專(zhuān)利名稱(chēng)：Oled陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)和oled陰極的增反結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種OLED的陽(yáng)極或陰極結(jié)構(gòu)，能夠應(yīng)用到頂發(fā)光或者底發(fā)光AMOLED結(jié)構(gòu)中。
背景技術(shù)：
相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)具有高對(duì)比度、廣視角、低功耗、更輕更薄等優(yōu)點(diǎn)，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(OLED)顯示器是一種主動(dòng)發(fā)光器件，其不僅可以用作構(gòu)成AMOLED顯示器的像素，也可以作為固態(tài)照明的光源。所以O(shè)LED性能的提高，尤其是效率的 提升直接影響到它的應(yīng)用。頂發(fā)光OLED采用IT0/A1/IT0做陽(yáng)極時(shí)，由于Al的厚度一般在10(T200nm之間，金屬Al反射率比Ag要小10%左右，且Al較薄時(shí)(如IOOnm)透光比較嚴(yán)重。因此，通常會(huì)用Ag來(lái)做陽(yáng)極，但是Ag會(huì)帶來(lái)比較嚴(yán)重的污染問(wèn)題和更高的成本。因此，若能夠在采用IT0/A1/IT0做陽(yáng)極時(shí)，特別是采用比較薄的Al (不僅僅局限于金屬Al)時(shí)，提高陽(yáng)極的反射率和減少透過(guò)率，有利于提高器件性能。同樣的，對(duì)于底發(fā)光OLED器件而言，提高Al陰極的反射率具有同樣的意義。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)和OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，以提升OLED的出光效率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a，所述反射金屬層的折射率為C，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足c〈b>a。在較佳的技術(shù)方案中，所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或ΑΖ0。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為d，所述反射金屬層的折射率為C，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足c〈b>d。在較佳的技術(shù)方案中，所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或ΑΖ0。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括
一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述功能層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a，所述功能層中最貼近所述增反層的一層材料的折射率為e，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足
a〈b>e。在較佳的技術(shù)方案中，所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述功能層中最貼近所述增反層的一層是空穴注入層，所述空穴注入層的材料是NPB、TPD、m-MTDATA中的一種；所述增反層的材料是IZO或者ΑΖ0。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜下方增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為山所述反射金 屬層的折射率為C，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足b〈d>c。在較佳的技術(shù)方案中，所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ΙΤΟ、ΙΖ0,AZO中的一種；所述增反層的材料是Al、Ag、Au、Cu中的一種；所述反射金屬層的材料是Al、Ag、Ca、Au、Cu中的一種。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陰極下方覆蓋有功能層與陽(yáng)極材料層，其特征在于在所述功能層與陰極之間添加了具有導(dǎo)電特性的增反層，而且所述功能層中最貼近所述增反層的一層材料的折射率為f，所述陰極的折射率為g，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足公式g〈b>f。在較佳的技術(shù)方案中，所述陰極的材料是Ag、Al、Au、Cu中的一種；所述增反層的材料是Ni、IT0、IZ0、AZ0、IGZ0中的一種；所述功能層中最貼近所述增反層的一層是電子注入層，所述電子注入層的材料是LiF、CsF, Liq、K、Mg、Ca中的一種。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陰極下方覆蓋有功能層與陽(yáng)極材料層，其特征在于在所述陰極的上方設(shè)置有具有導(dǎo)電特性的增反層，所述功能層中最貼近所述陰極的一層材料的折射率為f，所述陰極的折射率為g，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足公式
b<g>fο在較佳的技術(shù)方案中，所述陰極的材料是ΙΖΟ、ΙΤΟ, ΑΖ0、Al、Ni中的一種；所述增反層的材料是Ag、Au、Cu中的一種；所述功能層中最貼近所述陰極的一層是電子注入層，所述電子注入層的材料是LiF、CsF、Liq、K、Mg、Ca中的一種。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是在所述OLED的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)或者陰極結(jié)構(gòu)中增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述增反層的折射率大于相鄰兩層材料的折射率，以起到增反效果。


圖I是光從介質(zhì)SO經(jīng)過(guò)介質(zhì)膜SI入射到基底S2的反射與折射示意圖；圖2是單層膜反射率R隨薄膜光學(xué)厚度nih的變化曲線圖3是本發(fā)明提供的第一種頂發(fā)光OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明提供的第二種頂發(fā)光OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明提供的第三種頂發(fā)光OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明提供的第四種頂發(fā)光OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明提供的第一種底發(fā)光OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明提供的第二種底發(fā)光OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式首先介紹基本的光學(xué)原理如下
如圖I所示，光從折射率為Iici的介質(zhì)SO經(jīng)過(guò)折射率為Ii1、厚度為h的介質(zhì)膜SI入射到折射率為n2的基底S2，在介質(zhì)膜SI上的反射率公式如下
權(quán)利要求
1.一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a，所述反射金屬層的折射率為C，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足c〈b>a。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)I所述的OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，其特征在于所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或AZO。
3.—種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為山所述反射金屬層的折射率為C，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足c〈b>d。
4.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)3所述的OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，其特征在于所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或AZO。
5.一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述功能層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a，所述功能層中最貼近所述增反層的一層材料的折射率為e，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足a〈b>e。
6.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)5所述的OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，其特征在于所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ΙΤ0;所述功能層中最貼近所述增反層的一層是空穴注入層，所述空穴注入層的材料是NPB、TPD、m-MTDATA中的一種；所述增反層的材料是IZO或者ΑΖ0。
7.—種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陽(yáng)極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成，在所述陽(yáng)極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層，其特征在于在遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜下方增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為山所述反射金屬層的折射率為c，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足b〈d>c。
8.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)7所述的OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)，其特征在于所述遠(yuǎn)離所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ΙΤΟ、ΙΖ0, AZO中的一種；所述增反層的材料是Al、Ag、Au、Cu中的一種；所述反射金屬層的材料是Al、Ag、Ca、Au、Cu中的一種。
9.一種OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陰極下方覆蓋有功能層與陽(yáng)極材料層，其特征在于在所述功能層與陰極之間添加了具有導(dǎo)電特性的增反層，而且所述功能層中最貼近所述增反層的一層材料的折射率為f，所述陰極的折射率為g，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足公式g〈b>f。
10.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)9所述的OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，其特征在于所述陰極的材料是Ag、Al、Au、Cu中的一種；所述增反層的材料是Ni、ΙΤΟ, ΙΖ0, ΑΖ0, IGZO中的一種；所述功能層中最貼近所述增反層的一層是電子注入層，所述電子注入層的材料是LiF、CsF, Liq, K、Mg、Ca中的一種。
11.一種OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，所述OLED的陰極下方覆蓋有功能層與陽(yáng)極材料層，其特征在于在所述陰極的上方設(shè)置有具有導(dǎo)電特性的增反層，所述功能層中最貼近所述陰極的一層材料的折射率為f，所述陰極的折射率為g，所述增反層的折射率b滿(mǎn)足公式b<g>fο
12.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)11所述的OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，其特征在于所述陰極的材料是IZ0、IT0、AZ0、Al、Ni中的一種；所述增反層的材料是Ag、Au、Cu中的一種；所述功能層中最貼近所述陰極的一層是電子注入層，所述電子注入層的材料是LiF、CsF、Liq、K、Mg、Ca中的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種OLED陽(yáng)極的增反結(jié)構(gòu)和OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)，是在所述OLED的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)或者陰極結(jié)構(gòu)中增加具有導(dǎo)電特性的增反層，所述增反層的折射率大于相鄰兩層材料的折射率，以起到增反效果。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102891265SQ20121037030
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者陳紅, 邱勇, 黃秀頎 申請(qǐng)人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司