專利名稱：放射線檢測設(shè)備和包括該放射線檢測設(shè)備的檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放射線檢測設(shè)備和包括該設(shè)備的檢測系統(tǒng)，其可以用作醫(yī)療圖像診斷設(shè)備、非破壞性測試設(shè)備、使用放射線的分析設(shè)備等。
背景技術(shù)：
在檢測設(shè)備(諸如具有像素的陣列(像素陣列)的光檢測設(shè)備或者放射線檢測設(shè)備)的制造中使用薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)。薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)通過將開關(guān)元件(諸如薄膜晶體管(在下文中被稱為TFT))與轉(zhuǎn)換元件(諸如光電轉(zhuǎn)換元件)結(jié)合以形成每個(gè)像素來允許有效地制造像素陣列。近年來，作為薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)的結(jié)果，可以處理多個(gè)成像模式(諸如動(dòng)態(tài)(透視(fluoroscopic))成像、一般(靜態(tài))成像等)的放射線檢測設(shè)備已經(jīng)被公開。
一般，由于放射線檢測設(shè)備(檢測設(shè)備)在透視成像模式中主要需要可高速操作性并且該檢測設(shè)備在靜態(tài)成像模式中主要需要高信噪(S/N)比，因此可以處理多個(gè)拍攝模式的檢測設(shè)備需要可高速操作性和高S/N比兩者。尤其是，在使用薄膜晶體管(TFT)的大約X射線膠片尺寸的大面積檢測設(shè)備中，由于用于驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)布線或者用于傳輸來自TFT的信號(hào)的信號(hào)布線較長，因此驅(qū)動(dòng)布線或者信號(hào)布線的布線電容會(huì)增大。當(dāng)驅(qū)動(dòng)布線或者信號(hào)布線的布線電容增大時(shí)，驅(qū)動(dòng)布線或者信號(hào)布線中的信號(hào)的傳輸延遲可能增大。因此，在使用TFT的大面積檢測設(shè)備中，可高速操作性的實(shí)現(xiàn)是重要議題。信號(hào)布線的布線電容的增大使噪聲增大，并且S/N比可能被較大程度地減小。另外,在截止時(shí)間處在TFT中存在漏電流，并且S/N比可能被減小。因此，在使用TFT的大面積檢測設(shè)備中，確保高S/N比也是重要議題。因此，為了利用使用TFT的大面積檢測設(shè)備適當(dāng)?shù)靥幚矶鄠€(gè)成像模式，確?？筛咚俨僮餍院透逽/N比兩者是高度期望的。由本申請(qǐng)的受讓人(佳能株式會(huì)社)公開的美國專利申請(qǐng)公開No. 2006/0249763討論了包括由與轉(zhuǎn)換元件連接的TFT形成的像素的檢測設(shè)備。美國專利申請(qǐng)公開No. 2006/0249763討論了使用多晶的半導(dǎo)體層作為TFT，其提供可高速操作性。美國專利申請(qǐng)公開No. 2006/0249763還討論了使用包括與驅(qū)動(dòng)布線公共地連接的多個(gè)柵極電極的TFT(即具有多柵極結(jié)構(gòu)的TFT)。因此，TFT的漏電流被抑制并且S/N比被提高。也由本申請(qǐng)的受讓人公開的美國專利申請(qǐng)公開No. 2011/0006191討論了包括多個(gè)像素、選擇單元和信號(hào)布線的檢測設(shè)備，該多個(gè)像素中的每一個(gè)包括具有不同的操作電阻的多個(gè)TFT和轉(zhuǎn)換元件，該選擇單元用于選擇該多個(gè)TFT中的至少一個(gè)，該信號(hào)布線經(jīng)由所選的TFT輸出信號(hào)。在其中要求可高速操作性的拍攝模式中，通過使用具有低操作電阻的TFT將信號(hào)輸出到信號(hào)布線。同時(shí)，在其中要求高S/N比的拍攝模式中，通過使用具有高操作電阻(換言之，低的泄漏)的TFT將信號(hào)輸出到信號(hào)布線。因此，在美國專利申請(qǐng)公開No. 2011/0006191中討論的可適用于多個(gè)拍攝模式的使用TFT的大面積檢測設(shè)備確?？筛咚俨僮餍院透逽/N比兩者。在美國專利申請(qǐng)公開No. 2006/0249763中討論的檢測設(shè)備中，一個(gè)驅(qū)動(dòng)布線與一行具有多柵極結(jié)構(gòu)的TFT公共地連接，在其中驅(qū)動(dòng)布線電容沒有被減少，并且存在研究可高速操作性的余地。另外，信號(hào)布線電容沒有被減少，并且噪聲不能被抑制，因此存在研究高S/N比的要求的余地。在美國專利申請(qǐng)公開No. 2011/0006191中討論的檢測設(shè)備中，由于與信號(hào)布線連接的TFT的數(shù)量較大，信號(hào)布線電容沒有被抑制，并且噪聲不能被抑制，因此存在研究高S/N比的要求的余地。另外，驅(qū)動(dòng)布線電容沒有被減少，并且存在研究其的余地。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及可以處理多個(gè)拍攝模式并且可以通過減少與晶體管連接的信號(hào)布線和驅(qū)動(dòng)布線的電容來確?？筛咚俨僮餍院透逽/N比兩者的檢測設(shè)備。根據(jù)在本申請(qǐng)中公開的至少一個(gè)實(shí)施例，一種檢測設(shè)備包括轉(zhuǎn)換元件，被配置為將放射線或者光轉(zhuǎn)換成電荷；晶體管，被配置為根據(jù)電荷將電信號(hào)輸出給信號(hào)布線，所述晶體管包括與轉(zhuǎn)換元件連接的第一區(qū)域、與信號(hào)布線連接的第二區(qū)域、布置在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第一溝道區(qū)、布置在第一區(qū)域與第一溝道區(qū)之間的第二溝道區(qū)、與第一溝道 區(qū)對(duì)應(yīng)的第一柵極電極以及與第二溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第二柵極電極；與第一柵極電極連接的第一驅(qū)動(dòng)布線；與第二柵極電極連接的第二驅(qū)動(dòng)布線；第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元，被配置為將允許第一溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一驅(qū)動(dòng)布線；第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元，被配置為將允許第二溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第二驅(qū)動(dòng)布線；以及選擇單元，被配置為選擇在第二驅(qū)動(dòng)布線與第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元之間的第一連接以及在第二驅(qū)動(dòng)布線與第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元之間的第二連接中的任何一個(gè)。因此，在本申請(qǐng)中公開的示例性實(shí)施例提供了檢測設(shè)備，其適用于多個(gè)拍攝模式并且可以抑制與晶體管連接的信號(hào)布線和驅(qū)動(dòng)布線的電容的增大由此確保可高速操作性和高S/N比兩者。根據(jù)以下參考附圖的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明更多的特征和方面將變得清晰。
被加入說明書且構(gòu)成說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例、特征和方面，并且與描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。圖1A示意性地示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的等效電路，并且圖1B示出一個(gè)像素的平面圖。圖2A是沿著圖1B中的線A-A'截取的截面圖，并且圖2B是沿著圖1B中的線B-B/截取的截面圖。圖3是用于描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的操作的時(shí)序圖。圖4A是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的一個(gè)像素的平面圖，并且圖4B是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的一個(gè)像素的截面圖。圖5A示意性地示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的等效電路，并且圖5B是根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的一個(gè)像素的平面圖。圖6是用于描述根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的操作的時(shí)序圖。
圖7是使用檢測設(shè)備的放射線檢測系統(tǒng)的概念視圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各個(gè)示例性實(shí)施例、特征以及方面。在本說明書中，放射線不僅包括作為通過由于放射性衰變釋放的粒子(包括光子)產(chǎn)生的射束的a射線、0射線、Y射線等，而且包括具有相同或更大的水平的能量的射束，例如，X射線、粒子束、宇宙射線等。參考圖1A、圖1B、圖2A和圖2B描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備。圖1A示意性地示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的等效電路，并且圖1B示出一個(gè)像素的平面圖。在圖1B中，為了便于圖示，在轉(zhuǎn)換元件120中僅僅示出了第一電極123和第二電極127。圖2A是沿著圖1B中的線A-A'截取的截面圖，并且圖2B是沿著圖1B中的線B-B'截取的截面圖。 檢測設(shè)備包括在其中多個(gè)像素110被排列成布置在絕緣襯底100上的多行和多列或者矩陣的像素陣列。在本示例性實(shí)施例中，像素陣列具有m行和n列。像素110包括用于將放射線或者光轉(zhuǎn)換成電荷的轉(zhuǎn)換元件120以及根據(jù)轉(zhuǎn)換的電荷輸出電信號(hào)的薄膜晶體管(TFT) 130。如圖2A和圖2B中所示出的，根據(jù)本示例性實(shí)施例的轉(zhuǎn)換元件120從絕緣襯底100那側(cè)開始依次包括第一電極123、第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層124、本征半導(dǎo)體層125、具有與第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層124相反的極性的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層126以及第二電極127。轉(zhuǎn)換元件120的第一電極123經(jīng)由接觸孔121和136中的連接電極151而電連接到雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133。雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133是TFT 130的源極和漏極之一。接觸孔136被設(shè)置在覆蓋TFT 130的半導(dǎo)體層131的第一絕緣層137中以及在覆蓋第一柵極電極134和第二柵極電極135的第二絕緣層138中。接觸孔121被設(shè)置在覆蓋連接電極151和信號(hào)布線150的第三絕緣層139中以及在第四絕緣層122中。與轉(zhuǎn)換元件120的第一電極123連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133被稱為“第一區(qū)域”或者也可以被稱為“第一半導(dǎo)體區(qū)”。轉(zhuǎn)換元件111的第二電極127電連接到電極布線160。第五絕緣層128和第六絕緣層129被設(shè)置為覆蓋轉(zhuǎn)換元件120和電極布線160。根據(jù)本示例性實(shí)施例，由于轉(zhuǎn)換元件120使用PIN型光電二極管作為將光轉(zhuǎn)換成電荷的光電轉(zhuǎn)換元件，因此當(dāng)轉(zhuǎn)換元件120被用作將放射線轉(zhuǎn)換成電荷的轉(zhuǎn)換元件時(shí)，閃爍體(未示出)被布置在第六絕緣層129上。閃爍體將放射線的波長轉(zhuǎn)換成具有可以由光電轉(zhuǎn)換元件檢測的波長帶的光的波長。電極布線160與電源單元190連接。作為TFT 130的源極和漏極中的另一個(gè)的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133電連接到在接觸孔136中的信號(hào)布線150。與信號(hào)布線150連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133被稱為“第二區(qū)域”或者也可以被稱為“第二半導(dǎo)體區(qū)”。在行方向上布置多個(gè)U根)信號(hào)布線150。每個(gè)信號(hào)布線150被公共地連接到在列方向上排列的多個(gè)TFT 130的源極和漏極中的另一個(gè)，并且在每一行處連接到讀取電路單元180。TFT 130包括布置在絕緣襯底100上的半導(dǎo)體層131。半導(dǎo)體層131包括在兩個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133之間(在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間)的多個(gè)溝道區(qū)132。在該多個(gè)溝道區(qū)132之中，布置為最接近與信號(hào)布線150連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133 (第二區(qū)域)的區(qū)域被定義為第一溝道區(qū)。布置在與第一電極123連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133 (第一區(qū)域)與第一溝道區(qū)之間的區(qū)域被定義為第二溝道區(qū)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，多晶的半導(dǎo)體層(諸如多晶硅)被用作半導(dǎo)體層131。半導(dǎo)體層131還包括雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)133。TFT 130包括經(jīng)由覆蓋半導(dǎo)體層131的第一絕緣層137與第一溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第一柵極電極134和與第二溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第二柵極電極135。換句話說，TFT 130是具有多柵極結(jié)構(gòu)的TFT。通過使用具有多柵極結(jié)構(gòu)的TFT，與具有單柵極結(jié)構(gòu)的TFT相比，TFT的外觀上的(apparent)溝道長度L可以較大，施加于每個(gè)溝道區(qū)的電壓可以被降低，并且截止時(shí)間處的漏電流可以被減少。此外，由于TFT具有多柵極結(jié)構(gòu)并且與信號(hào)布線的連接是一個(gè)點(diǎn)，因此與在美國專利申請(qǐng)公開No. 2011/0006191中討論的配置相比，信號(hào)布線電容可以被減少并且噪聲可以被抑制。檢測設(shè)備的驅(qū)動(dòng)布線140包括與第一柵極電極134連接的第一驅(qū)動(dòng)布線141和與第二柵極電極135連接的第二驅(qū)動(dòng)布線142。第一驅(qū)動(dòng)布線141被公共地連接到在行方向上的多個(gè)像素110的TFT 130的第一柵極電極134，并且在列方向上被布置有多個(gè)(m·根)。第二驅(qū)動(dòng)布線142被公共地連接到在行方向上的多個(gè)像素110的TFT 130的第二柵極電極135，并且在列方向上被布置有多個(gè)(m根)。根據(jù)上述配置，與在美國專利申請(qǐng)公開No. 2006/0249763中討論的配置相比，第一驅(qū)動(dòng)布線141和第二驅(qū)動(dòng)布線142的電容可以被減少，并且由驅(qū)動(dòng)布線的信號(hào)延遲引起的可高速操作性的降低可以被抑制。檢測設(shè)備包括驅(qū)動(dòng)電路單元170。驅(qū)動(dòng)電路單元170包括第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171，該第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171經(jīng)由第一驅(qū)動(dòng)布線141將包括允許第一溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第一導(dǎo)通電壓和允許第一溝道區(qū)處于不導(dǎo)通狀態(tài)的非導(dǎo)通電壓的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)給第一柵極電極134。驅(qū)動(dòng)電路單元170還包括第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172，該第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172經(jīng)由第二驅(qū)動(dòng)布線142將包括允許第二溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第二導(dǎo)通電壓的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)給第二柵極電極135。驅(qū)動(dòng)電路單元170還包括選擇單元174。選擇單元174包括多個(gè)開關(guān)173，與第二驅(qū)動(dòng)布線142成對(duì)地設(shè)置所述多個(gè)開關(guān)173中的每個(gè)開關(guān)。開關(guān)173選擇在第二驅(qū)動(dòng)布線142與第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171之間的第一連接和在第二驅(qū)動(dòng)布線142與第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172之間的第二連接中的任何一個(gè)?？刂茊卧?75控制選擇單元174以便根據(jù)多個(gè)拍攝模式來選擇第一連接和第二連接中的任何一個(gè)。當(dāng)開關(guān)元件173選擇第二連接時(shí)，利用不同的定時(shí)執(zhí)行通過第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171給第一柵極電極134的第一導(dǎo)通電壓的供應(yīng)以及通過第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172給第二柵極電極135的第二導(dǎo)通電壓的供應(yīng)。尤其是，在第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172供應(yīng)第二導(dǎo)通電壓時(shí)的時(shí)段期間，第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171開始第一導(dǎo)通電壓的供應(yīng)。因此，與從像素輸出電信號(hào)時(shí)的時(shí)間常數(shù)有關(guān)的TFT 130的電容可以以與第二溝道區(qū)有關(guān)的量被降低。因此，可高速操作性進(jìn)一步提高。在開始第一溝道區(qū)的導(dǎo)通之前，如果第二溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)，則導(dǎo)通電壓不被加到信號(hào)布線150的電容，因此信號(hào)布線150的電容沒有增大并且可以獲得聞S/No然而，在第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171供應(yīng)非導(dǎo)通電壓時(shí)，第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172供應(yīng)第二導(dǎo)通電壓以使得實(shí)際的溝道長度減少了和第二溝道區(qū)一樣多。因此，對(duì)于漏電流的抑制，為輸出整個(gè)像素陣列的電信號(hào)所需的時(shí)間(在下文中，被稱為一幀時(shí)間)變長是不利的。在諸如0. 015到0. 03秒之類的相對(duì)短的時(shí)間的一幀時(shí)間的操作模式中，例如，在諸如透視拍攝之類的運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式中，漏電流沒有變成一個(gè)問題。換句話說，如果多個(gè)拍攝模式包括第一拍攝模式和第二拍攝模式，并且在第二拍攝模式中的為TFT 130所需的操作速度比第一拍攝模式中的操作速度高時(shí)，期望的是在第二拍攝模式中選擇第二連接。運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式(諸如透視拍攝)相當(dāng)于第二拍攝模式。在開關(guān)元件173選擇第一連接時(shí)，以相同的定時(shí)將第一導(dǎo)通電壓從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171供應(yīng)到第一柵極電極134和第二柵極電極135。因此，與選擇第二連接的情況相比，可高速操作性較差，然而，在供應(yīng)非導(dǎo)通電壓時(shí)漏電流的抑制被提高。因此，期望的是，特別在相對(duì)長的時(shí)間(諸如0.3到1.0秒)的一幀時(shí)間的操作模式中，例如在一般拍攝(靜態(tài)圖像拍攝)模式中，選擇第一連接。換句話說，如果多個(gè)拍攝模式包括第一拍攝模式和第二拍攝模式，并且在第二拍攝模式中的為TFT 130所需的操作速度比第一拍攝模式中的操作速度高時(shí)，期望的是在第一拍攝模式中選擇第一連接。一般拍攝(靜態(tài)圖像拍攝)模式相當(dāng)于第一拍攝模式。 根據(jù)本示例性實(shí)施例，包括用于將放射線轉(zhuǎn)換成光的閃爍體和用于將光轉(zhuǎn)換成電荷的PIN型光電二極管的間接型轉(zhuǎn)換元件被用作轉(zhuǎn)換元件120，然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解在本申請(qǐng)中的公開內(nèi)容不限于該配置。作為PIN型光電二極管的替代，金屬絕緣體半導(dǎo)體(MIS)型光電轉(zhuǎn)換元件可以被使用。作為轉(zhuǎn)換元件120，將放射線直接轉(zhuǎn)換成電荷的直接型轉(zhuǎn)換元件可以被使用。根據(jù)示例性實(shí)施例，具有頂柵結(jié)構(gòu)的多晶硅TFT被用作TFT130。然而，非晶硅TFT、使用氧化物半導(dǎo)體的氧化物TFT以及使用有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)TFT或者其它等效結(jié)構(gòu)也可以被使用。然而，在進(jìn)一步要求可高速操作性時(shí)，多晶硅TFT、氧化物TFT和有機(jī)TFT中的任何一種是更期望的。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，使用在其中半導(dǎo)體層包括第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)的晶體管。然而，具有與包括第一溝道區(qū)的半導(dǎo)體層分離的包括第二溝道區(qū)的半導(dǎo)體層的配置也可以是可行的。接下來，參考圖3中的時(shí)序圖描述圖1A和圖1B中示出的檢測設(shè)備的操作。這里，描述了第一導(dǎo)通電壓和第二導(dǎo)通電壓具有相同的導(dǎo)通電壓值Von和相同的非導(dǎo)通電壓值Voff。在選擇透視拍攝模式(運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式)時(shí)，控制單元175將控制信號(hào)供應(yīng)給選擇單元174以使得選擇單元174的開關(guān)173選擇第二連接。因此，選擇單元174的開關(guān)173選擇第二連接并且開始將第二導(dǎo)通電壓從第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172供應(yīng)到第二驅(qū)動(dòng)布
線142。然后，每個(gè)第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2、Vg22.....Vgm2變?yōu)榈诙?dǎo)通電壓Von，
并且每個(gè)TFT 130的第二溝道區(qū)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。上述是第一處理。接下來，用放射線照射檢測設(shè)備持續(xù)預(yù)定的時(shí)段。與根據(jù)照射每個(gè)像素的放射線產(chǎn)生的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)被蓄積。因此，第一導(dǎo)通電壓Von被從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單兀171順序地供應(yīng)到每個(gè)第一驅(qū)動(dòng)布線141。因此，每個(gè)第一驅(qū)動(dòng)布線141的電位Vgll、Vg21、...、Vgml變?yōu)榈谝粚?dǎo)通電壓Von，并且每個(gè)TFT 130的第一溝道區(qū)以行為單位順序地變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，在像素110中蓄積的電信號(hào)作為并行的電信號(hào)從以行為單位的像素110經(jīng)由信號(hào)布線150以行為單位地順序地輸出到讀取電路單元180。上述是第二處理。在第二處理中，根據(jù)本示例性實(shí)施例，在透視拍攝模式(運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式)期間維持第二導(dǎo)通電壓從第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172到第二驅(qū)動(dòng)布線142的供應(yīng)。在透視拍攝模式(運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式)中，第二處理被重復(fù)地執(zhí)行若干次。接下來，在選擇一般拍攝模式(靜態(tài)圖像拍攝模式)時(shí)，控制單元175將控制信號(hào)供應(yīng)給選擇單元174以使得選擇單元174的開關(guān)173選擇第一連接。因此，選擇單元174的
開關(guān)173選擇第一連接。然后，每個(gè)第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2、Vg22.....Vgm2變?yōu)?br>
從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171供應(yīng)的非導(dǎo)通電壓Voff，并且每個(gè)TFT 130的第二溝道區(qū)變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。上述是第三處理。然后，用放射線照射檢測設(shè)備持續(xù)預(yù)定的時(shí)段。與根據(jù)照射每個(gè)像素的放射線產(chǎn)生的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)被蓄積。因此，第一導(dǎo)通電壓Von被從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171順序地供應(yīng)到第一驅(qū)動(dòng)布線141和第二驅(qū)動(dòng)布線142的每一組。因此，第一行的第一驅(qū)動(dòng)布線141的電位Vgll和第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2變?yōu)榈谝粚?dǎo)通電壓Von，并且第一 行的TFT 130的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)兩者變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，蓄積在第一行的像素110中的電信號(hào)經(jīng)由信號(hào)布線150作為并行的電信號(hào)被輸出到讀取電路單元180。在第二行和第三行中以行為單位地順序地執(zhí)行該操作，并且輸出整個(gè)像素陣列的電信號(hào)。上述是第四處理。根據(jù)本示例性實(shí)施例，描述了從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171供應(yīng)的導(dǎo)通電壓和從第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172供應(yīng)的導(dǎo)通電壓是相同的電壓值。然而，還可以設(shè)想其它配置。例如，不同的電壓值可以被應(yīng)用于每個(gè)拍攝模式或者每個(gè)導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元。期望的是供應(yīng)適合于每個(gè)溝道區(qū)的電容值的電壓值的導(dǎo)通電壓。根據(jù)本示例性實(shí)施例，描述了第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172與每個(gè)開關(guān)173公共地連接并且供應(yīng)預(yù)定的第二導(dǎo)通電壓。與第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171類似地，第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172可以被配置為能夠給每個(gè)第二驅(qū)動(dòng)布線142獨(dú)立地供應(yīng)第二導(dǎo)通電壓，像移動(dòng)電阻器(shift resister)—樣。即使提供這種配置,在由選擇單元174選擇第二連接的情況下，也必須在將第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一驅(qū)動(dòng)布線141時(shí)將第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第二驅(qū)動(dòng)布線142。接下來，參考圖4A和圖4B描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備。圖4A是一個(gè)像素的平面圖，并且圖4B是沿著圖4A中的線C-C'截取的截面圖。與第一示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被給予相同的附圖標(biāo)記，并且省略了其詳細(xì)描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例的TFT 130與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的TFT 130的不同之處在于以下的點(diǎn)。第一柵極電極134被設(shè)置為在其寬度方面比第二柵極電極135窄。因此，第一溝道區(qū)的溝道長度比第二溝道區(qū)的溝道長度短。因此，第一柵極電極134的電容比第二柵極電極135的電容小，使得第一驅(qū)動(dòng)布線141的電容比第二驅(qū)動(dòng)布線142的電容小。因此，在其中由選擇單元174選擇第二連接的拍攝模式中,可高速操作性進(jìn)一步提高。通過減少第一溝道區(qū)的電容，在其中由選擇單元174選擇第二連接的拍攝模式中，信號(hào)布線150的電容可以被減少并且S/N比進(jìn)一步提聞。接下來，第一溝道區(qū)的溝道寬度比第二溝道區(qū)的溝道寬度短。因此，第一柵極電極134和第一溝道區(qū)的電容分別被進(jìn)一步減少。在其中由選擇單元174選擇第二連接的拍攝模式中，可高速操作性和S/N比進(jìn)一步提高。
設(shè)置多個(gè)第二柵極電極135 (在本示例性實(shí)施例中為兩個(gè))，因此設(shè)置多個(gè)第二溝道區(qū)(在本示例性實(shí)施例中為兩個(gè)地方)。根據(jù)該配置，與包括一個(gè)第二溝道區(qū)的配置相比，施加到多個(gè)第二溝道區(qū)之一的電壓被降低并且漏電流被減少。因此，在其中由選擇單元174選擇第一連接的拍攝模式中，漏電流被進(jìn)一步減少并且S/N比進(jìn)一步提高。第一驅(qū)動(dòng)布線141和第二驅(qū)動(dòng)布線142在布線的寬度方面在與信號(hào)布線150交叉的區(qū)域處比其它區(qū)域細(xì)(窄)。因此，分別減少每個(gè)驅(qū)動(dòng)布線的電容和信號(hào)布線150的電容，并且可聞速操作性和S/N比進(jìn)一步提聞。接下來，參考圖5A和圖5B描述根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備。圖5A示意性地示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的等效電路，并且圖5B示出一個(gè)像素的平面圖。與第二示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被給予相同的附圖標(biāo)記，并且省略了其詳細(xì)描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測設(shè)備的不同之處在于 以下的點(diǎn)。與像素110相比，像素510還包括用于初始化的薄膜晶體管(TFT)520以便將轉(zhuǎn)換元件120初始化。作為用于初始化的TFT 520的源極和漏極之一的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523經(jīng)由TFT 130的接觸孔121和526中的連接電極541電連接到轉(zhuǎn)換元件120的第一電極123。接觸孔526被設(shè)置在第一絕緣層137和第二絕緣層138中。與轉(zhuǎn)換元件120的第一電極123連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523被稱為“第三區(qū)域”或者可以被稱為“第三半導(dǎo)體區(qū)”。作為用于初始化的TFT 520的源極和漏極中的另一個(gè)的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523電連接到接觸孔526中的用于初始化的電源布線540。與用于初始化的電源布線540連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523被認(rèn)為是“第四區(qū)域”或者“第四半導(dǎo)體區(qū)”。用于初始化的電源布線540與電源單元190連接。根據(jù)本示例性實(shí)施例，電源單元190將與讀取電路單元180提供給信號(hào)布線150的電位相同的電位提供給用于初始化的電源布線540，并且用于初始化的TFT 520具有輸出沒有被輸出到TFT 130的、剩余在轉(zhuǎn)換元件120中的電荷的功能。用于初始化的TFT 520包括布置在絕緣襯底100上的半導(dǎo)體層521。半導(dǎo)體層521在兩個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523之間(在第三區(qū)域和第四區(qū)域之間)包括多個(gè)溝道區(qū)522。在該多個(gè)溝道區(qū)522之中，布置為最接近與電源布線540連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523 (第四區(qū)域)的區(qū)域被定義為第三溝道區(qū)。布置在與第一電極123連接的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523 (第三區(qū)域)之間的區(qū)域被定義為第四溝道區(qū)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，作為半導(dǎo)體層521，與TFT 130類似的多晶的半導(dǎo)體層(諸如多晶硅)被使用，并且半導(dǎo)體層521還包括雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)523。用于初始化的TFT 520包括經(jīng)由覆蓋半導(dǎo)體層521的第一絕緣層137與第三溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第三柵極電極524和與第四溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第四柵極電極525。換句話說，用于初始化的TFT 520是具有多柵極結(jié)構(gòu)的TFT。通過使用具有多柵極結(jié)構(gòu)的TFT，與具有單柵極結(jié)構(gòu)的TFT相比，TFT的外觀上的溝道長度L可以較大，并且截止時(shí)間處的漏電流可以被減少。第三柵極電極524連接到用于初始化的驅(qū)動(dòng)布線530，并且用于初始化的驅(qū)動(dòng)布線530連接到用于初始化的驅(qū)動(dòng)電路單元550。用于初始化的驅(qū)動(dòng)布線530公共地連接到行方向上的多個(gè)像素110的TFT520的第三柵極電極524，并且在列方向上被布置有多個(gè)(m根)。用于初始化的驅(qū)動(dòng)電路單元550經(jīng)由用于初始化的驅(qū)動(dòng)布線530將允許第三溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第三導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一柵極電極524。同時(shí)第四柵極電極525連接到第二驅(qū)動(dòng)布線141。第三柵極電極524的寬度被形成為比第四柵極電極525的寬度窄。因此，第三溝道區(qū)的溝道長度比第四溝道區(qū)的溝道長度短。因此，第三柵極電極524的電容比第四柵極電極525的電容小，并且用于初始化的驅(qū)動(dòng)布線540的電容比第二驅(qū)動(dòng)布線142的電容小。因此，在其中由選擇單元174選擇第二連接的拍攝模式中，用于初始化的TFT520的可高速操作性進(jìn)一步提聞。設(shè)置多個(gè)第三柵極電極524 (在本示例性實(shí)施例中為兩個(gè))，因此設(shè)置多個(gè)第三溝道區(qū)(在本示例性實(shí)施例中為兩個(gè)地方)。根據(jù)該配置，與包括一個(gè)第三溝道區(qū)的配置相比，施加到多個(gè)第三溝道區(qū)之一的電壓被抑制并且漏電流可以被減少。因此，在其中由選擇單元174選擇第二連接的拍攝模式中，用于初始化的TFT 520的漏電流被進(jìn)一步減少并且S/N比進(jìn)一步提高。隨著用于初始化的電壓與在其讀取時(shí)的轉(zhuǎn)換元件的電壓之間的差增大，漏電流的減少的效果變得更高。
接下來，參考圖6的時(shí)序圖描述圖5A和圖5B中示出的檢測設(shè)備的操作。描述了第一導(dǎo)通電壓、第二導(dǎo)通電壓和第三導(dǎo)通電壓具有相同的導(dǎo)通電壓值Von和相同的非導(dǎo)通電壓值Voff。首先，在選擇透視拍攝模式(運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式)時(shí)，控制單元175將控制信號(hào)供應(yīng)給選擇單元174以使得選擇單元174的開關(guān)173選擇第二連接。因此，選擇單元174的開關(guān)173選擇第二連接并且開始將第二導(dǎo)通電壓從第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172供應(yīng)到第二驅(qū)
動(dòng)布線142。然后，每個(gè)第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2、Vg22.....Vgm2變?yōu)榈诙?dǎo)通電壓
Von，并且每個(gè)TFT 130的第二溝道區(qū)和每個(gè)TFT540的第四溝道區(qū)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。上述是第一處理。接下來，用放射線照射檢測設(shè)備持續(xù)預(yù)定的時(shí)段。與根據(jù)照射每個(gè)像素的放射線產(chǎn)生的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)被蓄積。因此，首先將第一導(dǎo)通電壓Von從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171供應(yīng)到第一行的第一驅(qū)動(dòng)布線141。因此，第一行的第一驅(qū)動(dòng)布線141的電位Vgll變?yōu)榈谝粚?dǎo)通電壓Von。第一行的TFT 130的第一溝道區(qū)以行為單元變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。接下來，將第二導(dǎo)通電壓Von從用于初始化的驅(qū)動(dòng)電路單元550供應(yīng)到第一行的第三驅(qū)動(dòng)布線530。因此，第一行的第三驅(qū)動(dòng)布線530的電位Vgl3變?yōu)榈谌龑?dǎo)通電壓Von。第一行的TFT520的第三溝道區(qū)以行為單位地變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，并且轉(zhuǎn)換元件120由TFT 520初始化。在第二行到第m行中執(zhí)行相同的操作。因此，在像素110中蓄積的電信號(hào)作為并行的電信號(hào)從以行為單位的像素110經(jīng)由信號(hào)布線150以行為單位地順序地輸出到讀取電路單元180。上述是第二處理。在第二處理中，根據(jù)本示例性實(shí)施例，在透視拍攝模式(運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式)期間維持第二導(dǎo)通電壓從第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元172到第二驅(qū)動(dòng)布線142的供應(yīng)。在透視拍攝模式(運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式)中，第二處理被重復(fù)地執(zhí)行若干次。 接下來，在選擇一般拍攝模式(靜態(tài)圖像拍攝模式)時(shí)，控制單元175將控制信號(hào)供應(yīng)給選擇單元174以使得選擇單元174的開關(guān)173選擇第一連接。因此，選擇單元174的
開關(guān)173選擇第一連接。然后，每個(gè)第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2、Vg22.....Vgm2變?yōu)?br>
從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171供應(yīng)的非導(dǎo)通電壓Voff，并且每個(gè)TFT 130的第二溝道區(qū)和每個(gè)TFT 520的第四溝道區(qū)變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。上述是第三處理。
然后，用放射線照射檢測設(shè)備持續(xù)預(yù)定的時(shí)段。與根據(jù)照射每個(gè)像素的放射線產(chǎn)生的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)被蓄積。因此，第一導(dǎo)通電壓Von被從第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元171順序地供應(yīng)到第一驅(qū)動(dòng)布線141和第二驅(qū)動(dòng)布線142的每一組。因此，第一行的第一驅(qū)動(dòng)布線141的電位Vgl I和第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2變?yōu)榈谝粚?dǎo)通電壓Von，并且第一行的TFT 130的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)兩者變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，蓄積在第一行的像素110中的電信號(hào)作為并行的電信號(hào)經(jīng)由信號(hào)布線150輸出到讀取電路單元180。在這時(shí)候，TFT540的第四溝道區(qū)也變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。接下來，在第一行的第一驅(qū)動(dòng)布線141的電位Vgll和第二驅(qū)動(dòng)布線142的電位Vgl2為第一導(dǎo)通電壓Von期間，將第二導(dǎo)通電壓Von從用于初始化的驅(qū)動(dòng)電路單元550供應(yīng)到第一行的第三驅(qū)動(dòng)布線530。因此，第一行的第三驅(qū)動(dòng)布線530的電位Vgl3變?yōu)榈谌龑?dǎo)通電壓Von。第一行的TFT 520的第三溝道區(qū)也以行為單位地變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，并且轉(zhuǎn)換元件120由TFT 520初始化。在第二行和第三行中以行為單位地順序地執(zhí)行該操作，并且輸出整個(gè)像素陣列的電信號(hào)。上述是第四處理。根據(jù)本示例性實(shí)施例，具有頂柵結(jié)構(gòu)的多晶硅TFT被用作用于初始化的TFT 520。然而，非晶硅TFT、使用氧化物半導(dǎo)體的氧化物TFT以及使用有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)TFT以及其 它等效結(jié)構(gòu)也可以被使用。在任何情況下，期望的是該配置將與TFT 130相同。接下來，參考圖7描述使用根據(jù)上述實(shí)施例中的任何一個(gè)的檢測設(shè)備的放射線檢測系統(tǒng)。在圖7中，在用作放射源的X射線管6050中產(chǎn)生的X射線6060穿透作為病人的被檢體6061的身體部分6062，并且入射在包括在放射線檢測設(shè)備6040內(nèi)的轉(zhuǎn)換單元的每個(gè)轉(zhuǎn)換元件上。入射的X射線包括病人6061的身體內(nèi)的信息。在轉(zhuǎn)換單元3處將放射線轉(zhuǎn)換為與入射的X射線對(duì)應(yīng)的電荷，并且獲得電學(xué)信息。信息被轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)并且經(jīng)受通過用作信號(hào)處理單元的圖像處理器6070 (例如，編程的計(jì)算機(jī))的圖像處理?？梢栽谟米骺刂剖抑械娘@示單元的顯示器6080處觀察信息。此外，信息可以經(jīng)由傳輸網(wǎng)絡(luò)(諸如電話線)6090由傳輸處理單元傳輸?shù)竭h(yuǎn)程位置。信息可以被顯示在用作遠(yuǎn)程顯示單元的顯示器6081上，或者可以被存儲(chǔ)在另一個(gè)地方的醫(yī)生室中的記錄單元(諸如光盤)中。另外，該遙遠(yuǎn)地方的醫(yī)生可以診斷。信息可以由用作記錄單元的膠片處理器6100記錄在作為記錄介質(zhì)的膠片6110中。雖然上面描述的示例性實(shí)施例將使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`下面列出的權(quán)利要求中的任何和全部，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的范圍不限于公開的示例性實(shí)施例。以下權(quán)利要求的范圍將被給予最寬的解釋從而包括所有的修改、等效結(jié)構(gòu)與功能。
權(quán)利要求
1.一種檢測設(shè)備，包括 轉(zhuǎn)換元件，被配置為將放射線或者光轉(zhuǎn)換成電荷； 晶體管，被配置為根據(jù)電荷將電信號(hào)輸出給信號(hào)布線，所述晶體管包括與轉(zhuǎn)換元件連接的第一區(qū)域、與信號(hào)布線連接的第二區(qū)域、布置在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第一溝道區(qū)、布置在第一區(qū)域與第一溝道區(qū)之間的第二溝道區(qū)、與第一溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第一柵極電極以及與第二溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第二柵極電極； 與第一柵極電極連接的第一驅(qū)動(dòng)布線； 與第二柵極電極連接的第二驅(qū)動(dòng)布線； 第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元，被配置為將允許第一溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一驅(qū)動(dòng)布線； 第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元，被配置為將允許第二溝道區(qū)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第二驅(qū)動(dòng)布線；以及 選擇單元，被配置為選擇在第二驅(qū)動(dòng)布線與第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元之間的第一連接以及在第二驅(qū)動(dòng)布線與第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元之間的第二連接中的任何一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測設(shè)備，還包括被配置為控制選擇單元的控制單元， 其中控制單元控制選擇單元以便在多個(gè)拍攝模式之中的第一拍攝模式中選擇第二連接并且在多個(gè)拍攝模式之中的第二拍攝模式中選擇第一連接，以及 其中，晶體管的操作速度在第二拍攝模式中比在第一拍攝模式中高。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測設(shè)備，其中，在第二拍攝模式中，第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元在其中由第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元將第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第二柵極電極的狀態(tài)中將第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一柵極電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測設(shè)備，其中第一柵極電極的寬度比第二柵極電極的寬度窄，并且第一溝道區(qū)的長度比第二溝道區(qū)的長度短。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測設(shè)備，其中多個(gè)第二柵極電極被設(shè)置，并且多個(gè)第二溝道區(qū)被設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測設(shè)備， 其中多個(gè)像素被布置在襯底上并且排列成行和列的矩陣，所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包括轉(zhuǎn)換元件和晶體管， 轉(zhuǎn)換元件被布置在襯底上， 晶體管是被布置在襯底和轉(zhuǎn)換元件之間的薄膜晶體管，以及 薄膜晶體管包括包含第一溝道區(qū)、第二溝道區(qū)、第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體層，并且半導(dǎo)體層是多晶的半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測設(shè)備， 其中像素還包括與用于使轉(zhuǎn)換元件初始化的電源布線連接的用于初始化的薄膜晶體管， 用于初始化的薄膜晶體管包括包含布置在與轉(zhuǎn)換元件連接的第三區(qū)域和與電源布線連接的第四區(qū)域之間的第三溝道區(qū)和布置在第三區(qū)域和第三溝道區(qū)之間的第四溝道區(qū)的半導(dǎo)體層、與第三溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的第三柵極電極、以及與第四溝道區(qū)對(duì)應(yīng)地設(shè)置的第四柵極電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測設(shè)備，其中第三柵極電極的寬度比第四柵極電極的寬度窄。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測設(shè)備，其中多個(gè)第三柵極電極被設(shè)置，并且多個(gè)第三溝道區(qū)被設(shè)置。
10.一種檢測系統(tǒng)，包括 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測設(shè)備； 信號(hào)處理單元，被配置為處理來自檢測設(shè)備的信號(hào)； 記錄單元，被配置為記錄來自信號(hào)處理單元的信號(hào)； 顯示單元，被配置為顯示來自信號(hào)處理單元的信號(hào)；以及 傳輸處理單元，被配置為傳輸來自信號(hào)處理單元的信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明涉及放射線檢測設(shè)備和包括該放射線檢測設(shè)備的檢測系統(tǒng)。一種檢測設(shè)備包括轉(zhuǎn)換元件；晶體管，包括半導(dǎo)體層、第一柵極電極以及第二柵極電極，該半導(dǎo)體層包括第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；與第一柵極電極連接的第一驅(qū)動(dòng)布線；與第二柵極電極連接的第二驅(qū)動(dòng)布線；第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元，將第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一驅(qū)動(dòng)布線；第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元，將第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第二驅(qū)動(dòng)布線；以及選擇單元，選擇在第二驅(qū)動(dòng)布線與第一導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元之間的第一連接以及在第二驅(qū)動(dòng)布線與第二導(dǎo)通電壓供應(yīng)單元之間的第二連接中的任何一個(gè)。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103006245SQ20121034710
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者渡邊實(shí), 望月千織, 橫山啟吾, 大藤將人, 川鍋潤, 藤吉健太郎, 和山弘 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社