專(zhuān)利名稱：超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的制作方法
超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件與工藝制造領(lǐng)域，具體涉及一種超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景
功率VDMOS器件要得到較高的擊穿電壓，就必須較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，因而導(dǎo)通電阻會(huì)隨著擊穿電壓的增大而急劇增大，對(duì)于常規(guī)結(jié)構(gòu)功率器件的導(dǎo)通電阻受此“硅限”的約束而無(wú)法進(jìn)一步降低。飛利浦公司的工程師David J. Coe于1988年的申請(qǐng)美國(guó)專(zhuān)利(High voltage semiconductor device [P]. US Patent 4, 754, 310. 1988 .)，首次在橫向高壓MOSFET中提出采用交替的PN結(jié)結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率器件中低摻雜漂移層作為耐壓層的方法。1993年，電子科技大學(xué)的陳星弼教授提出了在縱向功率器件(尤其是縱向M0SFET)中用多個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為漂移層的思想，(Xingbi Chen, Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions[P]. US Patent 5, 216, 275. 1993.)，并把這種結(jié)構(gòu)稱之為“復(fù)合緩沖層”(Composite Buffer Layer)ο 1995年,西門(mén)子公司的J. Tihanyi申請(qǐng)的美國(guó)專(zhuān)利(Tihanyi J. Power MOSFET [P]· US Patent 5，438，215. 1995.)，提出了類(lèi)似的思路和應(yīng)用。1997年日本的學(xué)者 Tatsuhiko等人在對(duì)上述概念的總結(jié)下，提出了“超結(jié)”(Superjunction)理論。結(jié)合超結(jié)理論，1998年Infineon公司首次將超結(jié)器件商業(yè)化推出了 Superjunction VDMOS即 “CoolMOS ”，其P柱是采用多次外延和多次離子注入的方式實(shí)現(xiàn)的，CoolMOS顯著地降低了導(dǎo)通電阻。
如圖I所示，功率器件由中央的元胞區(qū)以及作為元胞區(qū)與器件邊緣過(guò)渡的結(jié)終端區(qū)所組成，對(duì)于結(jié)終端技術(shù)，陳星弼院士指出，任何一種結(jié)終端技術(shù)都是在耗盡層內(nèi)引入電荷。對(duì)于平面PN結(jié)來(lái)說(shuō)，如果在P型耗盡區(qū)的表面引入一個(gè)正電荷，那么該電荷所產(chǎn)生的電場(chǎng)與冶金結(jié)處的電場(chǎng)方向相反，故削弱了該電荷靠近冶金結(jié)處的電場(chǎng)，不過(guò)同時(shí)該電荷也增加了遠(yuǎn)離結(jié)面處的電場(chǎng)。
在超結(jié)器件承受耐壓時(shí)，元胞區(qū)耐壓層完全耗盡，通過(guò)P柱和N柱區(qū)的離子數(shù)目基本相等來(lái)保持電荷平衡，使得施主雜質(zhì)與受主雜質(zhì)電離的正負(fù)離子產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)相互抵消，而施主雜質(zhì)產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)為擊穿電壓積分時(shí)的有效電場(chǎng)，因而元胞區(qū)的擊穿電壓較易設(shè)計(jì)，但是在結(jié)終端區(qū)，電勢(shì)呈現(xiàn)柱狀分布時(shí)結(jié)終端面積最小，對(duì)于結(jié)終端的有效電場(chǎng)分量從主結(jié)處的縱向電場(chǎng)逐漸過(guò)渡到橫向電場(chǎng)，從而結(jié)終端的受主離子數(shù)目顯得過(guò)剩，且結(jié)終端表面處表現(xiàn)最為明顯，使得P柱的無(wú)法完全耗盡，并且由內(nèi)到外這種情況越來(lái)越嚴(yán)重， 因而傳統(tǒng)的超結(jié)器件結(jié)終端結(jié)構(gòu)不能很好地承受較高的擊穿電壓。通過(guò)改變超結(jié)器件的P 柱的寬度和間距可以從一定程度上優(yōu)化結(jié)終端的電場(chǎng)分布，但是，在深槽刻蝕及外延填充工藝中P柱的寬度會(huì)被制作工藝的可靠性要求所限制。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以更好地實(shí)現(xiàn)P柱完全耗盡的結(jié)終端構(gòu)及其工藝實(shí)現(xiàn)方式，減小了超結(jié)器件的結(jié)終端的面積，從而減小了超結(jié)器件的比導(dǎo)通電阻。
為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采取的技術(shù)方案一種超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特殊之處在于所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的結(jié)終端區(qū)設(shè)置若干個(gè)不均勻摻雜P柱，P柱的補(bǔ)償注入掩膜板上設(shè)置有不連續(xù)的阻擋圖形；若干個(gè)不均勻摻雜P柱通過(guò)對(duì)均勻摻雜P柱的不均勻雜質(zhì)補(bǔ)償注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，在深槽刻蝕及外延填充或多次外延多次離子注入方式形成均勻摻雜P柱后，從版圖設(shè)計(jì)上進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整P柱的磷離子補(bǔ)償注入的有效注入面積，從而實(shí)現(xiàn)了不同P柱的雜質(zhì)補(bǔ)償注入總量的不同，不均勻摻雜P柱的縱向摻雜不均勻分布是通過(guò)隨著磷離子注入能量的減小而磷離子注入劑量增大的多次離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，通過(guò)調(diào)整P柱補(bǔ)償磷離子注入的有效注入面積、磷離子注入能量及磷離子注入劑量，并借助柵氧化過(guò)程的高溫?zé)徇^(guò)程形成若干個(gè)不均勻摻雜P柱，使達(dá)到擊穿電壓時(shí)P柱區(qū)完全耗盡；不連續(xù)的阻擋圖形通過(guò)調(diào)整磷離子補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域的阻擋圖形的大小與數(shù)目，決定了 P柱的補(bǔ)償注入的有效注入面積，從而控制了各個(gè)P柱用于雜質(zhì)補(bǔ)償注入的磷尚子的總劑量。
上述的阻擋圖形為直徑為O. 5^2um的圓形或正六邊形，并且在P柱的補(bǔ)償注入掩膜板的補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域中均勻排布。
上述的超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的制作工藝的具體步驟如下(1)、在電阻率為O.001 Ω cm的N+硅片襯底上生長(zhǎng)45 μ m的N外延層，N外延層的典型摻雜濃度為IX IO15cnT3，然后使用P柱掩膜板掩膜利用深槽刻蝕工藝在需要制作P柱的區(qū)域刻蝕出35 μ m的深槽，使用外延填充工藝在深槽中生長(zhǎng)出均勻摻雜的P柱，元胞區(qū)P柱典型摻雜濃度為3 X IO15CnT3 ；(2)、利用P柱補(bǔ)償注入掩膜板掩膜，采用IOMeV的高能磷離子注入劑量5XΙΟ'πΓ2，此后重復(fù)注入9次且磷離子的注入能量每次遞減IMeV，而注入劑量增加5 X 101(lCm_2，最后采用 80KeV注入磷離子劑量5 X IO11Cnr2 ；(3)、采用干氧加濕氧加干氧的方式形成900nm厚的場(chǎng)氧化層，并進(jìn)行刻蝕形成有源區(qū)；(4)、干氧生長(zhǎng)IOOnm厚的棚氧化層,之后淀積400nm厚的多晶娃,并刻蝕多晶娃形成多晶硅柵電極與多晶硅場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；(5)、采用劑量硼離子注入并在IOOiTC氮?dú)夥諊峦平Y(jié)100分鐘，形成元胞區(qū)及主結(jié)處的P阱；(6)、高濃度的砷離子注入，形成N+源區(qū)和N+截止環(huán)，典型摻雜濃度約為102°cm_3；(7)、高濃度的硼離子注入，形成P+區(qū)，典型摻雜濃度約為5XIO19CnT3 ；(8)、淀積2μ m厚的BPSG層，在950°C氮?dú)夥諊禄亓?0分鐘，并刻蝕接觸孔；(9)、在整個(gè)器件的上表面淀積一層金屬，并反刻金屬形成源金屬電極、柵電極及截止環(huán)金屬，鈍化，背面金屬化形成漏電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果本發(fā)明通過(guò)額外增加了一張P柱補(bǔ)償注入工藝，通過(guò)調(diào)整磷離子的注入能量與注入劑量來(lái)與P柱的摻雜離子進(jìn)行補(bǔ)償，因而結(jié)終端區(qū)的P柱的摻雜濃度可以在縱向上得到調(diào)節(jié)， 從而得到更加理想的結(jié)終端結(jié)構(gòu)；P柱的補(bǔ)償注入的阻擋圖形是阻擋用于雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)牧纂x子的注入，阻擋區(qū)域越大，則用于補(bǔ)償?shù)牧纂x子的劑量越小，雜質(zhì)補(bǔ)償后的P柱的摻雜濃度就越大，由于本發(fā)明中雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)牧纂x子的注入劑量與注入能量可以調(diào)整，因而，在P柱的縱向方向上P柱的摻雜濃度也可以得到調(diào)整，在器件達(dá)到擊穿電壓時(shí)，電場(chǎng)分布更加合理；可以有效地改善結(jié)終端器件的擊穿電壓特性，并且具有較短的結(jié)終端長(zhǎng)度，使得器件的總體器件面積得到縮小，在相同的芯片面積上進(jìn)一步減小了器件導(dǎo)通電阻。


圖I是本發(fā)明的超結(jié)器件P柱掩膜板俯視示意圖；圖2是圖I中A區(qū)域的P柱補(bǔ)償注入掩膜板局部示意圖；圖3是圖I中沿BB’線方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3中沿CC’線方向的橫向摻雜濃度示意圖；圖5是圖3中沿EE’線方向的縱向摻雜濃度示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的結(jié)終端區(qū)設(shè)置若干個(gè)不均勻摻雜P柱，P柱的補(bǔ)償注入掩膜板上設(shè)置有不連續(xù)的阻擋圖形；若干個(gè)不均勻摻雜P柱通過(guò)對(duì)均勻摻雜P柱的不均勻雜質(zhì)補(bǔ)償注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，在深槽刻蝕及外延填充或多次外延多次離子注入方式形成均勻摻雜P 柱后，從版圖設(shè)計(jì)上進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整P柱的磷離子補(bǔ)償注入的有效注入面積，從而實(shí)現(xiàn)了不同P柱的雜質(zhì)補(bǔ)償注入總量的不同，不均勻摻雜P柱的縱向摻雜不均勻分布是通過(guò)隨著磷離子注入能量的減小而磷離子注入劑量增大的多次離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，通過(guò)調(diào)整P柱補(bǔ)償磷離子注入的有效注入面積、磷離子注入能量及磷離子注入劑量，并借助柵氧化過(guò)程的高溫?zé)徇^(guò)程形成若干個(gè)不均勻摻雜P柱，使達(dá)到擊穿電壓時(shí)P柱區(qū)完全耗盡；不連續(xù)的阻擋圖形通過(guò)調(diào)整磷離子補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域的阻擋圖形的大小與數(shù)目，決定了 P柱的補(bǔ)償注入的有效注入面積，從而控制了各個(gè)P柱用于雜質(zhì)補(bǔ)償注入的磷離子的總劑量。
上述的阻擋圖形為直徑為O. 5^2um的圓形或正六邊形，并且在P柱的補(bǔ)償注入掩膜板的補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域中均勻排布。
本發(fā)明的結(jié)終端結(jié)構(gòu)形成了一種不均勻摻雜P柱結(jié)構(gòu)，即結(jié)終端區(qū)的P柱摻雜濃度不再與元胞區(qū)的P柱摻雜濃度分布相同，而是根據(jù)各處的橫向電場(chǎng)分布情況利用橫向變摻雜方法進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整P柱雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)牧纂x子有效注入面積，從而精確控制用于結(jié)終端區(qū) P柱雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)牧纂x子注入總量，借助于柵氧化等工藝的高溫?zé)徇^(guò)程，使P柱的硼離子P型雜質(zhì)與磷離子N型雜質(zhì)得以充分補(bǔ)償，形成不均勻摻雜P柱結(jié)構(gòu)。在超結(jié)器件將要達(dá)到擊穿電壓時(shí)，結(jié)終端區(qū)的P柱可以完全耗盡，電場(chǎng)分布較常規(guī)超結(jié)結(jié)終端更加均勻合理，從而可以用更小的結(jié)終端面積來(lái)承受相同的擊穿電壓。
參見(jiàn)圖1，本發(fā)明的P柱掩膜板的中間的條形區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)，周?chē)沫h(huán)形區(qū)為結(jié)終端區(qū)，結(jié)終端區(qū)可以有五個(gè)或更多個(gè)P柱與表面的場(chǎng)板，場(chǎng)限環(huán)等結(jié)構(gòu)組成。
參見(jiàn)圖2，用于圖I所示虛框A區(qū)域的P柱補(bǔ)償注入掩膜板中，深色區(qū)域?yàn)榱纂x子可以注入的區(qū)域，深色區(qū)域內(nèi)白色區(qū)域?yàn)椴贿B續(xù)的阻擋圖形，通過(guò)調(diào)整阻擋圖形的大小與數(shù)目，就可以有效地控制用于P柱雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)牧纂x子總量，最后通過(guò)高溫長(zhǎng)時(shí)間的推結(jié)形成不均勻摻雜的P柱，其中的最左側(cè)的P柱與其表面附近的P阱等結(jié)構(gòu)構(gòu)成主結(jié)，其P柱濃度與元胞區(qū)的濃度相同，第二到第五個(gè)P柱的雜質(zhì)補(bǔ)償注入版圖皆有均勻分布的不連續(xù)的阻擋圖形存在，其大小與數(shù)目決定了 P柱雜質(zhì)補(bǔ)償離子注入的有效面積，可以有效地控制用于雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)牧纂x子的總量，從而達(dá)到了得到摻雜濃度不同的P柱的目的。
參見(jiàn)圖3，其中虛線DD’左側(cè)為超結(jié)器件的元胞區(qū)，右側(cè)為結(jié)終端區(qū)，結(jié)終端區(qū)的 P柱的間距可以相等也可以不等，其寬度可以與元胞區(qū)相同，也可以適當(dāng)調(diào)整以更好地優(yōu)化電場(chǎng)分布情況，其中所有的P柱是通過(guò)深槽刻蝕及外延填充或多次外延多次離子注入等方式形成。
參見(jiàn)圖4，沿著圖3中虛線CC’雜質(zhì)補(bǔ)償后的摻雜濃度曲線顯示，元胞區(qū)和主結(jié)的 P柱摻雜濃度相同，但是結(jié)終端的第二到第五個(gè)P柱的摻雜濃度隨著各個(gè)P柱雜質(zhì)補(bǔ)償注入的磷離子總量的增大而減小。
參見(jiàn)圖5，沿著圖3中虛線EE’雜質(zhì)補(bǔ)償后的縱向摻雜濃度曲線顯示，P柱雜質(zhì)補(bǔ)償后的摻雜濃度隨著縱向深度的增大而增大，這種縱向摻雜不均勻分布是通過(guò)隨著磷離子注入能量的減小而磷離子注入劑量增大的多次離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
實(shí)施例用具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的MOSFET來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不局限于MOSFET。
一、在電阻率為O. 001 Ω cm的N+硅片襯底上生長(zhǎng)45 μ m的N外延層，N外延層的典型摻雜濃度為I X IO15Cm-3,然后使用P柱掩膜板掩膜利用深槽刻蝕工藝在需要制作P柱的區(qū)域刻蝕出35 μ m的深槽，使用外延填充工藝在深槽中生長(zhǎng)出均勻摻雜的P柱，元胞區(qū)P 柱典型摻雜濃度為3 X IO15CnT3。
二、利用P柱補(bǔ)償注入掩膜板掩膜，采用IOMeV的高能磷離子注入劑量 5X IO10Cm-2,此后重復(fù)注入9次且磷離子的注入能量每次遞減IMeV，而注入劑量增加 5 X IOiciCnT2,最后采用80KeV注入磷離子劑量5 X 10ncnT2。
三、采用干氧加濕氧加干氧的方式形成900nm厚的場(chǎng)氧化層，并進(jìn)行刻蝕形成有源區(qū)。
四、干氧生長(zhǎng)IOOnm厚的棚氧化層,之后淀積400nm厚的多晶娃，并刻蝕多晶娃形成多晶硅柵電極與多晶硅場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。
五、采用劑量硼離子注入并在1000°C氮?dú)夥諊峦平Y(jié)100分鐘，形成元胞區(qū)及主結(jié)處的P阱。
六、高濃度的砷離子注入，形成N+源區(qū)和N+截止環(huán)，典型摻雜濃度約為102°cm_3。
七、高濃度的硼離子注入，形成P+區(qū)，典型摻雜濃度約為5X1019cm_3。
八、淀積2 μ m厚的BPSG層，在950°C氮?dú)夥諊禄亓?0分鐘，并刻蝕接觸孔。
在整個(gè)器件的上表面淀積一層金屬，并反刻金屬形成源金屬電極、柵電極及截止環(huán)金屬，鈍化，背面金屬化形成漏電極。
權(quán)利要求
1.一種超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的結(jié)終端區(qū)設(shè)置若干個(gè)不均勻摻雜P柱，P柱的補(bǔ)償注入掩膜板上設(shè)置有不連續(xù)的阻擋圖形；若干個(gè)不均勻摻雜P柱通過(guò)對(duì)均勻摻雜P柱的不均勻雜質(zhì)補(bǔ)償注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，在深槽刻蝕及外延填充或多次外延多次離子注入方式形成均勻摻雜P柱后，從版圖設(shè)計(jì)上進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整P柱的磷離子補(bǔ)償注入的有效注入面積，從而實(shí)現(xiàn)了不同P柱的雜質(zhì)補(bǔ)償注入總量的不同，不均勻摻雜P柱的縱向摻雜不均勻分布是通過(guò)隨著磷離子注入能量的減小而磷離子注入劑量增大的多次離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，通過(guò)調(diào)整P柱補(bǔ)償磷離子注入的有效注入面積、磷離子注入能量及磷離子注入劑量，并借助柵氧化過(guò)程的高溫?zé)徇^(guò)程形成若干個(gè)不均勻摻雜P柱，使達(dá)到擊穿電壓時(shí)P柱區(qū)完全耗盡；不連續(xù)的阻擋圖形通過(guò)調(diào)整磷離子補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域的阻擋圖形的大小與數(shù)目，決定了 P柱的補(bǔ)償注入的有效注入面積，從而控制了各個(gè)P柱用于雜質(zhì)補(bǔ)償注入的磷尚子的總劑量。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的阻擋圖形為直徑為O. 5^2um的圓形或正六邊形，并且在P柱的補(bǔ)償注入掩膜板的補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域中均勻排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的制作工藝的具體步驟如下 (1)、在電阻率為O.OOl Ω cm的N+硅片襯底上生長(zhǎng)45 μ m的N外延層，N外延層的典型摻雜濃度為IX IO15cnT3，然后使用P柱掩膜板掩膜利用深槽刻蝕工藝在需要制作P柱的區(qū)域刻蝕出35 μ m的深槽，使用外延填充工藝在深槽中生長(zhǎng)出均勻摻雜的P柱，元胞區(qū)P柱典型摻雜濃度為3 X IO15CnT3 ； (2)、利用P柱補(bǔ)償注入掩膜板掩膜，采用IOMeV的高能磷離子注入劑量5XΙΟ'πΓ2，此后重復(fù)注入9次且磷離子的注入能量每次遞減IMeV，而注入劑量增加5 X 101(lCm_2，最后采用80KeV注入磷離子劑量5 X IO11Cnr2 ； (3)、采用干氧加濕氧加干氧的方式形成900nm厚的場(chǎng)氧化層，并進(jìn)行刻蝕形成有源區(qū)； (4)、干氧生長(zhǎng)IOOnm厚的棚氧化層,之后淀積400nm厚的多晶娃,并刻蝕多晶娃形成多晶硅柵電極與多晶硅場(chǎng)板結(jié)構(gòu)； (5)、采用劑量硼離子注入并在KKKTC氮?dú)夥諊峦平Y(jié)100分鐘，形成元胞區(qū)及主結(jié)處的P阱； (6)、高濃度的砷離子注入，形成N+源區(qū)和N+截止環(huán)，典型摻雜濃度約為102°cm_3； (7)、高濃度的硼離子注入，形成P+區(qū)，典型摻雜濃度約為5XIO19CnT3 ； (8)、淀積2μ m厚的BPSG層，在950°C氮?dú)夥諊禄亓?0分鐘，并刻蝕接觸孔； (9)、在整個(gè)器件的上表面淀積一層金屬，并反刻金屬形成源金屬電極、柵電極及截止環(huán)金屬，鈍化，背面金屬化形成漏電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種超結(jié)器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的結(jié)終端結(jié)構(gòu)的結(jié)終端區(qū)設(shè)置若干個(gè)不均勻摻雜P柱，P柱的補(bǔ)償注入掩膜板上設(shè)置有不連續(xù)的阻擋圖形；若干個(gè)不均勻摻雜P柱通過(guò)對(duì)均勻摻雜P柱的不均勻雜質(zhì)補(bǔ)償注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，在深槽刻蝕及外延填充或多次外延多次離子注入方式形成均勻摻雜P柱后，從版圖設(shè)計(jì)上進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整P柱的磷離子補(bǔ)償注入的有效注入面積；不連續(xù)的阻擋圖形通過(guò)調(diào)整磷離子補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域的阻擋圖形的大小與數(shù)目，決定了P柱的補(bǔ)償注入的有效注入面積。本發(fā)明可以有效地改善結(jié)終端器件的擊穿電壓特性，并且具有較短的結(jié)終端長(zhǎng)度，使得器件的總體器件面積得到縮小，在相同的芯片面積上進(jìn)一步減小了器件導(dǎo)通電阻。
文檔編號(hào)H01L21/265GK102931218SQ20121037152
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月29日
發(fā)明者陳橋梁, 姜貫軍, 陳仕全, 馬治軍, 杜忠鵬 申請(qǐng)人:西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司