專利名稱：具有提高的魯棒性的垂直晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施方式涉及一種垂直晶體管，具體來說，一種垂直功率M0SFET。
背景技術(shù)：
諸如功率MOSFET的晶體管被廣泛用作諸如電機、照明和其他的開關(guān)電力負載的電子開關(guān)，或用作開關(guān)式電源中的開關(guān)，僅提及了一些可能的應(yīng)用。功率MOSFET包括在體區(qū)和漏區(qū)之間的漂移區(qū)，其中，PN結(jié)形成于體區(qū)和漏區(qū)之間。當在反方向上施加使PN結(jié)偏置的電壓時，MOSFET斷開，使得在漂移區(qū)中形成勢壘區(qū)(cbpletion region)。漂移區(qū)的摻雜濃度和長度是定義MOSFET電壓阻斷能力的幾個參數(shù)中的兩個。電壓阻斷能力是在發(fā)生雪崩擊穿之前可施加到PN結(jié)的最大電壓。當雪崩擊穿使得大電流在反方向上流經(jīng)MOSFET時，該電流引起MOSFET發(fā)熱。 根據(jù)MOSFET的具體類型，電壓阻斷能力可能在幾十伏到最多幾千伏(kV)之間?，F(xiàn)今的MOSFET器件有暫時承受雪崩擊穿而不至于被損壞或者甚至被毀的能力。MOSFET的魯棒性由在雪崩擊穿狀態(tài)中不至于被損壞或被毀的情況下可消散的能量來定義。需要進一步提高MOSFET器件的魯棒性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一實施方式涉及一種晶體管。該晶體管包括具有第一水平表面的半導體本體，被設(shè)置在半導體本體中的漂移區(qū)，被設(shè)置在半導體本體的溝道中的多個柵電極。溝道具有縱向方向并且相對于彼此平行延伸，其中，溝道的縱向方向在半導體本體的第一橫向方向上延伸。該晶體管還包括設(shè)置在溝道之間的體區(qū)和設(shè)置在溝道之間的源區(qū)，其中，體區(qū)在半導體本體的豎直方向上被設(shè)置在漂移區(qū)和源區(qū)之間。在第一水平表面中，源區(qū)和體區(qū)在第一橫向方向上被交替設(shè)置，以及源電極在第一表面中被電連接到源區(qū)和體區(qū)。第二實施方式涉及一種晶體管。該晶體管包括具有第一水平表面的半導體本體，被設(shè)置在半導體本體中的漂移區(qū)，以及被設(shè)置在半導體本體的溝道中的多個柵極。溝道具有縱向方向并且相對于彼此平行延伸，其中，溝道的縱向方向在半導體本體的第一橫向方向上延伸。該晶體管還包括設(shè)置在溝道之間的體區(qū)，以及設(shè)置在溝道之間的源區(qū)。源區(qū)延伸到第一表面并形成通過柵電極劃分成源區(qū)的至少一個源區(qū)域。第一表面中的源區(qū)域被由包括延伸到第一表面的多個體區(qū)的體區(qū)域所包圍。


現(xiàn)將參考附圖解釋示例。附圖有助于說明基本原理，因此僅僅說明了為理解該基本原理所需的方面。附圖沒有按比例。在附圖中相同的參考數(shù)字指示相同的信號和電路部件。圖IA至圖IC示出了實施為MOSFET的晶體管的第一實施方式；圖2A和圖2B示出了實施為MOSFET的晶體管的第二實施方式；
圖3A和圖3B示出了實施為MOSFET的晶體管的第三實施方式；以及圖4A至圖4C示出了實施為MOSFET的晶體管的另外的實施方式。
具體實施例方式圖IA至圖IC示出了實施為MOSFET的晶體管的第一實施方式。圖IA示出了集成在MOSFET的有源區(qū)中的 半導體本體100的水平截面圖。圖IB示出了 MOSFET部分的第一垂直截面圖，以及圖IC示出了 MOSFET部分的第二垂直截面圖。圖IA示出了在圖IB和圖IC中示出的在水平截面平面C-C中的水平截面圖，圖IB示出了在圖IA中示出的在垂直截面平面A-A中的垂直截面圖，以及圖IC示出了在圖IA中示出的在垂直截面平面B-B中的垂直截面圖。MOSFET包括設(shè)置在半導體本體100的溝道中的多個柵電極21。溝道具有縱向方向，并且相對于彼此平行延伸，其中，溝道的縱向方向在半導體本體100的第一橫向方向X上延伸。通過柵極電介質(zhì)22，每個柵電極21與半導體本體100的區(qū)域介質(zhì)隔離(dielectrically insulated)。MOSFET還包括設(shè)置在相鄰柵電極21之間的源區(qū)11和體區(qū)12pl22。參照圖IB和圖1C，體區(qū)12pl22鄰近漂移區(qū)13。漂移區(qū)13在垂直于半導體本體100的第一表面101的方向上被設(shè)置在體區(qū)12pl22的下面。體區(qū)121、122和漂移區(qū)13形成PN結(jié)。MOSFET還包括漏區(qū)14，其中，漂移區(qū)13被設(shè)置在漏區(qū)14和體區(qū)12pl22之間。參考圖IB和1C，漏區(qū)14可鄰近漂移區(qū)13。然而，可選地，與漂移區(qū)13相同摻雜類型(而不是更高摻雜)的場截止區(qū)(未示出)可以被設(shè)置在漂移區(qū)13和漏區(qū)14之間。漂移區(qū)13和漏區(qū)14具有相同的摻雜類型，其中，漏區(qū)14比漂移區(qū)13的摻雜更高。例如，漏區(qū)14的電阻率在10_3Ω .cm(0hm*cm)和1(Γ2Ω · cm之間的范圍內(nèi)，而漂移區(qū)13的電阻率例如在KT1Q · cm和10 Ω · cm之間的范圍內(nèi)，尤其在KT1Q (^1和10 · cm之間的范圍內(nèi)。漏區(qū)14連接到漏極接線端D。該漏極接線端D可由連接到漏區(qū)14的漏電極33 (以虛線示出)形成。柵電極21被設(shè)置在從半導體本體的第一表面101延伸到半導體本體100中的溝道中。源區(qū)11被設(shè)置為鄰近第一表面101并且鄰近柵極電介質(zhì)22。設(shè)置在兩個相鄰柵電極21之間的一個體區(qū)12pl22具有兩個體區(qū)部分，第一體區(qū)部分U1設(shè)置在源區(qū)11和漂移區(qū)13之間，第二體區(qū)部分122延伸到第一表面101并設(shè)置在第一表面101和漂移區(qū)13之間。設(shè)置在兩個柵電極21之間的第二體區(qū)部分122將設(shè)置在這兩個柵電極21之間的一個源區(qū)11再劃分為幾個源區(qū)部分11。這在圖IA中示出了，其中，源區(qū)部分11被示為陰影區(qū)域。參考圖1A，其示出了半導體本體100的第一表面101的頂視圖，源區(qū)11和第二體區(qū)1 在第一橫向方向X上交替設(shè)置。源區(qū)11是帶狀的，其中，單個“帶”在不同于第一橫向方向X的第二橫向方向y上延伸。帶狀源區(qū)11彼此至少大致平行延伸，其中，第二體區(qū)1 被設(shè)置在兩個相鄰的源區(qū)之間。在第二橫向方向y上，帶狀源區(qū)11和帶狀第二體區(qū)1 被柵電極21和柵極電介質(zhì)22隔斷。應(yīng)注意的是，在圖IA中的這個連接中，僅僅示出了柵電極21而未不出柵極電介質(zhì)22。在圖IA的實施方式中，第一橫向方向X和第二橫向方向y之間的角度α大約為90°，這意味著帶狀源區(qū)11垂直于柵電極21延伸。然而，這僅僅是個示例。通常，第一和第二橫向方向x、y之間的角度α在30°和90°之間，尤其，在60°和90°之間。
參考圖IB和1C，MOSFET還包括電接觸第一表面101中的源區(qū)11和第二體區(qū)122并且通過絕緣層23與柵電極21電絕緣的源電極31。該源電極31連接到源極接線端S。這在圖IB和圖IC中示意性地示出。單個柵電極21電連接到公共柵極接線端G。這種連接僅僅示意性地在圖IB和IC中示出。根據(jù)一個實施方式(未示出)，MOSFET包括垂直于具有柵電極21的溝道延伸的另外的溝道，并且在另外的溝道中連接電極被設(shè)置為將各柵電極21彼此電連接并連接柵極接線端G。在根據(jù)圖IA至圖IC的MOSFET中，第二體區(qū)122和漂移區(qū)13以及漏區(qū)14共同形成MOSFET的體二極管。以這種眾所周知的方法，通過將體區(qū)電連接到源電極獲得這種體二極管。通過形成該體二極管的這些區(qū)的垂直截面示于圖IC中。參照圖1B，其示出了通過源區(qū)11、第一體區(qū)U1、漂移區(qū)13和漏區(qū)14的垂直截面，源電極31可選地包括經(jīng)由源區(qū)11延伸到第一體區(qū)的電極部分32，以便將第一體區(qū)U1電連接到源電極31?；蛘?，第一體區(qū)部分U1的部分可經(jīng)由源區(qū)11延伸到第一表面101并可在連接到第一表面中的區(qū)域中的源電極31。該MOSFET可被實施為η型M0SFET。在這種情況下，源區(qū)11、漂移區(qū)13和漏區(qū)14 為η型摻雜，而體區(qū)12ρ122為P型摻雜。MOSFET也可被實施為P型M0SFET。在這種情況下，源區(qū)11、漂移區(qū)13和漏區(qū)14為P型摻雜，而體區(qū)12pl22為11型摻雜。MOSFET也可被實施為增強型M0SFET。在這種情況下，第一體區(qū)12^卩近柵極電介質(zhì)22，其中，柵電極21從源區(qū)11沿第一體區(qū)部分延伸到或進入漂移區(qū)13，并通過柵極電介質(zhì)22與源區(qū)11、第一體區(qū)U1和漂移區(qū)13電絕緣。MOSFET也可被實施為耗盡型M0SFET。在這種情況下，與源區(qū)11和漂移區(qū)13具有相同摻雜類型的通道(channel)區(qū)(示于圖IB中的虛線)從源區(qū)11沿柵極電介質(zhì)22延伸到漂移區(qū)13。該MOSFET能夠像常規(guī)MOSFET —樣操作。作為一個示例，將參考η型增強型MOSFET進行簡要解釋。當在漏極接線端D和源極接線端S之間施加正電壓的時候，以及當柵電位施加到適于沿源區(qū)11和漂移區(qū)13之間的柵極電介質(zhì)22產(chǎn)生反向通道的柵電極21的時候，MOSFET是導通的(處于導通狀態(tài))。當通過向柵電極21施加合適的柵電位使源區(qū)11和漂移區(qū)13之間的反向通道截斷時，MOSFET斷開(處于截止狀態(tài))。例如，當柵電位大約高于源電位5V到15V之間的時候，η型MOSFET是導通的。源電位是源極接線端S上的電位。例如，當柵電位是零(O)的時候，這種MOSFET是斷開的。當MOSFET處于截止狀態(tài)并且正電壓施加在漏極接線端D和源極接線端S之間時，體區(qū)12ρ122和漂移區(qū)13之間的pn結(jié)反向偏置，使得勢壘區(qū)在漂移區(qū)13中延伸。當漂移區(qū)13中的電場場強達到臨界值(臨界電場強度)的時候，產(chǎn)生雪崩擊穿，引起MOSFET在漏極和源極接線端D、S之間傳導電流。期望至少在某一段時間，MOSFET能夠消散發(fā)生在連接中的雪崩擊穿的能量而不至于被毀。MOSFET的魯棒性通過在不至于被毀的情況下能夠消散雪崩擊穿狀態(tài)中的能量來定義。圖IA至圖IC所示的，帶有具有第一橫向方向X的縱向柵電極21和帶有由第二體區(qū)122劃分的均沿第二橫向方向y延伸的縱向源區(qū)11的拓撲有助于提高MOSFET的魯棒性。在這個裝置中，由于以下原因，熱或能量經(jīng)由第二體區(qū)1 和源電極31比通過第一體區(qū)口”源區(qū)11和源電極31能夠更好地消散。源區(qū)11、第一體區(qū)U1和漂移區(qū)13形成寄生雙極型晶體管，當MOSFET是η型MOSFET時，其為ηρη晶體管。第一體區(qū)U1形成這種寄生晶體管的基區(qū)。當在更高的溫度被激活時，這種寄生裝置將導致更低的能量魯棒性。源區(qū)11具有在第一表面101中整個面積的大小，其中，該整個面積的大小是源區(qū)11的單個面積的大小的總和。同樣地，第二體區(qū)部分1 具有在第一表面101中整個面積的大小。例如,源區(qū)11的整個面積的大小All和第二體區(qū)122的整個面積的大小A122之間的比率六11/^122在1:10 (O. I)和10:1 (10)之間。隨第二體區(qū)部分122的面積的大小A12相對于源區(qū)11的面積的大小All的增加魯棒性增強。然而，第二體區(qū)部分1 的面積的大小A12相對于源區(qū)11的面積的大小All的增加也增加了 MOSFET的導通電阻。例如，可通過在制造過程中改變源區(qū)11的寬度wll和/或第二體區(qū)122的寬度w122來調(diào)節(jié)比率All/A122。源區(qū)11的寬度wll是它們在垂直于第二橫向方向I的方向上的度量，第二體區(qū)部分122的寬度w122是它們在垂直于第二橫向方向I的方向上的度量。可提供其它方法來增加MOSFET的電壓阻斷能力。MOSFET的電壓阻斷能力通過為 了引起雪崩擊穿而必須施加在截止狀態(tài)下的MOSFET的漏電極和源極接線端D、S之間的電壓來定義。參照圖2A、2B，其分別示出了在垂直截面A-A和B-B中MOSFET的垂直截面圖，場電極41可以被設(shè)置在漂移區(qū)13中。通過通常比柵極電介質(zhì)22厚的場電極電介質(zhì)42，這些場電極41與漂移區(qū)13介質(zhì)隔離。場電極41既可連接到柵極接線端G，也可連接到源極接線端S。場電極41到這些接線端之一的電連接沒有在圖2A和2B中明確示出。當MOSFET處于其截至狀態(tài)時，場電極41部分地“補償”漂移區(qū)13中的摻雜電荷，以便增強電壓阻斷能力和/或以便在給定的電壓阻斷能力下允許漂移區(qū)13的高摻雜濃度。MOSFET的漂移區(qū)中的場電極的工作原理是眾所周知的，因此在這方面無需更多的解釋。參考圖3A和3B，其分別示出在垂直截面A-A和B-B中MOSFET的垂直截面圖，補償區(qū)15可被設(shè)置在漂移區(qū)13中。補償區(qū)15具有與可連接體區(qū)12pl22的漂移區(qū)13的摻雜類型互補的摻雜類型。當MOSFET處于其截止狀態(tài)時，這些補償區(qū)15用于部分補償漂移區(qū)13的摻雜電荷。MOSFET的補償區(qū)和漂移區(qū)的工作原理是眾所周知的，因此在這方面無需更多的解釋。在之前解釋的實施方式中，源區(qū)11具有帶狀幾何形狀，其中，每個“源帶”被柵電極21和柵極電介質(zhì)22分成多個源部分。在兩個相鄰源區(qū)11之間形成延伸到第一表面101的第二體區(qū)122。根據(jù)圖4A至圖4C中示出的另外的實施方式，由延伸到第一表面101的多個源區(qū)11形成的源區(qū)域，在水平面中被由延伸到第一表面101的多個第二體區(qū)122形成的體區(qū)域所包圍。圖4A示出了晶體管裝置的水平截面圖，并且圖4B和4C示出了垂直截面圖，其中，圖4B示出了器件包括源區(qū)11的區(qū)域中的垂直截面圖，而圖4C示出了器件包括第二體區(qū)122的區(qū)域中的垂直截面圖。參照圖4A，具有源區(qū)11的源極區(qū)域可具有矩形幾何形狀。然而，這僅僅是個示例。源極區(qū)域也可被實施為具有其它任何幾何形狀，諸如，例如，圓形幾何形狀或多邊形幾何形狀。源區(qū)域被柵電極21劃分成幾個部分(段)，其中，這些部分為設(shè)置在兩個相鄰柵電極21和柵極電介質(zhì)22之間的源區(qū)11。圍繞源極區(qū)域的具有第二體區(qū)122的體區(qū)域也被柵電極劃分為幾個部分(段)，其中，這些部分為在兩個相鄰柵極21和柵極電介質(zhì)22之間形成的體區(qū)。參考圖4A，在兩個相鄰柵電極21之間有半導體區(qū)，在該半導體區(qū)中設(shè)置有第二體區(qū)122但沒有源區(qū)。根據(jù)一個實施方式，源區(qū)域在第二水平方向上(B卩，垂直于柵電極21的縱向方向的方向)在兩個相鄰柵電極21之間終結(jié)。根據(jù)一個實施方式，源區(qū)域11和第二體區(qū)1 之間的結(jié)在兩個溝道之間的中間，因此d=0. 5 · W，其中，w為兩個相鄰柵電極21之間的距離(臺面寬度)，而d是該結(jié)和在體區(qū)域中且最靠近該結(jié)的柵電極21之間的距離。根據(jù)另外的實施方式，距離d在臺面寬度w的30%和70%之間。參照圖4么和48，源區(qū)11和第二體區(qū)122電連接到源電極31。根據(jù)一個實施方式，將源電極31連接到源極接線端S的接觸設(shè)置在第二體區(qū)122之上。例如，這些接觸經(jīng)由接合線(在圖4A到4C中未示出)連接到源極接線端S。參照圖4A，晶體管器件可包括具有源區(qū)11的幾個源區(qū)域(其中一個在圖4A中以虛線示出)，各源區(qū)域被具有第二體區(qū)1 的體區(qū)域所包圍。
根據(jù)一個實施方式，至少一個源區(qū)在第一表面中具有第一表面區(qū)域，體區(qū)在第一表面中具有第二表面區(qū)域，其中，第一和第二表面區(qū)域的比率在10 :1和I :10之間或在10 I和I :1之間。雖然已公開了本發(fā)明的多種示例性的實施方式，但是顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠做出不同的變化和更改以獲得本發(fā)明的一些益處。對本領(lǐng)域相當熟練的技術(shù)人員而言，顯然可適當?shù)靥鎿Q施行的相同功能的其它部件。應(yīng)當提及的是，即使在那些沒有被明確提及的情況中，參考具體附圖解釋的特征也可與其它圖的特征相結(jié)合。此外，本發(fā)明的方法既可以使用適當?shù)奶幚砥髦噶钜匀浖嵤﹣韺崿F(xiàn)，也可以利用實現(xiàn)相同結(jié)果的硬件邏輯和軟件邏輯的組合的混合實施來實現(xiàn)。對發(fā)明構(gòu)思的這樣的更改旨在由所附的權(quán)利要求涵蓋。諸如“在下方”、“在下面”、“下部的”、“在...之上”、“上面的”空間相對關(guān)系的術(shù)
語等等，用于容易地描述對一個元件相對于第二個元件的位置解釋這些術(shù)語旨在包含除了那些在圖中描繪的不同方向之外的器件的不同方向。此外，諸如“第一”、“第二”等的術(shù)語，也用以描述不同的元件、區(qū)、部分、等等，并且并非旨在進行限制。整篇說明書中相似的術(shù)語指相似的元件。如本文中用到的,術(shù)語“具有”、“包含”、“包括(including)”、“包括(comprising)”等為指示指定的元件或特征的存在的開放式術(shù)語，并不排除另外的元件或特征。除非本上下文清楚地指明，冠詞“a”、“an”和“the”旨在包括復數(shù)，也包括單數(shù)。應(yīng)理解，除非特定地注釋，否則本文所描述的各個實施方式的特征可彼此結(jié)合。雖然本文已解釋和描述了特定的實施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)理解，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，針對所示和所描述的具體實施方式
，可替換為各種替換物和/或等同物實施。該應(yīng)用旨在涵蓋本文所討論的特定實施方式的任何修改和變更。因此，旨在本發(fā)明僅由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種晶體管，包括 半導體本體，具有第一水平表面； 漂移區(qū)，被設(shè)置在所述半導體本體中； 多個柵電極，被設(shè)置在所述半導體本體的溝道中，所述溝道具有縱向方向并且相對于彼此平行延伸，所述溝道的所述縱向方向在所述半導體本體的第一橫向方向上延伸； 體區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間；以及 源區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間， 其中，所述體區(qū)在所述半導體本體的豎直方向上被設(shè)置在所述漂移區(qū)和所述源區(qū)之間， 其中，在所述第一水平表面中，所述源區(qū)和所述體區(qū)在所述第一橫向方向上被交替設(shè)置，以及 其中，源電極被電連接到所述第一水平表面中的所述源區(qū)和所述體區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體管，還包括 柵極電介質(zhì)，將所述柵電極與所述半導體本體之間介質(zhì)隔離；以及 漏區(qū)，其中，所述漂移區(qū)被設(shè)置在所述漏區(qū)和所述體區(qū)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體管， 其中，所述源區(qū)在第二橫向方向上延伸，每個源區(qū)均被柵電極隔斷，以及 其中，所述第一橫向方向和所述第二橫向方向之間的角度在45°和90°之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管,其中，所述第一橫向方向和所述第二橫向方向之間的角度在80°和90。之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體管， 其中，所述源區(qū)在所述第一水平表面中具有第一表面區(qū)域，所述體區(qū)在所述第一水平表面中具有第二表面區(qū)域，以及 其中，所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域之間的比率在10:1和1:10之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管，其中，所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域之間的比率在10:1和1:1之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管，其中，在所述第二橫向方向上的兩個相鄰源區(qū)之間的距離在I μ m和10 μ m之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體管，其中，在垂直于所述第一橫向方向的方向上兩個相鄰柵電極之間的相互距離在I μ m和10 μ m之間。
9.一種晶體管，包括 半導體本體，具有第一水平表面； 漂移區(qū)，被設(shè)置在所述半導體本體中； 多個柵電極，被設(shè)置在所述半導體本體的溝道中，所述溝道具有縱向方向并且相對于彼此平行延伸，所述溝道的所述縱向方向在所述半導體本體的第一橫向方向上延伸； 體區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間；以及 源區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間，其中 所述源區(qū)延伸到所述第一水平表面并形成源區(qū)域，所述源區(qū)域被所述柵電極劃分為所述源區(qū)，其中，所述第一水平表面中的所述源區(qū)域被體區(qū)域所包圍，所述體區(qū)域包括延伸到所述第一水平表面的多個體區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，還包括 柵極電介質(zhì)，將所述柵極與所述半導體本體之間介質(zhì)隔離；以及 漏區(qū)，其中，所述漂移區(qū)被設(shè)置在所述漏區(qū)和所述體區(qū)之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，所述源區(qū)域具有矩形、圓形或多邊形幾何形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，所述源區(qū)域是彼此間隔設(shè)置的多個源區(qū)域中的一個。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管， 其中，所述源區(qū)域在所述第一水平表面中具有第一表面區(qū)域，所述體區(qū)在所述第一水平表面中具有第二表面區(qū)域，以及 其中，所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域之間的比率在10:1和1:10之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶體管，其中，所述比率在10:1和1:1之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，兩個相鄰柵電極之間的距離在Ιμπι和ΙΟμ 之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有提高的魯棒性的垂直晶體管。該晶體管包括具有第一水平表面的半導體本體。漂移區(qū)被設(shè)置在半導體本體中。多個柵極被設(shè)置在半導體本體的溝道中。溝道具有縱向方向并相對于彼此平行延伸。溝道的縱向方向在半導體本體的第一橫向方向上延伸。體區(qū)和源區(qū)被設(shè)置在溝道之間。體區(qū)被設(shè)置在半導體本體的豎直方向上的漂移區(qū)和源區(qū)之間。在第一水平表面中，源區(qū)和體區(qū)在第一橫向方向上被交替設(shè)置。源電極在第一水平表面中電連接到源區(qū)和體區(qū)。
文檔編號H01L29/78GK102903754SQ201210262659
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者邁克爾·阿薩姆, 賴納德·桑德爾, 馬蒂亞斯·斯特徹, 馬庫斯·溫克勒 申請人:英飛凌科技奧地利有限公司