半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝件制法，包括切割一基材以形成多個(gè)中介板，再分別置放各該中介板于一承載件的多個(gè)開口上，且任二該開口之間具有間距，待形成第一封裝膠體以包覆該些中介板后，再移除該承載件，之后再結(jié)合至少一半導(dǎo)體組件于該中介板上。借由先切割該基材，以選擇良好的中介板重新排設(shè)，可避免于封裝后半導(dǎo)體組件與不良的中介板一并報(bào)廢。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種具硅穿孔的半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)行的覆晶技術(shù)因具有縮小芯片封裝面積及縮短信號(hào)傳輸路徑等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域，例如，芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package, CSP)、芯片直接貼附封裝(Direct Chip Attached, DCA)以及多芯片模塊封裝(Multi — Chip Module, MCM)等型態(tài)的封裝模塊，均可利用覆晶技術(shù)而達(dá)到封裝的目的。
[0003]于覆晶封裝工藝中，因芯片與封裝基板的熱膨脹系數(shù)的差異甚大，所以芯片外圍的凸塊無法與封裝基板上對(duì)應(yīng)的接點(diǎn)形成良好的接合，使得凸塊易自封裝基板上剝離。另一方面，隨著集成電路的積集度的增加，因芯片與封裝基板之間的熱膨脹系數(shù)不匹配(mismatch),其所產(chǎn)生的熱應(yīng)力(thermal stress)與翅曲(warpage)的現(xiàn)象也日漸嚴(yán)重，其結(jié)果將導(dǎo)致芯片與封裝基板之間的可靠度(reliability)下降，并造成信賴性測(cè)試失敗。
[0004]為了解決上述問題，遂發(fā)展出以半導(dǎo)體基材作為中介結(jié)構(gòu)的工藝，通過于一封裝基板與一半導(dǎo)體芯片之間增設(shè)一娃中介板(Silicon interposer)。因該娃中介板與該半導(dǎo)體芯片的材質(zhì)接近，所以可有效避免熱膨脹系數(shù)不匹配所產(chǎn)生的問題。
[0005]圖1A至圖1C為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法。
[0006]如圖1A所示，于一整片娃中介板10中形成多個(gè)導(dǎo)電娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 100，再于該硅中介板10的上側(cè)形成線路重布結(jié)構(gòu)(圖略)，以將半導(dǎo)體芯片11接置于該硅中介板10的上側(cè)，且借由導(dǎo)電凸塊110電性連接該導(dǎo)電硅穿孔100。
[0007]如圖1B所示，形成封裝膠體12于該硅中介板10上以包覆該半導(dǎo)體芯片11，以形成多個(gè)封裝體la。
[0008]如圖1C所示,于該娃中介板10的下側(cè)依需求形成線路重布結(jié)構(gòu)(Redistributionlayer，RDL)13，再進(jìn)行切單工藝，以將單一封裝體Ia借由多個(gè)導(dǎo)電凸塊14接置且電性連接于該封裝基板15。
[0009]然而，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法中，該硅中介板10形成該導(dǎo)電硅穿孔100的制作成本極高，且該硅中介板10的每一硅中介板單元10’因工藝良率之故，往往存在有良好者與不良者。所以當(dāng)半導(dǎo)體晶圓切割成半導(dǎo)體芯片11 (該半導(dǎo)體芯片11的制造成本也高)后，再經(jīng)電性量測(cè)后，可選擇好的半導(dǎo)體芯片11接置于該硅中介板10上所對(duì)應(yīng)的硅中介板單元10’上。因此，好的半導(dǎo)體芯片11可能會(huì)接置于不良的硅中介板單元10’上，導(dǎo)致于后續(xù)測(cè)試封裝體Ia后，需將好的半導(dǎo)體芯片11與供其接置的不良硅中介板單元10’ 一并報(bào)廢，而令制造該娃中介板10模塊的成本無法降低。
[0010]此外，若于形成該封裝膠體12之前即已發(fā)現(xiàn)不良的硅中介板單元10’，而不放置好的半導(dǎo)體芯片11于不良的硅中介板單元10’上，則該硅中介板10上將出現(xiàn)空位，致將無法控制該封裝膠體12的膠量，且因空位的位置并非可預(yù)期，將無法借由程控該封裝膠體12的流動(dòng)路徑，也就是該封裝膠體12的流動(dòng)路徑不一致，遂令無法均勻覆蓋該半導(dǎo)體芯片11。
[0011]另外，將半導(dǎo)體芯片11置放于未經(jīng)切割的一整片硅中介板10上，該半導(dǎo)體芯片11的尺寸面積會(huì)受到限制，也就是該半導(dǎo)體芯片11的尺寸面積需小于該硅中介板單元10’的尺寸面積，所以該半導(dǎo)體芯片11的電極(即結(jié)合導(dǎo)電凸塊110處)的數(shù)量無法增加，導(dǎo)致該硅中介板單元10’的模塊功能及效率等受到限制。
[0012]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)，可避免于封裝后半導(dǎo)體組件與不良的中介板一并報(bào)廢。
[0014]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件包括:第一封裝膠體；中介板，其嵌埋于該第一封裝膠體中，且該中介板具有相對(duì)的第一表面與第二表面及連接該第一與第二表面的側(cè)面，并具有連通該第一與第二表面的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔具有相對(duì)的第一端面與第二端面，令該導(dǎo)電穿孔的第一端面對(duì)應(yīng)該第一表面，且令該中介板的側(cè)面上覆蓋有該第一封裝膠體；以及至少一半導(dǎo)體組件，其設(shè)于該中介板的第一表面的上并電性連接該中介板。
[0015]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括:提供一具有相對(duì)的第一表面與第二表面的基材，該基材中具有連通該第一表面的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔具有相對(duì)的第一端面與第二端面，令該導(dǎo)電穿孔的第一端面對(duì)應(yīng)該第一表面；切割該基材以形成多個(gè)中介板，各該中介板具有連接該第一與第二表面的側(cè)面；將各該中介板以其第一表面置于一承載件上，且該承載件具有多個(gè)開口，以令各該中介板分別對(duì)應(yīng)置于各該開口中，又任二該開口之間具有間距；形成第一封裝膠體于該承載件上，以令該第一封裝膠體形成于該中介板的側(cè)面上并包覆該些中介板；移除該承載件；以及結(jié)合至少一半導(dǎo)體組件于該中介板的第一表面之上，且電性連接該中介板。
[0016]前述的制法中，該中介板的第一表面上具有多個(gè)導(dǎo)電組件，以令該導(dǎo)電組件位于該開口中，且該些導(dǎo)電組件電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面。于移除該承載件后，該半導(dǎo)體組件結(jié)合于該些導(dǎo)電組件上，且電性連接該些導(dǎo)電組件。
[0017]前述的制法中，還包括形成粘著材料于該承載件的開口中，以將該中介板結(jié)合至該承載件。
[0018]前述的制法中，還包括于接置該半導(dǎo)體組件于該中介板的工藝后，進(jìn)行切割工藝，以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。
[0019]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該中介板的第一表面上具有線路重布結(jié)構(gòu)，以電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面，且該半導(dǎo)體組件結(jié)合至該線路重布結(jié)構(gòu)并電性連接該線路重布結(jié)構(gòu)。
[0020]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，還包括當(dāng)移除該承載件之前或之后，形成線路重布結(jié)構(gòu)于該中介板的第二表面上，且該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
[0021]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該半導(dǎo)體組件與該中介板的導(dǎo)電穿孔的第一端面借由多個(gè)導(dǎo)電組件作電性連接。[0022]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，于移除該承載件后，該些導(dǎo)電組件凸出該第一封裝膠體的表面。
[0023]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，還包括形成第二封裝膠體于該第一封裝膠體上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
[0024]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，還包括移除該第二封裝膠體的部分材質(zhì)，以外露該半導(dǎo)體組件未接置該中介板的一側(cè)。
[0025]另外，前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，還包括移除該中介板的第二表面的部分材質(zhì)，以外露該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
[0026]本發(fā)明還提供一種中介板結(jié)構(gòu)，其包括:封裝膠體；以及中介板，其嵌埋于該封裝膠體中，且該中介板具有相對(duì)的第一表面與第二表面及連接該第一與第二表面的側(cè)面，并具有連通該第一與第二表面的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔具有相對(duì)的第一端面與第二端面，令該導(dǎo)電穿孔的第一端面對(duì)應(yīng)該第一表面，且令該中介板的側(cè)面上覆蓋有該封裝膠體。
[0027]前述的中介板結(jié)構(gòu)中，該中介板的第一表面與該封裝膠體的表面齊平。
[0028]前述的中介板結(jié)構(gòu)中，該封裝膠體覆蓋該中介板的第二表面與該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
[0029]前述的中介板結(jié)構(gòu)中，該中介板的第二表面與該導(dǎo)電穿孔的第二端面外露于該封裝膠體。
[0030]前述的中介板結(jié)構(gòu)中，該中介板的第二表面、該導(dǎo)電穿孔的第二端面與該封裝膠體的表面齊平。
[0031]前述的中介板結(jié)構(gòu)中，還包括線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該中介板的第一表面上，且電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面。也包括導(dǎo)電組件，其形成于該線路重布結(jié)構(gòu)上并凸出該封裝膠體的表面。此外，該線路重布結(jié)構(gòu)的位置與該封裝膠體的表面位置齊高。
[0032]前述的中介板結(jié)構(gòu)中，還包括導(dǎo)電組件，其形成于該中介板的第一表面上并凸出該封裝膠體的表面。
[0033]另外，前述的中介板結(jié)構(gòu)中，還包括線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該中介板的第二表面上，且電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
[0034]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)，借由先切割該基材，以選擇良好的中介板重新排設(shè)于該承載件的開口上，再將好的半導(dǎo)體組件接置于良好的中介板，以避免現(xiàn)有技術(shù)的一并報(bào)廢的問題，所以可降低該中介板的生產(chǎn)成本。
[0035]此外，于該承載件的各該開口上重新排設(shè)該些中介板，可令該些中介板之間的間距大于該基材上的中介板的間距，所以可接置尺寸面積大于中介板的半導(dǎo)體組件于重新排設(shè)的該些中介板上，也就是半導(dǎo)體組件的尺寸面積不致受限。因此，該半導(dǎo)體組件的電極的數(shù)量能依需求增加，以提升該中介板的模塊功能及效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1A至圖1C為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視示意圖；
[0037]圖2A至圖2H為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第一實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖2A’為圖2A的上視圖；
[0038]圖3A至圖3C為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第二實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖3A’至圖3B’為圖3A至圖3B的另一方式；以及
[0039]圖4A至圖4C為本發(fā)明的中介板結(jié)構(gòu)的不同實(shí)施例的剖視示意圖。
[0040]主要組件符號(hào)說明
[0041]1，2，2’半導(dǎo)體封裝件
[0042]la, 2a封裝體
[0043]10硅中介板
[0044]10’硅中介板單元
[0045]100導(dǎo)電硅穿孔
[0046]11半導(dǎo)體芯片
[0047]110,14導(dǎo)電凸塊`
[0048]12,42,42’封裝膠體
[0049]13，201，24，401，44線路重布結(jié)構(gòu)
[0050]15封裝基板
[0051]20基材
[0052]2O’，40中介板
[0053]20a, 40a第一表面
[0054]20b, 20b’，40b第二表面
[0055]20c, 40c側(cè)面
[0056]200,400導(dǎo)電穿孔
[0057]200a, 400a第一端面
[0058]200b, 400b第二端面
[0059]202, 25, 402導(dǎo)電組件
[0060]21半導(dǎo)體組件
[0061]21a主動(dòng)面
[0062]21b非主動(dòng)面
[0063]22第一封裝膠體
[0064]23第二封裝膠體
[0065]3承載件
[0066]30開口
[0067]31粘著材料
[0068]4，4’，4”中介板結(jié)構(gòu)
[0069]D間距
[0070]S，L切割路徑
[0071]t寬度。
【具體實(shí)施方式】
[0072]以下借由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0073]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0074]圖2A至圖2H為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的制法的第一實(shí)施例的剖面示意圖。
[0075]如圖2A及圖2A’所不,提供一具有相對(duì)的第一表面20a與第二表面20b的基材20,該基材20中具有連通該第一表面20a的多個(gè)導(dǎo)電穿孔200，該導(dǎo)電穿孔200具有相對(duì)的第一端面200a與第二端面200b,令該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a外露于該基材20的第一表面20a。
[0076]于本實(shí)施例中，該基材20為晶圓或其它含娃的板材，且于該基材20的第一表面20a上可依需求形成線路重布結(jié)構(gòu)(RDU201，以電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a。
[0077]此外，該線路重布結(jié)構(gòu)201上具有多個(gè)導(dǎo)電組件202，且該些導(dǎo)電組件202可直接或借由該線路重布結(jié)構(gòu)201電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a。
[0078]另外，該導(dǎo)電組件202為表面具有焊錫材料的金屬凸塊，如銅凸塊。
[0079]如圖2B所示，沿切割路徑S (如圖2A及圖2A’所示)切割該基材20，以形成多個(gè)中介板20’，使各該中介板20’具有連接該第一與第二表面20a，20b的側(cè)面20c。
[0080]接著,將各該中介板20’以其該第一表面20a置放于一承載件3的開口 30上,該承載件3具有多個(gè)開口 30，且任二該開口 30之間具有間距D。
[0081]于本實(shí)施例中，該間距D大于該切割路徑S的寬度t。
[0082]此外，該些導(dǎo)電組件202位于該開口 30中，且借由形成粘著材料31于該承載件3的開口 30中，以結(jié)合該中介板20’，并使該些導(dǎo)電組件202嵌入該粘著材料31中，以固定該中介板20’。
[0083]再者，有關(guān)中介板與承載件的結(jié)合方式繁多，并不限于上述。
[0084]另外，該導(dǎo)電組件202為凸塊或柱體，但并無特別限制。
[0085]如圖2C所示，形成第一封裝膠體22于該承載件3上，以形成封裝體2a，該第一封裝膠體22覆蓋該中介板20’的側(cè)面20c并包覆該些中介板20’。
[0086]如圖2D所示，移除該承載件3，以令該些導(dǎo)電組件202凸出該第一封裝膠體22的表面。
[0087]如圖2E所示，結(jié)合一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體組件21于各該中介板20’的第一表面20a上方。
[0088]于本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體組件21為芯片，且具有相對(duì)的主動(dòng)面21a與非主動(dòng)面21b，而該半導(dǎo)體組件21以其主動(dòng)面21a接置于該些導(dǎo)電組件202上，使該半導(dǎo)體組件21借由該些導(dǎo)電組件202電性連接該中介板20’的線路重布結(jié)構(gòu)201 (或?qū)щ姶┛?00的第一端面 200a)。
[0089]于另一實(shí)施例中，所述的導(dǎo)電組件202也可設(shè)于該半導(dǎo)體組件21上，而不先設(shè)于該線路重布結(jié)構(gòu)201上，當(dāng)移除該承載件3之后，再將該半導(dǎo)體組件21借由導(dǎo)電組件202設(shè)于該中介板20’的第一表面20a上方。[0090]另外，該半導(dǎo)體組件21亦可以其主動(dòng)面21a直接接置于該中介板20’的第一表面20a上或該線路重布結(jié)構(gòu)201上，而不需形成該導(dǎo)電組件202。
[0091]如圖2F所示，形成第二封裝膠體23于該第一封裝膠體22上，以包覆該半導(dǎo)體組件21與該些導(dǎo)電組件202上。
[0092]于本實(shí)施例中，借由研磨方式，移除該第二封裝膠體23上側(cè)的部分材質(zhì)，使該半導(dǎo)體組件21的非主動(dòng)面21b與該第二封裝膠體23上側(cè)表面齊平，以外露該半導(dǎo)體組件21的非主動(dòng)面21b。
[0093]此外，移除該第二封裝膠體23上側(cè)的部分材質(zhì)可視需求而進(jìn)行，并無特別限制。
[0094]另外，該半導(dǎo)體組件21的非主動(dòng)面21b外露于該第二封裝膠體23上側(cè)，可供散熱之用。
[0095]如圖2G所示，移除該中介板20’的第二表面20b與該第一封裝膠體22下側(cè)的部分材質(zhì)，使該中介板20’的第二表面20b’、該第一封裝膠體22下側(cè)表面與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b齊平，以外露該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b。
[0096]此外，移除該中介板20’的第二表面20b與該第一封裝膠體22下側(cè)的部分材質(zhì)，均可視需求而進(jìn)行，并無特別限制。
[0097]如圖2H所示，形成線路重布結(jié)構(gòu)(RDL) 24于該第一封裝膠體22下側(cè)與該中介板20’的第二表面20b’上，且該線路重布結(jié)構(gòu)24電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b。
[0098]接著，可形成如焊球的導(dǎo)電組件25于該線路重布結(jié)構(gòu)24上，以于切割工藝后，接置如封裝基板(圖略)或電路板(圖略)的電子裝置(圖略)。
[0099]之后，沿切割路徑L (如圖2H所示)，即對(duì)應(yīng)該間距D處，進(jìn)行切割工藝，以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件2。
[0100]于本實(shí)施例中，該線路重布結(jié)構(gòu)24的態(tài)樣繁多，可依需求制作，所以不詳述。
[0101]此外，切割路徑也可依需求而定，并不限于上述。
[0102]圖3A及圖3C為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2’的制法的第二實(shí)施例中。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于未形成該第二封裝膠體23，其它工藝大致相同，所以不再贅述。
[0103]如圖3A所示，其為接續(xù)圖2D所示的工藝，可依需求以保護(hù)膜(圖略)覆蓋該些導(dǎo)電組件202，且借由研磨方式移除該中介板20’的第二表面20b與該第一封裝膠體22的部分材質(zhì)，以外露該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b,使該中介板20’的第二表面20b’、該第一封裝膠體22下側(cè)表面與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b齊平。
[0104]如圖3B所示，形成該線路重布結(jié)構(gòu)(RDL)24，再移除該保護(hù)膜，以結(jié)合該半導(dǎo)體組件21。
[0105]如圖3C所示，形成該導(dǎo)電組件25，且進(jìn)行切割工藝。
[0106]于另一方式中，其為接續(xù)圖2C所示的工藝。如圖3A’所示，先移除該中介板20’的第二表面20b與該第一封裝膠體22的部分材質(zhì)，再形成該線路重布結(jié)構(gòu)(RDL)24與該些導(dǎo)電組件25。接著，如圖3B’所示，移除該該承載件3，再結(jié)合該半導(dǎo)體組件21。之后，進(jìn)行切割工藝，以形成如圖3C所示的結(jié)構(gòu)。
[0107]本發(fā)明的制法乃借由先切割該基材20，選擇良好的中介板20’重新排設(shè)，再將好的半導(dǎo)體組件21接置于良好的中介板20’，以避免現(xiàn)有技術(shù)的一并報(bào)廢的問題，并能降低半導(dǎo)體封裝件2的制造成本。[0108]此外，借由該承載件3的開口 30重新排設(shè)該些中介板20’，不僅利于對(duì)位，且因該些中介板20’之間的間距D大于該基材20上的中介板20’的間距(即該切割路徑S的寬度t，且該寬度t極小)，而使該半導(dǎo)體組件21的尺寸面積較不受限，也就是該半導(dǎo)體組件21的尺寸面積可大于該中介板20’的尺寸面積。因此，該半導(dǎo)體組件21的電極(即結(jié)合導(dǎo)電組件202處)的數(shù)量能依需求增加，以提升該中介板20’的模塊功能及效率。
[0109]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件2，2’，其包括:第一封裝膠體22、嵌埋于該第一封裝膠體22中的一中介板20’、以及設(shè)于該第一封裝膠體22上的一半導(dǎo)體組件21。
[0110]所述的中介板20’具有相對(duì)的第一表面20a與第二表面20b’及連接該第一與第二表面20a，20b’的側(cè)面20c，該中介板20’中并具有連通該第一與第二表面20a，20b’的多個(gè)導(dǎo)電穿孔200，該導(dǎo)電穿孔200具有相對(duì)的第一端面200a與第二端面200b，令該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a外露于該第一表面20a,且令該中介板20’的側(cè)面20c上覆蓋有該第一封裝膠體22。
[0111]所述的半導(dǎo)體組件21具有相對(duì)的主動(dòng)面21a與非主動(dòng)面21b，并以其主動(dòng)面21a設(shè)置并電性連接于該中介板20’的第一表面20a。
[0112]所述的半導(dǎo)體封裝件2還包括第二封裝膠體23，形成于該第一封裝膠體22上，以包覆該半導(dǎo)體組件21，且該半導(dǎo)體組件21的非主動(dòng)面21b外露于該第二封裝膠體23。
[0113]所述的半導(dǎo)體封裝件2，2’還包括線路重布結(jié)構(gòu)24，形成于該第一封裝膠體22與中介板20’的第二表面20b’上，且該線路重布結(jié)構(gòu)24電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第二端面 200b。
[0114]所述的半導(dǎo)體封裝件2，2’還包括線路重布結(jié)構(gòu)201，形成于該半導(dǎo)體組件21與中介板20’的第一表面20a之間，且該線路重布結(jié)構(gòu)201電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第一端面 200a。
[0115]于一實(shí)施例中，該中介板20’的第一表面20a借由多個(gè)導(dǎo)電組件202電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a與該半導(dǎo)體組件21的主動(dòng)面21a，且該些導(dǎo)電組件202凸出該第一封裝膠體22的表面。
[0116]于一實(shí)施例中，該中介板20’的第二表面20b’與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b
外露于該第一封裝膠體22。
[0117]圖4A至圖4C為本發(fā)明的中介板結(jié)構(gòu)4，4 ’，4 ”，其包括封裝膠體42，42 ’、以及嵌埋于該封裝膠體42，42’中的一中介板40。
[0118]所述的中介板40具有相對(duì)的第一表面40a與第二表面40b及連接該第一與第二表面40a，40b的側(cè)面40c，該中介板40中并具有連通該第一與第二表面40a，40b的多個(gè)導(dǎo)電穿孔400，該導(dǎo)電穿孔400具有相對(duì)的第一端面400a與第二端面400b，令該導(dǎo)電穿孔400的第一端面400a外露于該第一表面40a。
[0119]所述的封裝膠體42，42’覆蓋該中介板40的側(cè)面40c。
[0120]所述的中介板結(jié)構(gòu)4，4’，4”還包括一線路重布結(jié)構(gòu)401，形成于該中介板40的第一表面40a上,且電性連接該導(dǎo)電穿孔400的第一端面400a。
[0121]所述的中介板結(jié)構(gòu)4，4’，4”還包括導(dǎo)電組件402，形成于該中介板40的第一表面40a上并凸出該封裝膠體42，42’的表面。于本實(shí)施例中，該些導(dǎo)電組件402形成于該線路重布結(jié)構(gòu)401上。[0122]于本實(shí)施例中，該線路重布結(jié)構(gòu)401的位置與該封裝膠體42的表面位置齊高，如圖4A所不。于另一實(shí)施例中，若該中介板40的第一表面40a上未形成有該線路重布結(jié)構(gòu)401，則該中介板40的第一表面40a與該封裝膠體42的表面齊平。另外，如圖4B及圖4C所示，該封裝膠體42’也可覆蓋該線路重布結(jié)構(gòu)401 (或該中介板40的第一表面40a與該導(dǎo)電穿孔400的第一端面400a)。
[0123]于一實(shí)施例中，如圖4A所示，該封裝膠體42覆蓋該中介板40的第二表面40b與該導(dǎo)電穿孔400的第二端面400b。
[0124]于一實(shí)施例中，如圖4B所示，該中介板40的第二表面40b與該導(dǎo)電穿孔400的第二端面400b外露于該封裝膠體42’，例如，該中介板40的第二表面40b、該導(dǎo)電穿孔400的第二端面400b與該封裝膠體42’的下表面齊平。因此，如圖4C所示，該中介板結(jié)構(gòu)4”還包括另一線路重布結(jié)構(gòu)44，其形成于該中介板40的第二表面40b與該封裝膠體42’上，且電性連接該導(dǎo)電穿孔400的第二端面400b。
[0125]另外，有關(guān)該中介板結(jié)構(gòu)4，4’，4”的材質(zhì)或構(gòu)成可參考上述圖2A至圖2H的說明，于此不再贅述。
[0126]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法與中介板結(jié)構(gòu)，主要借由先切割該基材，以選擇良好的中介板重新排設(shè)于該承載件的開口上，再將好的半導(dǎo)體組件接置于良好的中介板，以避免好的半導(dǎo)體組件接置于不良的中介板上，所以能避免于封裝后好的半導(dǎo)體組件需報(bào)廢的問題。
[0127]此外，于該承載件的開口上重新排設(shè)該些中介板，使該些中介板之間的間距大于未切割前該基材上的中介板的間距，所以能使用尺寸面積大于該中介板的半導(dǎo)體組件。因此，該半導(dǎo)體組件的電極的數(shù)量能依需求增加，以提升該中介板的模塊功能及效率。
[0128]上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，其包括: 第一封裝膠體； 中介板，其嵌埋于該第一封裝膠體中，且該中介板具有相對(duì)的第一表面與第二表面及連接該第一與第二表面的側(cè)面，并具有連通該第一與第二表面的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔具有相對(duì)的第一端面與第二端面，令該導(dǎo)電穿孔的第一端面對(duì)應(yīng)該第一表面，且令該中介板的側(cè)面上覆蓋有該第一封裝膠體；以及 至少一半導(dǎo)體組件，其設(shè)于該中介板的第一表面之上并電性連接該中介板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該中介板的第一表面與該半導(dǎo)體組件之間由多個(gè)導(dǎo)電組件作電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些導(dǎo)電組件凸出該第一封裝膠體的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括第二封裝膠體，其形成于該第一封裝膠體上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體組件未接置該中介板的一側(cè)外露于該第二封裝膠體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該中介板的第二表面與導(dǎo)電穿孔的第二端面外露于該第一封裝膠體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該中介板的第二表面上，且該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)`體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該半導(dǎo)體組件與中介板的第一表面之間，且該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該半導(dǎo)體組件與該導(dǎo)電穿孔的第一端面。
9.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括: 提供一具有相對(duì)的第一表面與第二表面的基材，該基材中具有連通該第一表面的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔具有相對(duì)的第一端面與第二端面，令該導(dǎo)電穿孔的第一端面對(duì)應(yīng)該第一表面； 切割該基材以形成多個(gè)中介板，各該中介板具有連接該第一與第二表面的側(cè)面； 將各該中介板以其第一表面置于一承載件上，且該承載件具有多個(gè)開口，以令各該中介板分別對(duì)應(yīng)置于各該開口中，又任二該開口之間具有間距； 形成第一封裝膠體于該承載件上，以令該第一封裝膠體形成于該中介板的側(cè)面上并包覆該些中介板； 移除該承載件；以及 結(jié)合至少一半導(dǎo)體組件于該中介板的第一表面之上，且電性連接該中介板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成粘著材料于該承載件的開口中，以將該中介板結(jié)合至該承載件。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該中介板的第一表面上具有線路重布結(jié)構(gòu)，以電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面，且該半導(dǎo)體組件結(jié)合至該線路重布結(jié)構(gòu)并電性連接該線路重布結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該中介板的第一表面上具有多個(gè)導(dǎo)電組件，以令該導(dǎo)電組件位于該開口中，且該些導(dǎo)電組件電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于移除該承載件后，該些導(dǎo)電組件凸出該第一封裝膠體的表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于移除該承載件后，該半導(dǎo)體組件結(jié)合于該些導(dǎo)電組件上，且電性連接該些導(dǎo)電組件。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體組件與該中介板的導(dǎo)電穿孔的第一端面借由多個(gè)導(dǎo)電組件作電性連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成第二封裝膠體于該第一封裝膠體上，以包覆該半導(dǎo)體組件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括移除該第二封裝膠體的部分材質(zhì)，以外露該半導(dǎo)體組件未接置該中介板的一側(cè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求9或16所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括移除該中介板的第二表面的部分材質(zhì)，以外露該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
19.根據(jù)權(quán)利要求9或16所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于移除該承載件之前或之后，形成線路重布結(jié)構(gòu)于該中介板的第二表面上，且該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
20.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于接置該半導(dǎo)體組件于該中介板的工藝后，進(jìn)行切割工藝，以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。
21.—種中介板 結(jié)構(gòu)，其包括: 封裝膠體；以及 中介板，其嵌埋于該封裝膠體中，且該中介板具有相對(duì)的第一表面與第二表面及連接該第一與第二表面的側(cè)面，并具有連通該第一與第二表面的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔具有相對(duì)的第一端面與第二端面，令該導(dǎo)電穿孔的第一端面對(duì)應(yīng)該第一表面，且令該中介板的側(cè)面上覆蓋有該封裝膠體。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu),其特征在于,該中介板的第一表面與該封裝膠體的表面齊平。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝膠體覆蓋該中介板的第二表面與該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu),其特征在于,該中介板的第二表面與該導(dǎo)電穿孔的第二端面外露于該封裝膠體。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該中介板的第二表面、該導(dǎo)電穿孔的第二端面與該封裝膠體的表面齊平。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該中介板結(jié)構(gòu)還包括線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該中介板的第一表面上，且電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該中介板結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電組件，其形成于該線路重布結(jié)構(gòu)上并凸出該封裝膠體的表面。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該線路重布結(jié)構(gòu)的位置與該封裝膠體的表面位置齊高。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該中介板結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電組件，其形成于該中介板的第一表面上并凸出該封裝膠體的表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的中介板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該中介板結(jié)構(gòu)還包括線路重布結(jié)構(gòu)，其形成 于該中介板的第二表面上，且電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
【文檔編號(hào)】H01L23/24GK103681528SQ201210356327
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月10日
【發(fā)明者】莊冠緯, 林畯棠, 廖怡茜, 賴顗喆 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司