǎo)電體層透明化工序S17，進(jìn)行導(dǎo)電體層除去工序。作為除去導(dǎo)電體層6的方法，可使用利用酸的溶解反應(yīng)。作為酸，例如可使用HCl（鹽酸）、H2SO4（硫酸）、HNO3（硝酸）、其它的無機(jī)酸或者有機(jī)酸的水溶液。例如使用Al作為導(dǎo)電體層6的材料時(shí)，通過浸漬于酸水溶液中，使其變成Al3＋而溶解于酸水溶液中，進(jìn)行除去。另外，作為導(dǎo)電體層6的材料使用Al、Zn或者Sn等兩性金屬時(shí)，作為除去導(dǎo)電體層6的方法，可使用利用NaOH（氫氧化鈉）、KOH（氫氧化鉀）或者其它的堿水溶液的溶解反應(yīng)。例如作為導(dǎo)電體層6的材料使用Al、Zn或者Sn時(shí)，通過使其與氫氧化鈉水溶液反應(yīng)，從而分別生成Na［Al（OH）4］、Na2［Zn（OH）4］］、Na2［Sn（OH）4］等配位離子，溶解在堿水溶液中而進(jìn)行除去。此外，除去導(dǎo)電體層6時(shí)，能夠形成如下構(gòu)成的無機(jī)成型體：圖8所示的第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C中，不具有透光性層5，在電介質(zhì)層7上直接設(shè)置有熒光體層3。（覆蓋層形成工序）接下來，在覆蓋層形成工序S12中，如圖11（c）所示，例如利用ALD法，形成覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子的覆蓋層32。無機(jī)熒光體31的粒子被覆蓋層32覆蓋，并且無機(jī)熒光體31的粒子和透光性層5、以及無機(jī)熒光體31的粒子彼此固定，得到一體化的無機(jī)成型體1C。另外，用相同的材料形成透光性層5和覆蓋層32時(shí)，能使熒光體層3和透光性層5的密合性好，與透光性層5相接的無機(jī)熒光體31得到良好的對(duì)水分等環(huán)境的阻隔性，能使熒光體層3不易從無機(jī)成型體1C剝離。此外，本實(shí)施方式的覆蓋層形成工序S12與第1實(shí)施方式的覆蓋層形成工序S12相同，所以省略詳細(xì)說明。（掩模除去工序）最后，在掩模除去工序S13中，如圖11（d）所示，除去掩模部件20。由此，得到在基板2的上表面層疊反射層4、電介質(zhì)層7、透光性層5以及熒光體層3而形成的無機(jī)成型體1C。＜第4實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體進(jìn)行說明。［無機(jī)成型體的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D12，對(duì)第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖12所示，第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D是在透光性的基板2D的上表面具有透光性層5，介由透光性層5在基板2D的上表面設(shè)置有熒光體層3。第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D與圖1所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1的不同點(diǎn)在于：代替金屬制的基板2使用透光性的基板2D；在基板2D的上表面設(shè)置透光性層5；熒光體層3僅設(shè)置在基板2D的上表面?zhèn)?。?實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D將作為將入射到熒光體層3的光進(jìn)行顏色變換并將其從與入射面相反的一側(cè)的表面射出的透過型的顏色變換用成型部件被使用。（基板（基體））基板2D是具有透光性并具有用于支撐熒光體層3的功能、控制光的功能、使熱高效地散熱的功能等的部件。作為基板2，可根據(jù)目的選擇各種材料。作為基板2D，例如可使用玻璃、Al2O3、SiO2等氧化物、復(fù)合氧化物，AlN、GaN等氮化物、氮氧化物，SiC等碳化物、碳氮化合物，鹵化物、透光性碳等透明的無機(jī)材料。另外，基板2D選擇對(duì)入射光和熒光體層3所發(fā)出的光的透光性至少為50%以上、優(yōu)選為70%以上、更優(yōu)選為90%以上的材料。具有透光性的材料通常為絕緣性，進(jìn)而可通過在表面設(shè)置使用了透光性的導(dǎo)電材料的膜而使其具有導(dǎo)電性，或基板2D整體使用具有透光性的導(dǎo)電材料，以使在后述的熒光體層3的形成工序中能夠利用電沉積法等。另外，也可以使透光性的基板2D具有光控制性，可以附加特定的光的透過性、光擴(kuò)散性、光吸收性、光遮擋性、光變換功能等。例如在LD（激光二極管）的上表面將無機(jī)成型體1D配置成設(shè)有熒光體層3的一側(cè)成為來自LD的光的入射面的發(fā)光裝置中，對(duì)用于消除從LD射出的第1顏色的光的漏出的危險(xiǎn)性的構(gòu)成例進(jìn)行說明。若從LD射出的第1顏色的光入射到熒光體層3，則被熒光體層3進(jìn)行顏色變換后的第2顏色的光和未被熒光體層3進(jìn)行顏色變換的第1顏色的光將一起入射到基板2D。此時(shí)，可以能夠賦予對(duì)光的透過性具有波長(zhǎng)選擇性的功能的方式選擇材料，以使第2顏色的光透過基板2D，使第1顏色的光被基板2D遮擋或吸收。通過這樣構(gòu)成，能夠使LD所射出的第1顏色的光不直接從背面（基板2D側(cè)）射出。作為這樣的構(gòu)成，例如可使用高硼硅玻璃作為基板2D的材料，或在基板2D的表面設(shè)置電介質(zhì)反射膜。另外，可以在具有透光性的基板2D的內(nèi)部或者表面，使其具有光擴(kuò)散性。通過形成這樣的構(gòu)成，能夠進(jìn)一步提高顏色變換的均勻性。另外，基板2D還可使用熒光體陶瓷、發(fā)光玻璃、含納米材料的玻璃等具有光變換功能的材料。例如可以使用YAG系熒光體構(gòu)成基板2D，構(gòu)成為在該基板2D上設(shè)置使用了紅色熒光體的熒光體層3。通過這樣構(gòu)成，能夠提高無機(jī)成型體1D的顏色變換效率。進(jìn)而，為了能夠?qū)⒈粺晒怏w層3進(jìn)行顏色變換后的光的斯托克斯損失所導(dǎo)致的發(fā)熱介由基板2D高效地散熱，優(yōu)選基板2D使用熱導(dǎo)率高的材料。具體而言，優(yōu)選基板2D中使用的材料的熱導(dǎo)率為5W/m·K以上，更優(yōu)選為100W/m·K以上。作為這樣的熱導(dǎo)率高的透光性的材料，例如可舉出AlN。另外，基板2D的形狀不限于板狀，也可以采取立體結(jié)構(gòu)，其可作為結(jié)構(gòu)部件保持熒光體層3的同時(shí)可賦予組裝發(fā)光裝置的功能、聚光功能。例如對(duì)玻璃制的基板2實(shí)施加工而使其具有透鏡功能之后將熒光體層3直接形成于透鏡形狀的基板2D，進(jìn)而可以形成使透鏡和作為顏色變換部件的熒光體層3成為一體的結(jié)構(gòu)的顏色變換用無機(jī)成型體1D。通過這樣的構(gòu)成，使光控制變得容易。（透光性層）透光性層5是將在后述的熒光體層形成工序S21（參照?qǐng)D13）中為了在基板2D上利用電沉積法或者靜電涂裝法而形成無機(jī)熒光體31的粒子層34而作為電極使用的導(dǎo)電體層6（參照?qǐng)D14（b））透明化的透光性層或透明導(dǎo)電體層。因此，透光性層5可使用在上述的制造工序中具有導(dǎo)電性且其后可透明化的材料或具有導(dǎo)電性的透光性的材料。作為具有導(dǎo)電性且其后可透明化的材料，可舉出含有選自Al、Si、Zn、Sn、Mg、In中的至少一種的金屬材料。例如，Al可通過暴露在90℃左右的熱水中而氧化，變化為透光性的Al2O3。如此地，Al可以在比較低的溫度下氧化形成透明，所以優(yōu)選。此時(shí)，Al2O3膜將作為透光性層5形成。另外，作為覆蓋層32形成Al2O3膜時(shí)，因?yàn)槭窍嗤牟牧?，所以覆蓋層32與透光性層5良好地密合。因此，能將無機(jī)熒光體31良好地從水分等環(huán)境保護(hù)，從而防止熒光體層3從基板2D剝離。對(duì)于Al以外的材料，通過使透光性層5和覆蓋層32為相同的材料，可得到透光性層5與覆蓋層32之間的良好的密合性，因而優(yōu)選。另外，作為將導(dǎo)電體層6變換為透光性層5的其它的方法，可使用利用氨水的處理。例如，使用Al或者Zn作為導(dǎo)電體層6的材料時(shí)，通過用氨水處理，能夠分別變換為透光性的Al（OH）3（氫氧化鋁）、Zn（OH）2（氫氧化鋅）。另外，這些將作為凝膠狀的物質(zhì)而生成，所以還能夠期待作為無機(jī)熒光體31的粒子彼此的粘結(jié)材料的效果。另外，作為具有導(dǎo)電性的透光性的材料，例如可舉出含有選自Zn（鋅）、In（銦）、Sn（錫）、Ga（鎵）以及Mg（鎂）中的至少1種元素的導(dǎo)電性金屬氧化物。具體而言，有ZnO、AZO（Al摻雜ZnO）、IZO（In摻雜ZnO）、GZO（Ga摻雜ZnO）、In2O3、ITO（Sn摻雜In2O3）、IFO（F摻雜In2O3）、SnO2、ATO（Sb摻雜SnO2）、FTO（F摻雜SnO2）、CTO（Cd摻雜SnO2）、MgO等導(dǎo)電性金屬氧化物。此外，使用具有導(dǎo)電性的透光性的材料時(shí)，在后述的制造方法中可省略導(dǎo)電體層透明化工序S22（參照?qǐng)D13）。此外，熒光體層3的內(nèi)部構(gòu)成與圖1（b）所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1的熒光體層3相同。另外，圖12中，省略空隙33的記載。［無機(jī)成型體的制造方法］接下來，對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法，參照?qǐng)D13進(jìn)行說明。如圖13所示，第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法包括導(dǎo)電體層形成工序S20、熒光體層形成工序S21、導(dǎo)電體層透明化工序S22以及覆蓋層形成工序S23，按該順序進(jìn)行。以下，參照?qǐng)D14（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D12和圖13），對(duì)各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。（導(dǎo)電體層形成工序）首先，在導(dǎo)電體層形成工序S20中，如圖14（a）所示，對(duì)于基板2D，在作為形成熒光體層3的區(qū)域的上表面形成構(gòu)成導(dǎo)電體材料的導(dǎo)電體層6。作為導(dǎo)電體層6，可使用在屬于后續(xù)工序的導(dǎo)電體層透明化工序S22中能夠進(jìn)行透明化的材料，例如Al。導(dǎo)電體層6例如可利用濺射法、蒸鍍法、鍍覆法等而形成。此外，在將導(dǎo)電體層6成膜前，對(duì)于設(shè)有熒光體層3的區(qū)域以外，使用膠帶、光致抗蝕劑等實(shí)施掩模。另外，作為導(dǎo)電體材料，可使用ITO、ZnO等上述的具有透光性的材料，例如可利用濺射法、蒸鍍法等物理的方法或噴霧法、CVD（化學(xué)氣相生長(zhǎng)）法等化學(xué)方法等來形成導(dǎo)電體層6。此外，使用透光性材料來形成導(dǎo)電體層6時(shí)，能夠省略導(dǎo)電體層透明化工序S22。（熒光體層形成工序）接下來，在熒光體層形成工序S21中，如圖14（b）所示，以導(dǎo)電體層6作為電極，利用電沉積法或者靜電涂裝法，在基板2D的上表面，介由導(dǎo)電體層6形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。本實(shí)施方式的熒光體層形成工序S21與第1實(shí)施方式的熒光體層形成工序S11相同，所以省略詳細(xì)說明。此外，使用離心沉降法或者脈沖噴霧法來形成無機(jī)熒光體31的粒子層34時(shí)，不需要形成導(dǎo)電體層6。此時(shí)，能夠省略導(dǎo)電體層形成工序S20和導(dǎo)電體層透明化工序S22。此時(shí)，可以形成如下構(gòu)成的無機(jī)成型體：在圖12所示的無機(jī)成型體1D中，不具有透光性層5，在具有非導(dǎo)電性的透光性的基板2D上直接設(shè)置有熒光體層3。（導(dǎo)電體層透明化工序）接下來，在導(dǎo)電體層透明化工序S22中，如圖14（c）所示，使導(dǎo)電體層6透明化，變化為透光性層5。用Al膜形成導(dǎo)電體層6時(shí)，例如可以通過暴露在90℃左右的熱水，將Al氧化，變化為透光性的Al2O3膜。另外，用Al膜生成導(dǎo)電體層6時(shí)，也可以用氨水進(jìn)行處理，將Al變化為透光性的Al（OH）3。另外，可以使形成導(dǎo)電體層6的金屬溶解而除去。作為除去導(dǎo)電體層6的方法，可使用利用酸的溶解反應(yīng)。作為酸，例如可使用HCl（鹽酸）、H2SO4（硫酸）、HNO3（硝酸）、其它的無機(jī)酸或者有機(jī)酸的水溶液。例如使用Al作為導(dǎo)電體層6的材料時(shí)，通過浸漬于酸水溶液中，使其變成Al3＋，溶解在酸水溶液中而進(jìn)行除去。另外，作為導(dǎo)電體層6的材料使用Al、Zn或者Sn等兩性金屬時(shí)，作為除去導(dǎo)電體層6的方法，可使用利用NaOH（氫氧化鈉）、KOH（氫氧化鉀）或者其它的堿水溶液的溶解反應(yīng)。例如作為導(dǎo)電體層6的材料使用Al、Zn或者Sn時(shí)，通過使其與氫氧化鈉水溶液反應(yīng)，從而分別生成Na［Al（OH）4］、Na2［Zn（OH）4］］、Na2［Sn（OH）4］等配位離子，溶解在堿水溶液中而進(jìn)行除去。此外，除去導(dǎo)電體層6時(shí)，能夠形成如下構(gòu)成的無機(jī)成型體：在圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D中，不具有透光性層5，在具有非導(dǎo)電性的透光性的基板2D上直接設(shè)置有熒光體層3。（覆蓋層形成工序）接下來，在覆蓋層形成工序S23中，如圖14（d）所示，例如利用ALD法，形成覆蓋無機(jī)熒光體31的粒子的覆蓋層32。無機(jī)熒光體31的粒子被覆蓋層32覆蓋，并且無機(jī)熒光體31的粒子和透光性層5以及無機(jī)熒光體31的粒子彼此固定，得到一體化的無機(jī)成型體1D。另外，用相同的材料形成透光性層5和覆蓋層32時(shí)，可以使熒光體層3和透光性層5的密合性變良好，與透光性層5相接的無機(jī)熒光體31得到良好的對(duì)水分等環(huán)境的阻隔性，可以使熒光體層3不易從無機(jī)成型體2D剝離。此外，覆蓋層形成工序S23與第1實(shí)施方式的覆蓋層形成工序S12相同，所以省略詳細(xì)說明。另外，作為本實(shí)施方式的變形例，可使用含熒光體的陶瓷作為基板2D。例如可以以利用燒結(jié)法形成的LAG（镥·鋁·石榴石）熒光體陶瓷燒結(jié)板作為基板2D，在基板2D上形成含有與該基板內(nèi)含有的熒光體不同的熒光體的熒光體層3。由此，能夠在不介由樹脂等的粘合劑的情況下形成為具有多種熒光體層的一體化的顏色變換用成型部件。另外，作為其它的變形例，可使用形成有半導(dǎo)體發(fā)光元件的基板作為基板2D。例如，可以在LED元件的基板的與設(shè)有半導(dǎo)體層的一面相反的一側(cè)的表面和側(cè)面，與基板相接地形成熒光體層3。由此，能夠在不介由粘合劑的情況下形成具有熒光體層的發(fā)光裝置。進(jìn)而，作為其它的變形例，通過在熒光體層3的表面設(shè)置由金屬、電介質(zhì)多層膜等構(gòu)成的反射層，從而能夠形成作為將從基板2D的下表面?zhèn)热肷涞墓忸伾儞Q，在該反射層進(jìn)行反射，將其再?gòu)幕?D的下表面?zhèn)壬涑龅姆瓷湫偷念伾儞Q用成型部件而使用的無機(jī)成型體。另外，基板2D的形狀不限于平板狀，如圖5所示，可使用任意的形狀的基板。＜第5實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體進(jìn)行說明。［無機(jī)成型體的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D15，對(duì)第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖15所示，第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體1E是在具有導(dǎo)電性的透光性的基板2E的上表面設(shè)置熒光體層3。第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體1E與圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D的不同點(diǎn)在于：代替透光性的基板2D使用具有導(dǎo)電性的透光性的基板2E和在基板2E的上表面直接設(shè)置熒光體層3。第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體1E與第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D相同，均作為將入射到熒光體層3的光顏色變換，并從與入射面相反的一側(cè)的面射出的透過型的顏色變換用成型部件被使用。（基板（基體））基板2E是用于支撐熒光體層3的具有透光性的板狀的支撐部件。作為基板2E，使用具有透光性以及導(dǎo)電性的材料。作為這樣的材料，例如可舉出含有選自Zn（鋅）、In（銦）、Sn（錫）、Ga（鎵）和Mg（鎂）中的至少1種元素的導(dǎo)電性金屬氧化物。具體而言，有ZnO、AZO（Al摻雜ZnO）、IZO（In摻雜ZnO）、GZO（Ga摻雜ZnO）、In2O3、ITO（Sn摻雜In2O3）、IFO（F摻雜In2O3）、SnO2、ATO（Sb摻雜SnO2）、FTO（F摻雜SnO2）、CTO（Cd摻雜SnO2）、MgO等導(dǎo)電性金屬氧化物。另外，基板2E的形狀不限于平板狀，如圖5所示，可以使用任意的形狀的基板。此外，熒光體層3的內(nèi)部構(gòu)成與圖1（b）所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1的熒光體層3相同。另外，在圖15中，省略空隙33的記載。［無機(jī)成型體的制造方法］接下來，對(duì)第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法，參照?qǐng)D16進(jìn)行說明。如圖16所示，第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體的制造方法包括掩模工序S30、熒光體層形成工序S31、覆蓋層形成工序S32和掩模除去工序S33，按該順序進(jìn)行。以下，參照?qǐng)D17（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D15和圖16），對(duì)各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。（掩模工序）首先，在掩模工序S30中，如圖17（a）所示，通過粘附掩模部件20，覆蓋除形成熒光體層3的位置以外的位置。在本實(shí)施方式中，覆蓋基板2E的下表面和側(cè)面。作為掩模部件20，例如可使用聚酰亞胺、聚四氟乙烯、聚烯烴等樹脂制的粘性帶、粘接片。另外，也可涂布丙烯酸系樹脂、有機(jī)硅系樹脂或環(huán)氧類樹脂等樹脂材料制成掩模。另外，也可使用光致抗蝕劑對(duì)樹脂系的掩模部件20形成圖案。使用了光刻技術(shù)的掩模在對(duì)微細(xì)的形狀進(jìn)行覆蓋時(shí)有用。這些掩模材料、方法可根據(jù)使用的溫度、環(huán)境、目的進(jìn)行選擇。此外，在本實(shí)施方式中，將熒光體層3設(shè)置于基板2E的上表面，所以用掩模部件20覆蓋基板2E的下表面和側(cè)面，但也可以通過改變用掩模部件20覆蓋的區(qū)域，在任意的區(qū)域設(shè)置熒光體層3。（熒光體層形成工序）接下來，在熒光體層形成工序S31中，如圖17（b）所示，在基板2E的上表面形成層疊了無機(jī)熒光體31的粒子的粒子層34。熒光體層形成工序S31可以與第1實(shí)施方式的熒光體層形成工序S11同樣地進(jìn)行，所以省略詳細(xì)說明。（覆蓋層形成工序）接下來，在覆蓋層形成工序S32中，如圖17（c）所示，覆蓋熒光體層形成工序S31中形成的無機(jī)熒光體31的粒子層34（參照?qǐng)D17（b）），形成使粒子彼此固定的覆蓋層32。覆蓋層形成工序S32可以與第1實(shí)施方式的覆蓋層形成工序S13同樣地進(jìn)行，所以省略詳細(xì)說明。（掩模除去工序）最后，在掩模除去工序S33中，如圖17（d）所示，除去掩模部件20（參照?qǐng)D17（c））。由此，得到在基板2E的上表面形成了熒光體層3的無機(jī)成型體1E。＜第6實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第6實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。第6實(shí)施方式的發(fā)光裝置是將第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1用作顏色變換用成型部件的發(fā)光裝置。［發(fā)光裝置的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D18（a）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D1），對(duì)發(fā)光裝置10的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖18（a）所示，發(fā)光裝置10具有光源11和顏色變換用成型部件12而構(gòu)成。發(fā)光裝置10使用第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1作為反射型的顏色變換用成型部件12而構(gòu)成。對(duì)于圖18（a）所示的發(fā)光裝置10，將光源11發(fā)光的光入射到顏色變換用成型部件12，通過熒光體層3將入射光L1顏色變換，將與入射光不同的顏色的光作為反射光L2輸出。（光源）光源11例如可使用作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的LD（激光二極管）、LED（發(fā)光二極管）。對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件中使用的半導(dǎo)體材料、元件結(jié)構(gòu)沒有特別限定，但使用了氮化鎵系等氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體發(fā)光元件由于可得到在從紫外光至藍(lán)色光的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)高亮度地發(fā)光的元件，所以能夠優(yōu)選地使用。另外，光源11可以含有LD、LED等發(fā)光元件，還可以含有將發(fā)光元件發(fā)出的光適當(dāng)?shù)鼐酃?、擴(kuò)散或反射的光學(xué)系而構(gòu)成。另外，可使用高壓汞燈、氙氣燈等其它方式的光源。（顏色變換用成型部件（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體））顏色變換用成型部件12是將來自光源11的入射光L1顏色變換成與入射光L1不同的顏色的光的反射光L2而射出的反射型的顏色變換用無機(jī)成型體。在本實(shí)施方式中，使用圖1所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1。此外，設(shè)置在顏色變換用成型部件12上的熒光體層3設(shè)置在照射來自光源11的入射光L1的區(qū)域即可，圖1（a）所示的無機(jī)成型體1中，也可以僅在基板2的上表面設(shè)置熒光體層3。［發(fā)光裝置的動(dòng)作］接下來，繼續(xù)參照?qǐng)D18（a）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D1），對(duì)發(fā)光裝置10的動(dòng)作進(jìn)行說明。此外，在本實(shí)施方式中，作為光源11，對(duì)使用發(fā)出藍(lán)色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況進(jìn)行說明。另外，作為顏色變換用成型部件12，使用具有將藍(lán)色光變換為黃色光的無機(jī)熒光體31的無機(jī)成型體1。光源11將藍(lán)色光作為入射光L1入射到顏色變換用成型部件12（無機(jī)成型體1）的設(shè)有熒光體層3的面。藍(lán)色的入射光L1一邊被熒光體層3的空隙33（參照?qǐng)D1（b））散射，一邊在熒光體層3內(nèi)傳遞，在作為反射面的基板2的上表面（圖18（a）中為右側(cè)的面）進(jìn)行反射。進(jìn)而，從與入射入射光L1的面相同的表面?zhèn)壬涑龇瓷涔釲2。該反射光L2為來自發(fā)光裝置10的輸出光。入射到熒光體層3的藍(lán)色光在反射面被反射，在直到從熒光體層3射出為止的期間，一部分被無機(jī)熒光體31吸收。被吸收的藍(lán)色光激發(fā)無機(jī)熒光體31，釋放出（發(fā)光）黃色光。即，無機(jī)熒光體31將藍(lán)色光顏色變換為黃色光。從無機(jī)熒光體31發(fā)出的黃色光、以及未被無機(jī)熒光體31吸收而往返透過熒光體層3的藍(lán)色光從設(shè)有熒光體層3的表面?zhèn)壬涑?。此時(shí)，射出的反射光L2中含有熒光體層3中顏色變換后的黃色光和未被顏色變換的藍(lán)色光，反射光L2是這些光混合后的顏色。通過以使藍(lán)色光和黃色光成為適當(dāng)?shù)谋壤姆绞秸{(diào)整熒光體層3中的無機(jī)熒光體31的膜厚、空隙33的比例，從而能夠使發(fā)光裝置10的輸出光為白色光。此外，本發(fā)明不限于白色光，也可以以將入射光L1的全部顏色變換為黃色光而作為黃色光輸出的方式構(gòu)成。另外，例如也可以以使用顏色變換為綠色光、紅色光等的無機(jī)熒光體31的方式構(gòu)成。另外，也可以通過層疊或混合多種無機(jī)熒光體31而形成熒光體層3，使得顏色變換成各種顏色進(jìn)行輸出的方式構(gòu)成。此外，在圖18（a）所示的發(fā)光裝置10中，作為顏色變換用成型部件12，可以以代替無機(jī)成型體1，使用圖6所示的第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B或圖8所示的第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C的方式構(gòu)成。第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B是在基板2上設(shè)置高反射率的反射層4，第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C除了反射層4還設(shè)置電介質(zhì)層7，所以能夠制造發(fā)光效率良好的發(fā)光裝置10。＜第7實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第7實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。第7實(shí)施方式的發(fā)光裝置是使用了變換的顏色相互不同的多種反射型的顏色變換用成型部件的發(fā)光裝置。［發(fā)光裝置的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D18（b）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D1），對(duì)發(fā)光裝置10A的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖18（b）所示，發(fā)光裝置10A具備光源11和色輪13而構(gòu)成。另外，色輪13具有2種顏色變換用成型部件12AR、12AG和反射部件14B。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10A是伴隨著色輪13的旋轉(zhuǎn)，將來自光源11的入射光L1依次作為輸出光輸出成相互不同的3色反射光L2。該發(fā)光裝置10A例如可用作投影儀的光源裝置。（光源）光源11也如同圖18（a）所示的第6實(shí)施方式的光源11，可使用作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的LD、LED或者高壓汞燈、氙氣燈等其它的方式的光源，所以省略詳細(xì)說明。此外，在本實(shí)施方式中，光源11是射出藍(lán)色光的光源。（色輪）色輪13呈圓盤狀，構(gòu)成為以旋轉(zhuǎn)軸13a為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從規(guī)定的方向照射來自光源11的入射光L1。另外，色輪13以旋轉(zhuǎn)軸13a為中心，由分成3個(gè)的扇形的顏色變換用成型部件12AR、12AG以及反射部件14B構(gòu)成。而且，通過以旋轉(zhuǎn)軸13a為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而入射光L1依次照射到顏色變換用成型部件12AR、12AG以及反射部件14B，反射光L2從發(fā)光裝置10A輸出。此外，分成3個(gè)的區(qū)域的中心角可以為相等的角度，也可以為各自不同的角度。（顏色變換用成型部件（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體））顏色變換用成型部件12AR和顏色變換用成型部件12AG是將來自光源11的入射光L1作為與入射光L1不同的顏色的反射光L2而射出的反射型的顏色變換用成型部件。在本實(shí)施方式中，顏色變換用成型部件12AR和顏色變換用成型部件12AG中應(yīng)用第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1。另外，顏色變換用成型部件12AR和顏色變換用成型部件12AG具有含有將藍(lán)色光分別顏色變換成紅色光和綠色光的無機(jī)熒光體31的熒光體層3。此外，熒光體層3設(shè)置在至少照入射射光L1的區(qū)域即可。因此，也可以在色輪13的中心附近的內(nèi)周部不設(shè)置熒光體層3，在外周部設(shè)置成圓環(huán)狀。（反射部件）反射部件14B是第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1中，代替熒光體層3，形成不含有無機(jī)熒光體31而含無色的無機(jī)填料的無機(jī)粒子的層的、不進(jìn)行顏色變換的無機(jī)成型體。［發(fā)光裝置的動(dòng)作］接下來，繼續(xù)參照?qǐng)D18（b）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D1），對(duì)發(fā)光裝置10A的動(dòng)作進(jìn)行說明。來自光源11的入射光L1入射到色輪13的設(shè)有顏色變換用成型部件12AR的區(qū)域的期間，藍(lán)色的入射光L1通過顏色變換用成型部件12AR的熒光體層3顏色變換為紅色光，紅色的反射光L2從發(fā)光裝置10A輸出。色輪13向箭頭的方向旋轉(zhuǎn)，來自光源11的入射光L1入射到色輪13的設(shè)有顏色變換用成型部件12AG的區(qū)域的期間，藍(lán)色的入射光L1通過顏色變換用成型部件12AG的熒光體層3顏色變換為綠色光，綠色的反射光L2從發(fā)光裝置10A輸出。色輪13向箭頭的方向進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)，來自光源11的入射光L1入射到色輪13的設(shè)有反射部件14B的區(qū)域的期間，藍(lán)色的入射光L1通過反射部件14B，不進(jìn)行顏色變換地反射，藍(lán)色的反射光L2從發(fā)光裝置10A輸出。即，發(fā)光裝置10A伴隨著色輪13的旋轉(zhuǎn)，周期性地輸出紅色光、綠色光以及藍(lán)色光。此外，在本實(shí)施方式中，將來自光源11的入射光L1設(shè)為藍(lán)色光，但并不限于此。例如可以構(gòu)成為將來自光源11的入射光L1設(shè)為紫外光，作為無機(jī)成型體的顏色變換用成型部件12AR、12AG以及反射部件14B中應(yīng)用第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1，如下設(shè)置熒光體層3：在顏色變換用成型部件12AR中其含將紫外光顏色變換為紅色光的無機(jī)熒光體31，在顏色變換用成型部件12AG中其含將紫外光顏色變換為綠色光的無機(jī)熒光體31，在反射部件14B中其含將紫外光顏色變換藍(lán)色光的無機(jī)熒光體31。另外，也可以構(gòu)成為能夠自由地設(shè)定入射光L1的顏色和反射光L2的顏色的組合，依次輸出2色或4色以上的反射光L2。另外，在本實(shí)施方式中，顏色變換用成型部件12AR和顏色變換用成型部件12AG構(gòu)成為分別吸收藍(lán)色的入射光L1的全部，分別變換為紅色光和綠色光而輸出，但也可以構(gòu)成為吸收入射光L1的一部分進(jìn)行顏色變換，與原來的藍(lán)色光混色而輸出。＜第8實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第8實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。第8實(shí)施方式的發(fā)光裝置是將第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C用作顏色變換用成型部件的發(fā)光裝置。［發(fā)光裝置的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D19（a）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D12），對(duì)發(fā)光裝置10B的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖19（a）所示，發(fā)光裝置10B具備光源11、顏色變換用成型部件12B和子基板15而構(gòu)成。對(duì)于發(fā)光裝置10B，作為透過型的顏色變換用成型部件12B，使用第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D而構(gòu)成。（光源）光源11可以與圖18（a）所示的第6實(shí)施方式的光源11同樣地使用作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的LD、LED或者高壓汞燈、氙氣燈等其它方式的光源，所以省略詳細(xì)說明。本實(shí)施方式的光源11設(shè)置于子基板15的凹部15a內(nèi)，將光（L3）入射到設(shè)于凹部15a的上方的開口部的顏色變換用成型部件12B。（顏色變換用成型部件（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體））顏色變換用成型部件12B是以蓋住子基板15的凹部15a的開口部的方式設(shè)置，且從上表面射出將從下表面入射的來自光源11的入射光L3顏色變換為與入射光L3不同的顏色的光的透過光L4的透過型的顏色變換用成型部件。在本實(shí)施方式中，使用圖1所示的第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1。另外，作為顏色變換用成型部件12B的透過型的無機(jī)成型體1可以將設(shè)有熒光體層3的一面如圖19（b）所示朝向下側(cè)（子基板15的內(nèi)側(cè)）進(jìn)行配置，也可以如圖19（c）所示朝向上側(cè)（子基板15的外側(cè)）進(jìn)行配置。在以往的使用了樹脂的熒光體的成型體中，如圖19（b）所示的例子，將熒光體層3朝向子基板15的內(nèi)側(cè)配置的情況下，在密閉狀態(tài)下對(duì)熒光體層3進(jìn)行光照射，所以有時(shí)樹脂著色劣化。另外，如圖19（c）所示的例子，將熒光體層3朝向子基板15的外側(cè)配置的情況下，樹脂可能會(huì)因外部空氣的氧化、濕度而劣化，顏色變換效率降低。本發(fā)明的顏色變換用成型部件12B（無機(jī)成型體1D）全部由無機(jī)材料構(gòu)成，所以不可能出現(xiàn)使用樹脂材料時(shí)的劣化，因而發(fā)光裝置10B中的顏色變換用成型部件12B的配置可以根據(jù)發(fā)光裝置10B、基板2D的功能自由地進(jìn)行選擇。因此，根據(jù)使用目的，能夠構(gòu)成顏色變換效率好的發(fā)光裝置10B。例如，將包含具有由無機(jī)熒光體31的粒子所引起的凹凸形狀的熒光體層3的面設(shè)為作為光的射出側(cè)的上側(cè)的圖19（c）所示的構(gòu)成中，來自顏色變換用成型部件12B的光射出效率將得到提高，因而優(yōu)選。另外，光源11的發(fā)光元件為紫外線LD時(shí)，作為如圖19（b）所示的構(gòu)成，通過在作為發(fā)光裝置10B的光射出面的基板2D的上表面設(shè)置反射紫外線的電介質(zhì)層，能夠減少光源11發(fā)出的顏色光從發(fā)光裝置10B泄漏，制成對(duì)眼睛安全的發(fā)光裝置10B。另外，顏色變換用成型部件12B可以從光源11分離地配置，顏色變換用成型部件12B的散熱性優(yōu)異，所以也可以與光源11密合地配置。（子基板）子基板15是用于安裝LD、LED等光源11的安裝基板。子基板15具有安裝光源11的凹部15a，凹部15a的上方開口。另外，在凹部15a的開口部，以蓋住該開口部的方式設(shè)置顏色變換用成型部件12B。［發(fā)光裝置的動(dòng)作］接下來，繼續(xù)參照?qǐng)D19（a）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D12），對(duì)發(fā)光裝置10B的動(dòng)作進(jìn)行說明。此外，在本實(shí)施方式中，對(duì)使用了發(fā)出藍(lán)色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件作為光源11的情況進(jìn)行說明。另外，作為顏色變換用成型部件12B，使用具有將藍(lán)色光變換為黃色光的無機(jī)熒光體31的無機(jī)成型體1D。光源11將藍(lán)色光作為入射光L3入射到顏色變換用成型部件12B（無機(jī)成型體1D）的設(shè)有熒光體層3的面。藍(lán)色的入射光L3一邊因熒光體層3的空隙33（參照?qǐng)D1（b））散射，一邊在熒光體層3內(nèi)傳遞，使從上面射出的透過光L4作為輸出光從發(fā)光裝置10B輸出。入射到熒光體層3的藍(lán)色光直到透過熒光體層3而射出為止期間，一部分被無機(jī)熒光體31吸收。被吸收的藍(lán)色光激發(fā)無機(jī)熒光體31，釋放出（發(fā)光）黃色光。即，無機(jī)熒光體31將藍(lán)色光顏色變換為黃色光。從無機(jī)熒光體31發(fā)出的黃色光和未被無機(jī)熒光體31吸收而透過熒光體層3的藍(lán)色光從與入射光L3入射的一面相反的一側(cè)的面作為透過光L4射出。此時(shí)，在透過光L4中，含有熒光體層3中顏色變換的黃色光和未被顏色變換的藍(lán)色光，透過光L4成為這些光混色而成的顏色。通過以使藍(lán)色光和黃色光成為適當(dāng)?shù)谋壤姆绞秸{(diào)整熒光體層3中的無機(jī)熒光體31的膜厚、空隙33（參照?qǐng)D1（b））的比例，能夠使發(fā)光裝置10B的輸出光成為白色光。此外，本發(fā)明不限于白色光，可以以將入射光L3的全部顏色變換為黃色光，作為黃色光而輸出的方式構(gòu)成。另外，例如也可以使用顏色變換為綠色、紅色等的無機(jī)熒光體31而構(gòu)成。另外，也能夠通過層疊或混合多種無機(jī)熒光體31而形成熒光體層3，變換為各種顏色而輸出的方式構(gòu)成。此外，在圖19（a）所示的發(fā)光裝置10B中，作為顏色變換用成型部件12B，也可以代替無機(jī)成型體1D，使用圖15所示的第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體1E而構(gòu)成。＜第9實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第9實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。第9實(shí)施方式的發(fā)光裝置是使用了變換的顏色相互不同的多種透過型的顏色變換用成型部件的發(fā)光裝置。［發(fā)光裝置的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D20（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D12），對(duì)發(fā)光裝置10C的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖20所示，發(fā)光裝置10C具備光源11和色輪13C而構(gòu)成。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10C伴隨著色輪13C的旋轉(zhuǎn)，將來自光源11的入射光L3依次顏色變換為3色的不同的顏色，將其作為透過光L4而輸出。該發(fā)光裝置10A例如可用作投影儀的光源裝置。（光源）光源11與圖18（a）所示的第6實(shí)施方式的光源11同樣地使用作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的LD、LED或者高壓汞燈、氙氣燈等其它的方式的光源，所以省略詳細(xì)說明。此外，在本實(shí)施方式中，光源11是射出藍(lán)色光的光源。（色輪）色輪13C呈圓盤狀，構(gòu)成為以旋轉(zhuǎn)軸13Ca為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，來自光源11的入射光L3從規(guī)定的方向照射。另外，色輪13C以旋轉(zhuǎn)軸13Ca為中心，由分為3個(gè)的扇形的顏色變換用成型部件12CR、12CG以及透光部件16B構(gòu)成。而且，通過以旋轉(zhuǎn)軸13Ca為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而透過光L4依次照射到顏色變換用成型部件12CR、12CG以及透光部件16B，從發(fā)光裝置10C輸出。此外，分為3個(gè)的區(qū)域的中心角可以為相等的角度，也可以分別為不同的角度。（顏色變換用成型部件（波長(zhǎng)變換用無機(jī)成型體））顏色變換用成型部件12CR和顏色變換用成型部件12CG是將來自光源11的入射光L3作為與入射光L3不同的顏色的透過光L4而射出的透過型的顏色變換用無機(jī)成型體。在本實(shí)施方式中，顏色變換用成型部件12CR和顏色變換用成型部件12CG中應(yīng)用第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C。另外，顏色變換用成型部件12CR和顏色變換用成型部件12CG具有含有將藍(lán)色光分別顏色變換成紅色光和綠色光的無機(jī)熒光體31的熒光體層3。此外，熒光體層3設(shè)置在至少照入射射光L3的區(qū)域即可。因此，也可以在色輪13C的中心附近的內(nèi)周部不設(shè)置熒光體層3，在外周部設(shè)置成圓環(huán)狀。（透光部件）透光部件16B是第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C中，代替熒光體層3，形成不含無機(jī)熒光體31而含有無色的無機(jī)填料的陶瓷層的、不進(jìn)行顏色變換的無機(jī)成型體。另外，顏色變換用成型部件12CR、12CG可以將設(shè)有熒光體層3的一面朝向光的入射側(cè)或者射出側(cè)中任一側(cè)進(jìn)行配置。通過使包含具有由無機(jī)熒光體31的粒子所引起的凹凸形狀的熒光體層3的面為射出側(cè)，從而將來自顏色變換用成型部件12CR、12CG的光射出效率提高，因而優(yōu)選。與透光部件16B同樣地優(yōu)選使包含具有由無機(jī)填料的粒子所引起的凹凸形狀的陶瓷層的面為射出側(cè)。［發(fā)光裝置的動(dòng)作］接下來，繼續(xù)參照?qǐng)D20（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D12），對(duì)發(fā)光裝置10C的動(dòng)作進(jìn)行說明。來自光源11的入射光L3入射到色輪13C的設(shè)有顏色變換用成型部件12CR的區(qū)域的期間，藍(lán)色的入射光L3通過顏色變換用成型部件12CR的熒光體層3顏色變換為紅色光，作為透過光L4從發(fā)光裝置10C輸出。色輪13向箭頭的方向旋轉(zhuǎn)，來自光源11的入射光L3入射到色輪13C的設(shè)有顏色變換用成型部件12CG的區(qū)域的期間，藍(lán)色的入射光L3通過顏色變換用成型部件12CG的熒光體層3顏色變換為綠色光，作為透過光L4從發(fā)光裝置10C輸出。色輪13C向箭頭的方向進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)，來自光源11的入射光L3入射到色輪13C的設(shè)有透光部件16B的區(qū)域的期間，藍(lán)色的入射光L3不進(jìn)行顏色變換地透過透光部件16B，作為藍(lán)色的透過光L4從發(fā)光裝置10C輸出。即，發(fā)光裝置10C伴隨著色輪13C的旋轉(zhuǎn)，周期性地輸出紅色光、綠色光以及藍(lán)色光。此外，在本實(shí)施方式中，將來自光源11的入射光L3設(shè)為藍(lán)色光，但并不限于此。例如可以構(gòu)成為將來自光源11的入射光L3設(shè)為紫外光，顏色變換用成型部件12CR、12CG以及透光部件16B中應(yīng)用第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D，如下設(shè)置熒光體層3：在顏色變換用成型部件12CR中其含將紫外光顏色變換為紅色光的無機(jī)熒光體31，在顏色變換用成型部件12CG中其含將紫外光顏色變換為綠色光的無機(jī)熒光體31，在透光部件16B中其含將紫外光顏色變換為藍(lán)色光的無機(jī)熒光體31。另外，也可以構(gòu)成為能夠自由地設(shè)定入射光L3的顏色和透過光L4的色的組合，依次輸出2色或者4色以上的透過光L4。另外，在本實(shí)施方式中，顏色變換用成型部件12CR和顏色變換用成型部件12CG構(gòu)成為分別吸收藍(lán)色的入射光L3的全部，變換為紅色光和綠色光而輸出，但也可以構(gòu)成為吸收入射光L3的一部分進(jìn)行顏色變換，與原來的藍(lán)色光混色而輸出。接下來，對(duì)具有多種顏色變換用熒光體的無機(jī)成型體的實(shí)施方式進(jìn)行說明。例如，要得到彩色再現(xiàn)性優(yōu)異的日光色的情況下，優(yōu)選組合紅色、藍(lán)色和綠色這3種光成分。以往需采用并用不同顏色的多個(gè)發(fā)光元件、或組合多個(gè)顏色變換熒光體這樣的復(fù)雜的構(gòu)成，但在高輸出·高負(fù)荷用途的LED中，從耐熱性、耐水性的方面考慮，能使用的熒光體受到限制。再次，以下進(jìn)行說明實(shí)施方式的無機(jī)成型體受成型體的形狀和使用的無機(jī)熒光體的限制少，顏色變換效率優(yōu)異，具有緊湊的結(jié)構(gòu)。＜第10實(shí)施方式＞［無機(jī)成型體的構(gòu)成］參照?qǐng)D24（a）對(duì)本發(fā)明的第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖24（a）所示，第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F在透光性的基板2F的上表面具有透光性層5，介由透光性層5在基板2F的上表面設(shè)置熒光體層（無機(jī)粒子層）3。透光性的基板2F含有由第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體（波長(zhǎng)變換部件）（未圖示）。即，第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F在圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D中，代替基板2D使用基板2F。除基板2F以外的構(gòu)成與第4實(shí)施方式相同，所以適當(dāng)?shù)厥÷栽敿?xì)的說明。此外，在圖24（a）中，省略在熒光體層3的內(nèi)部形成的空隙33（參照?qǐng)D1（b））的圖示。示出后述的第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G和第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H的構(gòu)成的圖24（b）和圖24（c）中也同樣省略了空隙33的圖示。對(duì)于第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F，基板2F和透光性層5，使用透光性的材料而構(gòu)成，基板2F和透光性層5可以使從上方或者下方照射的光和因顏色變換部件進(jìn)行顏色變換的光透過。向本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F從熒光體層3側(cè)入射光時(shí)，入射光的一部分被熒光體層3內(nèi)的粒狀的第2無機(jī)材料吸收，變換成與入射光的顏色不同的顏色的光，入射光的其它的一部分被基板2F中存在的第1無機(jī)材料吸收，變換為與入射光的顏色不同的顏色的光，均從與入射光入射的面相反的一側(cè)的基板2F側(cè)的面射出。另一方面，從基板2F側(cè)向本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F入射光時(shí)，入射光的一部分被基板2F中存在的第1無機(jī)材料吸收，變換為與入射光的顏色不同的顏色的光，入射光的其它的一部分被熒光體層3內(nèi)的粒狀的第2無機(jī)材料吸收，變換為與入射光的顏色不同的顏色的光，均從與入射光入射的面相反的一側(cè)的熒光體層3側(cè)的面射出。因此，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F可用作透過型的顏色變換用無機(jī)成型體。以下，對(duì)無機(jī)成型體1F的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。（基板（基體））基板2F是具有透光性、含有由第1無機(jī)材料構(gòu)成的顏色變換部件（未圖示）并具有用于支撐熒光體層3的功能的部件。并且，也可以具有控制光的功能、使熱高效地散熱的功能等。作為基板2F，可根據(jù)目的、用途選擇各種材料。基板2F對(duì)入射光、因基板2F內(nèi)的第1無機(jī)材料進(jìn)行顏色變換的光以及因熒光體層3內(nèi)的第2無機(jī)材料進(jìn)行顏色變換的光具有透光性。作為透光性的尺度，優(yōu)選相對(duì)于入射光量的透過光量的比率，即透光率為50%以上、優(yōu)選為70%以上、更優(yōu)選為90%以上。作為基板2，例如可使用玻璃、Al2O3、SiO2等氧化物、復(fù)合氧化物，AlN、GaN等氮化物、氮氧化物，SiC等碳化物、碳氮化合物，鹵化物、透光性碳等透明的無機(jī)材料?；?F含有由發(fā)出與入射光不同的顏色的光的第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體（未圖示）。因此，基板2F具有吸收從上方或者下方入射的光的一部分或全部，發(fā)出與入射的光不同的顏色的光的顏色變換功能。入射到基板2F的光被基板2F中含有的由第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體吸收，發(fā)出與入射的光的顏色不同的顏色的光。基板2F中含有的由第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體的存在形態(tài)可以為多種。由第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體可以為基板2F的主原料，也可以作為構(gòu)成基板2F的上述透光性的材料的一部分而含有，還可以在基板2F的表面、內(nèi)部以薄層形成。若將基板2F的主要的構(gòu)成方式分類，將成為如下所述。（1）由僅將無機(jī)熒光體燒結(jié)而制造的多晶熒光體構(gòu)成的基板；可以通過將YAG系等氧化物系、非氧化物系的氮化物、硫化物等結(jié)晶性的無機(jī)熒光體粉末燒結(jié)而得到。（2）由用熔液生長(zhǎng)等方法制成的無機(jī)熒光體單晶、無機(jī)熒光體復(fù)合材料構(gòu)成的基板。（3）由在透明性無機(jī)材料中分散熒光體微粒子而成的材料構(gòu)成的基板；可使玻璃、氧化鋁、二氧化硅等透明性無機(jī)材料和無機(jī)熒光體微粒子混合使其熔融而得到。（4）由發(fā)光玻璃構(gòu)成的基板。（5）在透明基板的表面具有熒光體薄膜的基板；作為透明基板，可使用燒結(jié)體板、單晶板、玻璃板、膜等。作為單晶板，可使用藍(lán)寶石、ZnO、SiO2、GaN、Ga2O3等透明無機(jī)化合物。作為形成熒光體薄膜的方法，可使用蒸鍍、溶射、濺射等方法。（6）由用由透明無機(jī)化合物構(gòu)成的層夾持由無機(jī)熒光體構(gòu)成的層的材料構(gòu)成的基板。這些構(gòu)成方式是作為一個(gè)例子舉出的。從這些構(gòu)成方式中，可根據(jù)無機(jī)熒光體的特性、無機(jī)成型體1F的目的、用途選擇適當(dāng)?shù)臉?gòu)成方式而使用。例如，如果為耐熱性低的無機(jī)熒光體，則不優(yōu)選使用制造時(shí)具有加熱的構(gòu)成方式。對(duì)上述的基板2F的主要的各構(gòu)成方式，以下具體地說明制造方法的一個(gè)例子。（1）由僅將無機(jī)熒光體燒結(jié)而制造的多晶熒光體構(gòu)成的基板使用加壓裝置、冷等靜壓加壓裝置（CIP：ColdIsostaticPressing）等將YAG系熒光體粉末壓實(shí)，得到燒結(jié)前的成型體。將該成型體放入熱等靜壓加壓裝置（HIP：HotIsostaticPressing）等中，施加壓力，在1500℃以上的溫度下使其燒結(jié)。通過形成高溫高壓使熒光體粉末的表面熔融，粒子彼此熱粘結(jié)，制成塊狀的熒光體燒結(jié)體。將該燒結(jié)體切成規(guī)定的厚度，通過切削、研磨、接著在弱還原性氣氛下進(jìn)行退火，能夠得到Y(jié)AG系熒光體燒結(jié)板的基板。通過改變YAG系熒光體的組成能夠制成具有各種發(fā)光色的基板。作為燒結(jié)方法，可使用HIP，另外還可使用放電等離子體燒結(jié)法（SPS：SparkPlasmaShintering）、真空燒結(jié)法，熱加壓燒結(jié)法等各種方法。通過改變溫度、氣氛或壓力，能夠制成氧化物系熒光體、其它組成的熒光體基板。（2）由用熔液生長(zhǎng)法制成的無機(jī)熒光體單晶構(gòu)成的基板作為YAG系熒光體的單晶的制成方法，可使用直拉法、布里奇曼法等。首先，制成含有YAG系熒光體的成分的熔液，以晶種為核利用提拉法制成單晶。其后，考慮結(jié)晶方位，加工成所希望的形狀·大小，從而能夠得到由YAG系熒光體單晶構(gòu)成的基板。通過在熔液中過度地加入氧化鋁、二氧化硅等，能夠使YAG系熒光體和過量成分均勻混合而制成復(fù)合的結(jié)晶的基板。（3）由在透明性無機(jī)材料中分散熒光體微粒子的材料構(gòu)成的基板使用加壓裝置、CIP裝置等將YAG系熒光體粉末和硼硅酸玻璃或磷酸系低熔點(diǎn)玻璃等玻璃粉末壓實(shí)，得到燒結(jié)前的成型體。將該成型體加入真空爐，在減壓下加熱到玻璃材料的軟化點(diǎn)以上使其燒結(jié)。通過利用減壓而得到埋入粒子間的空隙的燒結(jié)體。通過將其加工成所希望的形狀·大小，從而可以得到基板。（4）由發(fā)光玻璃構(gòu)成的基板將成為發(fā)光中心的激活劑的稀土類元素和成為母體的玻璃成分混合，制成熔液，通過使其冷卻固化而制成玻璃。根據(jù)需要通過對(duì)溫度、氣氛進(jìn)行控制并且熱處理而制成發(fā)光玻璃。通過將其加工成所希望的形狀·大小，可以得到基板。（5）在透明基板的表面具有熒光體薄膜的基板將透明的氧化鋁基板放入蒸鍍裝置內(nèi)，通過使用SrS、Eu2S3、Ga2S3作為蒸鍍用的原料進(jìn)行蒸鍍，從而在氧化鋁基板的表面制成SrGaS4：Eu的熒光體的蒸鍍層。蒸鍍后，按規(guī)定的條件進(jìn)行熱處理，使熒光體粒子生長(zhǎng)·結(jié)晶化，從而得到在表面形成薄膜的熒光體層的氧化鋁基體。作為薄膜的形成方法，可以根據(jù)熒光體的種類，從濺射法、溶射法、MBE法、CVD法等中進(jìn)行選擇。（6）由用由透明無機(jī)化合物構(gòu)成的層夾持由無機(jī)熒光體構(gòu)成的層的材料構(gòu)成的基板如納米尺寸的熒光體微粒子等那樣的對(duì)外部環(huán)境耐久性低的熒光體材料時(shí)，通過使該材料擴(kuò)散·混合在無機(jī)粘合劑等中，夾持在2片玻璃板等透明無機(jī)化合物板之間，密封地封入，從而能夠制成基板。透光性的基板2F可以具有光控制性。即，可以賦予光的選擇透過性、光擴(kuò)散性、光吸收性、光遮擋性等功能。例如，作為光源使用輸出紫外線的LD（激光二極管），在LD的上表面將無機(jī)成型體1F以設(shè)有熒光體層3的一側(cè)為來自LD的光的入射面的方式配置的發(fā)光裝置中，對(duì)用于使從LD射出的光的泄漏減少的構(gòu)成例進(jìn)行說明。從LD射出的光入射到熒光體層3時(shí)，被熒光體層3進(jìn)行顏色變換的光和未被熒光體層3進(jìn)行顏色變換的光一起入射到基板2F。此時(shí)，可以能夠賦予對(duì)光的透過性具有波長(zhǎng)選擇性的功能的方式選擇基板2F的材料，以使被熒光體層3進(jìn)行顏色變換的光透過基板2、使未被熒光體層3進(jìn)行顏色變換的從LD射出的光被基板2F遮擋或者吸收的方式，并且。通過這樣地構(gòu)成，能夠使從LD射出的光不直接從背面（基板2F側(cè)）射出。作為這樣的構(gòu)成的具體例，例如，作為基板2F的材料，可以使用不透過紫外線的高硼硅（注冊(cè)商標(biāo)）玻璃，或在基板2F的表面設(shè)置反射紫外線的電介質(zhì)反射膜。另外，在具有透光性的基板2F的內(nèi)部或者表面含有例如使光亂反射的無機(jī)填料等而能夠使其具有光擴(kuò)散性。通過形成這樣的構(gòu)成，能夠進(jìn)一步提高顏色變換的均勻性。此處，作為使光反射的無機(jī)填料，優(yōu)選與基板2F折射率差大，透光性且作為粒子的尺寸小的填料。具體而言，作為基板2F使用折射率1.5左右的玻璃時(shí)，可以舉出折射率為2.5～2.7的TiO2等。作為基板2使用SiO2時(shí)，可舉出TiO2、Al2O3、C（金剛石）等。具有透光性的材料一般為電絕緣性，但在基板2F的表面設(shè)置由透光性的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膜、或由具有透光性的導(dǎo)電性材料形成基板2F、或在基板2F中含有具有透光性的導(dǎo)電性填料，從而對(duì)基板2F賦予導(dǎo)電性的情況下，在后述的熒光體層3的形成工序中，可以利用電沉積法、靜電涂裝法等。進(jìn)而，基板2F優(yōu)選使用熱導(dǎo)率高的材料，以使能夠?qū)⒂没?F的內(nèi)部、熒光體層3進(jìn)行顏色變換的光的斯托克斯損失所導(dǎo)致的發(fā)熱介由基板2F高效地散熱。具體而言，優(yōu)選基板2F中使用的材料的熱導(dǎo)率為5W/m·K以上，更優(yōu)選為100W/m·K以上。作為這樣的熱導(dǎo)率高的透光性的材料，例如可舉出AlN。另外，通過添加熱導(dǎo)率高的無機(jī)填料等，也可以提高基板2的熱傳導(dǎo)性。作為熱導(dǎo)率高的無機(jī)填料的具體例，可以舉出AlN、SiC、C（金剛石）等。另外，基板2F的形狀不限于板狀，也可以形成作為結(jié)構(gòu)部件而保持熒光體層3，并且用于帶來發(fā)光裝置的組裝功能、聚光功能的立體結(jié)構(gòu)。例如，也可以形成如下的結(jié)構(gòu)的顏色變換用無機(jī)成型體1F，即，對(duì)玻璃制的基板2F實(shí)施加工而使其具有透鏡功能，并且將熒光體層3直接形成在透鏡形狀的基板2F上，從而將透鏡與作為顏色變換部件的熒光體層3形成為一體。通過形成這樣的構(gòu)成，能夠使光控制變得容易。（熒光體層（無機(jī)粒子層））本實(shí)施方式的熒光體層3具有與圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D中的熒光體層3相同的構(gòu)成。（無機(jī)熒光體（波長(zhǎng)變換部件））基板2F含有的無機(jī)熒光體和熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31，分別是由吸收光、發(fā)出與吸收的光的顏色不同的顏色的光的第1無機(jī)材料或第2無機(jī)材料構(gòu)成的顏色變換部件。作為無機(jī)熒光體31使用的熒光體材料只要吸收作為激發(fā)光的入射光并顏色變換（波長(zhǎng)變換）為不同顏色（波長(zhǎng)）的光即可?；?F含有的無機(jī)熒光體和熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31，可以是相同的種類，也可以是不同的種類。無機(jī)熒光體為相同的種類時(shí)，對(duì)于無機(jī)成型體1F，基板2F和熒光體層3而言，均具有相同種類的無機(jī)熒光體。因此，從光源等入射到無機(jī)成型體1F的光在基板2F或熒光體層3中任一個(gè)上照射到無機(jī)熒光體的概率高，從而能夠提高由該相同種類的無機(jī)熒光體引起的的光的顏色的變換效率。另一方面，無機(jī)熒光體為不同種類時(shí)，對(duì)于無機(jī)成型體1F，基板2F和熒光體層3而言，分別具有不同種類的無機(jī)熒光體。因此，從光源等入射到無機(jī)成型體1F的光中，一部分的光照射到基板2F含有的無機(jī)熒光體4，其它的一部分的光照射到熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31。而且，從基板2F含有的無機(jī)熒光體發(fā)出的光和從熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31發(fā)出的光的兩者進(jìn)行混色，從無機(jī)成型體1F射出。另外，根據(jù)情況，有時(shí)從基板2F含有的無機(jī)熒光體或熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31中的任一個(gè)發(fā)出的光的一部分照射到其它種類的無機(jī)熒光體，進(jìn)一步發(fā)出不同顏色的光。因此，無機(jī)熒光體為不同種類的情況下，將成為包含不照射到無機(jī)熒光體而射出的入射光的一部分的多個(gè)顏色的光從無機(jī)成型體1F進(jìn)行混色射出?；?F含有的無機(jī)熒光體和熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31能夠分別獨(dú)立地變更，所以可以設(shè)計(jì)改變兩者各自的無機(jī)熒光體的種類、粒徑、含量、含有形態(tài)等的各種組合的無機(jī)成型體1F。其結(jié)果，能夠自由地發(fā)出具有多樣的光譜的光。可根據(jù)目的、用途，從這些各種組合中選擇最佳的組合進(jìn)行應(yīng)用。例如，作為光源光，使用藍(lán)色的光，作為基板2F，使用在透明玻璃中分散由將藍(lán)色的光變換為綠色的光的LAG（镥·鋁·石榴石）系熒光體微粒子的材料構(gòu)成的基板，而熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31為將藍(lán)色的光變換為紅色的光的無機(jī)熒光體，則能夠?qū)庠垂獾倪@些3色的光混色而形成白色光。對(duì)于本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F，作為基板2F含有的無機(jī)熒光體和熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31，可以并用多種熒光體。通過混合使用多種熒光體，從而能夠有效地進(jìn)行特殊顏色的發(fā)色，能夠有效地形成簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F可以為具有多個(gè)熒光體層3的構(gòu)成。例如，可以在基板2F的表側(cè)和背側(cè)設(shè)置2個(gè)熒光體層3，或在基板2F的單側(cè)設(shè)置2層以上的熒光體層3。通過形成這樣的構(gòu)成，能夠與基板2F含有的無機(jī)熒光體聯(lián)合形成具有3種以上的熒光體的無機(jī)成型體1F。在本實(shí)施方式中，不需要像以往那樣采用組合不同顏色的多個(gè)發(fā)光元件或組合多個(gè)顏色變換熒光體的復(fù)雜的構(gòu)成，能夠形成緊湊的結(jié)構(gòu)，并且利用一個(gè)無機(jī)成型體1F，將與入射光不同顏色的多個(gè)顏色的光進(jìn)行混色射出。另外，以往利用樹脂系的粘合劑粘合多種顏色變換熒光體或在樹脂中分散多種顏色變換熒光體而使用。但是，在本實(shí)施方式中，以無機(jī)材料為主體，不需要使用熱傳導(dǎo)性、耐熱性以及耐光性會(huì)劣化樹脂系材料，所以散熱性、耐久性良好。此處，關(guān)于在一個(gè)無機(jī)成型體1F中能并用多種熒光體的優(yōu)點(diǎn)，從發(fā)光效率、耐久性、混色性這3個(gè)方面進(jìn)一步進(jìn)行說明。（發(fā)光效率）在以往的含有多個(gè)熒光體的顏色變換用成型體中，發(fā)光波長(zhǎng)短的熒光體的光被發(fā)光波長(zhǎng)長(zhǎng)的熒光體吸收，變換發(fā)光波長(zhǎng)，因此，光的能量慢慢消失，從LED射出的光的實(shí)際的總量減少，LED的能量變換效率下降，存在因上述2次吸收所導(dǎo)致的損失的問題。該2次吸收所導(dǎo)致的損失的問題例如是在無機(jī)成型體的相同的熒光體層中混合使用多種熒光體的情況，或在根據(jù)熒光體所具有的特性，在靠近光源的一側(cè)的熒光體的層配置發(fā)光波長(zhǎng)短的熒光體并在遠(yuǎn)離光源的一側(cè)的熒光體的層配置發(fā)光波長(zhǎng)長(zhǎng)的熒光體的情況下產(chǎn)生的。但是，在本實(shí)施方式中，能夠在靠近光源側(cè)的基板2F或熒光體層3配置發(fā)光波長(zhǎng)長(zhǎng)的（吸收波長(zhǎng)長(zhǎng)）熒光體，在遠(yuǎn)離光源的一側(cè)的基板2F或熒光體層3配置發(fā)光波長(zhǎng)短的（吸收波長(zhǎng)短）熒光體，所以能夠減少因上述2次吸收所導(dǎo)致的損失，從而改善發(fā)光效率。一般，顏色變換所使用的熒光體的量越少，顏色變換的次數(shù)越少，越能改善LED的發(fā)光效率。（耐久性）以往，作為含有多個(gè)熒光體的顏色變換用成型體的構(gòu)成，有在具有顏色變換功能的基體的兩側(cè)或單側(cè)配置分散了與基體含有的熒光體不同的種類的熒光體的樹脂層的構(gòu)成的顏色變換用成型體。但是，樹脂中分散的熒光體沒有設(shè)置散熱路徑，并且樹脂的氣體阻隔性不高，所以熒光體、樹脂容易受到外部環(huán)境影響而劣化，耐久性存在問題。另一方面，在本實(shí)施方式的構(gòu)成中，通過在具有顏色變換功能的基板2F上，使含有無機(jī)熒光體31的熒光體層3連續(xù)地連接，從而無機(jī)熒光體31的散熱變得容易，耐久性優(yōu)異。另外，利用由無機(jī)材料構(gòu)成的均勻且氣體阻隔性優(yōu)異的覆蓋層32來保護(hù)無機(jī)熒光體31，所以無機(jī)熒光體31不易受到外部環(huán)境影響而劣化，耐久性優(yōu)異。另外，以往，例如磷酸系的熔點(diǎn)400℃附近的低熔點(diǎn)玻璃因具有潮解性而不能作為顏色變換用成型體使用。但是，在本實(shí)施方式中，利用由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層32，不僅是無機(jī)熒光體31，基板2F也將從外部環(huán)境受到保護(hù)，所以作為無機(jī)成型體1F的耐久性得到了改善，以往無法使用的低熔點(diǎn)玻璃、耐熱性低的熒光體也能夠作為無機(jī)成型體1F的構(gòu)成材料使用，能選擇的熒光體的種類增加。（混色性）以往，為了改進(jìn)無機(jī)成型體1F的混色的均勻性，在成為基板的玻璃中添加用于進(jìn)行光擴(kuò)散的填料等，但為了確保優(yōu)異的混色性，玻璃中添加的熒光體、填料的種類的選擇受到限制。但是，在本實(shí)施方式中，通過在具有顏色變換功能的基板2F的表面設(shè)置具有空隙33的無機(jī)粒子層3，而且無機(jī)粒子層3的表面具有凹凸形狀，所以在沒有大幅減少發(fā)光效率的情況下，進(jìn)一步提高了混色的均勻性。另外，作為無機(jī)粒子層3的構(gòu)成，通過控制空隙33的存在比率、層的厚度、無機(jī)熒光體31的種類、粒徑、含量、形狀等，從而能夠提高混色的均勻性。并且，通過在與來自基板2F的發(fā)光元件的入射光入射的一側(cè)相反的一側(cè)上，部分地或整體地設(shè)置反射層，從而能夠提高混色性。從以上所述可知，基板2F含有的無機(jī)熒光體和熒光體層3含有的無機(jī)熒光體31，即，第1無機(jī)材料和第2無機(jī)材料為不同種類時(shí)，能夠顯出多種優(yōu)異的效果，因而優(yōu)選。另外，基板2F的形狀不限于平板狀，如圖5所示，可使用任意的形狀的基板。對(duì)于其它的構(gòu)成要素，與圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D相同，所以省略說明。另外，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F在圖13所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D的制造方法中，除了代替基板2D使用基板2F之外，可同樣地進(jìn)行制造，因而省略說明。＜第11實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體進(jìn)行說明。［無機(jī)成型體的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D24（b），對(duì)第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖24（b）所示，第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G在具有導(dǎo)電性的透光性的基板2G的上表面設(shè)置有熒光體層3。第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G與圖24（a）所示的第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F的不同點(diǎn)在于：代替透光性的基板2F而使用具有導(dǎo)電性的透光性的基板2G；沒有透光性層5，在基板2G的上表面直接設(shè)置熒光體層3。另外，第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G，與圖15所示的第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體1E除了代替基板2E而使用含有由第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體（未圖示）的基板2G之外，具有相同的構(gòu)成。另外，第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G，與第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F同樣地，作為將從熒光體層3側(cè)或基板2G側(cè)入射的光進(jìn)行顏色變換，從與入射面相反的一側(cè)的面射出的透過型的顏色變換用成型部件被使用。（基板（基體））基板2G是用于支撐熒光體層3的具有透光性的板狀的支撐部件，含有由發(fā)出與入射光不同顏色的光的第1無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)熒光體（未圖示）。作為基板2G，使用除了具有透光性，還具有導(dǎo)電性的材料。作為這樣的材料，例如可舉出含有選自Zn（鋅）、In（銦）、Sn（錫）、Ga（鎵）和Mg（鎂）中的至少1種元素的導(dǎo)電性金屬氧化物。具體而言，有ZnO、AZO（Al摻雜ZnO）、IZO（In摻雜ZnO）、GZO（Ga摻雜ZnO）、In2O3、ITO（Sn摻雜In2O3）、IFO（F摻雜In2O3）、SnO2、ATO（Sb摻雜SnO2）、FTO（F摻雜SnO2）、CTO（Cd摻雜SnO2）、MgO等導(dǎo)電性金屬氧化物。另外，基板2G可以是基板2G整體具有導(dǎo)電性，也可以是如上所述那樣在上表面設(shè)置ITO、ZnO等具有透光性的導(dǎo)電體層的基板2G。另外，基板2G的形狀不限于平板狀，可以如圖5所示，使用任意的形狀的基板。其它的構(gòu)成要素與圖24（a）所示的第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F相同，省略說明。另外，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G是在圖16所示的第5實(shí)施方式的無機(jī)成型體1E的制造方法中，代替基板2E而使用基板2G之外，可同樣地進(jìn)行制造，省略說明。＜第12實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體進(jìn)行說明。［無機(jī)成型體的構(gòu)成］首先，參照?qǐng)D24（c），對(duì)第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖9所示，第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H是在透光性的基板2H的上表面設(shè)置熒光體層3和透光性層5。而且，在透光性的基板2H的下表面設(shè)置反射層4。第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H與圖24（a）所示的第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F的不同點(diǎn)在于在基板2H的下表面設(shè)置反射層4。第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H，與第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F不同，是作為將從熒光體層3側(cè)入射的光進(jìn)行顏色變換并從與入射面相同側(cè)的面射出的反射型的顏色變換用成型部件被使用。在本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H中，入射光的一部分通過基板2H中存在的第1無機(jī)材料變換為與入射光的顏色不同的顏色的光，入射光的其它的一部分通過熒光體層3內(nèi)的粒狀的第2無機(jī)材料變換為與入射光的顏色不同的顏色的光，被與基板2H的入射光照射的一側(cè)相反的一側(cè)的面上存在的反射層4反射，從與入射光入射的面相同側(cè)的面射出。因此，作為反射型的顏色變換用無機(jī)成型體而被使用。另外，反射層4可以存在于與基板2H的入射光照射的一側(cè)相反的一側(cè)的面的整體，也可以存在于其特定的一部分。［無機(jī)成型體的制造方法］反射層4可以通過在與基板2H的熒光體層3相反的一側(cè)的面上設(shè)置對(duì)入射光和利用熒光體層3內(nèi)和基板2H內(nèi)的熒光體進(jìn)行顏色變換的顏色的光的反射率高的金屬層而形成。作為可見光區(qū)域下的反射率高的金屬，可優(yōu)選地使用含有Al、Ag、或這些金屬的合金。另外，在基板2H與反射層4之間，可以設(shè)置由電介質(zhì)構(gòu)成的層。通過配置由電介質(zhì)構(gòu)成的層，能夠更高效地用反射層4反射，提高來自無機(jī)成型體1H的光射出效率。作為電介質(zhì)，優(yōu)選使用選自SiO2、Al2O3、Nb2O5、ZrO2、AlN、TiO2、SiON、SiN等中的1以上的材料。反射層4可以通過利用濺射法、蒸鍍法等將Al、Ag等金屬材料層疊在基板2H上而形成。在示出了圖13、圖16所示的無機(jī)成型體的制造方法的流程的流程圖中，反射層4可以通過在熒光體層形成工序之前設(shè)置反射層形成工序而制造。另外，優(yōu)選在掩模工序、導(dǎo)電體層形成工序之前進(jìn)行制造。反射層4作為反射面而發(fā)揮功能，所以形成基板2H的反射層4的一側(cè)的表面優(yōu)選在形成反射層4之前預(yù)先進(jìn)行平滑加工。本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H，除了基板2H具有反射層4之外，具有與第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F或第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G相同的構(gòu)成，所以省略除反射層4以外的構(gòu)成部件的說明。另外，本實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H，除了基板2H上形成反射層4之外，能夠與第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F或第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G同樣地制造，所以省略制造方法的說明。在本實(shí)施方式中，入射光是在入射后和反射后至少2次通過基板2H和無機(jī)粒子層3。因此，可得到混色的均勻性更優(yōu)異的混色光。另外，能夠提高無機(jī)熒光體的利用效率，制成更薄的無機(jī)成型體1H，其結(jié)果，散熱性優(yōu)異。并且，通過使形成反射層4的面積為基板2H的面積的一部分，從而能夠控制光的反射量，實(shí)現(xiàn)色調(diào)的微調(diào)。作為該第12實(shí)施方式的變形例，在作為第11實(shí)施方式的不具有透光性層5的無機(jī)成型體1G中（參照?qǐng)D24（b）），制成在與基板2G的熒光體層3相反的一側(cè)的面設(shè)置有反射層的構(gòu)成。＜第13實(shí)施方式＞接下來，對(duì)第13實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。第13實(shí)施方式的發(fā)光裝置是將第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F作為顏色變換用成型部件使用的發(fā)光裝置。［發(fā)光裝置的構(gòu)成］第13實(shí)施方式的發(fā)光裝置在圖19所示的第8實(shí)施方式的發(fā)光元件10B中，作為顏色變換用成型部件12B，代替無機(jī)成型體1D使用無機(jī)成型體1F。其它的構(gòu)成與第8實(shí)施方式相同，所以省略說明。［發(fā)光裝置的動(dòng)作］接下來，參照?qǐng)D19（a）（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D24（a）），對(duì)使用無機(jī)成型體1F作為顏色變換用成型部件12B的發(fā)光裝置10B的動(dòng)作進(jìn)行說明。此外，在本實(shí)施方式中，對(duì)使用發(fā)出藍(lán)色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件作為光源11的情況進(jìn)行說明。另外，作為顏色變換用成型部件12B，可使用基板2F含有將藍(lán)色光變換為綠色光的無機(jī)熒光體，熒光體層3含有將藍(lán)色光變換為紅色光的無機(jī)熒光體31的無機(jī)成型體1F。光源11是將藍(lán)色光作為入射光L3入射到顏色變換用成型部件12B（無機(jī)成型體1F）的設(shè)有熒光體層3的面。藍(lán)色的入射光L3被熒光體層3的空隙33（參照?qǐng)D1（b））散射，同時(shí)在熒光體層3內(nèi)傳遞，并且在基材2F內(nèi)傳遞，進(jìn)而從上表面射出的透過光L4，從發(fā)光裝置10B作為輸出光被輸出。入射到顏色變換用成型部件12B的藍(lán)色光直到透過熒光體層3和基板2F被射出為止的期間，一部分被熒光體層3內(nèi)的無機(jī)熒光體31吸收。另一部分被基板2F內(nèi)的無機(jī)熒光體吸收。被吸收的藍(lán)色光激發(fā)無機(jī)熒光體31，釋放出（發(fā)光）紅色光。即，無機(jī)熒光體31將藍(lán)色光顏色變換為紅色光。另外，被吸收的藍(lán)色光激發(fā)基板2F內(nèi)的無機(jī)熒光體，釋放出（發(fā)光）綠色光。即，基板2F內(nèi)的無機(jī)熒光體將藍(lán)色光顏色變換為綠色光。從無機(jī)熒光體31發(fā)出的紅色光、從基板2F內(nèi)的無機(jī)熒光體發(fā)出綠色光以及未被任何無機(jī)熒光體吸收的透過熒光體層3和基板2F的藍(lán)色光從與入射光L3入射的面相反的一側(cè)的面作為透過光L4射出。此時(shí)，透過光L4含有用熒光體層3進(jìn)行顏色變換的紅色光、用基板2F內(nèi)進(jìn)行顏色變換的綠色光和未被顏色變換的藍(lán)色光，透過光L4成為這些光混色而成的顏色。通過以使藍(lán)色光、綠色光和紅色光為適當(dāng)?shù)谋壤姆绞秸{(diào)整熒光體層3中的無機(jī)熒光體31的膜厚、空隙33（參照?qǐng)D1（b））的比例、基板2F內(nèi)的無機(jī)熒光體的含量等，從而能夠使發(fā)光裝置10B的輸出光成為白色光。此外，本發(fā)明不限于白色光，可以以將入射光L3的全部顏色變換為黃色光，作為黃色光而輸出的方式構(gòu)成。另外，例如也可以為顏色變換為綠色、紅色等的構(gòu)成。另外，通過在基板2F和熒光體層3中含有不同種類的無機(jī)熒光體，或在基板2F和熒光體層3上分別層疊多種無機(jī)熒光體，或混合含有，從而能夠成為變換為各種光譜的光而進(jìn)行輸出的構(gòu)成。此外，在圖19（a）所示的發(fā)光裝置10B中，作為顏色變換用成型部件12B，可以代替無機(jī)成型體1F，使用圖24（b）所示的第11實(shí)施方式的無機(jī)成型體1G。另外，圖18（a）所示的發(fā)光裝置10，作為顏色變換用成型部件12，可以代替第1實(shí)施方式的無機(jī)成型體1，使用圖24（c）所示的第12實(shí)施方式的無機(jī)成型體1H。如上所述那樣，本發(fā)明的第10實(shí)施方式～第12實(shí)施方式的顏色變換用無機(jī)成型體中，無機(jī)粒子層是用覆蓋層覆蓋顏色變換部件的粒子的凝集體的結(jié)構(gòu)，所以能夠提高顏色變換部件的含有率，而且因空隙的光散射效果，能夠得到高顏色變換效率。另外，本發(fā)明的顏色變換用無機(jī)成型體受成型體的形狀、使用的顏色變換部件的種類的限制少。并且，對(duì)于本發(fā)明的第10實(shí)施方式～第12實(shí)施方式的顏色變換用無機(jī)成型體，在基體和無機(jī)粒子層中含有由第1無機(jī)材料和第2無機(jī)材料構(gòu)成的多種顏色變換部件，所以能夠形成緊湊的結(jié)構(gòu)，并且能使與入射光不同的多個(gè)顏色的光混色而射出。＜第14實(shí)施方式＞［發(fā)光裝置的構(gòu)成］接下來，參照?qǐng)D25對(duì)本發(fā)明的第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖25所示，第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置10D在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面和半導(dǎo)體發(fā)光元件8的上表面設(shè)置熒光體層（無機(jī)粒子層）3。另外，熒光體層3由粒狀的無機(jī)熒光體（波長(zhǎng)變換部件）31和覆蓋無機(jī)熒光體31的覆蓋層32形成。即，第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置10D在上述的其它的實(shí)施方式的無機(jī)成型體1等（例如，參照?qǐng)D1）中，作為支撐熒光體層3的基體，代替基板2等而使用半導(dǎo)體發(fā)光元件8。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件8為光源。因此，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10D中，半導(dǎo)體發(fā)光元件8是支撐熒光體層3的基體，并且同時(shí)兼做發(fā)光裝置10D的光源。此外，在熒光體層3的內(nèi)部，與圖1（b）所示的第1實(shí)施方式的熒光體層3同樣地形成空隙33，但在圖25中省略空隙33的圖示。此外，此處，為了方便，以圖25的紙面的上方為半導(dǎo)體發(fā)光元件8的上表面。發(fā)光裝置10D在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的至少上表面設(shè)置熒光體層3即可。此處，“上表面”是指半導(dǎo)體發(fā)光元件8的基板側(cè)或半導(dǎo)體層側(cè)的任一個(gè)面。即，如后述的發(fā)光裝置的制造方法中說明的那樣，將半導(dǎo)體發(fā)光元件8載置于夾具、絕緣性基板的面不用熒光體層3覆蓋，所以僅在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的基板側(cè)和半導(dǎo)體層側(cè)中的任一方設(shè)置熒光體層3。另外，“至少上表面”是指僅在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的上表面和側(cè)面中的任一方設(shè)置熒光體層3即可。此外，有時(shí)在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面也可以不設(shè)置熒光體層3，但此處對(duì)在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面也設(shè)置熒光體層3的情況進(jìn)行說明。如果在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面也設(shè)置熒光體層3，則能夠?qū)碜詡?cè)面的光色調(diào)變換為與上表面相同的色調(diào)，因而可得到色調(diào)均勻的半導(dǎo)體發(fā)光元件8。使用含有以往燒結(jié)制成的無機(jī)熒光體的陶瓷成型體在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的上表面和側(cè)面設(shè)置熒光體時(shí)，需要將設(shè)置于各表面的熒光體加工成板狀，貼附于各表面。此處，在板彼此的接合位置產(chǎn)生間隙時(shí)，從該部分漏出藍(lán)色光，產(chǎn)生發(fā)光色的均勻性降低的問題。另外，在板彼此的接合位置處，上表面的板或側(cè)面的板比所希望的長(zhǎng)度長(zhǎng)在橫方向或上方向突出，有時(shí)也會(huì)在接合位置產(chǎn)生板的剩余，由此同樣地產(chǎn)生發(fā)光色的均勻性降低的問題。然而，半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面是通過切割、劃線、斷裂而生成的面，缺乏面的平坦性、平行度。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件8的大小產(chǎn)生差異，所以半導(dǎo)體發(fā)光元件8的高度最多就數(shù)百μm，對(duì)側(cè)面貼附的板狀熒光體的大小非常小。因此，在接合部的間隙，沒有剩余地貼附是非常困難的，存在難以得到均勻的色調(diào)的問題。另外，還有將板狀的熒光體僅設(shè)置在上表面，用含有光反射填料的樹脂等反射材覆蓋側(cè)面的方法，但此時(shí)，將從半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面射出的光再次返回元件，所以光的損失大，存在難以得到效率高的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的問題。如果在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面也設(shè)置熒光體層3，則能夠解決這樣的問題。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置10D是具備利用來自半導(dǎo)體發(fā)光元件8的發(fā)光，通過熒光體層3的無機(jī)熒光體31吸收入射到熒光體層3的光的一部分或全部，變換為與入射光不同顏色的光而射出的透過型的顏色變換用成型體的發(fā)光裝置。以下，對(duì)發(fā)光裝置10D的各部的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。（半導(dǎo)體發(fā)光元件）作為半導(dǎo)體發(fā)光元件8，可以使任意的結(jié)構(gòu)，作為一個(gè)例子，可舉出圖26（a）所示的正面朝下（FD）安裝型或者正面朝上（FU）安裝型的元件8a或圖26（b）所示的垂直結(jié)構(gòu)型的元件8b。如圖26（a）所示，半導(dǎo)體發(fā)光元件8a具有基板（支撐基板）41和層疊于支撐基板41的上（附圖上為下）的半導(dǎo)體層42。該半導(dǎo)體層42按順序?qū)盈Bn型半導(dǎo)體層42a、活性層42b、p型半導(dǎo)體層42c，在n型半導(dǎo)體層42a上形成n側(cè)電極43。另外，在p型半導(dǎo)體層42c，介由反射電極（或透明電極）45、罩電極46形成p側(cè)電極44。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件8a的半導(dǎo)體層42（和罩電極46）用絕緣性的保護(hù)膜47覆蓋。如圖26（b）所示，半導(dǎo)體發(fā)光元件8b具有支撐基板41和在支撐基板41上介由晶片粘合層（Au-Au接合層）49而層疊的半導(dǎo)體層42。該半導(dǎo)體層42按順序?qū)盈B有p型半導(dǎo)體層42c、活性層42b、n型半導(dǎo)體層42a，在n型半導(dǎo)體層42a形成n側(cè)電極43。另外，在p型半導(dǎo)體層42c的背面，以規(guī)定的間隔設(shè)置反射電極（Ag）45和電流狹窄層（電介質(zhì)）48。而且，在支撐基板41的背面，形成p側(cè)電極44。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件8b的半導(dǎo)體層42用絕緣性的保護(hù)膜47覆蓋。此外，半導(dǎo)體發(fā)光元件8的形態(tài)不限于上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件8a、8b的形態(tài)，例如也可以是沒有支撐基板41、晶片粘合層49的形態(tài)。另外，在其它的附圖中進(jìn)一步簡(jiǎn)化表示圖26（a）、（b）所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件8（8a、8b）。作為半導(dǎo)體發(fā)光元件8，優(yōu)選使用發(fā)光二極管，可以選擇任意波長(zhǎng)的元件。例如，作為藍(lán)色（波長(zhǎng)430nm～490nm的光）、綠色（波長(zhǎng)490nm～570nm的光）的半導(dǎo)體發(fā)光元件8，可使用ZnSe、氮化物系半導(dǎo)體（InXAlYGa1-X-YN，0≤X，0≤Y，X＋Y≤1）、GaP等。另外，作為紅色（波長(zhǎng)620nm～750nm的光）的半導(dǎo)體發(fā)光元件8，可使用GaAlAs、AlInGaP等。此外，如本發(fā)明，形成使用了熒光物質(zhì)的發(fā)光裝置10D的情況下，可優(yōu)選地使用可發(fā)出能夠高效的地激發(fā)其熒光物質(zhì)的短波長(zhǎng)的光的氮化物半導(dǎo)體（InXAlYGa1-X-YN，0≤X，0≤Y，X＋Y≤1）。而且，通過調(diào)整活性層42b的材料及其混晶，能夠選擇各種發(fā)光波長(zhǎng)。并且，還能夠使用由這些以外的材料構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光元件8。此外，使用的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的成分組成、發(fā)光色、大小等可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。另外，還能夠制成不僅輸出可見光區(qū)域的光還能夠輸出紫外線、紅外線的半導(dǎo)體發(fā)光元件8。（熒光體層（無機(jī)粒子層））本實(shí)施方式的熒光體層3與上述的其它的實(shí)施方式的熒光體層3相同，所以省略詳細(xì)的說明。＜第15實(shí)施方式＞作為發(fā)光裝置的其它的實(shí)施方式（第15實(shí)施方式），如圖27所示，也可以在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的至少上表面具有透光性層5。即，如圖27所示，發(fā)光裝置10E在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面和上表面具有透光性層5，介由透光性層5在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面和上表面設(shè)置熒光體層3。第15實(shí)施方式的熒光體層3具有與上述的其它的實(shí)施方式相同的構(gòu)成。此外，在圖27中，省略熒光體層3的內(nèi)部的空隙33（圖1（b）參照）的圖示。（透光性層）透光性層5是將在后述的熒光體層形成工序S44、S56、S63（參照?qǐng)D28、30、32）中，為了在半導(dǎo)體發(fā)光元件2的表面利用電沉積法或者靜電涂裝法而形成無機(jī)熒光體31的粒子層34作為電極使用的導(dǎo)電體層6（參照?qǐng)D5（b））透明化的透光性層或透明導(dǎo)電體層。因此，透光性層5可使用在上述的制造工序中具有導(dǎo)電性且其后可透明化的材料或具有導(dǎo)電性的透光性的材料。另外，使用具有導(dǎo)電性的透光性的材料時(shí)，在后述的制造方法中，可省略導(dǎo)電體層透明化工序S45、S57（參照?qǐng)D28、30）。此外，透光性層5及作為其前體的導(dǎo)電體層6與圖12和圖14所示的第4實(shí)施方式的透光性層5和導(dǎo)電體層6相同，所以省略詳細(xì)的說明?！栋l(fā)光裝置的制造方法》接下來，對(duì)本發(fā)明的第14實(shí)施方式和第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法，參照?qǐng)D28～圖33進(jìn)行說明。此處，對(duì)3個(gè)制造方法進(jìn)行說明。（第1制造方法）第1制造方法是圖27所示的第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置10E的制造方法，如圖28所示，包括半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S41、排列工序S42、導(dǎo)電體層形成工序S43、熒光體層形成工序S44、導(dǎo)電體層透明化工序S45、覆蓋層形成工序S46以及最終單片化工序S47，按該順序進(jìn)行。此外，以制造多個(gè)發(fā)光裝置10E為前提，包括排列工序S42、最終單片化工序S47進(jìn)行說明。另外，如后所述，根據(jù)制造方法的條件，也可以不包含導(dǎo)電體層形成工序S43、導(dǎo)電體層透明化工序S45。以下，參照?qǐng)D29（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D26～圖28），對(duì)各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。（半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序）半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S41是制造單片化的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的工序。根據(jù)該工序，制造圖26（a）所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件8a。該半導(dǎo)體發(fā)光元件8a的制造按照以往公知的方法進(jìn)行即可。例如，在由藍(lán)寶石（C面）構(gòu)成的支撐基板41上，用MOVPE（Metal-OrganicVaporPhaseEpitaxy）反應(yīng)裝置，使構(gòu)成n型半導(dǎo)體層42a、活性層42b、p型半導(dǎo)體層42c的各氮化物半導(dǎo)體依次生長(zhǎng)（將氮化物半導(dǎo)體的各層進(jìn)行生長(zhǎng)的基板適當(dāng)?shù)胤Q為晶片）。接下來，形成抗蝕劑掩模進(jìn)行蝕刻，除去抗蝕劑，其后，采用濺射將構(gòu)成反射電極（或透明電極）45、罩電極46的膜進(jìn)行成膜。并且，形成抗蝕劑掩模進(jìn)行蝕刻，除去抗蝕劑，其后，采用濺射設(shè)置p側(cè)電極44和n側(cè)電極43。進(jìn)而，采用濺射將保護(hù)膜47成膜，形成抗蝕劑掩模進(jìn)行蝕刻，除去抗蝕劑。進(jìn)而通過蝕刻使p側(cè)電極44和n側(cè)電極43露出。而且，通過切割等使晶片單片化。（排列工序）排列工序S42是在平板狀的夾具以規(guī)定的間隔排列半導(dǎo)體發(fā)光元件8的工序。在排列工序S42中，如圖29（a）所示，將半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S41中制造的半導(dǎo)體發(fā)光元件8以使電極43、44面為下側(cè)的方式以規(guī)定的間隔排列在粘附有粘接片（省略圖示）的夾具50上。此時(shí)，可以在電極43、44例如以設(shè)置未圖示的凸塊等的方式調(diào)整高度。排列在夾具50上的半導(dǎo)體發(fā)光元件8通過粘接片而粘附在夾具50上，保持其位置。此外，在排列工序S42中，可以將半導(dǎo)體發(fā)光元件8例如使用開口夾一個(gè)一個(gè)吸附半導(dǎo)體發(fā)光元件8，排列在夾具50上。此處，夾具50是保持半導(dǎo)體發(fā)光元件8的排列的板狀的部件。作為夾具50，可以使用具有剛性的陶瓷、玻璃、金屬、塑料等板狀部件。（導(dǎo)電體層形成工序）導(dǎo)電體層形成工序S43是在排列工序S42和熒光體層形成工序S44之間，在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面形成由金屬構(gòu)成的導(dǎo)電體層6的工序。在導(dǎo)電體層形成工序S43中，如圖29（b）所示，以覆蓋配置于夾具50的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的上表面和側(cè)面的方式，在夾具50和半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面形成由導(dǎo)電體材料（金屬材料）構(gòu)成的導(dǎo)電體層6。作為導(dǎo)電體層6，可使用能夠在屬于后續(xù)工序的導(dǎo)電體層透明化工序S45中透明化的材料，例如Al。導(dǎo)電體層6例如可利用濺射法、蒸鍍法、鍍覆法等而形成。另外，作為導(dǎo)電體材料，使用ITO、ZnO等上述的具有透光性的材料，例如可以利用濺射法、蒸鍍法等物理的方法、或噴霧法、CVD（化學(xué)氣相生長(zhǎng)）法等化學(xué)方法等而形成導(dǎo)電體層6。此外，使用透光性材料形成導(dǎo)電體層6時(shí)，可省略導(dǎo)電體層透明化工序S45。此外，通過剝離半導(dǎo)體發(fā)光元件8的支撐基板41，從而能夠利用導(dǎo)電性外延層賦予導(dǎo)電性。（熒光體層形成工序（無機(jī)粒子層形成工序））熒光體層形成工序S44是在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面形成含有由吸收半導(dǎo)體發(fā)光元件8發(fā)出的第1顏色的光且發(fā)出與第1顏色不同的第2顏色的光的無機(jī)材料構(gòu)成的顏色變換部件（無機(jī)熒光體31）的粒子的凝集體（粒子層34）的工序。在熒光體層形成工序S44中，如圖29（c）所示，以導(dǎo)電體層6作為一個(gè)電極，利用電沉積（電鍍）法或者靜電涂裝法，在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面（上表面和側(cè)面），介由導(dǎo)電體層6形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。此外，即使半導(dǎo)體發(fā)光元件8為絕緣體，通過使用作為導(dǎo)電體的金屬作為導(dǎo)電體層6，以導(dǎo)電體層6作為電極，能夠利用電沉積法、靜電涂裝法形成無機(jī)熒光體31的粒子層34。此外，熒光體層形成工序S44與圖13所示的第4實(shí)施方式的熒光體層形成工序S21相同，所以省略詳細(xì)的說明。（導(dǎo)電體層透明化工序）導(dǎo)電體層透明化工序S45是在熒光體層形成工序S44與覆蓋層形成工序S46之間，將導(dǎo)電體層6的金屬氧化而透明化的工序。在導(dǎo)電體層透明化工序S45中，如圖29（d）所示，將導(dǎo)電體層6透明化，變化為透光性層5。此外，導(dǎo)電體層透明化工序S45與圖13所示的第4實(shí)施方式的導(dǎo)電體層透明化工序S22相同，所以省略詳細(xì)的說明。（覆蓋層形成工序）覆蓋層形成工序S46是形成連續(xù)地覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面和顏色變換部件（無機(jī)熒光體31）的粒子的表面的由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層32的工序。在覆蓋層形成工序S46中，如圖29（e）所示，覆蓋熒光體層形成工序S44中形成的無機(jī)熒光體31的粒子層34，形成使粒子彼此固定的覆蓋層32。在覆蓋層形成工序S46中，覆蓋層32可利用ALD法、MOCVD法等而形成?？傻玫綗o機(jī)熒光體31的粒子被覆蓋層32覆蓋并且無機(jī)熒光體31的粒子和透光性層5以及無機(jī)熒光體31的粒子彼此固定而一體化的發(fā)光裝置。此外，覆蓋層形成工序S46與圖13所示的第4實(shí)施方式的覆蓋層形成工序S23相同，所以省略詳細(xì)的說明。（最終單片化工序）最終單片化工序S47是將形成有覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8單片化的工序。如圖29（f）所示，此處，利用切割、研磨等，除去夾具50上的未載置形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的部位、即除去形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8彼此間的透光性層5和熒光體層3。并且，將形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8從夾具50剝離。此外，在圖29中，為了便于理解，較厚地記載了熒光體層3、透光性層5、導(dǎo)電體層6，所以在圖29（e）中覆蓋層32為覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面的一部分的形態(tài)。但是，實(shí)際上通過調(diào)整熒光體層3的膜厚，能夠用覆蓋層32基本覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面的全部。另外，也可以在形成覆蓋層32前除去半導(dǎo)體發(fā)光元件8彼此間的透光性層5或形成覆蓋層32后除去半導(dǎo)體發(fā)光元件8彼此間的透光性層5和熒光體層3后，在半導(dǎo)體發(fā)光元件2的側(cè)面整體形成覆蓋層32。因此，在圖29（f）～（h）中，為了方便，圖示了在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面整體形成覆蓋層32的狀態(tài)。此外，也可以與形成熒光體層3的情況相同，在形成熒光體層3前除去導(dǎo)電體層6，在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的側(cè)面整體形成熒光體層3。而且，如圖29（g）所示，這樣制造的發(fā)光裝置10E設(shè)置在封裝件15的凹部15a內(nèi)。封裝件15是用于安裝發(fā)光裝置10E的安裝基板。封裝件15具有安裝發(fā)光裝置10E的凹部15a，凹部15a的上方有開口。此處，半導(dǎo)體發(fā)光元件8為正面朝下安裝的FD元件時(shí)，如圖29（g）所示，電極43、44安裝于導(dǎo)電部件73、74上。另一方面，為正面朝上安裝的FU元件時(shí)，如圖29（h）所示，電極43、44朝上，支撐基板41側(cè)安裝于導(dǎo)電部件73上。而且，電極43、44和導(dǎo)電部件73、74通過線80、80連接。該發(fā)光裝置10E的安裝方法可使用作為接合部件使用焊料膏的安裝或利用使用了焊料等的凸塊的安裝。（第2制造方法）第2制造方法是圖27所示的第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置10E的其它的制造方法，如圖7所示，包括半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S51、排列工序S52、導(dǎo)電體層形成工序S53、中途單片化工序S54、預(yù)備安裝工序S55、熒光體層形成工序S56、導(dǎo)電體層透明化工序S57、覆蓋層形成工序S58、以及最終單片化工序S59，按該順序進(jìn)行。此外，對(duì)以制造多個(gè)發(fā)光裝置10E為前提，包括排列工序S52、最終單片化工序S59進(jìn)行說明。另外，與第1制造方法相同地可以根據(jù)制造方法的條件，不包括導(dǎo)電體層形成工序S53、導(dǎo)電體層透明化工序S57。以下，參照?qǐng)D31（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D26～圖27、圖30），對(duì)各工序詳細(xì)進(jìn)行說明。（半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序）第2制造方法的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S51與第1制造方法的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S41相同，所以省略詳細(xì)的說明。（排列工序）如圖31（a）所示，第2制造方法的排列工序S52與第1制造方法的排列工序S42相同，所以省略詳細(xì)的說明。（導(dǎo)電體層形成工序）如圖31（b）所示，第2制造方法的導(dǎo)電體層形成工序S53與第1制造方法的導(dǎo)電體層形成工序S43相同，所以省略詳細(xì)的說明。（中途單片化工序）中途單片化工序S54是將形成了導(dǎo)電體層6的半導(dǎo)體發(fā)光元件8進(jìn)行單片化的工序。在中途單片化工序S54中，此處，利用切割、研磨等，除去夾具50上的未載置形成了導(dǎo)電體層6的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的部位，即除去形成了導(dǎo)電體層6的半導(dǎo)體發(fā)光元件8彼此間的導(dǎo)電體層6。并且，將形成了導(dǎo)電體層6的半導(dǎo)體發(fā)光元件8從夾具50剝離。（預(yù)備安裝工序）預(yù)備安裝工序S55是在平板狀的絕緣性基板60以規(guī)定的間隔安裝半導(dǎo)體發(fā)光元件8的工序。在預(yù)備安裝工序S55中，如圖31（c）所示，將形成了導(dǎo)電體層6的半導(dǎo)體發(fā)光元件8以使電極43、44面為下側(cè)的方式以規(guī)定的間隔介由粘附有絕緣性基板60的導(dǎo)電部件71、72排列安裝在絕緣性基板60上。安裝于絕緣性基板60上的半導(dǎo)體發(fā)光元件8載置于導(dǎo)電部件71、72上，保持其位置。該半導(dǎo)體發(fā)光元件8的安裝方法可使用作為接合部件而使用焊料膏的安裝、或利用使用了焊料等的凸塊的安裝。此外，在預(yù)備安裝工序S55中，可以將半導(dǎo)體發(fā)光元件8例如使用開口夾一個(gè)一個(gè)吸附半導(dǎo)體發(fā)光元件8，安裝在絕緣性基板60上。此處，絕緣性基板60是安裝在后述的封裝件15后，用于將電源和電極電連接的板狀的部件。即，絕緣性基板60是通過其內(nèi)部、側(cè)面等，安裝于后述的封裝件15后，例如利用導(dǎo)線等導(dǎo)電性的部件將導(dǎo)電部件73與導(dǎo)電部件71、導(dǎo)電部件74與導(dǎo)電部件72電連接。也可以利用焊線焊接使它們導(dǎo)通。但是，導(dǎo)通的方法并不限于這些，也可以是任意的方法。絕緣性基板60可使用陶瓷等板狀部件。（熒光體層形成工序（無機(jī)粒子層形成工序））如圖31（d）所示，第2制造方法的熒光體層形成工序S56與第1制造方法的熒光體層形成工序S44相同，所以省略詳細(xì)的說明。（導(dǎo)電體層透明化工序）如圖31（e）所示，第2制造方法的導(dǎo)電體層透明化工序S57與第1制造方法的導(dǎo)電體層透明化工序S45相同，所以省略詳細(xì)的說明。（覆蓋層形成工序）如圖31（f）所示，第2制造方法的覆蓋層形成工序S58與第1制造方法的覆蓋層形成工序S46相同，所以省略詳細(xì)的說明。此外，可以利用蝕刻等除去絕緣性基板60上的未載置形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的部位，即形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8彼此間的覆蓋層32，或?qū)嵤┭谀Ｐ纬筛采w層32。（最終單片化工序）最終單片化工序是將形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8進(jìn)行單片化的工序。如圖31（g）所示，此處是利用切割等將絕緣性基板60切斷使形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8單片化。利用以上的工序，可以制造圖27所示的發(fā)光裝置10E。而且，如圖31（h）所示，這樣制造的發(fā)光裝置10E與導(dǎo)電部件71、72和絕緣性基板60一體地設(shè)置在封裝件15的凹部15a內(nèi)。此時(shí)，發(fā)光裝置10E是在設(shè)置于封裝件15的凹部15a內(nèi)的底部的導(dǎo)電部件73、74上介由導(dǎo)電部件71、72和絕緣性基板60而安裝。此外，導(dǎo)電部件73和導(dǎo)電部件71與導(dǎo)電部件74和導(dǎo)電部件72例如利用導(dǎo)線等導(dǎo)電性的部件，通過絕緣性基板60的內(nèi)部、側(cè)面等而電連接?；蚶煤妇€焊接使它們導(dǎo)通。但是，導(dǎo)通的方法并不限于這些，可以為任意的方法。該發(fā)光裝置10E的安裝方法可使用作為接合部件而使用焊料膏的安裝、或利用使用了焊料等的凸塊的安裝。（第3制造方法）第3制造方法是圖25所示的第14實(shí)施方式的發(fā)光裝置10D的制造方法，如圖32所示，包括半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S61、預(yù)備安裝工序S62、熒光體層形成工序S63、覆蓋層形成工序S64以及最終單片化工序S65，按該順序進(jìn)行。此外，此處對(duì)以制造多個(gè)發(fā)光裝置10D為前提，包括預(yù)備安裝工序S62、最終單片化工序S65進(jìn)行說明。以下，參照?qǐng)D33（適當(dāng)?shù)貐⒄請(qǐng)D25～圖26、圖32），對(duì)各工序詳細(xì)進(jìn)行說明。（半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序）半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序S61是制造半導(dǎo)體發(fā)光元件2的工序。利用該工序，制造圖26（b）所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件8b。該半導(dǎo)體發(fā)光元件8b的制造按照以往公知的方法進(jìn)行即可。例如，在由藍(lán)寶石（C面）構(gòu)成的基板（未圖示）上，采用MOVPE反應(yīng)裝置，使構(gòu)成n型半導(dǎo)體層42a、活性層42b、p型半導(dǎo)體層42c的各氮化物半導(dǎo)體依次生長(zhǎng)。接著，采用濺射設(shè)置反射電極（Ag）45和電流狹窄層（電介質(zhì)）48。其后，采用濺射將晶片粘合層49成膜，在Si等具有導(dǎo)電性的支撐基板41上利用熱壓等方法進(jìn)行粘合。接著，利用從藍(lán)寶石側(cè)照射激光的激光剝離（LLO）法剝離藍(lán)寶石基板。接著，形成抗蝕劑掩模進(jìn)行半導(dǎo)體層的圖案形成，除去抗蝕劑，其后，采用濺射設(shè)置n側(cè)電極43。進(jìn)而，采用濺射將保護(hù)膜47成膜，形成抗蝕劑掩模進(jìn)行蝕刻，除去抗蝕劑，使n側(cè)電極13露出。另一方面，在支撐基板41的背面，采用濺射設(shè)置p側(cè)電極44。（預(yù)備安裝工序）預(yù)備安裝工序S62是將半導(dǎo)體發(fā)光元件8以規(guī)定的間隔排列在平板狀的絕緣性基板60上的工序。在預(yù)備安裝工序S62中，如圖33（a）所示，將半導(dǎo)體發(fā)光元件8以p側(cè)電極44面為下側(cè)的方式，以規(guī)定的間隔，介由粘附于絕緣性基板60的導(dǎo)電部件71排列安裝在絕緣性基板60上。安裝于絕緣性基板60上的半導(dǎo)體發(fā)光元件8載置于導(dǎo)電部件71上，保持其位置。該半導(dǎo)體發(fā)光元件8的安裝方法可使用作為接合部件而使用焊料膏的安裝、利用使用了焊料等的凸塊的安裝。另一方面，利用焊線80將n側(cè)電極43和設(shè)置于絕緣性基板60上的導(dǎo)電部件72連接。在這樣的垂直結(jié)構(gòu)型的半導(dǎo)體發(fā)光元件8b中，通過使p側(cè)電極44和n側(cè)電極43介由焊線80而電連接，從而使半導(dǎo)體發(fā)光元件8b的側(cè)面和上面導(dǎo)通，所以能夠在不設(shè)置導(dǎo)電體層的情況下進(jìn)行電鍍。（熒光體層形成工序（無機(jī)粒子層形成工序））如圖33（b）所示，第3制造方法的熒光體層形成工序S63與第1制造方法的熒光體層形成工序S44相同，所以省略詳細(xì)的說明。此外，此處在焊線80的表面也形成粒子層34。另外，半導(dǎo)體層整體作為電鍍或者靜電涂裝的電極發(fā)揮功能，所以在半導(dǎo)體層的露出面形成粒子層34。（覆蓋層形成工序）如圖33（c）所示，第3制造方法的覆蓋層形成工序S64與第1制造方法的覆蓋層形成工序S46相同，所以省略詳細(xì)的說明。此外，此處在焊線80的表面也形成覆蓋層32。（最終單片化工序）如圖33（d）所示，第3制造方法的最終單片化工序S65與第2制造方法的最終單片化工序S59相同，所以省略詳細(xì)的說明。此外，此處在具備焊線80的狀態(tài)下進(jìn)行單片化。通過以上的工序，能夠制造圖25所示的發(fā)光裝置10D。此外，在圖25中，省略焊線的圖示。進(jìn)而，如圖33（e）所示，這樣制造的發(fā)光裝置10D與導(dǎo)電部件71、72以及絕緣性基板60一體地設(shè)置于封裝件15的凹部15a內(nèi)。此時(shí)，發(fā)光裝置10D是在設(shè)置于封裝件15的凹部15a內(nèi)的底部的導(dǎo)電部件73、74上，介由導(dǎo)電部件71、72和絕緣性基板60而安裝。此外，導(dǎo)電部件73和導(dǎo)電部件71與導(dǎo)電部件74和導(dǎo)電部件72例如利用導(dǎo)線等導(dǎo)電性的部件，通過絕緣性基板60的內(nèi)部、側(cè)面等而電連接。或利用焊線焊接使它們導(dǎo)通。但是，導(dǎo)通的方法并不限于這些，也可以是任意的方法。該發(fā)光裝置10D的安裝方法可使用作為接合部件而使用焊料膏的安裝、或利用使用了焊料等的凸塊的安裝。以上，對(duì)本發(fā)明的第14實(shí)施方式和第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置和發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。以下，參照?qǐng)D34（a）、（b），對(duì)其他的變形例進(jìn)行說明。如圖34（a）所示，發(fā)光裝置10F是以覆蓋熒光體層3的方式形成保護(hù)層9。保護(hù)層9為透明層，由SiO2等氧化膜構(gòu)成。通過這樣的構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)熒光體層3的強(qiáng)度的提高和光射出的提高。另外，制造的半導(dǎo)體發(fā)光元件8通過進(jìn)一步的小片化而成為最終形狀，所以需要耐受該切斷加工的強(qiáng)度。而且，半導(dǎo)體發(fā)光元件8在切斷加工后與其它的部件接合地使用。此時(shí)，預(yù)測(cè)到表面的平坦度對(duì)接合的影響，利用保護(hù)層9的形成實(shí)現(xiàn)平坦化。另外，需要進(jìn)一步平坦化的情況下，也可以通過研磨、磨削、CMP，作為加工層使用。接下來，對(duì)形成該保護(hù)層9的保護(hù)層形成工序進(jìn)行說明。保護(hù)層形成工序是在覆蓋層形成工序后且最終單片化工序前，在連續(xù)地覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面和顏色變換部件（無機(jī)熒光體31）的粒子的表面的由無機(jī)材料構(gòu)成的覆蓋層32的上部，形成由氧化膜構(gòu)成的保護(hù)層9的工序。如圖34（a）所示，保護(hù)層形成工序是以覆蓋無機(jī)熒光體31，覆蓋層32的方式而形成。保護(hù)層9可通過CVD法、大氣壓等離子體成膜法、濺射法等而形成。由此，能夠減少熒光體層3的凹凸，并且能夠提高由無機(jī)熒光體31、覆蓋層32構(gòu)成的形成體的固定化。上述舉出的成膜方法可以在成膜材料的覆蓋率低的狀態(tài)下進(jìn)行形成。因此，不僅能夠減少最表面的凹凸，還能夠堵住最表面附近的空隙。進(jìn)而，需要使更平坦的表面接合等的情況下，能夠在不加工熒光體層3的情況下，通過磨削、研磨、CMP等來加工保護(hù)層9。（利用CVD法的保護(hù)層形成工序）對(duì)使用CVD法的情況的保護(hù)層形成工序進(jìn)行說明。CVD法的工序由真空排氣、等離子體處理、清洗工序構(gòu)成。真空排氣在10Pa左右下進(jìn)行。而且到達(dá)真空度后，至200℃高溫進(jìn)行保管。接下來，導(dǎo)入TEOS、氧，產(chǎn)生等離子體，以2μm單位形成，進(jìn)行剝離或殘留應(yīng)力的緩和。膜厚在16μm間形成。其后，恢復(fù)到大氣壓取出。另外，如圖34（b）所示，可以制成在無機(jī)熒光體31的表面形成與覆蓋層折射率不同的填料粒子35，在該填料粒子35的表面形成覆蓋層32的發(fā)光裝置10G。作為填料粒子35，可舉出上述的無機(jī)填料。在形成無機(jī)熒光體31后且形成覆蓋層32前，在無機(jī)熒光體31的表面配置與覆蓋層32折射率不同的填料粒子35，其后，通過形成覆蓋層32，從而能夠提高光的擴(kuò)散和射出的效率。例如覆蓋層32為Al2O3時(shí)，將SiO2或TiO2粒子等配置在無機(jī)熒光體31的最表面，其后，形成覆蓋層32。填料粒子35例如可利用上述的電沉積法、靜電涂裝法、脈沖噴霧法或離心沉降法或者這些方法的組合而形成。此外，在這些變形例中，也可以在半導(dǎo)體發(fā)光元件8的表面設(shè)置透光性層5（參照?qǐng)D27）。［發(fā)光裝置的動(dòng)作］接下來，參照?qǐng)D25、圖27，對(duì)發(fā)光裝置10D、10E的動(dòng)作進(jìn)行說明。此外，在本實(shí)施方式中，對(duì)使用發(fā)出藍(lán)色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件8作為光源的情況進(jìn)行說明。另外，作為顏色變換用成型體使用具有將藍(lán)色光變換為黃色光的無機(jī)熒光體31的發(fā)光裝置10D、10E。從半導(dǎo)體發(fā)光元件8射出的藍(lán)色的光因熒光體層3的空隙33（參照?qǐng)D1（b））散射，同時(shí)在熒光體層3內(nèi)傳遞，從發(fā)光裝置10D、10E作為輸出光而輸出。入射到熒光體層3的藍(lán)色光直到透過熒光體層3而射出為止期間，一部分被無機(jī)熒光體31吸收。被吸收的藍(lán)色光激發(fā)無機(jī)熒光體31，釋放出（發(fā)光）黃色光。即，無機(jī)熒光體31將藍(lán)色光顏色變換為黃色光。從無機(jī)熒光體31發(fā)出的黃色光和未被無機(jī)熒光體31吸收而透過熒光體層3的藍(lán)色光從發(fā)光裝置10D、10E的側(cè)面和上方的面作為透過光而射出。此時(shí)，透過光中含有熒光體層3中進(jìn)行顏色變換的黃色光和未進(jìn)行顏色變換的藍(lán)色光，透過光成為這些光的混色而成的顏色。通過以使藍(lán)色光和黃色光成為適當(dāng)?shù)谋壤姆绞秸{(diào)整熒光體層3中的無機(jī)熒光體31的膜厚或空隙33（參照?qǐng)D1（b））的比例，從而能夠使發(fā)光裝置10D、10E的輸出光成為白色光。此外，本發(fā)明不限于白色光，可以以將從半導(dǎo)體發(fā)光元件8射出的光的全部顏色變換為黃色光，作為黃色光而輸出的方式構(gòu)成。另外，例如也可以以使用顏色變換為綠色、紅色等的無機(jī)熒光體31的方式構(gòu)成。另外，可以通過層疊或混合多種無機(jī)熒光體31而形成熒光體層3，以變換為各種顏色而輸出的方式構(gòu)成。此外，在發(fā)光裝置10F、10G中也存在保護(hù)層9、填料粒子35，除此之外，與發(fā)光裝置10D、10E相同。如上所述，本發(fā)明的第14實(shí)施方式、第15實(shí)施方式以及這些變形例的發(fā)光裝置可以通過用無機(jī)材料覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件的表面而形成即使在高電流、高溫下劣化也少的發(fā)光裝置。另外，能夠選擇低電流、低溫下易于劣化的無機(jī)熒光體，能夠抑制輸出變化。另外，通過對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件直接實(shí)施原子層體積法，從而能夠保護(hù)外延層的損傷、沖模切斷面的電極層、裸露的各層。進(jìn)而，通過用無機(jī)材料覆蓋，與用樹脂使無機(jī)熒光體間進(jìn)行粘合的情況不同，材料的線膨脹系數(shù)小，所以能夠抑制因膨脹收縮合粘合的變化而發(fā)光裝置的發(fā)光色變化。實(shí)施例接下來，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。＜實(shí)施例1＞作為實(shí)施例1，對(duì)圖6所示的第2實(shí)施方式的無機(jī)成型體1B的制成例進(jìn)行說明。（反射層形成工序）首先，對(duì)銅制的板狀的基板進(jìn)行鏡面加工，在其上鍍Ag形成反射層。（掩模工序）接下來，使用聚酰亞胺膠帶覆蓋基板的下表面和側(cè)面。即，除去層疊無機(jī)熒光體的粒子的上表面以外實(shí)施掩蓋，僅露出上表面。（熒光體層形成工序）接下來，將掩蓋的基板與對(duì)極一起浸漬在將F.S.S.S.No法的平均粒徑為7μm的CASN的粒子作為無機(jī)熒光體分散的約25℃的電鍍槽中，通過電泳法將無機(jī)熒光體電鍍?cè)诨宓穆冻霾可?。在電鍍槽中作為無機(jī)粘結(jié)材料而添加Mg離子，其作為氫氧化鎂和/或碳酸鎂而析出，從而得到粘結(jié)力。此外，對(duì)于無機(jī)熒光體的粒子層的厚度，通過控制在電極間通電的庫(kù)倫量來控制成30μm的厚度。清洗·干燥后，得到層疊了無機(jī)熒光體的粒子層的金屬板。（覆蓋層形成工序）接下來，作為覆蓋層疊于該金屬板上的無機(jī)熒光體的粒子層的覆蓋層，利用ALD法形成Al2O3層。將層疊了CASN熒光體的粒子層的金屬板插入到利用ALD法的成膜裝置ALD裝置的反應(yīng)容器中。約150℃的溫度條件下，將作為原料的H2O和TMA，隔著真空吹掃交替地導(dǎo)入反應(yīng)容器。對(duì)交替地導(dǎo)入原料的成膜工序的基本循環(huán)進(jìn)行重復(fù)，以單分子沉積Al2O3層，將Al2O3層形成為約1μm的厚度。覆蓋層形成工序的詳細(xì)如后所述。（掩模除去工序）最后除去掩模膠帶，得到用Al2O3層均勻涂覆的層疊了無機(jī)熒光體的粒子層的無機(jī)成型體。該無機(jī)成型體的熒光體層的空隙為24.0%，防止金屬基板和熒光體層的線膨脹系數(shù)有差異而產(chǎn)生裂紋等。該帶有金屬板的無機(jī)成型體可用于被LD光源激發(fā)的投影儀、汽車用的前照燈的光源。本實(shí)施例中制成的無機(jī)成型體在工序中的最高溫度為150℃，即使作為無機(jī)熒光體使用作為氮化物熒光體的CASN熒光體，CASN熒光體也不會(huì)劣化。另外，熒光體層是由作為通常的燒結(jié)型陶瓷難以加工的100μm以下的厚度，即30μm，并且與金屬直接相接。因此，能夠高效地釋放出利用熒光體的激發(fā)產(chǎn)生的斯托克斯損失所導(dǎo)致的發(fā)熱，從而抑制溫度上升所導(dǎo)致的熒光體的顏色變換效率的降低。另外，熒光體層的表面形成有由無機(jī)熒光體的粒子的粒徑引起的凹凸，在無機(jī)成型體的內(nèi)部適度地形成空隙。另外，利用ALD法形成了致密的膜。［覆蓋層形成工序］對(duì)實(shí)施例1的利用ALD法的覆蓋層形成工序進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，本實(shí)施例中的ALD裝置的反應(yīng)容器的內(nèi)徑為φ300mm，試樣的厚度為6mm。（預(yù)焙工序）首先，將在具有反射層的基板上形成了無機(jī)熒光體的粒子層的試樣放入烘箱中，在120℃下加熱2小時(shí)，使試樣中的水分蒸發(fā)。（試樣設(shè)置工序）接下來，在ALD裝置的反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)置試樣，關(guān)閉反應(yīng)容器的蓋。（成膜前保管工序）接下來，使用旋轉(zhuǎn)泵，將反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)為低壓狀態(tài)。反應(yīng)容器內(nèi)的壓力設(shè)定為10torr（13332Pa）。另外，向反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)饬?。氮?dú)獾牧髁繛?0sccm（33×10-3Pa·m3/s），為了穩(wěn)定化和最終除去水分，維持該狀態(tài)約60分鐘。另外，反應(yīng)容器的溫度為150℃，以下的成膜中維持該溫度。（第1原料供給工序）向反應(yīng)容器內(nèi)，作為第1原料，導(dǎo)入H2O0.015秒鐘。為了使試樣與H2O反應(yīng)，關(guān)閉屬于連接反應(yīng)容器和真空線的閥的截流閥，使試樣暴露在H2O中15秒。（第1排氣工序）打開截流閥，在氮?dú)饬飨聫姆磻?yīng)容器內(nèi)對(duì)未反應(yīng)的H2O和副生成物進(jìn)行60秒鐘的排氣。（第2原料供給工序）向反應(yīng)容器內(nèi)，作為第2原料，導(dǎo)入TMA0.015秒鐘。為了使試樣與TMA反應(yīng)，關(guān)閉反應(yīng)容器的截流閥，使試樣暴露在TMA中15秒。（第2排氣工序）打開截流閥，在氮?dú)饬飨聫姆磻?yīng)容器內(nèi)對(duì)未反應(yīng)的TMA和副生成物進(jìn)行60秒鐘的排氣。以上述的從第1原料供給工序到第2排氣工序?yàn)?個(gè)循環(huán)，以成為所希望的厚度的Al2O3膜的方式重復(fù)該循環(huán)。在本實(shí)施例中，以6000個(gè)循環(huán)形成厚度約1μm的Al2O3膜。成膜結(jié)束后，關(guān)閉截流閥，使氮?dú)饬鳛榱髁?00sccm（169×10-3Pa·m3/s），使反應(yīng)容器內(nèi)的壓力為常壓后取出試樣。通過以上的步驟，形成Al2O3膜作為覆蓋層。＜實(shí)施例2＞作為實(shí)施例2，對(duì)圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D的制成例進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施例也是圖24（a）所示的第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F的實(shí)施例。作為基板而使用含有LAG熒光體的陶瓷燒結(jié)板。該基板是將LAG熒光體高壓成型而形成塊體后，利用HIP（Hotisostaticpress；熱等靜壓加壓）高溫高壓燒結(jié)的塊燒結(jié)體進(jìn)行切片、切削、研磨的、約100μm的厚度的基板。（導(dǎo)電體層形成工序）為了使該基板的單面具有導(dǎo)電性，利用濺射法形成約0.1μm的厚度的Al層。（熒光體層形成工序）其后，利用與實(shí)施例1相同的方法，使用CASN熒光體作為無機(jī)熒光體，將CASN熒光體的粒子層介由作為導(dǎo)電體層的Al層而層疊在基板上。（導(dǎo)電體層透明化工序）清洗、干燥后，通過用90℃的熱水處理Al層，將作為導(dǎo)電體層的Al層氧化，形成Al2O3層，從而使導(dǎo)電體層透明化。（覆蓋層形成工序）干燥后，通過ALD法，作為覆蓋層形成約3μm的厚度的SiO2層。其中，作為利用ALD法的成膜的第1原料使用TTBS（Tris（tert-Buthoxy）Silanol），作為第2原料使用TMA，按照與實(shí)施例1相同的順序形成SiO2層。根據(jù)以上的步驟，可以得到層疊了作為覆蓋層用SiO2層覆蓋的CASN熒光體的粒子層的LAG熒光體板這樣的構(gòu)成的顏色變換無機(jī)成型體。本實(shí)施例的無機(jī)成型體，可以在LAG熒光體板側(cè)和CASN熒光體側(cè)的任一個(gè)面上安裝于LED/LD，作為顏色變換用成型部件使用。另外，工序中的最高溫度為150℃以下，所以作為無機(jī)熒光體可以利用CASN之類的不耐熱的氮化物熒光體。＜實(shí)施例3＞作為實(shí)施例3，對(duì)圖12所示的第4實(shí)施方式的無機(jī)成型體1D的其它的制造例進(jìn)行說明。作為基板使用高散熱性的AlN板。在該基板的單面形成由ITO構(gòu)成的導(dǎo)電體層。在該基板上，利用與實(shí)施例1相同的方法，層疊氟化物熒光體的粒子層。清洗、干燥后，通過ALD法，形成約1μm的厚度的Al2O3層。本實(shí)施例的導(dǎo)電體層具有透光性，所以不進(jìn)行導(dǎo)電體層透明化工序就能夠制成用作透過型的顏色變換用成型部件的無機(jī)成型體。＜實(shí)施例4＞作為實(shí)施例4，對(duì)使用YAG系的無機(jī)熒光體，利用ALD法形成Al2O3層作為覆蓋層而制成的無機(jī)成型體，根據(jù)拍攝熒光體層的剖面的照片圖像，利用圖像解析方法測(cè)定熒光體層的空隙率。以下，對(duì)測(cè)定空隙率的步驟進(jìn)行說明。此外，本實(shí)施例中使用的無機(jī)熒光體的平均粒徑利用F.S.S.S.No法測(cè)定，為3.6μm。另外，利用由使用庫(kù)爾特計(jì)數(shù)器而測(cè)定的粒度分布求得的體積分布所得到的中心粒徑為6.2μm。首先，如圖21所示，分割所制成的無機(jī)成型體，用掃描式電子顯微鏡拍攝熒光體層的剖面。在圖21中，粒狀塊的薄的灰色部分為無機(jī)熒光體31，粒狀塊的外邊緣部的濃的灰色部分為覆蓋層32。此外，圖21的右下部顯示的刻度是1刻度表示1μm，覆蓋層32的膜厚約為300nm。接下來，從圖21所示的照片圖像切出作為測(cè)定對(duì)象區(qū)域A，如圖22所示，涂黑覆蓋層32的部分。接下來，使用粒子解析軟件，將被涂黑的覆蓋層32所圍起的區(qū)域如圖23所示涂黑，將該涂黑的區(qū)域作為含有覆蓋層32的無機(jī)熒光體的區(qū)域（31＋32）。在此，涂黑的區(qū)域以外的部分為空隙33。進(jìn)而，通過用區(qū)域A的面積（像素?cái)?shù)）除涂黑的區(qū)域的面積（像素?cái)?shù)）而求出包括覆蓋層32的無機(jī)熒光體（31＋32）的含有率，作為其殘余的部分求出空隙率。在本實(shí)施例中，無機(jī)熒光體的含有率為75.4%。因此，空隙率為24.6%。＜實(shí)施例5＞作為實(shí)施例5，對(duì)圖8所示的第3實(shí)施方式的無機(jī)成型體1C的制成例進(jìn)行說明。對(duì)Cu制的板狀的基板進(jìn)行鏡面加工，在其上鍍Ag形成反射層。此外，在作為基板的Cu與作為反射層的Ag之間，作為用于提高這些金屬間的密合性的密合層實(shí)施鍍Ni。接下來，利用濺射法，將SiO2層和Nb2O5層交替層疊的電介質(zhì)多層膜進(jìn)行成膜。接下來，作為成為電沉積法的電極的導(dǎo)電體層形成Al膜。其后，與實(shí)施例1同樣地利用電沉積法介由導(dǎo)電體層形成以SCASN熒光體為主體的無機(jī)粒子層。其后，實(shí)施熱水處理，使作為導(dǎo)電體層的Al膜透明化。進(jìn)而，利用ALD法，形成覆蓋層。通過以上的工序，得到在基板上具有由Ag構(gòu)成的反射層和由層數(shù)40層且層厚3.5μm的無機(jī)材料構(gòu)成的電介質(zhì)層以及膜厚40μm的無機(jī)熒光體層的反射型的無機(jī)成型體。制成的無機(jī)成型體由于不僅利用Ag的反射層提高反射率，而且利用電介質(zhì)層提高光射出效率和反射率，所以與沒有電介質(zhì)層的構(gòu)成的無機(jī)成型體相比較，能夠提高5%的光利用效率。＜實(shí)施例6＞作為實(shí)施例6，對(duì)圖24（a）所示的第10實(shí)施方式的無機(jī)成型體1F的其他的制造例進(jìn)行說明。作為基板，使用含有80質(zhì)量%的無機(jī)熒光體Y3Al5O12：Ce的燒結(jié)體。該燒結(jié)體可利用以下的方法進(jìn)行制造。首先，將平均粒徑10μm的無機(jī)熒光體YAG的粒子240g和平均粒徑2μm的氧化鋁粒子60g均勻混合，利用高壓加壓機(jī)制成圓柱狀的塊成型體。將該成型體在放電等離子體燒結(jié)爐中真空氣氛下以1400℃～2000℃燒成1～60分鐘而得到塊燒結(jié)體。其后對(duì)得到的塊燒結(jié)體進(jìn)行退火、切片、切削、研磨，制成約100μm的厚度的基板。在該基板的單面形成由ITO構(gòu)成的導(dǎo)電體層。在該基板上以與實(shí)施例1相同的方法，層疊預(yù)先經(jīng)耐水處理的平均粒徑約20μm的氟化物熒光體Li2SiF6：Mn的粒子層。清洗、干燥后，利用ALD法，形成約1μm的厚度的Al2O3層。本實(shí)施例的導(dǎo)電體層具有透光性，所以不進(jìn)行導(dǎo)電體層透明化工序就能夠制成用作透過型的顏色變換用成型部件的無機(jī)成型體。＜實(shí)施例7＞實(shí)施例7中作為基板使用含有LAG熒光體的玻璃基板。該玻璃基板將以BaO、CaO、ZnO、SiO2、B2O3以及Al2O3為成分的玻璃作為主成分，含有10～30wt%的平均粒徑為10μm左右的LAG熒光體。該玻璃基板的制造方法如下所述。將LAG熒光體和玻璃的粉末粒子混合成型，在真空中進(jìn)行燒結(jié)，制成平板狀的添加有LAG熒光體的玻璃后，研磨得到厚度100μm的玻璃基板。在該玻璃基板上，使用與實(shí)施例2相同的方法，形成SCASN熒光體的粒子層，其后，利用CVD法形成由透明SiO2構(gòu)成的覆蓋層，制成顏色變換用無機(jī)成型體。在進(jìn)行了導(dǎo)通布線的陶瓷基板上安裝了倒裝芯片的GaN系發(fā)光元件的藍(lán)寶石表面上，以無機(jī)粒子層側(cè)為上，以添加了LAG熒光體的玻璃側(cè)為下，使用二甲基有機(jī)硅系樹脂粘合劑安裝上述顏色變換用無機(jī)成型體，得到作為紅棕色的發(fā)光裝置的LED。作為比較例，將LAG熒光體和SCASN熒光體這2種的熒光體以與上述實(shí)施例7同等的含量混合、燒結(jié)，制成添加了熒光體的玻璃基板。其后，在不形成無機(jī)粒子層的情況下，使用與上述相同的方法，得到安裝有添加了2種熒光體的玻璃基板的、作為紅棕色的發(fā)光裝置的LED。具有本發(fā)明的顏色變換用無機(jī)成型體的紅棕色LED與比較的具有添加了熒光體的玻璃基板的紅棕色LED相比，發(fā)光輸出約高10～20%。認(rèn)為其重要原因是本發(fā)明的紅棕色LED具有空隙以及SCASN熒光體不發(fā)生因熱引起的劣化等。＜實(shí)施例8＞接下來，作為實(shí)施例8，對(duì)圖27所示的第15實(shí)施方式的發(fā)光裝置10E的制造例進(jìn)行說明。（半導(dǎo)體發(fā)光元件制造工序和排列工序）利用上述第1制造方法中說明的方法，制造圖26（a）所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件。將該半導(dǎo)體發(fā)光元件以規(guī)定的間隔排列于平板狀的夾具。（導(dǎo)電體層形成工序）為使該半導(dǎo)體發(fā)光元件的表面具有導(dǎo)電性，利用濺射法形成約0.1μm的厚度的Al層。（熒光體層形成工序）接下來，與對(duì)極一起浸漬在作為無機(jī)熒光體將F.S.S.S.No法平均粒徑為7μm的CASN的粒子分散的約25℃的電鍍槽中，通過電泳法將無機(jī)熒光體電鍍?cè)诨宓穆冻霾可?。在電鍍槽中作為無機(jī)粘結(jié)材料而添加Mg離子，其作為氫氧化鎂和/或碳酸鎂而析出，從而得到粘結(jié)力。此外，對(duì)于無機(jī)熒光體的粒子層的厚度，通過控制在電極間通電的庫(kù)倫量來控制成30μm的厚度。清洗·干燥后，得到層疊了無機(jī)熒光體的粒子層的半導(dǎo)體發(fā)光元件。（導(dǎo)電體層透明化工序）清洗、干燥后，通過用90℃的熱水處理Al層，將作為導(dǎo)電體層的Al層氧化形成Al2O3層，從而使過導(dǎo)電體層透明化。（覆蓋層形成工序）接下來，作為對(duì)層疊于半導(dǎo)體發(fā)光元件的表面的無機(jī)熒光體的粒子層進(jìn)行覆蓋的覆蓋層，利用ALD法與實(shí)施例1同樣地形成約1μm的厚度的Al2O3層。（最終單片化工序）接下來，利用切割和研磨除去夾具50上的未載置形成了覆蓋層32的半導(dǎo)體發(fā)光元件8的部位，對(duì)形成了覆蓋層的半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)行單片化，從夾具剝離半導(dǎo)體發(fā)光元件。＜實(shí)施例9＞作為實(shí)施例9，對(duì)圖27所示的實(shí)施方式的發(fā)光裝置10E的其它的制造例進(jìn)行說明。在半導(dǎo)體發(fā)光元件的表面將由ITO構(gòu)成的導(dǎo)電體層作為掩模，限定形成位置進(jìn)行形成。在除去掩模后的半導(dǎo)體發(fā)光元件上，利用與實(shí)施例8相同的方法，層疊氟化物熒光體的粒子層。清洗、干燥后，利用ALD法形成約1μm的厚度的Al2O3層。本實(shí)施例的導(dǎo)電體層具有透光性，所以不進(jìn)行導(dǎo)電體層透明化工序就能夠制成透過型的發(fā)光裝置。