減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法
【專利摘要】一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，在晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)之后，若正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，且空閑狀態(tài)持續(xù)了一段時(shí)間后，則將晶舟升入爐管，直到下次沉積工序開(kāi)始之前，晶舟一直呆在爐管內(nèi)。本發(fā)明減少了正硅酸乙酯爐體中的顆粒雜質(zhì)，延長(zhǎng)了爐體的正常運(yùn)行時(shí)間，降低了產(chǎn)品不合格率。
【專利說(shuō)明】減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造工藝中，會(huì)使用正硅酸乙酯爐來(lái)完成對(duì)晶圓的沉積工序，如圖1所示，TEOS正硅酸乙酯氣體Si (0C2H5)4和氮?dú)釴2通過(guò)管路供給到爐管，晶舟在裝載區(qū)載入若干晶圓，如圖2所示，將裝載了晶圓的晶舟升入爐管內(nèi)，TEOS管路供應(yīng)TEOS氣體，開(kāi)始對(duì)晶圓進(jìn)行沉積工序。沉積工序結(jié)束后，TEOS管路停止供應(yīng)，氮?dú)夤苈烽_(kāi)始供應(yīng)氮?dú)?，?duì)晶圓和晶舟進(jìn)行清洗，去除晶圓表面和晶舟上殘留的TEOS氣體。如圖1所示，然后晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，等待晶圓冷卻，并卸下晶圓。如果暫時(shí)沒(méi)有晶圓要進(jìn)行沉積工序，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，在這段空閑時(shí)間內(nèi)，晶舟一直呆在裝載區(qū)內(nèi)，由于裝載區(qū)內(nèi)充滿水汽，而晶舟上附著有氮?dú)馇逑催^(guò)程中殘留的TEOS氣體，則水汽和TEOS氣體會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，Si (0C2H5) 4+2H20 — Si02+4C2H50H,生成的乙醇?xì)怏wC2H50H會(huì)形成較大的分子來(lái)作為顆粒核心,從而形成雜質(zhì)。隨著空閑時(shí)間的增加,正硅酸乙酯爐體中生成的顆粒雜質(zhì)會(huì)越來(lái)越多，這些雜質(zhì)會(huì)影響后續(xù)晶片的沉積工序，增加產(chǎn)品的不合格率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，減少了正硅酸乙酯爐體中的顆粒雜質(zhì)，延長(zhǎng)了爐體的正常運(yùn)行時(shí)間，降低了產(chǎn)品不合格率。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，其特征在于，該方法在晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)之后開(kāi)始執(zhí)行，該方法包含以下步驟:
步驟1、判斷是否還要裝載晶圓升入爐管進(jìn)行沉積工序，若是，則按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進(jìn)行后續(xù)操作，若否，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，進(jìn)行步驟2;
步驟2、判斷空閑時(shí)間是否大于3小時(shí)，若是，則進(jìn)行步驟3，若否，則繼續(xù)等待；
步驟3、晶舟升入爐管；
步驟4、判斷是否有晶圓需要升入爐管進(jìn)行沉積工序，若是，則晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，裝載晶圓后，按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進(jìn)行后續(xù)操作，若否，則晶舟繼續(xù)呆在爐管內(nèi)。
[0005]本發(fā)明減少了正硅酸乙酯爐體中的顆粒雜質(zhì)，延長(zhǎng)了爐體的正常運(yùn)行時(shí)間，降低了產(chǎn)品不合格率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1是晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是晶舟升入爐管內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0007]以下詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
[0008]本發(fā)明提供一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，該方法在晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)之后開(kāi)始執(zhí)行，該方法包含以下步驟:
步驟1、判斷是否還要裝載晶圓升入爐管進(jìn)行沉積工序，若是，則按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進(jìn)行后續(xù)操作，若否，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，進(jìn)行步驟2 ;
步驟2、判斷空閑時(shí)間是否大于3小時(shí)，若是，則進(jìn)行步驟3，若否，則繼續(xù)等待；
步驟3、晶舟升入爐管；
步驟4、判斷是否有晶圓需要升入爐管進(jìn)行沉積工序，若是，則晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，裝載晶圓后，按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進(jìn)行后續(xù)操作，若否，則晶舟繼續(xù)呆在爐管內(nèi)。
[0009]本發(fā)明大大減少了空閑時(shí)間內(nèi)晶舟呆在裝載區(qū)內(nèi)的時(shí)間，也就減少了晶舟與水汽接觸的時(shí)間，從而減少了水汽和TEOS氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的顆粒雜質(zhì)，延長(zhǎng)了爐體的正常運(yùn)行時(shí)間，降低了產(chǎn)品不合格率。
[0010]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過(guò)上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
【權(quán)利要求】
1.一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，其特征在于，該方法在晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)之后開(kāi)始執(zhí)行，該方法包含以下步驟: 步驟1、判斷是否還要裝載晶圓升入爐管進(jìn)行沉積工序，若是，則按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進(jìn)行后續(xù)操作，若否，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，進(jìn)行步驟2; 步驟2、判斷空閑時(shí)間是否大于3小時(shí)，若是，則進(jìn)行步驟3，若否，則繼續(xù)等待； 步驟3、晶舟升入爐管； 步驟4、判斷是否有晶圓需要升入爐管進(jìn)行沉積工序，若是，則晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，裝載晶圓后，按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進(jìn)行后續(xù)操作，若否，則晶舟繼續(xù)呆在爐管內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103839768SQ201210470921
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】潘琦, 張弈順, 顧武強(qiáng), 王強(qiáng) 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司