雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件的制作方法
【專利摘要】一種肖特基勢(shì)壘元件，包括半導(dǎo)體基材、第一接觸金屬層、第二接觸金屬層和氧化層。半導(dǎo)體基材具有相對(duì)的第一表面和第二表面，于第一表面處具有多個(gè)溝槽，每溝槽包括第一凹槽具有第一深度和第二凹槽具有第二深度，第二凹槽自第一表面向下延伸，第一凹槽于第二凹槽中往下延伸，使第一深度大于第二深度。第一接觸金屬層，至少形成于第二凹槽。第二接觸金屬層形成于相鄰兩溝槽之間的第一表面上。氧化層形成于第一凹槽。其中，第一接觸金屬層與半導(dǎo)體基材形成第一肖特基勢(shì)壘，第二接觸金屬層與半導(dǎo)體基材形成第二肖特基勢(shì)壘，第一肖特基勢(shì)壘大于第二肖特基勢(shì)壘。采用本發(fā)明，可良好夾止反向漏電流與提高元件可靠度。
【專利說(shuō)明】雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種肖特基勢(shì)壘元件，且特別是有關(guān)于一種雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件，可良好夾止反向漏電流與提高元件可靠度。
【背景技術(shù)】
[0002]肖特基勢(shì)魚(yú)二極管(Schottky barrier diode)為一以電子作為帶電載子的單極性元件，其特性為:施加低的順向偏壓即可獲得大的順向電流及快速的反向回復(fù)，但若持續(xù)增加反向偏壓，則將產(chǎn)生大的漏電流。且反向偏壓越高產(chǎn)生的漏電流越大，此現(xiàn)象與接觸金屬及半導(dǎo)體所形成的肖特基勢(shì)魚(yú)(Schottky barrier)隨反向偏壓增加而降低有關(guān)。若欲降低反向的漏電流而使用功函數(shù)(work function)高的接觸金屬以形成較大的肖特基勢(shì)魚(yú)，則會(huì)使順向壓降(forward voltage drop)提高,而增加操作時(shí)的功率損耗?；谏鲜龅睦碛?，而有溝槽式肖特基勢(shì)壘二極管的提出。溝槽式肖特基勢(shì)壘二極管主要有兩種，一種是溝槽式雙金屬肖特基勢(shì)壘.二極管(Trench Schottky controlled barrier Schottky, TSBS),另一種是溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢(shì)魚(yú)二極管(Trench MOS controlled barrierSchottky, TMBS)。其共同特點(diǎn)為在平臺(tái)區(qū)(mesa)使用低功函數(shù)(work function)的接觸金屬形成低肖特基勢(shì)魚(yú)(Schottky barrier)以得到低的順向壓降,而在溝槽處使用不同的方式來(lái)抑制漏電流。
[0003]圖1為溝槽式雙金屬肖特基勢(shì)壘二極管(TSBS)的簡(jiǎn)示圖。其結(jié)構(gòu)為在基板10形成溝槽101，其中平臺(tái)區(qū)103使用低功函數(shù)的接觸金屬12以形成低肖特基勢(shì)壘，在溝槽101中則使用高功函數(shù)的接觸金屬14形成高肖特基勢(shì)壘，高勢(shì)壘的肖特基接觸在反向偏壓時(shí)可產(chǎn)生較大的空乏區(qū)，夾止平臺(tái)區(qū)103，降低位于低肖特基勢(shì)壘電極處的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而降低漏電流。
[0004]圖2為溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘二極管(TMBS)的簡(jiǎn)示圖。其結(jié)構(gòu)是在基板20的溝槽201處形成氧化層22與金屬層24，平臺(tái)203使用低功函數(shù)的接觸金屬26以形成低肖特基勢(shì)壘。TMBS在溝槽201中的金屬層24、氧化層22和半導(dǎo)體基材20系形成金屬-氧化物-半導(dǎo)體(M0S金屬氧化物半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)，使溝槽201外的半導(dǎo)體于反向偏壓時(shí)產(chǎn)生空乏區(qū)，夾止平臺(tái)區(qū)203以降低漏電流。在TMBS中，為使金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在反向偏壓時(shí)能有效產(chǎn)生空乏區(qū)而夾止漏電流，必須使用厚度較薄的氧化層22。然而，薄氧化層其可耐受的電壓較小，因此，在設(shè)計(jì)額定電壓(voltage rating)較大的元件時(shí),必須適當(dāng)增加氧化層厚度。當(dāng)TMBS元件使用的半導(dǎo)體材料為硅時(shí)，因?yàn)檠趸瘜?2的耐壓崩潰強(qiáng)度(breakdown strength)遠(yuǎn)大于娃(娃的崩潰強(qiáng)度約為0.3MV/cm,氧化娃約為8?10MV/cm),因此問(wèn)題較不嚴(yán)重。然而若想以寬能硅半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)制作TMBS元件時(shí)，則因SiC的崩潰強(qiáng)度與氧化硅相當(dāng)(SiC的崩潰強(qiáng)度約為3MV/cm)，且其結(jié)構(gòu)中氧化硅所承受的電場(chǎng)又大于碳化硅，而影響SiCTMBS元件的可靠度。若為增加SiC TMBS元件的可靠度而大幅增加氧化層厚度，則其在反向偏壓下產(chǎn)生空乏區(qū)的效率下降，可能無(wú)法有效地夾止平臺(tái)區(qū)而產(chǎn)生可觀的漏電流。[0005]至于圖1所示TSBS，雖然沒(méi)有氧化層崩潰的顧慮，但是溝槽中所使用的高勢(shì)壘肖特基接觸，因溝槽底部產(chǎn)生的電場(chǎng)聚集效應(yīng)(electric field crowding)以及因映像力(image force)所造成的勢(shì)魚(yú)降低(barrier lowering)現(xiàn)象,使得TSBS在大的反向偏壓下對(duì)抑制漏電流的效果不如TMBS。因此目前使用于額定電壓600V以上的碳化硅肖特基二極管所使用的結(jié)構(gòu)都以所謂的接面勢(shì)魚(yú)肖特基元件(Junction Barrier Schottky, JBS)為主。JBS是在η型的碳化硅磊晶表面上以磷(phosphorus)為摻質(zhì)，摻雜形成間隔的P+區(qū)域，通過(guò)PN Junction在反向偏壓時(shí)所產(chǎn)生的空乏區(qū)來(lái)夾止漏電流。然而碳化娃在摻雜高濃度的P+時(shí)，通常需要高溫離子植入(40(T70(TC )且使用高植入能量與劑量，因此無(wú)法以光阻為屏蔽，而必須使用其它的硬屏蔽；植入后還需要進(jìn)行超高溫回火(160(Tl80(rC )而提聞制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明有關(guān)于一種雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件，可良好夾止反向漏電流與提高元件可靠度。
[0007]本發(fā)明提出一種肖特基勢(shì)壘元件，包括半導(dǎo)體基材、第一接觸金屬層、第二接觸金屬層和氧化層。半導(dǎo)體基材具有相對(duì)的第一表面和第二表面，于第一表面處具有多個(gè)溝槽，每溝槽包括第一凹槽具有第一深度和第二凹槽具有第二深度，第二凹槽自第一表面向下延伸，第一凹槽系位于第二凹槽中且往下延伸，使第一深度大于第二深度。第一接觸金屬層，至少形成于該第二凹槽的表面。第二接觸金屬層形成于相鄰兩溝槽之間的第一表面上。氧化層形成于第一凹槽的表面。其中，第一接觸金屬層與半導(dǎo)體形成第一肖特基勢(shì)壘，第二接觸金與半導(dǎo)體形成第二肖特基勢(shì)壘，第一肖特基勢(shì)壘大于第二肖特基勢(shì)壘。
[0008]采用本發(fā)明的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件，可良好夾止反向漏電流與提高元件可靠度。
[0009]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為溝槽式雙金屬肖特基勢(shì)壘二極管(TSBS)的簡(jiǎn)示圖。
[0011]圖2為溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘二極管(TMBS)的簡(jiǎn)示圖。
[0012]圖3為本揭露第一實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件的示意圖。
[0013]圖4為本揭露第二實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件的示意圖。
[0014]圖5為本揭露第三實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件的示意圖。
[0015]圖6為三種肖特基勢(shì)壘元件的氧化層厚度與反向漏電流密度的關(guān)系圖。
[0016]圖7為兩種肖特基勢(shì)壘元件的氧化層厚度與氧化層的最大電場(chǎng)的關(guān)系圖。
[0017]圖8A-8M為本揭露第三實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件制造方法的示意圖。
[0018]其中，附圖標(biāo)記:
[0019]1:肖特基勢(shì)壘二極管
[0020]10、20:基板
[0021]10U201:溝槽
[0022]103、203:平臺(tái)區(qū)[0023]12,26:低功函數(shù)接觸金屬
[0024]24:金屬層
[0025]14:高功函數(shù)接觸金屬
[0026]3、3’、3”:肖特基勢(shì)壘元件
[0027]30:半導(dǎo)體基材
[0028]31:溝槽
[0029]301:第一表面
[0030]302:第二表面
[0031]311:第一凹槽
[0032]312:第二凹槽
[0033]32:第一接觸金屬層
[0034]35:第二接觸金屬層
[0035]22、36:氧化層
[0036]87:可通過(guò)涂布進(jìn)行平坦化的材料如光刻膠料等
[0037]91:硬質(zhì)屏蔽
[0038]911:開(kāi)口
[0039]912:槽體
[0040]91’:第一圖案化硬質(zhì)屏蔽
[0041]91”:第二圖案化硬質(zhì)屏蔽
[0042]B:第一深度(第一表面至第一凹槽底部的深度)
[0043]b:第二深度(第一表面至第二凹槽底部的深度)
[0044]A:相鄰兩第一凹槽間的寬度
[0045]a:溝槽間平臺(tái)區(qū)寬度(兩相鄰第二凹槽間的距離)
【具體實(shí)施方式】
[0046]實(shí)施例提出肖特基勢(shì)壘元件，可提供低順向壓降和良好夾止反向漏電流，也可提高元件可靠度。以下參照所附圖式詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。需注意的是，實(shí)施例所提出的細(xì)部結(jié)構(gòu)僅為舉例說(shuō)明之用，并非對(duì)此揭露內(nèi)容欲保護(hù)的范圍做限縮。且圖式系已簡(jiǎn)化以利清楚說(shuō)明實(shí)施例的內(nèi)容，圖式上的尺寸比例并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制，因此并非作為限縮此揭露內(nèi)容保護(hù)范圍之用。
[0047]第一實(shí)施例
[0048]圖3為本揭露第一實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件的示意圖。肖特基勢(shì)壘元件3包括半導(dǎo)體基材30、第一接觸金屬層32、第二接觸金屬層35和氧化層36。半導(dǎo)體基材30具有相對(duì)的第一表面301和第二表面302，于第一表面301處具有多個(gè)溝槽31，每一溝槽31包括第一凹槽311具有第一深度(B)，和第二凹槽312具有第二深度(b)，其中第二凹槽312系自第一表面301向下延伸，第一凹槽311則位于第二凹槽312中且往下延伸，使第一深度(B)大于第二深度(b)。此實(shí)施例的第一凹槽311例如是，但不限制地，底部呈現(xiàn)圓弧狀。如圖3所示，第一接觸金屬層32形成于第二凹槽312的表面，第二接觸金屬層35形成于相鄰兩溝槽31之間的平臺(tái)處(mesa)即第一表面301上，氧化層36則形成于第一凹槽311的表面。其中氧化層36、第一接觸金屬層32與第二接觸金屬層35上可再形成導(dǎo)電材料(未顯示)填滿該些溝槽31以于第一溝槽311形成金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并提供良好的電氣接觸(electric contact)。其中，第一接觸金屬層32與半導(dǎo)體基材30形成具有第一肖特基勢(shì)壘的第一肖特基接觸，第二接觸金屬層35與半導(dǎo)體基材30形成具有第二肖特基勢(shì)壘的第二肖特基接觸，其中第一肖特基勢(shì)壘大于第二肖特基勢(shì)壘。
[0049]實(shí)施例中，第一接觸金屬層32其應(yīng)用材料例如是鎳(Ni, Nickel)、金(Au, gold)、白金(鉬，Pt, Platinum)、鈕I (Pd, Palladium)、輯(Er, Erbium)、鋪(Tb, Terbium)、含前述金屬的合金以及其金屬娃化物(metal silicide)或其它具有適合功函數(shù)(work function)的金屬。第二接觸金屬層35其應(yīng)用材料例如是鈦(Ti, Titanium)、鑰(Mo, Molybdenum)、招(Al, Aluminum)、鎂(Mg, Magnesium)、鶴(ff, Tungsten)、銀(Ag, Silver)、含前述金屬的合金以及其金屬娃化物或其它具有適合功函數(shù)(work function)的金屬。
[0050]一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基材30例如是碳化硅(4H_SiC)，其包含高摻雜濃度的η型碳化娃基板(n+substrate),可使用適合的金屬于基板底部形成良好的歐姆接觸(Ohmiccontact),以及形成于基板上的低摻雜濃度η型碳化娃嘉晶耐壓層(n-drift layer)。半導(dǎo)體基材30也可以是其它寬能隙半導(dǎo)體材料，例如是氮化鎵(GaN)。
[0051]如上述實(shí)施例所示的肖特基勢(shì)壘元件3，第一接觸金屬層32是于第二凹槽312處與半導(dǎo)體基材30形成第一肖特基接觸,第二接觸金屬層35系于該第一表面301處與半導(dǎo)體基材30形成第二肖特基接觸，且第一肖特基接觸的第一肖特基勢(shì)壘大于第二肖特基接觸的第二肖特基勢(shì)壘。由于平臺(tái)區(qū)處即第一表面301形成的第二肖特基接觸具有較低的第二肖特基勢(shì)壘，因此可得到較低的順向壓降。于反偏操作時(shí)，當(dāng)偏壓小時(shí)，具有較高第一肖特基勢(shì)壘的第一肖特基接觸從第二凹槽312往外延伸的空乏區(qū)可屏蔽位于低肖特基勢(shì)壘的第二肖特基接觸的電場(chǎng)，而降低漏電流；當(dāng)偏壓持續(xù)提高時(shí)，則通過(guò)第一凹槽311處的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)所形成的空乏區(qū)，來(lái)屏蔽第一肖特基接觸與第二肖特基接觸處的電場(chǎng)，而維持夠低的漏電流。而根據(jù)實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件3結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，因有位于第二凹槽處312的第一肖特基接觸的輔助，而可使用較厚的氧化層36于第一凹槽311形成金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使肖特基勢(shì)壘元件3不但能在高反向偏壓下仍維持低漏電流，且因使用較厚的氧化層36厚度，而能提升元件的可靠度。適合的氧化層的厚度可參考例如元件仿真的設(shè)定。但本發(fā)明并不以所列的設(shè)定值為限制，可視實(shí)際應(yīng)用所需而作相應(yīng)調(diào)整。如圖3所示，其中溝槽間平臺(tái)區(qū)寬度(a)(即兩相鄰第二凹槽312間的距離)與第二深度(b)的比例例如為2(a/b=2);且相鄰兩第一凹槽311間的寬度㈧與第一深度⑶的比例例如為2(A/B=2)。
[0052]第二實(shí)施例
[0053]圖4為本揭露第二實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件的示意圖。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例中相同或類似元件沿用相同標(biāo)號(hào)，且內(nèi)容不再贅述。第二實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件3’，其第一接觸金屬層32系形成于第二凹槽312并延伸覆蓋第二接觸層35。
[0054]第三實(shí)施例
[0055]圖5為本揭露第三實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件的示意圖。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例中相同或類似元件沿用相同標(biāo)號(hào)，且內(nèi)容不再贅述。第三實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件3 ”，其第一接觸金屬層32形成于第二凹槽312，并延伸覆蓋第二接觸金屬層35，以及延伸覆蓋氧化層36 0
[0056]除了上述三種結(jié)構(gòu)，實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件還可依實(shí)際應(yīng)用做其它類似地修飾與變化，本發(fā)明對(duì)此并不多做限制。
[0057]<相關(guān)模擬實(shí)驗(yàn)>
[0058]本揭露也對(duì)不同肖特基勢(shì)壘元件進(jìn)行元件特性的進(jìn)行二維數(shù)值模擬實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)中對(duì)三種肖特基勢(shì)壘元件進(jìn)行量測(cè)，包括溝槽式雙金屬肖特基勢(shì)壘二極管(TSBS)(曲線-._)、溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘二極管(TMBS)(曲線-? _)、和本揭露第三實(shí)施例的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件(曲線-圍_)。模擬實(shí)驗(yàn)中,本揭露的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件的第一接觸金屬層32設(shè)定的功函數(shù)為5，第二接觸金屬層35設(shè)定的功函數(shù)為 4.3。
[0059]圖6為三種肖特基勢(shì)壘元件的氧化層厚度與反向漏電流密度的關(guān)系圖。其中，由于TSBS元件不具氧化層，因此僅以其漏電流為lX10_5A/cm2繪制該代表曲線。從圖6中可發(fā)現(xiàn)，本揭露的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件結(jié)構(gòu)若在第一凹槽311處形成0.6 μ m厚度的氧化層36其產(chǎn)生的反向漏電流(reverse leakage current)與使用0.2 μ m厚度氧化層的TMBS 元件相當(dāng)(I X IO-Vcm2)。
[0060]圖7為 兩種肖特基勢(shì)壘元件的氧化層厚度與氧化層的最大電場(chǎng)的關(guān)系圖。其中，曲線-?-代表TMBS元件，曲線-圍-代表本揭露的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件。以欲達(dá)到相同的漏電流I X 10_7A/cm2為例，TMBS元件需使用0.2 μ m的氧化層，而本揭露的雙凹槽式肖特基勢(shì)壘元件可使用0 .6μπι的氧化層(圖6)，再對(duì)照?qǐng)D7可發(fā)現(xiàn)，TMBS元件使用
0.2μπι的氧化層時(shí)，其氧化層 處的最大電場(chǎng)約為7.3MV/cm，而本揭露的雙凹槽式肖特基勢(shì)壘元件使用0.6 μ m的氧化層時(shí)，其氧化層處的最大電場(chǎng)約為5.7MV/cm, TMBS元件氧化層中的最大電場(chǎng)較本揭露的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件大了 30%。因此，相較于傳統(tǒng)TMBS元件，本揭露的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件可提供更好的可靠性。
[0061]本揭露的雙凹溝槽式肖特基勢(shì)壘元件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可采用較厚的氧化層36，在較小的反向偏壓下，厚的氧化層36其MOS結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的空乏區(qū)較小，但可由具有較高肖特基勢(shì)壘的第一肖特基接觸所形成的空乏區(qū)來(lái)降低漏電流；在較大的反向偏壓下，其氧化層36的MOS結(jié)構(gòu)可產(chǎn)生足夠大的空乏區(qū)，有效地屏蔽位于肖特基接觸處的電場(chǎng)，而能維持夠低的漏電流。本揭露的雙凹槽式肖特基勢(shì)壘元件結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)TMBS元件相比，在相同的漏電流下，本揭露的雙凹槽式肖特基勢(shì)壘元件可使用較厚的氧化層36，降低氧化層中的最大電場(chǎng)。因此，實(shí)施例所提出的肖特基勢(shì)壘元件結(jié)構(gòu)不但具有低順向壓降，低反向漏電流，且能提高元件的可靠度。
[0062]〈肖特基勢(shì)壘元件的制造方法〉
[0063]以下提出如第三實(shí)施例所示的肖特基勢(shì)壘元件的制造方法，以做說(shuō)明。當(dāng)然，本發(fā)明并不限制于此，詳細(xì)步驟，包括制程順序和各步驟詳細(xì)實(shí)施方式等，視實(shí)際應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘元件的結(jié)構(gòu)(例如也可制作出如第一、二實(shí)施例或其它修飾的肖特基勢(shì)壘元件)，而對(duì)制造方法做相應(yīng)調(diào)整與變化。
[0064]圖8A-8M為本揭露第三實(shí)施例的肖特基勢(shì)壘元件制造方法的示意圖。首先，如圖8A所示，提供半導(dǎo)體基材30，并經(jīng)過(guò)表面清洗與預(yù)處理(如犧牲氧化層的成長(zhǎng)與去除)等步驟，于半導(dǎo)體基材30的第一表面301形成第二接觸金屬層35。[0065]如圖8B所示，于第二接觸金屬層35沉積例如二氧化硅以作為硬質(zhì)屏蔽(HardMask)91 ;接著，如圖8C所示，于硬質(zhì)屏蔽91上形成開(kāi)口 911以形成第一圖案化硬質(zhì)屏蔽91’，并利用硬質(zhì)屏蔽91’蝕刻以圖案化第二接觸金屬層35。
[0066]如圖8D所示，根據(jù)第一圖案化硬質(zhì)屏蔽91’與圖案化后的第二接觸金屬層35對(duì)半導(dǎo)體基材30進(jìn)行蝕刻，以形成第一凹槽311。接著利用二氧化硅與鈦金屬的蝕刻選擇比，以回蝕刻(etching back)方式于第一圖案化硬質(zhì)屏蔽91’上形成自對(duì)準(zhǔn)(self-aligned)的槽體912，此時(shí)所形成的第二圖案化硬質(zhì)屏蔽91”暴露出圖案化后的第二接觸金屬層35的部分表面，如圖8E所示。其中，槽體912的寬度系大于開(kāi)口 911的寬度。
[0067]之后，如圖8F所示，根據(jù)第二圖案化硬質(zhì)屏蔽91”進(jìn)行蝕刻，以暴露出半導(dǎo)體基材30部份的第一表面301。
[0068]接著，如圖SG所示，根據(jù)第二圖案化硬質(zhì)屏蔽91”的槽體912對(duì)半導(dǎo)體基材30進(jìn)行蝕刻，以形成第二凹槽312。此時(shí)，第二凹槽312自第一表面301向下延伸，第一凹槽311則位于第二凹槽312下方并具有較小的開(kāi)口寬度。
[0069]接著，如圖8H所不，于半導(dǎo)體基材30與金屬層35上沉積氧化層36。
[0070]如圖81所示，于半導(dǎo)體基材30上涂布光刻膠87等可通過(guò)涂布(spin-coating)進(jìn)行平坦化的材料。利用回蝕(Etch back)方式去除第二凹槽312內(nèi)與第一表面301上的光刻膠87，如圖8J所示。
[0071]如圖8K所示，以蝕刻方式去除位于第一凹槽311外的氧化層36，隨后移除第一凹槽311內(nèi)的光刻膠87。
[0072]如圖8L所示，沉積第二接觸金屬層32，覆蓋半導(dǎo)體基材30、第二接觸金屬層35以及氧化層36。之后，可于半導(dǎo)體基材30上形成導(dǎo)電層88以覆蓋第一接觸金屬層32和填滿第一凹槽311與第二凹槽312，如圖8M所示。
[0073]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，包括: 半導(dǎo)體基材，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，于該第一表面處具有多個(gè)溝槽，每該溝槽包括第一凹槽和第二凹槽，該第一凹槽具有第一深度，該第二凹槽具有第二深度，該第二凹槽自該第一表面向下延伸，該第一凹槽于該第二凹槽中往下延伸，該第一深度大于該第二深度； 第一接觸金屬層，至少形成于該第二凹槽的表面； 第二接觸金屬層，形成于相鄰兩該溝槽之間的該第一表面上；和 氧化層，形成于該第一凹槽的表面， 其中，該第一接觸金屬層與該半導(dǎo)體基材形成第一肖特基勢(shì)壘，該第二接觸金屬層與該半導(dǎo)體基材形成第二肖特基勢(shì)壘，該第一肖特基勢(shì)壘大于該第二肖特基勢(shì)壘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該半導(dǎo)體基材的材料包括碳化硅或氮化鎵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該第一接觸金屬層延伸覆蓋該第二接觸金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該第一接觸金屬層延伸覆蓋該氧化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該第一接觸金屬層延伸覆蓋該第二接觸金屬層，以及延伸覆蓋該氧化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該第一凹槽的底部為圓弧形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該第一接觸金屬層的材料包括鎳、金、白金、鈀、鉺、或鋱、或含前述金屬的合金或其金屬硅化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘元件，其特征在于，該第二接觸金屬層的材料包括鈦、鑰、鋁、鎂、鎢或銀、或含前述金屬的合金或其金屬硅化物。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK103515451SQ201210275461
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】顏誠(chéng)廷, 陳永祥, 洪建中, 李傳英 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院