陶瓷基片雙面光刻工藝及結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陶瓷基片雙面光刻結(jié)構(gòu)，該雙面光刻結(jié)構(gòu)包括一支撐框架，支撐框架的上端設(shè)有上掩模板，支撐框架的下端設(shè)有下掩模板，上掩模板的上方及下掩模板的下方各設(shè)有一曝光裝置，上掩模板、下掩模板之間設(shè)有一陶瓷基片支撐架，陶瓷基片支撐架上設(shè)有陶瓷基片，上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應(yīng)。該陶瓷基片雙面光刻結(jié)構(gòu)在陶瓷基片的上方、下方同時設(shè)置掩模板，通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進(jìn)行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現(xiàn)偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質(zhì)量，提高產(chǎn)品的合格率，采用這種方式還可有效提高生產(chǎn)效率，降低企業(yè)生產(chǎn)成本。
【專利說明】陶瓷基片雙面光刻工藝及結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光刻工藝，特別涉及一種在陶瓷基片上下兩面進(jìn)行光刻的方法及實現(xiàn)該方法的光刻結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展異常迅猛，特別是各種光電子器件逐漸在向微型化、大規(guī)模集成化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。但隨著電子系統(tǒng)集成度的提高，其功率密度隨之增力口，電子元件及系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生熱量上升、系統(tǒng)工作溫度升高會引起半導(dǎo)體器件性能惡化、器件破壞、分層等，甚至?xí)狗庋b的芯片燒毀，因此有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。
[0003]電子封裝所用的基片是一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機(jī)械承載支撐、氣密性保護(hù)并可作為熱沉過渡片給芯片散熱。陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等優(yōu)點(diǎn)，并可對光電子器件起到較強(qiáng)的保護(hù)作用，因而在航空、航天和軍事工程等領(lǐng)域都得到了非常廣泛的應(yīng)用。在芯片的封裝過程中，通常需要在基片的表面進(jìn)行金屬化布線形成金屬圖形，以便連接電子元器件。
[0004]隨著電子器件向小型化、微型化的方向發(fā)展，陶瓷基片的上下表面通常都需要進(jìn)行金屬化布線。目前常用的方式就先先在陶瓷基片的上表面上進(jìn)行金屬化布線，然后再反轉(zhuǎn)該陶瓷基片，在其下表面進(jìn)行金屬布線，采用這種方式存在一個缺點(diǎn)，就是在陶瓷基片反轉(zhuǎn)的過程中容易出現(xiàn)位置偏移，這樣就會使陶瓷基片的上下表面的金屬圖形出現(xiàn)偏差，進(jìn)而會多產(chǎn)品的質(zhì)量造成影響，往往會產(chǎn)生大量的不良品，產(chǎn)品合格率較低，企業(yè)的生產(chǎn)成本較聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能同時對陶瓷基片進(jìn)行雙面光刻的光刻工藝。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種陶瓷基片雙面光刻工藝，其包括如下步驟:
[0008]I)根據(jù)陶瓷基片上下表面金屬圖形要求制作相應(yīng)的上掩模板和下掩模板；
[0009]2)將陶瓷基片進(jìn)行雙面濺渡，并在陶瓷基片的上下表面上均涂布上光刻膠；
[0010]3)將上掩模板設(shè)置在陶瓷基片上方，下掩模板設(shè)置在陶瓷基片下方，通過一定位裝置使上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應(yīng)；
[0011]4)在上掩模板的上方、下掩模板的下方分別設(shè)置一曝光裝置，通過上下兩個曝光裝置分別對陶瓷基片的上下表面進(jìn)行曝光處理；
[0012]5)對曝光后的陶瓷基片進(jìn)行顯影處理，并進(jìn)行清洗，在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層，最后將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液進(jìn)行清洗。[0013]優(yōu)選的，在步驟2)首先將光刻膠滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋轉(zhuǎn)從而使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上。
[0014]優(yōu)選的，在步驟5)中采用等離子清洗方法清洗陶瓷基片。
[0015]優(yōu)選的，在步驟5)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層為黃金層、鉬金層或鈦金屬層。
[0016]優(yōu)選的，在步驟5)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層。
[0017]本發(fā)明還公開了一種實現(xiàn)上述雙面光刻工藝的陶瓷基片雙面光刻結(jié)構(gòu)，該雙面光刻結(jié)構(gòu)包括一支撐框架，所述支撐框架的上端設(shè)有上掩模板，所述支撐框架的下端設(shè)有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各設(shè)有一曝光裝置，所述上掩模板、下掩模板之間設(shè)有一陶瓷基片支撐架，所述陶瓷基片支撐架上設(shè)有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應(yīng)。
[0018]優(yōu)選地，所述陶瓷基片支撐架兩側(cè)各設(shè)有一導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌固定在所述支撐框架上，所述陶瓷基片支撐架與所述導(dǎo)軌滑動配合。
[0019]優(yōu)選地，所述支撐框架設(shè)有用于對陶瓷基片支撐架進(jìn)行限位的限位機(jī)構(gòu)。
[0020]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該陶瓷基片雙面光刻工藝在陶瓷基片的上方、下方同時設(shè)置掩模板，并使上下掩模板與陶瓷基片的中心位置相對，然后通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進(jìn)行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現(xiàn)偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質(zhì)量，提高產(chǎn)品的合格率，采用這種方式還可有效提高生產(chǎn)效率，降低企業(yè)生產(chǎn)成本。
[0021]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細(xì)給出。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明雙面光刻結(jié)構(gòu)實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0024]如圖1所示，該雙面光刻結(jié)構(gòu)包括一支撐框架1，支撐框架I的上端設(shè)有上掩模板2，支撐框架I的下端設(shè)有下掩模板3，上掩模板2、下掩模板3分別根據(jù)陶瓷基片上下表面金屬圖形要求制成。上掩模板2的上方設(shè)有一曝光裝置4，下掩模板3的下方設(shè)有一曝光裝置5。在上掩模板2、下掩模板3之間還設(shè)有一陶瓷基片支撐架7，陶瓷基片支撐架7 —般位于支撐框架I的中間位置，陶瓷基片支撐架7上設(shè)有陶瓷基片6，上掩模板2、陶瓷基片
6、下掩模板3三者的中心位置應(yīng)上下對應(yīng)。
[0025]為了方便陶瓷基片的更換，陶瓷基片支撐架7的兩側(cè)各設(shè)有一導(dǎo)軌，導(dǎo)軌固定在支撐框架I上，陶瓷基片支撐架7與導(dǎo)軌滑動配合，這樣每次更換陶瓷基片時只需將陶瓷基片支撐架7沿導(dǎo)軌向外抽出即可進(jìn)行更換，更換完成后可將陶瓷基片支撐架7沿導(dǎo)軌重新插入即可。為了便于定位，支撐框架I設(shè)有限位機(jī)構(gòu)，該限位機(jī)構(gòu)用于對陶瓷基片支撐架進(jìn)行限位的，只要能保證上掩模板2、陶瓷基片6、下掩模板3三者的中心位置上下對應(yīng)，限位機(jī)構(gòu)可米用多種形式。[0026]采用該雙面光刻結(jié)構(gòu)對陶瓷基片進(jìn)行雙面光刻時，可首先根據(jù)陶瓷基片上下表面金屬圖形要求制作相應(yīng)的上掩模板2和下掩模板3，并將其固定在支撐框架I上。然后對陶瓷基片6進(jìn)行雙面濺渡，并在陶瓷基片6的上下表面上均涂布上光刻膠，涂布刻光膠時首先將其滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋轉(zhuǎn)，這樣就可使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上。接著將涂布好刻光膠的陶瓷基片6安裝在陶瓷基片支撐架7上，并調(diào)整陶瓷基片支撐架7的位置，使上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應(yīng)。接著通過上下兩個曝光裝置4、5分別對陶瓷基片的上下表面進(jìn)行曝光處理，再對曝光后的陶瓷基片進(jìn)行顯影處理，顯影處理完成后采用等離子清洗方法清洗陶瓷基片，進(jìn)而在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層，陶瓷基片表面鍍的金屬層為黃金層、鉬金層或鈦金屬層，陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層，最后將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液進(jìn)行清洗，清洗掉光刻膠，陶瓷基片上下表面即可形成金屬圖形。
[0027]該陶瓷基片雙面光刻方法在陶瓷基片的上方、下方同時設(shè)置掩模板，并使上下掩模板與陶瓷基片的中心位置相對，然后通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進(jìn)行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現(xiàn)偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質(zhì)量，提高產(chǎn)品的合格率，采用這種方式還可有效提高生產(chǎn)效率，降低企業(yè)生產(chǎn)成本。
[0028]以上對本發(fā)明實施例所提供的陶瓷基片雙面光刻工藝及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陶瓷基片雙面光刻工藝，其特征在于，其包括如下步驟: 1)根據(jù)陶瓷基片上下表面金屬圖形要求制作相應(yīng)的上掩模板和下掩模板； 2)將陶瓷基片進(jìn)行雙面濺渡，并在陶瓷基片的上下表面上均涂布上光刻膠； 3)將上掩模板設(shè)置在陶瓷基片上方，下掩模板設(shè)置在陶瓷基片下方，通過一定位裝置使上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應(yīng)； 4)在上掩模板的上方、下掩模板的下方分別設(shè)置一曝光裝置，通過上下兩個曝光裝置分別對陶瓷基片的上下表面進(jìn)行曝光處理； 5)對曝光后的陶瓷基片進(jìn)行顯影處理，并進(jìn)行清洗，在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層，最后將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片雙面光刻工藝，其特征在于:在步驟2)首先將光刻膠滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋轉(zhuǎn)從而使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片雙面光刻工藝，其特征在于:在步驟5)中采用等離子清洗方法清洗陶瓷基片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片雙面光刻工藝，其特征在于:在步驟5)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層為黃金層、鉬金層或鈦金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片雙面光刻工藝，其特征在于:在步驟5)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層。
6.一種陶瓷基片雙面光刻結(jié)構(gòu)，其特征在于:其包括一支撐框架，所述支撐框架的上端設(shè)有上掩模板，所述支撐框架的下端設(shè)有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各設(shè)有一曝光裝置，所述上掩模板、下掩模板之間設(shè)有一陶瓷基片支撐架，所述陶瓷基片支撐架上設(shè)有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷基片雙面光刻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陶瓷基片支撐架兩側(cè)各設(shè)有一導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌固定在所述支撐框架上，所述陶瓷基片支撐架與所述導(dǎo)軌滑動配合。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷基片雙面光刻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述支撐框架設(shè)有用于對陶瓷基片支撐架進(jìn)行限位的限位機(jī)構(gòu)。
【文檔編號】H01L21/48GK103489789SQ201210193526
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月13日
【發(fā)明者】劉毅楠 申請人:劉毅楠